JP2003340343A

JP2003340343A - 基板処理装置

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Publication number: JP2003340343A
Application number: JP2002150151A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kitazawa; 裕之北澤; Yoshiyuki Nakagawa; 良幸中川
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-05-24
Filing date: 2002-05-24
Publication date: 2003-12-02
Anticipated expiration: 2022-05-24
Also published as: JP4197238B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に対する走査を行う際に発生する粉塵な
どの汚染物を除去することができる基板処理装置を提供
する。【解決手段】レジスト液を吐出するスリットノズルを
備える架橋構造４をＸ軸方向に移動させることにより、
基板９０に対する走査を行う基板処理装置１において、
ステージ３の台面３０の上面に設けられた基板保持領域
と、架橋構造４を移動させるための走行レール３１ａと
の間に、吸引ダクト３２および３３を設ける。架橋構造
４を移動させる際に、各吸引ダクト３２および３３の端
部に取り付けられた排気管から吸引を行うことにより、
走行レール３１ａと３１ｂとの摩擦により発生する粉塵
などの汚染物を吸引する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置にお
ける技術に関する。より詳しくは、フラットパネルディ
スプレイ等の製造用のガラス基板等の基板に対する所定
の処理を行う際に発生する粉塵や有機溶剤などを雰囲気
中から除去する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】載置台上の所定の位置に保持した基板に
対して、所定の処理ツールによる走査によって、種々の
処理を行う技術が知られている。例えば、このような技
術の例として、特開平１１−１６５１１１号公報には、
ボールモータによりボールネジを回転させ、処理液を吐
出するスリットノズルの両端に剛性結合された２つの移
動台を移動させることにより、スリットノズルを所定の
方向に移動させて走査を行う技術が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記公報に
記載されている技術では、処理ツールであるスリットノ
ズルを移動させる際に、ボールネジなどの駆動部から潤
滑油や摩擦による金属粉などの汚染物が発生する。そし
てこれらが、基板上に飛散することにより、パーティク
ルの原因となり、処理中の基板が処理不良となるという
問題があった。

【０００４】また、基板上に塗布されたレジストなどの
薬液が乾燥する際には、有機溶剤などの溶媒成分の気体
が発生する。これらの気体を雰囲気中に放置すれば空気
汚染の原因となるという問題があった。

【０００５】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、処理中に発生する汚染物や有機溶剤などを雰囲気
中から速やかに除去することができる基板処理装置を提
供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板を保持する保持台と、所定
の処理ツールが略水平方向に取り付けられ、前記保持台
の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構
造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移
動手段とを備え、前記移動手段が、前記略水平方向に前
記架橋構造を移動させつつ、前記処理ツールによって前
記基板の表面を走査することにより、前記基板の表面に
対して所定の処理を行う基板処理装置において、吸引口
から雰囲気を吸引する少なくとも１つのダクトを備え、
前記ダクトのうちの少なくとも１つについては、前記保
持台の基板保持領域と前記移動手段との間に前記吸引口
が開口している。

【０００７】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記処理ツールが、所定
の処理液を吐出するスリットノズルであり、前記走査に
よって、前記基板の表面上に前記処理液の層が形成され
る。

【０００８】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記ダクトのうちの少な
くとも１つが、前記基板保持領域の近傍に設けられてい
る。

【０００９】また、請求項４の発明は、請求項２または
３の発明に係る基板処理装置において、前記ダクトのう
ちの少なくとも１つが、前記スリットノズルの待機位置
の近傍に設けられている。

【００１０】また、請求項５の発明は、請求項１ないし
４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
ダクトとして、前記保持台の台面に前記吸引口を形成し
た少なくとも１つの台面開口ダクトを含む。

【００１１】また、請求項６の発明は、請求項１ないし
５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
ダクトとして、前記保持台上に配置されたダクトカバー
に前記吸引口を形成した少なくとも１つのカバー開口ダ
クトを含む。

【００１２】また、請求項７の発明は、請求項６の発明
に係る基板処理装置において、前記ダクトカバーに設け
られた前記吸引口が、前記基板保持領域側と、前記移動
手段側とにそれぞれ形成されている。

【００１３】また、請求項８の発明は、請求項１ないし
７のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
ダクトが、前記吸引口から吸引する前記雰囲気の流量を
調節する調整板を有する。

