JP2003334674A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003334674A5
JP2003334674A5 JP2002202835A JP2002202835A JP2003334674A5 JP 2003334674 A5 JP2003334674 A5 JP 2003334674A5 JP 2002202835 A JP2002202835 A JP 2002202835A JP 2002202835 A JP2002202835 A JP 2002202835A JP 2003334674 A5 JP2003334674 A5 JP 2003334674A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
processed
laser
light
processing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002202835A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003334674A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002202835A priority Critical patent/JP2003334674A/ja
Priority claimed from JP2002202835A external-priority patent/JP2003334674A/ja
Publication of JP2003334674A publication Critical patent/JP2003334674A/ja
Publication of JP2003334674A5 publication Critical patent/JP2003334674A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (12)

  1. 遮光部と透光部を有するマスクを通じて加工対象物の主面に形成された被加工対象膜に所定パターンのレーザ光を照射し当該被加工対象膜をアブレーション及び熱的加工、またはアブレーションにより加工するレーザ加工方法であって、
    前記レーザ光として前記被加工対象膜の一部のみを除去可能な強度のレーザ光を用い、互いに異なるパターンのレーザ光を前記被加工対象膜に複数回重ねて照射し当該被加工対象膜を所望の三次元形状に加工する
    レーザ加工方法。
  2. 遮光部と透光部を有するマスクを通じて加工対象物の主面に形成された被加工対象膜に所定パターンのレーザ光を照射し当該被加工対象膜をアブレーション及び熱的加工、またはアブレーションにより加工するレーザ加工方法であって、
    前記レーザ光として前記被加工対象膜の一部のみを除去可能な光強度のレーザ光を用い、前記マスクを前記被加工対象膜に対して所定量移動させながら、所定パターンのレーザ光を前記被加工対象膜に複数回重ねて照射し当該被加工対象膜を所望の三次元形状に加工する
    レーザ加工方法。
  3. 遮光部と透光部を有するマスクを通じて加工対象物の主面に形成された被加工対象膜に所定形状のレーザ光を照射し当該被加工対象膜をアブレーション及び熱的加工、またはアブレーションにより加工するレーザ加工方法であって、
    前記レーザ光として前記被加工対象膜の一部のみを除去可能な光強度のレーザ光を用い、前記レーザ光の前記主面に対する入射角度を所定角度に傾斜させ、当該レーザ光を前記被加工対象膜に照射して所望の三次元形状に加工する
    レーザ加工方法。
  4. レーザ光を前記被加工対象膜に複数回重ねて照射する
    請求項3に記載のレーザ加工方法。
  5. 遮光部と透光部を有するマスクを通じて加工対象物の主面に形成された被加工対象膜に所定パターンのレーザ光を照射し当該被加工対象膜をアブレーション及び熱的加工、またはアブレーションにより加工するレーザ加工方法であって、
    前記被加工対象膜に照射されるレーザ光のエネルギー強度分布を所望の分布とし、前記被加工対象膜を前記分布に基づく所望の三次元形状に加工する
    レーザ加工方法。
  6. 前記被加工対象膜の一部のみを除去可能なエネルギー密度のレーザ光を用い、当該レーザ光を前記被加工対象膜に複数回重ねて照射する
    請求項5に記載のレーザ加工方法。
  7. 前記レーザ光が通過する光学系によって、前記被加工対象膜に照射されるレーザ光のエネルギー強度分布を所望の分布とする
    請求項5に記載のレーザ加工方法。
  8. 前記マスクの遮光部の光の透過率を調整することにより、前記被加工対象膜に照射されるレーザ光のエネルギー強度分布を所望の分布とする
    請求項5に記載のレーザ加工方法。
  9. 前記マスクの遮光部に所定の透過率でレーザ光を透過するハーフトーン膜を用い、当該ハーフトーン膜の膜厚により前記エネルギー強度分布を調整する
    請求項8に記載のレーザ加工方法。
  10. 前記エネルギー強度分布の調整により前記被加工対象膜を所望の三次元形状に加工するとともに、前記ハーフトーン膜の一部を位相シフタとして用いて被加工対象膜を加工する
    請求項9に記載のレーザ加工方法。
  11. レーザ光源と、
    前記レーザ光源からのレーザ光を、当該レーザ光の断面中心から周辺部へいくほど一定の変化率で強度が低くなる強度分布のレーザ光に変換する光学系と、
    前記光学系からの前記レーザ光を透過させる所定パターンの透光部を有するマスクと、
    前記マスクを透過したレーザ光が照射される加工対象物を保持するステージと、
    を備え、
    前記加工対象物の被加工対象膜を、テーパ面を有する前記所定パターンの形状に加工する
    レーザ加工装置。
  12. レーザ光源と、
    前記レーザ光を透過させるマスクと、
    前記マスクを透過したレーザ光が照射される加工対象物を保持するステージと、
    を備え、
    前記マスクは、膜厚が薄くなるほど前記レーザ光の透過率が高くなるハーフトーン膜を有し、
    前記ハーフトーン膜は、前記加工対象物の被加工対象膜に照射される前記レーザ光のエネルギー強度分布を所望の分布とし、前記被加工対象膜を前記分布に基づく所望の三次元形状に加工するとともに、前記ハーフトーン膜の一部を位相シフタとして用いて前記被加工対象膜を加工するように、膜厚の分布が設定されている
    レーザ加工装置。
JP2002202835A 2002-03-13 2002-07-11 レーザ加工方法 Pending JP2003334674A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002202835A JP2003334674A (ja) 2002-03-13 2002-07-11 レーザ加工方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002068746 2002-03-13
JP2002-68746 2002-03-13
JP2002202835A JP2003334674A (ja) 2002-03-13 2002-07-11 レーザ加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003334674A JP2003334674A (ja) 2003-11-25
JP2003334674A5 true JP2003334674A5 (ja) 2005-11-04

