JP2003501528A - ハロゲン化されたキサントゲン酸エステルにより制御された遊離ラジカル重合によって重合体を合成するための方法 - Google Patents

ハロゲン化されたキサントゲン酸エステルにより制御された遊離ラジカル重合によって重合体を合成するための方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、エチレン性不飽和単量体と、遊離ラジカル源と、次式(I):R2−O−C(=S)−S−R1 (I)(ここで、R2は少なくとも弗素、塩素及び(又は)臭素原子により置換された基、環式基又は複素環式基を表わす)の化合物又は一般式(IA)の化合物とを接触させることからなる重合体の製造方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、ブロック共重合体にアクセスさせる新規な“制御された”又は“リ
ビング”遊離ラジカル重合方法に関する。
【0002】 ブロック重合体は通常イオン重合によって製造される。このタイプの重合の欠
点は、これがある種のタイプの非極性単量体のみ、特にスチレン及びブタジエン
の重合を可能にすること、副反応を最小限にするために特に純粋な反応環境及び
周囲温度よりもしばしば低い温度を要求し、その結果がきびしい操作上の拘束と
なるということである。
【0003】 遊離ラジカル重合の利点は、過度の純度の要求に固執することなく周囲温度又
はそれ以上の温度で実施することが容易であることである。しかし、最近までは
、ブロック重合体を与えることができる遊離ラジカル重合方法はなかった。
【0004】 ここに、新規な遊離ラジカル重合方法が開発された。これは、“制御された”
又は“リビング”遊離ラジカル重合方法として知られるものである。制御された
遊離ラジカル重合は、マクロラジカルの生長反応を経る成長によって進行する。
これらのマクロラジカルは、非常に短い寿命を有し、カップリング又は不均化に
より不可逆的に再結合する。重合が多数の共単量体の存在下に進行するとき、混
合物の組成の変化はマクロラジカルの寿命と比べて極めて遅く、従って連鎖は、
ブロック型の序列よりもむしろ単量体単位のランダムな序列を有する。
【0005】 制御された遊離ラジカル重合のための最近開発された技術では、重合体連鎖の
端部は結合(例えば、C−O又はC−ハロゲン)のホモリティック開裂によりラ
ジカルとして再活性化することができる。
【0006】 従って、制御された遊離ラジカル重合は、以下の明確な観点を有する。 1.反応の全期間にわたって連鎖の数が一定である。 2.連鎖の全てが同じ速度で生長し、転化と共に分子量の直線的な増大と狭い
分子量分布がもたらされる。 3.平均分子量が単量体/連鎖先駆物質のモル比によって制御される。 4.ブロック共重合体の製造の可能性がある。
【0007】 制御された特性は、遊離ラジカル連鎖の再活性化速度が連鎖の生長(生長反応
)速度と比べて非常に大きいならば益々はっきりしてくる。このことが常に当て
はまらず(即ち、遊離ラジカル連鎖の再活性化速度が生長反応速度以上である)
、条件1及び2に従わない場合があるが、しかしそれでもブロック共重合体を製
造することが可能である。
【0008】 PCT公開WO98/58974は、キサントゲン酸エステル化合物、即ち、
次式:
【化3】 の官能基を有する化合物を使用することによって、UV照射なしの方法によりブ
ロック共重合体にアクセスさせるリビング遊離ラジカル重合方法を記載している
。 この遊離ラジカル重合は、どんなUV源もなしに任意の種類の単量体によって
ブロック重合体の製造を可能にさせる。得られた重合体は、それらの用途にとっ
て有害であるどんな金属不純物も含有しない。それらは、連鎖末端官能基と、2
よりも低く、更に1.5よりも低い低多分散性とを有する。
【0009】 本発明の目的は、キサンテート(キサントゲン酸エステル)型の新規な先駆物
質による新規な重合方法を提案することである
【0010】 本発明の他の目的は、キサンテート型の先駆物質を使用する重合方法であって
、その進行中に生じた重合体の数平均分子量Mnが十分に制御される、即ち、特
に、重合反応の開始時に理論値Mn thに近似するようになる重合方法を提案す
ることである。
【0011】 本発明の他の目的は、キサンテート型の先駆物質を使用して、その多分散性指
数(Mw/Mn)が低く、即ち1に近似する重合体及びブロック共重合体を合成す
る重合方法を提案することである。
【0012】 この目的を念頭に置いて、本発明は、 ・エチレン性不飽和単量体の少なくとも1種と、 ・遊離ラジカル源の少なくとも1種と、 ・一般式(IA)、(IB)又は(IC):
【化4】 [ここで、 R2及びR2’は、 ・アルキル、アシル、アリール、アルケン若しくはアルキン基(i)、又は ・飽和若しくは不飽和の炭素環式系(芳香族でもよい)(ii)、又は ・飽和若しくは不飽和の複素環式系(iii) を表わし、これらの基及び環式系(i)、(ii)及び(iii)は少なくとも1個
の弗素原子、塩素原子及び(又は)臭素原子により置換されているものとし、 R1及びR1’は、 ・置換されていてもよいアルキル、アシル、アリール、アルケン若しくはアルキ
ン基(i)、又は ・置換されていてもよい飽和若しくは不飽和の炭素環式系(芳香族でもよい)(
ii)、又は ・置換されていてもよい飽和若しくは不飽和の複素環式系(iii) [これらの基並びに環式系(i)、(ii)及び(iii)は置換フェニル基、置換
芳香族基、又はアルコキシカルボニル若しくはアリールオキシカルボニル(−C
OOR)、カルボキシ(−COOH)、アシルオキシ(−O2CR)、カルバモ
イル(−CONR2)、シアノ(−CN)、アルキルカルボニル、アルキルアリ
ールカルボニル、アリールカルボニル、アリールアルキルカルボニル、フタルイ
ミド、マレイミド、スクシンイミド、アミジノ、グアニジノ、ヒドロキシル(−
OH)、アミノ(−NR2)、ハロゲン、アリル、エポキシ、アルコキシ(−O
R)、S−アルキル若しくはS−アリール基によって置換されていてもよく、こ
