JPH1092819A - 配線形成方法および配線形成装置 - Google Patents
配線形成方法および配線形成装置Info
- Publication number
- JPH1092819A JPH1092819A JP24230196A JP24230196A JPH1092819A JP H1092819 A JPH1092819 A JP H1092819A JP 24230196 A JP24230196 A JP 24230196A JP 24230196 A JP24230196 A JP 24230196A JP H1092819 A JPH1092819 A JP H1092819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- wiring material
- laser
- groove
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＳＩ配線等の形成方法において、アスペク
ト比が大きい配線溝やヴィアホール等に対しても、ＲＩ
Ｅ等による加工が困難な銅等の配線材料を良好にかつ確
実に埋め込むことを可能にすると共に、配線層全体とし
ての信頼性の低下等を防止する。 【解決手段】 予め配線溝３ａ、３ｂやヴィアホール３
ｃ等の配線の形成部位となる溝３を作製した絶縁膜２の
表面に、配線材料４として金属箔やスパッタ法等で形成
した配線材料層を配置し、この配線材料４上に例えば液
体中でレーザをパルス照射する。このレーザ照射によっ
て、配線材料４表面にプラズマを発生させ、プラズマの
衝撃波により配線材料４を配線溝３ａ、３ｂやヴィアホ
ール３ｂ内に埋め込む。
ト比が大きい配線溝やヴィアホール等に対しても、ＲＩ
Ｅ等による加工が困難な銅等の配線材料を良好にかつ確
実に埋め込むことを可能にすると共に、配線層全体とし
ての信頼性の低下等を防止する。 【解決手段】 予め配線溝３ａ、３ｂやヴィアホール３
ｃ等の配線の形成部位となる溝３を作製した絶縁膜２の
表面に、配線材料４として金属箔やスパッタ法等で形成
した配線材料層を配置し、この配線材料４上に例えば液
体中でレーザをパルス照射する。このレーザ照射によっ
て、配線材料４表面にプラズマを発生させ、プラズマの
衝撃波により配線材料４を配線溝３ａ、３ｂやヴィアホ
ール３ｂ内に埋め込む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の電
子部品に用いられる配線形成方法および配線形成装置に
関する。
子部品に用いられる配線形成方法および配線形成装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品例えばＤＲＡＭに代表さ
れるような半導体メモリ装置やロジック集積回路装置等
における高集積化や高速化は著しく、これに伴って各素
子間を電気的に結合する配線の微細化、多層化、低抵抗
化、高電流密度化等が余儀なくされている。このような
要請に伴って、従来から配線材料として使用されている
アルミニウムに代って、より低抵抗で高電流密度が可能
な銅配線の適用が望まれている。
れるような半導体メモリ装置やロジック集積回路装置等
における高集積化や高速化は著しく、これに伴って各素
子間を電気的に結合する配線の微細化、多層化、低抵抗
化、高電流密度化等が余儀なくされている。このような
要請に伴って、従来から配線材料として使用されている
アルミニウムに代って、より低抵抗で高電流密度が可能
な銅配線の適用が望まれている。
【０００３】ここで、従来のアルミニウム配線の加工に
は、一般に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が適用
されてきたが、銅のハロゲン化物は蒸気圧が小さいため
に、ＲＩＥ法を銅配線に適用することは困難である。そ
こで、ＲＩＥ法による加工方法に代る技術として、埋め
込み法と呼ばれる方法の研究が進められている。すなわ
ち、基板表面に配線を形成する溝、例えば配線溝やヴィ
アホールを予め形成しておき、この溝内に配線材料を埋
め込んだ後、あまった配線材料を化学的機械的研磨（Ｃ
ＭＰ）法等により取り除いて配線層を形成する方法であ
る。この埋め込み法を適用することによって、銅等のＲ
ＩＥ法による加工が困難な配線材料を用いて各種の配線
を形成することが可能となる。
は、一般に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が適用
されてきたが、銅のハロゲン化物は蒸気圧が小さいため
に、ＲＩＥ法を銅配線に適用することは困難である。そ
こで、ＲＩＥ法による加工方法に代る技術として、埋め
込み法と呼ばれる方法の研究が進められている。すなわ
ち、基板表面に配線を形成する溝、例えば配線溝やヴィ
アホールを予め形成しておき、この溝内に配線材料を埋
め込んだ後、あまった配線材料を化学的機械的研磨（Ｃ
ＭＰ）法等により取り除いて配線層を形成する方法であ
る。この埋め込み法を適用することによって、銅等のＲ
ＩＥ法による加工が困難な配線材料を用いて各種の配線
を形成することが可能となる。
【０００４】しかしながら、配線の微細化や多層化等に
伴って、配線の深さと幅の比で定義されるアスペクト比
が 2〜 3にも達し、さらに下層の配線層と上層の配線層
とを繋ぐヴィアホールのアスペクト比は 4〜 5にもなる
ために、通常のスパッタ法等で配線材料を配線溝やヴィ
アホールの奥まで良好に埋め込むことは困難になってき
ている。これは、スパッタ粒子が角度分布を持っている
ために、配線溝やヴィアホールの入り口付近に多く堆積
し、奥まで均一に埋まらないためである。
伴って、配線の深さと幅の比で定義されるアスペクト比
が 2〜 3にも達し、さらに下層の配線層と上層の配線層
とを繋ぐヴィアホールのアスペクト比は 4〜 5にもなる
ために、通常のスパッタ法等で配線材料を配線溝やヴィ
アホールの奥まで良好に埋め込むことは困難になってき
ている。これは、スパッタ粒子が角度分布を持っている
ために、配線溝やヴィアホールの入り口付近に多く堆積
し、奥まで均一に埋まらないためである。
【０００５】このような問題に対して実施されている配
線材料の埋め込み促進方法としては、例えば高温でスパ
ッタを行ったり、あるいはスパッタ後に高温で熱処理を
行い、配線層表面の原子拡散を活性化させて、埋め込み
状態を改善する方法が挙げられるが、例えばアスペクト
