JP2003332702A - フレキシブルプリント配線用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高温長期間および高温高湿の耐久性が高く、熱
や応力が加わっても密着強度の高い金属導体層を持つ、
２層型フレキシブルプリント配線用基板を提供する。 【解決手段】プラスチックフィルムの片面または両面
に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に導電性金属層
を積層してなるフレキシブルプリント配線用基板におい
て、該金属蒸着層がＮｉとＣｒを主成分とする層と低抵
抗金属を主成分とする層からなり、ＮｉとＣｒを主成分
とする層の膜厚をＸ（オングストローム）、Ｃｒの含有
率をＹ（％）としたとき、ＸとＹが以下の式（１）
（２）を共に満たす範囲にあることを特徴とするフレキ
シブルプリント配線用基板。 式（１）１１５≦Ｘ≦２５０ 式（２）３≦ＸＹ／１００≦１６

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属蒸着層／導電
性金属層積層フィルムによるフレキシブルプリント配線
用基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、フレキシブルプリント配線用基板
として、プラスチックフィルムに接着剤層を介して導体
層としての銅箔を貼り合せた３層構造のフレキシブルプ
リント配線用基板が知られている。この３層構造タイプ
のフレキシブルプリント配線用基板は、用いられる接着
剤の耐熱性がプラスチックフィルムより劣るため、加工
後の寸法精度が低下するという問題があり、また用いら
れる銅箔の厚さが通常１０μｍ以上であるため、ピッチ
の狭い高密度配線用のパターニングが難しいという欠点
もあった。 一方、プラスチックフィルム上に接着剤を
用いることなく、湿式めっき法や乾式めっき法（例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法など）により、導体層としての金属層を形成させ
た２層構造タイプのフレキシブルプリント配線用基板も
知られている。この２層構造タイプのフレキシブルプリ
ント配線用基板は、導体層を１０μｍよりも薄くするこ
とができるため高密度配線が可能であるが、過酷な熱負
荷試験（例えば、温度８５℃、湿度８５％、１０００時
間）を行ったり、スズ、ニッケル、はんだ、または金な
どの無電解めっき処理を行うと、プラスチックフィルム
と導体層との間の密着力が低下してしまうという欠点が
あった。 また、配線を施した２層構造タイプのフレキ
シブルプリント配線用基板にＩＣを実装する際に、ス
ズ、はんだ、金またはこれらの共晶体などが導体層とプ
ラスチックフィルムの間、特にＮｉとＣｒを主成分とす
る層と銅層との間に潜り込むことがあるという欠点があ
った。このように熱負荷後や無電解めっき処理後の２層
構造タイプのプリント配線用基板の界面の密着性が低下
する原因は明らかではないが、導体層としての銅箔の酸
化や後に行う無電解めっき工程で用いられる還元性の処
理液により界面で発生する化学反応、またはＩＣ実装時
に基板に加わる熱および応力が原因ではないかと考えら
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、プラ
スチックフィルムと該プラスチックフィルム上の導体
層、およびこれらの界面が、無電解めっき等の工程で使
用される薬品の作用や熱負荷に十分に耐え得るように形
成され、熱負荷後の密着耐久性はもとより、無電解めっ
き後における導体層（導電性金属層）と基板との間の界
面の密着性が優れており、ＩＣ実装の際に熱や応力が加
わっても界面にスズ、はんだ、金またはこれらの共晶体
などが導体層（導電性金属層）とプラスチックフィルム
の間に潜り込むことのない、密着性と耐久性に優れたフ
レキシブルプリント配線用基板を提供することを目的と
するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
本発明に係るフレキシブル配線用基板は、すなわち、プ
ラスチックフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を
設け、該金属蒸着層上に導電性金属層を積層してなるフ
レキシブルプリント配線用基板において、該金属蒸着層
がＮｉとＣｒを主成分とする層と低抵抗金属を主成分と
する層からなり、ＮｉとＣｒを主成分とする層の膜厚を
Ｘ（オングストローム）、Ｃｒの含有率をＹ（％）とし
たとき、ＸとＹが以下の式（１）（２）を共に満たす範
囲にあることを特徴とするフレキシブルプリント配線用
基板である。

