JP4951753B2 - 炭化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents

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本発明は、構造材等として用いられる炭化ケイ素焼結体の製造方法に関する。
サブマイクロメータ(粒径:0.1μm〜1.0μm程度)の炭化ケイ素粉体を焼結させることにより、種々のセラミックス構造体が作製されている。但し、サブマイクロメータの炭化ケイ素粉体を単独で緻密に焼結させることはできない。そこで、従来、緻密な炭化ケイ素焼結体を得るために、微細な原料粉体に焼結助剤を添加して焼結を行っている。焼結助剤としては、例えばホウ素−炭素系の助剤、酸化物の助剤等が挙げられる。
ホウ素−炭素系の助剤を添加して作製した炭化ケイ素焼結体は、高温での強度、クリープ特性、耐酸化性等の面で極めて優れている。しかし、この焼結助剤を用いる場合には、焼結に2000℃以上の高温が必要とされる。また、破壊靭性が低いため、材料表面等の傷に敏感であり、加工時にチッピングを起こしやすいという問題点もある。
一方、酸化物の助剤を添加して作製した炭化ケイ素焼結体は、比較的低温でも緻密な構造を得ることができる。更に、アスペクト比の高い板状粒子が交錯した組織が形成され、亀裂が粒界に沿って進展するため、高い破壊靭性を得ることもできる。
そして、近年、酸化物系(Al23−Y23系、Al23−Y23−CaO系、AlN−Y23系)の助剤を用いた焼結温度の低温化及び炭化ケイ素焼結体の力学特性の向上を目指した研究についての報告がされている。
Al23−Y23系については、6mass%のAl23及び4mass%のY23を比表面積が11.6m2/mgのβ−SiCに混合し、真空下、30MPa、1880℃、20分間の加圧焼結を行った結果が報告されている(非特許文献1)。この報告によれば、得られた焼結体の曲げ強度は746±46MPaであり、破壊靭性は2.97±0.15MPa・m1/2である。
また、Al23−Y23−CaO系については、この系の助剤(10mass%)を90nmのβ−SiCに混合し、25MPa、1750℃、40分間のAr雰囲気中での加圧焼結を行った結果が報告されている(非特許文献2)。この報告によれば、得られたSiC焼結体の曲げ強度は569±169MPaであり、破壊靭性は1.9±0.1MPa・m1/2である。
また、AlN−Y23系については、6vol%のAlN及び4vol%のY23をα−SiCに混合し、240MPa〜600MPaの等方加圧により成形体を作製し、その後、10MPa、1950℃、30分間のN2雰囲気中での焼結を行った結果が報告されている(非特許文献3)。この報告によれば、得られたSiC焼結体の曲げ強度は607±80MPaであり、破壊靭性は4.4±0.1MPa・m1/2である。
また、非特許文献4及び5には、ワイブル関数を用いてSiC焼結体の強度を統計的に処理したときのワイブル係数が5〜11となることが報告されている。この値(ワイブル係数)が大きいほど強度のばらつきが小さいこととなる。
また、特許文献1には、プラズマCVD法によって作製されたナノメータサイズの炭化ケイ素粉体の合成方法が記載されている。そして、このようにして合成された炭化ケイ素粉体のみを用いた緻密化挙動が非特許文献6に報告されている。但し、力学特性に関する報告はない。
このように、酸化物を助剤として炭化ケイ素を焼結する方法が種々提案されているが、十分な強度を得ることは困難である。
特開昭60−239316号公報 D. Sciti and A. Bellosi, J. Mater. Sci., 35, 3849-3855 (2000) G. D. Zhan, R. J. Xie, M. Mitomo and Y. W. Kim, J. Am. Ceram. Soc., 84 [5], 945-950 (2001) Rixecker, I. Wiedmann, A. Rosinus and F. Aldinger, J. Eur. Ceram. Soc., 21, 1013-1019 (2001) G. D. Zhan, M. Mitomo and Y. W. Kim, J. Am. Ceram. Soc., 82 [10], 2924-2926 (1999) S. Dutta, J. Am. Ceram. Soc., 71 [11], C-474 - C-479 (1988) T. Yamamoto, H. Kitaura, Y. Kyoden, T. Ishii, M. Ohyanagi and Z. A. Munir, J. Am. Ceram. Soc., 87 [8], 1436-1441 (2004) Y. Hirata, K. Hidaka, H. Matsumura, Y. Fukushige and S. Sameshima, J. Mater. Res., 12, 3146-3157 (1997) S. Sameshima, K. Miyano and Y. Hirata, J. Mater. Res., 13, 816-820 (1998) Y. Hirata, K. Miyano, S. Sameshima and Y. Kamino, Colloids and Surfaces A, 133, 183-189 (1998)
本発明は、より高い強度を得ることができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
本発明に係る炭化ケイ素焼結体の製造方法は、ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体の総量に対する前記ナノメータサイズのSiC粉体の割合を5体積%〜25体積%として、硝酸イットリウム水溶液中に分散させる工程と、前記水溶液中にアルミナ粒子を焼結助剤として添加することにより、サスペンションを作製する工程と、前記サスペンションから得られた成形体を焼結する工程と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体の共存により、より高い強度を得ることができる。
本願発明者は、サブマイクロメータサイズの炭化ケイ素−アルミナ系の2成分系に関する研究において、サスペンション中での両者の相互作用を最適化すると、1mass%のアルミナの添加により、1900℃の加熱で炭化ケイ素を99%以上の相対密度に緻密化することが可能であることを見出した。更に、本願発明者は、アルミナ粒子をアルミニウムイオンに変えて炭化ケイ素に吸着させると、僅か0.25mass%のアルミナを用いただけで、炭化ケイ素を99%以上の相対密度に緻密化することが可能であることも見出した(非特許文献7〜9)。このように、本願発明者等は助剤のイオン添加が焼結性の著しい向上に寄与することを見出した。
また、本願発明者は、サブマイクロメータサイズの炭化ケイ素−アルミナ−イットリア系の3成分系に関する研究において、イットリアをイットリウムイオンとして炭化ケイ素の表面に吸着させたところ、次のような事項が明らかになった。
(1)3成分系の製造プロセスを、イットリウムイオン吸着炭化ケイ素−アルミナの準2成分系の製造プロセスとして取り扱うことが可能である。
(2)焼結助剤のイットリウムを炭化ケイ素の表面に均一に配置することが可能である。
(3)吸着したイットリウムイオンの影響でアルミナ粒子を炭化ケイ素の周囲に均一に配置することができる。
これまでの炭化ケイ素−アルミナ−イットリア系に関する研究では、次のような結果が得られている。この研究では、0.8μmの炭化ケイ素粉体を30vol%含むpHが5の硝酸イットリウム水溶液に、焼結助剤として0.2μmのアルミナを混合した。このとき、これらの混合割合については、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.0094(体積比)とした。そして、これを固化して得られた成形体の焼結性及び力学特性について試験を行った。焼結性に関しては、成形体をAr雰囲気中、1850℃−1950℃、39MPaで加圧焼結したところ、相対密度が95〜99%のSiCセラミックスが得られた。また、力学特性に関しては、4点曲げ強度の平均値は560MPa〜655MPaであり、破壊靭性は5.0MPa・m1/2〜6.5MPa・m1/2であった。このように従来のものと比較して高い破壊靭性が得られた。
そして、本願発明者は、これらの実験結果を踏まえ、更に高強度、高靭性の炭化ケイ素焼結体を得るべく鋭意検討を重ねた結果、以下のように、サブマイクロメータサイズの炭化ケイ素粉体とナノメータサイズ(粒径:10nm〜50nm程度)の炭化ケイ素粉体とを混合することにより、構成粒子が微細で緻密な高強度炭化ケイ素セラミックスを得ることができることに想到した。
以下、本願発明者が行った実験の方法及び結果等について詳細に説明する。
(第1の実験)
