JP2000154064A - 導電性窒化ケイ素系焼結体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電加工が可能であり、放電加工による強度
の低下を防ぐと共に、放電加工面での摩擦及び摩耗の少
ない導電性Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体を提供する。 【解決手段】 平均粒径２００ｎｍ以下のＳｉ₃Ｎ₄粒子
からなる母相中に平均粒径２００ｎｍ以下のＴｉＮ粒子
が分散し、電気伝導率が１００Ｓ／ｃｍ以上である。放
電加工後の曲げ強度が１ＧＰａ以上、放電加工面の摩擦
係数が０.３以下で、比摩耗量が１０^-8ｍｍ²／Ｎ以下で
ある。かかるＳｉ₃Ｎ₄系焼結体は、平均粒径が１００ｎ
ｍ以下の原料粉末からなる成形体を、窒素雰囲気中にお
いて１４００〜１６００℃の温度で焼結することにより
得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車部品や耐摩
工具等に使用される構造用セラミックス材料として有用
であり、優れた機械的性質を有すると共に、放電加工可
能な導電性を示す窒化ケイ素系焼結体、及びその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】窒化ケイ素は、強度、破壊靭性値、耐食
性、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐酸化性等においてバラン
スの取れた材料であるため、切削工具やエンジン部品等
の広い範囲で利用されている。特に最近では、自動車エ
ンジンやガスタービン等の構造用材料として注目を集め
ている。

【０００３】しかしながら、窒化ケイ素系セラミックス
は難加工性であるため、複雑形状の部材を作製する場合
には非常にコスト高となり、これが窒化ケイ素系セラミ
ックスの利用を拡大する上で大きな障害となっていた。
このため、窒化ケイ素系セラミックスを低コストで加工
する方法の研究が進められており、その一つの方法とし
て、主として金属の加工に用いられている放電加工法を
応用することが検討されている。

【０００４】放電加工を行うには、その材料がある程度
の導電性を有することが必要であるが、窒化ケイ素系セ
ラミックスは絶縁材料である。そこで、窒化ケイ素系セ
ラミックスに対して、放電加工が可能な程度の導電性を
付与するための研究が鋭意行われている。例えば、特開
平１０−９５６７４号公報には、絶縁性の窒化ケイ素粒
子群と導電性の窒化チタン粒子群とからなる導電性の窒
化ケイ素系焼結体が記載されている。また、窒化ケイ素
粒子の表面を導電性粒子でコートし、これを焼結する方
法も知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の導電性
窒化ケイ素系焼結体は、窒化ケイ素等の粒子が粗大であ
るため、放電加工を施した場合に、放電加工面に数μｍ
〜数１０μｍの凹凸が生じ、この凹凸を起点としてセラ
ミックスが破壊するため、強度が著しく低下するという
欠点があった。また、このような凹凸が表面に存在する
ことにより、放電加工面での摩擦や摩耗が顕著になると
いう欠点があった。

【０００６】このような放電加工によって生じる凹凸を
除去するためには、放電加工面を更に研削する方法が最
も簡便であるが、複雑な形状を有する部材の作製には適
用できない。また、特開昭６２−３６０９２号公報に記
載されるように、放電加工面をエッチング剤を用いた化
学処理により平滑化する方法も知られているが、プロセ
スが複雑になるためコスト高になるという問題があっ
た。

【０００７】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであって、放電加工に伴う加工表面の凹凸
の発生を抑制し、強度の低下を防ぐと共に、放電加工面
での摩擦及び摩耗の少ない導電性窒化ケイ素系焼結体、
及びその製造方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の窒化ケイ素系焼結体は、平均粒径２００ｎ
ｍ以下の窒化ケイ素粒子からなる母相中に平均粒径２０
０ｎｍ以下の窒化チタン粒子が分散し、電気伝導率が１
００Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とする。

【０００９】本発明の導電性窒化ケイ素系焼結体におい
ては、窒化チタン粒子の分散量が５０体積％以下である
ことが好ましい。また、本発明の導電性窒化ケイ素系焼
結体においては、放電加工後の曲げ強度が１ＧＰａ以
上、放電加工面の比摩耗量が１０^-8ｍｍ²／Ｎ以下、放
電加工面の摩擦係数が０.３以下であることが好まし
い。

