JP2003504214A - 多重積層材料のエキシマレーザーアブレーション加工制御 - Google Patents
多重積層材料のエキシマレーザーアブレーション加工制御Info
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Abstract
(57)【要約】
第一の層(12)および第二の層(14)を含む積層材料を用い、材料中に穴をアブレーションする方法。第一層および第二層は異なる熱膨張係数をもつ。第一層には、積層材料中の第二層の標的領域を囲むような穴をその内部にもつ。すなわち、標的部位は第二層に積層されていないが、第一層(12)が第二層(14)に積層されている積層領域に完全に囲まれている。標的領域画帳緑化に配置されるように積層材料の温度を変化させた後、および/または変化させながら、第一層由来の材料をアブレーションできる波長とパワーレベルを持ったエネルギーを産生するレーザー源(40)を標的領域に照射すると、標的領域のアブレーションによって所望の穴が産生される。
Description
【0001】
技術分野
本発明は、材料内の複数の層に小孔をアブレーションするプロセスに関するも
のであり、特に、エキシマレーザーによって穴が穿孔された材料の層の変形を防
ぐ方法に関するものである。
のであり、特に、エキシマレーザーによって穴が穿孔された材料の層の変形を防
ぐ方法に関するものである。
【0002】
本発明の背景
例えばポリイミドなど、種々の重合材料のアブレーションパターニング(patt
erning)の使用が知られている。たとえば、米国特許第4,508,749号には、ポリ
イミド層を介したエッチングのための紫外線照射の使用が開示されている。この
特許は主に、下の金属層の表面領域を露出させるため、ポリイミド層を介してテ
ーパリングされた開口部を作製することに向けられている。次に開口部を通じて
金属層への電気的接続が作製される。同様に、米国特許第5,236,551号にも重合
材料層をパターニングするためのアブレーションエッチングが記載されており、
この重合材料は次にウェットエッチングまたは化学エッチング用の腐食液(etch
ant)を用いて下の金属層をエッチングパターニングするためのエッチングマス
クとして用いられる。
erning)の使用が知られている。たとえば、米国特許第4,508,749号には、ポリ
イミド層を介したエッチングのための紫外線照射の使用が開示されている。この
特許は主に、下の金属層の表面領域を露出させるため、ポリイミド層を介してテ
ーパリングされた開口部を作製することに向けられている。次に開口部を通じて
金属層への電気的接続が作製される。同様に、米国特許第5,236,551号にも重合
材料層をパターニングするためのアブレーションエッチングが記載されており、
この重合材料は次にウェットエッチングまたは化学エッチング用の腐食液(etch
ant)を用いて下の金属層をエッチングパターニングするためのエッチングマス
クとして用いられる。
【0003】
典型的なアブレーションプロセスでは、アブレーションするべき本体の露出面
にレーザーエネルギーのビームが照射される。レーザーエネルギーは物質に吸収
され、光化学効果、熱効果およびその他の効果の結果として材料の局所的な爆発
が生じ、爆発ごとに材料の微小断片が取り除かれる。プロセスにおいては、爆発
が起きるエネルギー密度の閾値を上回るのに十分なエネルギーが各微小体積中に
蓄積されるまで、材料の微小体積中に有意量のエネルギーが吸収されかつ保持さ
れることが必要である。
にレーザーエネルギーのビームが照射される。レーザーエネルギーは物質に吸収
され、光化学効果、熱効果およびその他の効果の結果として材料の局所的な爆発
が生じ、爆発ごとに材料の微小断片が取り除かれる。プロセスにおいては、爆発
が起きるエネルギー密度の閾値を上回るのに十分なエネルギーが各微小体積中に
蓄積されるまで、材料の微小体積中に有意量のエネルギーが吸収されかつ保持さ
れることが必要である。
【0004】
紫外光の吸収性が高い一方で、かつエネルギーを吸収した部位から発生される
吸収エネルギー拡散の制限に関する熱拡散性が比較的低いので、ポリイミドなど
の重合材料は本プロセスにおける使用に非常に適している。したがって、エネル
ギーレベルは、必要なエネルギー密度の閾値を速やかに上回る。
吸収エネルギー拡散の制限に関する熱拡散性が比較的低いので、ポリイミドなど
の重合材料は本プロセスにおける使用に非常に適している。したがって、エネル
ギーレベルは、必要なエネルギー密度の閾値を速やかに上回る。
【0005】
エキシマレーザー特有の光集束(optical focusing)要件のため、エキシマー
レーザーを用いる場合は、アブレーションする材料が平らで、最高最低の粗さの
典型値(a typical peak-to peak roughness)が約20ミクロン未満、すなわち、
所与のアブレーション作業に対して±10ミクロンであることが、製造プロセス上
重要である。本発明によりこの要件および他の要件が解決される。
レーザーを用いる場合は、アブレーションする材料が平らで、最高最低の粗さの
典型値(a typical peak-to peak roughness)が約20ミクロン未満、すなわち、
所与のアブレーション作業に対して±10ミクロンであることが、製造プロセス上
重要である。本発明によりこの要件および他の要件が解決される。
【0006】
発明の概要
本発明は、薄膜を通して穿孔し、レーザーアブレーションプロセスの結果を改
善することを目的としている。本発明による薄膜のアブレーション方法は、薄膜
に存在しうるしわを除去するため、張力がかかるような条件下に薄膜を配置する
段階を含む。これにより薄膜表面を実質的に単一平面にし、これにレーザーエネ
ルギーを照射することによって、薄膜における複数の穴の精密かつ正確な同時ア
