JP4951753B2 - 炭化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)3成分系の製造プロセスを、イットリウムイオン吸着炭化ケイ素−アルミナの準2成分系の製造プロセスとして取り扱うことが可能である。
(2)焼結助剤のイットリウムを炭化ケイ素の表面に均一に配置することが可能である。
(3)吸着したイットリウムイオンの影響でアルミナ粒子を炭化ケイ素の周囲に均一に配置することができる。
第1の実験では、平均粒径が800nmの炭化ケイ素粉体Aに、平均粒径が30nmの炭化ケイ素粉体Bを添加し、サスペンション中の粒子間の相互作用について調査した。先ず、炭化ケイ素粉体Aと炭化ケイ素粉体Bとを体積比3:1で混合し、この混合物をpHが5で0.05M〜0.3Mの硝酸イットリウム水溶液に固体容量が20vol%となるように分散させた。そして、これに平均粒径が0.2μmのアルミナを混合した。更に、このサスペンションにポリアクリル酸(PAA、分散剤)をSiCの単位面積当たり0.5mg/m2〜2.0mg/m2添加した。なお、炭化ケイ素粉体Aは、アチソン法により作製したものであり、炭化ケイ素粉体Bは、プラズマCVD法により作製したものである。
第2の実験では、炭化ケイ素と焼結助剤との混合割合を、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.012(体積比)としてサスペンションを作製し、これを固化して得られた成形体の焼結性および力学特性について調査した。先ず、成形体をAr雰囲気中、1950℃で2時間、39MPaで加圧焼結した。次に、得られた焼結体からサイズが3mm×4mm×38mmの試験片を切り出し、30mm及び10mmのスパン間の4点曲げ試験を、クロスヘッドスピードを0.5mm/minとして行った。強度測定の試験片数を15本とし、室温で測定した。破壊靭性については、SEVNB(Single-Edge V-notch Beam)法により評価した。Vノッチの先端の曲率半径は20μmとし、厚さが1mmの薄いダイヤモンドカッターでa/W=0.1〜0.6(a:ノッチの長さ、W:試験片の幅)のVノッチを導入した。Vノッチを導入した試験片の強度は、30mmのスパン間の3点曲げ試験により求めた。この結果を表にして図1に示す。図1中の試料No.1は、炭化ケイ素粉体Bを含まない試料であり、試料No.2は、第1の実験のように、75vol%の炭化ケイ素粉体Aと25vol%の炭化ケイ素粉体Bとを混合した試料である。また、図1中のビッカース硬度は、研磨面に9.8Nの荷重を印加して測定した値である。
第3の実験では、炭化ケイ素粉体Aと炭化ケイ素粉体Bとの混合割合が相違する3種類の加圧焼結体(試料No.3、No.4及びNo.5)を作製し、これらの強度の測定を行った。混合割合(炭化ケイ素粉体A/炭化ケイ素粉体B(体積比))は、試料No.3において85/15、試料No.4において90/10、試料No.5において95/5とした。また、成形体の作製方法は第2の実験と同様とした。ここで、試料No.3及びNo.4では、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.0092(体積比)とし、試料No.5では、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.013(体積比)とした。そして、成形体をAr雰囲気中、1950℃で2時間、39MPaで加圧焼結した。次に、得られた焼結体からサイズが3mm×4mm×38mmの試験片を切り出し、30mm及び10mmのスパン間の4点曲げ試験を、クロスヘッドスピードを0.5mm/minとして行った。また、強度測定の試験片数を5本とした。この結果を表にして図1に示す。
Claims (6)
- ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体の総量に対する前記ナノメータサイズのSiC粉体の割合を5体積%〜25体積%として、硝酸イットリウム水溶液中に分散させる工程と、
前記水溶液中にアルミナ粒子を焼結助剤として添加することにより、サスペンションを作製する工程と、
前記サスペンションから得られた成形体を焼結する工程と、
を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。 - 前記ナノメータサイズのSiC粉体として、粒径が10nm乃至50nmのものを用い、
前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体として、粒径が0.1μm乃至1.0μmのものを用いることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。 - 前記成形体を焼結する工程において、1850℃乃至1950℃で前記成形体を加圧焼結することを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
- 前記サスペンションに、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体の単位面積当たり0.5mg/m 2 〜2.0mg/m 2 の割合でポリアクリル酸を分散剤として添加する工程を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
- 前記硝酸イットリウム水溶液のpHは5であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
- 前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体を前記硝酸イットリウム水溶液中に分散させる工程において、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体を固体容量が20vol%となるように分散させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
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