JP2003338675A - 導電性基板上にレジスト層を形成する装置 - Google Patents
導電性基板上にレジスト層を形成する装置Info
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- JP2003338675A JP2003338675A JP2003068454A JP2003068454A JP2003338675A JP 2003338675 A JP2003338675 A JP 2003338675A JP 2003068454 A JP2003068454 A JP 2003068454A JP 2003068454 A JP2003068454 A JP 2003068454A JP 2003338675 A JP2003338675 A JP 2003338675A
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗着効率を向上できる導電性基板上にレジス
ト層を形成する装置を提供する。 【解決手段】 導電性基板上にレジスト層を形成する装
置において、導電性基板を搬送する搬送装置と、該搬送
装置によって搬送される導電性基板に液状レジストを塗
布するための、スプレー装置と、オーバースプレーされ
て、基板に未塗着の液状レジストを回収し再使用する装
置を具備することを特徴とする導電性基板上にレジスト
層を形成する装置。
ト層を形成する装置を提供する。 【解決手段】 導電性基板上にレジスト層を形成する装
置において、導電性基板を搬送する搬送装置と、該搬送
装置によって搬送される導電性基板に液状レジストを塗
布するための、スプレー装置と、オーバースプレーされ
て、基板に未塗着の液状レジストを回収し再使用する装
置を具備することを特徴とする導電性基板上にレジスト
層を形成する装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性基板上にレジ
スト層を形成する装置に関する。
スト層を形成する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、プリント基板を製造
する場合、液状レジストの塗装には、スプレー塗装法が
用いられてきた。プリント基板に液状レジストをスプレ
ー塗装すると、プリント基板に液状レジストが付着する
塗着効率は、一番効率の良い静電スプレー法を用いても
８０％程度であって、残りの液状レジストは未塗着（オ
ーバースプレー、２０％）となり、回収、廃棄されてい
るのが現状である。
する場合、液状レジストの塗装には、スプレー塗装法が
用いられてきた。プリント基板に液状レジストをスプレ
ー塗装すると、プリント基板に液状レジストが付着する
塗着効率は、一番効率の良い静電スプレー法を用いても
８０％程度であって、残りの液状レジストは未塗着（オ
ーバースプレー、２０％）となり、回収、廃棄されてい
るのが現状である。
【０００３】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
導電性基板にレジスト層を形成する装置において、塗着
効率を向上させるために鋭意研究を行った結果、オーバ
ースプレーされた、液状レジストを回収して再使用する
ことで、実質的に塗着効率を向上させることができるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
導電性基板にレジスト層を形成する装置において、塗着
効率を向上させるために鋭意研究を行った結果、オーバ
ースプレーされた、液状レジストを回収して再使用する
ことで、実質的に塗着効率を向上させることができるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００４】かくして、本発明に従えば、導電性基板上
にレジスト層を形成する装置において、導電性基板を搬
送する搬送装置と、該搬送装置によって搬送される導電
性基板に液状レジストを塗布するための、スプレー装置
と、オーバースプレーされて、基板に未塗着の液状レジ
ストを回収し再使用する装置を具備することを特徴とす
る導電性基板上にレジスト層を形成する装置が提供され
る。
にレジスト層を形成する装置において、導電性基板を搬
送する搬送装置と、該搬送装置によって搬送される導電
性基板に液状レジストを塗布するための、スプレー装置