【００１０】また、本発明の導電性窒化ケイ素系焼結体
の製造方法は、平均粒径がいずれも１００ｎｍ以下の窒
化ケイ素粉末、窒化チタン粉末及び焼結助剤粉末からな
る成形体を、窒素雰囲気中において１４００〜１６００
℃の温度で焼結することを特徴とするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の窒化ケイ素系焼結体は、
平均粒径が２００ｎｍ以下の結晶粒で構成される窒化ケ
イ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）の母相中に平均粒径が２００ｎｍ以下
の窒化チタン（ＴｉＮ）粒子が分散し、これらのＴｉＮ
粒子がネットワーク化した構造を有することにより、放
電加工が可能となる１００Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導率を
有している。また同時に、このような導電性を有する微
細な組織が実現されることにより、放電加工時に生じる
表面の凹凸が減少し、その結果放電加工による強度の低
下が抑制され、放電加工面の摩擦係数が小さく、且つ摩
耗量を少なくすることが可能となる。

【００１２】焼結体中の窒化チタン粒子の分散量として
は、上記の曲げ強度レベルを安定して得ると共に、摩擦
−摩耗特性を低下させないためには、５０体積％以下と
することが望ましい。また、上記した電気伝導率レベル
が安定して得られ、放電加工の能率を下げないために
は、３０体積％以上とすることが望ましい。

【００１３】本発明の導電性窒化ケイ素系焼結体を製造
する場合、Ｓｉ₃Ｎ₄粉末、ＴｉＮ粉末、及び焼結助剤粉
末の平均粒径をいずれも１００ｎｍ以下とし、これらの
粉末からなる成形体を１４００〜１６００℃の範囲の温
度で焼結する。焼結温度が１４００℃未満では十分緻密
な焼結体が得られず、また焼結温度が１６００℃を越え
ると粒成長が発生し、Ｓｉ₃Ｎ₄等の平均粒径が２００ｎ
ｍを越えてしまう。焼結体中のＳｉ₃Ｎ₄等の平均粒径が
２００ｎｍを越えると、放電加工後の強度低下が著し
く、また放電加工面の摩擦や摩耗が大きくなる。

【００１４】尚、本発明方法で用いる平均粒径１００ｎ
ｍ以下の粉末は、ＣＶＤ法等で作製することができる。
また、その成形体の作製は、１００ｎｍ以下のＳｉ₃Ｎ₄
粉末とＴｉＮ粉末及び焼結助剤粉末を混合後、プレスに
より成形する方法が一般的であるが、公知のレーザーア
ブレーション法等によりチャンバー内で粉末の合成と成
形を同時に行うことも可能である。

【００１５】

【実施例】実施例１ ＣＶＤ法により、平均粒径１０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄粉末、及
び平均粒径２０ｎｍのＴｉＮ粉末を作製した。また、市
販の平均粒径２０ｎｍのＹ₂Ｏ₃粉末と、平均粒径３０ｎ
ｍのＡｌ₂Ｏ₃粉末を用意した。これらの各粉末を、Ｓｉ
₃Ｎ₄粉末６２体積％に対して、ＴｉＮ粉末を３１体積
％、Ｙ₂Ｏ₃粉末を５体積％、及びＡｌ₂Ｏ₃粉末を２体積
％の割合で添加し、樹脂性のポットとアルミナボールを
用いてアルコール中で２４時間の混合を行った。得られ
た混合粉末を、２００ｋｇ／ｍｍ²の圧力で４５ｍｍ角
×１０ｍｍ厚にプレス成形した後、ホットプレス法によ
り窒素雰囲気中において３０ＭＰａの機械的な加圧下
に、１６００℃×２時間の条件で焼結した。

【００１６】得られたＳｉ₃Ｎ₄系焼結体を研磨した後、
Ａｒイオンエッチングで薄膜試片を作製し、透過型電子
顕微鏡を用いて母相のＳｉ₃Ｎ₄粒子及び分散粒子である
ＴｉＮ粒子の平均粒径をそれぞれ評価したところ、Ｓｉ
₃Ｎ₄粒子の平均粒径は１００ｎｍ及びＴｉＮ粒子の平均
粒径は１５０ｎｍと非常に微細であった。尚、粉末並び
に焼結体中のＳｉ₃Ｎ₄粒子及びＴｉＮ粒子の平均粒径
は、５０００倍の透過型電子顕微鏡写真の視野中にラン
ダムな直線を引き、その直線によって切られるそれぞれ
の粒子長さを全て計測し、これらを算術平均して求め
た。