れらの基は親水性又はイオン特性を有するもので、例えばカルボン酸のアルカリ
金属塩、スルホン酸のアルカリ金属塩、ポリアルキレンオキシド鎖(PEO、P
PO)又は陽イオン性置換基(第四アンモニウム塩)であり、Rはアルキル基又
はアリール基を表わす]、又は ・重合体の連鎖 を表わし、 pは2〜10である] の化合物の少なくとも1種 とを接触させることを特徴とする重合体の製造方法を提供する。
【0013】 従って、本発明による方法は、遊離ラジカル源と、エチレン性不飽和単量体と
、式(IA)、(IB)又は(IC)の化合物とを接触させることからなる。
【0014】 この化合物(I)は、キサンテート官能基を持っている。本発明の必須の特徴
によれば、このキサンテート官能基は、少なくとも1個の弗素原子、塩素原子及
び(又は)臭素原子によって置換されていなければならない基R2又はR2’を有
する。R2及びR2’は、好ましくは、少なくとも1個の弗素原子により、更に好
ましくは弗素原子によってのみ置換されている。
【0015】 好ましい一具体例によれば、R2は、式:−CH2R'5(ここで、R'5は少なく
とも1個の弗素原子、塩素原子及び(又は)臭素原子により置換されているアル
キル基を表わす)の基を表わす。この具体例によれば、好ましいR2は、下記の
基: ・CH2CF3 ・CH2CF2CF2CF3 ・CH2CH2613 である。 更に好ましい具体例によれば、R2は基CH(CF32を表わす。
【0016】 式(IA)及び(IB)におけるR1は、好ましくは、 ・式:CR'1R'2R'3基(ここで、R'1R'2及びR'3は前記のような基(i)、
(ii)又は(iii)を表わし、又はR'1=R'2=Hであり、R'3はアリール、ア
ルケン又はアルキン基である)、又は ・式−COR'4基(ここで、R'4は前記のような基(i)、(ii)又は(iii)
を表わす) を表わす。
【0017】 最も有益な結果は、R1が下記の基: ・CH(CH3)(CO2Et) ・CH(CH3)(C65) ・CH(CO2Et)2 ・C(CH3)(CO2Et)(S−C65) ・C(CH32(C65) ・次式:
【化5】 の基 (ここで、Etはエチル基を表わし、Phはフェニル基を表わす) を表わすときの化合物(I)について得られた。
【0018】 また、基R1及びR1’は、遊離ラジカル又はイオン重合からの、或いは重縮合
からの重合体の連鎖を表わすこともできる。式(IC)の好ましい化合物は、R 1’ が基−CH2−フェニル−CH2−又は基−CHCH3CO2CH2CH2CO2
HCH3−であるものである。
【0019】 本発明の好ましい具体例では、重合方法は、式(IA)の化合物を使用する。
式(IA)の好ましい化合物は、 ・a−(O−ヘプタフルオルブチルキサンチル)プロピオン酸エチル(R1=C
HCH3(CO2Et)、R2=CH2CF2CF2CF3) ・a−(O−トリフルオルエチルキサンチル)プロピオン酸エチル(R1=CH
CH3(CO2Et)、R2=CH2CF3) ・a−(O−トリデシルフルオルオクタニルキサンチル)プロピオン酸エチル(
1=CHCH3(CO2Et)、R2=CH2CH2613) である。
【0020】 式(IA)、(IB)及び(IC)の化合物は容易に入手できる。それらは、
特に、アルコールR2OHを二硫化炭素CS2と反応させて(例えば、水素化水素
の存在下に)キサントゲン酸塩R2O(C=S)S-Na+もたらすことによって
得ることができる。このキサントゲン酸塩は、ハロゲン化アルキルR1X(ここ
で、X=ハロゲン)と反応させてハロゲン化キサントゲン酸エステルR2O(C
=S)SR1をもたらす。
【0021】 本発明の方法によれば、遊離ラジカル源は、一般に遊離ラジカル重合開始剤で
ある。しかし、スチレンのようなある種の単量体については、遊離ラジカルを発
生させるには熱による開始で十分である。
【0022】 第一の場合に、遊離ラジカル重合開始剤は、遊離ラジカル重合に使用される慣
用の開始剤、例えば下記の開始剤から選択することができる。 (i)過酸化水素、t−ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシ
ド、酢酸t−ブチルペルオキシ、安息香酸t−ブチルペルオキシ、オクタン酸t
−ブチルペルオキシ、ネオデカン酸t−ブチルペルオキシ、イソブタン酸t−ブ
チルペルオキシ、過酸化ラウロイル、ピバリン酸t−アミルペルオキシ、ピバリ
ン酸t−ブチルペルオキシ、過酸化ジクミル、過酸化ベンゾイル、過硫酸カリウ
ム、過硫酸カリウム、 (ii)アゾ化合物、例えば、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)、2
,2’−アゾビス(2−ブタンニトリル)、4,4’−アゾビス(4−ペンタン
酸)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)、2−(t−ブチ
ルアゾ)−2−シアノプロパン、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(1,
1)−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド、
2,2’−アゾビス[2−メチル−N−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド、
二塩化2,2’−アゾビス(N,N’−ジメチレンイソブチルアミジン)、二塩
化2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)、2,2’−アゾビス(N,N
’−ジメチレンイソブチルアミド)、2,2’−アゾビス(2−メチル−N−[
1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド
)、2,2’−アゾビス(2−メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル
)エチル]プロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(2−
ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(イソブチルアミ
ド)二水和物、 (iii)レドックス系、例えば、次の組合せ: ・過酸化水素、過酸化アルキル、ペルエステル、ペルカーボネートなどと、鉄塩
、第二錫塩、亜鉛ホルムアルデヒド−スルホキシレート又はナトリウムホルムア
ルデヒド−スルホキシレート及び還元性糖類の何れか一つとの混合物、 ・過硫酸、過硼酸又は過塩素酸のアルカリ金属又はアンモニウム塩と、重亜硫酸
のアルカリ金属塩、例えばメタ重亜硫酸ナトリウム及び還元性糖類との組合せ、
・過硫酸のアルカリ金属塩と、ベンゼンホスホン酸及び類似の化合物のようなア
リールホスフィン酸及び還元性糖類との組合せ。
【0023】 開始剤の使用量は、一般に、発生するラジカルの量が、化合物(II)の量に対
する比として表わして、多くとも20モル%、好ましくは多くとも5%であるよ
うに計算される。
【0024】 本発明の方法によれば、エチレン性不飽和単量体は、特に、スチレン又はその
誘導体、ブタジエン、クロロプレン、(メタ)アクリル酸エステル、ビニルエス
テル及びビニルニトリルから選択される。
【0025】 (メタ)アクリル酸エステルは、アクリル酸又はメタクリル酸と水素化又は弗
素化されたC1〜C12アルコール、好ましくはC1〜C8アルコールとのエステル
を意味する。このタイプの化合物としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、アクリル酸プロピル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸イソブチル、アク
リル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸メチル、メタ
クリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸イソブチルが挙げられ
る。 ビニルニトリルは、特に、3〜12個の炭素原子を有するもの、例えば、特に
アクリロニトリル及びメタクリロニトリルを包含する。 スチレンは、その誘導体、例えばa−メチルスチレン又はビニルトルエンによ
って部分的に又は完全に置き換えられることに注目されたい。
【0026】 単独で又は混合物として使用でき、或いは上記の単量体と共重合できるその他
の特別のエチレン性不飽和単量体は、以下のものである。 ・カルボン酸のビニルエステル、例えば、酢酸ビニル、ベルサチン酸ビニル、プ
ロピオン酸ビニル、 ・ハロゲン化ビニル、 ・エチレン性不飽和モノ及びジカルボン酸、例えば、アクリル酸、メタクリル酸
、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、上記のタイプのジカルボン酸と好ましく
は1〜4個の炭素原子を有するアルカノールとのモノアルキルエステル及びそれ
らのN−置換誘導体、 ・不飽和カルボン酸のアミド、例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、N
−メチロールアクリルアミド又はメタクリルアミド、N−アルキルアクリルアミ
ド、 ・スルホン酸基を含有するエチレン性単量体及びそれらのアルカリ金属塩若しく
はアンモニウム塩、例えば、ビニルスルホン酸、ビニルベンゼンスルホン酸、a
−アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、メタクリル酸2−スルホエチレン
、 ・ビニルアミンのアミド、特にビニルホルムアミド又はビニルアセトアミド、 ・第二、第三若しくは第四アミノ基又は窒素含有複素環式基を含有するエチレン
性不飽和単量体、例えば、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール、(メタ)アク
リル酸アミノアルキル、アミノアルキル(メタ)アクリルアミド、例えばアクリ
ル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジ
−t−ブチルアミノエチル、メタクリル酸ジ−t−ブチルアミノエチル、ジメチ
ルアミノメチルアクリルアミド又はジメチルアミノメチルメタクリルアミド。 同様に、双性イオン、例えばアクリル酸スルホプロピル(ジメチル)アミノプ
ロピルを使用することが可能である。
【0027】 ポリビニルアミンを製造するためには、使用されるエチレン性不飽和単量体は
、好ましくは、ビニルアミンのアミド、特に、ビニルホルムアミド又はビニルア
セトアミドである。得られた重合体は、次いで、加水分解されるが、pHは酸性
か又は塩基性である。 ポリビニルアルコールを製造するためには、使用されるエチレン性不飽和単量
体は、好ましくは、カルボン酸のビニルエステル、例えば酢酸ビニルである。得
られた重合体は、次いで、加水分解され、pHは酸性か又は塩基性である。
【0028】 本発明に従って使用される重合性単量体のタイプ及び量は、その重合体が意図
される特定の最終用途の関数として変動する。これらの可変因子は、周知であっ
て、当業者により容易に計算することができる。
【0029】 重合は、塊状、溶液又は乳化法で実施することができる。好ましくは、溶液法
で実施される。 方法は好ましくは半連続法で実施される。 温度は、使用された単量体の性状又は種類に従って、周囲温度から150℃の
間である。
【0030】 重合中の単量体及び重合体の瞬間量の比としての瞬間重合体含有量は、一般に
50〜99重量%、好ましくは75〜99重量%、更に好ましくは90〜99重
量%である。この含有量は、既知の態様で、温度、反応体の添加速度及び場合に
より重合開始剤を制御することによって保持される。 本発明の方法は、一般にどんなUV源の不在下に実施される。
【0031】 本発明の方法は、重合体の数平均分子量のMnの制御を可能にさせるという利
