JP2003502841A - 半導体集積デバイスのインピーダンスをチューニングする方法および装置 - Google Patents
半導体集積デバイスのインピーダンスをチューニングする方法および装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 235
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 177
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims 1
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 41
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 10
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- QKJXFFMKZPQALO-UHFFFAOYSA-N chromium;iron;methane;silicon Chemical compound C.[Si].[Cr].[Fe] QKJXFFMKZPQALO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003256 environmental substance Substances 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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- H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、集束される加熱源、例えば、レーザの溶融作用によって１つ以上の隣接する高ドーパント濃度の領域からドーパントを制御しながら拡散させ低ドーパント濃度領域におけるドーパントプロファイルを変更することで、半導体集積デバイス(1)のインピーダンスを反復的かつ選択的にチューニングする方法に関する。例えば、集束される加熱源は、第１および第２のドープされた領域の一部分を含む選択されたエリアへ導かれ、ドープされた領域の一方は他方よりも高いドーパント濃度を有する。少なくとも１つの加熱パルスは、選択されたエリアを溶融するために該選択エリアに印加される。この選択エリアは、加熱パルスの引き続く印加の間に、固化させるのを許容する。本方法は、いかなる付加的なステップを要求することなく、半導体集積デバイス(1)の抵抗値の調整をするために、選択エリアのドーパント濃度を減少させるのと同様に増加させるために利用される。
Description
【０００１】
本発明は半導体集積デバイスの分野に関し、特に、集束される加熱源を用いて
半導体集積デバイスのインピーダンスを反復的および選択的にチューニングする
（すなわち、変更および変化させる）方法および装置に関する。さらに詳しくは
、本発明は、集束される加熱源、例えば、レーザの溶融作用によって１つ以上の
隣接する高ドーパント濃度の領域からドーパントを制御しながら拡散させ低ドー
パント濃度領域におけるドーパントプロファイル（dopant profile）を変更する
（すなわち、ドーパント濃度を増加させる）ことにより、半導体集積デバイスの
インピーダンスを選択的にチューニングする方法に関する。
半導体集積デバイスのインピーダンスを反復的および選択的にチューニングする
（すなわち、変更および変化させる）方法および装置に関する。さらに詳しくは
、本発明は、集束される加熱源、例えば、レーザの溶融作用によって１つ以上の
隣接する高ドーパント濃度の領域からドーパントを制御しながら拡散させ低ドー
パント濃度領域におけるドーパントプロファイル（dopant profile）を変更する
（すなわち、ドーパント濃度を増加させる）ことにより、半導体集積デバイスの
インピーダンスを選択的にチューニングする方法に関する。
【０００２】
半導体集積デバイスの分野におけるレーザの利用は、いわゆる当業者には公知
であり、例えば、Raffle et al.に対する米国特許第４，６３６，４０４号、Cha
pman et al.に対する米国特許第５，０８７，５８９号、および、Raffle et al.
に対する米国特許第４，５８５，４９０号などが知られている。しかしながら、
この分野において、レーザは、主としていろいろなコンポーネントの間でリンク
を形成し、大きなランダムアクセスメモリーおよび複雑なＶＬＳＩ回路において
冗長性を用いて欠陥を回避し、そして、回路の再構成または修復を行うために用
いられてきた。例えば、米国特許第４，６３６，４０４号は、レーザを用いて、
回路で側方に分離されている金属コンポーネントの間のギャップに導電性の低抵
抗の架橋を形成する。米国特許第５，０８７，５８９号は、回路にイオン打ち込
みを行った後に選択的な垂直導電リンク領域を形成することを開示している。さ
らに、米国特許第５，５８５，４９０号は、垂直に分離された金属層において、
レーザパルスにリンク点をさらして結合させ垂直リンクを形成する方法に関する
。したがって、集積回路に関連した当業者によるレーザの利用は、主として導電
性のリンクやパスを、以前は何も存在していなかったところに作り出すことに向
けられている。
であり、例えば、Raffle et al.に対する米国特許第４，６３６，４０４号、Cha
pman et al.に対する米国特許第５，０８７，５８９号、および、Raffle et al.
に対する米国特許第４，５８５，４９０号などが知られている。しかしながら、
この分野において、レーザは、主としていろいろなコンポーネントの間でリンク
を形成し、大きなランダムアクセスメモリーおよび複雑なＶＬＳＩ回路において
冗長性を用いて欠陥を回避し、そして、回路の再構成または修復を行うために用
いられてきた。例えば、米国特許第４，６３６，４０４号は、レーザを用いて、
回路で側方に分離されている金属コンポーネントの間のギャップに導電性の低抵
抗の架橋を形成する。米国特許第５，０８７，５８９号は、回路にイオン打ち込
みを行った後に選択的な垂直導電リンク領域を形成することを開示している。さ
らに、米国特許第５，５８５，４９０号は、垂直に分離された金属層において、
レーザパルスにリンク点をさらして結合させ垂直リンクを形成する方法に関する
。したがって、集積回路に関連した当業者によるレーザの利用は、主として導電
性のリンクやパスを、以前は何も存在していなかったところに作り出すことに向
けられている。
【０００３】
従来の技術は、金属コネクタの間に導電性のリンクを作り出すための高強度の
レーザパルスを発生できるレーザの利用を開示している。高出力のレーザパルス
の加熱作用で、金属線を分離している酸化シリコン（または他の絶縁体）に破断
やひび割れが生じる。レーザパルスの加熱作用はさらに、コネクタの金属の一部
を溶融させ、溶けた金属が絶縁体のひび割れやクラックにしみこんで２つのコネ
クタの間でリンクを形成する。したがって、上記の特許で開示された方法は強力
な単一レーザパルスの印加を必要とする。この単一レーザパルスの印加後は、そ
れ以上レーザパルスは印加されない。したがって、これらの特許は低抵抗のリン
クの形成に、すなわちレーザで拡散できるリンクの形成にのみ関するものであり
、与えられたデバイスにおいてインピーダンスを正確に変更することにはいかな
る意味でも関わっていない。
レーザパルスを発生できるレーザの利用を開示している。高出力のレーザパルス
の加熱作用で、金属線を分離している酸化シリコン（または他の絶縁体）に破断
やひび割れが生じる。レーザパルスの加熱作用はさらに、コネクタの金属の一部
を溶融させ、溶けた金属が絶縁体のひび割れやクラックにしみこんで２つのコネ
クタの間でリンクを形成する。したがって、上記の特許で開示された方法は強力
な単一レーザパルスの印加を必要とする。この単一レーザパルスの印加後は、そ
れ以上レーザパルスは印加されない。したがって、これらの特許は低抵抗のリン
クの形成に、すなわちレーザで拡散できるリンクの形成にのみ関するものであり
、与えられたデバイスにおいてインピーダンスを正確に変更することにはいかな
る意味でも関わっていない。
【０００４】
しかし、レーザを用いて半導体集積デバイスのインピーダンスまたは抵抗を変
化させることは当業者には公知である。この方法は、半導体集積デバイスのレー
ザトリミングと呼ばれることもあり、シリコンクロム（silicon chromide）、シ
リコンセシウム（cesium silicides）、窒化タンタル（tantalum nitride）或い
はニクロム（nichrome）などの材料で製造される抵抗性の薄膜構造を有する半導
体デバイスに対してよく行われる。必要なまたは所望の抵抗値を実現するために
行われる半導体集積デバイスのトリミングは、この抵抗性の薄膜の一部をレーザ
で融除（すなわち、蒸発(evaporation)または焼き切り(burning off)）すること
によって達成される。言い換えると、レーザを用いて抵抗性の薄膜構造の一部を
蒸発させ、残った抵抗性薄膜の量の変化によって半導体集積デバイスの抵抗値に
変化が生じる。
化させることは当業者には公知である。この方法は、半導体集積デバイスのレー
ザトリミングと呼ばれることもあり、シリコンクロム（silicon chromide）、シ
リコンセシウム（cesium silicides）、窒化タンタル（tantalum nitride）或い
はニクロム（nichrome）などの材料で製造される抵抗性の薄膜構造を有する半導
体デバイスに対してよく行われる。必要なまたは所望の抵抗値を実現するために
行われる半導体集積デバイスのトリミングは、この抵抗性の薄膜の一部をレーザ
で融除（すなわち、蒸発(evaporation)または焼き切り(burning off)）すること
によって達成される。言い換えると、レーザを用いて抵抗性の薄膜構造の一部を
蒸発させ、残った抵抗性薄膜の量の変化によって半導体集積デバイスの抵抗値に
変化が生じる。
【０００５】
この方法には、いくつかの欠点および問題がある。この方法の主な問題の１つ
は、レーザ融除後の抵抗性薄膜の最終的な抵抗値が、薄膜の材料、レーザ融除に
よって除去された（すなわち、蒸発した）物質の量、および融除された部分のパ
タンまたは形、に依存するということである。したがって、もし、大きな抵抗の
変化が必要な場合は、大きな面積を融除する必要があるが、集積回路が非常に小
さなスケールのものである場合、それは不可能であろう。このように、従来のレ
ーザ融除法は、一般に、回路が設計され製作された後で必要になる抵抗またはイ
ンピーダンスの変更に関して柔軟性に欠けている。レーザ融除法の別の大きな問
題点は、融除後のトリミングされたデバイスの抵抗値が一定にとどまっていない
で、時間と共に変化するということである。この抵抗性薄膜の抵抗値の時間によ
る変化は、抵抗のドリフトとも呼ばれることがあり、レーザで融除された部分の
長期的な焼き鈍し効果による可能性がある。この長期的な焼き鈍し、または“エ
イジング”、効果は、薄膜微結晶のサイズがゆっくりと減少することから生じ、
時間と共に薄膜の抵抗値をはっきりと増大させる可能性がある。この変化は、集
積回路特性の時間による劣化を生じ、特性の小さな変化さえも許容されない分野
においては極めて望ましくないものである。
は、レーザ融除後の抵抗性薄膜の最終的な抵抗値が、薄膜の材料、レーザ融除に
よって除去された（すなわち、蒸発した）物質の量、および融除された部分のパ
タンまたは形、に依存するということである。したがって、もし、大きな抵抗の
変化が必要な場合は、大きな面積を融除する必要があるが、集積回路が非常に小
さなスケールのものである場合、それは不可能であろう。このように、従来のレ
ーザ融除法は、一般に、回路が設計され製作された後で必要になる抵抗またはイ
ンピーダンスの変更に関して柔軟性に欠けている。レーザ融除法の別の大きな問
題点は、融除後のトリミングされたデバイスの抵抗値が一定にとどまっていない
で、時間と共に変化するということである。この抵抗性薄膜の抵抗値の時間によ
る変化は、抵抗のドリフトとも呼ばれることがあり、レーザで融除された部分の
長期的な焼き鈍し効果による可能性がある。この長期的な焼き鈍し、または“エ
イジング”、効果は、薄膜微結晶のサイズがゆっくりと減少することから生じ、
時間と共に薄膜の抵抗値をはっきりと増大させる可能性がある。この変化は、集
積回路特性の時間による劣化を生じ、特性の小さな変化さえも許容されない分野
においては極めて望ましくないものである。
【０００６】
レーザトリミングのもう１つの問題は、薄膜の融除（または、蒸発）自体がま
わりの集積回路に損傷を生じる可能性があるということである。例えば、蒸発プ
ロセスからの残余物質（すなわち、融除された或いは蒸発した物質）が回路の隣
接コンポーネントに飛び散ってそれらを損傷する可能性がある。さらに、抵抗性
薄膜の蒸発に必要なレーザ出力が、場合によって、隣接する回路エレメントに熱
損傷を生じ、その結果その半導体集積デバイスに予期しない望ましくない機能不
全を引き起こすかもしれない。
わりの集積回路に損傷を生じる可能性があるということである。例えば、蒸発プ
ロセスからの残余物質（すなわち、融除された或いは蒸発した物質）が回路の隣
接コンポーネントに飛び散ってそれらを損傷する可能性がある。さらに、抵抗性
薄膜の蒸発に必要なレーザ出力が、場合によって、隣接する回路エレメントに熱
損傷を生じ、その結果その半導体集積デバイスに予期しない望ましくない機能不
全を引き起こすかもしれない。
【０００７】
さらに、集積回路の標準的な製造プロセスには薄膜製造ステップが含まれてい
ないことがある。したがって、抵抗性薄膜を製造するためには余分な蒸着ステッ
プが必要になり、集積回路のコストと複雑さを増大させることになる。さらに、
場合によっては、抵抗性薄膜を周囲の化学的な汚染から保護するために、レーザ
トリミングプロセスの後でパッシベーション層を回路に蒸着することが必要にな
る。この新たなステップは、製造プロセスの追加を必要とし、したがって、それ
に対応するコストの増加を生じる。
ないことがある。したがって、抵抗性薄膜を製造するためには余分な蒸着ステッ
プが必要になり、集積回路のコストと複雑さを増大させることになる。さらに、
場合によっては、抵抗性薄膜を周囲の化学的な汚染から保護するために、レーザ
トリミングプロセスの後でパッシベーション層を回路に蒸着することが必要にな
る。この新たなステップは、製造プロセスの追加を必要とし、したがって、それ
に対応するコストの増加を生じる。
【０００８】
集積回路の抵抗器をトリミングするための公知の方法または従来のレーザ融除
法のさらに別の大きな問題点は、この融除法をうまく実行するためには薄膜抵抗
器自体のサイズが比較的大きい必要があるということである。実際、製造許容公
差やその他の制約のために、薄膜のサイズはレーザによって実際に融除されるエ
リアよりもずっと大きくなければならない。レーザで融除されるエリアを囲むこ
の無駄なエリアは、集積回路のアーキテクチャーの効率を大きく低下させる。余
分なシリコンのために不必要なコストがかかるというだけでなく、大きな寸法が
制約になり、特に高周波集積回路エレメントにとっては重大な制約になる。小型
化が半導体産業にとって非常に重要になり、メーカーとユーザーがますます小さ
な高密度のデバイスを要求するようになるにつれて、集積回路の抵抗をトリミン
グするためのレーザ融除法は、不可能ではないとしても、非経済的で非実際的な
ものになってくる。
法のさらに別の大きな問題点は、この融除法をうまく実行するためには薄膜抵抗
器自体のサイズが比較的大きい必要があるということである。実際、製造許容公
差やその他の制約のために、薄膜のサイズはレーザによって実際に融除されるエ
リアよりもずっと大きくなければならない。レーザで融除されるエリアを囲むこ
の無駄なエリアは、集積回路のアーキテクチャーの効率を大きく低下させる。余
分なシリコンのために不必要なコストがかかるというだけでなく、大きな寸法が
制約になり、特に高周波集積回路エレメントにとっては重大な制約になる。小型
化が半導体産業にとって非常に重要になり、メーカーとユーザーがますます小さ
な高密度のデバイスを要求するようになるにつれて、集積回路の抵抗をトリミン
グするためのレーザ融除法は、不可能ではないとしても、非経済的で非実際的な
ものになってくる。
【０００９】
最後に、集積された抵抗器の抵抗を変更するための公知のレーザ融除法のもう
１つの問題点は、従来のレーザトリミング法は薄膜の抵抗値を増加させることし
かできないということ、言い換えると、この方法は抵抗器の抵抗値を増加させる
という一方向にしか働くことができないということである。公知のレーザ融除法
は、集積された抵抗器の抵抗を下げることができず、したがって、もし、トリミ
ングの過程でオーバートリミングが起こり、得られた抵抗値が要求される用途に
対して高すぎる場合も、これを逆転させて抵抗を下げるようにトリミングする手
段は何もない。したがって、ある回路のオーバートリミングは回路全体をスクラ
ップにしてしまう。さらに、半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するた
めの、すなわち、増加または減少させるための、レーザその他の集束される加熱
源の利用は、いわゆる当業者にはまだ知られていない。
１つの問題点は、従来のレーザトリミング法は薄膜の抵抗値を増加させることし
かできないということ、言い換えると、この方法は抵抗器の抵抗値を増加させる
という一方向にしか働くことができないということである。公知のレーザ融除法
は、集積された抵抗器の抵抗を下げることができず、したがって、もし、トリミ
ングの過程でオーバートリミングが起こり、得られた抵抗値が要求される用途に
対して高すぎる場合も、これを逆転させて抵抗を下げるようにトリミングする手
段は何もない。したがって、ある回路のオーバートリミングは回路全体をスクラ
ップにしてしまう。さらに、半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するた
めの、すなわち、増加または減少させるための、レーザその他の集束される加熱
源の利用は、いわゆる当業者にはまだ知られていない。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、集束される加熱源、例えば、集束されるレーザ
ビームを用いて、半導体集積デバイスのインピーダンスを反復的および選択的に
チューニングする方法および装置を提供することである。
ビームを用いて、半導体集積デバイスのインピーダンスを反復的および選択的に
チューニングする方法および装置を提供することである。
【００１１】
また、集束される加熱源を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを反復
的、選択的にチューニングする方法および装置であって、その方法が半導体集積
デバイスの一部の融除または蒸発を含まないことを特徴とする方法および装置を
提供することも本発明の目的である。
的、選択的にチューニングする方法および装置であって、その方法が半導体集積
デバイスの一部の融除または蒸発を含まないことを特徴とする方法および装置を
提供することも本発明の目的である。
【００１２】
本発明の他の目的は、集束される加熱源からの一連の加熱パルスの溶融作用に
より低ドーパント濃度エリアに隣接する高ドーパント濃度エリアからのドーパン
トの制御された拡散を誘発し、それにより低ドーパント濃度エリアのドーパント
分布プロファイルを正確に変更することによって半導体集積デバイスのインピー
ダンス値をチューニングする方法を提供することである。
より低ドーパント濃度エリアに隣接する高ドーパント濃度エリアからのドーパン
トの制御された拡散を誘発し、それにより低ドーパント濃度エリアのドーパント
分布プロファイルを正確に変更することによって半導体集積デバイスのインピー
ダンス値をチューニングする方法を提供することである。
【００１３】
本発明の他の目的は、シリコン（silicon）、ガリウム砒素（gallium arsenid
e）、ＳｉＧｅ（シリコン−ゲルマニウム：Silicon-Germanium）、III−Ｖ族半
導体化合物およびII−VI族半導体化合物を含む基板物質に製造される半導体集積
デバイスのインピーダンス値を選択的にチューニングする方法を提供することで
ある。
e）、ＳｉＧｅ（シリコン−ゲルマニウム：Silicon-Germanium）、III−Ｖ族半
導体化合物およびII−VI族半導体化合物を含む基板物質に製造される半導体集積
デバイスのインピーダンス値を選択的にチューニングする方法を提供することで
ある。
【００１４】
