JP3350955B2

JP3350955B2 - 半導体装置の修正方法

Info

Publication number: JP3350955B2
Application number: JP12445892A
Authority: JP
Inventors: 克郎水越; 幹雄本郷; 秀造佐野; 隆上村; 敦仁高田; 幹規河路; 利夫山田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-05-18
Filing date: 1992-05-18
Publication date: 2002-11-25
Anticipated expiration: 2017-11-25
Also published as: JPH05326519A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば試作した半導体
装置内に部分的に存在する不良の箇所や原因の特定ある
いはその補修に好適な半導体装置の修正方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体装置は高集積化が著しく、
配線層についても微細化・多層化が急速に進んでいる。
このため、開発過程にある半導体装置が設計通りに動作
するとは限らず、設計変更と試作を繰り返し、開発期間
が長期にわたるという問題があった。これに対処するた
め、試作した半導体装置内の配線を切断したり、あるい
は任意配線間を接続することにより、不良箇所の特定あ
るいは暫定的に完全な動作が得られるようにして特性の
評価を行い、開発期間を短縮する手法が用いられ始め
た。

【０００３】これらのうち、任意箇所を接続する方法と
して、レーザ協会会報、第12巻第２号（1987年４月）第
１頁から第６頁で論じられている方法がある。この方法
は、レーザ除去加工及びレーザＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition：化学気相成長）を用いて不良半導体装置
内の配線そのものを直接加工して回路変更を行うもので
ある。具体的には、結線すべき半導体装置内のＡｌ配線
上の絶縁膜に紫外レーザ光（波長266nm，パルス幅10n
s）を照射して接続穴を形成しＡｌ配線を露出させる。
次いで、Ｍo(ＣＯ)₆ガス雰囲気中で前記接続穴内にＡr
レーザ光を照射してＭoを埋め込み、Ａｌ配線とオーミ
ックコンタクトを取った後、Ａrレーザ光を走査して接
続穴間にＭo配線を形成することにより回路を変更する
ものである。そして、実際に開発中の半導体装置の修正
を試みている。修正した半導体装置は、Ａｌ配線層が２
層で両配線層間には１μｍ厚さのＳiＮ層間絶縁膜が形
成されており、パッシベーション膜（保護膜）が無く上
層配線が露出しているものである。このＳiＮ膜に紫外
レーザ光を照射して接続穴を開けた後、上下のＡｌ配線
間を約０.５Ｗのレーザ照射で形成したＭoにより結線し
ている。全体の接続抵抗は記載していないが、接続穴の
接触抵抗は約10Ωであると述べている。

【０００４】上記従来例では、接続穴形成で露出したＡ
ｌ配線上にＭo(ＣＯ)₆ガス雰囲気中でＡrレーザを照射
し、その熱で材料ガスを分解してＭo配線を直接形成し
ているが、本件出願に係る発明者等の実験によれば、Ａ
ｌ配線上にＭo膜を直接熱ＣＶＤで形成すると、その界
面部にはＭoＡｌ₁₂のような高抵抗合金が生成し易いこ
とが明らかになっている。このような高抵抗部が界面に
存在すると当然の如く接触抵抗が高くなる。上記従来例
において接触抵抗が約10Ωと決して低くないのはこのた
めである。接触抵抗が高いと、高速処理を行う論理ＬＳ
Ｉ等は、信号伝達の遅延等を生じ正常な動作が得られな
くなる。

【０００５】上記従来技術以外に、本件出願に係る発明
者等が開示した特開昭63−164240号公報に記載の技術が
ある。この技術も上記従来例と同様に半導体装置に集束
イオンビームを用いて接続穴を形成し、レーザＣＶＤで
接続穴への導電物質充填（穴埋め）と配線形成を行って
修正を行うものであるが、レーザＣＶＤで穴埋めと配線
形成を行う前の処理として、半導体装置表面のクリーニ
ングと緩衝膜形成を必須工程としている。そして、最終
工程でＡrガス雰囲気中で半導体装置に高周波電力を印
加してＡrプラズマを発生させ、Ａrイオンで半導体表面
をスパッタリングし、配線の直下部位外の不要な緩衝膜
を除去している。しかも、上記クリーニング工程からレ
ーザＣＶＤによる配線形成工程までを高真空雰囲気中で
行い、低抵抗接続及び修正の高信頼度化を図っている。