【０００５】式（１）１１５≦Ｘ≦２５０ 式（２）３≦ＸＹ／１００≦１６

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明のフレキシブルプリ
ント配線用基板について詳述する。

【０００７】本発明のフレキシブルプリント配線用基板
の好適例の構造を図１に示す。図１において、プラスチ
ックフィルム１の片側の面にＮｉとＣｒを主成分とする
金属蒸着層２が積層され、さらにその上に低抵抗金属を
主成分とする金属蒸着層３が積層されている。そして、
その上にさらに導電性金属層４が積層されている。

【０００８】本発明で用いられる基材としてのプラスチ
ックフィルムを例示すると、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、ポリエチレ
ン−α，β−ビス（２−クロルフェノキシエタン−４，
４′−ジカルボキシレート）などのポリエステル、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリ
エーテルエーテルケトン、芳香族ポリアミド、ポリアリ
レート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
イミド、ポリパラジン酸、ポリオキサジアゾールおよび
これらのハロゲン基あるいはメチル基置換体からなるフ
ィルム等が挙げられる。また、プラスチックフィルム
は、これらの共重合体や、他の有機重合体を含有するも
のであっても良い。これらのプラスチックフィルムに公
知の添加剤、たとえば、滑剤や可塑剤などが添加されて
いても良い。

【０００９】本発明では、上記のプラスチック中、下記
式の繰返し単位を８５モル％以上含むポリマーを溶融押
出しして得られる未延伸フィルムを、二軸方向に延伸配
向して機械特性を向上せしめたフィルムが特に好ましく
使用される。

【００１０】

【化１】 （但し、ＸはＨ、ＣＨ３、Ｆ、ＣＩ基を示す）。また、
下記式の繰返し単位を５０モル％以上含むポリマーから
なり、湿式あるいは乾湿式製膜したフィルム、あるいは
該フィルムを二軸延伸および／または熱処理せしめたフ
ィルムも好ましく使用される。

【００１１】

【化２】 （ここで、ＸはＨ，ＣＨ３、Ｆ、ＣＩ基、ｍ，ｎは０〜
３の整数を示す）。

【００１２】上記のような繰返し単位を含むポリマーか
らなるプラスチックフィルムは、特に耐熱安定性と耐湿
安定性に優れウエットエッチング工程における寸法変化
が小さい。 基材であるプラスチックフィルムの厚さ
は、好ましくは６〜１２５μｍ程度のものが多用され、
１２〜５０μｍの厚さが好適である。プラスチックフィ
ルムが薄すぎると、強度が足りなくて金属蒸着や配線加
工が困難になったり補強フィルムを必要とする問題が起
こりやすく、また、厚すぎると折り曲げ性が損なわれる
ことで好ましくない。

【００１３】本発明では、電気めっき法等で厚膜の導電
性金属層を形成するに先立って、プラスチックフィルム
の片面または両面に、真空蒸着またはスパッタ法等によ
り金属蒸着層を形成する。前記金属蒸着層は、ＮｉとＣ
ｒを主成分とする層と、低抵抗金属を主成分とする層か
らなる。前記２層の金属蒸着層は、プラスチックフィル
ム／ＮｉとＣｒを主成分とする層／低抵抗金属を主成分
とする層、の順に積層されている。これによって低抵抗
でしかも屈曲性に富む層を形成することができる。

【００１４】本発明では、ＮｉとＣｒを主成分とする層
の膜厚をＸ（オングストローム）、Ｃｒの含有率をＹ
（％）としたとき、ＸとＹが以下の式（１）（２）を共
に満たす範囲にあることが必要である。

【００１５】式（１）１１５≦Ｘ≦２５０ 式（２）３≦ＸＹ／１００≦１６ より好ましくは、以下の式（３）（４）を共に満たす範
囲にあることである。

【００１６】式（３）１３０≦Ｘ≦２５０ 式（４）６≦ＸＹ／１００≦１１ これによってプラスチックフィルムと導電性金属層との
間の密着力の低下や、配線を施した２層タイプ基板にＩ
Ｃを実装する際にスズ、はんだ、金またはこれらの共晶
体などが導電性金属層とプラスチックフィルムの間、特
にＮｉとＣｒを主成分とする層と低抵抗金属を主成分と
する層との間に潜り込むことがあるという前述した欠点
を解決することができる。図２に、本発明の課題を解決
する手段であるＸとＹの範囲を示す。