【００１７】上記Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体からワイヤカット方
式の放電加工により、３×４×４０ｍｍの試験片を２０
本切り出し、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準拠して３点曲げ強
度を測定した。また、同様に放電加工後、その放電加工
面を＃８００のダイヤモンド砥石により研削加工仕上げ
した試験片２０本についても、同様に３点曲げ強度を測
定した。その結果、放電加工した試験片の３点曲げ強度
は平均１.２ＧＰａであり、放電加工後に研削加工仕上
げした試験片の３点曲げ強度は平均１.５ＧＰａであっ
た。尚、放電加工によらず、通常の切削加工で作製した
試験片の３点曲げ強度は０.９ＧＰａであった。

【００１８】また、上記Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体の電気伝導率
は、上記３点曲げ試験と同じ試験片を用い、ＪＩＳ Ｈ
０５０５に準拠して体積抵抗率を測定し、ホットプレス
軸に直角方向の抵抗値の逆数として求めた。その結果、
得られたＳｉ₃Ｎ₄系焼結体の電気伝導率は２００Ｓ／ｃ
ｍであった。

【００１９】更に、Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体の摺動特性を評価
するため、焼結体からワイヤーカット方式の放電加工に
より切り出した直径１０ｍｍ×厚み３ｍｍのディスク
と、同様に放電加工後、＃８００のダイヤモンド砥石に
より摺動面を研削加工仕上げを行った同じ寸法のディス
クを、それぞれ１０枚作製した。摺動特性の評価は、上
記のディスクを１８０Ｈｚの周期で回転させ、そのディ
スクの回転中心から２ｍｍの位置に市販の直径６ｍｍの
Ｓｉ₃Ｎ₄ボールを２Ｎの荷重で押し付け、回転中の摩擦
荷重の計測を行うと共に、１時間摺動させた後のディス
クに生じた摩耗痕の体積を表面荒さ計を用いて測定する
ことにより、摩擦係数及び比摩耗量を算出した。

【００２０】その結果、単に放電加工のみで作製したデ
ィスクの摩擦係数は０.２５、比摩耗量は６×１０^-9ｍ
ｍ²／Ｎであった。一方、放電加工後に研削加工仕上げ
したディスクの摩擦係数は０.２０、比摩耗量は４×１
０^-9ｍｍ²／Ｎであり、両試料の評価結果に殆ど違いは
無かった。また、放電加工で作製しただけのディスクの
表面粗さはＲmaxで０.５μｍ、放電加工した後に研削加
工仕上したディスクの表面粗さはＲmaxで０.３μｍであ
った。

【００２１】比較例として、上記と同様な条件で作製し
た成形体を、常圧の窒素雰囲気中において１７００℃×
２時間の条件で焼結した。得られたＳｉ₃Ｎ₄系焼結体中
のＳｉ₃Ｎ₄粒子は平均粒径３００ｎｍ、及びＴｉＮ粒子
は平均粒径４００ｎｍまで粒成長していた。

【００２２】この比較例のＳｉ₃Ｎ₄系焼結体について、
上記と同様に、ワイヤーカット方式の放電加工のみを行
った試験片と、放電加工後に研削加工した試験片とで３
点曲げ強度を評価した結果、放電加工のみの試験片の３
点曲げ強度は平均０.８ＧＰａであり、放電加工後に研
削加工仕上げした試験片の３点曲げ強度は平均１.４Ｇ
Ｐａであった。また、上記と同様に測定した焼結体の電
気伝導率は２００Ｓ／ｃｍであった。

【００２３】また、この比較例の焼結体について、上記
と同様に摺動特性を評価した結果、放電加工のみのディ
スクの摩擦係数は０.４０、比摩耗量は３×１０^-8ｍｍ²
／Ｎであるのに対し、放電加工後に研削加工仕上げした
ディスクの摩擦係数は０.２０、比摩耗量は４×１０^-9
ｍｍ²／Ｎであった。尚、放電加工のみのディスクの表
面粗さはＲmaxで８.５μｍ、放電加工後に研削加工仕上
したディスクの表面粗さはＲmaxで０.３μｍであった。