が 2を超えるようなヴィアホール等ではやはり良好な埋
め込み状態を得ることは難しい。
線材料の埋め込み促進方法としては、例えば高温でスパ
ッタを行ったり、あるいはスパッタ後に高温で熱処理を
行い、配線層表面の原子拡散を活性化させて、埋め込み
状態を改善する方法が挙げられるが、例えばアスペクト
が 2を超えるようなヴィアホール等ではやはり良好な埋
め込み状態を得ることは難しい。
【０００６】また、他の埋め込み方法としては、配線層
を形成した後に、エキシマレーザ等で配線層を溶融させ
て、例えばヴィアホール内に埋め込む方法が挙げられる
が、溶融凝固による熱影響が下地内に及んで、下層に形
成されたアルミニウム配線等の信頼性を低下させたり、
また溶融凝固により配線に段切れが生じて信頼性を低下
させる等のおそれがある。
を形成した後に、エキシマレーザ等で配線層を溶融させ
て、例えばヴィアホール内に埋め込む方法が挙げられる
が、溶融凝固による熱影響が下地内に及んで、下層に形
成されたアルミニウム配線等の信頼性を低下させたり、
また溶融凝固により配線に段切れが生じて信頼性を低下
させる等のおそれがある。
【０００７】さらに他の埋め込み方法としては、例えば
ヴィアホール上に蓋をするような形で配線材料層を成膜
し、高温で高圧を印加して配線材料をヴィアホール内に
押し込む方法が挙げられる。しかし、この方法では上記
した溶融法と同様に、配線の信頼性を低下させたり、ま
たヴィアホール上に形成された配線材料層に孔が開いて
いる等して気密が保たれていない場合には、ヴィアホー
ル内に配線材料を良好に埋め込むことができず、やはり
信頼性の点で問題がある。
ヴィアホール上に蓋をするような形で配線材料層を成膜
し、高温で高圧を印加して配線材料をヴィアホール内に
押し込む方法が挙げられる。しかし、この方法では上記
した溶融法と同様に、配線の信頼性を低下させたり、ま
たヴィアホール上に形成された配線材料層に孔が開いて
いる等して気密が保たれていない場合には、ヴィアホー
ル内に配線材料を良好に埋め込むことができず、やはり
信頼性の点で問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体装置等の電子部品においては、ＲＩＥ法等による加工
が困難な銅等の配線材料に対して埋め込み法を適用する
ことが検討されている。しかしながら、従来の埋め込み
法では、アスペクトが 2を超えるような配線幅に対して
深さが深い溝には良好な状態で配線材料を埋め込むこと
ができないというような問題や、また溶融工程や高温・
高圧の印加工程を経る場合には配線全体の信頼性が損わ
れたり、高信頼性の下で配線材料を埋め込むことができ
ないというような問題があった。
体装置等の電子部品においては、ＲＩＥ法等による加工
が困難な銅等の配線材料に対して埋め込み法を適用する
ことが検討されている。しかしながら、従来の埋め込み
法では、アスペクトが 2を超えるような配線幅に対して
深さが深い溝には良好な状態で配線材料を埋め込むこと
ができないというような問題や、また溶融工程や高温・
高圧の印加工程を経る場合には配線全体の信頼性が損わ
れたり、高信頼性の下で配線材料を埋め込むことができ
ないというような問題があった。
【０００９】このようなことから、従来の埋め込み法に
よる配線の形成方法においては、アスペクト比が大きい
配線溝やヴィアホール等に対しても、例えばＲＩＥ法に
よる加工が困難な銅等の配線材料を良好にかつ確実に埋
め込むことを可能にすると共に、配線層全体としての信
頼性の低下等を防止することが課題とされている。
よる配線の形成方法においては、アスペクト比が大きい
配線溝やヴィアホール等に対しても、例えばＲＩＥ法に
よる加工が困難な銅等の配線材料を良好にかつ確実に埋
め込むことを可能にすると共に、配線層全体としての信
頼性の低下等を防止することが課題とされている。
【００１０】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、埋め込み法でアスペクト比が大きい
配線やヴィアホール等を有する配線層を信頼性よくかつ
効率よく形成することを可能にした配線形成方法および
配線形成装置を提供することを目的としている。
になされたもので、埋め込み法でアスペクト比が大きい
配線やヴィアホール等を有する配線層を信頼性よくかつ
効率よく形成することを可能にした配線形成方法および
配線形成装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、請求項１に記載したように、配線が形成される溝が
設けられた基板表面に、配線材料を配置する工程と、前
記配線材料上からレーザを照射し、衝撃圧力により前記
配線材料を前記溝内に埋め込んで配線を形成する工程と
を有することを特徴としている。本発明の配線形成方法
は、特に請求項２に記載したように、前記配線材料への
レーザ照射を液体中で行うことを特徴としている。
は、請求項１に記載したように、配線が形成される溝が
設けられた基板表面に、配線材料を配置する工程と、前
記配線材料上からレーザを照射し、衝撃圧力により前記
配線材料を前記溝内に埋め込んで配線を形成する工程と
を有することを特徴としている。本発明の配線形成方法
は、特に請求項２に記載したように、前記配線材料への
レーザ照射を液体中で行うことを特徴としている。
【００１２】また、本発明の配線形成装置は、請求項３
に記載したように、配線が形成される溝が設けられた基
板表面に配線材料を配置した被処理基板の周囲に液体を
保持する液体保持手段と、前記液体中で前記配線材料上
からレーザを照射するレーザ照射手段とを具備し、前記
レーザの照射に伴う衝撃圧力により前記配線材料を前記
溝内に埋め込むことを特徴としている。
に記載したように、配線が形成される溝が設けられた基
板表面に配線材料を配置した被処理基板の周囲に液体を
保持する液体保持手段と、前記液体中で前記配線材料上
からレーザを照射するレーザ照射手段とを具備し、前記
レーザの照射に伴う衝撃圧力により前記配線材料を前記
溝内に埋め込むことを特徴としている。
【００１３】本発明においては、配線が形成される溝が
設けられた基板表面に配置した配線材料にレーザを照射
し、このレーザ照射に伴って生じるプラズマを利用して
配線材料を溝内に埋め込む。すなわち、金属表面に金属
が光を吸収する条件であるプラズマ振動数以上の周波数
のレーザを短時間照射すると、表面層の極一部の金属が