【００１４】また、請求項９の発明は、請求項１ないし
８のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
基板が角形基板であって、前記基板保持領域が矩形とな
っており、前記ダクトが、前記基板保持領域の二辺以上
に沿った位置に設けられている。

【００１５】また、請求項１０の発明は、請求項１ない
し９のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前
記基板が角形基板であって、前記基板保持領域が矩形と
なっており、前記ダクトが、前記基板保持領域の三辺以
上に沿った位置に設けられている。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

【００１７】＜１．実施の形態＞＜１．１構成の説明＞図１は、本発明の実施の形態で
ある基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２
は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図であ
り、図３は、本体２の正面図である。図４は、図３に示
す切断線により本体２を切断した断面側面図である。な
お、図２において、後述する架橋構造４については図示
を省略する。

【００１８】基板処理装置１は、本体２と制御系６とに
大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための
角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０
の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングす
るプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗
布する塗布装置として構成されている。したがって、こ
の実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を
吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、
液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラ
ットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬
液）を塗布する装置として変形利用することもできる。

【００１９】本体２は、被処理基板９０を載置して保持
するための保持台として機能するとともに、付属する各
機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステ
ージ３は直方体形状の一体の石製であり、その表面（台
面３０）のうち上面および側面は平坦面に加工されてい
る。

【００２０】ステージ３の上面中央部に設けられた矩形
の領域である基板保持領域３００には多数の真空吸着口
または真空吸着用の溝（図示せず）が分布して形成され
ており、基板処理装置１において基板９０を処理する
間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の
水平位置に保持する。

【００２１】基板保持領域３００（基板９０が保持され
る領域）を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸び
る一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３
１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック
３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向
を所定の方向に規定する）、架橋構造４を基板保持領域
３００の上方に支持するリニアガイドを構成する。

【００２２】また、ステージ３の上面には、基板保持領
域３００と走行レール３１ａとの間に、走行レール３１
ａと略平行となるように、吸引ダクト３２，３３が設け
られ、さらに、前部には吸引ダクト３４がＹ軸方向に沿
って基板保持領域３００の近傍に設けられる。

【００２３】図５ないし図７は、吸引ダクト３３の構成
を示す図である。吸引ダクト３３は、ダクトカバー３３
０、スリット３３１、調整板３３２および排気管３３３
を備えるカバー開口ダクトである。ダクトカバー３３０
は、ステージ３上に配置され、端部下面から排気管３３
３により吸引される。雰囲気を吸引する吸引口としての
機能を有するスリット３３１は、ダクトカバー３３０の
上面（基板保持領域３００側）および側面（走行レール
３１ａ側）に形成される。調整板３３２は、各スリット
３３１を覆うように配置され、それぞれが移動可能とさ
れている。

【００２４】基板処理装置１は、調整板３３２の位置を
変更することによって、各スリット３３１の開口面積が
変化し、各スリット３３１からの雰囲気の流量を調整す
ることができることから、少量の排気で効率的な吸引が
できる。

【００２５】排気管３３３は、ダクトカバー３３０の端
部下面に取り付けられ、図示しない排気ボックスを介し
て、例えば、工場内の排気設備に接続されている。

【００２６】このような構成により、吸引ダクト３３
は、図５の矢印で示すようにスリット３３１から吸い込
んだ雰囲気を排気設備から排気する機能を有する。

【００２７】ここで、前述のようにスリット３３１は吸
引ダクト３３の上面および側面に設けられており、基板
９０側の雰囲気と走行レール３１ａ側の雰囲気とをそれ
ぞれ吸引することにより、汚染物の発生源となる場所の
雰囲気を選択的に吸引することができるため、効率的に
汚染物を除去することができる。

【００２８】なお、吸引ダクト３２も吸引ダクト３３と
ほぼ左右対称の構成を有し、同様の機能を有している。
また、各スリット３３１の形状、大きさおよび個数など
は本実施の形態に示すものに限られるものではなく、ま
た、それぞれの形状および大きさなどは異なっていても
よい。

【００２９】図８および図９は、吸引ダクト３４の構成
を示す図である。吸引ダクト３４は、ダクトカバー３４
０、スリット３４１、調整板３４２および排気管３４３
を備え、吸引ダクト３２，３３とほぼ同様の構成を有す
る。ただし、吸引ダクト３４は、図９に示すように、中
央部付近に排気管３４３が取り付けられる。