【００１７】ＮｉとＣｒを主成分とする層は、前記した
ように、真空蒸着法やスパッタ法などで形成することが
できる。層の厚さは成膜速度とフィルムの搬送速度を調
節することで制御することができる。ＮｉとＣｒの比率
については、真空蒸着の場合はそれぞれの蒸着源の蒸発
速度を制御することで自由に決定することができる。ま
た、スパッタ法の場合は、ＮｉとＣｒのターゲットを別
々に用意してそれぞれのスパッタ速度を制御しても良い
し、任意の組成比を持つ混合ターゲットを用意しても制
御することができる。安定した層厚・層内の組成比が得
られることから、組成比を決めた混合ターゲットでスパ
ッタ法を用いることが好ましい。

【００１８】本発明においては、式（１）の範囲を下回
ると、耐熱負荷後の密着力の低下が大きくなったり、Ｉ
Ｃ実装時にすず、はんだ、金またはこれらの共晶体が導
電性金属層とプラスチックフィルムの間に潜り込みやす
くなる。また、式（１）の範囲を上回ると、ＮｉとＣｒ
を主成分とする金属蒸着層と低抵抗金属を主成分とする
金属蒸着層の間で剥離が起こりやすくなる。

【００１９】式（２）の範囲を下回ると、金めっきに対
する耐久性が低下すること、および純Ｎｉに近くなるの
で、スパッタ法の場合はターゲットが磁性を持つために
スパッタリング工程が困難になる。また、式（２）の範
囲を上回ると配線パターンを作製した際に配線間にＣｒ
が残りやすく、絶縁信頼性が低下するおそれがある。

【００２０】前記ＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着層
の次に、低抵抗金属を主成分とした金属蒸着層を設け
る。該金属蒸着層の厚みは、好ましくは１０〜３００ｎ
ｍ、より好ましくは３０〜１２０ｎｍ、さらに好ましく
は４０〜１００ｎｍである。銅を主成分とした金属蒸着
層の膜厚が１０ｎｍよりも薄い場合は、金属の電気めっ
き工程で銅膜が溶出しやすく、３００ｎｍよりも厚い場
合は、金属の電気めっき工程後に膜がはがれやすく、生
産効率も良くないので好ましくない。

【００２１】低抵抗金属を主成分とする金属蒸着層の金
属の種類は、この後の導電性金属が積層できれば特に制
限はないが、導電性金属層の種類と同じであることが好
ましい。低抵抗金属には、配線パターンの電圧降下が小
さく、抵抗発熱が小さくなることから、バルクの抵抗率
が３μΩｃｍ以下の金属元素を用いることが好ましい。
具体的には、低抵抗が実現できることから、銅、金、
銀、アルミニウムなどが好ましい。特に、低抵抗と低コ
ストが両立できること、従来の三層タイプが銅を用いて
いることから加工設備や加工方法が流用できる、銅が最
も好ましい。

【００２２】前記金属蒸着層上に、より厚膜の導電性金
属層（金属めっき層）を積層する。導電性金属層の積層
方法には、湿式めっき、乾式めっき等があり、湿式めっ
きには電気めっき、無電解めっき等がある。また、乾式
めっきには、真空蒸着法やスパッタ法およびそれらの改
良方法等がある。中でも、数μｍの厚さを持つ導電性金
属層を効率よく積層できることから電気めっき法が好ま
しい。電気めっき工程は、密着性を向上させるための脱
脂および酸活性処理、金属ストライク、金属めっきの各
工程からなる。金属蒸着層を蒸着した直後に電気めっき
工程に入る場合には、脱脂および酸活性処理、金属スト
ライクを省略してもよい。金属蒸着層に給電する電流密
度は０．２〜１０Ａ／ｄｍ２が好適で、０．５〜５Ａ／
ｄｍ２がより好適である。

