JP2003502266A - ダイアモンド状の炭素構造の動的化学的製造方法、ダイアモンド状の炭素構造、ダイアモンド状の炭素構造の使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ダイアモンド状の炭素構造の動的化学的製造のために、閉じた容器の中でハイブリッドの炭素相が与えられ、相はエネルギーキャリアにより化学反応し、反応生成物として分散し凝縮された炭素は得られる。この反応生成物は原子の水素に保持される低温プラズマにさらされ、その結果非常に純粋な立方晶形の格子構造への炭素の相変換が達成される。これにより、約１００％の立方晶形のダイアモンド相の純度を持つダイアモンド状の炭素構造を獲得しなければならない。結晶子の大きさは５ｎｍから５０ｎｍで、クラスターの規模は５０ｎｍから２０ｍである。ディスパージョン中の粒子直径は４０ｎｍから５００ｎｍである。本発明による炭素構造は、電気的絶縁体や熱伝導手段としての、硬い材料の表面処理に適する。このためにダイアモンド状の炭素構造は、懸濁液、ディスパージョン、エマルジョン、スプレイ、ペースト、油脂、ワックス、またはラッカーシステムに加えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （技術分野） 本発明は、閉じた容器の中にハイブリッドの炭素相を与え、反応生成物として
分散し凝縮した炭素を形成するために、エネルギーキャリアにより化学反応を導
いてダイアモンド状の炭素構造を動的化学的に製造する方法に関する。本発明は
更に、様々なダイアモンド状の炭素構造とこのような炭素構造の使用に関連する
。

【０００２】 （背景技術） 分散し凝縮した炭素は相を変えられた炭素構造として、特に合成ダイヤモンド
に属するものとして生成される。静的な系で触媒を用いる高温高圧法、衝撃圧力
法、物理的気相沈着法（ＰＶＤ）、化学的気相沈着法（ＣＶＤ）と組み合わせの
方法の他に、高エネルギー物質の化学的置換と結合を基盤とし、主として分散、
また超分散のシステムで六方晶形と立方晶形の炭素構造を導く、いわゆる動的な
方法が使用される。

【０００３】 ダイアモンド状の炭素構造を動的化学的に製造する基盤は、主として負の酸素
の高エネルギーの物質の化学的な置換で短時間に生じる規則構造形成である。規
則構造の形成は、これらの物質の化学反応で放出されジェネレータガス反応に特
徴的な凝縮された炭素が、より高度に構造化された結晶格子構造に相が移行する
という条件にさらされることである。

【０００４】 炭素を含むエネルギーキャリアの化学反応は通常、負の酸素の開始剤により達
成され、閉じた高圧容器内で不活性ガス雰囲気下で行われる。その際圧力をかけ
られた特別な不活性ガスまたはその混合物により適切な不活性ガス雰囲気を達成
するために、大気中の酸素は、広範囲に容器システムの真空化により減少されな
ければならない。これらの不活性ガス雰囲気は高度に構造化された炭素相の再黒
鉛化を抑制する。

【０００５】 しかしこの方法は技術的にまたテクノロジー的に非常に手間がかかり不経済で
ある。反応プロセス中での超分散し凝縮した炭素相の調製にもかかわらず、使用
される反応・または消費材料の質量に関して、それぞれ製造され望ましい炭素構
造の約８．０％から１０．０重量％という、経済的に著しく低い形成率しか達成
されない。

【０００６】 このためこの種のテクノロジーは工業テクノロジーとしてまた経済的に好適で
ない。

【０００７】 この方法で製造されるより高度に構造化された炭素体は４０％以下の六方晶形
のダイアモンド構造（粗悪なＬｏｎｓｔｅｌｉｔ）と３０％以下のレントゲンア
モルファスの相を含み、残りは立方晶形のダイアモンドであるが、相純度は８５
％から９５％以上ではない。これにより、その技術的工業的使用可能性が著しく
制限される、実際に構造決定不可能な炭素の特性を持つ異なる炭素構造の混合物
が存在する。

【０００８】 更に材料表面のこれらの物質の形態コンフィグは、表面の極性の決定を難しく
し過ぎる。それに伴い全体が他の物質と結合する必要なプロセスを困難にするま
たは不可能にする、多くの反応性にとんだグループと炭素原子を含む。

【０００９】 （発明の開示） 本発明は、経済的な製造方法と同時に高い相純度を可能にする、ダイアモンド
状の炭素構造の動的化学的製造方法を開発するという課題を基盤とする。更に一
定の特性を持つダイアモンド状の炭素構造を調製し、このような物質の新しい使
用を提案しなければならない。

【００１０】 課題は、反応生成物が原子の水素で保持された低温プラズマにさらされ、炭素
組みあわせから非常に純粋な立方晶形の格子構造への相転換が達成される方法に
より解決される。

【００１１】 原子の水素で保持された低温プラズマの使用が、非常に純粋な立方晶形の格子
構造を非常に大量に試製するプロセスを導くことが判明したのは驚くべきことで
ある。

【００１２】 主として付加的に炭素スペンダーシステムが導入される。この炭素スペンダー
システムは主として液状またはガス状の炭素化合物を含み、その際特に有機炭素
化合物により特に優れたプロセス結果が達成された。

【００１３】 本発明は、ハイブリッドの炭素システム、特にエネルギーキャリアの化学的置
換の時に生じる凝縮された炭素と結合した液状の炭素化合物が、高エネルギーで
短時間の化学的熱ガスダイナミックなプロセスに、一方では凝縮された炭素の形
成が化学量論的に支持され、他方では共有原子価が使用されたエネルギーキャリ
アの化学反応からの既に形成されたまたは沈殿されたクラスターを核とし最適に
複雑なシステム中で実行され得るように導入できる、という知識を基盤とする。

【００１４】 化学的物理的形成プロセスはその際、^ｎＨ≧９．１２ｘ１０^１７を加えた原子
の水素を含む低温プラズマの条件で、追加されたハイブリッド化によるエレクト
ロンの獲得が主として分散によらず、無拡散メカニズムにより行われるまで支持
される。

【００１５】 これによりダイアモンド状の炭素構造が工業テクノロジー的にナノ・ミクロス
ケールの結晶領域で、またクラスター・多結晶質の構造中で、新しい強度特性に
より経済的に製造することが可能になる。このように製造されたダイアモンド状
の炭素構造は技術的に、フラーレン、ハイパーフラーレン、ナノチューブ、オニ
オン状炭素（ＯＬＣ）などのようなより高度に構造化された炭素システムの生成
のための出発材料を形成できる。

【００１６】 本発明の対象は更に、立方晶形のダイアモンド相の純度が９９％、主として１
００％（ＮＪＣ スキャン １／Ｘ−Ｒａｙ−パターン）と、優れたダイアモン
ド状の炭素構造である。結晶子の大きさは５ｎｍから５０ｎｍである（Ｘ線解析
）。５０ｎｍから２０ｍのクラスターの規模（走査型電子顕微鏡）と４０ｎｍか
ら５００ｎｍの分散中の粒子直径が達成された（光子相関分光計）。レントゲン
アモルファス相は生じない。

【００１７】 方法ガイドにより材料の様々なパラメーターを変化させるまたは他の元素を組
み込むことができる：固有表面値、固有磁気化特性、ゼータ電位、固有電気抵抗
値、水蒸気受容に関する自由エネルギーなどである。この方法で特に以下の特徴
を制御できる：多孔性と吸収特性、一定のネット化パラメーターを生じさせる特
性、親水性または疎水性の周辺に対する表面の極性、トランスファー特性、電気
的絶縁特性、半導体特性などである。

【００１８】 最終仕上げと研磨、特に非常に硬い材料表面のナノ研磨、平坦化のために、現
在、その固有の特性の理由から、特にブロッキングの構成と、それに伴い適切な
機械的負荷での分割面形成の傾向との密な関連により優れた剥離機能を保証する
、合成の非常に硬い材料（ダイアモンド、立方晶形の窒化硼素、金属酸化物など
）が使用されている。現在高い表面の質がますます要求されているが、これらの
材料は主としてナノ領域で技術的可能性の限界に突き当たる。ＤｕＰｏｎｔ社の
製品ＭＹＰＯＬＥＸの多結晶質のダイアモンド構造（極度の爆発合成により生成
）は自然なまた従来の合成の工業ダイアモンドと比べて以下の利点を持つ： − ミクロの亀裂や破砕メカニズムを持つ分割面（滑らかな面）を側面に有し
ない無秩序の形態、 − 同じレベルを保持する硬度特性、 − ２から３倍大きな固有表面。

【００１９】 しかしこの製品は０．００５ Ｒａと０．０１のＰｏｌｓｐｉｔｚｅｎｒｅｚ
ｅｓｓｉｏｎ（ＰＴＲ）を下回ることはできない。更にＭｙｐｏｌｅｘの工業的
製造と他のダイアモンド高性能システムは非常にコストがかかり、一連の技術的
使用では最適でも目標を導くものでもない。

【００２０】 しかし上述の本発明によるダイアモンド状の炭素構造は、動的化学的ハイブリ
ッドテクノロジーにより経済的に効率的に製造でき、従来の工業ダイアモンドの
形態と比べて優れた多くの固有の特性を示す。

【００２１】 固有の特性、特に本発明によるダイアモンド状の炭素構造の形態と粒の形と固
有の表面特性と中央のゼータ電位の理由から、非常に硬い材料表面でＲａ＝２ｎ
ｍから１０ｎｍの最終値とＰＴＲ＝０．５ｎｍから２ｎｍのＰｏｌｓｐｉｔｚｅ
ｎｒｅｚｅｓｓｉｏｎが達成される。更に毎分約０．３ｍから５．０ｍの研磨速
度が可能で、これにより最適な平滑化効果が達成される。

【００２２】 図１から４は、高性能ダイアモンドの粒化と比べた、シリシウム亜硝酸塩セラ
ミックでできたあらかじめ研磨された表面の本発明によるナノ光沢剤の結果を示
す。図１と２は、研磨され続いて市販のダイアモンド懸濁液により研磨されたシ
リシウム亜硝酸塩セラミックを示す。図３と４はこれとは逆に、研磨されたシリ
シウム亜硝酸塩セラミックを、水溶性で陽イオンの短い鎖の陽イオンを含むダイ
アモンド状炭素構造物の懸濁液からなるナノ高仕上げ光沢剤を示す。

【００２３】 硬い材料表面の表面処理のためのダイアモンド状炭素構造物の利点を生かした
使用のために重要なのは、特に、結晶化プロセスを“もと”から保証する、個々
の結晶と合成プロセスのレンズ状の（尖頭アーチの）粒の形である。つまり、粒
または適切なクラスターの形態は一定の大きさに増大し、現在通例のように破砕
プロセスによる非常に大きな粒形成物から砕かれない。（これは必然的に非常に
鋭い輪郭と非常に干渉性のある裂け目面の形成と同時に圧縮強さを減少させる）
。

【００２４】 本発明によるダイアモンド状の炭素構造は特に以下の処理方法に適する： − 非常に硬いセラミック、マイクロ・高性能エレクトロニクスのエレメント
と構造用部品のための宝石と特殊材料の処理。ここでの最適な処理速度は毎分０
．３ｍから５ｍである、 − メモリーディスクや金属ミラーの金属で覆われた部分の精密研磨剤、 − 眼鏡のガラスなどのようなポリカーボネートでできた部分と構造用部品の
処理、 − 光学部品、オプトエレクトロニクス部品、レーザー構造用部品、磁気ヘッ
ドシステムの処理、 − 整形外科と義歯の処理、 − マイクロホン工具、ミニチュア・精密ボールベアリングのために、 − 機械的な遮断・スライドシステム（特にポンプ、バルブ、シリンダー、ピ
ストン、軸受け、ブッシュ、打ちぬき機の表面など）のために、 − 冶金と結晶の準備、 − ポリアクリルのエレメントと構造用部品の処理（例えば飛行機キャビンの
ための窓など）とコンタクトレンズの処理、 − 振動研磨による複雑で平面的でない表面の研磨と高性能・マイクロエレク
トロニクスのエレメントの平坦化。

【００２５】 目標となる定格特性と性能特性を達成するために、本発明によるダイアモンド
状の炭素構造は特に、そのために設計されたキャリア媒体中に挿入しなければな
らない。キャリア媒体として水性と水溶性の有機物の懸濁液、エマルジョン、ト
レー、油脂、ペースト、ワックスが適する。

【００２６】 ダイアモンド状の炭素、特に上述の炭素構造の他の利点を生かした使用は電気
の絶縁体である。更にダイアモンド状の炭素構造は熱伝達手段として使用できる
。電気的絶縁体としての高い能力の他に１つのボディから他のボディへの熱エネ
ルギーの最適な伝達に関する特性を利用できる場合、これは特に利点となる。こ
れはロスがつきもののエレクトロニクスの部品についての典型的な課題設定であ
る。このため本発明は、主としてナノ・ミクロの粒化の領域で電気的絶縁体また
は熱の伝導手段としての、ダイアモンド状の炭素構造の利点ある使用を記載する
。これはペースト、接着剤、ラッカー、油脂、ハンダへの炭素の導入と、主に高
性能エレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス、電気技術、エネルギー領域
の技術的工業的使用のための材料結合部への導入により達成される。

【００２７】 エレクトロニクスの部品、特に半導体部品では、線形性と機能に関する大きな
温度依存性が生じる。例えばゲルマニウムでできた遮断層結晶が８５℃から１０
０℃の温度範囲で負荷可能で、部品の線形性はしばしば制限された範囲でしか回
路技術的に十分でないことを前提とすると、生成された熱を外に排出し、運転準
備態勢を保証し、半導体を規定の温度範囲に保持しなければならない。

【００２８】 現在冷却ボディによりアクティブで熱を排出する表面が拡大されている。しか
しこれらの高性能部品は平坦でなく、そのため一定の粗さを持つので、いわゆる
熱伝導媒体により冷却ボディと結合される。これらの媒体は同時に非常に高い電
気的絶縁能力を持ち、流れの挙動を示さず適切な表面への最適な適合を保証しな
ければならない。

【００２９】 今まで周知のペースト、油脂、ラッカー、接着剤、ハンダ、フォイルシステム
、特にその熱の伝導特性がこれらに固有で材料に依存した伝導能力により決定さ
れ、物理的な理由から２．５Ｗ／ｍＫの伝導値を今まで超えることができなかっ
た。更に雲母、アルミニウム酸化物、窒化硼素、またはベリリウム酸化物のよう
な周知の媒体材料では、それらの一部が有毒で（例えばベリリウム酸化物）、高
い固有熱伝導抵抗を持つことが欠点である。これは特にセラミックと重合体のフ
ォイルシステムに当てはまる。ペースト、油脂、ラッカー、接着剤などのような
粘性のあるシステムはたいてい、冷却されるエレクトロニクスのコンポーネント
の製造プロセス中には導入されず、このため取り扱いが困難である。

【００３０】 熱伝導手段の電気的な絶縁体としてのダイアモンド状の炭素構造の使用は、定
格特性と性能特性の著しい改善を導き、それぞれのコンポーネントに適合した適
切な媒体キャリアによる最適な加工を保証する。その際同時に本発明による材料
は最適な電気的絶縁体であり、硬度、誘導率、ブレーキングダウン電圧、固有密
度、引っ張り・破損・カットスルー強さ、膨張、ロス係数などのような、全シス
テムの一連の他の性能特性を改善する。

【００３１】 本発明による材料は適用範囲に応じて他の元素を組み込むことができ、工業技
術的にまた安価に製造できる。慣用のエレクトロニクスコンポーネントの技術的
信頼性、取り扱いの簡単さ、機能能力は更に、構造用部品と部品の構造的な変更
のない最適化されたロスパワー排出により、著しく上昇する。

【００３２】 定格・性能特性の達成のために、適切なキャリアシステムに、固体状に高度に
分散した形または懸濁液、分散液、またはエマルジョン中にダイアモンド状の炭
素構造が加えられる。本発明によりその際、このように添加された炭素構造は高
度に構造化された表面と形を持ち、これらは特に、最適なシステム特性を保証す
るために、必要なネット化・懸濁・分散特性の目標となる変化を可能にする。

【００３３】 以下に本発明による方法の様々な使用例と、本発明によるダイアモンド状の炭
素構造の使用に関して詳述する。

【００３４】 ダイアモンド状の炭素構造の動的化学的製造のために、体積３．０ｍ^３中の比
Ｌ／Ｈ約８．６から９．２（Ｌ＝長さ、Ｈ=高さ）とＲ／Ｈ約４から６（Ｒ=内部
半径）の寸法の閉じた高圧リアクター（オートクレーブ）の中央に、例えばシリ
ンダー形の質量０．５ｋｇのトリニトロトルオル／シクロトリメチレントリニト
ロアミン（５０／５０）のようなエネルギーキャリアが導入される。その際エネ
ルギーキャリアの化学的置換は、適切な真空ポンプにより生成される軽い真空（
約２ｍｍＨｇ）の条件で行わなければならない。ここでは以下のプロセスパラメ
ーターを遵守しなければならない： − 化学的ピーク中の圧力プラトー：Ｐ＝２０から３０Ｇｐａ − 化学的ピーク中の温度プラトー：Ｔ≧４，０００Ｋ − Ｐ／Ｔプラトーの長さ：Ｔ≦３ｘ１０^−６ｓ − 置換速度：Ｄ≧８．３２ｘ１０^３ｍ／ｓ

【００３５】 化学反応の開始は電気的に生成された熱とダイナミックなインパルスにより行
われる（電気的爆発）。

【００３６】 実施例１ 上述の技術的基本条件を遵守し４，０００Ｋで原子の水素に保持された低温プ
ラズマが生成される： − 粒子の数（単位ｃｍ^３）：^ｎＨ＞＝９．４ｘ１０^１７；^ｎＯ＞＝４．７ｘ
１０^１７ − 密度［ｇ／ｃｍ^３］：２．３ｘ１０^−５ − エンタルピー［Ｊ／ｋｇ］：３．４ｘ１０^４ − 固有熱量［Ｊ／ｇＫ］：３２．５

【００３７】 立方晶形を保持する炭素構造の化学的形成のために、上記のプロセスパラメー
ター（圧力、温度、時間）の作用のもとで、エネルギーキャリアを囲む水入れを
介して、水蒸気プラズマが生成される。水入れの厚さは使用されるエネルギーキ
ャリアのシリンダー形のボディの直径の３倍である。

【００３８】 このプロセスの結果形成されるダイアモンド状の炭素構造は以下のパラメータ
ーと特性が優れている： − 本発明によるダイアモンド状の炭素構造でのプロセス出力１０．４３％（
エネルギーキャリアの使用される質量に関して） − 立方晶形の結晶格子相の純度：２＝１００％、レントゲンアモルフアス相
の割合の証明なし（図５参照） − 固有表面積：２６７．８５ｍ^２／ｇ − ゼータ電位：＋１０ｍＶ − 表面極性：疎水性 − 図１と２の他のパラメーター

【００３９】 実施例２ 一般的なテクノロジーの基本条件と、実施例１に従う原子の水素に保持される
低温水蒸気プラズマの生成のための条件を遵守して、化学的置換反応の開始の前
に、例えば０．３Ｍｐａから０．８Ｍｐａの範囲の圧力レベルを持つ体積比２０
／４０／４０のエチレン／ブタン／プロパンのようなガスと液体のキャリア混合
物を、高圧リアクターシステムに導入または吹き込みしなければならない。

【００４０】 これにより生成されるダイアモンド状の炭素構造の定格・性能特性は以下のよ
うに変化する： − 本発明による炭素構造でのプロセス出力：１２．４２％ − 立方晶形の結晶格子フェーズの純度：１００％ − 固有表面積：２９８．８５ｍ^２／ｇ − ゼータ電位：＋５．６ｍＶ − 表面極性：弱い疎水性

【００４１】 実施例３ この実施例に従い、原子の水素に保持された低温水蒸気プラズマの生成のため
の上述の条件を遵守して、化学的置換反応の導入の前に、被覆の形の限界炭素や
１価または多価のアルコール（例えばエチレングリコール）のような脂肪族系列
の液状で有機物炭素スペンダーシステムが、システム中のエネルギーキャリアの
シリンダー形のボディと水入れの間に持ち込まれる。

【００４２】 その際炭素スペンダーシステムの質量（Ｍ_ｋｓ）を以下のように算定しなけれ
ばならない： Ｍ_ｋｓ＝ＡｘＭ／１００−Ａ，［ｇ］ Ａ＝全反応システム中の炭素スペンダーシステムの％、Ｍ=エネルギーキャリ
アの質量＋炭素スペンダーの質量、その際Ａ（％）は１３．８から１５．１でな
ければならない。

【００４３】 このプロセスステップは本発明によるダイアモンド状の炭素構造に主として以
下の特性を与える： − プロセス出力：３１．６％ − 立方晶形の結晶格子相の純度：１００％ − 固有表面積：３２５．６５ｍ^２／ｇ − ゼータ電位：−４．５ｍＶ − 表面極性：弱い親水性

【００４４】 実施例４ この実施例では実施例３の全てのパラメーターが遵守され、炭素スペンダーシ
ステムとして、不飽和のアルコール（例えばプロペニルアルコールやアリルアル
コールなど）または芳香族の化合物（例えばベンゾール、ニトロベンゾール、ま
たはアセトニトリルなど）が使用される。その際使用されるＡ（％）の値は１２
．８から１７．３でなければならない。

【００４５】 これにより生成されるダイアモンド状の炭素構造は以下の特性を持つ： − プロセス出力：５２．４％ − 立方晶形の結晶格子相の純度：１００％ − ゼータ電位：＋１０．０ｍＶ − 固有表面積：３４８．５０ｍ^２／ｇ − 表面極性：強い親水性

【００４６】 実施例５ 一般的な技術的テクノロジー的パラメーターを遵守して、シリンダー形のエネ
ルギーキャリアシステムを被覆した高圧リアクターユニットの中に、ＤＬＳＣ材
料でできた水性の沈殿粉炭（例えば実施例１から４のテクノロジー段階により製
造された）と５から８％の水（脱イオン化された）が入れられる。沈殿粉炭シス
テムの質量はエネルギーキャリアの質量の少なくとも１．３５倍なければならな
い。これにより生じるダイアモンド状の炭素構造は、（１１１），（２２０），
（３１１）で典型的に広がるＸ線パターンピークを持つ多結晶質の形（ＰＫ−Ｄ
ＬＳＣ）で表現される。Ｘ線モデルは図６で示される。

【００４７】 結晶子の大きさは５から２０ｎｍで、ｓｐ^３ハイブリッド化を介して適切に多
結晶質化される。このようにしてできた１００％の純度の立方の結晶格子相を持
つ多結晶質は、約０．５ｍから１５ｍの粒度範囲で動き、その際３．４３ｍの媒
体値と２．４１ｍ以下の標準逸脱を達成できる。図７は粒度分布ダイアグラムを
示す。このテクノロジー的な方法のプロセス出力は約５０％である。

【００４８】 以下の定格・性能特性は１から５の実施例全てのダイアモンド状の炭素構造に
より達成される：

【００４９】 プロトタイプ１ 親水性にされた固有表面パラメーター 固有磁気化可能性：（−０．４）λｘ１０^−８ｍ^３／ｋｇ 固有電気抵抗：１．６ｘ１０^１０オームｘｍ 自由なエネルギー（水蒸気受容）：−９７３．２ｍＪ／ｇｘＭｏｌ

【００５０】 プロトタイプ２ 親水性にされた固有表面パラメーター 固有磁気化可能性：（０．３６）λｘ１０^−８ｍ^３／ｋｇ 固有電気抵抗：６．６ｘ１０^１０オームｘｍ 自由なエネルギー（水蒸気受容）：−２．２２ｍＪ／ｇｘＭｏｌ

【００５１】 単結晶と多結晶の形態の上述のいわゆるＤＬＳＣ材料は、高度に構造化された
炭素システムの新しいジェネレーションであり、その一般的な定格・性能特性は
純粋なダイアモンドの立方晶形の結晶格子相に匹敵し、更に一連の固有の化学的
物理的、また特に他の元素を組み込んで可変の特性を示す。この材料は、形態学
の観点から、ハイパー構造化された炭素システム、特にフラーレン、オニオン状
の炭素の形のハイパーフラーレン、ナノチューブへの移行のための技術的に重要
なインターフェースの実現を可能にする。

【００５２】 上述のまたここで示される特性を加えて、材料は独立した形でも他の材料との
結合の形でも（合成物）、周知の物質と従来の物質に比べて利点があり、特に以
下に記載するアプリケーションで使用可能である： − 高温で熱処理された材料表面のナノ高仕上げのための剥離的トライボロジ
ーシステム − 伝導・絶縁システム − エンジニアリングマテリアル − 被覆システム − 選ばれたバイオ・遺伝子技術の材料

【００５３】 硬いまた非常に硬い材料の表面処理のために、ＤＬＳＣをそのために特別に設
計されたキャリア媒体の中に挿入しなければならない。これを以下の実施例をも
とに説明する：

【００５４】 実施例１ 約１００から５０００の重合度を持つ、短い鎖のカチオン性分散安定剤をベー
スとした、スプレイの水性懸濁液。 （１）懸濁液：ＤＬＳＣ−Ｓ／０，ｎ．．．．．．，ｎ 内容物質： −ＤＬＳＣ、単結晶子、粒度クラス ０，ｎ．．．．．．，ｎ：０．１〜２５．
０％ −ポリジメチルジアリルアンモニウムクロリド ポリアクリル酸ナトリウム キトサン：１．０〜８．０％ −蒸留水：残りの％ −ＰＨ値：４〜１２ （２）懸濁液：ＤＬＳＣ−ＳＩ／０，ｎ．．．．ｎ 内容物質： −ＤＬＳＣ、多結晶子、粒度クラス０，ｎ．．．．．．ｎ：０．１〜１０．０％
−ポリジメチルジアリルアンモニウムクロリド：２．０ ４．０％ −蒸留水：残りの％ −ＰＨ値：４〜１２ （３）スプレイ：ＤＬＳＣ−Ｓｐ／０，ｎ．．．．．．ｎ 内容物質：−（１）と同様− キャリア・スポンジ剤：ポリグリコール、プロパン、ブタン （４）スプレイ：ＤＬＳＣ−ＳｐＩ／０，ｎ．．．．ｎ 内容物質：−（２）と同様− キャリア・スポンジ剤：−（３）と同様− （５）沈殿粉炭：ＤＬＳＣ−ＳｐＩ／０，ｎ．．．．ｎ 内容物質： −合成のグラファイト／ＤＳＣ（７０／３０）：０．１〜２０％ −ポリジメチルジアリルアンモニウムクロリド：１．０〜８．０％ −蒸留水：残りの％ −ＰＨ値：４〜１２ （６）沈殿粉炭：ＤＬＳＣ−ＳＬ／０，ｎ１．．．．ｎ１／０，ｎ２．．．．ｎ
２ 内容物質： −ＤＬＳＣ、単結晶子、粒度クラス、０，ｎ１．．．．ｎ１：０．１〜１５％ −工業ダイアモンド、単結晶子、粒度クラス、０，ｎ２．．．．ｎ２：０．０５
〜２．０％ −蒸留水：残りの％ −ＰＨ値：４〜１２

【００５５】 実施例２ ＤＬＳＣ−水溶性の有機化合物をベースとしたエマルジョン （１）エマルジョン：ＤＬＳＣ−Ｅ／０，ｎ．．．．ｎ 内容物質： −ＤＬＳＣ、単結晶子、粒度クラス ０，ｎ．．．．．ｎ：１．０〜８．０％ −シリコンオイル ＡＫ２３０：６．０％ −高級ワックスＳ：５．０％ −オレイン酸：０．７％ −テストベンジン：２０．０％ −ジエチルアミノエタノール：１．３％ −エチレングリコール：５．０％ −蒸留水：残りの％ （２）エマルジョン：ＤＬＳＣ−ＥＩ／０，ｎ．．．．ｎ 内容物質： −ＤＬＳＣ、多結晶子、粒度クラス ０，ｎ．．．．ｎ：０．５〜６．０％ −（１）と同様−

【００５６】 実施例３ 水溶性有機化合物の４つのベースの上のＤＬＳＣペースト／ワックス （１）ペースト：ＤＬＳＣ−Ｐ／０，ｎ．．．ｎ 内容物質： −ＤＬＳＣ、単結晶子、粒度クラス ０，ｎ．．．．，ｎ：４．０〜１２％ −高級ワックス ＫＳＬ：５．０％ −ステアリン酸（工業用）：４．０％ −石油：１０．０％ −シトロン酸：５．０％ −水酸化カリウム（８６％）：６．０％ −蒸留水：残りの％ （２）ペースト：ＤＬＳＣ−ＰＩ／０，ｎ．．．．，ｎ 内容物質： −ＤＬＳＣ、多結晶子、粒度クラス ０，ｎ．．．．，ｎ：１．０〜１０％ −（１）と同様−

【００５７】 最高の先行技術に関連する様々な使用範囲に関する顧客の利益を以下に記載す
る： フォイル、接着剤、シーリングコンパウンド、ペースト、ハンダ、テープとし
ての熱伝導システム 化学薬品の安定性の著しい上昇と、ガス状と液状の活性な媒体に対する強さ

【００５８】 懸濁液、エマルジョン、ワックス、スプレイ、乾燥剤などとしての剥離的トラ
イボロジーのシステム

【００５９】 エンジニアセラミック、エンジニアポリマー、テープ、被覆、ナノ合成物など

【００６０】 パウダー・電気メッキ・またはポリマー被覆としての表面被覆

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９ ２７ ８９５．４ (32)優先日 平成11年６月18日(1999．6．18) (33)優先権主張国 ドイツ（ＤＥ） (31)優先権主張番号 １９９ ５５ ９７１．６ (32)優先日 平成11年11月19日(1999．11．19) (33)優先権主張国 ドイツ（ＤＥ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ， ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，Ｋ Ｒ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 閉じた容器の中にハイブリッドの炭素相が与えられ、 反応生成物としての分散し凝縮した炭素を形成するために、エネルギーキャリ
   アにより化学反応がもたらされる、ダイアモンド状の炭素構造の動的化学的製造
   方法であって、 反応生成物が原子の水素に保持された低温プラズマにさらされ、炭素組みあわ
   せの相移動が非常に純粋な立方晶形の格子構造中で達成されることを特徴とする
   、ダイアモンド状の炭素構造の動的化学的製造方法。
2. 【請求項２】 炭素スペンダーシステムが加えられることを特徴とする請求
   項１記載の方法。
3. 【請求項３】 炭素スペンダーシステムが液状またはガス状の炭素化合物を
   持つことを特徴とする請求項２記載の方法。
4. 【請求項４】 炭素スペンダーシステムが有機的な炭素化合物を持つことを
   特徴とする請求項２または３記載の方法。
5. 【請求項５】 立方晶形のダイアモンド相の純度が９９％、主として１００
   ％であることを特徴とするダイアモンド状の炭素構造。
6. 【請求項６】 結晶子の大きさが５ｎｍから５０ｎｍであることを特徴とす
   るダイアモンド状の炭素構造。
7. 【請求項７】 クラスターの規模が５０ｎｍから２０ｍであることを特徴と
   するダイアモンド状の炭素構造。
8. 【請求項８】 分散中の粒子直径が４０ｎｍから５００ｎｍであることを特
   徴とするダイアモンド状の炭素構造。
9. 【請求項９】 特に請求項１から８に記載の硬い材料の表面処理のためのダ
   イアモンド状の炭素構造の使用。
10. 【請求項１０】 特に請求項１から８に記載の電気的絶縁体としてのダイア
    モンド状の炭素構造の使用。
11. 【請求項１１】 特に請求項１から８に記載の熱伝導手段としてのダイアモ
    ンド状の炭素構造の使用。
12. 【請求項１２】 特に請求項１から８に記載の懸濁液、ディスパージョン、
    エマルジョン、スプレイ、ペースト、油脂、またはワックスへの添加剤としての
    、ダイアモンド状の炭素構造の使用。