と、オーバースプレーされて、基板に未塗着の液状レジ
ストを回収し再使用する装置を具備することを特徴とす
る導電性基板上にレジスト層を形成する装置が提供され
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の装置について、図１を参
照して、実施例に従う導電性基板上にレジスト層を形成
する装置を説明する。本発明の装置は、導電性基板（以
下、単に「導電性基板」ということがある）８を保持し
移動せしめる搬送装置９と導電性基板に液状レジストを
塗布するスプレーガン１，２と、オーバースプレーされ
た液状レジストを回収するためのブース３、回収された
液状レジストの粘度を調整し、順次ろ過し、圧送してス
プレー装置へ循環供給する供給装置４、これらを制御す
る制御装置を具備する。
照して、実施例に従う導電性基板上にレジスト層を形成
する装置を説明する。本発明の装置は、導電性基板（以
下、単に「導電性基板」ということがある）８を保持し
移動せしめる搬送装置９と導電性基板に液状レジストを
塗布するスプレーガン１，２と、オーバースプレーされ
た液状レジストを回収するためのブース３、回収された
液状レジストの粘度を調整し、順次ろ過し、圧送してス
プレー装置へ循環供給する供給装置４、これらを制御す
る制御装置を具備する。
【０００６】搬送装置９は、その制御装置（図示せず）
によって制御される、駆動モーター（図示せず）と、搬
送装置９に結合されたハンガー６を具備する。ハンガー
６は、導電性基板８を掴む保持部７を備えている。ブー
ス３は内部に導電性基板に液状レジストを塗布するため
のスプレーガン１および２、そのスプレーガンを導電性
基板の高さに上下運動させるレシプロ装置１０および１
１を具備し、そして導電性基板を検知してスプレーガン
１および２のＯＮ−ＯＦＦを行うためのセンサー装置
（図示せず）を具備することができる。
によって制御される、駆動モーター（図示せず）と、搬
送装置９に結合されたハンガー６を具備する。ハンガー
６は、導電性基板８を掴む保持部７を備えている。ブー
ス３は内部に導電性基板に液状レジストを塗布するため
のスプレーガン１および２、そのスプレーガンを導電性
基板の高さに上下運動させるレシプロ装置１０および１
１を具備し、そして導電性基板を検知してスプレーガン
１および２のＯＮ−ＯＦＦを行うためのセンサー装置
（図示せず）を具備することができる。
【０００７】レジスト供給装置４は、回収液状レジスト
の粘度を調整する調整装置、調整された液状レジストを
ろ過するろ過装置、ろ過された液状レジストを圧送供給
するための供給装置を具備することができる。これらを
制御する制御装置は、具体的にはその内部に粘度計、流
量計およびガス濃度計を内蔵し、回収液状レジストの
量、粘度及び予め登録してある回収液状レジスト中の数
種類のシンナーの組成をモニターしており、スプレーに
よって気化したシンナーを補給し粘度調整が行われるた
めシンナー組成は変化しない。また、最適なスプレー塗
布ができるように気温の変化によってシンナー組成及び
粘度を変えることもできる。
の粘度を調整する調整装置、調整された液状レジストを
ろ過するろ過装置、ろ過された液状レジストを圧送供給
するための供給装置を具備することができる。これらを
制御する制御装置は、具体的にはその内部に粘度計、流
量計およびガス濃度計を内蔵し、回収液状レジストの
量、粘度及び予め登録してある回収液状レジスト中の数
種類のシンナーの組成をモニターしており、スプレーに
よって気化したシンナーを補給し粘度調整が行われるた
めシンナー組成は変化しない。また、最適なスプレー塗
布ができるように気温の変化によってシンナー組成及び
粘度を変えることもできる。
【０００８】このレジスト層形成装置の作動について以
下に説明する。ハンガー６に保持され、搬送装置により
搬送された導電性基板８が、ブース３の入り口に達する
と、センサー装置（図示せず）によって検知されること
により、レシプロ装置１０および１１が作動し基板の高
さにあわせてスプレーガン１および２が上下運動すると
同時に液状レジストがスプレーガン１および２からスプ
レーされる。
下に説明する。ハンガー６に保持され、搬送装置により
搬送された導電性基板８が、ブース３の入り口に達する
と、センサー装置（図示せず）によって検知されること
により、レシプロ装置１０および１１が作動し基板の高
さにあわせてスプレーガン１および２が上下運動すると