【００２３】形成される導電性金属層（金属めっき層）
の厚さは、０．５〜３５μｍとすることが好ましく、
１．０〜２０μｍがより好適である。金属めっき層の層
厚さが０．５μｍ未満では金属めっき層の信頼性が十分
とはいえない。また、厚さが３５μｍを超えると膜形成
に時間がかかり経済性が劣るほか、エッチング加工時に
回路パターンの端部エッチングが進行しやすく、また、
折り曲げによる断線の恐れがあるなど品質面でも好まし
くない。目的とする回路の電流密度によっても異なる
が、加工作業性、品質の面から厚さは１．０〜２０μｍ
程度がより好適である。

【００２４】めっきの条件は、めっき浴の組成、電流密
度、浴温、撹拌条件などにより異なるが、特に制限はな
い。めっき浴は、硫酸銅浴、ピロりん酸銅浴、シアン化
銅浴、スルファミン酸ニッケル浴、スズ−ニッケル合金
めっき浴、銅−スズ−亜鉛合金めっき浴、スズ−ニッケ
ル−銅合金めっき浴などが好ましいが、これらに限られ
るものではない。エッチング後、端子部にシアン化金め
っき、シアン化銀めっき、ロジウムめっき、パラジュウ
ムめっきなどの貴金属めっきを補足形成させても良い。

【００２５】次いで、本発明のフレキシブルプリント配
線用基板には、エッチングによってパターンがを形成さ
れるが、具体的には金属の不要部分を化学反応で溶解除
去し、所定の電気回路図形を形成する。エッチング液と
しては、塩化第二銅、塩化第二鉄、過硫酸塩類、過酸化
水素／硫酸、アルカリエンチャントなどの水溶液などが
使用できる。また、パターンとして残すべき金属の必要
部分は、写真法やスクリーン印刷法で有機化合物系レジ
ストを被覆させるか、または異種金属系レジストをめっ
きし保護して、金属の溶解を防止する。本発明の特徴
は、よりファインなパターンを形成でき、しかも製品の
繰返し屈曲、各種環境試験に十耐えるものを形成でき
る。

【００２６】本発明のフレキシブルプリント配線用基板
は、電子計算機、端末機器、電話機、通信機器、計測制
御機器、カメラ、時計、自動車、事務機器、家電製品、
航空機計器、医療機器などのあらゆるエレクトロニクス
の分野に活用できる。またコネクター、フラット電極な
どへの適用も可能である。

【００２７】

【実施例】以下、実施例によって本発明のフレキシブル
プリント配線用基板について詳述する。実施例中の各特
性値の測定は、次の測定法に従って行なった。 (a) 引きはがし強度：ＪＩＳ・Ｃ６４８１（１８０度ピ
ール）に準じて評価を行なった。 (b) 常態引き剥がし密着力：上記評価を、パターン形成
後１００℃で１５分乾燥させ、常温常湿下で測定した。 (c) 耐熱引き剥がし密着力：上記評価を、パターン形成
後１５０℃で１０日間放置し、取り出した後、常温常湿
下で測定した。 (d) 高温高湿引き剥がし密着力：上記評価を、パターン
形成後１２１℃１００％ＲＨで４日間放置し、取り出し
た後、常温常湿下で測定した。

【００２８】また、その他の評価項目として、配線パタ
ーンに対して、折り曲げ＋４２０℃加熱＋ハンダ付け耐
久試験を行った。これは、配線基板に応力と加熱を加え
たハンダ付けに対する耐久性を評価したものである。ポ
リイミドと金属配線の間にハンダが確認できなければＯ
Ｋ、ハンダが確認されればＮＧと判定した。

【００２９】さらに、配線パターンに対して実際にＩＣ
の実装を行った評価も行った。ＩＣ実装後、配線パター
ンを１本ずつ確認し、金属配線とポリイミドの間にＳｎ
やＡｕが潜り込んでいるかどうかを判断した。配線幅に
対して半分以上の潜り込みが見られた配線をＮＧ、半分
未満の潜り込みをＯＫとし、ＯＫ配線の全配線数におけ
る割合をパーセンテージで示して評価した。これがＯＫ
配線の率である。実際の使用においては、ＯＫ配線の率
が１００％であることが必要であるが、実装条件をより
厳しくした場合はＯＫ配線の率が１００％未満でも相対
的に高いＯＫ配線率を持つものを良好と判定した。