【００２４】更に、別の比較例として、ＣＶＤ法で作製
した平均粒径１３０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄粉末と平均粒径１４
０ｎｍのＴｉＮ粉末を用いた以外、焼結助剤のＹ₂Ｏ₃粉
末とＡｌ₂Ｏ₃粉末並びに他の条件は上記実施例１と同様
にして、Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体を製造した。

【００２５】得られたＳｉ₃Ｎ₄系焼結体について、上記
と同様に、母相のＳｉ₃Ｎ₄粒子及び分散粒子のＴｉＮ粒
子の平均粒径をそれぞれ評価したところ、Ｓｉ₃Ｎ₄粒子
は２５０ｎｍ、及びＴｉＮ粒子は３００ｎｍであった。
尚、この焼結体の電気伝導率は２００Ｓ／ｃｍであっ
た。また、このＳｉ₃Ｎ₄系焼結体について、実施例１と
同様に３点曲げ強度を評価した結果、放電加工のみの試
験片の３点曲げ強度は平均０.８ＧＰａであり、放電加
工後に研削加工仕上げした試料の３点曲げ強度は平均
１.５ＧＰａであった。

【００２６】更に、実施例１と同様な評価条件により摺
動特性を評価した結果、放電加工によるディスクの摩擦
係数は０.４５、比摩耗量は４×１０^-8ｍｍ²／Ｎであっ
た。一方、放電加工後に研削加工仕上げしたディスクの
摩擦係数は０.２０、比摩耗量は４×１０^-9ｍｍ²／Ｎで
あった。尚、放電加工のみのディスクの表面粗さはＲma
xで１.５μｍ、放電加工後に研削加工仕上したディスク
の表面粗さはＲmaxで０.３μｍであった。

【００２７】これらの結果から、本発明のＳｉ₃Ｎ₄系焼
結体は、優れた導電性を有すると同時に、放電加工後の
３点曲げ強度が十分に高く、研削加工仕上げなしの放電
加工のみで平滑な加工表面が得られ、摩擦係数及び比摩
耗量も小さいことが分かる。一方、Ｓｉ₃Ｎ₄粒子等の粒
径が大きな各比較例のＳｉ₃Ｎ₄係焼結体は、放電加工の
みでは、強度の低下が著しく、且つ表面も粗面であっ
て、摩擦係数及び比摩耗量が大きい。

【００２８】実施例２ 実施例１と同様に作製した成形体（Ｓｉ₃Ｎ₄粉末とＴｉ
Ｎ粉末の割合は変化させた）を、下記表１に示す１２０
０〜１７００℃の各温度でそれぞれ１時間焼結した。得
られた各Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体について、実施例１と同様に
して、焼結体中のＳｉ₃Ｎ₄粒子とＴｉＮ粒子の平均粒
径、焼結体の電気伝導率、及び相対密度を評価し、その
結果を下記表１に併せて示した。尚、表１には焼結体中
のＴｉＮ粒子の分散量も示したが、ＴｉＮは焼結中に分
解しないため、焼結体中のＴｉＮ分散量は添加量にほぼ
等しい。

【００２９】

【表１】 焼結温度 平均粒径(nm) TiN分散量 電気伝導率 相対密度試料 (℃) Si₃N₄ TiN (vol％) (S／cm) (％) 1＊ 1200 40 70 45 60 80 2＊ 1300 50 100 50 90 95 3 1400 150 120 50 200 100 4 1500 170 140 47 180 100 5 1500 170 140 50 200 100 6 1600 190 160 50 200 100 7 1600 190 160 60 250 100 8＊ 1650 250 220 50 200 100 9＊ 1700 300 250 50 200 100 （注）表中の＊を付した試料は比較例である。

【００３０】次に、上記各試料のＳｉ₃Ｎ₄系焼結体を、
実施例１と同様に、放電加工により試験片及びディスク
を切り出し、放電加工面の最大表面粗さＲmaxを測定す
ると共に、各試験片の３点曲げ強度、各ディスクの比摩
耗量及び摩擦係数を、それぞれ実施例１と同様に評価し
た。得られた結果を下記表２に示した。尚、３点曲げ強
度、比摩耗量、摩擦係数については、放電加工のみの場
合と、放電加工後に研削加工した場合の両方について評
価した。

【００３１】

【表２】 Ｒmax 3点曲げ強度(GPa) 比摩耗量(×10^-9mm²/N) 摩擦係数 試料 (μm) 放 電 放電＋研削 放 電 放電＋研削 放 電 放電＋研削 1＊ − − − 放 電 加 工 不 可 能 − − 2＊ − − − 放 電 加 工 不 可 能 − − 3 0.4 1.3 1.5 5 4 0.20 0.18 4 0.8 1.2 1.4 6 4 0.22 0.20 5 0.8 1.2 1.4 6 4 0.22 0.20 6 0.5 1.1 1.3 7 5 0.25 0.23 7 1.0 1.0 1.3 10 7 0.30 0.25 8＊ 1.5 0.6 1.2 20 8 0.45 0.30 9＊ 15 0.6 1.2 70 20 0.45 0.30 （注）表中の＊を付した思料は比較例である。

【００３２】上記の結果から分かるように、比較例の試
料１と２は焼結温度が低いため緻密化が不十分であり、
比較例の試料８と９は焼結温度が高いためＳｉ₃Ｎ₄やＴ
ｉＮが大きく粒成長している。その結果、試料１と２で
は電気伝導率が低く、放電加工が不可能であり、また試
料８と９は放電加工面の表面粗さが大きくなり、放電加
工後の３点曲げ強度や摩擦−摩耗特性の低下が激しく、
最終的に研削加工しなければ満足すべき特性が得られな
い。

【００３３】一方、本発明の試料３〜７は、焼結温度が
適切であるため粒成長がなく、優れた電気伝導率を有す
ると共に、放電加工のみで平滑な表面が得られ、しかも
放電加工後の３点曲げ強度や摩擦−摩耗特性にも優れて
いる。尚、試料７は本発明の他の試料に比べてＴｉＮ分
散量が多いため、電気導電率が高くなる反面、放電加工
後の３点曲げ強度や摩擦−摩耗特性の値が若干低くなっ
ている。また、試料７と同じ組成で１５００℃、１時間
の条件で焼結したものでも、同様の傾向が見られた。

【００３４】実施例３ この実施例では、レーザーアブレーション法により成形
体を作製した。即ち、平均粒径０.５μｍのＳｉ₃Ｎ₄粉
末５０体積％に対して、ＴｉＮ粉末を４３体積％、Ｙ₂
Ｏ₃粉末を５体積％、及びＡｌ₂Ｏ₃粉末を２体積％の割
合で添加し、直径１０ｃｍ×厚さ２０ｍｍの円盤状に成
形した後、１気圧の窒素雰囲気中にて１７００℃で焼結
した。得られた焼結体から、レーザーアブレーションの
ターゲットを作製した。

【００３５】このターゲットを真空チャンバー内にセッ
トし、１０^-6Ｔｏｒｒまで真空引きした後、窒素ガスを
充填し、エキシマーレーザーをターゲットに照射するこ
とにより、ターゲットより飛び出した粒子をＳｉＯ₂基
板上に堆積させて、成形体を作製した。尚、エキシマレ
ーザーの照射条件は、レーザー波長が２４８ｎｍ（Ｋｒ
Ｆ）、ネネルギー密度が１０Ｊ／ｃｍ、照射周波数が１
０Ｈｚ、及び照射時間が１時間とした。

【００３６】このようにレーザーアブレイション法によ
り作製した成形体について、成形体を構成する各粒子の
構成及び平均粒径を透過型電子顕微鏡で評価したとこ
ろ、平均粒径２０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄粒子、平均粒径３０ｎ
ｍのＴｉＮ粒子、平均粒径１０ｎｍのＹ₂Ｏ₃粒子、及び
平均粒径２０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃粒子が、ターゲットと同じ
割合で存在していた。次に、このようにして得られた成
形体を、ホットプレス法により、窒素雰囲気中において
３０ＭＰａの機械的な加圧下に、１６００℃×２時間の
条件で焼結した。