同時に液状レジストがスプレーガン１および２からスプ
レーされる。
【０００９】導電性基板の両面のうちの一方の面である
例えばＡ面にスプレーガン１により液状レジストが塗布
され、一方導電性基板の両面のうちの他の面例えばＢ面
にスプレーガン２により液状レジストが塗布される。導
電性基板がブース３の出口に達すると、センサー装置
（図示せず）に検知されることにより、スプレーと、レ
シプロ装置１０および１１が停止する。
例えばＡ面にスプレーガン１により液状レジストが塗布
され、一方導電性基板の両面のうちの他の面例えばＢ面
にスプレーガン２により液状レジストが塗布される。導
電性基板がブース３の出口に達すると、センサー装置
（図示せず）に検知されることにより、スプレーと、レ
シプロ装置１０および１１が停止する。
【００１０】導電性基板に付着しない液状レジストは、
ブース３の下方に流れ落ち、ブース３の下方に設けられ
たパイプ５により、液状レジスト供給装置４に送られ、
調整装置で、粘度調整が行われ、ろ過装置を経て、圧送
装置によりスプレーガン１および２に圧送され、再使用
される。未塗着の液状レジストを回収し再使用する装置
について、図２を参照してさらに詳細に説明する。
ブース３の下方に流れ落ち、ブース３の下方に設けられ
たパイプ５により、液状レジスト供給装置４に送られ、
調整装置で、粘度調整が行われ、ろ過装置を経て、圧送
装置によりスプレーガン１および２に圧送され、再使用
される。未塗着の液状レジストを回収し再使用する装置
について、図２を参照してさらに詳細に説明する。
【００１１】図１のブース３より回収された液状レジス
トはフィルター３２でろ過され、液状レジスト回収タン
ク３１に回収される。その際、流量計２１によって回収
量が測定される。回収された液状レジストは撹拌装置３
３によって撹拌されつつガスクロ装置２８によってシン
ナー組成が常時監視され、また粘度計２６によって粘度
も常時監視されている。
トはフィルター３２でろ過され、液状レジスト回収タン
ク３１に回収される。その際、流量計２１によって回収
量が測定される。回収された液状レジストは撹拌装置３
３によって撹拌されつつガスクロ装置２８によってシン
ナー組成が常時監視され、また粘度計２６によって粘度
も常時監視されている。
【００１２】これらのデーターは演算装置２４に送られ
シンナーの補給量が計算される。続いて定量ポンプ２２
が作動しシンナータンク３０から計算された量のシンナ
ーが液状レジスト回収タンク３１に投入され粘度が調整
される。液状レジスト回収タンク３１の液面は液面計２
５により常時監視されており回収量が減少したら補給液
状レジストタンク２９から新レジストが補給される。そ
の際流量計２３により補給量が測定され、データーは演
算装置２４に送られ、シンナー投入量が計算される。
シンナーの補給量が計算される。続いて定量ポンプ２２
が作動しシンナータンク３０から計算された量のシンナ
ーが液状レジスト回収タンク３１に投入され粘度が調整
される。液状レジスト回収タンク３１の液面は液面計２
５により常時監視されており回収量が減少したら補給液
状レジストタンク２９から新レジストが補給される。そ
の際流量計２３により補給量が測定され、データーは演
算装置２４に送られ、シンナー投入量が計算される。
【００１３】調整が終了した液状レジストは流量計２７
によって流量が測定されたのちフィルター３４でろ過さ
れて塗布レジストタンク（図示せず）に送られ、再使用
される。上記実施例態様において、スプレーガンとし
て、エアレススプレーガン、エアースプレーガンを使用
することができる。
によって流量が測定されたのちフィルター３４でろ過さ
れて塗布レジストタンク（図示せず）に送られ、再使用
される。上記実施例態様において、スプレーガンとし
て、エアレススプレーガン、エアースプレーガンを使用
することができる。
【００１４】導電性基板８の搬送速度は、生産量により
決定されるが、液状レジストのタレを考慮すると、０．
１〜１０ｍ／ｍｉｎが好ましく、更に好ましいのは０．
５〜５ｍ／ｍｉｎである。スプレーガン１，２の上下速
度は、導電性基板８の大きさにもよるが、好ましくは
０．１〜２０ｍ／ｍｉｎである。また、液状レジストの
粘度は、０．１〜１Ｐａ・ｓが好ましい。また、本発明
の装置を使用して形成されたレジスト膜の形成方法につ
いて、以下に述べる。
決定されるが、液状レジストのタレを考慮すると、０．
１〜１０ｍ／ｍｉｎが好ましく、更に好ましいのは０．
５〜５ｍ／ｍｉｎである。スプレーガン１，２の上下速
度は、導電性基板８の大きさにもよるが、好ましくは
０．１〜２０ｍ／ｍｉｎである。また、液状レジストの
粘度は、０．１〜１Ｐａ・ｓが好ましい。また、本発明
の装置を使用して形成されたレジスト膜の形成方法につ
いて、以下に述べる。
【００１５】液状レジストが塗装される導電性基板とし
ては、表面に導電性被膜を形成してなる基板を挙げるこ
とができ、その具体例として、例えば、電気絶縁性のガ
ラス−エポキシ板などのプラスチックフィルム等の基材
表面に、銅、アルミニウム等の金属箔を接着することに
よって、あるいは基材表面に銅などの金属又は酸化イリ
ジウム−錫（ＩＴＯ）に代表される導電性酸化物などの
化合物の導電性被膜を真空蒸着などの方法を用いて形成
することによって、表面を導電性とした基材にスルーホ
ール部を設けそのスルーホール部内部に、例えば銅メッ
キなどの方法によって導電性被膜を形成してなる基板；
また金属などの導電体パターンを形成した基板上に、絶
縁性樹脂層を設け、この樹脂層にレーザー加工又は写真
法などにより非貫通穴開けを行い、ついで銅メッキなど
の方法によって非貫通穴部内面を含む絶縁性樹脂層表面
に導電性被膜を形成してなる基板；該基板に写真法等に
より導電性回路パターンを形成した基板；等を挙げるこ
とができる。
ては、表面に導電性被膜を形成してなる基板を挙げるこ
とができ、その具体例として、例えば、電気絶縁性のガ
ラス−エポキシ板などのプラスチックフィルム等の基材
表面に、銅、アルミニウム等の金属箔を接着することに
よって、あるいは基材表面に銅などの金属又は酸化イリ
ジウム−錫（ＩＴＯ）に代表される導電性酸化物などの
化合物の導電性被膜を真空蒸着などの方法を用いて形成
することによって、表面を導電性とした基材にスルーホ
ール部を設けそのスルーホール部内部に、例えば銅メッ
キなどの方法によって導電性被膜を形成してなる基板；
また金属などの導電体パターンを形成した基板上に、絶
縁性樹脂層を設け、この樹脂層にレーザー加工又は写真
法などにより非貫通穴開けを行い、ついで銅メッキなど
の方法によって非貫通穴部内面を含む絶縁性樹脂層表面
に導電性被膜を形成してなる基板；該基板に写真法等に
より導電性回路パターンを形成した基板；等を挙げるこ
とができる。
【００１６】本発明の装置を用いて上記液状レジストを
塗布すると、液状レジストが両面同時に塗布できる。こ
のスプレーガンは従来から公知のものを使用することが
できる。このようにして基板にレジスト層を形成するこ
とができる。プリント配線基板を製造するには、本発明
の装置を用いて基板上に形成されたレジスト層を露光、
現像することによりレジストパターンを形成し、必要で
あれば、エッチング、残存レジスト層の除去を行う。
塗布すると、液状レジストが両面同時に塗布できる。こ
のスプレーガンは従来から公知のものを使用することが
できる。このようにして基板にレジスト層を形成するこ
とができる。プリント配線基板を製造するには、本発明
の装置を用いて基板上に形成されたレジスト層を露光、
現像することによりレジストパターンを形成し、必要で
あれば、エッチング、残存レジスト層の除去を行う。
【００１７】また、ビルドアップ基板用層間絶縁層の形
成においては、絶縁材料は光硬化性であっても熱硬化性
であってもよく、後者の場合はレーザー加工機等によっ
て非貫通穴を形成することができる。基板に塗装された
レジスト層は、必要とされるパターン状に活性光線を露
光し、ついで現像を行ってレジストパターンを基板上に
形成する。パターン状に活性光線を照射する方法、例え
ば、ネガ型又はポジ型のフォトマスクを介して活性光線
を照射する方法、レーザー走査による直接描画法などに
よって行うことができる。
成においては、絶縁材料は光硬化性であっても熱硬化性
であってもよく、後者の場合はレーザー加工機等によっ
て非貫通穴を形成することができる。基板に塗装された
レジスト層は、必要とされるパターン状に活性光線を露
光し、ついで現像を行ってレジストパターンを基板上に
形成する。パターン状に活性光線を照射する方法、例え
ば、ネガ型又はポジ型のフォトマスクを介して活性光線
を照射する方法、レーザー走査による直接描画法などに
よって行うことができる。
【００１８】露光に使用し得る活性光線としては、紫外
線、可視光線、レーザー光（例えば可視光レーザー、紫
外線レーザー）などが挙げられ、その照射量は通常、
０．５〜２００００ｊ／ｍ２、好ましくは１〜１０００
０ｊ／ｍ２の範囲内が適当である。また上記活性光線の
照射源としては、従来から光硬化性レジストへの光照射
のために使用されているものが同様に使用可能であり、
超高圧水銀灯、高圧水銀灯、アルゴンレーザー、エキシ
マレーザーなどが挙げられる。
線、可視光線、レーザー光（例えば可視光レーザー、紫
外線レーザー）などが挙げられ、その照射量は通常、
０．５〜２００００ｊ／ｍ２、好ましくは１〜１０００
０ｊ／ｍ２の範囲内が適当である。また上記活性光線の
照射源としては、従来から光硬化性レジストへの光照射
のために使用されているものが同様に使用可能であり、
超高圧水銀灯、高圧水銀灯、アルゴンレーザー、エキシ
マレーザーなどが挙げられる。
【００１９】上記露光によって、レジスト層がネガ型で
ある場合には露光部が硬化され、未露光量が現像によっ
て除去される。一方、レジスト層がポジ型である場合に
は露光部が分解、イオン形成などにより現像液に溶解さ
れやすくなり、露光部が現像によって除去される。
ある場合には露光部が硬化され、未露光量が現像によっ
て除去される。一方、レジスト層がポジ型である場合に
は露光部が分解、イオン形成などにより現像液に溶解さ
れやすくなり、露光部が現像によって除去される。
【００２０】現像は、露光されたレジストを、レジスト
に応じた現像液、例えば、酸現像液、アルカリ現像液、
水もしくは有機溶剤に浸漬する方法、又はレジストにこ
れらの現像液をスプレーする方法などによってレジスト
を洗浄することによって行うことができる。現像条件は
特に限定されるものではないが、通常、１５〜４０℃で
１５秒〜５分の範囲で行うことが好ましい。
に応じた現像液、例えば、酸現像液、アルカリ現像液、
水もしくは有機溶剤に浸漬する方法、又はレジストにこ
れらの現像液をスプレーする方法などによってレジスト
を洗浄することによって行うことができる。現像条件は
特に限定されるものではないが、通常、１５〜４０℃で
１５秒〜５分の範囲で行うことが好ましい。
【００２１】上記のようにして得られるレジストパター
ンが形成された基板は、必要に応じてレジストパターン
が形成されていない露出部の導電性皮膜をエッチングす
ることにより回路パターンが形成される。このエッチン
グは、基板上の導電性皮膜の種類などに応じて選択され
たエッチング剤を用いて行うことができる。例えば導電
性皮膜が銅である場合には、塩化第二銅などの酸性エッ
チング液、アンモニヤ系エッチング液などを用いて行う
ことができる。このエッチングによって現像工程により
露出した部分の導電性皮膜を除去することができる。本
発明においては、スルーホール部の内部の銅が溶解する
ことがなく断線を起こすことがない。
ンが形成された基板は、必要に応じてレジストパターン
が形成されていない露出部の導電性皮膜をエッチングす
ることにより回路パターンが形成される。このエッチン
グは、基板上の導電性皮膜の種類などに応じて選択され
たエッチング剤を用いて行うことができる。例えば導電
性皮膜が銅である場合には、塩化第二銅などの酸性エッ
チング液、アンモニヤ系エッチング液などを用いて行う
ことができる。このエッチングによって現像工程により
露出した部分の導電性皮膜を除去することができる。本
発明においては、スルーホール部の内部の銅が溶解する
ことがなく断線を起こすことがない。
【００２２】上記エッチング工程後、必要に応じて残存
するレジスト層が除去される。残存レジスト膜の除去
は、レジスト膜を溶解するが、基板及び基板表面の回路
パターンである導電性皮膜を実質的に侵すことのない溶
剤を用いて行うことができ、例えばアルカリ又は酸の水
溶液や各種の有機溶剤を使用することができる。
するレジスト層が除去される。残存レジスト膜の除去
は、レジスト膜を溶解するが、基板及び基板表面の回路
パターンである導電性皮膜を実質的に侵すことのない溶
剤を用いて行うことができ、例えばアルカリ又は酸の水
溶液や各種の有機溶剤を使用することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の装置によると、従来、大気中に
放出していた液状レジストを回収再使用することによ
り、実質的に塗着効率は、９０％以上となり、このため
液状レジストの使用量を減らすことができ、環境改善に
も貢献することができる。
放出していた液状レジストを回収再使用することによ
り、実質的に塗着効率は、９０％以上となり、このため
液状レジストの使用量を減らすことができ、環境改善に
も貢献することができる。
【図１】本発明装置を説明するための斜視図である。
【図２】本発明における液状レジストを回収し再使用す
る装置を説明するための略図である。
る装置を説明するための略図である。
１，２ スプレーガン
３ ブース
４ レジスト供給装置
５ パイプ
６ ハンガー
７ 保持部
８ 導電性基板
９ 搬送装置
１０，１１ レシプロ装置
１２ 搬送方向
２１，２３，２７ 流量計
２２ 定量ポンプ
２４ 演算装置
２５ 液面計
２６ 粘度計
２８ ガスクロ装置
２９ 補給液状レジストタンク
３０ シンナータンク
３１ 液状レジスト回収タンク
３２，３４ フィルター
３３ 撹拌装置
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性基板上にレジスト層を形成する装
置において、 導電性基板を搬送する搬送装置と、該搬
送装置によって搬送される導電性基板に液状レジストを
塗布するためのスプレー装置と、オーバースプレーされ
て、基板に未塗着の液状レジストを回収し再使用する装
置を具備することを特徴とする導電性基板上にレジスト
層を形成する装置。 - 【請求項２】 未塗着の液状レジストを回収し再使用す
る装置が、未塗着の液状レジストを回収するためのブー
ス、回収された液状レジストの粘度を調整し、順次ろ過
し、圧送してスプレー装置へ循環供給する供給装置およ
びこれらを制御する制御装置を具備する請求項１記載の
装置。 - 【請求項３】 該制御装置における粘度調整が、制御装
置に内蔵された粘度計、流量計およびガス濃度計によ
り、回収液状レジストの量、粘度及び予め登録してある
回収液状レジスト中の数種類のシンナーの組成をモニタ
ーし、スプレーによって気化したシンナーを補給して行
われる請求項２記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003068454A JP2003338675A (ja) | 2002-03-14 | 2003-03-13 | 導電性基板上にレジスト層を形成する装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002-70934 | 2002-03-14 | ||
| JP2002070934 | 2002-03-14 | ||
| JP2003068454A JP2003338675A (ja) | 2002-03-14 | 2003-03-13 | 導電性基板上にレジスト層を形成する装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338675A true JP2003338675A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=29714165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003068454A Pending JP2003338675A (ja) | 2002-03-14 | 2003-03-13 | 導電性基板上にレジスト層を形成する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003338675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101173774B1 (ko) | 2008-06-30 | 2012-08-16 | 인텔 코오퍼레이션 | Ｃ４ 패드들 사이에 라인/간격 라우팅을 제조하기 위한 방법 |
| WO2015108085A1 (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 太陽インキ製造株式会社 | 立体回路基板およびこれに用いるソルダーレジスト組成物 |
-
2003
- 2003-03-13 JP JP2003068454A patent/JP2003338675A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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