【００３０】（実施例１）厚さ３８μｍのポリイミドフ
ィルム“カプトン”ＥＮ（米国デュポン社の登録商標）
の片面に、プラズマ処理を実施した。プラズマ処理は、
２ｍＰａの真空度にした真空チャンバー中で、窒素ガス
を１．６Ｐａまで導入し、１．１ｋＷのＲＦ電力で行っ
た。次いで、クロム５％ニッケル９５％のターゲットを
用いて、ポリイミドフィルムのプラズマ処理面上にスパ
ッタ蒸着し厚さ１４０オングストロームのニッケルクロ
ム蒸着層を形成し、ＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着
層とした。さらに純度９９．９９％の銅を、ＮｉとＣｒ
を主成分とする金属蒸着層の上にスパッタ蒸着し厚さ８
００オングストロームの銅蒸着層を形成した。その後、
厚さ９μｍの電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電
性金属層を形成した。ここで、Ｘ＝１４０、ＸＹ／１０
０＝７であった。得られたフレキシブルプリント配線用
基板の引き剥がし密着力の測定結果を表１に示した。常
態密着力、耐熱引き剥がし密着力、高温高湿引き剥がし
密着力において、良好な結果を示した。また、このフレ
キシブルプリント配線用基板の金属層をエッチングし、
幅１ｍｍの配線パターンを作製した。この配線パターン
に対して、折り曲げ＋４２０℃加熱＋ハンダ付けを行っ
たところ、ポリイミドフィルムと金属層の間へのハンダ
の潜り込みは観察されなかった。

【００３１】また、このフレキシブルプリント配線用基
板の金属層をエッチングし、幅３０μｍ、スペース４０
μｍの配線パターンを作製した。この配線パターンに対
して、無電解Ｓｎめっきを施し、厚さ０．２μｍのＳｎ
めっき層を形成した。この配線パターンと金バンプを持
ったＩＣを（株）新川製のボンディング装置ＩＬＴ−１
１０を用いてＩＣ実装したところ、３００本の配線パタ
ーン全てにおいて銅層とポリイミドフィルムの間にＳｎ
やＡｕは見られず、正常に実装できた。このときの実装
条件は、ツール温度３７０℃、ステージ温度４４５℃、
実装時間１秒、フォーミング量５０μｍであった。さら
にステージ温度に対するマージンを見るため、ステージ
温度を４８５℃に上げて同様にＩＣ実装したところ、３
００本の配線パターンのうち７１％の配線で正常に実装
できたが、残り２９％の配線にはＳｎとＡｕの潜り込み
が観察された。以上の結果も表２に示す。

【００３２】また、このフレキシブルプリント配線用基
板のポリイミドを加熱したエチレンジアミン／ヒドラジ
ン混合溶液中で溶解除去し、ＮｉとＣｒを主成分とする
金属蒸着層のポリイミド側界面を露出させ、オージェ電
子分光法により構成元素比を測定した。測定装置はＰＥ
ＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ製ＰＨＩ−６７０で行った。測定
条件は、加速電圧１０ｋＶ、試料電流２０ｎＡ、ビーム
径８０ｎｍφ、試料傾斜角度３０度で行った。また、深
さ方向の分析を行うためのイオンエッチング条件は、イ
オン種Ａｒ＋、加速電圧２ｋＶ、試料傾斜角３０度、エ
ッチングレート６ｎｍ／ｍｉｎ（ＳｉＯ２換算値）で行
った。その結果、Ｃｒピークが現れた時点でのＮｉ／Ｃ
ｒの比は１０であった。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】 （実施例２）実施例１と同様にプラズマ処理したポリイ
ミドフィルム上に、クロム５％ニッケル９５％のターゲ
ットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ２００オングストロ
ームのニッケルクロム蒸着層を形成しＮｉとＣｒを主成
分とする金属蒸着層とした。さらに純度９９．９９％の
銅をＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着層の上にスパッ
タ蒸着し厚さ８００オングストロームの銅蒸着層を形成
し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９μｍの電気銅め
っきを行い、金属蒸着層上に導電性金属層を形成し、フ
レキシブルプリント配線用基板を作製した。ここで、Ｘ
＝２００、ＸＹ／１００＝１０であった。実施例１と同
様に、引き剥がし密着力の測定を行ったところ、表１の
結果を得た。実施例１と比較してほぼ同じ結果となっ
た。