【０００６】上記緩衝膜は、Ｃr等の金属ターゲットを
Ａrイオンでスパッタリングし該金属原子を半導体装置
表面に付着させる等して形成する。これにより、レー
ザＣＶＤにより布設された配線との密着性の向上、穴
埋めや配線形成時のレーザ光の照射エネルギを低減し、
下層への熱影響低減及び配線形成の高速化、が図れる。

【０００７】さらに、該緩衝膜はＡｌ配線とＭo膜との
接触抵抗低減にも寄与することが本件出願の発明者等の
実験で明らかとなった。図４にその結果を示す。図４に
示した結果は、Ａｌ配線103が４層に形成された半導体
装置100に集束イオンビームを用いて□５μｍ×深６μ
ｍの接続穴をＡｌ配線103上に形成後、緩衝膜３として
のＣrの膜厚を変えて形成し、その上にレーザＣＶＤで
導電物質(Ｍo)４’を充填した後、四端子法で接触抵抗
を測定したものである。図において接触抵抗は、Ｃr膜
厚＝０（緩衝膜無し）では17〜90Ωと高いが、Ｃr膜厚
の増加と共に低減することが分かる。この理由は、前述
した如く、Ｃr膜厚＝０ではＡｌ配線103とＭo膜４’と
の界面にＭoＡｌ₁₂のような高抵抗合金が生成している
ためであり、Ｃr膜３は高抵抗合金生成を防止するバリ
ア膜として働いているためである。この結果から、１Ω
以下の低抵抗接続を得るためには、Ｃr膜を20nm以上の
厚さで形成すれば良いことが分かる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記第２の従来技術に
おいて、接続穴形成及び配線切断後に緩衝膜を付け、レ
ーザＣＶＤで配線形成後にＡrイオンのスパッタリング
によるエッチングを行って不要部分の緩衝膜の除去を行
っている。しかし、該エッチング処理は図５に示す様に
半導体装置100の面に対してＡrイオン５が垂直に入射す
る異方性エッチングのため、例えば配線切断穴２の内面
に付着した緩衝膜３を完全に除去できず、該緩衝膜３の
残渣３’のために切断した配線同志103a，103bが短絡す
る場合がある。この傾向は微細で深い穴の場合に顕著で
ある。また、図６に示す様に半導体装置100表面の段差
部の勾配が垂直に近いほど緩衝膜３が残り易く、該緩衝
膜３の残渣３’によってレーザＣＶＤで形成した配線同
志4a，4bが接近していると短絡する場合もあり、修正配
線４の高密度化の妨げとなっている。このため、オーバ
ーエッチングを余分に行って対処しているが、該オーバ
ーエッチングにより、Ｍo配線４の膜厚減少（＝高抵抗
化）や電源供給あるいは信号の入出力のために半導体装
置表面に設けた半田バンプにダメージを与えるなどの不
具合を生ずることがある。

【０００９】尚、上記第２の従来例ではウェット・エッ
チングで不要部分の緩衝膜３の除去を行うことも述べて
いる。該処理によれば、半導体装置表面の段差部の残渣
３’は除去可能であるが、エッチング液の残留や不純物
イオンの侵入等による素子の劣化等の危険性が有る。ま
た、修正配線４や半導体装置表面に設けた半田バンプや
パッドを侵食せず、緩衝膜３のみをエッチングする液を
選択しなければならない。逆に言うと、上記各々の材質
が限定されるため、適用範囲が狭くなる。しかも、微細
化・多層化の著しい半導体装置において、配線切断穴の
寸法が開口径２〜３μｍ程度、深さ10μｍ以上というこ
とは充分有り得る。このような微細深穴に対してエッチ
ング液は入りにくく、上記スパッタリングによるエッチ
ング同様、穴底及び穴の内周に緩衝膜を取り切れない場
合がある。

【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであり、その目的は、上記従来技術を改良することに
より、異方性エッチングで除去し切れなかった緩衝膜の
残渣による問題点を無くし、半導体装置の修正を確実に
行い得る方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明方法では、修正配線形成前に半導体装置表面に
形成した緩衝膜の不要部分をＡrイオン等のスパッタリ
ングによる物理的なエッチングにより除去後、緩衝膜の
エッチング残渣を酸化性や窒化性のラジカルを用いて不
導体化処理することとした。