【００３７】得られたＳｉ₃Ｎ₄系焼結体を研磨した後、
Ａｒイオンエッチングで薄膜試片を作製し、透過型電子
顕微鏡を用いて、母相のＳｉ₃Ｎ₄粒子及び分散粒子のＴ
ｉＮ粒子の平均粒径をそれぞれ評価したところ、Ｓｉ₃
Ｎ₄粒子の平均粒径は１００ｎｍ、ＴｉＮ粒子の平均粒
径は１５０ｎｍと非常に微細であった。また、この焼結
体の電気伝導度は１５０Ｓ／ｃｍであった。

【００３８】更に、この焼結体を実施例１と同様な条件
で放電加工し、実施例１と同様に、放電加工面の表面粗
さ、放電加工後の３点曲げ強度、摩擦−摩耗特性を評価
したところ、表面粗さはＲmaxで０.２μｍ、３点曲げ強
度は１.３ＧＰａ、摩擦係数は０.１、及び比摩耗量は３
×１０^-9ｍｍ²／Ｎの良好な特性を示した。

【００３９】実施例４ 実施例１と同様に作製したｎ＝２０の成形体（ＴｉＮの
分散量２５〜５０体積％）を、１５００℃の温度で１時
間焼結した。得られた各Ｓｉ₃Ｎ₄系焼結体について、実
施例１と同様にして、Ｓｉ₃Ｎ₄粒子とＴｉＮ粒子の平均
粒径、焼結体の電気伝導率及び相対密度を評価し、その
結果を下記表３に併せて示した。これらの各Ｓｉ₃Ｎ₄系
焼結体について、実施例１と同様にワイヤカット方式の
放電加工を行ったところ、ＴｉＮの分散量が３０体積％
未満の試料１０は、試料１１及び１２に比べて放電加工
の速度が低下した。

【００４０】

【表３】 焼結温度 平均粒径(nm) TiN分散量 電気伝導率 相対密度試料 (℃) Si₃N₄ TiN (vol％) (S／cm) (％) 10 1500 140 170 25 110 100 11 1500 140 170 30 120 100 12 1500 140 170 40 150 100

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、放電加工したとき、加
工表面の凹凸の発生を抑制して平滑な加工面を得ること
ができ、しかも放電加工後においても強度の低下を防ぐ
ことができるうえ、放電加工面での摩擦及び摩耗の少な
い導電性窒化ケイ素系焼結体を提供することができる。

【００４２】従って、本発明の導電性窒化ケイ素系焼結
体は、量産性に優れ且つ複雑形状にも適応できる放電加
工により加工することが可能であり、強度が高く且つ摩
擦−摩耗特性に優れた窒化ケイ素系セラミックス材料と
して、高い信頼性が要求される自動車のエンジン部品を
はじめ、ガスタービンや耐摩工具等の広い用途において
極めて有用である。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平均粒径２００ｎｍ以下の窒化ケイ素粒
   子からなる母相中に平均粒径２００ｎｍ以下の窒化チタ
   ン粒子が分散し、電気伝導率が１００Ｓ／ｃｍ以上であ
   ることを特徴とする導電性窒化ケイ素系焼結体。
2. 【請求項２】 窒化チタン粒子の分散量が５０体積％以
   下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性窒
   化ケイ素系焼結体。
3. 【請求項３】 放電加工後の曲げ強度が１ＧＰａ以上で
   あることを特徴とする、請求項１又は２に記載の導電性
   窒化ケイ素系焼結体。
4. 【請求項４】 放電加工面の比摩耗量が１０^-8ｍｍ²／
   Ｎ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれ
   かに記載の導電性窒化ケイ素系焼結体。
5. 【請求項５】 放電加工面の摩擦係数が０.３以下であ
   ることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の
   導電性窒化ケイ素系焼結体。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの導電性窒化ケ
   イ素系焼結体の製造方法であって、平均粒径がいずれも
   １００ｎｍ以下の窒化ケイ素粉末、窒化チタン粉末及び
   焼結助剤粉末からなる成形体を、窒素雰囲気中において
   １４００〜１６００℃の温度で焼結することを特徴とす
   る導電性窒化ケイ素系焼結体の製造方法。