点を有する。しかして、これらの分子量Mnは、理論値Mn thに近似する。ここ
で、Mn thは次式:
【数1】 (ここで、 [M]0は単量体の初期モル濃度を表わし、 [P]0は先駆物質化合物の初期濃度を表わし、 Xは%で表わされた単量体転化率を表わし、 M0は単量体のモル量(g/モル)を表わす) により示される。 本発明によれば、Mnの制御は、特に、重合の開始時で明白である。 更に、本発明による重合方法は、1に近似する低多分散性指数(Ip=Mw
n、ここでMwは重量平均分子量である)を持つ重合体をもたらす。
【0032】 従って、本発明は、エチレン性不飽和単量体の少なくとも1種と、遊離ラジカ
ル源の少なくとも1種と、式(IA)、(IB)又は(IC)の化合物の少なく
とも1種とを接触させることからなる方法により得ることができる重合体を提供
する。 この重合体は、一般に、多くとも2、好ましくは多くとも1.5の多分散性指
数を有する。
【0033】 また、本発明は、前記の重合方法の実施を、 ・先行の実施と比べて異なった単量体、及び ・式(IA)、(IB)又は(IC)の化合物(I)の代わりに、先駆物質重合
体として知られる先行の実施からの重合体 を使用して、少なくとも1回反復することを特徴とするマルチブロック重合体を
製造する方法を提供する。
【0034】 従って、本発明によるブロック重合体を合成するための完全な方法は、 (1)エチレン性不飽和単量体と、遊離ラジカル源と、式(IA)、(IB)又
は(IC)の化合物とを接触させることによって先駆物質重合体を合成し、 (2)工程(1)で得られた先駆物質重合体を使用してこれを新しいエチレン性
不飽和単量体及び遊離ラジカル源と接触させることによってジブロック重合体を
製造する ことからなる。 この工程(2)は、新しい単量体を使用して所望するほどに何回も反復して新
しいブロックを合成し、マルチブロック重合体を得ることができる。
【0035】 実施が1回反復されるならば、トリブロック重合体が得られ、2回反復される
ならば、“クワドリブロック”重合体が得られ、以下同様である。従って、それ
ぞれの新たな実施によって、得られる生成物は追加の重合体ブロックを有するブ
ロック重合体である。 従って、マルチブロック重合体を製造するためには、この方法は、先行の方法
の実施をそれぞれ先行する実施から生じるブロック重合体について、異なった単
量体を使用して、多数回反復することからなる。
【0036】 式(IB)及び(IC)の化合物は、それらが少なくとも2個の活性部位で重
合体連鎖を生長させるために特に有益である。これらの化合物のような化合物に
よって、重合工程を節約してn個のブロックの共重合体を得るのを可能にさせる
。従って、式(IB)又は(IC)においてpの値が2であるならば、式(IB
)又は(IC)の化合物の存在下に単量体M1を重合させることによって第一ブ
ロックが得られる。次いで、この第一ブロックは、第二単量体M2の重合を経て
その端部のそれぞれで生長することができる。しかして、トリブロック共重合体
が得られ、このトリブロック重合体それ自体は第三単量体M3の重合を経てその
端部のそれぞれで生長させることができる。しかして、3工程だけで“ペンタブ
ロック”共重合体が得られる。pが2よりも大きいならば、この方法は、構造が
“多分岐状”又は“超分岐状”であるホモ重合体又はブロック共重合体を与える
ことができる。
【0037】 このマルチブロック重合体を製造するための方法によれば、得られるブロック
重合体が均質であり且つ組成の勾配を有しないことを望むならば、また連続する
重合の全てが同じ反応器で実施されるならば、一つの工程で使用された単量体が
次の工程の開始前に、例えば新たな単量体が導入される前に、消費されることが
必須である。
【0038】 ものブロック重合体を重合させるための方法については、このブロック重合体
の重合方法は、低多分散性指数を有するブロック重合体をもたらすという利点を
有する。また、それは、ブロック重合体の分子量の制御を可能にさせる。
【0039】 従って、本発明は、上記した方法により得ることができるブロック重合体を提
供する。 これらのブロック重合体は、一般に、多くとも2,好ましくは多くとも1.5
の多分散性指数を有する。 特に、本発明は、下記のパートナー: ・ポリスチレン/ポリアクリル酸メチル ・ポリスチレン/ポリアクリル酸エチル ・ポリスチレン/ポリアクリル酸t−ブチル ・ポリアクリル酸エチル/ポリ酢酸ビニル ・ポリアクリル酸ブチル/ポリ酢酸ビニル ・ポリアクリル酸t−ブチル/ポリ酢酸ビニル から選択される少なくとも2種の重合体ブロックを有するブロック重合体を提供
する。
【0040】 式(IA)の化合物が使用されるときは、得られるブロック重合体は、下記の
タイプ:
【化6】 (ここで、 R2及びR1は前記の通りであり、 V、V'、W及びW'は同一であっても異なっていてもよく、H、アルキル基又
はハロゲンを表わし、 X、X'、Y及びY'は同一であっても異なっていてもよく、H、ハロゲン、又
はR3、OR3、O2COR3、NHCOH、OH、NH2、NHR3、N(R32
(R32+-、NHCOR3、CO2H、CO23、CN、CONH2、CON
3又はCONR3 2基(ここで、R3はアルキル、アリール、アラルキル、アルキ
ルアリール、アルケン又はオルガノシリル基より選択され、これらの基はペル弗
素化されていてよく、また1個以上のカルボキシ、エポキシ、ヒドロキシル、ア
ルコキシ、アミノ、ハロゲン又はスルホン酸基により置換されていてよい)を表
わし、 a及びbは同一であっても異なっていてもよく、値0又は1であり、 m及びnは同一であっても異なっていてもよく、1以上であり、これらの一つ
が1よりも大きいならば、反復単位は同一又は異なっている) の構造を有する。
【0041】 これらのブロック重合体は、 ・式:CYY'(=CW−CW')b=CH2のエチレン性不飽和単量体と、 ・次の一般式(IIA):
【化7】 の先駆物質重合体と、 ・遊離ラジカル源 とを接触させたことの結果である。
【0042】 重合体(IIA)は、式:CXX'(=CV−CV')a=CH2のエチレン性不飽
和単量体と、一般式(IA)の化合物(I)と、遊離ラジカル源とを接触させた
ことの結果である。 式(IIA)において、nは好ましくは6以上である。 特に好ましい化合物(IIA)は、スチレン(Y'=H、Y=C65、b=0)
、アクリル酸メチル(Y'=H、Y=COOME、b=0)、アクリル酸エチル
(Y'=H、Y=COOEt、b=0)、アクリル酸ブチル(Y'=H、Y=CO
OBu、b=0)、アクリル酸t−ブチル(Y'=H、Y=COOtBu、b=
0)、酢酸ビニル(Y'=H、Y=OCOMe、b=0)又はアクリル酸(Y'=
H、Y=COOH、b=0)のホモ重合体で、R1=CHCH3(CO2Et)、
CH(CO2Et)2又はC(CH32(C65)であり且つR2=CH2CF3
CH2CF2CF2CF3又はCH2CH2613である。
【0043】 下記の実施例は本発明を例示するものであり、その範囲を限定するものではな
い。
【0044】 図1は、本発明に従うキサントゲン酸エステル及び従来技術に従うキサントゲ
ン酸エステルを使用したときの、アクリル酸エチル単量体の転化率の関数として
表わしたときのMn及びMw/Mnの曲線を示す。 図2は、本発明に従うキサントゲン酸エステル及び従来技術に従うキサントゲ
ン酸エステルを使用したときの、スチレン単量体の転化率の関数として表わした
ときのMn及びMw/Mnの曲線を示す。
【0045】 実施例例1 :式(IA)の先駆物質(キサントゲン酸エステル)の合成
【0046】例1.1先駆物質a−(O−ヘプタフルオルブチルキサンチル)プロピオン酸 エチル(A)の合成 ガラスフラスコにおいて1g(5ミリモル)のヘプタフルオルブタノールを1
0mlのDMF(N,N−ジメチルホルムアミド)に溶解する。0.6ml(1
0ミリモル)のCS2を添加する。この溶液を0℃に冷却し、次いで0.24g
(5ミリモル)のNaHを添加する。0℃で1時間撹拌した後に、0.6ml(
4.5ミリモル)の2−ブロムプロピオン酸エチルを添加する。この溶液を0℃
で1時間、次いで周囲温度で2時間撹拌してから、エチルエーテルで希釈する。
次いでこれを水洗し、次いで塩水で洗浄する。有機相を真空中で濃縮し、次いで
粗生成物をカラムを通じて精製する(溶離剤:ヘプタン/酢酸エチル9/1)。
1.5g(88%の収率)の化合物Aを単離した。
【0047】例1.2先駆物質a−(O−トリフルオルエチルキサンチル)プロピオン酸エ チル(B)の合成 ガラスフラスコにおいて2g(20ミリモル)のトリフルオルエタノールを4
0mlのDMFに溶解する。2.4ml(40ミリモル)のCS2を添加する。
この溶液を0℃に冷却し、次いで0.96g(20ミリモル)のNaHを添加す
る。0℃で1時間撹拌した後に、2.34ml(18ミリモル)の2−ブロムプ
ロピオン酸エチルを添加する。この溶液を0℃で1時間、次いで周囲温度で2時
間撹拌してから、エチルエーテルで希釈する。次いでこれを水洗し、次いで塩水
で洗浄する。有機相を真空中で濃縮し、次いで粗生成物をカラムを通じて精製す
る(溶離剤:ヘプタン/酢酸エチル9/1)。3.4g(69%の収率)のキサ
ントゲン酸エステルBを単離した。
【0048】例1.3先駆物質a−(O−トリデカフルオルオクタニルキサンチル)プロピ オン酸エチル(C)の合成 ガラスフラスコにおいて1.1ミリモル(5ミリモル)のトリデカフルオルオ
クタノールを10mlのDMFに溶解する。0.6ml(10ミリモル)のCS 2 を添加する。この溶液を0℃に冷却し、次いで0.24g(5ミリモル)のN
aHを添加する。0℃で1時間撹拌した後に、0.6ml(4.5ミリモル)の
2−ブロムプロピオン酸エチルを添加する。この溶液を0℃で1時間、次いで周
囲温度で2時間撹拌してから、エチルエーテルで希釈する。次いでこれを水洗し
、次いで塩水で洗浄する。有機相を真空中で濃縮し、次いで粗生成物をカラムを
通じて精製する(溶離剤:ヘプタン/酢酸エチル9/1)。2.27g(93%
の収率)のキサントゲン酸エステルCを単離した。
【0049】例2重合体(ホモ重合体)の合成 これらの実施例は、遊離ラジカル重合が本発明のキサントゲン酸エステルを使
用するために制御されることを示す。 以下の実施例において、重合体は、溶離用溶媒としてTHFを使用してGPC
により分析する。Mnは、ポリスチレン当量(g/モル)で表わされる。
【0050】例2.1Bの存在下でのアクリル酸エチルのホモ重合 ガラスフラスコに ・0.02ミリモルのアゾイソブチロニトリル(AIBN)(3.38mg)、
・54.9ミリモルのアクリル酸エチル(5.5g)、 ・0.69ミリモルのキサントゲン酸エステルB(0.19g)、 ・5.97cm3のトルエン(5.17g) を導入する。 得られた溶液を8個の画分に分け、同じ数のカリウスチューブに配分する。こ
れらのチューブを真空管路に接続し、液体窒素中に浸漬し、次いでそれぞれのチ
ュウーブの内容物を“冷凍/真空/周囲温度への回復”の三つサイクルに付して
チューブをガス抜きする。次いで、これらのチューブを真空シールする。周囲温
度に戻した後、これらを80℃に予熱した油浴に浸漬する。それらを規則的な時
間間隔(t)で油浴から次々と取出し、重合を終了させ且つチューブが分析でき
るように液体窒素中に浸漬する。 チューブを開き、次いで微量の残留単量体を揮発させることにより重合体を回
収する。 次の二点を試験する。 ・GPC(UV検出)による先駆物質の転化率 ・重量分析法による単量体の転化率。 得られた結果を表1及び図1に示す。
【0051】
【表1】
【0052】 表1は、初期モル濃度及び温度の同じ条件下でキサントゲン酸エステルBによ
り得られた結果をa−(O−エチルキサンチル)プロピオン酸エチル(R2=エ
チル)により得られた結果と比較する。 Mnの値は、キサントゲン酸エステルBによってより良く制御されることが分
かった。その値は、従来技術のキサントゲン酸エステル(a−(O−エチルキサ
ンチル)プロピオン酸エチル)を使用する重合の場合と異なって、重合の開始時