ブレーションを可能にする。
善することを目的としている。本発明による薄膜のアブレーション方法は、薄膜
に存在しうるしわを除去するため、張力がかかるような条件下に薄膜を配置する
段階を含む。これにより薄膜表面を実質的に単一平面にし、これにレーザーエネ
ルギーを照射することによって、薄膜における複数の穴の精密かつ正確な同時ア
ブレーションを可能にする。
【0007】
ある例において、薄層に追加の層を積層して第一の温度の条件下で積層物を作
製し、次に、薄層に穴があくように、第二の温度の条件下にて積層物にレーザー
エネルギーのパルスを照射する。第一の温度下で積層化した後、第二の温度下で
は追加の層により薄層に張力がかかるように、第一の温度は第二の温度と異なり
、また、薄層の熱膨張係数は追加の層の熱膨張係数と異なる。追加の層の熱膨張
係数が薄層のそれ未満である場合は第一の温度は第二の温度を上回り、逆も又同
様である。
製し、次に、薄層に穴があくように、第二の温度の条件下にて積層物にレーザー
エネルギーのパルスを照射する。第一の温度下で積層化した後、第二の温度下で
は追加の層により薄層に張力がかかるように、第一の温度は第二の温度と異なり
、また、薄層の熱膨張係数は追加の層の熱膨張係数と異なる。追加の層の熱膨張
係数が薄層のそれ未満である場合は第一の温度は第二の温度を上回り、逆も又同
様である。
【0008】
薄層は好ましくはポリイミドからなるが、追加の層は種々の異なる材料で作製
されうる。しかし、本発明の原理はポリイミド以外の薄層にも同様に適用される
。
されうる。しかし、本発明の原理はポリイミド以外の薄層にも同様に適用される
。
【0009】
第二の温度が第一の温度より高い場合、第二の温度は、少なくとも部分的に、
追加の層によるレーザーエネルギー吸収を介して達成されうる。アブレーション
プロセス中の加温または冷却は、アブレーションプロセス中に積層物と接するア
ブレーションチャックを加温または冷却することによって達成又は補助されうる
。
追加の層によるレーザーエネルギー吸収を介して達成されうる。アブレーション
プロセス中の加温または冷却は、アブレーションプロセス中に積層物と接するア
ブレーションチャックを加温または冷却することによって達成又は補助されうる
。
【0010】
第一の層を第二の層に積層する段階を含む、レーザーアブレーション用の積層
材料を調製する方法が提供される。ここで、第一の層と第二の層の熱膨張係数は
異なり、また、第二の層の内側には穴がある。これにより、積層基質が形成され
た場合、穴と一直線になった第一の層の領域は第二の層に積層されず、かつ積層
部分に囲まれる。
材料を調製する方法が提供される。ここで、第一の層と第二の層の熱膨張係数は
異なり、また、第二の層の内側には穴がある。これにより、積層基質が形成され
た場合、穴と一直線になった第一の層の領域は第二の層に積層されず、かつ積層
部分に囲まれる。
【0011】
第一および第二の層を含む積層材料が提供される。ここで、第一の層と第二の
層の熱膨張係数は異なり、また、第二の層の内側には穴がある。これにより、穴
と一直線になった第一の層の領域は第二の層に積層されず、かつ積層部分に囲ま
れる。
層の熱膨張係数は異なり、また、第二の層の内側には穴がある。これにより、穴
と一直線になった第一の層の領域は第二の層に積層されず、かつ積層部分に囲ま
れる。
【0012】
発明の詳細な説明
本エキシマレーザーアブレーション加工制御法を説明する前に、本発明は、本
明細書に説明された特定の方法論、装置、および製剤に限定されるものではなく
、方法、装置、および製剤は当然変化しうることが理解されなければならない。
また、本明細書中の用語は特定の態様を説明する目的のみのために使用されるも
のであり、本発明の範囲の限定を意図したものではなく、本発明の範囲は添付の
特許請求の範囲によってのみ限定されると考えられる。
明細書に説明された特定の方法論、装置、および製剤に限定されるものではなく
、方法、装置、および製剤は当然変化しうることが理解されなければならない。
また、本明細書中の用語は特定の態様を説明する目的のみのために使用されるも
のであり、本発明の範囲の限定を意図したものではなく、本発明の範囲は添付の
特許請求の範囲によってのみ限定されると考えられる。
【0013】
本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる、名詞の単数形は、
文脈において明確に規定されない限り、複数形も含むことが留意されねばならな
い。したがって、たとえば、「ある製剤」についての言及には種々の製剤の混合
物が含まれ、「ある類似体」についての言及には単一の類似体あるいは類似体の
混合物が含まれ、「処理方法」についての言及には当業者に既知の同等の段階お
よび方法についての言及が含まれるなどである。
文脈において明確に規定されない限り、複数形も含むことが留意されねばならな
い。したがって、たとえば、「ある製剤」についての言及には種々の製剤の混合
物が含まれ、「ある類似体」についての言及には単一の類似体あるいは類似体の
混合物が含まれ、「処理方法」についての言及には当業者に既知の同等の段階お
よび方法についての言及が含まれるなどである。
【0014】
特に定義されない限り、本明細書内で用いられている全ての技術用語および科
学用語は、本発明が属する分野の当業者に一般的に理解されているのと同じ意味
を有する。本発明の実施または検証において、本明細書に説明されたものと同様
または同等の任意の方法、装置、および材料を使用することができるが、好まし
い方法、装置、および材料について説明する。本明細書で言及されたすべての刊
行物は、刊行物で説明され本発明に関連して用いられうる装置、製剤、および方
法論を説明および開示する目的で、参照としてその全体が本明細書に組み入れら
れる。