【００３５】また、このフレキシブルプリント配線用基
板の金属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを
作製した。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２
０℃加熱＋ハンダ付けを行ったところ、ポリイミドフィ
ルムと金属層の間へのハンダの潜り込みが観察されず、
実施例１と同様の結果であることが確認された。

【００３６】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みは、ステージ温度４４５℃
では全ての配線で確認されず、全て正常に実装できた。
また、ステージ温度４８５℃では７５％の配線で正常に
実装できた。

【００３７】（実施例３）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム５％ニッケル９
５％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ１２０
オングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成しＮｉ
とＣｒを主成分とする金属蒸着層とした。さらに純度９
９．９９％の銅をＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着層
の上にスパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの銅
蒸着層を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９μ
ｍの電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属層
を形成し、フレキシブルプリント配線用基板を作製し
た。ここで、Ｘ＝１２０、ＸＹ／１００＝６であった。
実施例１と同様に、引き剥がし密着力の測定を行ったと
ころ、表１の結果を得た。実施例１と比較してほぼ同じ
結果となった。

【００３８】また、このフレキシブルプリント配線用基
板の金属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを
作製した。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２
０℃加熱＋ハンダ付けを行ったところ、ポリイミドフィ
ルムと金属層の間へのハンダの潜り込みが観察されず、
実施例１と同様の結果であることが確認された。

【００３９】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みは、ステージ温度４４５℃
では全ての配線で確認されず、全て正常に実装できた。
しかし、ステージ温度４８５℃では４９％の配線で正常
に実装できたが、実施例１や２よりは若干劣る結果とな
った。

【００４０】（実施例４）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム１０％ニッケル
９０％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ１２
０オングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成しＮ
ｉとＣｒを主成分とする金属蒸着層とした。さらに純度
９９．９９％の銅をＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着
層の上にスパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの
銅蒸着層を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９
μｍの電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属
層を形成し、フレキシブルプリント配線用基板を作製し
た。ここで、Ｘ＝１２０、ＸＹ／１００＝１２であっ
た。実施例１と同様に、引き剥がし密着力の測定を行っ
たところ、表１の結果を得た。実施例１と比較してほぼ
同じ結果となった。

【００４１】また、このフレキシブルプリント配線用基
板の金属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを
作製した。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２
０℃加熱＋ハンダ付けを行ったところ、ポリイミドフィ
ルムと金属層の間へのハンダの潜り込みが観察されず、
実施例１と同様の結果であることが確認された。

【００４２】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みは、ステージ温度４４５℃
では全ての配線で確認されず、全て正常に実装できた。
しかし、ステージ温度４８５℃では５８％の配線で正常
に実装できたが、実施例１や２よりは若干劣る結果とな
った。

【００４３】（実施例５）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム１０％ニッケル
９０％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ１４
５オングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成しＮ
ｉとＣｒを主成分とする金属蒸着層とした。さらに純度
９９．９９％の銅をＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着
層の上にスパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの
銅蒸着層を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９
μｍの電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属
層を形成し、フレキシブルプリント配線用基板を作製し
た。ここで、Ｘ＝１４５、ＸＹ／１００＝１４．５であ
った。実施例１と同様に、引き剥がし密着力の測定を行
ったところ、表１の結果を得た。実施例１と比較してほ
ぼ同じ結果となった。

【００４４】また、このフレキシブルプリント配線用基
板の金属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを
作製した。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２
０℃加熱＋ハンダ付けを行ったところ、ポリイミドフィ
ルムと金属層の間へのハンダの潜り込みが観察されず、
実施例１と同様の結果であることが確認された。

【００４５】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みは、ステージ温度４４５℃
では全ての配線で確認されず、全て正常に実装できた。
しかし、ステージ温度４８５℃では５９％の配線で正常
に実装できたが、実施例１や２よりは若干劣る結果とな
った。

【００４６】（比較例１）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム２０％ニッケル
８０％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ４５
オングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成し、さ
らに純度９９．９９％の銅をニッケルクロム蒸着層の上
にスパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの銅蒸着
層を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９μｍの
電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属層を形
成し、フレキシブルプリント配線用基板を作製した。こ
こで、Ｘ＝４５、ＸＹ／１００＝９であった。実施例１
と同様に引き剥がし密着力の測定を行ったところ、表１
の結果を得た。実施例１と比較して、ほぼ同等の結果と
なった。また、このフレキシブルプリント配線用基板の
金属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを作製
した。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２０℃
加熱＋ハンダ付けを行ったところ、ポリイミドフィルム
と金属層の間へのハンダの潜り込みが観察され、実施例
１よりも劣っていることが確認された。

【００４７】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みが、ステージ温度４４５℃
で８８％の配線で確認され、正常に実装できていなかっ
た。また、このフレキシブルプリント配線用基板につい
て実施例１と同様にオージェ電子分光を行ったところ、
Ｎｉ／Ｃｒの比は２．７であった。

【００４８】（比較例２）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム２０％ニッケル
８０％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ１４
５オングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成し、
さらに純度９９．９９％の銅をニッケルクロム蒸着層の
上にスパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの銅蒸
着層を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９μｍ
の電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属層を
形成し、フレキシブルプリント配線用基板を作製した。
ここで、Ｘ＝１４５、ＸＹ／１００＝２９であった。こ
のフレキシブルプリント配線用基板の金属層をエッチン
グし、幅１ｍｍの配線パターンを作製したところ、配線
間にニッケルクロム蒸着層が残留し、配線パターン間の
絶縁が取れず、フレキシブルプリント配線板として不適
であった。

【００４９】（比較例３）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム５％ニッケル９
５％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ７５オ
ングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成し、さら
に純度９９．９９％の銅をニッケルクロム蒸着層の上に
スパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの銅蒸着層
を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９μｍの電
気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属層を形成
し、フレキシブルプリント配線用基板を作製した。ここ
で、Ｘ＝７５、ＸＹ／１００＝３．７５であった。

【００５０】実施例１と同様に引き剥がし密着力の測定
を行ったところ、表１の結果を得た。各実施例と比較し
て、常態密着力、耐熱引き剥がし密着力および高温高湿
引き剥がし密着力全てにおいて少しずつ劣っている結果
となった。

【００５１】このフレキシブルプリント配線用基板の金
属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを作製し
た。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２０℃加
熱＋ハンダ付けを行ったところ、比較例１よりは少なか
ったものの、ポリイミドフィルムと金属層の間へのハン
ダの潜り込みが観察され、実施例１よりも劣っているこ
とが確認された。

【００５２】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みは、ステージ温度４４５℃
で９０％の配線で確認され、正常に実装できていなかっ
た。また、このフレキシブルプリント配線用基板につい
て実施例１と同様にオージェ電子分光を行ったところ、
Ｎｉ／Ｃｒの比は１０であった。

【００５３】（比較例４）実施例１と同様にプラズマ処
理したポリイミドフィルム上に、クロム１０％ニッケル
９０％のターゲットを用いてスパッタ蒸着し、厚さ１０
０オングストロームのニッケルクロム蒸着層を形成しＮ
ｉとＣｒを主成分とする金属蒸着層とした。さらに純度
９９．９９％の銅をＮｉとＣｒを主成分とする金属蒸着
層の上にスパッタ蒸着し厚さ８００オングストロームの
銅蒸着層を形成し、金属蒸着層とした。その後、厚さ９
μｍの電気銅めっきを行い、金属蒸着層上に導電性金属
層を形成し、フレキシブルプリント配線用基板を作製し
た。ここで、Ｘ＝１００、ＸＹ／１００＝１０であっ
た。実施例１と同様に、引き剥がし密着力の測定を行っ
たところ、表１の結果を得た。実施例１と比較してほぼ
同じ結果となった。

【００５４】また、このフレキシブルプリント配線用基
板の金属層をエッチングし、幅１ｍｍの配線パターンを
作製した。この配線パターンに対して、折り曲げ＋４２
０℃加熱＋ハンダ付けを行ったところ、ポリイミドフィ
ルムと金属層の間へのハンダの潜り込みが観察されず、
実施例１と同様の結果であることが確認された。

【００５５】また、実施例１と同様にしてＩＣ実装を行
ったところ、配線パターンの銅層とポリイミドフィルム
の間のＡｕとＳｎの潜り込みは、ステージ温度４４５℃
では６８％の配線でしか正常に実装できず、実施例１や
２よりは大幅に劣る結果となった。

【００５６】図２に、本発明の課題を解決する手段であ
るＸとＹの範囲、および、実施例１〜５と比較例１、
３、４のＸとＸＹ／１００の値を示した。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、プラスチックフィルム
の上に金属層を約０．５〜３５μｍの厚みに形成するこ
とができ、パターン形成、エッチング、配線、ＩＣ実装
などの工程を経ても、さらに厳しい環境試験を経ても、
はくり、はがれのない密着性に優れたＦＰＣ基板、ＣＯ
Ｆ基板等のフレキシブルプリント配線用基板が得られ
る。しかも、従来は、たとえば、銅箔の厚さの限界によ
り１２μｍ未満のものは生産されていなかったが、０．
５〜１１μｍのより薄い銅層を形成できることにより、
パターン精度が向上し、より高密度、高精度の配線が可
能となる。しかも、銅箔ラミネート時に発生していた折
れきずやピンホールが少なく、経済性と高い品質を兼ね
備えたフレキシブルプリント配線用基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明のフレキシブルプリント配線
用基板の好適例を示す断面図である。

【図２】 図２は、本発明の課題を解決する手段である
ＸとＹの範囲を示している図（グラフ）である。

【符号の説明】

１：プラスチックフィルム ２：金属蒸着層（ＮｉとＣｒを主成分とする層） ３：金属蒸着層（低抵抗金属を主成分とする層） ４：導電性金属層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三宅 徹 福島県岩瀬郡鏡石町大字成田字諏訪町334 −３東洋メタライジング株式会社福島工場 内 (72)発明者 仲野 明徳 福島県岩瀬郡鏡石町大字成田字諏訪町334 −３東洋メタライジング株式会社福島工場 内 Ｆターム(参考） 4E351 AA02 BB01 BB32 BB33 BB35 BB38 CC01 CC06 DD17 DD19 GG02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラスチックフィルムの片面または両面
   に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に導電性金属層
   を積層してなるフレキシブルプリント配線用基板におい
   て、該金属蒸着層がＮｉとＣｒを主成分とする層と低抵
   抗金属を主成分とする層からなり、ＮｉとＣｒを主成分
   とする層の膜厚をＸ（オングストローム）、Ｃｒの含有
   率をＹ（％）としたとき、ＸとＹが以下の式（１）
   （２）を共に満たす範囲にあることを特徴とするフレキ
   シブルプリント配線用基板。 式（１）１１５≦Ｘ≦２５０ 式（２）３≦ＸＹ／１００≦１６
2. 【請求項２】 プラスチックフィルムの片面または両面
   に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に導電性金属層
   を積層してなるフレキシブルプリント配線用基板におい
   て、該金属蒸着層がＮｉとＣｒを主成分とする層と低抵
   抗金属を主成分とする層からなり、ＮｉとＣｒを主成分
   とする層の膜厚をＸ（オングストローム）、Ｃｒの含有
   率をＹ（％）としたとき、ＸとＹが以下の式（３）
   （４）を共に満たす範囲にあることを特徴とするフレキ
   シブルプリント配線用基板。 式（３）１３０≦Ｘ≦２５０ 式（４）６≦ＸＹ／１００≦１１
3. 【請求項３】 プラスチックフィルムが、ポリエステル
   フィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリ
   イミドフィルム、ポリパラジン酸フィルム、ポリエーテ
   ルスルホンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフ
   ィルム、芳香族ポリアミドフィルム、ポリオキサゾール
   フィルム、液晶ポリマーからなるフィルムおよびこれら
   のハロゲン基あるいはメチル基置換体からなるフィルム
   から選ばれたものである請求項１または２記載のフレキ
   シブルプリント配線用基板。
4. 【請求項４】 導電性金属層を積層する方法が電気めっ
   き法であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
   記載のフレキシブルプリント配線用基板。
5. 【請求項５】 低抵抗金属を主成分とする金属蒸着層
   が、銅を主成分とする金属蒸着層であることを特徴とす
   る請求項１〜４のいずれかに記載のフレキシブルプリン
   ト配線用基板。