本発明のさらに他の目的は、半導体集積デバイスのインピーダンスを選択的に
上向きチューニングおよび／または下向きチューニングする方法を提供すること
である。
上向きチューニングおよび／または下向きチューニングする方法を提供すること
である。
【００１５】
本発明の他の目的は、低ドーパント濃度の領域によって分離された２つの高ド
ーパント濃度の領域を含み、この三つの領域が隣接している半導体集積デバイス
をチューニングする方法を提供することである。
ーパント濃度の領域を含み、この三つの領域が隣接している半導体集積デバイス
をチューニングする方法を提供することである。
【００１６】
本発明のさらなる他の目的は、半導体集積デバイスの抵抗値をチューニングす
る方法であって、半導体集積デバイスの所望のまたは要求されるインピーダンス
値に到達するように、加熱源を印加する毎に、加熱パルスの時間、加熱パルスの
数、集束される加熱源の出力、集束される加熱源のスポット直径、集束される加
熱源の位置および集束される加熱源の印加角度または配列を（必要に応じて）再
調整できることを特徴とする方法を提供することである。
る方法であって、半導体集積デバイスの所望のまたは要求されるインピーダンス
値に到達するように、加熱源を印加する毎に、加熱パルスの時間、加熱パルスの
数、集束される加熱源の出力、集束される加熱源のスポット直径、集束される加
熱源の位置および集束される加熱源の印加角度または配列を（必要に応じて）再
調整できることを特徴とする方法を提供することである。
【００１７】
本発明のさらに他の目的は、従来のＣＭＯＳまたはバイポーラー製造プロセス
によって製造される半導体集積デバイスの抵抗値を、製造ステップを追加するこ
とを必要とせずにチューニングする方法を提供することである。
によって製造される半導体集積デバイスの抵抗値を、製造ステップを追加するこ
とを必要とせずにチューニングする方法を提供することである。
【００１８】
本発明のまたさらに他の目的は、半導体集積デバイスの抵抗値をチューニング
する方法であって、加熱パルスがデバイスの抵抗をチューニングするのに十分な
出力を有しながらも、周りのデバイスのエレメントを損傷する可能性がなく、回
路の時間的な安定性および信頼性を高めることを特徴とする方法を提供すること
である。
する方法であって、加熱パルスがデバイスの抵抗をチューニングするのに十分な
出力を有しながらも、周りのデバイスのエレメントを損傷する可能性がなく、回
路の時間的な安定性および信頼性を高めることを特徴とする方法を提供すること
である。
【００１９】
本発明のさらに他の目的は、半導体集積デバイスの抵抗値をチューニングする
方法であって、半導体集積デバイスのサイズが従来のレーザトリミングに用いら
れる抵抗薄膜よりも小さいことを特徴とする方法を提供することである。
方法であって、半導体集積デバイスのサイズが従来のレーザトリミングに用いら
れる抵抗薄膜よりも小さいことを特徴とする方法を提供することである。
【００２０】
したがって、本発明は、一般的な形態によると、半導体集積デバイスの第１の
ドープされた領域と、前記第１のドープされた領域よりも低いドーパント濃度を
有する隣接する第２のドープされた領域との相対ドーパント分布プロファイルの
反復的な制御された変更を実行する方法であって、 前記第１および第２のドープされた領域の各々の部分を含む選択されたエリア
に集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記ドープされた第１の領域の前記部分から前記ドープされた第２の領域の前
記部分へのドーパントの制御された拡散を可能にすることを特徴とする方法を提
供する。 本発明の他の形態によると、半導体集積デバイスのインピーダンスを、弱くド
ープされた領域に隣接して構成および配置された強くドープされた領域のドーパ
ント分布プロファイルを制御して変更することにより反復的かつ正確にチューニ
ングする方法であって、 前記弱くドープされた領域と前記強くドープされた領域の各々の部分にまたが
る選択されたエリアに集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記強くドープされた領域の前記部分から前記弱くドープされた領域の前記部
分へのドーパントの制御された拡散を可能にしていることを特徴とする方法が提
供される。
ドープされた領域と、前記第１のドープされた領域よりも低いドーパント濃度を
有する隣接する第２のドープされた領域との相対ドーパント分布プロファイルの
反復的な制御された変更を実行する方法であって、 前記第１および第２のドープされた領域の各々の部分を含む選択されたエリア
に集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記ドープされた第１の領域の前記部分から前記ドープされた第２の領域の前
記部分へのドーパントの制御された拡散を可能にすることを特徴とする方法を提
供する。 本発明の他の形態によると、半導体集積デバイスのインピーダンスを、弱くド
ープされた領域に隣接して構成および配置された強くドープされた領域のドーパ
ント分布プロファイルを制御して変更することにより反復的かつ正確にチューニ
ングする方法であって、 前記弱くドープされた領域と前記強くドープされた領域の各々の部分にまたが
る選択されたエリアに集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記強くドープされた領域の前記部分から前記弱くドープされた領域の前記部
分へのドーパントの制御された拡散を可能にしていることを特徴とする方法が提
供される。
【００２１】
本発明の他の形態によると、第１のドープされた領域が第２および第３のドー
プされた領域を離隔して成る半導体集積デバイスのインピーダンスを前記第２お
よび第３のドープされた領域から前記第１のドープされた領域へのドーパントの
制御された拡散によって反復的かつ正確にチューニングする方法であって、 前記第１のドープされた領域の少なくとも一部分と前記第２および第３のドー
プされた領域の各々の少なくとも一部分を含む選択されたエリアに集束される加
熱源を導くステップと、 前記選択されたエリアに少なくとも１つの加熱パルスを印加し、前記加熱パル
スの各々によって前記第１のドープされた領域の前記部分と前記第２および第３
のドープされた領域の各々の前記部分を溶融するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した部分を
固化させるステップとを備え、前記溶融および固化の各サイクルが前記第２およ
び第３のドープされた領域の前記部分から前記第１のドープされた領域の前記部
分へのドーパントの制御された拡散を可能にしていることを特徴とする方法が提
供される。
プされた領域を離隔して成る半導体集積デバイスのインピーダンスを前記第２お
よび第３のドープされた領域から前記第１のドープされた領域へのドーパントの
制御された拡散によって反復的かつ正確にチューニングする方法であって、 前記第１のドープされた領域の少なくとも一部分と前記第２および第３のドー
プされた領域の各々の少なくとも一部分を含む選択されたエリアに集束される加
熱源を導くステップと、 前記選択されたエリアに少なくとも１つの加熱パルスを印加し、前記加熱パル
スの各々によって前記第１のドープされた領域の前記部分と前記第２および第３
のドープされた領域の各々の前記部分を溶融するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した部分を
固化させるステップとを備え、前記溶融および固化の各サイクルが前記第２およ
び第３のドープされた領域の前記部分から前記第１のドープされた領域の前記部
分へのドーパントの制御された拡散を可能にしていることを特徴とする方法が提
供される。
【００２２】
本発明のある実施の形態によると、半導体集積デバイスのインピーダンスを、
あるドーパント濃度（すなわち、高い濃度）を有する１つ以上のエリアから１つ
以上のもっと低濃度のエリアへのドーパントの制御された拡散を引き起こす一連
の連続ステップによってチューニング（すなわち、変更、変化、調整、増加、減
少等）する方法が提供される。インピーダンスという表現は抵抗と容量の両方を
含み、半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するということは半導体集積
デバイスの抵抗および／または容量を変更することであると理解される。制御さ
れた拡散という表現は、集束されるエネルギーが注意深く、計算され、測定され
て半導体集積デバイスに印加され、その結果、制御されたおよび／または決定可
能な量のドーパントがあるエリアからドーパント濃度がもっと低い隣接するエリ
アへ拡散され、２つの隣接エリアの間の（相対）ドーパント濃度に、そして結果
としてインピーダンスに、変化が生じるということを意味するものと理解される
。制御された拡散は、高出力レーザからの無差別パルス（すなわち、爆発的エネ
ルギー）の印加から生じる最大の拡散と対置（すなわち、区別）される。したが
って、本発明の制御された拡散は、従来の技術が開示している方法で最大の拡散
から区別される。したがって、本発明は、半導体集積デバイスのインピーダンス
を、前記半導体集積デバイスの２つ（以上）の隣接エリアの相対ドーパント濃度
に変化を生じさせることによって変更する方法を教示するものであり、この相対
ドーパント濃度の変化はいくつかの引き続く反復的ステップによって遂行され、
その各ステップは高いドーパント濃度の１つ以上のエリアから低いドーパント濃
度の１つ以上のエリアへのドーパントの制御された拡散を生じさせる。半導体集
積デバイスの１つ以上のエリアの局所ドーパント濃度をこのようにして選択的に
変更することができる。
あるドーパント濃度（すなわち、高い濃度）を有する１つ以上のエリアから１つ
以上のもっと低濃度のエリアへのドーパントの制御された拡散を引き起こす一連
の連続ステップによってチューニング（すなわち、変更、変化、調整、増加、減
少等）する方法が提供される。インピーダンスという表現は抵抗と容量の両方を
含み、半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するということは半導体集積
デバイスの抵抗および／または容量を変更することであると理解される。制御さ
れた拡散という表現は、集束されるエネルギーが注意深く、計算され、測定され
て半導体集積デバイスに印加され、その結果、制御されたおよび／または決定可
能な量のドーパントがあるエリアからドーパント濃度がもっと低い隣接するエリ
アへ拡散され、２つの隣接エリアの間の（相対）ドーパント濃度に、そして結果
としてインピーダンスに、変化が生じるということを意味するものと理解される
。制御された拡散は、高出力レーザからの無差別パルス（すなわち、爆発的エネ
ルギー）の印加から生じる最大の拡散と対置（すなわち、区別）される。したが
って、本発明の制御された拡散は、従来の技術が開示している方法で最大の拡散
から区別される。したがって、本発明は、半導体集積デバイスのインピーダンス
を、前記半導体集積デバイスの２つ（以上）の隣接エリアの相対ドーパント濃度
に変化を生じさせることによって変更する方法を教示するものであり、この相対
ドーパント濃度の変化はいくつかの引き続く反復的ステップによって遂行され、
その各ステップは高いドーパント濃度の１つ以上のエリアから低いドーパント濃
度の１つ以上のエリアへのドーパントの制御された拡散を生じさせる。半導体集
積デバイスの１つ以上のエリアの局所ドーパント濃度をこのようにして選択的に
変更することができる。
【００２３】
本発明のある実施の形態によると、半導体デバイスをチューニングすることが
できるが、この表現（チューニングされるまたはチューニング）は半導体集積デ
バイスのインピーダンスを、増加であれ減少であれ、変更、調整、変化させるこ
とができるということを意味するものと理解される。さらに、チューニングの他
に、本発明はまた半導体集積デバイスの微細チューニングを必要とすることがあ
るが、これはインピーダンスがいったん粗くチューニングされた後に微細にチュ
ーニングされる（すなわち、微細にまたは高精度で、調整される）ことを意味す
るものと理解される。微細チューニングは、この方法におけるはっきりした一連
のステップが関わることも、単に正規のプロセスにおける１つの付加ステップに
過ぎないこともある。本発明の一般的な形態によると、ここで開示される方法は
、半導体集積デバイスが製造された後、前記第１回目の加熱パルスの印加の前に
イオン打ち込みステップを必要としない。
できるが、この表現（チューニングされるまたはチューニング）は半導体集積デ
バイスのインピーダンスを、増加であれ減少であれ、変更、調整、変化させるこ
とができるということを意味するものと理解される。さらに、チューニングの他
に、本発明はまた半導体集積デバイスの微細チューニングを必要とすることがあ
るが、これはインピーダンスがいったん粗くチューニングされた後に微細にチュ
ーニングされる（すなわち、微細にまたは高精度で、調整される）ことを意味す
るものと理解される。微細チューニングは、この方法におけるはっきりした一連
のステップが関わることも、単に正規のプロセスにおける１つの付加ステップに
過ぎないこともある。本発明の一般的な形態によると、ここで開示される方法は
、半導体集積デバイスが製造された後、前記第１回目の加熱パルスの印加の前に
イオン打ち込みステップを必要としない。
【００２４】
本発明のある実施の形態によると、半導体集積デバイスのチューニングは反復
的に、すなわち、反復技法または方法を用いて、遂行される。ここで、反復的に
または反復技法という表現は、継起する一連の操作が順次望ましい結果により近
くなる結果を生むようなプロセス、活動または手順を意味するものと理解される
。したがって、本発明の個々の実施の形態の目的は反復技法によって遂行され、
集束される加熱源からの引き続くパルス（すなわち、１つ以上のパルス）の印加
によって半導体集積デバイスの与えられた部分に必要なまたは望まれるドーパン
トプロファイルにますます近くなるドーパントプロファイルが順次得られる。例
えば、第１回目のレーザ印加で必要なインピーダンス変化の８０％が生じ、第２
回目のレーザ印加で必要なインピーダンス変化の９１％が生じ、第３回目のレー
ザ印加で必要なインピーダンス変化の９８％が生じ、第４回目のレーザ印加で必
要なインピーダンス変化の１００％が生じることもある。しかし、必要なまたは
所望のインピーダンス変化を達成するためにもっと多い回数のまたは少ない回数
のレーザ印加が必要とされるのは言うまでもなく、また、必要なインピーダンス
変化が１回か２回という少ない回数のレーザ印加で達成されることがあるという
ことも理解されるであろう。
的に、すなわち、反復技法または方法を用いて、遂行される。ここで、反復的に
または反復技法という表現は、継起する一連の操作が順次望ましい結果により近
くなる結果を生むようなプロセス、活動または手順を意味するものと理解される
。したがって、本発明の個々の実施の形態の目的は反復技法によって遂行され、
集束される加熱源からの引き続くパルス（すなわち、１つ以上のパルス）の印加
によって半導体集積デバイスの与えられた部分に必要なまたは望まれるドーパン
トプロファイルにますます近くなるドーパントプロファイルが順次得られる。例
えば、第１回目のレーザ印加で必要なインピーダンス変化の８０％が生じ、第２
回目のレーザ印加で必要なインピーダンス変化の９１％が生じ、第３回目のレー
ザ印加で必要なインピーダンス変化の９８％が生じ、第４回目のレーザ印加で必
要なインピーダンス変化の１００％が生じることもある。しかし、必要なまたは
所望のインピーダンス変化を達成するためにもっと多い回数のまたは少ない回数
のレーザ印加が必要とされるのは言うまでもなく、また、必要なインピーダンス
変化が１回か２回という少ない回数のレーザ印加で達成されることがあるという
ことも理解されるであろう。
【００２５】
本発明の一般的な実施の形態によると、半導体集積デバイスはいくつかのコン
ポーネントを含む。この中にはドーパント、例えばｎ型またはｐ型ドーパント、
がドープされたエリアが含まれる。デバイスのいろいろなエリアのドーパント濃
度は、その用途および応用によって異なり、例えば、与えられたドーパント濃度
のエリアがあり、それに隣接してもっと高いまたはもっと低いドーパント濃度の
エリアがある。したがって、ある実施の形態によると、あるドーパント濃度の第
１のエリアと、それに隣接する（相対的に）低いドーパント濃度の第２のエリア
がある。理解されるように、第１および第２のエリアのドーパント濃度の差は、
各エリアの物理的および電気的な性質が異なるために十分なものであり、例えば
、一方は電流を導くのに他方は導電性がない、或いは電流を導く相対的な能力に
差がある。したがって、本発明は、半導体集積デバイスの隣接するエリアの相対
的導電能力を前記エリアの相対的ドーパント濃度を変えることによって変化させ
る方法に向けられている。
ポーネントを含む。この中にはドーパント、例えばｎ型またはｐ型ドーパント、
がドープされたエリアが含まれる。デバイスのいろいろなエリアのドーパント濃
度は、その用途および応用によって異なり、例えば、与えられたドーパント濃度
のエリアがあり、それに隣接してもっと高いまたはもっと低いドーパント濃度の
エリアがある。したがって、ある実施の形態によると、あるドーパント濃度の第
１のエリアと、それに隣接する（相対的に）低いドーパント濃度の第２のエリア
がある。理解されるように、第１および第２のエリアのドーパント濃度の差は、
各エリアの物理的および電気的な性質が異なるために十分なものであり、例えば
、一方は電流を導くのに他方は導電性がない、或いは電流を導く相対的な能力に
差がある。したがって、本発明は、半導体集積デバイスの隣接するエリアの相対
的導電能力を前記エリアの相対的ドーパント濃度を変えることによって変化させ
る方法に向けられている。
【００２６】
本発明のある特定の実施の形態によると、第１のドープされたエリアともっと
低いドーパント濃度を有する第２のドープされたエリアの間の相対的ドーパント
濃度を変化させるために次のような反復的ステップが実行される。すなわち、集
束される加熱源が選択されたエリアを標的にして向けられ、この選択されたエリ
アは第１のドープされたエリアの一部分、および第２のドープされたエリアの一
部分、または全部を含む、すなわち、選択されたエリアは第１および第２のドー
プされたエリアの間の境界にまたがっている。理解されるように、この選択され
たエリアは一般に丸く、第１および第２のドープされたエリアの間の境界に一様
にまたがることも、そうでないこともある。選択されたエリアが標的に定められ
ると、この選択されたエリアに集束される加熱源から第１回目の（加熱）パルス
が印加され、この加熱パルスによって選択されたエリアが溶融する。理解される
であろうが、第１のドープされたエリアの部分および第２のドープされたエリア
の部分で選択されたエリアの外側にある部分も加熱パルスの印加によって溶融す
ることがある。
低いドーパント濃度を有する第２のドープされたエリアの間の相対的ドーパント
濃度を変化させるために次のような反復的ステップが実行される。すなわち、集
束される加熱源が選択されたエリアを標的にして向けられ、この選択されたエリ
アは第１のドープされたエリアの一部分、および第２のドープされたエリアの一
部分、または全部を含む、すなわち、選択されたエリアは第１および第２のドー
プされたエリアの間の境界にまたがっている。理解されるように、この選択され
たエリアは一般に丸く、第１および第２のドープされたエリアの間の境界に一様
にまたがることも、そうでないこともある。選択されたエリアが標的に定められ
ると、この選択されたエリアに集束される加熱源から第１回目の（加熱）パルス
が印加され、この加熱パルスによって選択されたエリアが溶融する。理解される
であろうが、第１のドープされたエリアの部分および第２のドープされたエリア
の部分で選択されたエリアの外側にある部分も加熱パルスの印加によって溶融す
ることがある。
【００２７】
第１回目の加熱パルスが印加されると、選択されたエリアが溶融される、すな
わち、固体状態から液体状態に変えられる。選択されたエリアが溶融している時
間は非常に短くても良い、すなわち、１０フェムト秒〜１０マイクロ秒というオ
ーダーの時間であってもよい。しかし、選択されたエリアが溶融しているこの非
常に短い時間は、第１のエリアからもっと低いドーパント濃度の第２のエリアに
ドーパントが拡散（すなわち、移動）するのを許すのに十分である。高いドーパ
ント濃度のエリアから低いドーパント濃度のエリアへのドーパントの拡散は周知
の原理に従って起こる。したがって、（制御された）拡散は非常に速やかに起こ