から理論値(Mn th)に近づく。 更に、Mw/Mnの値はキサントゲン酸エステルBの場合に1に迅速に近づく傾
向があるが、従来技術のキサントゲン酸エステル(a−(O−エチルキサンチル
)プロピオン酸エチル)についてはこの値は1.6よりも上で安定のままである
【0053】例2.2Cの存在下でのアクリル酸エチルのホモ重合 3.9mgのAIBNと7.5mlのアクリル酸エチルよりなる溶液から1.
08mlを取る。この画分をカリウスチューブ内の68.1mg(0.126ミ
リモル)のキサントゲン酸エステルCに添加する。チューブをガス抜きし、次い
で真空シールする。反応を80℃で21時間行なう。結果は下記の通りである。 単量体の転化率は95%である。 キサントゲン酸エステルの転化率は100%である。 Mnの値は9400g/モルである。 Mw/Mnの値は1.48である。 高い転化率では、多分散性指数の値は低く、1に近似することが分かる。
【0054】例2.3Aの存在下でのアクリル酸エチルのホモ重合 ガラスフラスコに ・0.01ミリモルのAIBN(1.69mg)、 ・31.9ミリモルのアクリル酸エチル(3.192g)、 ・0.4ミリモルのキサントゲン酸エステルA(0.15g)、 ・3.47cm3のトルエン(3g) を導入する。 5個のチューブを準備し、例2.1で採用したのと類似の態様で真空シールす
る。分析を同じ態様で実施する。 結果を表2に記録する。
【0055】
【表2】 高い転化率では、多分散性指数の値は1.4に近似することが分かった。
【0056】例2.4Bの存在下でのスチレンのホモ重合 ガラスフラスコに ・3.016g(3.32ml、28.9ミリモル)のスチレン、 ・0.1g(0.36ミリモル)のキサントゲン酸エステルB、 ・3.32mlのトルエン を導入する。 得られた溶液を5個の画分に分け、同じ数のカリウスチューブに配分する。こ
れらをガス抜きし、次いで真空シールし、110℃に保持したオーブンに入れる
。規則的な時間間隔でチューブを取出し、冷却し、次いで開く。得られた結果を
表3及び図2に示す。
【0057】
【表3】
【0058】 表2は、初期モル濃度及び温度の同じ条件下でキサントゲン酸エステルBによ
り得られた結果をa−(O−エチルキサンチル)プロピオン酸エチル(R2=エ
チル)により得られた結果と比較する。 Mnの値は、キサントゲン酸エステルBによってより良く制御されることが分
かった。その値は、従来技術のキサントゲン酸エステル(a−(O−エチルキサ
ンチル)プロピオン酸エチル)を使用する重合の場合と異なって、重合の開始時
から理論値(Mn th)に近づく。 更に、Mw/Mnの値はキサントゲン酸エステルBの場合に1に迅速に近づく傾
向があるが、従来技術のキサントゲン酸エステル(a−(O−エチルキサンチル
)プロピオン酸エチル)についてはこの値は約2で安定のままである。
【0059】例2.5Bの存在下での酢酸ビニルのホモ重合 ガラスチューブに ・4.73g(55ミリモル)の酢酸ビニル、 ・0.19g(0.69ミリモル)キサントゲン酸エステルB、 ・3.38mg(0.02ミリモル)のAIBN を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。60℃で8時間20分後に、
チューブを開き、重合体を分析する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:11.3% Mn=740g/モル Mw/Mn=1.19 温度及び初期濃度の同じ条件下では、従来技術のキサントゲン酸エステル(a
−(O−エチルキサンチル)プロピオン酸エチル)はMnをほぼ10%の単量体
転化率まで制御するのを可能にさせる(<1000g/モル)が、Mw/Mnの値
は1.5近傍に留まっていることが分かった。
【0060】例2.6Bの存在下でのスチレンのホモ重合 ガラスチューブに ・0.81g(0.9ml、7.8ミリモル)のスチレン、 ・27.7mg(0.1ミリモル)キサントゲン酸エステルB ・0.93mlのトルエン を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。120℃で114時間後に、
チューブを開き、重合体を特性化する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:84.4% Mn=7500g/モル Mw/Mn=1.57 高い転化率では、多分散性指数の値は低く、1に近似することが分かった。
【0061】例2.7Bの存在下でのアクリル酸エチルのホモ重合 ガラスチューブに ・1.61g(1.75ml、16.1ミリモル)のアクリル酸エチル、 ・52.6mg(0.19ミリモル)キサントゲン酸エステルB、 ・1.84mlのトルエン を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。80℃で20時間後に、チュ
ーブを開き、重合体を特性化する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:88.1% Mn=8200g/モル Mw/Mn=1.69 高い転化率では、多分散性指数の値は低く、1に近似することが分かった。
【0062】例3ブロック重合体の合成 例3.1ポリスチレン−b−ポリアクリル酸エチルジブロック共重合体の合成 ガラスチューブに ・例2.6に記載した0.25gのポリスチレン、 ・0.3g(3ミリモル)のアクリル酸エチル、 ・0.15mg(9・10-7モル)のAIBN、 ・0.57mlのトルエン を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。120℃で20時間後に、チ
ューブを開き、重合体を特性化する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:40.1% Mn=12400g/モル Mw/Mn=1.45 温度及び初期濃度の同じ条件下では、従来技術のキサントゲン酸エステル(a
−(O−エチルキサンチル)プロピオン酸エチル)は1.8の多分散性指数を有
するジブロック共重合体をもたらすことが分かった。
【0063】例3.2ポリスチレン−b−ポリアクリル酸ブチルジブロック共重合体の合成 ガラスチューブに ・例2.6に記載した0.175gのポリスチレン、 ・0.27g(2.12ミリモル)のアクリル酸ブチル、 ・0.15mg(9・10-7モル)のAIBN、 ・0.57mlのトルエン を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。120℃で20時間後に、チ
ューブを開き、重合体を特性化する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:42.4% Mn=12100g/モル Mw/Mn=1.66
【0064】例3.3ポリアクリル酸エチル−b−ポリ酢酸ビニルジブロック共重合体の合 ガラスチューブに ・例2.7に記載した0.2gのポリアクリル酸エチル、 ・0.2g(2.3ミリモル)の酢酸ビニル、 ・0.44mg(3.6・10-6モル)のAIBN、 ・0.32gのメチルエチルケトン を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。80℃で20時間後に、チュ
ーブを開き、重合体を特性化する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:71% Mn=13300g/モル Mw/Mn=1.66
【0065】例3.4ポリスチレン−b−ポリ酢酸ビニルジブロック共重合体の合成 ガラスチューブに ・例2.6に記載した0.2gのポリスチレン、 ・0.2g(2.3ミリモル)の酢酸ビニル、 ・0.44mg(3.6・10-6モル)のAIBN、 ・0.32mlのトルエン を導入する。 チューブをガス抜きし、次いで真空シールする。80℃で20時間後に、チュ
ーブを開き、重合体を特性化する。結果は下記の通りである。 単量体の転化率:74% Mn=12800g/モル Mw/Mn=1.61
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に従うキサントゲン酸エステル及び従来技術に従うキサントゲン酸エス
テルを使用したときの、アクリル酸エチル単量体の転化率の関数として表わした
ときのMn及びMw/Mnの曲線を示す。
【図2】 本発明に従うキサントゲン酸エステル及び従来技術に従うキサントゲン酸エス
テルを使用したときの、スチレン単量体の転化率の関数として表わしたときのM n 及びMw/Mnの曲線を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 20/42 C08F 20/42 36/04 36/04 293/00 293/00 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,C H,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM, HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,K G,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT ,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW, MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,S E,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT ,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZA, ZW (72)発明者 ドミニク シャルモ アメリカ合衆国 95032 カリフォルニア、 ロス ガートス、リンコナダ ヒルズ、ビ ア ラーゴ 114 (72)発明者 サミル ゼド.ザル フランス国 エフ91190 ジフ スュル イヴェット、アンパス デ 4 ヴァン ト、6 (72)発明者 グザヴィエ フランク フランス国 エフ94260 フレーネ アン フランス、アレ ド ラ レズィダンス ラ ププリィエ、6 Fターム(参考) 4J011 AA06 AB00 AC00 PA45 PB40 PC02 4J026 HA05 HA06 HA10 HA11 HA14 HA15 HA18 HA22 HA23 HA35 HA38 HA48 HB05 HB06 HB10 HB11 HB14 HB15 HB18 HB22 HB23 HB35 HB38 HB42 HB45 HE01 4J100 AB02P AG02P AG04P AL02P AL03P AL04P AS02P AS07P CA01 DA04 FA03 FA06 【要約の続き】

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エチレン性不飽和単量体の少なくとも1種と、遊離ラジカル
    源の少なくとも1種と、一般式(IA)、(IB)又は(IC): 【化1】 [ここで、 R2及びR2’は、 ・アルキル、アシル、アリール、アルケン若しくはアルキン基(i)、又は ・飽和若しくは不飽和の炭素環式系(芳香族でもよい)(ii)、又は ・飽和若しくは不飽和の複素環式系(iii) を表わし、これらの基並びに環式系(i)、(ii)及び(iii)は少なくとも1
    個の弗素原子、塩素原子及び(又は)臭素原子により置換されているものとし、 R1及びR1’は、 ・置換されていてもよいアルキル、アシル、アリール、アルケン若しくはアルキ
    ン基(i)、又は ・置換されていてもよい飽和若しくは不飽和の炭素環式系(芳香族でもよい)(
    ii)、又は ・置換されていてもよい飽和若しくは不飽和の複素環式系(iii) [これらの基並びに環式系(i)、(ii)及び(iii)は置換フェニル基、置換