【００３０】このように、基板保持領域３００と走行レ
ール３１ａとの間に、吸引ダクト３２，３３を設けるこ
とにより、架橋構造４を移動させる際に、走行レール３
１ａと支持ブロック３１ｂとの摩擦により発生する粉塵
などの汚染物を除去することができる。また、基板保持
領域３００の近傍に吸引ダクト３４を設けることによ
り、レジスト液が乾燥する際に、基板９０から発生する
有機溶剤の拡散を防止することができる。

【００３１】さらに、吸引ダクト３２ないし３４が、基
板保持領域３００に保持された基板９０の三辺に沿った
位置に設けられていることにより、発生する粉塵や有機
溶剤などの汚染物を効率よく、雰囲気中から除去するこ
とができる。

【００３２】なお、本実施の形態における基板処理装置
１では、吸引ダクト３２ないし３４により吸引される雰
囲気は、工場内に設けられた排気設備により吸引され排
出されると説明したが、このような構成に限られるもの
ではない。例えば、基板処理装置１が、独自に本体２内
にブロア装置を備え、当該ブロア装置が吸引機能を発揮
することにより、各スリットから雰囲気を吸い込むよう
に構成してもよい。

【００３３】ステージ３の上方には、このステージ３の
両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けら
れている。架橋構造４は、カーボンファイバ樹脂を骨材
とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機
構４３，４４とから主に構成される。

【００３４】ノズル支持部４０には、スリットノズル４
１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。

【００３５】水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１に
は、スリットノズル４１へ薬液を供給する配管やレジス
ト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されてい
る。スリットノズル４１は、レジスト用ポンプによりレ
ジスト液が送られ、基板９０の表面を走査することによ
り、基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗
布領域」と称する。）にレジスト液を吐出する。

【００３６】ギャップセンサ４２は、スリットノズル４
１の近傍となるよう、ノズル支持部４０に取り付けら
れ、下方の存在物（例えば、基板９０の表面や、レジス
ト膜の表面）との間の高低差（ギャップ）を測定して、
測定結果を制御系６に伝達する。

【００３７】このように、ノズル支持部４０にスリット
ノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられるこ
とにより、これらの相対的な位置関係が固定される。し
たがって、制御系６は、ギャップセンサ４２の測定結果
に基づいて、基板９０の表面とスリットノズル４１との
距離を検出することができる。なお、本実施の形態にお
ける基板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備
えているが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られる
ものではなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備
えていてもよい。

【００３８】昇降機構４３，４４はスリットノズル４１
の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノ
ズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４はスリ
ットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリッ
トノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも
用いられる。

【００３９】架橋構造４の両端部には、ステージ３の両
側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレス
リニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略す
る。）５０，５１が、それぞれ固設される。

【００４０】リニアモータ５０は、固定子（ステータ）
５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子
５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方
向に移動させるための駆動力を生成するモータである。
また、リニアモータ５０による移動量および移動方向
は、制御系６からの制御信号により制御可能となってい
る。なお、リニアモータ５１もほぼ同様の機能、構成を
有する。

【００４１】リニアエンコーダ５２，５３は、それぞれ
スケール部および検出子を備え（図示せず）、スケール
部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御系６
に伝達する。各検出子は架橋構造４の両端部にそれぞれ
固設されているため、リニアエンコーダ５２，５３は架
橋構造４の位置検出を行う機能を有している。

【００４２】図４に示すように、ステージ３の上面後方
には溝３５が設けられており、当該溝３５には吸引ダク
ト３６が設けられる。吸引ダクト３６は、溝３５の下面
（台面３０）に形成された吸引口３６０および吸引口３
６０の下方側を吸引する排気管３６１により構成される
台面開口ダクトであり、吸引ダクト３２ないし３４と同
様に周辺部の雰囲気を吸引する機能を有する。

【００４３】このように、スリットノズル４１の待機位
置の近傍であるステージ３の後方に、吸引ダクト３６を
設けることにより、待機中のスリットノズル４１やレジ
スト供給タンクなどから発生する有機溶剤の拡散を防止
することができる。なお、排気管３６１は、排気管３３
３などと同様に、図示しない排気ボックスを介して、工
場内の排気設備に接続されている。

【００４４】制御系６は、プログラムに従って各種デー
タを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保
存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オ
ペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力す
るための操作部６２、および各種データを表示する表示
部６３を備える。

【００４５】制御系６は、図示しないケーブルにより本
体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２お
よび各種センサなどからの信号に基づいて、昇降機構４
３，４４、リニアモータ５０，５１、吸引ダクト３２な
いし３４、および吸引ダクト３６などの各構成を制御す
る。

【００４６】なお、具体的には、記憶部６１としてはデ
ータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯ
Ｍ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光
磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、および
それらの読み取り装置などであってもよい。また、操作
部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウ
スなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプ
レイのように表示部６３の機能を兼ね備えたものであっ
てもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや各種ラン
プなどが該当する。

【００４７】＜１．２動作の説明＞次に、基板処理装
置１の動作について説明する。基板処理装置１では、オ
ペレータまたは図示しない搬送機構により、基板９０が
搬送されることによって、レジスト塗布処理が開始され
る。なお、処理を開始するための指示は、基板９０の搬
送が完了した時点で、オペレータが操作部６２を操作す
ることにより入力されてもよい。また、吸引ダクト３２
ないし３４および３６は、予め雰囲気の吸引を行ってお
り、吸引ダクト３２ないし３４に設けられている各調整
板の位置は、予めオペレータにより手動調整されている
ものとする。

【００４８】まず、ステージ３が基板保持領域３００に
基板９０を吸着して保持する。続いて、昇降機構４３，
４４が、ノズル支持部４０に取り付けられたギャップセ
ンサ４２を基板９０の厚み分よりも高い所定の高度（以
下、「測定高度」と称する。）に移動させる。

【００４９】ギャップセンサ４２が測定高度にセットさ
れると、リニアモータ５０，５１が、架橋構造４をＸ方
向に移動させることにより、ギャップセンサ４２をレジ
スト塗布領域の上方まで移動させる。ここで、レジスト
塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗
布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積
から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。
このとき、制御系６は、リニアエンコーダ５２，５３の
検出結果に基づいて、それぞれのリニアモータ５０，５
１に制御信号を与えることにより、ギャップセンサ４２
の位置を制御する。

【００５０】このように、レジスト液の塗布処理に限ら
ず、架橋構造４が移動する際には、走行レール３１ａと
支持ブロック３１ｂとの摩擦により、粉塵などの汚染物
が発生するが、前述のように、これら汚染物は主に基板
９０と走行レール３１ａとの間に設けられた吸引ダクト
３２，３３により吸引され、効果的に除去される。

【００５１】次に、ギャップセンサ４２が基板９０表面
のレジスト塗布領域における基板９０表面とスリットノ
ズル４１とのギャップの測定を開始する。測定が開始さ
れると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をさらに
Ｘ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジス
ト塗布領域を走査し、走査中の測定結果を制御系６に伝
達する。このとき、制御系６は、ギャップセンサ４２の
測定結果を、リニアエンコーダ５２，５３によって検出
される水平位置と関連づけて記憶部６１に保存する。

【００５２】架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通
過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、
制御系６は、架橋構造４をその位置で停止させ、ギャッ
プセンサ４２からの測定結果に基づいて、スリットノズ
ル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリッ
トノズル４１とレジスト塗布領域との間隔がレジスト液
を塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正
姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算
出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，
４４に制御信号を与える。その制御信号に基づいて、そ
れぞれの昇降機構４３，４４がノズル支持部４０をＺ軸
方向に移動させ、スリットノズル４１を適正姿勢に調整
する。さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を
−Ｘ方向に移動させ、スリットノズル４１を吐出開始位
置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、レジスト
塗布領域の一辺にスリットノズル４１がほぼ沿う位置で
ある。

【００５３】スリットノズル４１が吐出開始位置まで移
動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５
１およびレジスト用ポンプ（図示せず）に与える。その
制御信号に基づいて、リニアモータ５０，５１が架橋構
造４を−Ｘ方向に移動させることでスリットノズル４１
が基板９０の表面を走査し、そのスリットノズル４１の
走査中にレジスト用のポンプを運転することでスリット
ノズル４１にレジストが送られ、スリットノズル４１が
レジスト塗布領域にレジスト液を吐出する。これによ
り、基板９０の表面上にレジスト液の層が形成される。

【００５４】スリットノズル４１が吐出終了位置まで移
動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５
１およびレジスト用ポンプに与える。その制御信号に基
づいて、レジスト用ポンプが停止することによってスリ
ットノズル４１からのレジストの吐出が停止し、昇降機
構４３，４４がギャップセンサ４２を測定高度に移動さ
せる。

【００５５】さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構
造４をＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２が
レジスト塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレ
ジスト膜とのギャップを測定して制御系６に伝達する。
制御系６は、レジスト塗布前に測定したギャップの値
（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定
したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）とを比
較することにより、基板９０上のレジスト膜の厚さを算
出し、算出結果を表示部６３に表示する。

【００５６】レジスト膜の検査が終了すると、制御系６
は、リニアモータ５０，５１に制御信号を与えることに
より、架橋構造４を−Ｘ方向に移動させ、スリットノズ
ルをステージ３の後方の待機位置に移動させる。さら
に、基板処理装置１は、塗布されたレジストが基板９０
を搬送できる程度にまで乾燥するまで待機する。

【００５７】このように、待機位置にあるスリットノズ
ル４１においてレジスト液が乾燥するために有機溶剤の
蒸気が発生するが、当該待機位置の近傍には吸引ダクト
３６が設けられているため、当該有機溶剤の蒸気を効率
よく除去することができ、有機溶剤の蒸気の拡散を防止
することができる。また、レジスト液が塗布された基板
９０からも有機溶剤の蒸気が発生するが、当該有機溶剤
の蒸気は、主に吸引ダクト３２ないし３４により除去さ
れる。

【００５８】基板処理装置１は、所定の時間が経過する
まで待機した後、ステージ３による基板９０の吸着を停
止し、オペレータまたは搬送機構が基板９０を基板保持
領域３００から取り上げ、次の処理工程に搬送する。

【００５９】以上により、本実施の形態における基板処
理装置１では、基板保持領域３００と走行レール３１ａ
との間に設けられた吸引ダクト３２，３３が雰囲気を吸
引することにより、架橋構造４を移動させる際に走行レ
ール３１ａと支持ブロック３１ｂとの摩擦により発生す
る粉塵などの汚染物を除去することができる。また、吸
引ダクト３２ないし３４および３６により、レジスト液
が塗布された基板９０や待機中のスリットノズル４１な
どから発生する有機溶剤の蒸気を除去することができ
る。

【００６０】＜２．変形例＞以上、本発明の実施の形
態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく様々な変形が可能である。

【００６１】例えば、吸引ダクト３２ないし３４は、ダ
クトカバーを有するタイプ（カバー開口ダクト）を用い
るとして説明したが、これらは、吸引ダクト３６のよう
にステージ３の台面３０に吸引口（スリット）が形成さ
れているタイプ（台面開口ダクト）であってもよい。ま
た、吸引ダクト３６がカバー開口ダクトであってもよ
い。

【００６２】また、吸引ダクト３２ないし３４の調整板
は、手動で移動させることに限定されるものではない。
例えば、各調整板を移動させる機構を別途設けて、制御
系６が各調整板の移動を制御することにより、自動的に
雰囲気の流量を調整するように構成してもよい。

【００６３】また、上記実施の形態では、カバー開口ダ
クト（吸引ダクト３２ないし３４）に調整板が設けられ
ている例のみ説明したが、台面開口ダクト（吸引ダクト
３６）の吸引口に調整板を設けて、吸引する雰囲気の流
量を調整するようにしてもよい。

【００６４】また、上記実施の形態では、架橋構造４を
移動させるために接触式の移動機構（走行レール３１ａ
および支持ブロック３１ｂ）を用いる場合を例に説明し
たが、これに限られるものではない。例えば、エアーベ
アリングなどのような非接触式の移動機構が用いられて
もよい。このような場合、当該移動機構は、架橋構造４
を浮上させるためのエアーを噴出させる必要があり、当
該噴出により粉塵などが拡散されるため、基板処理装置
１のように基板保持領域３００と移動機構との間に吸引
ダクトを設けて、吸引を行うことが有効である。

【００６５】

【発明の効果】請求項１ないし１０に記載の発明では、
ダクトのうちの少なくとも１つについては、保持台の基
板保持領域と移動手段との間に吸引口が開口しているこ
とにより、処理ツールを移動させる際に、主に移動手段
から発生する粉塵などの汚染物を除去することができ
る。

【００６６】請求項３に記載の発明では、ダクトのうち
の少なくとも１つが、基板保持領域の近傍に設けられて
いることにより、処理液が乾燥する際に、発生する有機
溶剤の蒸気などの拡散を防止することができる。