学用語は、本発明が属する分野の当業者に一般的に理解されているのと同じ意味
を有する。本発明の実施または検証において、本明細書に説明されたものと同様
または同等の任意の方法、装置、および材料を使用することができるが、好まし
い方法、装置、および材料について説明する。本明細書で言及されたすべての刊
行物は、刊行物で説明され本発明に関連して用いられうる装置、製剤、および方
法論を説明および開示する目的で、参照としてその全体が本明細書に組み入れら
れる。
【0015】
エキシマレーザーアブレーションにより、1ミクロン未満の精密な穿孔および/
またはアブレーション加工が可能となる。しかし、実用的にするには、このよう
なアブレーションされた装置の多くは構造上および/または機能上の理由から他
の重合材料で積層されなければならない。アブレーション加工はきわめて精密で
あることが多いため、多くの場合、積層プロセス後に重合体をアブレーションす
るのが、製造上の観点から便利である。さらに、エキシマレーザーは特有の光集
束要件をもつため、アブレーションする材料が平らで、最高最低の粗さの典型値
が約20ミクロン未満、すなわち、所与のアブレーションに対して±10ミクロンで
あることが製造プロセス上重要である。
またはアブレーション加工が可能となる。しかし、実用的にするには、このよう
なアブレーションされた装置の多くは構造上および/または機能上の理由から他
の重合材料で積層されなければならない。アブレーション加工はきわめて精密で
あることが多いため、多くの場合、積層プロセス後に重合体をアブレーションす
るのが、製造上の観点から便利である。さらに、エキシマレーザーは特有の光集
束要件をもつため、アブレーションする材料が平らで、最高最低の粗さの典型値
が約20ミクロン未満、すなわち、所与のアブレーションに対して±10ミクロンで
あることが製造プロセス上重要である。
【0016】
エキシマレーザーアブレーション用として選択される典型的な材料はポリイミ
ドである。しかし、ポリイミドの熱膨張係数は約5×10-6 cm/cm/℃であり、最も
広範に利用されている重合体の中で熱膨張係数が最も低いという特徴がある。ポ
リイミドは最も広範に利用されている重合体の中で熱膨張係数が最も低いため、
任意の温度変化でも材料(例えば、多重積層中のポリイミド成分)に圧縮力がか
かることになり、アブレーション加工中に必要な平面度を維持することは非常に
困難となりうる。さらに、より頻発しうることとして、エキシマレーザー処理の
前に、ポリイミド層が積層プロセスの際しわを生じる可能性がある。こうした場
合には表面の平面度が維持されず穿孔加工が精密でなくなる。アブレーション作
業のために表面の平面度を維持するには、アブレーションされた材料が、その積
層層に関連した表面張力下にあることが望ましい。
ドである。しかし、ポリイミドの熱膨張係数は約5×10-6 cm/cm/℃であり、最も
広範に利用されている重合体の中で熱膨張係数が最も低いという特徴がある。ポ
リイミドは最も広範に利用されている重合体の中で熱膨張係数が最も低いため、
任意の温度変化でも材料(例えば、多重積層中のポリイミド成分)に圧縮力がか
かることになり、アブレーション加工中に必要な平面度を維持することは非常に
困難となりうる。さらに、より頻発しうることとして、エキシマレーザー処理の
前に、ポリイミド層が積層プロセスの際しわを生じる可能性がある。こうした場
合には表面の平面度が維持されず穿孔加工が精密でなくなる。アブレーション作
業のために表面の平面度を維持するには、アブレーションされた材料が、その積
層層に関連した表面張力下にあることが望ましい。
【0017】
本発明は、第一および第二の層の熱膨張係数が互いに異なる第一および第二の
層からなる積層材料を提供する段階を含む方法における本問題を解決する。以下
、図を参照しながら、吸入装置のノズル部形成への利用により、本発明の例を説
明する。しかし、本利用は本発明のプロセスおよび材料をどのように使用できる
かという一つの特定の例にすぎず、本発明は当然特定の本利用に限定されるもの
ではないことが留意される。
層からなる積層材料を提供する段階を含む方法における本問題を解決する。以下
、図を参照しながら、吸入装置のノズル部形成への利用により、本発明の例を説
明する。しかし、本利用は本発明のプロセスおよび材料をどのように使用できる
かという一つの特定の例にすぎず、本発明は当然特定の本利用に限定されるもの
ではないことが留意される。
【0018】
図1に、吸入装置内での利用のための薬剤送達ストリップ又は剤形10の平面図
を示す。剤形10は、例えばアルミニウムの金属ストリップ又は構造的な支持を提
供するその他の比較的厚い層などのリッド層12(図2参照)、及びノズル16が形
成されているノズル層14との積層物である、ノズルリッド積層物30を含む。ノズ
ルリッド積層物30はさらにブリスター層22に積層される。投与される薬液の貯蔵
または調合用として、ブリスター層22内にウェル18が形成される。チャネル24は
ウェル18をノズル16に連結し、好ましくはブリスター層22内に形成される。
を示す。剤形10は、例えばアルミニウムの金属ストリップ又は構造的な支持を提
供するその他の比較的厚い層などのリッド層12(図2参照)、及びノズル16が形
成されているノズル層14との積層物である、ノズルリッド積層物30を含む。ノズ
ルリッド積層物30はさらにブリスター層22に積層される。投与される薬液の貯蔵
または調合用として、ブリスター層22内にウェル18が形成される。チャネル24は
ウェル18をノズル16に連結し、好ましくはブリスター層22内に形成される。
【0019】
ブリスター層22はACLAR(登録商標)(ポリクロロトリフルオロエチレン化合
物、Allied Signalより入手可能)で形成されうり、ウェル18は層22の変形加工