    芳香族基、又はアルコキシカルボニル若しくはアリールオキシカルボニル(−C
    OOR)、カルボキシ(−COOH)、アシルオキシ(−O2CR)、カルバモ
    イル(−CONR2)、シアノ(−CN)、アルキルカルボニル、アルキルアリ
    ールカルボニル、アリールカルボニル、アリールアルキルカルボニル、フタルイ
    ミド、マレイミド、スクシンイミド、アミジノ、グアニジノ、ヒドロキシル(−
    OH)、アミノ(−NR2)、ハロゲン、アリル、エポキシ、アルコキシ(−O
    R)、S−アルキル若しくはS−アリール基によって置換されていてもよく、こ
    れらの基は親水性又はイオン特性を有するものもので、例えばカルボン酸のアル
    カリ金属塩、スルホン酸のアルカリ金属塩、ポリアルキレンオキシド鎖(PEO
    、PPO)又は陽イオン性置換基(第四アンモニウム塩)であり、Rはアルキル
    基又はアリール基を表わす]、又は ・重合体の連鎖 を表わし、 pは2〜10である] の化合物の少なくとも1種 とを接触させることを特徴とする重合体の製造方法。
  2. 【請求項2】 R2及びR2’が少なくとも1個の弗素原子により置換されて
    いることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 R2が式:−CH2R'5(ここで、R'5は少なくとも1個の弗
    素原子、塩素原子及び(又は)臭素原子により置換されているアルキル基を表わ
    す)の基を表わすことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 R2が下記の基: ・CH2CF3 ・CH2CF2CF2CF3 ・CH2CH2613 から選択される請求項3に記載の方法。
  5. 【請求項5】 R1が、 ・式:CR'1R'2R'3基(ここで、R'1、R'2及びR'3は前記の基(i)、(ii
    )又は(iii)を表わし、又はR'1=R'2=Hであり、R'3はアリール、アルケ
    ン又はアルキン基である)、又は ・式−COR'4基(ここで、R'4は前記の基(i)、(ii)又は(iii)を表わ
    す) を表わすことを特徴とする選択される請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
  6. 【請求項6】 R1が下記の基: ・CH(CH3)(CO2Et) ・CH(CH3)(C65) ・CH(CO2Et)2 ・C(CH3)(CO2Et)(S−C65) ・C(CH32(C65) ・次式: 【化2】 の基 から選択されることを特徴とする選択される請求項5に記載の方法。
  7. 【請求項7】 式(IA)の化合物が重合に使用されることを特徴とする選
    択される請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
  8. 【請求項8】 式(IA)の化合物が、 ・a−(O−ヘプタフルオルブチルキサンチル)プロピオン酸エチル(R1=C
    HCH3(CO2Et)、R2=CH2CF2CF2CF3) ・a−(O−トリフルオルエチルキサンチル)プロピオン酸エチル(R1=CH
    CH3(CO2Et)、R2=CH2CF3) ・a−(O−トリデシルフルオルオクタニルキサンチル)プロピオン酸エチル(
    1=CHCH3(CO2Et)、R2=CH2CH2613) から選択されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 エチレン性不飽和単量体がスチレン又はその誘導体、ブタジ
    エン、クロロプレン、(メタ)アクリル酸エステル及びビニルニトリルから選択
    されることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
  10. 【請求項10】 エチレン性不飽和単量体が酢酸ビニル、ベルサチン酸ビニ
    ル及びプロピオン酸ビニルから選択されることを特徴とする請求項1〜9のいず
    れかに記載の方法。
  11. 【請求項11】エチレン性不飽和単量体を遊離ラジカル源及び式(IA)、
    (IB)又は(IC)の化合物と接触させることからなる方法によって得ること
    ができる重合体。
  12. 【請求項12】 多くとも2、好ましくは多くとも1.5の多分散性指数を
    有することを特徴とする請求項11に記載の重合体。
  13. 【請求項13】 請求項1〜10のいずれかに記載の方法の実施を、 ・先行の実施と比べて異なった単量体、及び ・式(IA)、(IB)又は(IC)の先駆物質化合物の代わりに、先行の実施
    からのブロック重合体 を使用して、少なくとも1回反復することを特徴とするマルチブロック重合体を
    製造する方法。
  14. 【請求項14】 請求項13に記載の方法により得ることができるブロック
    重合体。
  15. 【請求項15】 多くとも2、好ましくは多くとも1.5の多分散性指数を
    有することを特徴とする請求項14に記載の重合体。
  16. 【請求項16】 下記のパートナー: ・ポリスチレン/ポリアクリル酸メチル ・ポリスチレン/ポリアクリル酸エチル ・ポリスチレン/ポリアクリル酸t−ブチル ・ポリアクリル酸エチル/ポリ酢酸ビニル ・ポリアクリル酸ブチル/ポリ酢酸ビニル ・ポリアクリル酸t−ブチル/ポリ酢酸ビニル から選択される少なくとも2種の重合体ブロックを有することを特徴とする請求
    項11に記載のブロック重合体。
JP2001502487A 1999-06-04 2000-05-26 ハロゲン化されたキサントゲン酸エステルにより制御された遊離ラジカル重合によって重合体を合成するための方法 Expired - Fee Related JP3542580B2 (ja)

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