【００１２】そして、上記目的を達成するために本発明
装置では、不要緩衝膜の除去手段を従来の物理的なエッ
チング手段に酸化性あるいは窒化性のラジカル発生手段
から成る緩衝膜の不導体化手段を加えた構成とした。

【００１３】

【作用】半導体装置表面の不要緩衝膜は、先ず上記構成
のＡrイオン等のスパッタリングによる物理的なエッチ
ング手段により、半導体装置表面の段差部や配線切断穴
内に残渣を残すのみで殆ど除去される。そして、ラジカ
ル発生手段から生じた酸化性や窒化性のラジカルは、エ
ッチング室内に等方的に拡散するので、たとえ高アスペ
クト比に形成された配線切断穴であっても緩衝膜のエッ
チング残渣に接触し、該残渣を酸化あるいは窒化する。
従って、上記残渣は不導体と成り、それまで短絡状態に
あった配線間に絶縁が得られる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図に基づい
て説明する。

【００１５】図１は本発明における配線接続装置の一実
施例を示す図である。本装置は、前記第２の従来技術で
開示した装置構成を踏襲しており、前記第２の従来技術
の装置との相違点はロード・ロック室10とエッチング室
20である。従って、ロード・ロック室10とエッチング室
20以外は概略説明に留める。

【００１６】ロード・ロック室10は、半導体装置100が載
置・固定されたホルダ99の装置内への出し入れ及び各室
への搬送を行うための部屋であり、内部に回転・伸縮自
在の搬送アーム15を備えた搬送機構14を設けている。さ
らに、図示していないが、バルブを介して空気あるいは
不活性ガスなどのボンベに配管されている他、真空ポン
プ及び圧力計も接続している。

【００１７】エッチング室20は、修正前の半導体装置10
0表面のクリーニング及び不要緩衝膜の除去を行うため
の部屋であり、下面にホルダ99の受渡しステージを兼ね
た下部電極23a、これと対向する上面には上部電極24、
それらの周りに円筒電極26とメッシュ電極27とを設けて
いる。

【００１８】該エッチング室20の一実施例を図２に示
し、更に説明する。下部電極23aはエッチング室20下部
に設けた駆動機構23bにより所定位置間を上下動する。
該下部電極23a及び円筒電極26は切り換え器25bを介して
高周波電源25aに、上部電極24はアース・レベルに接続し
ており、メッシュ電極27は電気的に浮いた状態で固定し
ている。さらに上面にはエッチングガス供給手段とし
て、流量可変バルブ28aを介してＡrガス・ボンベ(図示せ
ず)、流量可変バルブ28bを介してＯ₂あるいはＮ₂あるい
はＮ₂とＨ₂との混合ガス等のボンベ(図示せず)を配管接
続し、下面には流量可変バルブ22を介して真空ポンプ21
を接続し、側面には真空度及び上記ガス圧を測定するた
めの真空計29を接続している。

【００１９】メインチャンバ30は、半導体装置100内配
線の切断および半導体装置100内配線とレーザＣＶＤに
よる修正配線との接続をとる接続穴形成のための集束イ
オンビーム光学系32、半導体装置100表面に緩衝膜を形
成するためのスパッタ電極33、レーザＣＶＤによる修正
配線形成時、レーザ発振器41から出たレーザ光42を適正
パワー・適正スポットに調整するためのレーザ照射光学
系40、該光学系40からのレーザ光42を半導体装置100上
に集光するための対物レンズ43、該レンズ43からのレー
ザ光42をチャンバ30内に導入するための窓34を上面ある
いは上部に設け、内部にＸＹＺθ方向に移動可能なステ
ージ31を設けたものである。そして、スパッタ電極33に
は緩衝膜材料としての金属ターゲット（図示せず）が設
けられており、高周波電源（図示せず）に接続してい
る。また、レーザ照射光学系はＴＶカメラを備えてお
り、配線形成や位置合わせなどの際、モニタＴＶを見な
がら作業を行う。

【００２０】また、図示していないが該チャンバ30に
は、当然の如くＡrガスおよびレーザＣＶＤの材料ガス
の供給手段と真空ポンプ及び圧力計が備えてあり、所望
の真空度でＡrガスやＣＶＤガスを所望の圧力に供給で
きる。