中に形成される。チャネル24は、フィルム22へと変形またはエッチングされうり
り、さもなくば機械的に形成されうる。
物、Allied Signalより入手可能)で形成されうり、ウェル18は層22の変形加工
中に形成される。チャネル24は、フィルム22へと変形またはエッチングされうり
り、さもなくば機械的に形成されうる。
【0020】
ある例において、ノズルリッド積層物30は、最上層又は、リッド層12に積層さ
れた、KAPTON(登録商標)(ポリイミドフィルム、Dupontより入手可能)からな
るノズル層14から形成される。リッド層12はこの場合アルミニウムからなるが、
前述および後述のとおり他の金属を用いてもよい。前述のとおり、積層プロセス
それ自体により、ノズル層14をリッド層12に積層する際にノズル層14にいくつか
のしわが生じうり、これが本発明で解決しようとする現象の一つである。
れた、KAPTON(登録商標)(ポリイミドフィルム、Dupontより入手可能)からな
るノズル層14から形成される。リッド層12はこの場合アルミニウムからなるが、
前述および後述のとおり他の金属を用いてもよい。前述のとおり、積層プロセス
それ自体により、ノズル層14をリッド層12に積層する際にノズル層14にいくつか
のしわが生じうり、これが本発明で解決しようとする現象の一つである。
【0021】
図3は本発明による穿孔段階を行う前のノズルリッド積層物の例の部分側面図
である。リッド層12には穴26があけられており、この穴26は、リッド層およびノ
ズル層に接する際に、ノズル層14内にノズル16が形成されるべき領域を描く。ノ
ズル層14は、リッド層12と接する面に「感圧接着剤(pressure sensitive adhes
ive)(PSA)」をもち、これにより2つの層が接着されて積層を形成する。
である。リッド層12には穴26があけられており、この穴26は、リッド層およびノ
ズル層に接する際に、ノズル層14内にノズル16が形成されるべき領域を描く。ノ
ズル層14は、リッド層12と接する面に「感圧接着剤(pressure sensitive adhes
ive)(PSA)」をもち、これにより2つの層が接着されて積層を形成する。
【0022】
図4は図3の断面図で、ノズル層14を介した穴20の形成又は穿孔の概要を示して
いる。単純化のため、この図では3つの穴のみを示すが、実際には、本発明によ
り数百個の穴20からなるアレイが同時に穿孔される。図5に概要を示すとおり、
同様にノズル上に形成することが意図された、アレイ状に整列された複数の貫通
孔52を持つマスク50が形成される。穴52の大きさはノズル上に形成される穴20の
大きさに相当する。エキシマレーザー40は矩形の断面を持つ光ビームを、たとえ
ばマスク50に対して垂直に照射する。マスクは、所望のアレイ内に配列された貫
通孔52を通した線条光(shafts of light)54のみを通す。線条光54は次に対物
レンズ60により平行にされ、所望のノズル領域16内のノズル層14に集束される。
いる。単純化のため、この図では3つの穴のみを示すが、実際には、本発明によ
り数百個の穴20からなるアレイが同時に穿孔される。図5に概要を示すとおり、
同様にノズル上に形成することが意図された、アレイ状に整列された複数の貫通
孔52を持つマスク50が形成される。穴52の大きさはノズル上に形成される穴20の
大きさに相当する。エキシマレーザー40は矩形の断面を持つ光ビームを、たとえ
ばマスク50に対して垂直に照射する。マスクは、所望のアレイ内に配列された貫
通孔52を通した線条光(shafts of light)54のみを通す。線条光54は次に対物
レンズ60により平行にされ、所望のノズル領域16内のノズル層14に集束される。
【0023】
前述のとおり、エキシマレーザーアブレーション加工は1ミクロン未満の精密
な穿孔および/またはアブレーションのプロセスを可能にする。有用とするため
には、ノズル層14が実質的に平らで、かつ最高最低の粗さの典型値が約20ミクロ
ン未満、すなわち、所与のアブレーション作業に対して±10ミクロンでなければ
ならない。ノズル層が実質的に平らであると仮定すれば、その後、穿孔手順は図
4に概要を示したとおりに進行する。すなわち、線条光54は、アブレーションし
ようとする材料と完全一致させた焦平面上、すなわちノズル層14の表面に集束さ
れる。レーザーは、たとえば300 Hzのパルス周波数で作動する。レーザー40の活
性化又パルスごとに、線条光54は、線条光のエネルギーを吸収した重合層の一部
をエッチングし、それによりこれをアブレーションする。したがって、ノズル層
を貫通して穴20が完全に形成されるまでアブレーション又は「穿孔」するのに十
分なパルスが照射されるまで、たとえば、最初のパルスで深さ20'までアブレー
ションされ、次のパルスで深さ20"までアブレーションされ、以下同様に続く。
各層のアブレーションの直径を、レーザーのパラメータを変更またはプログラミ
ングしてパルスを変化させ(例:強度またはその他既知のパラメータ)、穴20の
形状をノズル形状またはその他所望の形態にするよう調整することができる。ノ
ズル層が平らである限りすべての穴の穿孔は同時に進行し、その結果、薬剤のエ
アロゾルを意図どおり送達するうえで適切に機能する均一なマトリクスの穴がノ
ズル内にもたらされる。たとえば、厚さ約25μmのポリイミド層を用いて、パル
ス周波数300 Hz、波長308 nmで操作されたエキシマレーザーを約100パルス〜125
パルス照射すると、穿孔段階が達成される。この段階は、約400 msecを要する。
な穿孔および/またはアブレーションのプロセスを可能にする。有用とするため
には、ノズル層14が実質的に平らで、かつ最高最低の粗さの典型値が約20ミクロ
ン未満、すなわち、所与のアブレーション作業に対して±10ミクロンでなければ
ならない。ノズル層が実質的に平らであると仮定すれば、その後、穿孔手順は図
4に概要を示したとおりに進行する。すなわち、線条光54は、アブレーションし
ようとする材料と完全一致させた焦平面上、すなわちノズル層14の表面に集束さ
れる。レーザーは、たとえば300 Hzのパルス周波数で作動する。レーザー40の活
性化又パルスごとに、線条光54は、線条光のエネルギーを吸収した重合層の一部
をエッチングし、それによりこれをアブレーションする。したがって、ノズル層
を貫通して穴20が完全に形成されるまでアブレーション又は「穿孔」するのに十
分なパルスが照射されるまで、たとえば、最初のパルスで深さ20'までアブレー
ションされ、次のパルスで深さ20"までアブレーションされ、以下同様に続く。
各層のアブレーションの直径を、レーザーのパラメータを変更またはプログラミ
ングしてパルスを変化させ(例:強度またはその他既知のパラメータ)、穴20の
形状をノズル形状またはその他所望の形態にするよう調整することができる。ノ
ズル層が平らである限りすべての穴の穿孔は同時に進行し、その結果、薬剤のエ
アロゾルを意図どおり送達するうえで適切に機能する均一なマトリクスの穴がノ
ズル内にもたらされる。たとえば、厚さ約25μmのポリイミド層を用いて、パル
ス周波数300 Hz、波長308 nmで操作されたエキシマレーザーを約100パルス〜125
パルス照射すると、穿孔段階が達成される。この段階は、約400 msecを要する。
【0024】
しかし、ノズル16が形成されるべき領域内のノズル層が平面からはほど遠い、
しわがある、などの場合には、奇形のマトリクスがもたらされる。図6は平らで
ないノズル層14を誇張して示したものである。前述のとおり、層14の重合材料が
アブレーションされるためには、これがレーザービームから有意量のエネルギー
を吸収しなければならない。有意量のエネルギーを吸収する材料は、ビームの焦
点部位にあるもののみである。図6において、架空の線56は、マスク50を介して
エキシマレーザー40により放出され対物レンズ60によって面56に光集束された光
線の焦平面を示している。当然、焦平面はパルスごとに下方向へ増分的に調整さ
れる。図6に示したように、フィルム14の変動「P1」が10ミクロンを超える場合
、又はP2が-10ミクロンを超える場合、焦平面から外れたこれらの部分のフィル
ムは適切に整列せず、貫通孔20を完全に形成しない。これらの奇形貫通孔は、図
6に20'''として示している。結果として、このようにしわのあるフィルムのノズ
ルをもたらすマトリクスは、意図された数の穴を含まないと考えられ、エアロゾ
ルを意図どおり均一に分布させないと考えられる。このような結果は許容されな
いものであり、したがって、加工段階(穿孔段階)の際、フィルム14が実質的に
平らに維持されることが必要不可欠である。
しわがある、などの場合には、奇形のマトリクスがもたらされる。図6は平らで
ないノズル層14を誇張して示したものである。前述のとおり、層14の重合材料が
アブレーションされるためには、これがレーザービームから有意量のエネルギー
を吸収しなければならない。有意量のエネルギーを吸収する材料は、ビームの焦
点部位にあるもののみである。図6において、架空の線56は、マスク50を介して
エキシマレーザー40により放出され対物レンズ60によって面56に光集束された光
線の焦平面を示している。当然、焦平面はパルスごとに下方向へ増分的に調整さ
れる。図6に示したように、フィルム14の変動「P1」が10ミクロンを超える場合
、又はP2が-10ミクロンを超える場合、焦平面から外れたこれらの部分のフィル
ムは適切に整列せず、貫通孔20を完全に形成しない。これらの奇形貫通孔は、図
6に20'''として示している。結果として、このようにしわのあるフィルムのノズ
ルをもたらすマトリクスは、意図された数の穴を含まないと考えられ、エアロゾ
ルを意図どおり均一に分布させないと考えられる。このような結果は許容されな
いものであり、したがって、加工段階(穿孔段階)の際、フィルム14が実質的に
平らに維持されることが必要不可欠である。
【0025】
したがって、少なくとも穿孔加工が行われるノズル形成領域において、ノズル
層14が可能な限り完全に平らにされれば最高である。前述のとおり、ノズル層14
はリッド層12との積層プロセス中でさえしわを生じうる。ノズル層14とリッド層
12の積層化は製造業者(Plitek、Chicago、Illinois)によって実施される。
層14が可能な限り完全に平らにされれば最高である。前述のとおり、ノズル層14
はリッド層12との積層プロセス中でさえしわを生じうる。ノズル層14とリッド層
12の積層化は製造業者(Plitek、Chicago、Illinois)によって実施される。
【0026】
ノズルリッド積層物の形成時に生じうるしわを除去するために用いることがで
きる一つの手段は、ノズル層14とリッド層12の熱膨張係数の違いを利用すること
である。したがって、それぞれの熱膨張係数が少なくとも10%異なる材料を選択
することが重要である。例において、リッド層12がアルミニウムからなり、かつ
ノズル層14がポリイミドからなる場合、10%を大きく上回る差異がある。しかし
当然ながら、これらの概念は他の材料にも適用される。本例においては、リッド
層12とノズル層との積層化を、低温、たとえば-5〜-10℃で行うことができる。
次に、エキシマレーザーを用いた穿孔プロセスを、約25℃±5℃の高温で行うこ
とができる。これらの処理による物理的結果として、アルミニウム層のほうが熱
膨張係数が大きいため、低い温度では、ポリイミド層より大きく収縮するまたは
「縮む」傾向がある。逆に、積層後、2層を接合し温度を上昇させるとき、アル
ミニウム層はポリイミド層よりも伸展する。しかし、2層が接合されているため
、アルミニウム層が伸展するのと一緒にポリイミド層が引っ張られる。その結果
ポリイミド層が伸展され、これにより積層化プロセス中に生じうるしわが効果的
に除去される。
きる一つの手段は、ノズル層14とリッド層12の熱膨張係数の違いを利用すること
である。したがって、それぞれの熱膨張係数が少なくとも10%異なる材料を選択
することが重要である。例において、リッド層12がアルミニウムからなり、かつ
ノズル層14がポリイミドからなる場合、10%を大きく上回る差異がある。しかし
当然ながら、これらの概念は他の材料にも適用される。本例においては、リッド
層12とノズル層との積層化を、低温、たとえば-5〜-10℃で行うことができる。
次に、エキシマレーザーを用いた穿孔プロセスを、約25℃±5℃の高温で行うこ
とができる。これらの処理による物理的結果として、アルミニウム層のほうが熱
膨張係数が大きいため、低い温度では、ポリイミド層より大きく収縮するまたは
「縮む」傾向がある。逆に、積層後、2層を接合し温度を上昇させるとき、アル
ミニウム層はポリイミド層よりも伸展する。しかし、2層が接合されているため
、アルミニウム層が伸展するのと一緒にポリイミド層が引っ張られる。その結果
ポリイミド層が伸展され、これにより積層化プロセス中に生じうるしわが効果的
に除去される。
【0027】
別の例においては、ACLAR層とポリイミド層間で積層化が行われうる。ポリイ
ミドの熱膨張係数は約5×10-6 cm/cm/℃であり、一方ACLARの熱膨張係数は約1×
10-4 cm/cm/℃である。これら2つの熱膨張係数の差が約10%を上回ることから、
同様に、両材料の積層時に生じうるポリイミド層のしわを除去する上で加温冷却
プロセスが有利である。この例では、積層化プロセスを約25℃±5℃で、続くア
ブレーション(又は穿孔)プロセスを約-5℃で行うことができる。この例では、
その後のプロセス間に30℃の温度が生じる。この積層物の長さ1 cmの試料の場合
、温度差によりポリイミド層に0.003 cm(30μm)の変化が生じ、これによりポ
リイミド層がACLAR層より大きく収縮するため、材料内のしわが除去される。
ミドの熱膨張係数は約5×10-6 cm/cm/℃であり、一方ACLARの熱膨張係数は約1×
10-4 cm/cm/℃である。これら2つの熱膨張係数の差が約10%を上回ることから、
同様に、両材料の積層時に生じうるポリイミド層のしわを除去する上で加温冷却
プロセスが有利である。この例では、積層化プロセスを約25℃±5℃で、続くア
ブレーション(又は穿孔)プロセスを約-5℃で行うことができる。この例では、
その後のプロセス間に30℃の温度が生じる。この積層物の長さ1 cmの試料の場合
、温度差によりポリイミド層に0.003 cm(30μm)の変化が生じ、これによりポ
リイミド層がACLAR層より大きく収縮するため、材料内のしわが除去される。
【0028】
このように、積層物30の冷却がノズル層14に張力を与える態様では、積層化プ
ロセス(すなわち、ノズルリッド積層物を積層するプロセス)は、この材料を穿
孔あるいはアブレーションする時の温度に比べて高温で行われる。ポリイミドを
ポリエチレンに積層する例においては、積層化プロセス後の冷却段階の際ポリエ
チレンがポリイミドよりも収縮し、これによりポリイミドに張力がかかる。典型
的には、この一連のプロセスにおいて、冷却時に窓26が拡張して(ノズル16が生
成される標的領域における)ノズル層14に張力がかかるよう、積層物30全体の大
きさに比べて小さな窓26が生成又は切り抜かれる。
ロセス(すなわち、ノズルリッド積層物を積層するプロセス)は、この材料を穿
孔あるいはアブレーションする時の温度に比べて高温で行われる。ポリイミドを
ポリエチレンに積層する例においては、積層化プロセス後の冷却段階の際ポリエ
チレンがポリイミドよりも収縮し、これによりポリイミドに張力がかかる。典型
的には、この一連のプロセスにおいて、冷却時に窓26が拡張して(ノズル16が生
成される標的領域における)ノズル層14に張力がかかるよう、積層物30全体の大
きさに比べて小さな窓26が生成又は切り抜かれる。
【0029】
これとは逆に、積層物30の加温によってノズル層14に張力がかかる態様では、
積層化プロセス(すなわち、ノズルリッド積層物を積層するプロセス)は、この
材料を穿孔あるいはアブレーションする時の温度に比べて低温で行われる。典型
的には、積層物の加温によって窓が大きくなりそれによってポリイミドに張力が
かかるよう、積層物30全体の大きさに比べて大きな窓26が生成される。
積層化プロセス(すなわち、ノズルリッド積層物を積層するプロセス)は、この
材料を穿孔あるいはアブレーションする時の温度に比べて低温で行われる。典型
的には、積層物の加温によって窓が大きくなりそれによってポリイミドに張力が
かかるよう、積層物30全体の大きさに比べて大きな窓26が生成される。
【0030】
アブレーションプロセスの際ノズルリッド積層物30の温度を制御するため、図
7に示すようにアブレーションチャック70の加温または冷却を用いることができ
る。アブレーションチャック70は、アブレーションプロセスの際ノズルリッド積
層物30をエキシマレーザー光の光路上に正確に配置するために用いられる。スプ
ロケット孔32または他の連動駆動手段(drive engaging means)が、少なくとも
ノズルリッド積層物30のリッド層内に提供され、加工の際積層物30を動かすのに
用いられる。積層物30のアブレーションされるべき部位がアブレーションチャッ
ク70の上に配置され、その後バキュームポート72を通じて陰圧がかけられ、積層
物30がチャック70に対して平行に引き寄せられ固定される。チャックはウェル74
を含み、この上にノズル層14のノズル部16が配置される。チャックがアブレーシ
ョンプロセスを妨げないよう、ウェル74は、ノズル部を囲む空間を提供する。ま
た、ウェル74は、チャック70と積層物30の間でバキュームシールから切り離され
ている(seal off)。
7に示すようにアブレーションチャック70の加温または冷却を用いることができ
る。アブレーションチャック70は、アブレーションプロセスの際ノズルリッド積
層物30をエキシマレーザー光の光路上に正確に配置するために用いられる。スプ
ロケット孔32または他の連動駆動手段(drive engaging means)が、少なくとも
ノズルリッド積層物30のリッド層内に提供され、加工の際積層物30を動かすのに
用いられる。積層物30のアブレーションされるべき部位がアブレーションチャッ
ク70の上に配置され、その後バキュームポート72を通じて陰圧がかけられ、積層
物30がチャック70に対して平行に引き寄せられ固定される。チャックはウェル74
を含み、この上にノズル層14のノズル部16が配置される。チャックがアブレーシ
ョンプロセスを妨げないよう、ウェル74は、ノズル部を囲む空間を提供する。ま
た、ウェル74は、チャック70と積層物30の間でバキュームシールから切り離され
ている(seal off)。
【0031】
積層物30の環境を冷却または加温するため、チャック70に、たとえば図7に示
された配管システム76など、様々な熱交換装置をもたせることができる。配管シ
ステムを用いる場合は、たとえば液体窒素などの冷却剤をチャック70のブロック
を通して循環させ、積層物を所望の作業温度まで効果的に冷却することができる
。または、加温したオイルなどの加温した液体を配管システム76を通して循環さ
せ、積層物を所望の作業温度まで上昇させることができる。電気抵抗型加温方法
などをブロックに直接用いるなど、他の加温方法を用いることも可能である。
された配管システム76など、様々な熱交換装置をもたせることができる。配管シ
ステムを用いる場合は、たとえば液体窒素などの冷却剤をチャック70のブロック
を通して循環させ、積層物を所望の作業温度まで効果的に冷却することができる
。または、加温したオイルなどの加温した液体を配管システム76を通して循環さ
せ、積層物を所望の作業温度まで上昇させることができる。電気抵抗型加温方法
などをブロックに直接用いるなど、他の加温方法を用いることも可能である。
【0032】
ノズル層14に穴20をアブレーションしてノズル16を形成した後、チャック70か
ら陰圧が除去され、ノズルリッド層はチャック70を超えて前進し、ブリスター層
22とかみ合って積層化され、図2に示す剤形10が完成する。
ら陰圧が除去され、ノズルリッド層はチャック70を超えて前進し、ブリスター層
22とかみ合って積層化され、図2に示す剤形10が完成する。
【0033】
上述のように、ノズルリッド層30の積層化プロセスとノズル16のアブレーショ
ンプロセスの温度変化によってノズル層14の標的領域に張力がかかり、標的領域
のしわが効果的に除去され、ノズル16が正確に形成される。
ンプロセスの温度変化によってノズル層14の標的領域に張力がかかり、標的領域
のしわが効果的に除去され、ノズル16が正確に形成される。
【0034】
特定の態様を参照して本発明を説明したが、当業者には、本発明の真の精神と
範囲から逸脱することなく様々な変更や等価物による置換が可能であることが理
解されるべきである。上述の加工は剤形の形成、及び特にノズルに向けられたも
のであるが、このようなプロセスは、薄膜、及び特に積層薄膜のレーザーアブレ
ーションへのより一般的な用途を持つことが理解されなければならない。さらに
、特定の状況、材料、物質の組成物、プロセス、プロセス段階又は段階に、本発
明の目的、精神、および範囲に適合するような多くの変更を行うことが可能であ
る。これらの変更は、すべて添付の特許請求の範囲の範囲内に入ることが意図さ
れる。
範囲から逸脱することなく様々な変更や等価物による置換が可能であることが理
解されるべきである。上述の加工は剤形の形成、及び特にノズルに向けられたも
のであるが、このようなプロセスは、薄膜、及び特に積層薄膜のレーザーアブレ
ーションへのより一般的な用途を持つことが理解されなければならない。さらに
、特定の状況、材料、物質の組成物、プロセス、プロセス段階又は段階に、本発
明の目的、精神、および範囲に適合するような多くの変更を行うことが可能であ
る。これらの変更は、すべて添付の特許請求の範囲の範囲内に入ることが意図さ
れる。
【図1】 吸入装置で使用する薬剤送達ストリップまたは剤形の概略を示す
平面図である。
平面図である。
【図2】 図1の縦断面図である。
【図3】 本発明の穿孔手順を行う前のノズルリッド積層物の例の、部分側
面図である。
面図である。
【図4】 ノズル層を通じた穴の形成または穿孔の概要を示す、図3の断面
図である。
図である。
【図5】 本発明のアブレーション手順で用いられるレーザー、マスク、目
標物および標的を含む設定の略図である。
標物および標的を含む設定の略図である。
【図6】 しわのある薄層の代表例を示す略図である。
【図7】 アブレーションの準備においてアブレーションチャックに保持さ
れたノズルリッド積層物の略図である。
れたノズルリッド積層物の略図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C
A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM
,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,
GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K
E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS
,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,
MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R
U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM
,TR,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN,YU,
ZA,ZW
Claims (24)
- 【請求項1】 第一温度での積層化ののち第二温度において追加層により薄
層に張力がかかるように、該第一温度が該第二温度と異なり、薄層の熱膨張係数
が追加層の熱膨張係数と異なる、薄層のアブレーション(ablating)方法であり
、以下の段階を含む方法: 積層物を形成するために第一の温度からなる条件下で薄層を追加の層で積層す
る(laminating)段階;および、 薄層に穴が穿孔されるように、第二の温度からなる条件下で積層物にレーザー
エネルギーのパルスを照射する段階。 - 【請求項2】 上記第一温度が上記第二温度を上回り、かつ上記追加層の上
記熱膨張係数が上記薄層の該熱膨張係数未満である、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 上記第一温度が約25℃±5℃であり、かつ上記第二温度が約-
5℃から-10℃までの範囲内である、請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 上記薄層の熱膨張係数が、上記追加層の熱膨張係数を約10%
又はそれ以上上回る、請求項2記載の方法。 - 【請求項5】 上記薄層がポリイミドを含み、上記追加層がACLARを含み、
かつ第二温度が第一温度を約10%又はそれ以上上回る、請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 上記第一温度が上記第二温度未満であり、かつ上記追加層の
上記熱膨張係数が上記薄層の上記熱膨張係数を上回る、請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 上記第一温度が約-5℃〜10℃であり、かつ上記第二温度が約
25℃である、請求項6記載の方法。 - 【請求項8】 上記追加層の熱膨張係数が上記薄層の熱膨張係数を約10%又
はそれ以上上回る、請求項6記載の方法。 - 【請求項9】 上記薄層がポリイミドからなり、かつ上記追加層がアルミニ
ウムからなる、請求項8記載の方法。 - 【請求項10】 上記第二温度が、追加層によるレーザーエネルギーの吸収
によって少なくとも部分的に達成される、請求項6記載の方法。 - 【請求項11】 上記第二温度を達成するため、上記パルス照射中に積層物
と接するアブレーションチャックを加温する段階をさらに含む、請求項6記載の
方法。 - 【請求項12】 上記加温が、チャックを通して加温された液体を循環させ
る段階を含む、請求項11記載の方法。 - 【請求項13】 上記加温が、電気抵抗性加温(resistive electrical hea
ting)による上記チャックを加温する段階を含む、請求項11記載の方法。 - 【請求項14】 上記第二温度を達成するため、上記パルス照射中に積層物
と接するアブレーションチャックを冷却する段階をさらに含む、請求項2記載の
方法。 - 【請求項15】 上記冷却が、冷却剤をチャックに循環させる段階を含む、
、請求項14記載の方法。 - 【請求項16】 上記冷却剤が液体窒素からなる、請求項15記載の方法。
- 【請求項17】 第一の層および、第一の層より大きな熱膨張係数を有する
第二の層からなる積層物を供給する段階; 第一層に穴が穿孔されるように、積層物にレーザーエネルギーのパルスを照射
する段階;および、 第二層にレーザーパルスから熱を吸収させかつ横方向に膨張させ、これにより
該第一層に対する横方向の力を提供する段階 を含む方法。 - 【請求項18】 第一層が第一の重合材料からなり、かつ第二層が、第一の
重合材料と異なる第二の重合材料からなる、請求項17記載の方法。 - 【請求項19】 レーザーがエキシマレーザーである、請求項17記載の方法
。 - 【請求項20】 第一層が第二層に積層され、積層材料中の第二層の標的領
域が第一層に積層されずかつ積層領域によって完全に囲まれる、第一層および第
二層の熱膨張係数が異なり、該第一層がその内部に穴を有する、第一および第二
の層からなる積層材料を供給する段階; 該第一層由来の材料をアブレーションできる波長とパワーレベルのエネルギー
を産生するレーザー源を供給する段階; 該標的領域に張力がかかるように積層材料の温度を変化させる段階;ならびに 該レーザー源を該標的領域に照射しその一部をアブレーションする段階 を含む、材料内の穴をアブレーションする方法。 - 【請求項21】 第一層の熱膨張係数が第二層のそれを上回る、請求項20記
載の方法。 - 【請求項22】 第二層の熱膨張係数が第一層のそれを上回る、請求項20記
載の方法。 - 【請求項23】 積層基質が形成されるときに穴と一直線になった(aligne
d)第一層の領域が第二層に積層されずかつ積層された領域に囲まれるように、
上記第一層および上記第二層の熱膨張係数が異なり、かつ、該第二層の内側に該
穴がある、第一の層を第二の層に積層する段階 を含む、レーザーアブレーション用の積層材料を調製する方法。 - 【請求項24】 穴と一直線になった第一層の領域が第二層に積層されずか
つ積層された領域に囲まれるように、上記第一層および上記第二層の熱膨張係数
が異なり、かつ、該第二層の内側に該穴がある、第一の層および第二の層を含む
積層材料。
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