Family

ID=29714089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002202835A Pending JP2003334674A (ja) 2002-03-13 2002-07-11 レーザ加工方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003334674A (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004042140A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Hitachi Zosen Corp 薄膜除去方法及び装置
JP2006286493A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Sony Corp 表示素子、表示装置および表示素子の製造方法
US7790483B2 (en) * 2008-06-17 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof
JP4655157B2 (ja) * 2009-04-17 2011-03-23 住友ベークライト株式会社 光導波路構造体の製造方法
JP5424113B2 (ja) * 2009-12-17 2014-02-26 大日本印刷株式会社 加工装置、および加工装置で用いられる変調マスク
JP5500716B2 (ja) 2010-02-17 2014-05-21 富士フイルム株式会社 レリーフ製造装置およびレリーフ製造方法
KR101802256B1 (ko) 2011-01-24 2017-11-29 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 이용하는 어레이 기판의 제조방법
JP6034490B2 (ja) 2012-06-29 2016-11-30 シロー インダストリーズ インコーポレイテッド 溶接ブランクアセンブリおよび方法
EP2925483B1 (en) 2012-11-30 2020-04-08 Shiloh Industries, Inc. Method of forming a weld notch in a sheet metal piece
JP6281219B2 (ja) * 2013-09-20 2018-02-21 住友ベークライト株式会社 光導波路の製造方法および反射面形成方法
KR102291486B1 (ko) * 2014-10-27 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 제조 방법
KR101582175B1 (ko) * 2015-03-17 2016-01-05 에이피시스템 주식회사 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법
WO2017026741A1 (ko) * 2015-08-10 2017-02-16 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크
CN105259723B (zh) * 2015-11-24 2017-04-05 武汉华星光电技术有限公司 用于液晶面板的阵列基板及其制作方法
JP7014226B2 (ja) * 2017-05-01 2022-02-01 株式会社ニコン 加工装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003334674A5 (ja)
US5886318A (en) Method for laser-assisted image formation in transparent objects
JP2007075886A5 (ja)
ES2146620T3 (es) Proceso y aparato de soldadura y otros tratamientos termicos.
KR101539836B1 (ko) 스크라이빙 정렬의 온-더-플라이 제어로 실질적인 평면 반도체 기판을 스크라이빙하는 방법 및 장치
MY157663A (en) Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device
JP2008006460A5 (ja)
JP6533644B2 (ja) ビーム整形マスク、レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2004268104A5 (ja)
GB2438601B (en) Method and unit for micro-structuring a moving substrate
JP2007522946A (ja) レーザービーム形成方法及びレーザー処理方法
JP6382154B2 (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP6171879B2 (ja) レーザ成形装置
Zimmer et al. Combination of different processing methods for the fabrication of 3D polymer structures by excimer laser machining
WO2003099508A1 (fr) Procede et dispositif de traitement de l'interieur d'un materiau transparent
EP1732086A4 (en) PROCESSING DEVICE FOR SOFT X-RAY RAYS AND PROCESSING METHODS FOR SOFT X-RAY RAYS
ATE254004T1 (de) Verfahren zum bearbeiten, insbesondere verlöten, eines bauteiles oder einer bauteilanordnung mittels elektromagnetischer strahlung
JP2001096995A (ja) 装飾品のレーザ加工方法
JP2020078805A (ja) ガルバノスキャナー光学系
EP1560071A4 (en) METHOD AND SYSTEM FOR EXPOSING AN ELECTRON BEAM
Zhou UV excimer laser beam homogenization for micromachining applications
JP2007101844A (ja) 回折型ビームホモジナイザ
DE602004009855D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Lasermarkierung
CN110908264A (zh) 利用超短脉冲激光直写全息防伪图案的方法
Lasagni et al. The development of direct laser interference patterning: past, present, and new challenges