第1の実験では、平均粒径が800nmの炭化ケイ素粉体Aに、平均粒径が30nmの炭化ケイ素粉体Bを添加し、サスペンション中の粒子間の相互作用について調査した。先ず、炭化ケイ素粉体Aと炭化ケイ素粉体Bとを体積比3:1で混合し、この混合物をpHが5で0.05M〜0.3Mの硝酸イットリウム水溶液に固体容量が20vol%となるように分散させた。そして、これに平均粒径が0.2μmのアルミナを混合した。更に、このサスペンションにポリアクリル酸(PAA、分散剤)をSiCの単位面積当たり0.5mg/m2〜2.0mg/m2添加した。なお、炭化ケイ素粉体Aは、アチソン法により作製したものであり、炭化ケイ素粉体Bは、プラズマCVD法により作製したものである。
この結果、炭化ケイ素粉体A及び炭化ケイ素粉体Bは、pHに対して互いに類似したゼータ電位を示した。また、pH5において、正に帯電したアルミナ及びイットリウムイオンは、負に帯電した炭化ケイ素粉体A及び炭化ケイ素粉体Bの各表面に吸着した。また、サスペンションへのPAAの添加は、液中で解離して負に帯電したPAAとイットリウムイオンとの間の静電引力により、SiC表面に吸着するイットリウムイオンの量を増加させた。
更に、pH5でのSiC−Al23−Y3+イオン系の水性サスペンションにおいて、ヘテロ凝集した粒子ネットワークが生成されるが、炭化ケイ素粉体Aへの炭化ケイ素粉体Bの添加により、この粒子ネットワークの生成が促進され、サスペンションの粘度が増加した。一方、PAAの添加は粘度を効果的に減少させた。この結果、SiC成形体の充填密度は炭化ケイ素粉体Bの添加に伴って減少した。
(第2の実験)
第2の実験では、炭化ケイ素と焼結助剤との混合割合を、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.012(体積比)としてサスペンションを作製し、これを固化して得られた成形体の焼結性および力学特性について調査した。先ず、成形体をAr雰囲気中、1950℃で2時間、39MPaで加圧焼結した。次に、得られた焼結体からサイズが3mm×4mm×38mmの試験片を切り出し、30mm及び10mmのスパン間の4点曲げ試験を、クロスヘッドスピードを0.5mm/minとして行った。強度測定の試験片数を15本とし、室温で測定した。破壊靭性については、SEVNB(Single-Edge V-notch Beam)法により評価した。Vノッチの先端の曲率半径は20μmとし、厚さが1mmの薄いダイヤモンドカッターでa/W=0.1〜0.6(a:ノッチの長さ、W:試験片の幅)のVノッチを導入した。Vノッチを導入した試験片の強度は、30mmのスパン間の3点曲げ試験により求めた。この結果を表にして図1に示す。図1中の試料No.1は、炭化ケイ素粉体Bを含まない試料であり、試料No.2は、第1の実験のように、75vol%の炭化ケイ素粉体Aと25vol%の炭化ケイ素粉体Bとを混合した試料である。また、図1中のビッカース硬度は、研磨面に9.8Nの荷重を印加して測定した値である。
図1に示すように、炭化ケイ素粉体Bの添加により焼結性が向上した。これは、ナノメータサイズのSiCのSiO2−Al23−Y23系液相への溶解度が高く、また、ナノメータサイズのSiCは、溶解−再析出機構においてSiC焼結体の緻密化を高めるためである。従って、炭化ケイ素粉体Bの添加によりSiC焼結体の低温、短時間での緻密化が可能となるといえる。
また、得られた焼結体の微構造は等軸状の粒子から構成されていた。そして、図1に示すように、試料No.1では平均粒径が3.5μmであったのに対し、試料No.2では平均粒径が2.0μmとより微細であった。即ち、炭化ケイ素粉体Aへの炭化ケイ素粉体Bの添加により平均粒径が減少した。
また、図1に示すように、平均曲げ強度、ワイブル係数及び破壊靭性については、試料No.1において、夫々560MPa、11.4、5.4MPa・m1/2であったのに対し、試料No.2においては、夫々810MPa、5.8、6.0MPa・m1/2であった。このように、SiC焼結体の強度及び破壊靭性は、構成粒子のサイズの減少に伴って増加した。なお、図1には示していないが、試料No.2における最大強度は1076MPaであった。また、ビッカース硬度は、試料No.1で19±1GPaであり、試料No.2で18±1GPaであり、ほとんど変化がなかった。即ち、ビッカース硬度は曲げ強度及び破壊靭性に依存していなかった。
このように、試料No.2では、試料No.1と比較して、強度が高く、また、破壊靭性が高くなった。また、焼結助剤の量については、従来、一般的に使用されているものと比して少量(1.2vol%Al23及び1.2vol%Y23)で十分な効果が得られた。
(第3の実験)