【００２１】次ぎに上記装置を用いた修正手順を説明す
る。

【００２２】修正を必要とするウエハあるいはチップ状
態の半導体装置100をホルダ99に載置・固定し、ロード・
ロック室10の排気を停止し、該チャンバ10内に空気ある
いは不活性ガスを略大気圧に導入して扉11を開ける。次
いで上記ホルダ99を搬送アーム15上に載置し、扉11を閉
じて排気を再開する。所定の真空度に達したらゲートバ
ルブ12を開けてホルダ99をエッチング室20内の下部電極
23a上に搬送し、ゲートバルブ12を閉じる。

【００２３】その後、下部電極23aをクリーニング処理
を行うための位置まで上昇し、流量可変バルブ28aを開
いてＡrガスを一定流量導入する。流量可変バルブ22に
より一定圧力に保った状態で、高周波電源25aから下部
電極23aに高周波電力を印加する。これにより、下部電
極23aと上部電極24との間にＡrプラズマが発生し、Ａr
イオンが半導体装置100表面をスパッタリングし、該表
面に付着している汚染物質を除去する。（図３(a)）その後、高周波電力の印加及びＡrガスの供給を停止し
て流量可変バルブ22を全開にし、Ａrガスを排気する。
そしてゲートバルブ12および13を開いてホルダ99をメイ
ンチャンバ30内のステージ31上に搬送する。

【００２４】その後、集束イオンビーム光学系32の直下
にステージ31を移動し、半導体装置100内のアライメン
ト・マークを基準にして配線の切断部あるいは接続部の
位置決めを行う。その後、０.５μｍ以下のスポット径
に集束したイオンビームを被加工部に照射・走査して配
線切断及び接続穴1a，1bの形成を行う。（図３(b)）その後、ステージ31をスパッタ電極33の直下に移動し、
上記クリーニング処理同様、Ａrガスを一定圧力で供給
すると共にスパッタ電極33に高周波電源から高周波電力
を印加し、Ａrイオンを発生させ、該イオンによりスパ
ッタ電極33に設けた金属ターゲットをスパッタリングす
る。これにより金属ターゲットから金属原子が飛び出し
て半導体装置表面に付着し、緩衝膜３を形成する。（図
３(c)）該緩衝膜３の材質としては、前記従来技術で用いたＣr
以外にＴi，Ｎi，Ｗ，等も用い得る。その膜厚は20〜10
0nm程度で緩衝膜３としての効果を奏することができ
る。

【００２５】緩衝膜形成後、Ａrガス及び高周波電力の
供給を停止し、メインチャンバ30内を高真空に排気する
と共にステージ31をレーザ照射光学系40の対物レンズ43
の直下に移動する。その後、排気を停止してＣＶＤガス
をメインチャンバ30内に所定の圧力に達するまで導入す
る。

【００２６】その後、上記イオンビーム加工で用いたア
ライメント・マークを基準に接続穴１の位置決めを行
い、該穴１内にレーザ光42を照射する。そして、該レー
ザ光42は緩衝膜に吸収されて熱を発生する。該熱エネル
ギーにより当該発熱位置に吸着したＣＶＤガスは分解し
て金属を析出し、接続穴１内を埋める。全ての接続穴１
に対して上記位置決め・レーザ照射を行って埋め込む。

【００２７】次いで、上記ＣＶＤガス雰囲気中で半導体
装置100表面にレーザ光42を照射しながら座標データに
従ってステージ31を一定速度で移動する。これにより、
半導体装置100表面には線状の金属膜即ち、修正配線４
が形成され、半導体装置100内の配線同志103，105が接
続されて配線経路が変更される。（図３(d)）ここで用い得るＣＶＤガスとしては、Ｍo(ＣＯ)₆，Ｗ
(ＣＯ)₆，等の金属カルボニルの他、トリイソブチルＡ
ｌ、ジメチル金アセチルアセトネート、等の熱エネルギ
ーによって金属を析出するものであれば何れでも良い。

【００２８】また、レーザ光42としては、Ａrレーザ，
ＹＡＧレーザ等の基本波あるいは高調波、等を用いるこ
とができ、連続発振光でもパルス発振光でも良い。但
し、パルス発振光の場合、繰り返し数が小さいと配線形
成時間が長大化する。

【００２９】その後、上記ＣＶＤガスを排気し、高真空
状態でステージ31を搬送位置に移動してゲートバルブ1
2，13を開け、ホルダ99を再びエッチング室20の下部電
極23aに搬送し、ゲートバルブ12，13を閉じる。

【００３０】下部電極23aを所定のエッチング位置まで
上昇させ、流量可変バルブ28aを開いてＡrガスを一定流
量導入する。流量可変バルブ22により一定圧力に保った
状態で、高周波電源25aから下部電極23aに高周波電力を
印加する。これにより、下部電極23aと上部電極24との
間にＡrプラズマが発生し、Ａrイオンが半導体装置100
表面をスパッタリングし、修正配線直下部位外の不要な
緩衝膜を除去する。（図３(e)）該処理により、半導体
装置100の表面は図６に示す状態となる。次ぎに、高周
波電力の印加及びＡrガスの供給を停止して流量可変バ
ルブ22を全開にし、Ａrガスを排気する。

【００３１】その後、流量可変バルブ28bを開いてＯ₂あ
るいはＮ₂あるいはＮ₂とＨ₂との混合ガスを一定流量導
入する。そして、流量可変バルブ22により一定圧力に設
定すると共に、高周波電力の印加を下部電極23aから円
筒電極26に切り換え、印加する。これにより、円筒電極
26とメッシュ電極27との間に上記ガスによるプラズマが
発生すると共に、上記ガスのラジカルも発生してエッチ
ング室20内を漂い、その一部が不要緩衝膜の残渣３’に
吸着し、該残渣３’を酸化あるいは窒化する。この酸化
あるいは窒化の膜厚は緩衝膜３の材質によって異なる
が、20nm程度以下であるため、不要緩衝膜の残渣膜厚が
この値以下となる様に上記Ａrイオンによるエッチング
を行う必要が有る。従って、不要緩衝膜の残渣膜厚が酸
化あるいは窒化の膜厚よりも小さい場合、完全に不導体
化する。

【００３２】尚、当然の如く上記ラジカルは、修正配線
４にも吸着して酸化あるいは窒化するが、その膜厚は上
記と同程度であり、その分を見込んで配線形成を行うこ
とは容易である。また、半田バンプやパッドについて
も、上記と同程度に酸化あるいは窒化するが、パッケー
ジする際のボンディングに影響を与えるオーダではな
い。上記不導体化処理の終了時は、高周波電力の印加
及び酸化あるいは窒化のためのガスの供給を停止して流
量可変バルブ22を全開にし、高真空状態まで排気する。
そして、ゲートバルブ12を開いてホルダ99をロード・ロ
ック室10に戻し、ゲートバルブ12を閉じる。その後、排
気を停止して該室10内に空気あるいは不活性ガスを略大
気圧まで導入し、蓋11を開けてホルダ99を取り出す。そ
して、半導体装置100をホルダ99から外して修正を終え
る。

【００３３】尚、上記実施例では酸化性あるいは窒化性
のラジカルを用いて緩衝膜３の不導体化を行っている
が、これに限らず例えば、上記実施例同様に円筒電極26
とメッシュ電極27間にプラズマを発生させると共に、下
部電極23aに負の電圧を印加し、プラズマ中から酸化性
あるいは窒化性のイオンを引き出し、上記ラジカルと併
用して半導体装置100表面に照射しても良い。これによ
り、不導体化可能な膜厚を大きくできる。但し、上記負
の電圧をあまり大きくしすぎると修正配線４や半田バン
プあるいはパッド内のかなり深い部分にまで上記イオン
が入り込み、不導体層を厚く形成する恐れがあるため、
−10〜−100Ｖ程度で行うのが良い。

【００３４】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、不要緩
衝膜が残っていても不導体化できるため、従来のように
オーバエッチする必要が無く、その分、修正配線の膜厚
減少や半田バンプに与えるダメージを低減できる。

【００３５】また、酸化性や窒化性のラジカルは、エッ
チング室内に等方的に拡散するので、垂直に近い段差部
や高アスペクト比の配線切断穴であっても入り込み、緩
衝膜の残渣を不導体化する。

【００３６】従って、微細化・多層化の進む半導体装置
の配線接続が確実に行え、しかも修正配線の高密度化が
図れるため、半導体装置の開発期間を大幅に短縮でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線修正装置の一実施例を示す図であ
る。