り、選択されたエリアが溶融している短い時間の間にも、低いドーパント濃度の
エリアのドーパント濃度に認められるほどの変化を生じるのに十分なドーパント
が拡散する。
わち、固体状態から液体状態に変えられる。選択されたエリアが溶融している時
間は非常に短くても良い、すなわち、１０フェムト秒〜１０マイクロ秒というオ
ーダーの時間であってもよい。しかし、選択されたエリアが溶融しているこの非
常に短い時間は、第１のエリアからもっと低いドーパント濃度の第２のエリアに
ドーパントが拡散（すなわち、移動）するのを許すのに十分である。高いドーパ
ント濃度のエリアから低いドーパント濃度のエリアへのドーパントの拡散は周知
の原理に従って起こる。したがって、（制御された）拡散は非常に速やかに起こ
り、選択されたエリアが溶融している短い時間の間にも、低いドーパント濃度の
エリアのドーパント濃度に認められるほどの変化を生じるのに十分なドーパント
が拡散する。
【００２８】
上述のように、溶融したエリアが液体にとどまるのはほんの短い時間、すなわ
ち、実質的に加熱パルスが印加されている時間と同じ長さの時間である。したが
って、溶融した選択されたエリアが固化したときには、選択されたエリアのドー
パントプロファイルは変化しており、第１のエリアのドーパント濃度ともっと低
いドーパント濃度の第２のエリアのドーパント濃度の中間の濃度になっているで
あろう。
ち、実質的に加熱パルスが印加されている時間と同じ長さの時間である。したが
って、溶融した選択されたエリアが固化したときには、選択されたエリアのドー
パントプロファイルは変化しており、第１のエリアのドーパント濃度ともっと低
いドーパント濃度の第２のエリアのドーパント濃度の中間の濃度になっているで
あろう。
【００２９】
前述のステップが遂行されると、反復的なプロセスのその後のステップを行う
ことができる。例えば、次のステップは、第１回目の加熱パルスの印加の結果達
成された半導体集積デバイスの新しいインピーダンスの決定、すなわち、テスト
を含むものになる。このテストは公知のまたは所望のどんな方法に従って行って
もよく、その結果は必要なまたは所望の最終結果と比較される。
ことができる。例えば、次のステップは、第１回目の加熱パルスの印加の結果達
成された半導体集積デバイスの新しいインピーダンスの決定、すなわち、テスト
を含むものになる。このテストは公知のまたは所望のどんな方法に従って行って
もよく、その結果は必要なまたは所望の最終結果と比較される。
【００３０】
以前の反復的ステップの結果として到達した半導体集積デバイスのインピーダ
ンス値により、また必要なまたは所望の最終インピーダンスにより、この方法の
次の反復的ステップを行うことが必要になる。例えば、インピーダンスが十分に
減少していない場合、インピーダンスをさらに減少させるために、集束される加
熱源が選択されたエリアにさらに印加される。すなわち、次の（すなわち、第２
回目の）集束される加熱源の印加によって、半導体集積デバイスの選択されたエ
リア（の全部、または一部）がさらに溶融され、上述のように、第１のエリアか
らもっと低いドーパント濃度の第２のエリアへのドーパントのさらなる拡散を生
じる。
ンス値により、また必要なまたは所望の最終インピーダンスにより、この方法の
次の反復的ステップを行うことが必要になる。例えば、インピーダンスが十分に
減少していない場合、インピーダンスをさらに減少させるために、集束される加
熱源が選択されたエリアにさらに印加される。すなわち、次の（すなわち、第２
回目の）集束される加熱源の印加によって、半導体集積デバイスの選択されたエ
リア（の全部、または一部）がさらに溶融され、上述のように、第１のエリアか
らもっと低いドーパント濃度の第２のエリアへのドーパントのさらなる拡散を生
じる。
【００３１】
溶融されたエリアがもう一度固化すると、反復的プロセスの次のステップは、
得られたインピーダンスの再テスト、およびこの得られたインピーダンスと必要
な所望の結果との比較である。得られたインピーダンスがまだ必要なまたは所望
の値になっていない場合、上で述べたと同様なプロセスで次の反復ステップが実
行される。
得られたインピーダンスの再テスト、およびこの得られたインピーダンスと必要
な所望の結果との比較である。得られたインピーダンスがまだ必要なまたは所望
の値になっていない場合、上で述べたと同様なプロセスで次の反復ステップが実
行される。
【００３２】
理解されるように、本発明のある実施の形態によると、反復的プロセスは、そ
の最も一般的な形では、半導体集積デバイスの２つ（以上）の隣接し当接するエ
リアの相対的ドーパント濃度に変化を生じさせる加熱パルスの印加、前記加熱パ
ルスの印加で得られるインピーダンスのテスト、そして、もし必要または望むな
ら、このステップ１および２の繰り返しを含む。さらに理解されるように、加熱
パルスの印加の後で到達したインピーダンスの決定の後に、それ以後の単数また
は複数の加熱パルスの特性の一部または全部を変更すなわち調整することができ
る。変更できる加熱パルスの特性はいろいろであり、次の加熱パルスの印加でイ
ンピーダンスの変化をさらにどれほど達成する必要があるかによる。したがって
、例えば、１回の加熱パルスの印加後にインピーダンスが必要な結果の相当大き
なパーセンテージに達したと判定された場合、次の集束される加熱パルスの特性
を変えて、一例として、集束される加熱パルスの出力を減らすこともできる。さ
らに別の例として、加熱パルスの印加の長さを減らすこともできるし、加熱パル
スのビームの直径を小さくすることもできるが、全てインピーダンスを必要とさ
れている結果に近づくように行われる。さらに、加熱源を印加する場所をずらす
（すなわち、別の選択されたエリアを用いる）こともできるし、さらに、加熱源
を印加する角度を変える、すなわち、角度９０°の印加から変えることもできる
。さらに、異なる加熱源を用いることもできる。変更された加熱パルスの印加後
、半導体集積デバイスをさらにテストして、例えば、必要なまたは所望のインピ
ーダンス変化の実質的に全部が達成されたと判断された場合、加熱パルスの特性
をさらに変更することができる、すなわち、加熱パルスの出力を再びさらに減少
させる、加熱パルスの印加の時間もさらに減らす、など。しかし、以後の加熱パ
ルスの特性をその後の印加について増加させることもできる、すなわち、加熱パ
ルスの出力の一部または全部、印加の長さ、スポット直径等を増加させることも
できる。言い換えると、印加される加熱パルスは、すべてが同一でなくても良い
が、インピーダンスが反復的に所望の最終値に近づけられるにつれて、集束され
る加熱源の特性は減少、または、低下するということが予見される。
の最も一般的な形では、半導体集積デバイスの２つ（以上）の隣接し当接するエ
リアの相対的ドーパント濃度に変化を生じさせる加熱パルスの印加、前記加熱パ
ルスの印加で得られるインピーダンスのテスト、そして、もし必要または望むな
ら、このステップ１および２の繰り返しを含む。さらに理解されるように、加熱
パルスの印加の後で到達したインピーダンスの決定の後に、それ以後の単数また
は複数の加熱パルスの特性の一部または全部を変更すなわち調整することができ
る。変更できる加熱パルスの特性はいろいろであり、次の加熱パルスの印加でイ
ンピーダンスの変化をさらにどれほど達成する必要があるかによる。したがって
、例えば、１回の加熱パルスの印加後にインピーダンスが必要な結果の相当大き
なパーセンテージに達したと判定された場合、次の集束される加熱パルスの特性
を変えて、一例として、集束される加熱パルスの出力を減らすこともできる。さ
らに別の例として、加熱パルスの印加の長さを減らすこともできるし、加熱パル
スのビームの直径を小さくすることもできるが、全てインピーダンスを必要とさ
れている結果に近づくように行われる。さらに、加熱源を印加する場所をずらす
（すなわち、別の選択されたエリアを用いる）こともできるし、さらに、加熱源
を印加する角度を変える、すなわち、角度９０°の印加から変えることもできる
。さらに、異なる加熱源を用いることもできる。変更された加熱パルスの印加後
、半導体集積デバイスをさらにテストして、例えば、必要なまたは所望のインピ
ーダンス変化の実質的に全部が達成されたと判断された場合、加熱パルスの特性
をさらに変更することができる、すなわち、加熱パルスの出力を再びさらに減少
させる、加熱パルスの印加の時間もさらに減らす、など。しかし、以後の加熱パ
ルスの特性をその後の印加について増加させることもできる、すなわち、加熱パ
ルスの出力の一部または全部、印加の長さ、スポット直径等を増加させることも
できる。言い換えると、印加される加熱パルスは、すべてが同一でなくても良い
が、インピーダンスが反復的に所望の最終値に近づけられるにつれて、集束され
る加熱源の特性は減少、または、低下するということが予見される。
【００３３】
本発明のある実施の形態によると、例えば、２つの高ドーパント濃度のエリア
が低いドーパント濃度のエリアによって分離されて成る形態および配置の半導体
集積デバイスが提供される。したがって、低いドーパント濃度のエリアが高いド
ーパント濃度の２つのエリアの間で絶縁体として働く。この形態では、低いドー
パント濃度のエリアのドーパント濃度は十分に低く、そこを何も電流が流れない
か、または極めて少量の電流しか流れないようなものである。或いは、２つの高
ドーパント濃度のエリアが低ドーパント濃度のエリアによって隔てられ、この低
ドーパント濃度のエリアがある程度の（すなわち、最小の）電流がそこを流れる
ことを可能にしていてもよい。２つの高ドーパント濃度のエリアの間に配置され
た低ドーパント濃度のエリアである程度の電流が流れるためには、この三つのエ
リアのドーパントのタイプが同一であることが、すなわち、すべてｎ型、または
、すべてｐ型であることが必要なのは言うまでもない。この実施例によると、本
発明の方法を用いてそのドーパント濃度を変更することができ、したがって、半
導体集積デバイスの何らかの部分に予め存在するインピーダンスを増加または減
少させることができる。したがって、本発明のある実施の形態によると、本発明
の方法を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを変更して、（何も電流が
流れないのではなく）ある程度の電流が流れることができるようにすることがで
きる。また、この実施の形態の方法は、もっと少しの電流しか流れ屡ことができ
ないようにインピーダンスを変更することを可能にする。さらに、この方法は、
何も（または、ほとんど何も）電流が（すなわち、何もそれ以上の電流が）流れ
ることができないように、インピーダンスを変更することを可能にする。
が低いドーパント濃度のエリアによって分離されて成る形態および配置の半導体
集積デバイスが提供される。したがって、低いドーパント濃度のエリアが高いド
ーパント濃度の２つのエリアの間で絶縁体として働く。この形態では、低いドー
パント濃度のエリアのドーパント濃度は十分に低く、そこを何も電流が流れない
か、または極めて少量の電流しか流れないようなものである。或いは、２つの高
ドーパント濃度のエリアが低ドーパント濃度のエリアによって隔てられ、この低
ドーパント濃度のエリアがある程度の（すなわち、最小の）電流がそこを流れる
ことを可能にしていてもよい。２つの高ドーパント濃度のエリアの間に配置され
た低ドーパント濃度のエリアである程度の電流が流れるためには、この三つのエ
リアのドーパントのタイプが同一であることが、すなわち、すべてｎ型、または
、すべてｐ型であることが必要なのは言うまでもない。この実施例によると、本
発明の方法を用いてそのドーパント濃度を変更することができ、したがって、半
導体集積デバイスの何らかの部分に予め存在するインピーダンスを増加または減
少させることができる。したがって、本発明のある実施の形態によると、本発明
の方法を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを変更して、（何も電流が
流れないのではなく）ある程度の電流が流れることができるようにすることがで
きる。また、この実施の形態の方法は、もっと少しの電流しか流れ屡ことができ
ないようにインピーダンスを変更することを可能にする。さらに、この方法は、
何も（または、ほとんど何も）電流が（すなわち、何もそれ以上の電流が）流れ
ることができないように、インピーダンスを変更することを可能にする。
【００３４】
弱く（すなわち、低濃度に）ドープされた領域で用いられるドーパント（単数
または複数）のタイプは、強く（すなわち、高濃度に）ドープされた領域で用い
られるドーパントのタイプと同じでなくてもよい。例えば、強くドープされた領
域がｐ型ドーパントを用いている場合、弱くドープされた領域はｐ型またはｎ型
のいずれであってもよく、逆も真である。弱くドープされた領域と強くドープさ
れた領域が各々同じタイプのドーパントでドープされている場合、非常に低いド
ーパント濃度で、弱くドープされた領域はある程度の（すなわち、最小の）量の
電流を流すことができることは言うまでもない。しかし、半導体集積デバイスは
また、あるタイプのドーパント（すなわち、ｎ型ドーパント）でドープされた強
くドープされた領域を含み、弱くドープされた領域は異なるタイプのドーパント
（すなわち、ｐ型ドーパント）でドープされることがあるということは言うまで
もない。この実施の形態によると、高いドーパント濃度のエリア（単数または複
数）から低いドーパント濃度のエリアへ拡散するドーパントの量が十分に多く、
弱くドープされたエリアにおける異なるタイプのドーパントの存在に対抗して、
弱くドープされたエリアを通って電流が流れるようにすることができる。高およ
び低濃度のエリアにおけるドーパントの濃度レベルは相当にばらつきがある。例
えば、ドーパント濃度は、１ｃｍ3あたり１０12から１０20個原子まで変動する
。弱くドープされたエリアのドーパント濃度の範囲は、例えば、１ｃｍ3あたり
１０12から１０16個原子までの間であり、高ドーパント濃度のエリアのドーパン
ト濃度は、例えば、１ｃｍ3あたり１０16から１０20個原子までの間である。弱
くドープされた領域と強くドープされた領域という用語は、第２のドープされた
領域よりもドーパント濃度がほんの少し高い第１のドープされた領域を排除する
ことを意図していないことは理解されるであろう。本発明にしたがって用いられ
るドーパントは、ホウ素（boron）、リン（phosphorus）、アルミニウム（alumi
nium）、アンチモン（antimony）、砒素（arsenic）、ガリウム（gallium）、イ
ンジウム（indium）、リチウム（lithium）、タリウム（thallium）およびビス
マス（bismuth）を備えるグループから選択される。ドーパントは、シリコン（s
ilicon）、ガリウム砒素（gallium arsenide）、シリコン−ゲルマニウム（sili
con-germanium）、周期律表のIII−Ｖ族およびII−VI族から選ばれた化合物、並
びに、IV−IV族合金を有する化合物を備えるグループから選択される材料から成
る基質にドープされる。
または複数）のタイプは、強く（すなわち、高濃度に）ドープされた領域で用い
られるドーパントのタイプと同じでなくてもよい。例えば、強くドープされた領
域がｐ型ドーパントを用いている場合、弱くドープされた領域はｐ型またはｎ型
のいずれであってもよく、逆も真である。弱くドープされた領域と強くドープさ
れた領域が各々同じタイプのドーパントでドープされている場合、非常に低いド
ーパント濃度で、弱くドープされた領域はある程度の（すなわち、最小の）量の
電流を流すことができることは言うまでもない。しかし、半導体集積デバイスは
また、あるタイプのドーパント（すなわち、ｎ型ドーパント）でドープされた強
くドープされた領域を含み、弱くドープされた領域は異なるタイプのドーパント
（すなわち、ｐ型ドーパント）でドープされることがあるということは言うまで
もない。この実施の形態によると、高いドーパント濃度のエリア（単数または複
数）から低いドーパント濃度のエリアへ拡散するドーパントの量が十分に多く、
弱くドープされたエリアにおける異なるタイプのドーパントの存在に対抗して、
弱くドープされたエリアを通って電流が流れるようにすることができる。高およ
び低濃度のエリアにおけるドーパントの濃度レベルは相当にばらつきがある。例
えば、ドーパント濃度は、１ｃｍ3あたり１０12から１０20個原子まで変動する
。弱くドープされたエリアのドーパント濃度の範囲は、例えば、１ｃｍ3あたり
１０12から１０16個原子までの間であり、高ドーパント濃度のエリアのドーパン
ト濃度は、例えば、１ｃｍ3あたり１０16から１０20個原子までの間である。弱
くドープされた領域と強くドープされた領域という用語は、第２のドープされた
領域よりもドーパント濃度がほんの少し高い第１のドープされた領域を排除する
ことを意図していないことは理解されるであろう。本発明にしたがって用いられ
るドーパントは、ホウ素（boron）、リン（phosphorus）、アルミニウム（alumi
nium）、アンチモン（antimony）、砒素（arsenic）、ガリウム（gallium）、イ
ンジウム（indium）、リチウム（lithium）、タリウム（thallium）およびビス
マス（bismuth）を備えるグループから選択される。ドーパントは、シリコン（s
ilicon）、ガリウム砒素（gallium arsenide）、シリコン−ゲルマニウム（sili
con-germanium）、周期律表のIII−Ｖ族およびII−VI族から選ばれた化合物、並
びに、IV−IV族合金を有する化合物を備えるグループから選択される材料から成
る基質にドープされる。
【００３５】
本発明にしたがって用いられる集束される加熱源は、レーザおよび電子ビーム
を備えるグループから選択される。さらに、前記集束される加熱源の加熱パルス
のエネルギーは十分低く、半導体集積デバイスの損傷を回避することができる。
を備えるグループから選択される。さらに、前記集束される加熱源の加熱パルス
のエネルギーは十分低く、半導体集積デバイスの損傷を回避することができる。
【００３６】
本発明の他の実施の形態によると、半導体集積デバイスのインピーダンスを、
第１のドーパント濃度を有する第１の領域から前記第１の領域よりも低いドーパ
ント濃度を有する直接隣接する第２の領域へのドーパントの制御された拡散によ
って反復的、選択的かつ正確にチューニングする方法であって、 前記第１の領域および前記第２の領域の各々の一部分にまたがる選択されたエ
リアへ集束される加熱源を導くステップと、 前記集束される加熱源からの加熱パルスをそれに印加し、前記加熱パルスが前
記選択されたエリアを溶融して前記第１の領域から前記第２の領域へのドーパン
トの制御された拡散を可能にするステップと、 前記溶融した選択されたエリアを固化させて、前記固化した選択されたエリア
が今度は前記第１の領域および前記第２の領域のドーパント濃度の中間にあるド
ーパント濃度を有する第３の領域になるステップと、 前記半導体デバイスのインピーダンスを測定して、前記インピーダンスが必要
とされるものより高いか低いかを判定するステップとを備え、 前記インピーダンスが必要とされるものよりも高い場合は、 −前記集束される加熱源を前記第３の領域に隣接する第１の領域の一部分に
導き、それに加熱パルスを印加し、前記加熱パルスが前記第１の領域の前記部分
を溶融し、さらに、前記隣接する第３の領域を溶融して、前記第１の領域の前記
溶融した部分から前記溶融した第３の領域への追加ドーパントの制御された拡散
を可能にするステップと、 −前記溶融したエリアを固化させるステップと、 −前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ス
テップを繰り返すステップとを備え、 前記インピーダンスが必要とされるものより低い場合は、 −前記集束される加熱源を前記第３の領域に隣接する第２の領域の一部分に
導き、それに加熱パルスを印加し、前記加熱パルスが前記第２の領域の前記部分
を溶融し、さらに前記隣接する第３の領域を溶融して、前記第３の領域から前記
第２の領域の前記溶融した部分へのドーパントの制御された拡散を可能にするス
テップと、 −前記溶融したエリアを固化させるステップと、 −前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ス
テップを繰り返すステップとを備える方法が提供される。
第１のドーパント濃度を有する第１の領域から前記第１の領域よりも低いドーパ
ント濃度を有する直接隣接する第２の領域へのドーパントの制御された拡散によ
って反復的、選択的かつ正確にチューニングする方法であって、 前記第１の領域および前記第２の領域の各々の一部分にまたがる選択されたエ