瞬間的に蒸発すると共に、蒸発した金属のプラズマが瞬
間的に形成される。このプラズマの発生に伴って生じる
衝撃力によって、配線材料に圧縮衝撃を加えて塑性変形
させることができる。この配線材料の塑性変形によっ
て、溝内に配線材料を信頼性よくかつ効率的に埋め込む
ことが可能となる。また、プラズマ発生に伴う瞬間的な
衝撃力を利用しているため、他の配線層等の信頼性を低
下させるようなこともない。
設けられた基板表面に配置した配線材料にレーザを照射
し、このレーザ照射に伴って生じるプラズマを利用して
配線材料を溝内に埋め込む。すなわち、金属表面に金属
が光を吸収する条件であるプラズマ振動数以上の周波数
のレーザを短時間照射すると、表面層の極一部の金属が
瞬間的に蒸発すると共に、蒸発した金属のプラズマが瞬
間的に形成される。このプラズマの発生に伴って生じる
衝撃力によって、配線材料に圧縮衝撃を加えて塑性変形
させることができる。この配線材料の塑性変形によっ
て、溝内に配線材料を信頼性よくかつ効率的に埋め込む
ことが可能となる。また、プラズマ発生に伴う瞬間的な
衝撃力を利用しているため、他の配線層等の信頼性を低
下させるようなこともない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施形態による配線の
形成工程を示す断面図である。なお、本発明の配線形成
方法は各種電子部品の配線層形成に適用することが可能
であるが、特にＤＲＡＭに代表される半導体メモリ装置
やロジック集積回路装置等の微細配線が必須の半導体装
置に対して効果的である。すなわち、本発明の配線形成
方法はＬＳＩ配線等に対して有効である。
形成工程を示す断面図である。なお、本発明の配線形成
方法は各種電子部品の配線層形成に適用することが可能
であるが、特にＤＲＡＭに代表される半導体メモリ装置
やロジック集積回路装置等の微細配線が必須の半導体装
置に対して効果的である。すなわち、本発明の配線形成
方法はＬＳＩ配線等に対して有効である。
【００１６】配線形成工程について詳述すると、まず図
１（ａ）に示すように、例えば下地となる基板１上に設
けられた絶縁層２に、予め配線層の形成部位となる溝３
をＲＩＥ法や通常のリソグラフィ法等で形成する。ここ
で、溝３としては例えば配線溝３ａ、３ｂやヴィアホー
ル３ｃ等が挙げられる。その形状は特に限定されるもの
ではないが、溝３の深さと幅の比とで定義されるアスペ
クト比（溝深さ／幅）が 2以上である場合に、本発明の
配線形成方法は特に効果的である。すなわち、アスペク
ト比が 2以上の溝３により形成される配線を少なくとも
1つ以上有する配線層の形成に対して、本発明は特に有
効である。
１（ａ）に示すように、例えば下地となる基板１上に設
けられた絶縁層２に、予め配線層の形成部位となる溝３
をＲＩＥ法や通常のリソグラフィ法等で形成する。ここ
で、溝３としては例えば配線溝３ａ、３ｂやヴィアホー
ル３ｃ等が挙げられる。その形状は特に限定されるもの
ではないが、溝３の深さと幅の比とで定義されるアスペ
クト比（溝深さ／幅）が 2以上である場合に、本発明の
配線形成方法は特に効果的である。すなわち、アスペク
ト比が 2以上の溝３により形成される配線を少なくとも
1つ以上有する配線層の形成に対して、本発明は特に有
効である。
【００１７】次に、上記したような溝３を有する絶縁層
２の表面に配線材料４を配置する。この配線材料４とし
ては、ＲＩＥ法による加工が困難な銅等が特に効果的で
はあるが、これらに限らずアルミニウム、銀、金等の各
種金属材料を適用することが可能である。この配線材料
４としての金属材料には、特に fcc結晶構造を有する軟
質な金属材料を使用することが好ましい。これは後述す
るように、衝撃圧力により配線材料４を溝３内に埋め込
むためであり、軟質な金属材料ほど溝３内に信頼性よく
かつ効率的に埋め込むことができる。
２の表面に配線材料４を配置する。この配線材料４とし
ては、ＲＩＥ法による加工が困難な銅等が特に効果的で
はあるが、これらに限らずアルミニウム、銀、金等の各
種金属材料を適用することが可能である。この配線材料
４としての金属材料には、特に fcc結晶構造を有する軟
質な金属材料を使用することが好ましい。これは後述す
るように、衝撃圧力により配線材料４を溝３内に埋め込
むためであり、軟質な金属材料ほど溝３内に信頼性よく
かつ効率的に埋め込むことができる。
【００１８】また、配線材料４の具体的な配置方法とし
ては、 (1)上記したような金属材料の箔（金属箔）を絶
縁層２の表面に配置する、 (2)上記したような金属材料
の薄層をスパッタ法等の薄膜形成法で成膜する、等を挙
げることができる。
ては、 (1)上記したような金属材料の箔（金属箔）を絶
縁層２の表面に配置する、 (2)上記したような金属材料
の薄層をスパッタ法等の薄膜形成法で成膜する、等を挙
げることができる。
【００１９】ここで、上記した (1)の方法においては、
予め絶縁層２に対して金属箔を圧着しておくことが好ま
しく、さらには例えば還元雰囲気中で金属箔を加熱し、
金属箔表面を還元して清浄化した後に圧着することが望
ましい。
予め絶縁層２に対して金属箔を圧着しておくことが好ま
しく、さらには例えば還元雰囲気中で金属箔を加熱し、
金属箔表面を還元して清浄化した後に圧着することが望
ましい。
【００２０】特に、銅のように表面が直ぐに酸化してし
まう金属材料を使用する場合には、金属箔表面の再酸化
を防ぐと共に、溝３内を真空状態とするために、例えば
図２に示すように、表面を還元して清浄化した金属箔
４′を真空容器１１内で基板１に対して圧着することが
好ましい。この場合、金属箔４′の外周側を治具１２で
基板１に圧着すればよい。このように、真空中で圧着し
て溝３内を例えば 1×10-2Pa程度の真空状態としておく
ことによって、金属箔４′の溝側表面の再酸化を防ぐこ
とができると共に、溝３内に配線材料４をより良好に埋
め込むことが可能になる。
まう金属材料を使用する場合には、金属箔表面の再酸化
を防ぐと共に、溝３内を真空状態とするために、例えば
図２に示すように、表面を還元して清浄化した金属箔
４′を真空容器１１内で基板１に対して圧着することが
好ましい。この場合、金属箔４′の外周側を治具１２で
基板１に圧着すればよい。このように、真空中で圧着し
て溝３内を例えば 1×10-2Pa程度の真空状態としておく
ことによって、金属箔４′の溝側表面の再酸化を防ぐこ
とができると共に、溝３内に配線材料４をより良好に埋
め込むことが可能になる。
【００２１】また、使用する金属箔４′は、その厚さが
厚すぎると衝撃圧力による埋め込みが困難になるおそれ
があるため、20μm 以下程度とすることが好ましい。Ｌ
ＳＩ配線に用いられるアルミニウム、銅、金、銀等は展
性が高いので、容易に厚さ10μm 以下の金属箔を入手す
ることができる。また、金属箔４′としては電解法や圧
延法等で作製したものが使用可能であるが、例えば焼鈍
して軟化させた金属箔４′を使用することが望ましい。
厚すぎると衝撃圧力による埋め込みが困難になるおそれ
があるため、20μm 以下程度とすることが好ましい。Ｌ
ＳＩ配線に用いられるアルミニウム、銅、金、銀等は展
性が高いので、容易に厚さ10μm 以下の金属箔を入手す
ることができる。また、金属箔４′としては電解法や圧
延法等で作製したものが使用可能であるが、例えば焼鈍
して軟化させた金属箔４′を使用することが望ましい。
【００２２】一方、 (2)の薄膜形成法で配線材料４を配
置する場合には、スパッタ法等の一般的な薄膜形成法を
適用することができる。ここで、図３（ａ）に示すよう
に、例えばスパッタ法で配線材料層４″を形成した場
合、上述したアスペクト比が 2以上というような溝３は
配線材料で完全に埋めることができず、ボイド５が残っ
てしまう。このようなボイド５を、後に詳述するように
衝撃圧力で埋めることによって、良好な配線層が形成さ
れる。
置する場合には、スパッタ法等の一般的な薄膜形成法を
適用することができる。ここで、図３（ａ）に示すよう
に、例えばスパッタ法で配線材料層４″を形成した場
合、上述したアスペクト比が 2以上というような溝３は
配線材料で完全に埋めることができず、ボイド５が残っ
てしまう。このようなボイド５を、後に詳述するように
衝撃圧力で埋めることによって、良好な配線層が形成さ
れる。
【００２３】上記した溝３内に残るボイド５は、図３
（ａ）に示したように、閉じて閉孔になっていることが
好ましい。そこで、配線材料層４″を十分に厚く堆積し
たり、また成膜後に例えば真空中で熱処理して拡散させ
る等によって、閉孔としておくことが好ましい。この熱
処理温度は、アルミニウムの場合には 473〜773K程度、
また銅の場合には 573〜973K程度とすることが好まし
い。ただし、図３（ｂ）に示すように、開孔６が残って
いる場合においても、本発明は衝撃圧力を利用するため
に、例えば配線材料層４″を十分厚く形成することによ
って、溝３内を良好に埋めることができる。
（ａ）に示したように、閉じて閉孔になっていることが
好ましい。そこで、配線材料層４″を十分に厚く堆積し
たり、また成膜後に例えば真空中で熱処理して拡散させ
る等によって、閉孔としておくことが好ましい。この熱
処理温度は、アルミニウムの場合には 473〜773K程度、
また銅の場合には 573〜973K程度とすることが好まし
い。ただし、図３（ｂ）に示すように、開孔６が残って
いる場合においても、本発明は衝撃圧力を利用するため
に、例えば配線材料層４″を十分厚く形成することによ
って、溝３内を良好に埋めることができる。
【００２４】上述したような方法で絶縁層２の表面に配
線材料４、具体的には金属箔４′や薄膜形成法による配
線材料層４″等を配置した後、これら配線材料４上から
レーザを照射する。ここで、前述したような金属材料か
らなる配線材料４の表面に、レーザを照射するとプラズ
マが生じる。すなわち金属表面に、金属が光を吸収する
条件であるプラズマ振動数以上の周波数のレーザを短時
間パルス照射すると、表面層の極一部の金属が瞬間的に
蒸発すると共に、蒸発した金属のプラズマが瞬間的に形
成される。このプラズマの発生に伴って生じる衝撃圧力
を利用して、図１（ｃ）に示すように、溝３内に配線材
料４を埋め込む。
線材料４、具体的には金属箔４′や薄膜形成法による配
線材料層４″等を配置した後、これら配線材料４上から
レーザを照射する。ここで、前述したような金属材料か
らなる配線材料４の表面に、レーザを照射するとプラズ
マが生じる。すなわち金属表面に、金属が光を吸収する
条件であるプラズマ振動数以上の周波数のレーザを短時
間パルス照射すると、表面層の極一部の金属が瞬間的に
蒸発すると共に、蒸発した金属のプラズマが瞬間的に形
成される。このプラズマの発生に伴って生じる衝撃圧力
を利用して、図１（ｃ）に示すように、溝３内に配線材
料４を埋め込む。
【００２５】この際、配線材料４を配置した基板１を水
等の液体中に浸漬し、この液体中でレーザを照射した場
合には、まわりが液体で囲まれているために、衝撃的に
プラズマ泡が発生し、その際に周囲に特に大きな衝撃圧
力を与えることができる。このレーザ照射に伴って生じ
る圧縮衝撃によって、配線材料４に塑性変形が生じて溝
３内に良好に埋め込むことができる。このようにレーザ
照射は液体中で行うことが望ましい。ただし、大気中等
の気体中でレーザを照射した場合においても、液体中に
比べて衝撃圧力は 1〜 2桁低下するものの衝撃波を加え
ることができ、配線材料４の条件等によっては溝３内に
埋め込むことができる。
等の液体中に浸漬し、この液体中でレーザを照射した場
合には、まわりが液体で囲まれているために、衝撃的に
プラズマ泡が発生し、その際に周囲に特に大きな衝撃圧
力を与えることができる。このレーザ照射に伴って生じ
る圧縮衝撃によって、配線材料４に塑性変形が生じて溝
３内に良好に埋め込むことができる。このようにレーザ
照射は液体中で行うことが望ましい。ただし、大気中等
の気体中でレーザを照射した場合においても、液体中に
比べて衝撃圧力は 1〜 2桁低下するものの衝撃波を加え
ることができ、配線材料４の条件等によっては溝３内に
埋め込むことができる。
【００２６】なお、照射埋め込みを行う前の配線材料４
の表面には、レーザの吸収率が高いレジストやカーボン
膜等の反射防止膜、配線材料４の酸化を防ぐ耐酸化膜、
液体による劣化を防ぐ耐液性膜等、配線材料４へのレー
ザ照射を妨げなければ、種々の補助膜を形成しておくこ
とができる。これらは 2層以上の積層膜として形成する
ことも可能である。
の表面には、レーザの吸収率が高いレジストやカーボン
膜等の反射防止膜、配線材料４の酸化を防ぐ耐酸化膜、
液体による劣化を防ぐ耐液性膜等、配線材料４へのレー
ザ照射を妨げなければ、種々の補助膜を形成しておくこ
とができる。これらは 2層以上の積層膜として形成する
ことも可能である。
【００２７】埋め込みに使用するレーザの波長は、液体
を十分に透過し（例えば吸収係数が0.1cm-1以下）、金
属材料からなる配線材料４に対しては吸収率の大きいも
のが望ましい。例えば、銅蒸気レーザやＹＡＧレーザの
第２高調波（ＳＨＧ）は、液体の一例としての水に対し
て十分な透過率を持ち、また金属配線材料の一例として
の銅に対しては十分な吸収率を持つ。
を十分に透過し（例えば吸収係数が0.1cm-1以下）、金
属材料からなる配線材料４に対しては吸収率の大きいも
のが望ましい。例えば、銅蒸気レーザやＹＡＧレーザの
第２高調波（ＳＨＧ）は、液体の一例としての水に対し
て十分な透過率を持ち、また金属配線材料の一例として
の銅に対しては十分な吸収率を持つ。
【００２８】また、レーザはパルス幅が 100nsec以下
で、 1パルス当たりの出力 0.1〜 100J/cm2 程度であ
り、さらに照射径が 100μm 程度であることが好まし
く、また照射ビームの重畳率が100%以上となる条件で照
射することが望ましい。パルス幅がこれより長かった
り、また出力が大きすぎる場合には、配線材料４が溶融
して配線の信頼性に悪影響を与えたり、下地層に過剰の
熱影響を与えるおそれがある。また、出力が小さすぎる
場合は、衝撃圧力による配線材料４の埋め込みが不十分
となるおそれがある。さらに、重畳率を100%以上とする
ために、レーザのスポット形状を走査方向に長軸をもつ
楕円形、または走査方向に短い辺をもつ長方形に整形し
てもよい。
で、 1パルス当たりの出力 0.1〜 100J/cm2 程度であ
り、さらに照射径が 100μm 程度であることが好まし
く、また照射ビームの重畳率が100%以上となる条件で照
射することが望ましい。パルス幅がこれより長かった
り、また出力が大きすぎる場合には、配線材料４が溶融
して配線の信頼性に悪影響を与えたり、下地層に過剰の
熱影響を与えるおそれがある。また、出力が小さすぎる
場合は、衝撃圧力による配線材料４の埋め込みが不十分
となるおそれがある。さらに、重畳率を100%以上とする
ために、レーザのスポット形状を走査方向に長軸をもつ
楕円形、または走査方向に短い辺をもつ長方形に整形し
てもよい。
【００２９】図４は、本発明の配線形成工程に使用する
配線材料４の埋め込み装置の一構成例、すなわち本発明
の配線形成装置の一実施形態を示す図である。図４にお
いて１３は液体１４が収容された容器であり、この容器
１３中に配線材料４を配置した基板１、すなわち被処理
基板（被処理物）７が配置される。この容器１３により
被処理基板７の周囲には液体１４が保持されており、容
器１３は液体保持手段として機能する。この実施形態で
は、被処理基板７は回転可能な載置台１５上に配置され
た状態で液体１４中に収容されており、この液体１４中
でレーザ照射装置１６によりレーザ光１７の照射が行わ
れる。
配線材料４の埋め込み装置の一構成例、すなわち本発明
の配線形成装置の一実施形態を示す図である。図４にお
いて１３は液体１４が収容された容器であり、この容器
１３中に配線材料４を配置した基板１、すなわち被処理
基板（被処理物）７が配置される。この容器１３により
被処理基板７の周囲には液体１４が保持されており、容
器１３は液体保持手段として機能する。この実施形態で
は、被処理基板７は回転可能な載置台１５上に配置され
た状態で液体１４中に収容されており、この液体１４中
でレーザ照射装置１６によりレーザ光１７の照射が行わ
れる。
【００３０】なお、埋め込みに使用する液体としては水
や水溶液の他に、アルコール等の有機溶媒、液化した不
活性ガスや窒素等、液体であればどのようなものでも使
用することができる。配線材料４が非常に薄く酸化を避
けたい場合には、酸素を構成元素として含まない液体
や、インヒビターを添加した水溶液等を使用することが
できる。
や水溶液の他に、アルコール等の有機溶媒、液化した不
活性ガスや窒素等、液体であればどのようなものでも使
用することができる。配線材料４が非常に薄く酸化を避
けたい場合には、酸素を構成元素として含まない液体
や、インヒビターを添加した水溶液等を使用することが
できる。
【００３１】レーザ照射装置１６は、可視波長を持つパ
ルスレーザ発信器１８および制御装置１９と、 1パルス
当たりの出力を調整するビーム強度調整装置、例えばバ
リアブルアッテネータ２０と、照射ビームのスポット径
と照射ビームの重畳率を調整する機構を備えた加工ヘッ
ド２１とを有している。パルスレーザ発信器１８として
は、前述した銅蒸気レーザやＹＡＧレーザ（第２高調波
用）等が用いられる。また、照射ビームのスポット径を
調整する機構としては凸レンズや凹面鏡等が、照射ビー
ムの重畳率を調整する機構としてはガルバノミラーやポ
リゴンミラー等が用いられる。
ルスレーザ発信器１８および制御装置１９と、 1パルス
当たりの出力を調整するビーム強度調整装置、例えばバ
リアブルアッテネータ２０と、照射ビームのスポット径
と照射ビームの重畳率を調整する機構を備えた加工ヘッ
ド２１とを有している。パルスレーザ発信器１８として
は、前述した銅蒸気レーザやＹＡＧレーザ（第２高調波
用）等が用いられる。また、照射ビームのスポット径を
調整する機構としては凸レンズや凹面鏡等が、照射ビー
ムの重畳率を調整する機構としてはガルバノミラーやポ
リゴンミラー等が用いられる。
【００３２】加工ヘッド２１はＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動自
在とされており、例えば上述した回転可能な載置台１５
との併用によって、レーザ光１７が配線材料４の必要部
分、すなわち溝３に対応する部分に順次照射される。こ
のレーザ光１７の順次照射によって、溝３内への配線材
料４の埋め込みが順に行われる。
在とされており、例えば上述した回転可能な載置台１５
との併用によって、レーザ光１７が配線材料４の必要部
分、すなわち溝３に対応する部分に順次照射される。こ
のレーザ光１７の順次照射によって、溝３内への配線材
料４の埋め込みが順に行われる。
【００３３】上述したようなレーザ照射により溝３内に
配線材料４の埋め込んだ後、余剰の配線材料を通常の埋
め込み配線形成法と同様に、化学的機械的研磨法（ＣＭ
Ｐ）や機械研磨法によって取り除く。これによって、図
１（ｄ）に示すように、溝３内に埋め込まれた配線材料
４からなる配線層８が得られる。
配線材料４の埋め込んだ後、余剰の配線材料を通常の埋
め込み配線形成法と同様に、化学的機械的研磨法（ＣＭ
Ｐ）や機械研磨法によって取り除く。これによって、図
１（ｄ）に示すように、溝３内に埋め込まれた配線材料
４からなる配線層８が得られる。
【００３４】この実施形態の配線形成方法によれば、レ
ーザ照射により溝３内に配線材料４を信頼性よくかつ効
率的に埋め込むことができるため、反応性イオンエッチ
ング法（ＲＩＥ）等による加工が困難な銅や金等の配線
材料を使用して、信頼性の高い配線層８を極めて効率的
に形成することができる。また、大きなアスペクト比の
断面形状を持つ配線溝やヴィアホールに対しても良好に
配線材料４を埋め込むことができるため、微細化や多層
化が進められた配線を信頼性よく形成することができ
る。その上で、溝３内への配線材料４の埋め込みにレー
ザ照射により発生する瞬間的な衝撃圧力を利用している
ため、配線自体や下地層に悪影響を与えることがない。
これらによって、信頼性の高い配線層８を効率的に形成
することが可能となる。
ーザ照射により溝３内に配線材料４を信頼性よくかつ効
率的に埋め込むことができるため、反応性イオンエッチ
ング法（ＲＩＥ）等による加工が困難な銅や金等の配線
材料を使用して、信頼性の高い配線層８を極めて効率的
に形成することができる。また、大きなアスペクト比の
断面形状を持つ配線溝やヴィアホールに対しても良好に
配線材料４を埋め込むことができるため、微細化や多層
化が進められた配線を信頼性よく形成することができ
る。その上で、溝３内への配線材料４の埋め込みにレー
ザ照射により発生する瞬間的な衝撃圧力を利用している
ため、配線自体や下地層に悪影響を与えることがない。
これらによって、信頼性の高い配線層８を効率的に形成
することが可能となる。
【００３５】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べ
る。
る。
【００３６】実施例１ 図１（ａ）に示したように、基板１として 6インチ径の
シリコンウェーハを使用し、層間絶縁膜２の表面を化学
的機械的研磨法により平坦に加工した後、リソグラフィ
ーおよびＲＩＥにより配線溝３ａ、３ｂやヴィアホール
３ｃを有する溝３を作製した。配線幅は最小 0.5μm 、
深さは 0.8μm 、ヴィアホールの径は0.5μm 、深さは
3μm である。
シリコンウェーハを使用し、層間絶縁膜２の表面を化学
的機械的研磨法により平坦に加工した後、リソグラフィ
ーおよびＲＩＥにより配線溝３ａ、３ｂやヴィアホール
３ｃを有する溝３を作製した。配線幅は最小 0.5μm 、
深さは 0.8μm 、ヴィアホールの径は0.5μm 、深さは
3μm である。
【００３７】次いで真空容器内で、まず配線材料４であ
る厚さ 8μm の無酸素銅箔を、約100Paの水素ガス中で4
73Kに加熱して表面酸化層を還元し、次に図１（ｂ）に
示したように、約 1×10-4Paの真空中でシリコンウェー
ハ表面に無酸素銅箔を圧着した。その際に、図２に示し
たように、平坦なウェーハ最外周部で銅箔を密着させる
ことによって、内部の配線溝３ａ、３ｂやヴィアホール
３ｃを真空に保った。圧着力は 1〜 50MPa程度が望まし
い。
る厚さ 8μm の無酸素銅箔を、約100Paの水素ガス中で4
73Kに加熱して表面酸化層を還元し、次に図１（ｂ）に
示したように、約 1×10-4Paの真空中でシリコンウェー
ハ表面に無酸素銅箔を圧着した。その際に、図２に示し
たように、平坦なウェーハ最外周部で銅箔を密着させる
ことによって、内部の配線溝３ａ、３ｂやヴィアホール
３ｃを真空に保った。圧着力は 1〜 50MPa程度が望まし
い。
【００３８】次に、図４に示した液中埋め込み装置を用
いて、水中で 511nmと 578nmの波長を持つ銅蒸気レーザ
により、数10nsec程度のパルスで 0.1から 100J/cm2 程
度のエネルギ密度のレーザを順に走査しつつ照射するこ
とによって、図１（ｃ）に示したように、配線溝３ａ、
３ｂおよびヴィアホール３ｃ内に配線材料４としての銅
を埋め込んだ。この後、図１（ｄ）に示したように、化
学的機械的研磨法を用いて余剰の配線材料を取り除き、
銅配線層８を形成した。
いて、水中で 511nmと 578nmの波長を持つ銅蒸気レーザ
により、数10nsec程度のパルスで 0.1から 100J/cm2 程
度のエネルギ密度のレーザを順に走査しつつ照射するこ
とによって、図１（ｃ）に示したように、配線溝３ａ、
３ｂおよびヴィアホール３ｃ内に配線材料４としての銅
を埋め込んだ。この後、図１（ｄ）に示したように、化
学的機械的研磨法を用いて余剰の配線材料を取り除き、
銅配線層８を形成した。
【００３９】得られた銅配線層の状態を観察したとこ
ろ、配線幅 0.5μm 、深さ 0.8μm の配線溝や径 0.5μ
m 、深さ 3μm のヴィアホールにも良好に銅が埋め込ま
れていることが確認された。また、この銅配線層の電気
特性を測定、評価したところ、良好な結果が得られた。
これから酸化等による銅配線層の電気特性の低下等が生
じていないことが確認された。
ろ、配線幅 0.5μm 、深さ 0.8μm の配線溝や径 0.5μ
m 、深さ 3μm のヴィアホールにも良好に銅が埋め込ま
れていることが確認された。また、この銅配線層の電気
特性を測定、評価したところ、良好な結果が得られた。
これから酸化等による銅配線層の電気特性の低下等が生
じていないことが確認された。
【００４０】実施例２ 上記した実施例１において、配線材料４としてスパッタ
法で成膜したアルミニウム薄膜を用いると共に、その表
面にレーザ吸収用のレジストを塗布し、かつレーザとし
てＹＡＧレーザの第２高調波を使用したこと以外は、実
施例１とほぼ同様にして、アルミニウム配線層を形成し
た。
法で成膜したアルミニウム薄膜を用いると共に、その表
面にレーザ吸収用のレジストを塗布し、かつレーザとし
てＹＡＧレーザの第２高調波を使用したこと以外は、実
施例１とほぼ同様にして、アルミニウム配線層を形成し
た。
【００４１】すなわち、基板１としては 6インチ径のシ
リコンウェーハを使用し、層間絶縁膜の表面を化学的機
械的研磨法により平坦に加工した後、リソグラフィーお
よびＲＩＥにより配線溝およびヴィアホールを作製し
た。配線幅は最小 0.5μm 、深さは 0.8μm 、ヴィアホ
ールの径は 0.5μm 、深さは 3μm である。
リコンウェーハを使用し、層間絶縁膜の表面を化学的機
械的研磨法により平坦に加工した後、リソグラフィーお
よびＲＩＥにより配線溝およびヴィアホールを作製し
た。配線幅は最小 0.5μm 、深さは 0.8μm 、ヴィアホ
ールの径は 0.5μm 、深さは 3μm である。
【００４２】次いで、通常のＲＦマグネトロンスパッタ
装置により高純度アルミニウム薄膜を 3μm の厚さで成
膜した。成膜後の構造は、図３（ａ）に示したように、
大きなアスペクト比を持つ配線溝３ａ部分やヴィアホー
ル３ｃでは配線材料が埋まりきらず、ボイド５が残って
いた。この配線材料としてのアルミニウム薄膜上にはレ
ーザ光の吸収に適したレジスト膜を反射防止膜として形
成した。
装置により高純度アルミニウム薄膜を 3μm の厚さで成
膜した。成膜後の構造は、図３（ａ）に示したように、
大きなアスペクト比を持つ配線溝３ａ部分やヴィアホー
ル３ｃでは配線材料が埋まりきらず、ボイド５が残って
いた。この配線材料としてのアルミニウム薄膜上にはレ
ーザ光の吸収に適したレジスト膜を反射防止膜として形
成した。
【００４３】次に、水中で 532nmの波長を持つＹＡＧレ
ーザにより、数nsec程度のパルスで0.1から 100J/cm2
程度のエネルギ密度のレーザを順に走査しつつ照射する
ことによって、ボイドをつぶして配線溝やヴィアホール
内に配線材料を埋め込んだ。この後、化学的機械的研磨
法を用いて余剰の配線材料を取り除き、アルミニウム配
線層を形成した。
ーザにより、数nsec程度のパルスで0.1から 100J/cm2
程度のエネルギ密度のレーザを順に走査しつつ照射する
ことによって、ボイドをつぶして配線溝やヴィアホール
内に配線材料を埋め込んだ。この後、化学的機械的研磨
法を用いて余剰の配線材料を取り除き、アルミニウム配
線層を形成した。
【００４４】得られたアルミニウム配線層の状態を観察
したところ、配線幅 0.5μm 、深さ0.8μm の配線溝や
径 0.5μm 、深さ 3μm のヴィアホールにも良好にアル
ミニウムが埋め込まれていることが確認された。また、
このアルミニウム配線層の電気特性を測定、評価したと
ころ、良好な結果が得られた。これからアルミニウム配
線層の電気特性の低下等が生じていないことが確認され
た。
したところ、配線幅 0.5μm 、深さ0.8μm の配線溝や
径 0.5μm 、深さ 3μm のヴィアホールにも良好にアル
ミニウムが埋め込まれていることが確認された。また、
このアルミニウム配線層の電気特性を測定、評価したと
ころ、良好な結果が得られた。これからアルミニウム配
線層の電気特性の低下等が生じていないことが確認され
た。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線形成
方法によれば、各種配線材料を例えばアスペクト比が大
きい断面形状を持つ配線溝やヴィアホール等に対して信
頼性よくかつ効率的に埋め込むことができる。従って、
例えば銅のようなＲＩＥによる加工が困難な配線材料を
用いて、信頼性の高い配線層を効率的に形成することが
可能となる。また、本発明の配線形成装置によれば、そ
のような配線を再現性よくかつ効率的に形成することが
できる。
方法によれば、各種配線材料を例えばアスペクト比が大
きい断面形状を持つ配線溝やヴィアホール等に対して信
頼性よくかつ効率的に埋め込むことができる。従って、
例えば銅のようなＲＩＥによる加工が困難な配線材料を
用いて、信頼性の高い配線層を効率的に形成することが
可能となる。また、本発明の配線形成装置によれば、そ
のような配線を再現性よくかつ効率的に形成することが
できる。
【図１】 本発明の配線形成方法の一実施形態による配
線形成工程を示す断面図である。
線形成工程を示す断面図である。
【図２】 配線材料としての金属箔を基板に圧着する場
合の一形態を示す図である。
合の一形態を示す図である。
【図３】 配線材料としての金属薄膜を基板表面に形成
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
【図４】 本発明の配線形成工程に使用する配線材料の
埋め込み装置の一構成例を示す図である。
埋め込み装置の一構成例を示す図である。
１………基板 ２………絶縁層 ３………溝 ３ａ、３ｂ……配線溝 ３ｃ……ヴィアホール ４………配線材料 ７………被処理物 １３……液体保持容器 １４……液体 １６……レーザ照射装置 １７……レーザ光
Claims (3)
- 【請求項１】 予め配線が形成される溝が設けられた基
板表面に、配線材料を配置する工程と、 前記配線材料上からレーザを照射し、衝撃圧力により前
記配線材料を前記溝内に埋め込んで配線を形成する工程
とを有することを特徴とする配線形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の配線形成方法において、 前記配線材料へのレーザ照射を液体中で行うことを特徴
とする配線形成方法。 - 【請求項３】 配線が形成される溝が設けられた基板表
面に配線材料を配置した被処理物の周囲に液体を保持す
る液体保持手段と、 前記液体中で前記配線材料上からレーザを照射するレー
ザ照射手段とを具備し、前記レーザの照射に伴う衝撃圧
力により前記配線材料を前記溝内に埋め込むことを特徴
とする配線形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24230196A JPH1092819A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 配線形成方法および配線形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24230196A JPH1092819A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 配線形成方法および配線形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092819A true JPH1092819A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17087200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24230196A Withdrawn JPH1092819A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 配線形成方法および配線形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001064794A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-13 | Japan Science & Technology Corp | １００ナノメーター未満の直径とアスペクト比が１を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法。 |