第3の実験では、炭化ケイ素粉体Aと炭化ケイ素粉体Bとの混合割合が相違する3種類の加圧焼結体(試料No.3、No.4及びNo.5)を作製し、これらの強度の測定を行った。混合割合(炭化ケイ素粉体A/炭化ケイ素粉体B(体積比))は、試料No.3において85/15、試料No.4において90/10、試料No.5において95/5とした。また、成形体の作製方法は第2の実験と同様とした。ここで、試料No.3及びNo.4では、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.0092(体積比)とし、試料No.5では、炭化ケイ素/アルミナ/イットリア=1/0.012/0.013(体積比)とした。そして、成形体をAr雰囲気中、1950℃で2時間、39MPaで加圧焼結した。次に、得られた焼結体からサイズが3mm×4mm×38mmの試験片を切り出し、30mm及び10mmのスパン間の4点曲げ試験を、クロスヘッドスピードを0.5mm/minとして行った。また、強度測定の試験片数を5本とした。この結果を表にして図1に示す。
図1に示すように、試料No.3、No.4及びNo.5の平均曲げ強度は、夫々805MPa、690MPa、744MPaであった。炭化ケイ素粉体Bを含んでいない試料No.1(比較例)と比較すると、著しく高い値である。また、試料No.3、No.4及びNo.5のいずれにおいても、焼結体は高密度に緻密化していた。なお、試料No.3での曲げ強度の最大値は1069MPaであった。
更に、図1に示す表から炭化ケイ素粉体Bの含有量と平均曲げ強度との関係をグラフ化したところ、炭化ケイ素粉体Bの含有量が高くなるほど、平均曲げ強度も高くなった。そして、炭化ケイ素粉体Bの含有量が15vol%以上となると、平均曲げ強度は805〜810MPaとなると共に、飽和状態に近づいた。従って、炭化ケイ素粉体Bの含有量は15vol%以上とすることが好ましいといえる。
なお、硝酸イットリウム水溶液に添加するアルミナ粒子の粒径は0.1μm乃至1.0μm程度とすることが好ましい。また、加圧焼結時の温度は1850℃乃至1950℃程度とすることが好ましい。
更に、硝酸イットリウム水溶液の代わりに、Yb又はGdイオンを含有する水溶液を用いてもよい。
第2及び第3の実験の結果を示す図である。

Claims (6)

  1. ナノメータサイズのSiC粉体及びサブマイクロメータサイズのSiC粉体を、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体の総量に対する前記ナノメータサイズのSiC粉体の割合を5体積%〜25体積%として、硝酸イットリウム水溶液中に分散させる工程と、
    前記水溶液中にアルミナ粒子を焼結助剤として添加することにより、サスペンションを作製する工程と、
    前記サスペンションから得られた成形体を焼結する工程と、
    を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。
  2. 前記ナノメータサイズのSiC粉体として、粒径が10nm乃至50nmのものを用い、
    前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体として、粒径が0.1μm乃至1.0μmのものを用いることを特徴とする請求項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
  3. 前記成形体を焼結する工程において、1850℃乃至1950℃で前記成形体を加圧焼結することを特徴とする請求項又はに記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
  4. 前記サスペンションに、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体の単位面積当たり0.5mg/m 2 〜2.0mg/m 2 の割合でポリアクリル酸を分散剤として添加する工程を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
  5. 前記硝酸イットリウム水溶液のpHは5であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
  6. 前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体を前記硝酸イットリウム水溶液中に分散させる工程において、前記ナノメータサイズのSiC粉体及び前記サブマイクロメータサイズのSiC粉体を固体容量が20vol%となるように分散させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
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