リアへ集束される加熱源を導くステップと、 前記集束される加熱源からの加熱パルスをそれに印加し、前記加熱パルスが前
記選択されたエリアを溶融して前記第１の領域から前記第２の領域へのドーパン
トの制御された拡散を可能にするステップと、 前記溶融した選択されたエリアを固化させて、前記固化した選択されたエリア
が今度は前記第１の領域および前記第２の領域のドーパント濃度の中間にあるド
ーパント濃度を有する第３の領域になるステップと、 前記半導体デバイスのインピーダンスを測定して、前記インピーダンスが必要
とされるものより高いか低いかを判定するステップとを備え、 前記インピーダンスが必要とされるものよりも高い場合は、 −前記集束される加熱源を前記第３の領域に隣接する第１の領域の一部分に
導き、それに加熱パルスを印加し、前記加熱パルスが前記第１の領域の前記部分
を溶融し、さらに、前記隣接する第３の領域を溶融して、前記第１の領域の前記
溶融した部分から前記溶融した第３の領域への追加ドーパントの制御された拡散
を可能にするステップと、 −前記溶融したエリアを固化させるステップと、 −前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ス
テップを繰り返すステップとを備え、 前記インピーダンスが必要とされるものより低い場合は、 −前記集束される加熱源を前記第３の領域に隣接する第２の領域の一部分に
導き、それに加熱パルスを印加し、前記加熱パルスが前記第２の領域の前記部分
を溶融し、さらに前記隣接する第３の領域を溶融して、前記第３の領域から前記
第２の領域の前記溶融した部分へのドーパントの制御された拡散を可能にするス
テップと、 −前記溶融したエリアを固化させるステップと、 −前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ス
テップを繰り返すステップとを備える方法が提供される。
【００３７】
本発明の他の実施の形態によると半導体集積デバイスのインピーダンスを選択
的に上向きまたは下向きにチューニングする方法が提供される。例えば、第１お
よび第２のドープされた領域が第３のドープされた領域によって隔てられて成る
半導体集積デバイスにおいて、第３の領域は第１或いは第２のドープされた領域
よりも低いドーパント濃度を有し、上述のような反復的ステップによって前記第
３のドープされた領域のドーパント濃度に変化を引き起こすことができる。しか
し、この第３のドープされた領域のドーパント濃度が必要とされていた値でない
と決定された（すなわち、測定された）場合、すなわち、今度は高すぎる、１つ
以上の多すぎる反復ステップが用いられたと決定された場合、これらの領域にわ
たるドーパントプロファイルは使用できない可能性がある。通常、前記第３の領
域へのドーパントの多すぎる拡散は問題があるが、しかし、本発明のこの他の実
施の形態によると、前記第３のドープされた領域のドーパント濃度を選択的に変
更すなわち下げることができる。これは、集束される加熱源を第３のドープされ
た領域とそれに隣接するもっと低いドーパント濃度を有する領域の全部または一
部にまたがる選択されたエリアに向け、加熱パルスをそれに印加することによっ
て遂行される。したがって、加熱パルスは、第３のドープされた領域とそれに隣
接するもっと低いドーパント濃度を有する領域の全部または一部を溶融させる。
したがって、この溶融は、前記第３の領域から前記もっと低いドーパント濃度を
有する領域へのドーパントの拡散を引き起こす。ドーパントの拡散は、したがっ
て、前記第３の領域のドーパント濃度を下げるのに十分であり、それによって第
１、第２、および第３の領域にわたって必要なドーパントプロファイルが達成さ
れる。この追加の反復ステップは、第３の領域で適切なドーパント濃度を達成す
るために何回でも行うことができる。理解されるように、この新たな実施の形態
はしたがって、誤りを修正または矯正することを可能にすることによって、半導
体集積デバイスのドーパント濃度の変更においてより大きな柔軟性を可能にする
ものである。
的に上向きまたは下向きにチューニングする方法が提供される。例えば、第１お
よび第２のドープされた領域が第３のドープされた領域によって隔てられて成る
半導体集積デバイスにおいて、第３の領域は第１或いは第２のドープされた領域
よりも低いドーパント濃度を有し、上述のような反復的ステップによって前記第
３のドープされた領域のドーパント濃度に変化を引き起こすことができる。しか
し、この第３のドープされた領域のドーパント濃度が必要とされていた値でない
と決定された（すなわち、測定された）場合、すなわち、今度は高すぎる、１つ
以上の多すぎる反復ステップが用いられたと決定された場合、これらの領域にわ
たるドーパントプロファイルは使用できない可能性がある。通常、前記第３の領
域へのドーパントの多すぎる拡散は問題があるが、しかし、本発明のこの他の実
施の形態によると、前記第３のドープされた領域のドーパント濃度を選択的に変
更すなわち下げることができる。これは、集束される加熱源を第３のドープされ
た領域とそれに隣接するもっと低いドーパント濃度を有する領域の全部または一
部にまたがる選択されたエリアに向け、加熱パルスをそれに印加することによっ
て遂行される。したがって、加熱パルスは、第３のドープされた領域とそれに隣
接するもっと低いドーパント濃度を有する領域の全部または一部を溶融させる。
したがって、この溶融は、前記第３の領域から前記もっと低いドーパント濃度を
有する領域へのドーパントの拡散を引き起こす。ドーパントの拡散は、したがっ
て、前記第３の領域のドーパント濃度を下げるのに十分であり、それによって第
１、第２、および第３の領域にわたって必要なドーパントプロファイルが達成さ
れる。この追加の反復ステップは、第３の領域で適切なドーパント濃度を達成す
るために何回でも行うことができる。理解されるように、この新たな実施の形態
はしたがって、誤りを修正または矯正することを可能にすることによって、半導
体集積デバイスのドーパント濃度の変更においてより大きな柔軟性を可能にする
ものである。
【００３８】
本発明のさらに他の実施の形態によると、制御された選択的な反復的チューニ
ングに適したチューニング可能な半導体集積デバイスであって、 第１のドープされた領域と、 第２のドープされた領域と、 前記第１または第２のドープされた領域のいずれのドーパント濃度よりも小さ
いドーパント濃度を有し、前記第３の領域が前記第１のドープされた領域および
前記第２のドープされた領域の各々に隣接するように構成および配置された第３
の領域と、 前記第１のドープされた領域および前記第２のドープされた領域の各々の少な
くとも１つが前記第３の領域に突出して配置された突起とを備える半導体集積デ
バイスが提供される。
ングに適したチューニング可能な半導体集積デバイスであって、 第１のドープされた領域と、 第２のドープされた領域と、 前記第１または第２のドープされた領域のいずれのドーパント濃度よりも小さ
いドーパント濃度を有し、前記第３の領域が前記第１のドープされた領域および
前記第２のドープされた領域の各々に隣接するように構成および配置された第３
の領域と、 前記第１のドープされた領域および前記第２のドープされた領域の各々の少な
くとも１つが前記第３の領域に突出して配置された突起とを備える半導体集積デ
バイスが提供される。
【００３９】
本発明のさらに他の実施の形態によると、制御された選択的な反復的チューニ
ングに適したチューニング可能な半導体集積デバイスであって、 第１および第２の主チューニングアームであって、該第１および第２の主チュ
ーニングアームのいずれのドーパント濃度よりも低いドーパント濃度の領域によ
って離隔されている前記第１および第２の主チューニングアームと、 第３および第４の二次チューニングアームであって、該第３および第４の二次
チューニングアームのいずれのドーパント濃度よりも低いドーパント濃度の領域
によって離隔されている前記第３および第４の二次チューニングアームとを備え
、 前記第３の二次チューニングアームは前記第１の主チューニングアームに結合
するように構成および配置され、前記第４の二次チューニングアームは前記第２
の主チューニングアームに結合するように構成および配置されている半導体集積
デバイスが提供される。
ングに適したチューニング可能な半導体集積デバイスであって、 第１および第２の主チューニングアームであって、該第１および第２の主チュ
ーニングアームのいずれのドーパント濃度よりも低いドーパント濃度の領域によ
って離隔されている前記第１および第２の主チューニングアームと、 第３および第４の二次チューニングアームであって、該第３および第４の二次
チューニングアームのいずれのドーパント濃度よりも低いドーパント濃度の領域
によって離隔されている前記第３および第４の二次チューニングアームとを備え
、 前記第３の二次チューニングアームは前記第１の主チューニングアームに結合
するように構成および配置され、前記第４の二次チューニングアームは前記第２
の主チューニングアームに結合するように構成および配置されている半導体集積
デバイスが提供される。
【００４０】
以下の発明は、図面を参照した以下の詳細な記載からより理解されるであろう
。
。
【００４１】
図１は、本発明の一実施例に係る方法のあるステップを示すチューニング可能
な半導体集積デバイスの断面図である。チューニング可能な半導体集積デバイス
１はいろいろな層を含み、例えば基板２を含む。この基板２は、シリコン、ゲル
マニウム、ガリウム砒素、シリコン−ゲルメニウム、または、周期律表のIII−
Ｖ族やII−VI族からの元素、或いは、IV−IV族合金を含む化合物を備えるグルー
プから選択された他の適当な半導体などの半導体物質を含む。チューニング可能
な半導体集積デバイスは、図１で強くドープされた領域３および４として示され
る２つ以上の強くドープされた領域を含む。理解されるように、強くドープされ
た領域３および４は、十分な濃度のｎ型またはｐ型のドーパントのどちらかで強
くドープされ、必要なまたは所望のプロファイルで、前記強くドープされた領域
３および４が導電性をもつようになっている。例えば、ドーパントはリンであっ
て、濃度は１ｃｍ3あたり１０16から１０20個原子の間のオーダーである。この
強くドープされた領域の厚さは、例えば０．２５マイクロメーターであるが、与
えられた製造プロセスの条件によってそれより大きいことも小さいこともある。
さらに、強くドープされた領域の構成と配置も与えられた製造プロセスの条件に
よる。
な半導体集積デバイスの断面図である。チューニング可能な半導体集積デバイス
１はいろいろな層を含み、例えば基板２を含む。この基板２は、シリコン、ゲル
マニウム、ガリウム砒素、シリコン−ゲルメニウム、または、周期律表のIII−
Ｖ族やII−VI族からの元素、或いは、IV−IV族合金を含む化合物を備えるグルー
プから選択された他の適当な半導体などの半導体物質を含む。チューニング可能
な半導体集積デバイスは、図１で強くドープされた領域３および４として示され
る２つ以上の強くドープされた領域を含む。理解されるように、強くドープされ
た領域３および４は、十分な濃度のｎ型またはｐ型のドーパントのどちらかで強
くドープされ、必要なまたは所望のプロファイルで、前記強くドープされた領域
３および４が導電性をもつようになっている。例えば、ドーパントはリンであっ
て、濃度は１ｃｍ3あたり１０16から１０20個原子の間のオーダーである。この
強くドープされた領域の厚さは、例えば０．２５マイクロメーターであるが、与
えられた製造プロセスの条件によってそれより大きいことも小さいこともある。
さらに、強くドープされた領域の構成と配置も与えられた製造プロセスの条件に
よる。
【００４２】
チューニング可能な半導体集積デバイスは、さらに、強くドープされた領域３
および４の中間に配置された弱くドープされた領域５を含む。弱くドープされた
領域５は、強くドープされた領域３および４と同じドーパントでドープされてい
ても、また、隣接する強くドープされた領域３および４に存在するものと異なる
ドーパントでドープされていることもある。弱くドープされた領域５は、強くド
ープされた領域３および４と隣接し、それに当接するように配置されている。弱
くドープされた領域５におけるドーパントのタイプおよび濃度は、本発明の方法
のステップを適用する前には強くドープされた領域３と４の間で何も電流が流れ
ないようなもの、すなわち、弱くドープされた領域の電気抵抗が十分に高く、（
全部ではないとしても大部分の）電流が強くドープされた領域３と４の間で流れ
るのが妨げられるようなものである。理解されるように、弱くドープされた領域
のドーパントのタイプが強くドープされた領域のドーパントのタイプと異なる場
合、デバイスは極性が反対になった２つのダイオードと同等であり、これは電流
が流れることを許さない。また、領域３および４でも、領域５におけると同様に
同じタイプのドーパントが用いられている場合、弱くドープされた領域５におけ
るドーパントの濃度レベルが、ある程度の電流が強くドープされた領域３と４の
間で流れることができるようなものである、すなわち、弱くドープされた領域５
の電気抵抗がそこを流れる電流をすべてストップするほど高くないということが
ある。この実施の形態によると、この方法のステップを用いて弱くドープされた
領域の抵抗を必要に応じて変更、すなわち、下げたり上げたりすることができる
。図１に示される形では、半導体集積デバイスは、窒化シリコンＳｉ3Ｎ4などの
パッシベーション層（passivation layer）７を含むものとして示されている。
さらに、デバイスはまた、二酸化シリコンＳｉＯ2などの酸化物層８を含むもの
として示されている。
および４の中間に配置された弱くドープされた領域５を含む。弱くドープされた
領域５は、強くドープされた領域３および４と同じドーパントでドープされてい
ても、また、隣接する強くドープされた領域３および４に存在するものと異なる
ドーパントでドープされていることもある。弱くドープされた領域５は、強くド
ープされた領域３および４と隣接し、それに当接するように配置されている。弱
くドープされた領域５におけるドーパントのタイプおよび濃度は、本発明の方法
のステップを適用する前には強くドープされた領域３と４の間で何も電流が流れ
ないようなもの、すなわち、弱くドープされた領域の電気抵抗が十分に高く、（
全部ではないとしても大部分の）電流が強くドープされた領域３と４の間で流れ
るのが妨げられるようなものである。理解されるように、弱くドープされた領域
のドーパントのタイプが強くドープされた領域のドーパントのタイプと異なる場
合、デバイスは極性が反対になった２つのダイオードと同等であり、これは電流
が流れることを許さない。また、領域３および４でも、領域５におけると同様に
同じタイプのドーパントが用いられている場合、弱くドープされた領域５におけ
るドーパントの濃度レベルが、ある程度の電流が強くドープされた領域３と４の
間で流れることができるようなものである、すなわち、弱くドープされた領域５
の電気抵抗がそこを流れる電流をすべてストップするほど高くないということが
ある。この実施の形態によると、この方法のステップを用いて弱くドープされた
領域の抵抗を必要に応じて変更、すなわち、下げたり上げたりすることができる
。図１に示される形では、半導体集積デバイスは、窒化シリコンＳｉ3Ｎ4などの
パッシベーション層（passivation layer）７を含むものとして示されている。
さらに、デバイスはまた、二酸化シリコンＳｉＯ2などの酸化物層８を含むもの
として示されている。
【００４３】
さらに、図１に示されるように、矢印８は半導体デバイス１への集束される加
熱源パルスの印加方向を示す。理解されるであろうが、集束される加熱源は（図
示しない）半導体集積デバイス１の上方に配置され、パルス８をデバイス１に印
加する。理解されるように、パルス８およびデバイス１の寸法は、同じスケール
ではない。
熱源パルスの印加方向を示す。理解されるであろうが、集束される加熱源は（図
示しない）半導体集積デバイス１の上方に配置され、パルス８をデバイス１に印
加する。理解されるように、パルス８およびデバイス１の寸法は、同じスケール
ではない。
【００４４】
図２に示されるように、弱くドープされた領域５は、強くドープされた領域３
と４のほぼ中間に、それらを隔てるように配置されている。弱くドープされた領
域５は、強くドープされた領域３と４を隔てる別の領域（それ自身のドーパント
濃度とその他の特性を有する）であっても、或いは、単に基板２の一部であって
もよい。さらに、弱くドープされた領域５は、強くドープされた領域３と４の境
界エッジ１５と１７がそれぞれ弱くドープされた領域５に直接接触するように構
成および配置される。境界エッジ１５と１７は直線で、すなわち、１つの平面内
に存在するように示されているが、前記境界エッジ１５と１７は曲線、或いは、
傾斜等であってもよいことは言うまでもない。強くドープされた領域３と４の構
成と配置、および、弱くドープされた領域５の構成と配置は、いくつかの異なる
幾何形状を含む。例えば、図２は、強くドープされた領域３と４が各々が尖った
チップの形状を有し、各チップの細い先端１９と２１がそれぞれ他方のチップに
向いている。しかしながら、強くドープされた領域３と４の構成と配置、および
、弱くドープされた領域５の構成と配置は、強くドープされた領域３と４から弱
くドープされた領域５へ移動するドーパントをより良くコントロールできるよう
なものでなければならないので、領域３，４および５のそれぞれの形状は、別に
いくつもの異なる形態があり得る。領域３，４および５のそれぞれの形状は、ま
た、強くドープされた領域３と４の間のインピーダンスの変化をより良く制御で
きるように選ばれる。
と４のほぼ中間に、それらを隔てるように配置されている。弱くドープされた領
域５は、強くドープされた領域３と４を隔てる別の領域（それ自身のドーパント
濃度とその他の特性を有する）であっても、或いは、単に基板２の一部であって
もよい。さらに、弱くドープされた領域５は、強くドープされた領域３と４の境
界エッジ１５と１７がそれぞれ弱くドープされた領域５に直接接触するように構
成および配置される。境界エッジ１５と１７は直線で、すなわち、１つの平面内
に存在するように示されているが、前記境界エッジ１５と１７は曲線、或いは、
傾斜等であってもよいことは言うまでもない。強くドープされた領域３と４の構
成と配置、および、弱くドープされた領域５の構成と配置は、いくつかの異なる
幾何形状を含む。例えば、図２は、強くドープされた領域３と４が各々が尖った
チップの形状を有し、各チップの細い先端１９と２１がそれぞれ他方のチップに
向いている。しかしながら、強くドープされた領域３と４の構成と配置、および
、弱くドープされた領域５の構成と配置は、強くドープされた領域３と４から弱
くドープされた領域５へ移動するドーパントをより良くコントロールできるよう
なものでなければならないので、領域３，４および５のそれぞれの形状は、別に
いくつもの異なる形態があり得る。領域３，４および５のそれぞれの形状は、ま
た、強くドープされた領域３と４の間のインピーダンスの変化をより良く制御で
きるように選ばれる。
【００４５】
図３に目を向けると、図３には図１および図２に示されるようなチューニング
可能な半導体集積デバイス１の断面図が示されている。集束される加熱パルス８
（図１に示されている）が、弱くドープされた領域５の一部および強くドープさ
れた領域３と４の隣接する部分、それぞれ１９と２１（点線で示されている），
を溶融させている。溶融したエリアは溶融プール１０と呼ばれる。図３に示され
る実施例では、強くドープされた領域３と４の一部分が溶融プール１０に含まれ
ることが示される。加熱パルス８（図１に示される）の印加後に溶融する強くド
ープされた領域３と４の範囲は、加熱パルスの特性、すなわち、パルスの出力、
パルスの印加時間、パルスの直径等に依存する。例えば、加熱パルスの直径が強
くドープされた領域３と４の一方または両方の一部を含むことも、或いは、集束
される加熱源の直径は弱くドープされた領域５を十分包含するだけの広さしかな
いこともある。溶融プール１０が長い時間溶融しているほど、強くドープされた
領域３と４から弱くドープされた領域５へのドーパントの拡散も大きくなる。し
かし、強くドープされた領域３と４から弱くドープされた領域５へ拡散するドー
パントの量は、また、強くドープされた領域３と４のどれだけ多くが集束される
加熱源８に捕らえられるかにもよる、すなわち、もし、強くドープされた領域３
および／または４の大きな部分が溶融する場合、より多くのドーパントが拡散し
、小さな部分しか溶融しない場合、少ないドーパントしか拡散しない。溶融プー
ル１０が溶融している時間の長さによるが、強くドープされた領域３から強くド