【００６７】請求項４に記載の発明では、ダクトのうち
の少なくとも１つが、スリットノズルの待機位置の近傍
に設けられていることにより、待機中のスリットノズル
から発生する有機溶剤の蒸気などの拡散を防止すること
ができる。

【００６８】請求項５に記載の発明では、ダクトとし
て、保持台の台面に吸引口を形成した少なくとも１つの
台面開口ダクトを含むことにより、請求項１ないし４に
記載の発明を容易に実現することができる。

【００６９】請求項６に記載の発明では、ダクトとし
て、保持台上に配置されたダクトカバーに吸引口を形成
した少なくとも１つのカバー開口ダクトを含むことによ
り、当該ダクトについては、任意の位置から吸引するこ
とができるため、設計を容易にすることができる。

【００７０】請求項７に記載の発明では、ダクトカバー
に設けられた吸引口が、基板保持領域側と、移動手段側
とにそれぞれ形成されていることにより、汚染物などの
発生源となる場所の雰囲気を選択的に吸引することがで
きるため、効率的な汚染防止ができる。

【００７１】請求項８に記載の発明では、ダクトが、吸
引口から吸引する雰囲気の流量を調節する調整板を有す
ることにより、分布調整ができるため、少量の排気で効
率的な吸引ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である基板処理装置１の概
略を示す斜視図である。

【図２】基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図
である。

【図３】本体２の正面図である。

【図４】図２に示す切断線（IV−IV線）により本体２を
切断した断面側面図である。

【図５】吸引ダクトの構成を示す図である。

【図６】吸引ダクトの構成を示す図である。

【図７】図６に示す切断線（VII−VII線）により吸引ダ
クトを切断した状態を示す図である。

【図８】吸引ダクトの構成を示す図である。

【図９】図８に示す切断線（IX−IX線）により吸引ダク
トを切断した状態を示す図である。

【符号の説明】

１基板処理装置３ステージ３０台面３００基板保持領域３１ａ走行レール３１ｂ支持ブロック３２，３３吸引ダクト３３０ダクトカバー３３１スリット３３２調整板３３３排気管３４吸引ダクト３４０ダクトカバー３４１スリット３４２調整板３４３排気管３６吸引ダクト３６０吸引口３６１排気管４架橋構造４１スリットノズル９０基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川良幸京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 JB02 JC19 4F041 AA02 AA05 AB01 BA05 CA02 4F042 AA02 AA06 AB00 BA13 CB03 DA01 DD38 DF07 5F046 JA27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を保持する保持台と、所定の処理ツールが略水平方向に取り付けられ、前記保
持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移
動させる移動手段と、を備え、前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動
させつつ、前記処理ツールによって前記基板の表面を走
査することにより、前記基板の表面に対して所定の処理
を行う基板処理装置において、吸引口から雰囲気を吸引する少なくとも１つのダクトを
備え、前記ダクトのうちの少なくとも１つについては、前記保
持台の基板保持領域と前記移動手段との間に前記吸引口
が開口していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記処理ツールが、所定の処理液を吐出するスリットノ
ズルであり、前記走査によって、前記基板の表面上に前記処理液の層
が形成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記ダクトのうちの少なくとも１つが、前記基板保持領
域の近傍に設けられていることを特徴とする基板処理装
置。
【請求項４】請求項２または３に記載の基板処理装置
において、前記ダクトのうちの少なくとも１つが、前記スリットノ
ズルの待機位置の近傍に設けられていることを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記ダクトとして、前記保持台の台面に前記吸引口を形
成した少なくとも１つの台面開口ダクトを含むことを特
徴とする基板処理装置。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記ダクトとして、前記保持台上に配置されたダクトカ
バーに前記吸引口を形成した少なくとも１つのカバー開
口ダクトを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項６に記載の基板処理装置におい
て、前記ダクトカバーに設けられた前記吸引口が、前記基板
保持領域側と、前記移動手段側とにそれぞれ形成されて
いることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記ダクトが、前記吸引口から吸引する前記雰囲気の流量を調節する調
整板、を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】請求項１ないし８のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記基板が角形基板であって、前記基板保持領域が矩形
となっており、前記ダクトが、前記基板保持領域の二辺以上に沿った位
置に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】請求項１ないし９のいずれかに記載の
基板処理装置において、前記基板が角形基板であって、前記基板保持領域が矩形
となっており、前記ダクトが、前記基板保持領域の三辺以上に沿った位
置に設けられていることを特徴とする基板処理装置。