【図２】本発明の配線修正装置におけるエッチング室の
一実施例を示す図である。

【図３】本発明の配線修正方法の各工程を示す図であ
る。

【図４】緩衝膜の膜厚とコンタクト抵抗の関係を示す図
である。

【図５】第２の従来技術における問題点を示す図であ
る。

【図６】第２の従来技術における問題点を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…接続穴、２…配線切断穴、３…緩衝膜、３’…緩衝
膜の残渣、４…修正配線、５…Ａrイオン、10…ロード
・ロック室、15…搬送アーム、20…エッチング電極、23
a…下部電極、24…上部電極、26…円筒電極、27…メッ
シュ電極、30…メインチャンバ、31…ステージ、32…イ
オンビーム光学系、33…スパッタ電極、40…レーザ照射
光学系、41…レーザ発振器、42…レーザ光、43…対物レ
ンズ、99…ホルダ、100…半導体装置、103,105…配線、
104…絶縁膜、106…保護膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上村隆神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者高田敦仁神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者河路幹規東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センター内 (72)発明者山田利夫東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センター内 (56)参考文献特開昭63−164240（ＪＰ，Ａ) 特開平１−238141（ＪＰ，Ａ) 特開平３−153037（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置の修正方法であって、修正すべ
き配線の表面を覆う保護膜に収束させたイオンビームを
照射して前記保護膜を部分的に除去することにより前記
修正すべき配線を露出させ、該修正すべき配線を露出さ
せた前記半導体装置の表面に緩衝膜を形成し、ＣＶＤガ
ス雰囲気中で前記緩衝膜を形成した半導体装置の表面に
レーザ光を走査・照射して前記露出させた配線に接続す
る付加配線膜を前記保護膜上に形成し、前記半導体装置
をスパッタリング処理することにより該半導体装置の表
面に形成した緩衝膜を除去加工し、前記スパッタリング
処理した後に前記半導体装置の表面に付着している前記
緩衝膜の残渣をプラズマ処理することにより不導体化す
ることを特徴とする半導体装置の修正方法。
【請求項２】前記イオンビームを照射する工程から前記
不導体化する工程までを、前記半導体デバイスを大気に
曝すことなく行うことを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の修正方法。
【請求項３】半導体装置の修正方法であって、内部に配
線を形成し表面を保護膜で覆った半導体装置の前記保護
膜の一部に穴明け加工をして前記配線の一部を露出さ
せ、該露出させた配線膜の一部を含む前記半導体装置の
表面に薄い導体の膜を形成し、ＣＶＤガス雰囲気中で前
記薄い導体膜を形成した半導体装置の表面にレーザ光を
走査・照射して前記保護膜の一部に穴明け加工をして露
出させた配線に接続する付加配線膜を前記保護膜上に形
成し、前記半導体装置をスパッタリング処理することに
より該半導体装置の表面に形成した薄い導体の膜を除去
加工し、前記スパッタリング処理した後に前記半導体装
置の表面に付着している前記薄い導体膜の残渣をプラズ
マ処理することにより該薄い導体膜の残渣を不導体化す
ることを特徴とする半導体装置の修正方法。
【請求項４】半導体装置の修正方法であって、内部に配
線を形成し表面を保護膜で覆った半導体装置の前記保護
膜の一部を除去して露出させた前記配線を含む前記半導
体装置の表面に薄い緩衝膜を形成し、該薄い緩衝膜を形
成した半導体装置の表面にレーザＣＶＤにより前記露出
させた配線に接続する付加配線膜を形成し、前記半導体
装置をスパッタリング処理することにより該半導体装置
の表面に露出している前記薄い緩衝膜を除去加工し、該
除去加工した前記半導体装置の表面をプラズマ処理する
ことにより前記薄い緩衝膜の残渣を不導体化することを
特徴とする半導体装置の修正方法。
【請求項５】前記プラズマ処理することにより前記緩衝
膜又は薄い導体膜の残渣を不導体化することを、Ｏ_２あ
るいはＮ_２あるいはＮ_２とH_２との混合ガスの雰囲気中
で発生させたプラズマで処理することにより行うことを
特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置
の修正方法。
【請求項６】前記不導体化した緩衝膜又は薄い導体膜の
残渣の厚さが、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置の修正方法。