ープされた領域４へ溶融プール１０を横切るドーパントプロファイルは一様でな
いであろう。
可能な半導体集積デバイス１の断面図が示されている。集束される加熱パルス８
（図１に示されている）が、弱くドープされた領域５の一部および強くドープさ
れた領域３と４の隣接する部分、それぞれ１９と２１（点線で示されている），
を溶融させている。溶融したエリアは溶融プール１０と呼ばれる。図３に示され
る実施例では、強くドープされた領域３と４の一部分が溶融プール１０に含まれ
ることが示される。加熱パルス８（図１に示される）の印加後に溶融する強くド
ープされた領域３と４の範囲は、加熱パルスの特性、すなわち、パルスの出力、
パルスの印加時間、パルスの直径等に依存する。例えば、加熱パルスの直径が強
くドープされた領域３と４の一方または両方の一部を含むことも、或いは、集束
される加熱源の直径は弱くドープされた領域５を十分包含するだけの広さしかな
いこともある。溶融プール１０が長い時間溶融しているほど、強くドープされた
領域３と４から弱くドープされた領域５へのドーパントの拡散も大きくなる。し
かし、強くドープされた領域３と４から弱くドープされた領域５へ拡散するドー
パントの量は、また、強くドープされた領域３と４のどれだけ多くが集束される
加熱源８に捕らえられるかにもよる、すなわち、もし、強くドープされた領域３
および／または４の大きな部分が溶融する場合、より多くのドーパントが拡散し
、小さな部分しか溶融しない場合、少ないドーパントしか拡散しない。溶融プー
ル１０が溶融している時間の長さによるが、強くドープされた領域３から強くド
ープされた領域４へ溶融プール１０を横切るドーパントプロファイルは一様でな
いであろう。
【００４６】
図４に目を向けると、図４には図３に示された溶融プール１０が固化した後の
チューニング可能な半導体集積デバイス１の平面図が示される。理解されるよう
に、（図３の）溶融プール１０は今では領域３０に変換しており、この領域３０
は中間のドーパント濃度を有する。すなわち、そのドーパント濃度は、強くドー
プされた領域３と４のドーパント濃度と弱くドープされた領域５のドーパント濃
度の中間である。理解されるように、溶融プール１０が溶融していた時間の間に
、強くドープされた領域３と強くドープされた領域４からある程度の量のドーパ
ントが弱くドープされた領域５へ拡散することができたので、この溶融プール１
０が固化した後、中間の領域３０は、強くドープされた領域３、強くドープされ
た領域４、または弱くドープされた領域５のどれとも異なるドーパント濃度を有
するようになっている。見られるように、中間のドープされた領域３０は形がほ
ぼ円形であり、それは集束される加熱源が印加された図２の選択されたエリアの
形をほぼ反映している。
チューニング可能な半導体集積デバイス１の平面図が示される。理解されるよう
に、（図３の）溶融プール１０は今では領域３０に変換しており、この領域３０
は中間のドーパント濃度を有する。すなわち、そのドーパント濃度は、強くドー
プされた領域３と４のドーパント濃度と弱くドープされた領域５のドーパント濃
度の中間である。理解されるように、溶融プール１０が溶融していた時間の間に
、強くドープされた領域３と強くドープされた領域４からある程度の量のドーパ
ントが弱くドープされた領域５へ拡散することができたので、この溶融プール１
０が固化した後、中間の領域３０は、強くドープされた領域３、強くドープされ
た領域４、または弱くドープされた領域５のどれとも異なるドーパント濃度を有
するようになっている。見られるように、中間のドープされた領域３０は形がほ
ぼ円形であり、それは集束される加熱源が印加された図２の選択されたエリアの
形をほぼ反映している。
【００４７】
図５に目を向けると、図５には本発明のある実施の形態に係わる方法のさらに
別のステップを示す図４のチューニング可能な半導体集積デバイスの平面図が示
される。見られるように、中間のドープされた領域３０に別の選択されたエリア
１３が重なっており、この選択されたエリア１３に、図１に示されるような集束
される加熱源８がさらに印加される。理解されるように、集束される加熱源８の
印加によって中間のドープされた領域３０の、全部ではないとしても、大部分が
溶融し、さらに強くドープされた領域３と４の一部、および弱くドープされた領
域５の一部も溶融する。この新しいラウンドの溶融で、強くドープされた領域３
と４の今度溶融したエリアから中間のドープされた領域３０への新たなドーパン
トの拡散が生じる。中間のドープされた領域３０が固化した後、中間のドープさ
れた領域３０のドーパント濃度は、強くドープされた領域３、強くドープされた
領域４、または、弱くドープされた領域５のドーパント濃度と異なり、さらに、
前に図４に示した中間のドープされた領域３０とも異なるドーパント濃度になっ
ているであろう。
別のステップを示す図４のチューニング可能な半導体集積デバイスの平面図が示
される。見られるように、中間のドープされた領域３０に別の選択されたエリア
１３が重なっており、この選択されたエリア１３に、図１に示されるような集束
される加熱源８がさらに印加される。理解されるように、集束される加熱源８の
印加によって中間のドープされた領域３０の、全部ではないとしても、大部分が
溶融し、さらに強くドープされた領域３と４の一部、および弱くドープされた領
域５の一部も溶融する。この新しいラウンドの溶融で、強くドープされた領域３
と４の今度溶融したエリアから中間のドープされた領域３０への新たなドーパン
トの拡散が生じる。中間のドープされた領域３０が固化した後、中間のドープさ
れた領域３０のドーパント濃度は、強くドープされた領域３、強くドープされた
領域４、または、弱くドープされた領域５のドーパント濃度と異なり、さらに、
前に図４に示した中間のドープされた領域３０とも異なるドーパント濃度になっ
ているであろう。
【００４８】
理解されるように、図１から図５までに示された反復的方法のステップは、中
間のドープされた領域３０に必要なまたは所望の最終ドーパントプロファイルを
達成するために必要なだけまたは望むだけ何回でも繰り返すことができる。もし
、中間のドープされた領域３０に高いドーパント濃度が必要な場合には、反復的
ステップを何回か、例えば５〜１５回、最大量の制御された拡散が起こるように
繰り返す。逆に、もし、低いドーパント濃度が中間のドープされた領域３０で必
要な場合には、図１から図５までに示された反復的ステップが、例えば、ほんの
１回か２回行われるので、中間のドープされた領域３０のインピーダンスは高く
、ドーパント濃度は強くドープされた領域３および４のドーパント濃度と比較し
て低くなる。
間のドープされた領域３０に必要なまたは所望の最終ドーパントプロファイルを
達成するために必要なだけまたは望むだけ何回でも繰り返すことができる。もし
、中間のドープされた領域３０に高いドーパント濃度が必要な場合には、反復的
ステップを何回か、例えば５〜１５回、最大量の制御された拡散が起こるように
繰り返す。逆に、もし、低いドーパント濃度が中間のドープされた領域３０で必
要な場合には、図１から図５までに示された反復的ステップが、例えば、ほんの
１回か２回行われるので、中間のドープされた領域３０のインピーダンスは高く
、ドーパント濃度は強くドープされた領域３および４のドーパント濃度と比較し
て低くなる。
【００４９】
次に図６に目を向けると、図６には半導体集積デバイスのインピーダンスを選
択的にチューニングする方法の別のステップの平面図が示されている。半導体集
積デバイスのインピーダンスを選択的にチューニングするとは、適用の必要に応
じてインピーダンスを増加させるまたは減少させることができるということを意
味すると理解される。例えば、本発明のある実施の形態によって、半導体集積デ
バイスのインピーダンスが目標の数字を超えて減少した場合、インピーダンスを
増加させて必要とされる値にそれを引き戻すことが可能である。例えば、図６は
本発明によるこの特定の実施の形態を説明するものであり、インピーダンスが、
１つの方向で変更された後（すなわち、半導体集積デバイスのインピーダンスを
図１から図５までに示されたステップで減少させた後）、今度はその半導体集積
デバイスのインピーダンスを増加させることが必要になった場合を示している。
これは、図１から図５までに示された反復的方法の前のステップでインピーダン
スを大きく下げ過ぎた結果であるかもしれない、すなわち、所望の最終インピー
ダンス値を行き過ぎてしまって、今度はデバイスのインピーダンスを増加させる
ことが必要になった場合である。
択的にチューニングする方法の別のステップの平面図が示されている。半導体集
積デバイスのインピーダンスを選択的にチューニングするとは、適用の必要に応
じてインピーダンスを増加させるまたは減少させることができるということを意
味すると理解される。例えば、本発明のある実施の形態によって、半導体集積デ
バイスのインピーダンスが目標の数字を超えて減少した場合、インピーダンスを
増加させて必要とされる値にそれを引き戻すことが可能である。例えば、図６は
本発明によるこの特定の実施の形態を説明するものであり、インピーダンスが、
１つの方向で変更された後（すなわち、半導体集積デバイスのインピーダンスを
図１から図５までに示されたステップで減少させた後）、今度はその半導体集積
デバイスのインピーダンスを増加させることが必要になった場合を示している。
これは、図１から図５までに示された反復的方法の前のステップでインピーダン
スを大きく下げ過ぎた結果であるかもしれない、すなわち、所望の最終インピー
ダンス値を行き過ぎてしまって、今度はデバイスのインピーダンスを増加させる
ことが必要になった場合である。
【００５０】
図６に示される方法は、また、図１から図５までに示された方法の前のステッ
プとは無関係に、半導体集積デバイスのインピーダンスを変更する（すなわち、
増加させる）のにも用いられる。例えば、半導体集積デバイスがいったん使用を
開始した後、そのデバイスを新しいまたは異なる応用に合わせて変更する必要が
あると判断された場合、図６に示された方法を用いてそのインピーダンスを増加
させることができる。
プとは無関係に、半導体集積デバイスのインピーダンスを変更する（すなわち、
増加させる）のにも用いられる。例えば、半導体集積デバイスがいったん使用を
開始した後、そのデバイスを新しいまたは異なる応用に合わせて変更する必要が
あると判断された場合、図６に示された方法を用いてそのインピーダンスを増加
させることができる。
【００５１】
図６に示される半導体集積デバイスは、強くドープされた領域３および４およ
び弱くドープされた領域５および２を含む。さらに、中間のドープされた領域３
０が強くドープされた領域３および４を離隔するように配置され、さらに前記強
くドープされた領域３および４の各々に当接している。いずれにしても、中間の
ドープされた領域３０のドーパント濃度は弱くドープされた領域５および２のド
ーパント濃度よりも高い。本発明のある特定の実施の形態によると、中間のドー
プされた領域３０の インピーダンスを増加させることが望ましいまたは必要で
ある場合、それはドーパントが中間のドープされた領域３０から弱くドープされ
た領域２または５へドーパントが拡散するのに必要な条件を作り出すことによっ
て達成できる。中間のドープされた領域３０からのドーパントの移動を遂行する
ことによって、中間領域３０の電流搬送能力を低下させて強くドープされた領域
３と４の間のインピーダンスを増加させることができる。
び弱くドープされた領域５および２を含む。さらに、中間のドープされた領域３
０が強くドープされた領域３および４を離隔するように配置され、さらに前記強
くドープされた領域３および４の各々に当接している。いずれにしても、中間の
ドープされた領域３０のドーパント濃度は弱くドープされた領域５および２のド
ーパント濃度よりも高い。本発明のある特定の実施の形態によると、中間のドー
プされた領域３０の インピーダンスを増加させることが望ましいまたは必要で
ある場合、それはドーパントが中間のドープされた領域３０から弱くドープされ
た領域２または５へドーパントが拡散するのに必要な条件を作り出すことによっ
て達成できる。中間のドープされた領域３０からのドーパントの移動を遂行する
ことによって、中間領域３０の電流搬送能力を低下させて強くドープされた領域
３と４の間のインピーダンスを増加させることができる。
【００５２】
したがって、本発明のこの特定の実施の形態を遂行するために、集束される熱
源をこの半導体集積デバイスに導いて、前記集束される加熱源が中間のドープさ
れた領域３０の一部または全部、および弱くドープされた領域５または２のすぐ
隣接する領域を覆うようにすることができる。前記領域が参照符号３５で記され
た選択されたエリアである。こうして、理解されるように、（図１に示されるよ
うな）集束される加熱源８の印加によって選択されたエリア３５の全部または一
部の溶融が起こり、それには中間のドープされた領域３０の一部または全部が含
まれ、同時に弱くドープされた領域２（または５）のすぐ隣接する領域の溶融も
生じる。選択されたエリアが溶融しているこの時間の間に、中間のドープされた
領域３０に存在するドーパント（その濃度は弱くドープされた領域２におけるド
ーパントの濃度より高い）は、周知の良く理解されている拡散プロセスによって
、中間のドープされた領域３０から弱くドープされた領域５へ拡散する。その結
果として、ドーパントが中間のドープされた領域３０から弱くドープされた領域
５へ正味で失われ、中間のドープされた領域３０で電荷を運ぶために利用できる
ドーパントの数が減少する。本発明のこの特定の実施の形態によると、選択され
たエリア３５は強くドープされた領域３と４のどちらの部分も含まないことが好
ましいことは理解されるであろう。
源をこの半導体集積デバイスに導いて、前記集束される加熱源が中間のドープさ
れた領域３０の一部または全部、および弱くドープされた領域５または２のすぐ
隣接する領域を覆うようにすることができる。前記領域が参照符号３５で記され
た選択されたエリアである。こうして、理解されるように、（図１に示されるよ
うな）集束される加熱源８の印加によって選択されたエリア３５の全部または一
部の溶融が起こり、それには中間のドープされた領域３０の一部または全部が含
まれ、同時に弱くドープされた領域２（または５）のすぐ隣接する領域の溶融も
生じる。選択されたエリアが溶融しているこの時間の間に、中間のドープされた
領域３０に存在するドーパント（その濃度は弱くドープされた領域２におけるド
ーパントの濃度より高い）は、周知の良く理解されている拡散プロセスによって
、中間のドープされた領域３０から弱くドープされた領域５へ拡散する。その結
果として、ドーパントが中間のドープされた領域３０から弱くドープされた領域
５へ正味で失われ、中間のドープされた領域３０で電荷を運ぶために利用できる
ドーパントの数が減少する。本発明のこの特定の実施の形態によると、選択され
たエリア３５は強くドープされた領域３と４のどちらの部分も含まないことが好
ましいことは理解されるであろう。
【００５３】
上述のようなステップが遂行され、中間のドープされた領域３０から弱くドー
プされた領域５へドーパントの拡散が起こったら、半導体集積デバイスのインピ
ーダンスをテストして中間のドープされた領域３０から十分なドーパントの拡散
が起こったかどうかを判定する。インピーダンスが必要なまたは所望の量だけ変
化していないと判定されたら、上述の反復的ステップを繰り返して、さらにドー
パントを中間のドープされた領域３０から弱くドープされた領域５へ拡散させる
。また、デバイスをテストした後、多すぎるドーパントが中間のドープされた領
域３０から弱くドープされた領域５へ拡散したと判定されたら、すなわち、半導
体集積デバイスのインピーダンスが今度は高すぎて、前記インピーダンスを減ら
すことが望まれると判定された場合、図１から図５までに示されたステップを繰
り返すことができる。
プされた領域５へドーパントの拡散が起こったら、半導体集積デバイスのインピ
ーダンスをテストして中間のドープされた領域３０から十分なドーパントの拡散
が起こったかどうかを判定する。インピーダンスが必要なまたは所望の量だけ変
化していないと判定されたら、上述の反復的ステップを繰り返して、さらにドー
パントを中間のドープされた領域３０から弱くドープされた領域５へ拡散させる
。また、デバイスをテストした後、多すぎるドーパントが中間のドープされた領
域３０から弱くドープされた領域５へ拡散したと判定されたら、すなわち、半導
体集積デバイスのインピーダンスが今度は高すぎて、前記インピーダンスを減ら
すことが望まれると判定された場合、図１から図５までに示されたステップを繰
り返すことができる。
【００５４】
図７および図８に目を向けると、そこには本発明のチューニング可能な半導体
集積デバイス１の他の実施の形態の平面図が示されている。特に、図７に示され
るように、強くドープされた領域３と４は、それぞれ他方を指した切欠き形態を
有するものとして示されている。この形態によると、（図１に示されたような）
集束される加熱源の印加の結果として発生する溶融プール１６は、強くドープさ
れた領域３および／または４のより大きな面積を包含し、したがって、強くドー
プされた領域３および４から弱くドープされた領域５へのドーパントのより速い
、コントロールされた拡散が可能になっている。さらに、図７に示されるような
デバイスは、対称なドーパント分布特性を有するデバイスの形成が容易である。
また、図８に見られるように、強くドープされた領域３が尖った矢印の形態を有
し、強くドープされた領域４が切欠き形態を有する半導体集積デバイスの他の形
態が示されている。
集積デバイス１の他の実施の形態の平面図が示されている。特に、図７に示され
るように、強くドープされた領域３と４は、それぞれ他方を指した切欠き形態を
有するものとして示されている。この形態によると、（図１に示されたような）
集束される加熱源の印加の結果として発生する溶融プール１６は、強くドープさ
れた領域３および／または４のより大きな面積を包含し、したがって、強くドー
プされた領域３および４から弱くドープされた領域５へのドーパントのより速い
、コントロールされた拡散が可能になっている。さらに、図７に示されるような
デバイスは、対称なドーパント分布特性を有するデバイスの形成が容易である。
また、図８に見られるように、強くドープされた領域３が尖った矢印の形態を有
し、強くドープされた領域４が切欠き形態を有する半導体集積デバイスの他の形
態が示されている。
【００５５】
図９に目を向けると、図９にはチューニング可能な半導体集積デバイス１の他
の形態が示されている。本発明のこの実施の形態によると、デバイスは、第１の
主チューニングアーム５０，第２の主チューニングアーム５１，第３の二次チュ
ーニングアーム５４および第４の二次チューニングアーム５５を含む。弱くドー
プされた領域５２が第１および第２の主チューニングアーム５０と５１を離隔し
、別の弱くドープされた領域５３が第３および第４の二次チューニングアーム５
４と５５を離隔しており、弱くドープされた領域５３と弱くドープされた領域５
２は異なるサイズおよび形態であってもよい。この特定の実施の形態では、弱く
ドープされた領域５２のドーパント濃度と第１および第２の主チューニングアー
ム５０と５１のドーパント濃度の差は、電流が何もそこを流れないようなもので
ある。さらに、弱くドープされた領域５３のドーパント濃度と第３および第４の
二次チューニングアーム５４と５５のドーパント濃度の差は、電流が何もそこを
流れないようなものである。
の形態が示されている。本発明のこの実施の形態によると、デバイスは、第１の
主チューニングアーム５０，第２の主チューニングアーム５１，第３の二次チュ
ーニングアーム５４および第４の二次チューニングアーム５５を含む。弱くドー
プされた領域５２が第１および第２の主チューニングアーム５０と５１を離隔し
、別の弱くドープされた領域５３が第３および第４の二次チューニングアーム５
４と５５を離隔しており、弱くドープされた領域５３と弱くドープされた領域５
２は異なるサイズおよび形態であってもよい。この特定の実施の形態では、弱く
ドープされた領域５２のドーパント濃度と第１および第２の主チューニングアー
ム５０と５１のドーパント濃度の差は、電流が何もそこを流れないようなもので
ある。さらに、弱くドープされた領域５３のドーパント濃度と第３および第４の
二次チューニングアーム５４と５５のドーパント濃度の差は、電流が何もそこを
流れないようなものである。
【００５６】
図９に示された図に見られるように、この特定の実施の形態は異なるサイズの
チューニングアームを備え、したがって、異なる電流を流す能力を備えている。
理解されるであろうが、主チューニングアーム５０と５１は粗いチューニングア
ームとして、第３と第４の二次チューニングアームは微細チューニングアームと