-
1996
- 1996-09-12 JP JP24230196A patent/JPH1092819A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001064794A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-13 | Japan Science & Technology Corp | １００ナノメーター未満の直径とアスペクト比が１を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法。 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5093279A (en) | Laser ablation damascene process | |
| US5032233A (en) | Method for improving step coverage of a metallization layer on an integrated circuit by use of a high melting point metal as an anti-reflective coating during laser planarization | |
| EP0251523B1 (en) | A method of producing a semiconductor device showing a good ohmic contact between a plurality of wiring layers | |
| US4758533A (en) | Laser planarization of nonrefractory metal during integrated circuit fabrication | |
| US4681795A (en) | Planarization of metal films for multilevel interconnects | |
| US5329152A (en) | Ablative etch resistant coating for laser personalization of integrated circuits | |
| US5292559A (en) | Laser transfer process | |
| US7491909B2 (en) | Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations | |
| US4674176A (en) | Planarization of metal films for multilevel interconnects by pulsed laser heating | |
| US20050115937A1 (en) | Laser-based method and system for memory link processing with picosecond lasers | |
| EP0611121A2 (en) | Systems for patterning dielectrics and structures therefrom | |
| US4476375A (en) | Process for selective cutting of electrical conductive layer by irradiation of energy beam | |
| US20040134894A1 (en) | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers | |
| WO1994006182A1 (en) | System and method for selectively laser processing a target structure of materials of a multimaterial, multilayer device | |
| US10665680B2 (en) | Method and assembly for ohmic contact in thinned silicon carbide devices | |
| US5066611A (en) | Method for improving step coverage of a metallization layer on an integrated circuit by use of molybdenum as an anti-reflective coating | |
| US5288664A (en) | Method of forming wiring of semiconductor device | |
| JPH1092819A (ja) | 配線形成方法および配線形成装置 | |
| JP2000349042A (ja) | 半導体素子の製造方法と製造装置 | |
| US5940727A (en) | Technique for producing interconnecting conductive links | |
| US20090023262A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| JP3343812B2 (ja) | バイアホール形成方法及びレーザ加工装置 | |
| JP3350955B2 (ja) | 半導体装置の修正方法 | |
| JPH0677336A (ja) | 接続孔の埋め込み方法 | |
| JPS6333292B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |