JP2003338652A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003338652A5 JP2003338652A5 JP2003067217A JP2003067217A JP2003338652A5 JP 2003338652 A5 JP2003338652 A5 JP 2003338652A5 JP 2003067217 A JP2003067217 A JP 2003067217A JP 2003067217 A JP2003067217 A JP 2003067217A JP 2003338652 A5 JP2003338652 A5 JP 2003338652A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003067217A JP4851060B2 (ja) | 2002-03-12 | 2003-03-12 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002-67372 | 2002-03-12 | ||
| JP2002067372 | 2002-03-12 | ||
| JP2003067217A JP4851060B2 (ja) | 2002-03-12 | 2003-03-12 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338652A JP2003338652A (ja) | 2003-11-28 |
| JP2003338652A5 true JP2003338652A5 (enExample) | 2006-04-27 |
| JP4851060B2 JP4851060B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=29714043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003067217A Expired - Lifetime JP4851060B2 (ja) | 2002-03-12 | 2003-03-12 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4851060B2 (enExample) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007087973A (ja) | 2005-09-16 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子 |
| JP5037082B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2008311404A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| DE102007033242A1 (de) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere Einzelplatten mittels Laser |
| JP2009049390A (ja) | 2007-07-25 | 2009-03-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| KR101009653B1 (ko) | 2008-10-24 | 2011-01-19 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
| CN102326232B (zh) * | 2009-02-25 | 2016-01-20 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
| JP2010239005A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Kinki Univ | 裏面照射型撮像素子の製造方法、その製造方法により製造された裏面照射型撮像素子及びそれを備えた撮像装置 |
| JP2013046924A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-03-07 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法 |
| JP5146618B1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-02-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP5115671B1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-01-09 | 富士ゼロックス株式会社 | ウエハ切断装置、半導体素子の製造方法 |
| KR20160032221A (ko) * | 2013-07-18 | 2016-03-23 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 디바이스들의 웨이퍼의 다이싱 |
| JP2017046225A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社ディスコ | Ｂａｗデバイス及びｂａｗデバイスの製造方法 |
| US10722983B2 (en) | 2016-06-13 | 2020-07-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| CN111986986B (zh) * | 2020-08-24 | 2024-05-03 | 松山湖材料实验室 | 一种晶圆的剥离方法及剥离装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732281B2 (ja) * | 1985-10-25 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 劈開装置及び劈開方法 |
| JP3024990B2 (ja) * | 1990-08-31 | 2000-03-27 | 日本石英硝子株式会社 | 石英ガラス材料の切断加工方法 |
| JP3449201B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP3626442B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2005-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP2003017790A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物系半導体素子及び製造方法 |
| JP2003046177A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2003338468A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
| JP2003338636A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
-
2003
- 2003-03-12 JP JP2003067217A patent/JP4851060B2/ja not_active Expired - Lifetime