して用いることができる。微細チューニングという表現は、（非常に）精密なイ
ンピーダンス変化をそれによって達成できるということを意味すると理解される
。二次チューニングアーム５４と５５の他に１つ以上の別の二次チューニングア
ームの対（図示しない）を設けて、それぞれの追加二次チューニングアームによ
って半導体集積デバイスの精密チューニング能力を強化することもできるという
ことは言うまでもない。このように、例えば、もし、半導体集積デバイスの大き
なインピーダンス変更が必要な場合には、上で詳しく述べたように、集束される
加熱源が領域５９に印加される。主チューニングアーム５０と５１の強くドープ
された領域からそれぞれドーパントが拡散する結果として、第１および第２の主
チューニングアーム５０と５１の間のインピーダンスを上述のような反復的な方
法によって変えることができる。こうして得られたインピーダンスをテストした
後、半導体集積デバイスのインピーダンスをさらに調整することが必要であると
判定された場合、加熱パルスをさらに領域５２に、同じ加熱パルス特性（すなわ
ち、出力、印加時間等）で、または異なる特性で、印加することができる。
チューニングアームを備え、したがって、異なる電流を流す能力を備えている。
理解されるであろうが、主チューニングアーム５０と５１は粗いチューニングア
ームとして、第３と第４の二次チューニングアームは微細チューニングアームと
して用いることができる。微細チューニングという表現は、（非常に）精密なイ
ンピーダンス変化をそれによって達成できるということを意味すると理解される
。二次チューニングアーム５４と５５の他に１つ以上の別の二次チューニングア
ームの対（図示しない）を設けて、それぞれの追加二次チューニングアームによ
って半導体集積デバイスの精密チューニング能力を強化することもできるという
ことは言うまでもない。このように、例えば、もし、半導体集積デバイスの大き
なインピーダンス変更が必要な場合には、上で詳しく述べたように、集束される
加熱源が領域５９に印加される。主チューニングアーム５０と５１の強くドープ
された領域からそれぞれドーパントが拡散する結果として、第１および第２の主
チューニングアーム５０と５１の間のインピーダンスを上述のような反復的な方
法によって変えることができる。こうして得られたインピーダンスをテストした
後、半導体集積デバイスのインピーダンスをさらに調整することが必要であると
判定された場合、加熱パルスをさらに領域５２に、同じ加熱パルス特性（すなわ
ち、出力、印加時間等）で、または異なる特性で、印加することができる。
【００５７】
また、さらにレーザパルスを領域５２に印加する代わりに、集束される熱源を
領域５８に印加するという選択もある。このパルスは、領域５２に印加されるパ
ルス（単数または複数）と同じ特性のものであっても、異なる特性のものであっ
てもよい。第３および第４の二次チューニングアームは主チューニングアーム５
０および５１よりもずっと小さいので、弱くドープされた領域５８に拡散させる
ことができるドーパントの量は小さく、より良くコントロールされた拡散が可能
になる。第１および第２の主チューニングアーム５０と５１の間のインピーダン
スの変化および第３および第４の二次チューニングアーム５４と５５の間のイン
ピーダンスの変化を組み合わせた作用によって、半導体集積デバイスのインピー
ダンスに得られる全体的な変化がより精密にコントロールできるようになる。さ
らに見られるように、この半導体集積デバイスにはさらに直列の抵抗器５９ａと
５９ｂが含まれている。
領域５８に印加するという選択もある。このパルスは、領域５２に印加されるパ
ルス（単数または複数）と同じ特性のものであっても、異なる特性のものであっ
てもよい。第３および第４の二次チューニングアームは主チューニングアーム５
０および５１よりもずっと小さいので、弱くドープされた領域５８に拡散させる
ことができるドーパントの量は小さく、より良くコントロールされた拡散が可能
になる。第１および第２の主チューニングアーム５０と５１の間のインピーダン
スの変化および第３および第４の二次チューニングアーム５４と５５の間のイン
ピーダンスの変化を組み合わせた作用によって、半導体集積デバイスのインピー
ダンスに得られる全体的な変化がより精密にコントロールできるようになる。さ
らに見られるように、この半導体集積デバイスにはさらに直列の抵抗器５９ａと
５９ｂが含まれている。
【００５８】
図１０に示されているのは、図９に示された半導体集積デバイスの電気的な概
略図である。参照数字６０は主または粗チューニングアームを表し、参照数字６
１は微細チューニングアームを表している。参照数字６３と６４は、集積デバイ
スに追加して半導体集積デバイスのチューニング可能な部分の電圧を制限できる
直列の集積抵抗器２０と２１を表しており、全部が高インピーダンスデバイスを
得るためであり、デバイスが直線的な電流／電圧特性を示すようにしている。
略図である。参照数字６０は主または粗チューニングアームを表し、参照数字６
１は微細チューニングアームを表している。参照数字６３と６４は、集積デバイ
スに追加して半導体集積デバイスのチューニング可能な部分の電圧を制限できる
直列の集積抵抗器２０と２１を表しており、全部が高インピーダンスデバイスを
得るためであり、デバイスが直線的な電流／電圧特性を示すようにしている。
【００５９】
図１１および図１２に目を向けると、そこにはレーザなどの集束される加熱源
を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するための装置１００の一
般的な実施の形態が図示されている。集積回路１１０が位置決めテーブル１０に
載せられ、集束される加熱源１０３によって生成される加熱源１０５が印加され
る。加熱源１０５は光学レンズまたは磁場レンズ１０７を用いて集積回路１１０
に集束され、加熱源１０５を正確に整列させるためにカメラとミラーのシステム
によって観察できるようになっている。図１２は、装置１００をさらに詳しく示
している。レーザ１０３がシャッター１１６に結合され、その各々がコンピュー
タ１０８として示される制御システムによって制御される。コンピュータ１０８
には、位置決め装置１０１の制御メカニズム１０９も結合されている。装置１０
０はさらにカメラ１１２と光源１１４を備えている。装置１００の他のコンポー
ネントはビームスプリッタ１１３と選択ミラー１２０である。
を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するための装置１００の一
般的な実施の形態が図示されている。集積回路１１０が位置決めテーブル１０に
載せられ、集束される加熱源１０３によって生成される加熱源１０５が印加され
る。加熱源１０５は光学レンズまたは磁場レンズ１０７を用いて集積回路１１０
に集束され、加熱源１０５を正確に整列させるためにカメラとミラーのシステム
によって観察できるようになっている。図１２は、装置１００をさらに詳しく示
している。レーザ１０３がシャッター１１６に結合され、その各々がコンピュー
タ１０８として示される制御システムによって制御される。コンピュータ１０８
には、位置決め装置１０１の制御メカニズム１０９も結合されている。装置１０
０はさらにカメラ１１２と光源１１４を備えている。装置１００の他のコンポー
ネントはビームスプリッタ１１３と選択ミラー１２０である。
【００６０】
図１３に目を向けると、図１３には半導体集積デバイスで与えられた抵抗を得
るために必要な印加の回数の例を示すチャートが示されている。チャートは、反
復的ステップで変えることができる集束される加熱源のいろいろな特性のいくつ
かを示している。第１欄は、集束される加熱源の印加の回数を示し、第２欄は、
集束される加熱源の出力をミリワットで表し、第３欄は、集束される加熱源の印
加時間を（マイクロ秒で）表し、第４欄は、集束される加熱源の直径をマイクロ
メーターで示し、最後の欄はこの例の半導体集積デバイスで達成された抵抗値で
ある。例えば、第１回の印加は、出力が１４００ミリワットの集束される加熱源
を用いて、１．４マイクロ秒印加され、集束されたビーム源の直径は４マイクロ
メーターである。得られた抵抗は１８８．９オームである。同一の特性を有する
第２回目の印加が行われ、半導体集積デバイスの抵抗は１４８．６オームに減少
した。第３回目の印加では、レーザ印加の出力は変わらなかったが、印加時間は
１．４マイクロ秒から０．９６マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４２．
８オームであった。第４回目の印加では、レーザのパワーは変わらなかったが、
印加時間は０．４８マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４１．４マイクロ
秒に低下した。第５回目の印加では、パワーは２００ミリワットに減らし、印加
時間は０．４８マイクロ秒のままで、抵抗値は１４０．１オームに低下した。最
後に、第６回目の最後の印加では、集束される加熱源の特性は変わらないままで
、抵抗は１４０．０オームに低下した。見られるように、本発明のこの実施の形
態による最後の反復ではデバイスのインピーダンスに０．１オームの変化が生じ
たが、これはデバイスの非常に微細なチューニングであると考えることができる
。
るために必要な印加の回数の例を示すチャートが示されている。チャートは、反
復的ステップで変えることができる集束される加熱源のいろいろな特性のいくつ
かを示している。第１欄は、集束される加熱源の印加の回数を示し、第２欄は、
集束される加熱源の出力をミリワットで表し、第３欄は、集束される加熱源の印
加時間を（マイクロ秒で）表し、第４欄は、集束される加熱源の直径をマイクロ
メーターで示し、最後の欄はこの例の半導体集積デバイスで達成された抵抗値で
ある。例えば、第１回の印加は、出力が１４００ミリワットの集束される加熱源
を用いて、１．４マイクロ秒印加され、集束されたビーム源の直径は４マイクロ
メーターである。得られた抵抗は１８８．９オームである。同一の特性を有する
第２回目の印加が行われ、半導体集積デバイスの抵抗は１４８．６オームに減少
した。第３回目の印加では、レーザ印加の出力は変わらなかったが、印加時間は
１．４マイクロ秒から０．９６マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４２．
８オームであった。第４回目の印加では、レーザのパワーは変わらなかったが、
印加時間は０．４８マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４１．４マイクロ
秒に低下した。第５回目の印加では、パワーは２００ミリワットに減らし、印加
時間は０．４８マイクロ秒のままで、抵抗値は１４０．１オームに低下した。最
後に、第６回目の最後の印加では、集束される加熱源の特性は変わらないままで
、抵抗は１４０．０オームに低下した。見られるように、本発明のこの実施の形
態による最後の反復ではデバイスのインピーダンスに０．１オームの変化が生じ
たが、これはデバイスの非常に微細なチューニングであると考えることができる
。
【００６１】
図１３に示された表から見られるように、本発明のある特定の実施例の反復的
プロセスは、半導体集積デバイスの抵抗値を集束される加熱源からのいくつかの
パルスの印加によって漸進的に低下させ、その際加熱パルスの特性は、最終の所
望の結果に漸進的に近づく結果を得るために、必要に応じて変更された。
プロセスは、半導体集積デバイスの抵抗値を集束される加熱源からのいくつかの
パルスの印加によって漸進的に低下させ、その際加熱パルスの特性は、最終の所
望の結果に漸進的に近づく結果を得るために、必要に応じて変更された。
【００６２】
図１４に目を向けると、図１４には低い抵抗値を有するチューニング可能な半
導体集積デバイスの電流−電圧カーブが示されている。所望の精密なインピーダ
ンス特性を持つ半導体集積デバイスを得るためには、弱くドープされた領域５（
図１から図５までに参照数字５で示された）へのドーパントの拡散の非常に精密
な制御が必要である。例えば、低いまたは非常に低いインピーダンス（すなわち
、抵抗）の半導体集積デバイスが必要な場合には、本発明の実施の形態による制
御された拡散は、かなりの量のドーパントが強くドープされた領域３および４か
ら弱くドープされた領域５へ拡散することを必要とする。この実施の形態による
最終結果は、例えば、図１〜図５に示されるように、強くドープされた領域３か
ら、（前は弱く）ドープされていた領域５を通って、強くドープされた領域４ま
で、ほぼ一様なドーパント分布を生成することである。このような状況では、チ
ューニングされた半導体集積デバイスの電圧／電流カーブは、図１４に示される
ような高い直線性を示す。
導体集積デバイスの電流−電圧カーブが示されている。所望の精密なインピーダ
ンス特性を持つ半導体集積デバイスを得るためには、弱くドープされた領域５（
図１から図５までに参照数字５で示された）へのドーパントの拡散の非常に精密
な制御が必要である。例えば、低いまたは非常に低いインピーダンス（すなわち
、抵抗）の半導体集積デバイスが必要な場合には、本発明の実施の形態による制
御された拡散は、かなりの量のドーパントが強くドープされた領域３および４か
ら弱くドープされた領域５へ拡散することを必要とする。この実施の形態による
最終結果は、例えば、図１〜図５に示されるように、強くドープされた領域３か
ら、（前は弱く）ドープされていた領域５を通って、強くドープされた領域４ま
で、ほぼ一様なドーパント分布を生成することである。このような状況では、チ
ューニングされた半導体集積デバイスの電圧／電流カーブは、図１４に示される
ような高い直線性を示す。
【００６３】
また、応用によっては高いインピーダンス（すなわち、抵抗）のデバイスを必
要とすることがあるが、これは、強くドープされた領域３および４から弱くドー
プされた領域５への少量のまたは最少量のドーパントの制御された拡散によって
得られる。その結果、この実施の形態によると、強くドープされた領域３および
４の間の弱くドープされた領域５において非一様なドーパント分布が生じる。半
導体デバイスにおける非一様なドーピングは非線形現象を生み出すことが知られ
ている。このような状況では、チューニングされた半導体集積デバイスの電圧／
電流カーブは、図１５に示されるような強い非線形特性を示す。
要とすることがあるが、これは、強くドープされた領域３および４から弱くドー
プされた領域５への少量のまたは最少量のドーパントの制御された拡散によって
得られる。その結果、この実施の形態によると、強くドープされた領域３および
４の間の弱くドープされた領域５において非一様なドーパント分布が生じる。半
導体デバイスにおける非一様なドーピングは非線形現象を生み出すことが知られ
ている。このような状況では、チューニングされた半導体集積デバイスの電圧／
電流カーブは、図１５に示されるような強い非線形特性を示す。
【００６４】
この問題を解決して高インピーダンスデバイスを得るために、通常の直列集積
抵抗器２０および２１を付け加え、図１６に示されるように、半導体集積デバイ
スのチューニング可能な部分の電圧を制限し、それが図１５の直線的な領域で動
作するようにすることができる。
抵抗器２０および２１を付け加え、図１６に示されるように、半導体集積デバイ
スのチューニング可能な部分の電圧を制限し、それが図１５の直線的な領域で動
作するようにすることができる。
【００６５】
図１６は、図１５に示されるものと同様な半導体集積デバイスの電圧−電流カ
ーブを示しているが、ここでは半導体集積デバイスはさらに直列抵抗器５９ａと
５９ｂを含んでいる。これが、この装置の直線的な電流−電圧カーブを生み出す
効果がある。
ーブを示しているが、ここでは半導体集積デバイスはさらに直列抵抗器５９ａと
５９ｂを含んでいる。これが、この装置の直線的な電流−電圧カーブを生み出す
効果がある。
【００６６】
本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって
規定される制限内でのどのような他の実施例をも包含する。
規定される制限内でのどのような他の実施例をも包含する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一実施例に係る方法のあるステップを示すチューニング可能な半導体
集積デバイスの断面図である。
集積デバイスの断面図である。
【図２】
図１に示されたチューニング可能な半導体集積デバイスの平面図である。
【図３】
図１に示されたチューニング可能な半導体集積デバイスの断面図であって、図
１の加熱パルスの印加後にこのチューニング可能な半導体集積デバイスの一部が
溶融している様子が示されたものである。
１の加熱パルスの印加後にこのチューニング可能な半導体集積デバイスの一部が
溶融している様子が示されたものである。
【図４】
図３のチューニング可能な半導体集積デバイスの溶融した部分が固化した後の
このチューニング可能な半導体集積デバイスの平面図である。
このチューニング可能な半導体集積デバイスの平面図である。
【図５】
図４のチューニング可能な半導体集積デバイスの平面図であって、本発明の一
実施例に係る方法のさらに別のステップを示すものである。
実施例に係る方法のさらに別のステップを示すものである。
【図６】
チューニング可能な半導体集積デバイスの平面図であって、本発明の一実施例
に係る方法のさらに別のステップを示すものである。
に係る方法のさらに別のステップを示すものである。
【図７】
本発明のチューニング可能な半導体集積デバイスの他の実施例を示す平面図で
ある。
ある。
【図８】
本発明のチューニング可能な半導体集積デバイスのさらに他の実施例を示す平
面図である。
面図である。
【図９】
本発明のチューニング可能な半導体集積デバイスのまたさらに他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１０】
図９に示されたチューニング可能な半導体集積デバイスの電気的な概略図であ
る。
る。
【図１１】
チューニングプロセスに用いられるレーザシステムの概略図である。
【図１２】
図１１に示されたレーザシステムの概略図をもっと完全に示す図である。
【図１３】
一実施例の反復回数および与えられたパルスの他のデータを示す表を示す図で
ある。
ある。
【図１４】
低い抵抗値を有するチューニング可能な半導体集積デバイスの典型的な電流／
電圧カーブを示す図である。
電圧カーブを示す図である。
【図１５】
高い抵抗値を有するチューニング可能な半導体集積デバイスの典型的な電流／
電圧カーブを示す図である。
電圧カーブを示す図である。
【図１６】
直列抵抗器を用いたチューニング可能な半導体集積デバイスの典型的な電流／
電圧カーブを示す図である。
電圧カーブを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１２月２１日（２００１．１２．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体集積デバイスの分野におけるレーザの利用は、いわゆる当業者には公知
であり、例えば、Raffle et al.に対する米国特許第４，６３６，４０４号、Cha
pman et al.に対する米国特許第５，０８７，５８９号、および、Raffle et al.
に対する米国特許第４，５８５，４９０号などが知られている。しかしながら、
この分野において、レーザは、主としていろいろなコンポーネントの間でリンク
を形成し、大きなランダムアクセスメモリーおよび複雑なＶＬＳＩ回路において
冗長性を用いて欠陥を回避し、そして、回路の再構成または修復を行うために用
いられてきた。例えば、米国特許第４，６３６，４０４号は、レーザを用いて、
回路で側方に分離されている金属コンポーネントの間のギャップに導電性の低抵
抗の架橋を形成する。米国特許第５，０８７，５８９号は、回路にイオン打ち込
みを行った後に選択的な垂直導電リンク領域を形成することを開示している。さ
らに、米国特許第５，５８５，４９０号は、垂直に分離された金属層において、
レーザパルスにリンク点をさらして結合させ垂直リンクを形成する方法に関する
。したがって、集積回路に関連した当業者によるレーザの利用は、主として導電
性のリンクやパスを、以前は何も存在していなかったところに作り出すことに向
けられている。米国特許第５，６１８，７４１号および日本国特開昭５９−２２ ９８３８号公報もまたレーザを利用した露光について記載している。
であり、例えば、Raffle et al.に対する米国特許第４，６３６，４０４号、Cha
pman et al.に対する米国特許第５，０８７，５８９号、および、Raffle et al.
に対する米国特許第４，５８５，４９０号などが知られている。しかしながら、
この分野において、レーザは、主としていろいろなコンポーネントの間でリンク
を形成し、大きなランダムアクセスメモリーおよび複雑なＶＬＳＩ回路において
冗長性を用いて欠陥を回避し、そして、回路の再構成または修復を行うために用
いられてきた。例えば、米国特許第４，６３６，４０４号は、レーザを用いて、
回路で側方に分離されている金属コンポーネントの間のギャップに導電性の低抵
抗の架橋を形成する。米国特許第５，０８７，５８９号は、回路にイオン打ち込
みを行った後に選択的な垂直導電リンク領域を形成することを開示している。さ
らに、米国特許第５，５８５，４９０号は、垂直に分離された金属層において、
レーザパルスにリンク点をさらして結合させ垂直リンクを形成する方法に関する
。したがって、集積回路に関連した当業者によるレーザの利用は、主として導電
性のリンクやパスを、以前は何も存在していなかったところに作り出すことに向
けられている。米国特許第５，６１８，７４１号および日本国特開昭５９−２２ ９８３８号公報もまたレーザを利用した露光について記載している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
したがって、本発明は、一般的な形態によると、半導体集積デバイスの第１の
ドープされた領域と、前記第１のドープされた領域よりも低いドーパント濃度を
有する隣接する第２のドープされた領域との相対ドーパント分布プロファイルの
反復的な制御された変更を実行する方法であって、 前記第１および第２のドープされた領域の各々の部分を含む選択されたエリア
に集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記ドープされた第１の領域の前記部分から前記ドープされた第２の領域の前
記部分へのドーパントの制御された拡散を可能にすることを特徴とする方法を提
供する。 本発明のある実施の形態によれば、半導体コンポーネントの予め選択された領 域の相対的ドーパントプロファイルを反復的に制御して変更する方法であって、 前記半導体コンポーネントは、異なるドーパント濃度の２つの隣接するドープさ れた領域を備え、前記方法は、 ａ）異なるドーパント濃度を有する第１のドープされた領域および第２のドー プされた領域の各々の一部分を含む予め選択されたエリアへチューニングサイク ルを印加するステップであって、前記チューニングサイクルは、 ｉ）予め定められたパルス持続期間が、前記予め選択されたエリアを溶融し 、かつ、前記予め選択されたエリアの前記ドーパントプロファイルを変更すると ともに前記パルスに引き続いて前記溶融され予め選択されたエリアを変更された ドーパントプロファイルで固化するのを可能にするのに十分となるように、集束 される加熱源から、予め定められた加熱パルスを導く処理を備える加熱／冷却段 階、 ii）前記加熱／冷却処理に引き続く前記半導体コンポーネントの前記相対的 ドーパントプロファイルを規定する段階、および、 iii）予め定められた相対的ドーパントプロファイルで前記処理ii）から得
られた前記相対的ドーパントプロファイルを比較する段階を備えるステップと、 ｂ）必要な場合には、前記予め定められた相対的ドーパントプロファイルが達 成されるまで、前記チューニングサイクルを１回またはさらなる付加回数だけ繰 り返すステップとを備えることを特徴とする方法が提供される 。 本発明の他の形態によると、半導体集積デバイスのインピーダンスを、弱くド
ープされた領域に隣接して構成および配置された強くドープされた領域のドーパ
ント分布プロファイルを制御して変更することにより反復的かつ正確にチューニ
ングする方法であって、 前記弱くドープされた領域と前記強くドープされた領域の各々の部分にまたが
る選択されたエリアに集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記強くドープされた領域の前記部分から前記弱くドープされた領域の前記部
分へのドーパントの制御された拡散を可能にしていることを特徴とする方法が提
供される。 本発明の他の形態によれば、半導体コンポーネントのインピーダンスを反復的 に制御して変更する方法であって、前記半導体コンポーネントは、異なるドーパ ント濃度の２つの隣接するドープされた領域を備え、前記方法は、 ａ）異なるドーパント濃度を有する第１のドープされた領域および第２のドー プされた領域の各々の一部分を含む予め選択されたエリアへチューニングサイク ルを印加するステップであって、前記チューニングサイクルは、 ｉ）予め定められたパルス持続期間が、前記予め選択されたエリアを溶融し 、かつ、前記予め選択されたエリアの前記ドーパントプロファイルを変更すると ともに前記パルスに引き続いて前記溶融され予め選択されたエリアを変更された ドーパントプロファイルで固化するのを可能にするのに十分となるように、集束 される加熱源から、予め定められた加熱パルスを導く処理を備える加熱／冷却処 理の段階、 ii）前記加熱／冷却処理に引き続く前記半導体コンポーネントの前記インピ ーダンスを規定する段階、および、 iii）予め定められた相対的ドーパントプロファイルで前記処理ii）から得
られた前記インピーダンスを比較する段階を備えるステップと、 ｂ）必要な場合には、前記予め定められたインピーダンスが達成されるまで、 前記チューニングサイクルを１回またはさらなる付加回数だけ繰り返すステップ とを備えることを特徴とする方法が提供される。
ドープされた領域と、前記第１のドープされた領域よりも低いドーパント濃度を
有する隣接する第２のドープされた領域との相対ドーパント分布プロファイルの
反復的な制御された変更を実行する方法であって、 前記第１および第２のドープされた領域の各々の部分を含む選択されたエリア
に集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記ドープされた第１の領域の前記部分から前記ドープされた第２の領域の前
記部分へのドーパントの制御された拡散を可能にすることを特徴とする方法を提
供する。 本発明のある実施の形態によれば、半導体コンポーネントの予め選択された領 域の相対的ドーパントプロファイルを反復的に制御して変更する方法であって、 前記半導体コンポーネントは、異なるドーパント濃度の２つの隣接するドープさ れた領域を備え、前記方法は、 ａ）異なるドーパント濃度を有する第１のドープされた領域および第２のドー プされた領域の各々の一部分を含む予め選択されたエリアへチューニングサイク ルを印加するステップであって、前記チューニングサイクルは、 ｉ）予め定められたパルス持続期間が、前記予め選択されたエリアを溶融し 、かつ、前記予め選択されたエリアの前記ドーパントプロファイルを変更すると ともに前記パルスに引き続いて前記溶融され予め選択されたエリアを変更された ドーパントプロファイルで固化するのを可能にするのに十分となるように、集束 される加熱源から、予め定められた加熱パルスを導く処理を備える加熱／冷却段 階、 ii）前記加熱／冷却処理に引き続く前記半導体コンポーネントの前記相対的 ドーパントプロファイルを規定する段階、および、 iii）予め定められた相対的ドーパントプロファイルで前記処理ii）から得
られた前記相対的ドーパントプロファイルを比較する段階を備えるステップと、 ｂ）必要な場合には、前記予め定められた相対的ドーパントプロファイルが達 成されるまで、前記チューニングサイクルを１回またはさらなる付加回数だけ繰 り返すステップとを備えることを特徴とする方法が提供される 。 本発明の他の形態によると、半導体集積デバイスのインピーダンスを、弱くド
ープされた領域に隣接して構成および配置された強くドープされた領域のドーパ
ント分布プロファイルを制御して変更することにより反復的かつ正確にチューニ
ングする方法であって、 前記弱くドープされた領域と前記強くドープされた領域の各々の部分にまたが
る選択されたエリアに集束される加熱源を導くステップと、 少なくとも１つの加熱パルスを前記選択されたエリアに、各加熱パルスが前記
選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、前記の溶融および固化の各サイクル
が前記強くドープされた領域の前記部分から前記弱くドープされた領域の前記部
分へのドーパントの制御された拡散を可能にしていることを特徴とする方法が提
供される。 本発明の他の形態によれば、半導体コンポーネントのインピーダンスを反復的 に制御して変更する方法であって、前記半導体コンポーネントは、異なるドーパ ント濃度の２つの隣接するドープされた領域を備え、前記方法は、 ａ）異なるドーパント濃度を有する第１のドープされた領域および第２のドー プされた領域の各々の一部分を含む予め選択されたエリアへチューニングサイク ルを印加するステップであって、前記チューニングサイクルは、 ｉ）予め定められたパルス持続期間が、前記予め選択されたエリアを溶融し 、かつ、前記予め選択されたエリアの前記ドーパントプロファイルを変更すると ともに前記パルスに引き続いて前記溶融され予め選択されたエリアを変更された ドーパントプロファイルで固化するのを可能にするのに十分となるように、集束 される加熱源から、予め定められた加熱パルスを導く処理を備える加熱／冷却処 理の段階、 ii）前記加熱／冷却処理に引き続く前記半導体コンポーネントの前記インピ ーダンスを規定する段階、および、 iii）予め定められた相対的ドーパントプロファイルで前記処理ii）から得
られた前記インピーダンスを比較する段階を備えるステップと、 ｂ）必要な場合には、前記予め定められたインピーダンスが達成されるまで、 前記チューニングサイクルを１回またはさらなる付加回数だけ繰り返すステップ とを備えることを特徴とする方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
チューニング可能な半導体集積デバイスは、さらに、強くドープされた領域３
および４の中間に配置された弱くドープされた領域５を含む。弱くドープされた
領域５は、強くドープされた領域３および４と同じドーパントでドープされてい
ても、また、隣接する強くドープされた領域３および４に存在するものと異なる
ドーパントでドープされていることもある。弱くドープされた領域５は、強くド
ープされた領域３および４と隣接し、それに当接するように配置されている。弱
くドープされた領域５におけるドーパントのタイプおよび濃度は、本発明の方法
のステップを適用する前には強くドープされた領域３と４の間で何も電流が流れ
ないようなもの、すなわち、弱くドープされた領域の電気抵抗が十分に高く、（
全部ではないとしても大部分の）電流が強くドープされた領域３と４の間で流れ
るのが妨げられるようなものである。理解されるように、弱くドープされた領域
のドーパントのタイプが強くドープされた領域のドーパントのタイプと異なる場
合、デバイスは極性が反対になった２つのダイオードと同等であり、これは電流
が流れることを許さない。また、領域３および４でも、領域５におけると同様に
同じタイプのドーパントが用いられている場合、弱くドープされた領域５におけ
るドーパントの濃度レベルが、ある程度の電流が強くドープされた領域３と４の
間で流れることができるようなものである、すなわち、弱くドープされた領域５
の電気抵抗がそこを流れる電流をすべてストップするほど高くないということが
ある。この実施の形態によると、この方法のステップを用いて弱くドープされた
領域の抵抗を必要に応じて変更、すなわち、下げたり上げたりすることができる
。図１に示される形では、半導体集積デバイスは、窒化シリコンＳｉ3Ｎ4などの
パッシベーション層（passivation layer）７を含むものとして示されている。
さらに、デバイスはまた、二酸化シリコンＳｉＯ2などの酸化物層６を含むもの
として示されている。
および４の中間に配置された弱くドープされた領域５を含む。弱くドープされた
領域５は、強くドープされた領域３および４と同じドーパントでドープされてい
ても、また、隣接する強くドープされた領域３および４に存在するものと異なる
ドーパントでドープされていることもある。弱くドープされた領域５は、強くド
ープされた領域３および４と隣接し、それに当接するように配置されている。弱
くドープされた領域５におけるドーパントのタイプおよび濃度は、本発明の方法
のステップを適用する前には強くドープされた領域３と４の間で何も電流が流れ
ないようなもの、すなわち、弱くドープされた領域の電気抵抗が十分に高く、（
全部ではないとしても大部分の）電流が強くドープされた領域３と４の間で流れ
るのが妨げられるようなものである。理解されるように、弱くドープされた領域
のドーパントのタイプが強くドープされた領域のドーパントのタイプと異なる場
合、デバイスは極性が反対になった２つのダイオードと同等であり、これは電流
が流れることを許さない。また、領域３および４でも、領域５におけると同様に
同じタイプのドーパントが用いられている場合、弱くドープされた領域５におけ
るドーパントの濃度レベルが、ある程度の電流が強くドープされた領域３と４の
間で流れることができるようなものである、すなわち、弱くドープされた領域５
の電気抵抗がそこを流れる電流をすべてストップするほど高くないということが
ある。この実施の形態によると、この方法のステップを用いて弱くドープされた
領域の抵抗を必要に応じて変更、すなわち、下げたり上げたりすることができる
。図１に示される形では、半導体集積デバイスは、窒化シリコンＳｉ3Ｎ4などの
パッシベーション層（passivation layer）７を含むものとして示されている。
さらに、デバイスはまた、二酸化シリコンＳｉＯ2などの酸化物層６を含むもの
として示されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図１１および図１２に目を向けると、そこにはレーザなどの集束される加熱源
を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するための装置１００の一
般的な実施の形態が図示されている。集積回路１１０が位置決めテーブル１０１ に載せられ、集束される加熱源１０３によって生成される加熱源１０５が印加さ
れる。加熱源１０５は光学レンズまたは磁場レンズ１０７を用いて集積回路１１
０に集束され、加熱源１０５を正確に整列させるためにカメラとミラーのシステ
ムによって観察できるようになっている。図１２は、装置１００をさらに詳しく
示している。レーザ１０３がシャッター１１６に結合され、その各々がコンピュ
ータ１０８として示される制御システムによって制御される。コンピュータ１０
８には、位置決め装置１０１の制御メカニズム１０９も結合されている。装置１
００はさらにカメラ１１２と光源１１４を備えている。装置１００の他のコンポ
ーネントはビームスプリッタ１１３と選択ミラー１２０である。
を用いて半導体集積デバイスのインピーダンスを変更するための装置１００の一
般的な実施の形態が図示されている。集積回路１１０が位置決めテーブル１０１ に載せられ、集束される加熱源１０３によって生成される加熱源１０５が印加さ
れる。加熱源１０５は光学レンズまたは磁場レンズ１０７を用いて集積回路１１
０に集束され、加熱源１０５を正確に整列させるためにカメラとミラーのシステ
ムによって観察できるようになっている。図１２は、装置１００をさらに詳しく
示している。レーザ１０３がシャッター１１６に結合され、その各々がコンピュ
ータ１０８として示される制御システムによって制御される。コンピュータ１０
８には、位置決め装置１０１の制御メカニズム１０９も結合されている。装置１
００はさらにカメラ１１２と光源１１４を備えている。装置１００の他のコンポ
ーネントはビームスプリッタ１１３と選択ミラー１２０である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図１３に目を向けると、図１３には半導体集積デバイスで与えられた抵抗を得
るために必要な印加の回数の例を示すチャートが示されている。チャートは、反
復的ステップで変えることができる集束される加熱源のいろいろな特性のいくつ
かを示している。第１欄は、集束される加熱源の印加の回数を示し、第２欄は、
集束される加熱源の出力をミリワットで表し、第３欄は、集束される加熱源の印
加時間を（マイクロ秒で）表し、第４欄は、集束される加熱源の直径をマイクロ
メーターで示し、最後の欄はこの例の半導体集積デバイスで達成された抵抗値で
ある。例えば、第１回の印加は、出力が１４００ミリワットの集束される加熱源
を用いて、１．４マイクロ秒印加され、集束されたビーム源の直径は４マイクロ
メーターである。得られた抵抗は１８８．９オームである。同一の特性を有する
第２回目の印加が行われ、半導体集積デバイスの抵抗は１４８．６オームに減少
した。第３回目の印加では、レーザ印加の出力は変わらなかったが、印加時間は
１．４マイクロ秒から０．９６マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４２．
８オームであった。第４回目の印加では、レーザのパワーは変わらなかったが、
印加時間は０．４８マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４１．４オームに
低下した。第５回目の印加では、パワーは２００ミリワットに減らし、印加時間
は０．４８マイクロ秒のままで、抵抗値は１４０．１オームに低下した。最後に
、第６回目の最後の印加では、集束される加熱源の特性は変わらないままで、抵
抗は１４０．０オームに低下した。見られるように、本発明のこの実施の形態に
よる最後の反復ではデバイスのインピーダンスに０．１オームの変化が生じたが
、これはデバイスの非常に微細なチューニングであると考えることができる。
るために必要な印加の回数の例を示すチャートが示されている。チャートは、反
復的ステップで変えることができる集束される加熱源のいろいろな特性のいくつ
かを示している。第１欄は、集束される加熱源の印加の回数を示し、第２欄は、
集束される加熱源の出力をミリワットで表し、第３欄は、集束される加熱源の印
加時間を（マイクロ秒で）表し、第４欄は、集束される加熱源の直径をマイクロ
メーターで示し、最後の欄はこの例の半導体集積デバイスで達成された抵抗値で
ある。例えば、第１回の印加は、出力が１４００ミリワットの集束される加熱源
を用いて、１．４マイクロ秒印加され、集束されたビーム源の直径は４マイクロ
メーターである。得られた抵抗は１８８．９オームである。同一の特性を有する
第２回目の印加が行われ、半導体集積デバイスの抵抗は１４８．６オームに減少
した。第３回目の印加では、レーザ印加の出力は変わらなかったが、印加時間は
１．４マイクロ秒から０．９６マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４２．
８オームであった。第４回目の印加では、レーザのパワーは変わらなかったが、
印加時間は０．４８マイクロ秒に短縮され、得られた抵抗は１４１．４オームに
低下した。第５回目の印加では、パワーは２００ミリワットに減らし、印加時間
は０．４８マイクロ秒のままで、抵抗値は１４０．１オームに低下した。最後に
、第６回目の最後の印加では、集束される加熱源の特性は変わらないままで、抵
抗は１４０．０オームに低下した。見られるように、本発明のこの実施の形態に
よる最後の反復ではデバイスのインピーダンスに０．１オームの変化が生じたが
、これはデバイスの非常に微細なチューニングであると考えることができる。
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フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，
ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ
Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ
，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，
ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，
ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＨ，Ｃ
Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ
，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，
ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ
Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ
，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，
ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，Ｓ
Ｅ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ
，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 サバリア，イボン
カナダ国，ケベック エイチ３エム １ジ
ェイ６，モントリオール，シャーニー
2705
(72)発明者 ムニエール，ミッシェル
カナダ国，ケベック エイチ８ワイ ３エ
ル２，ピエールフォンズ，フェリックス
マクラーナン 4949
Ｆターム(参考） 5F038 AR02 AR12 AV03 EZ20
Claims (26)
- 【請求項１】 半導体集積デバイス（１）の第１のｄｄ領域および隣接する
第２のドープされた領域の相対的ドーパント分布プロファイルを反復的に制御し
て変更する方法であって、前記第２のドープされた領域は、前記第１のドープさ
れた領域よりも低いドーパント濃度を有し、前記方法は、 前記第１および第２のドープされた領域の各々の一部分を含む選択されたエリ
アへ集束される加熱源を導くステップと、 前記選択されたエリアに少なくとも１つの加熱パルスを、前記加熱パルスの各
々が前記選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に、前記溶融した選択
されたエリアを固化させるステップとを備え、 それにより、前記溶融および固化の各サイクルが前記第１のドープされた領域
の前記部分から前記第２のドープされた領域の前記部分へのドーパントの制御さ
れた拡散を可能にすることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記加熱パルスの各々の印
加の後、前記第１および第２のドープされた領域の相対的ドーパントプロファイ
ルが決定され、必要な場合には、前記第１のドープされた領域の前記部分から前
記第２のドープされた領域の前記部分へ拡散するドーパントの量をさらに正確に
制御できるように、その後の加熱パルスの特性がその印加の前に調整されること
を特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の方法において、前記第１のドープ
された領域の前記ドーパントおよび前記第２のドープされた領域の前記ドーパン
トは、ホウ素、リン、アルミニウム、アンチモン、砒素、ガリウム、インジウム
、リチウム、タリウムおよびビスマスを備えるグループから選択されることを特
徴とする方法。 - 【請求項４】 半導体集積デバイス（１）のインピーダンスを、弱くドープ
された領域に隣接して構成および配置された強くドープされた領域のドーパント
分布プロファイルの制御された変更によって反復的かつ正確にチューニングする
方法であって、前記方法は、 前記弱くドープされた領域と前記強くドープされた領域の各々の一部分にまた
がる選択されたエリアへ集束される加熱源を導くステップと、 前記選択されたエリアに少なくとも１つの加熱パルスを、前記加熱パルスの各
々が前記選択されたエリアを溶融するように印加するステップと、 前記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した選択さ
れたエリアを固化させるステップとを備え、 それにより、前記溶融および固化の各サイクルが前記強くドープされた領域の
前記部分から前記弱くドープされた領域の前記部分へのドーパントの制御された
拡散を可能にすることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の方法において、前記加熱パルスの各々の印
加の後、前記半導体集積デバイスのインピーダンスが決定され、必要な場合には
、前記強くドープされた領域から前記弱くドープされた領域へ拡散するドーパン
トの量をさらに正確に制御できるように、その後の加熱パルスの特性がその印加
の前に調整されることを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の方法において、前記強くドープさ
れた領域および前記弱くドープされた領域のドーパントは、ホウ素、リン、アル
ミニウム、アンチモン、砒素、ガリウム、インジウム、リチウム、タリウムおよ
びビスマスを備えるグループから選択されることを特徴とする方法。 - 【請求項７】 第１のドープされた領域が第２および第３のドープされた領
域を離隔して成る半導体集積デバイス（１）のインピーダンスを、前記第２およ
び第３のドープされた領域から前記第１のドープされた領域へのドーパントの制
御された拡散によって反復的かつ正確にチューニングする方法であって、前記方
法は、 前記第１のドープされた領域の少なくとも一部分および前記第２および第３の
ドープされた領域の各々の少なくとも一部分を含む選択されたエリアへ集束され
る加熱源を導くステップと、 前記選択されたエリアに少なくとも１つの加熱パルスを印加するステップとを
備え、 それにより、前記加熱パルスの各々は前記第１のドープされた領域の前記部分
および前記第２および第３のドープされた領域の各々の前記部分を溶融させ、前
記単数または複数の加熱パルスの各引き続く印加の間に前記溶融した部分を固化
させ、かつ それにより、前記溶融および固化の各サイクルが前記第２および第３のドープ
された領域の前記部分から前記第１のドープされた領域の前記部分へのドーパン
トの制御された拡散を可能にすることを特徴とする方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の方法において、前記第１のドープされた領
域のドーパント濃度が前記第２または第３のドープされた領域のいずれのドーパ
ント濃度よりも低いことを特徴とする方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の方法において、前記加熱パルスの各々の印
加の後、前記半導体集積デバイスのインピーダンスが決定され、必要な場合には
、前記第２および第３のドープされた領域から前記第１のドープされた領域へ拡
散するドーパントの量をさらに正確に制御できるように、その後の加熱パルスの
特性がその印加の前に調整されることを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法において、前記
第１のドープされた領域、前記第２のドープされた領域および前記第３のドープ
された領域のドーパントは、ホウ素、リン、アルミニウム、アンチモン、砒素、
ガリウム、インジウム、リチウム、タリウムおよびビスマスを備えるグループか
ら選択されることを特徴とする方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法において、前
記加熱パルスのエネルギーが十分に低く前記半導体集積デバイスを損傷するのが
回避されることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法において、前
記半導体集積デバイスの製造後に前記第１の加熱パルスの印加の前にイオン打ち
込みステップが必要とされないことを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 半導体集積デバイス（１）のインピーダンスを、第１のド
ーパント濃度を有する第１の領域から前記第１の領域よりも低いドーパント濃度
を有する直接隣接する第２の領域へのドーパントの制御された拡散によって反復
的、選択的かつ正確にチューニングする方法であって、 前記第１の領域および前記第２の領域の各々の一部分にまたがる選択されたエ
リアへ集束される加熱源を導くステップと、 前記集束される加熱源からの加熱パルスをそれに印加し、前記加熱パルスが前
記選択されたエリアを溶融して前記第１の領域から前記第２の領域へのドーパン
トの制御された拡散を可能にするステップと、 前記溶融した選択されたエリアを固化させて、前記固化した選択されたエリア
が今度は前記第１の領域および前記第２の領域のドーパント濃度の中間にあるド
ーパント濃度を有する第３の領域になるステップと、 前記半導体デバイスのインピーダンスを測定して、前記インピーダンスが必要
とされるものより高いか低いかを判定するステップとを備え、 前記インピーダンスが必要とされるものよりも高い場合は、 −前記集束される加熱源を前記第３の領域に隣接する第１の領域の一部分に
導き、それに加熱パルスを印加し、前記加熱パルスが前記第１の領域の前記部分
を溶融し、さらに、前記隣接する第３の領域を溶融して、前記第１の領域の前記
溶融した部分から前記溶融した第３の領域への追加ドーパントの制御された拡散
を可能にするステップと、 −前記溶融したエリアを固化させるステップと、 −前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ス
テップを繰り返すステップとを備え、 前記インピーダンスが必要とされるものより低い場合は、 −前記集束される加熱源を前記第３の領域に隣接する第２の領域の一部分に
導き、それに加熱パルスを印加し、前記加熱パルスが前記第２の領域の前記部分
を溶融し、さらに前記隣接する第３の領域を溶融して、前記第３の領域から前記
第２の領域の前記溶融した部分へのドーパントの制御された拡散を可能にするス
テップと、 −前記溶融したエリアを固化させるステップと、 −前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ス
テップを繰り返すステップとを備えることを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の方法において、前記加熱パルスの各々
の印加の後、前記半導体集積デバイスのインピーダンスが決定され、必要な場合
には、いずれか１つの領域から他の領域へ拡散するドーパントの量をさらに正確
に制御できるように、その後の加熱パルスの特性がその印加の前に調整されるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 請求項２、５、９または１４のいずれか１項に記載の方法
において、各加熱パルスの持続時間が１．０ピコ秒から１０マイクロ秒までの間
であることを特徴とする方法。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の方法において、各加熱パルスの持続時
間が１．０フェムト秒から１．０ミリ秒までの間であることを特徴とする方法。 - 【請求項１７】 請求項２、５、９または１４のいずれか１項に記載の方法
において、各加熱パルスの特性は、 −前記パルスの持続時間、 −前記加熱パルスのパワー、 −前記加熱パルスのスポット直径、および、 −前記加熱パルスの印加の位置決めと角度を備えることを特徴とする方法。 - 【請求項１８】 請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の方法において、
前記ドーパントは、ホウ素、リン、アルミニウム、アンチモン、砒素、ガリウム
、インジウム、リチウム、タリウムおよびビスマスを備えるグループから選択さ
れることを特徴とする方法。 - 【請求項１９】 請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の方法において、
前記加熱パルスのエネルギーが十分に低く前記半導体集積デバイスを損傷するこ
とが回避されることを特徴とする方法。 - 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法において、前
記集束される加熱源がレーザおよび電子ビームを備えるグループから選択される
ことを特徴とする方法。 - 【請求項２１】 請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法において、前
記半導体集積デバイス（１）は、シリコン、ガリウム砒素、シリコン−ゲルマニ
ウム、周期律表のIII−Ｖ族およびII−VI族から選ばれた化合物、並びに、IV−I
V族合金を有する化合物を備えるグループから選択される物質を有する基板を備
えることを特徴とする方法。 - 【請求項２２】 請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法において、前
記ドープされた領域がすべて同じ平面にあるように構成および配置されているこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２３】 制御された選択的な反復的チューニングに適したチューニ
ング可能な半導体集積デバイス（１）であって、前記デバイス（１）は、 第１のドープされた領域と、 第２のドープされた領域と、 前記第１または第２のドープされた領域のいずれのドーパント濃度よりも小さ
いドーパント濃度を有し、前記第３の領域が前記第１のドープされた領域および
前記第２のドープされた領域の各々に隣接するように構成および配置された第３
の領域と、 前記第１のドープされた領域および前記第２のドープされた領域の各々の少な
くとも１つが前記第３の領域に突出して配置された突起とを備えることを特徴と
する半導体集積デバイス。 - 【請求項２４】 制御された選択的な反復的チューニングに適したチューニ
ング可能な半導体集積デバイス（１）であって、前記デバイス（１）は、 第１および第２の主チューニングアーム（５０，５１）であって、該第１およ
び第２の主チューニングアーム（５０，５１）のいずれのドーパント濃度よりも
低いドーパント濃度の領域によって離隔されている前記第１および第２の主チュ
ーニングアーム（５０，５１）と、 第３および第４の二次チューニングアーム（５４，５５）であって、該第３お
よび第４の二次チューニングアーム（５４，５５）のいずれのドーパント濃度よ
りも低いドーパント濃度の領域によって離隔されている前記第３および第４の二
次チューニングアーム（５４，５５）とを備え、 前記第３の二次チューニングアーム（５４）は前記第１の主チューニングアー
ム（５０）に結合するように構成および配置され、前記第４の二次チューニング
アーム（５５）は前記第２の主チューニングアーム（５１）に結合するように構
成および配置されていることを特徴とする半導体集積デバイス。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の半導体集積デバイスにおいて、前記第
１および第２の主チューニングアーム（５０，５１）の各々が他方の方へ配置さ
れた突起を備えていることを特徴とする半導体集積デバイス（１）。 - 【請求項２６】 請求項２４に記載の半導体集積デバイスにおいて、前記第
３および第４の二次チューニングアーム（５４，５５）の各々が他方の方へ配置
された突起を備えていることを特徴とする半導体集積デバイス（１）。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/332,059 | 1999-06-14 | ||
| US09/332,059 US6329272B1 (en) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | Method and apparatus for iteratively, selectively tuning the impedance of integrated semiconductor devices using a focussed heating source |
| PCT/CA2000/000715 WO2000077836A1 (en) | 1999-06-14 | 2000-06-13 | Method and apparatus for tuning the impedance of integrated semiconductor devices |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003502841A true JP2003502841A (ja) | 2003-01-21 |
| JP2003502841A5 JP2003502841A5 (ja) | 2005-11-17 |
| JP4245294B2 JP4245294B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=23296552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001503218A Expired - Fee Related JP4245294B2 (ja) | 1999-06-14 | 2000-06-13 | 半導体集積デバイスのインピーダンスをチューニングする方法および装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6329272B1 (ja) |
| EP (1) | EP1188178A1 (ja) |
| JP (1) | JP4245294B2 (ja) |
| AU (1) | AU5382600A (ja) |
| CA (2) | CA2277607C (ja) |
| WO (1) | WO2000077836A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014914A (ja) * | 2010-07-20 | 2011-01-20 | Emd:Kk | 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335208B1 (en) * | 1999-05-10 | 2002-01-01 | Intersil Americas Inc. | Laser decapsulation method |
| WO2004017409A1 (en) * | 2002-08-14 | 2004-02-26 | Technologies Ltrim Inc. | Method for modifying the impedance of semiconductor devices using a focused heating source |
| CA2398166A1 (en) * | 2002-08-14 | 2004-02-14 | Technologies Ltrim Inc. | Method for modifying the impedance of semiconductor devices using a focused heating source |
| US7714694B2 (en) * | 2004-09-21 | 2010-05-11 | Microbridge Technologies Canada, Inc. | Compensating for linear and non-linear trimming-induced shift of temperature coefficient of resistance |
| US7261461B2 (en) * | 2004-09-23 | 2007-08-28 | Microbridge Technologies Inc. | Measuring and trimming circuit components embedded in micro-platforms |
| US7426381B2 (en) * | 2005-03-23 | 2008-09-16 | Oracle International Corporation | Device billing agent |
| US20070117227A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Gsi Group Corporation | Method And System for Iteratively, Selectively Tuning A Parameter Of A Doped Workpiece Using A Pulsed Laser |
| CA2533225C (en) | 2006-01-19 | 2016-03-22 | Technologies Ltrim Inc. | A tunable semiconductor component provided with a current barrier |
| US20090075402A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Michel Meunier | Manipulation of focused heating source based on in situ optical measurements |
| US11240881B2 (en) | 2019-04-08 | 2022-02-01 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method of manufacturing and adjusting a resistive heater |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633822A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Hitachi Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS59229838A (ja) * | 1984-05-21 | 1984-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH03289168A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05243499A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路およびその製造方法 |
| JPH0613549A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPH08511380A (ja) * | 1994-04-07 | 1996-11-26 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 薄膜電界効果トランジスタを具える電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3191151A (en) | 1962-11-26 | 1965-06-22 | Fairchild Camera Instr Co | Programmable circuit |
| US4298855A (en) | 1980-08-26 | 1981-11-03 | Honeywell Inc. | Conductive polymer film humidity sensor |
| US4585490A (en) | 1981-12-07 | 1986-04-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of making a conductive path in multi-layer metal structures by low power laser beam |
| US4810663A (en) | 1981-12-07 | 1989-03-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of forming conductive path by low power laser pulse |
| US4694568A (en) | 1982-01-07 | 1987-09-22 | North American Philips Corporation | Method of manufacturing chip resistors with edge around terminations |
| US4636404A (en) | 1982-06-17 | 1987-01-13 | Mass. Institute Of Technology | Method and apparatus for forming low resistance lateral links in a semiconductor device |
| JPS59125121A (ja) | 1982-12-29 | 1984-07-19 | Fujitsu Ltd | Ｒ―２ｒラダーデジタル―アナログ変換回路 |
| DE3319605A1 (de) | 1983-05-30 | 1984-12-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor mit polykristallinen silicium-widerstaenden |
| GB8403968D0 (en) | 1984-02-15 | 1984-03-21 | Heraeus Gmbh W C | Chip resistors |
| US4566936A (en) | 1984-11-05 | 1986-01-28 | North American Philips Corporation | Method of trimming precision resistors |
| GB8531324D0 (en) | 1985-12-19 | 1986-01-29 | Gen Electric Co Plc | Circuit arrangement |
| US4792779A (en) | 1986-09-19 | 1988-12-20 | Hughes Aircraft Company | Trimming passive components buried in multilayer structures |
| US4843034A (en) | 1987-06-12 | 1989-06-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of interlayer conductive paths in integrated circuits |
| JPH0718964B2 (ja) | 1987-06-29 | 1995-03-06 | 日本電信電話株式会社 | 集積光デバイスおよびその製造方法 |
| US5075241A (en) | 1988-01-29 | 1991-12-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a recessed contact bipolar transistor and field effect device |
| US4937475B1 (en) | 1988-09-19 | 1994-03-29 | Massachusetts Inst Technology | Laser programmable integrated circuit |
| US4929923A (en) | 1989-05-26 | 1990-05-29 | Harris Corporation | Thin film resistors and method of trimming |
| US5124596A (en) | 1989-09-18 | 1992-06-23 | Analog Devices, Inc. | Single-temperature-trimmable fet input circuit having active channel segments of different areas |
| US5284794A (en) | 1990-02-21 | 1994-02-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of making semiconductor device using a trimmable thin-film resistor |
| IL94340A (en) | 1990-05-09 | 1994-05-30 | Vishay Israel Ltd | Selectable high precision resistor and technique for production thereof |
| US5119538A (en) | 1990-08-10 | 1992-06-09 | Ranco Incorporated Of Delaware | Method of making a temperature sensor |
| JP2725714B2 (ja) | 1991-01-04 | 1998-03-11 | シャープ株式会社 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| US5110758A (en) | 1991-06-03 | 1992-05-05 | Motorola, Inc. | Method of heat augmented resistor trimming |
| US5233327A (en) | 1991-07-01 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Active resistor trimming by differential annealing |
| US5262615A (en) | 1991-11-05 | 1993-11-16 | Honeywell Inc. | Film resistor made by laser trimming |
| US5209122A (en) | 1991-11-20 | 1993-05-11 | Delco Electronics Corporation | Pressurer sensor and method for assembly of same |
| US5389956A (en) | 1992-08-18 | 1995-02-14 | Xerox Corporation | Techniques for improving droplet uniformity in acoustic ink printing |
| US5420515A (en) | 1992-08-28 | 1995-05-30 | Hewlett-Packard Company | Active circuit trimming with AC and DC response trims relative to a known response |
| US5265114C1 (en) | 1992-09-10 | 2001-08-21 | Electro Scient Ind Inc | System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device |
| GB2276725B (en) | 1993-04-01 | 1996-10-02 | Ford Motor Co | Calibrating a mass air flow sensor |
| DE69427501T2 (de) | 1993-04-05 | 2002-05-23 | Denso Corp., Kariya | Halbleiteranordnung mit Dünnfilm-Widerstand |
| US5507171A (en) | 1994-04-15 | 1996-04-16 | Ssi Technologies, Inc. | Electronic circuit for a transducer |
| US5685995A (en) | 1994-11-22 | 1997-11-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser functional trimming of films and devices |
-
1999
- 1999-06-14 US US09/332,059 patent/US6329272B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-16 CA CA002277607A patent/CA2277607C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-16 CA CA002671386A patent/CA2671386A1/en not_active Abandoned
-
2000
- 2000-06-13 WO PCT/CA2000/000715 patent/WO2000077836A1/en active Search and Examination
- 2000-06-13 AU AU53826/00A patent/AU5382600A/en not_active Abandoned
- 2000-06-13 EP EP00938414A patent/EP1188178A1/en not_active Withdrawn
- 2000-06-13 JP JP2001503218A patent/JP4245294B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633822A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Hitachi Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS59229838A (ja) * | 1984-05-21 | 1984-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH03289168A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05243499A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路およびその製造方法 |
| JPH0613549A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPH08511380A (ja) * | 1994-04-07 | 1996-11-26 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 薄膜電界効果トランジスタを具える電子デバイスの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014914A (ja) * | 2010-07-20 | 2011-01-20 | Emd:Kk | 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000077836A1 (en) | 2000-12-21 |
| AU5382600A (en) | 2001-01-02 |
| CA2277607C (en) | 2009-07-07 |
| CA2277607A1 (en) | 2000-12-14 |
| JP4245294B2 (ja) | 2009-03-25 |
| US6329272B1 (en) | 2001-12-11 |
| CA2671386A1 (en) | 2000-12-14 |
| EP1188178A1 (en) | 2002-03-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040426 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080314 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080324 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080617 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080618 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080617 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080812 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081117 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081118 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081226 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090106 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |