JP2003332406A - 半導体チップの移送装置 - Google Patents
半導体チップの移送装置Info
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハリングの内側にウェーハシートが張
設され、このウェーハシートの上面に貼着されたウェー
ハが多数の半導体チップに切断されており、これら半導
体チップを１つずつ不織布から剥離させ、チップ収納ト
レイの上面に多数形成された収納凹部へ移送するもので
あって、あらゆるウェーハシートに対応して十分なエキ
スパンド処理が行える半導体チップの移送装置を提供す
る。 【解決手段】 ウェーハリング７を固定するリング支持
テーブル６に対して着脱が可能で、そのウェーハリング
７内のウェーハシート８において直上に半導体チップ９
が存しない下面を押し上げて支持する環状突起２０を複
数備える。これらの環状突起２０は、相互にリング支持
テーブル６の上面からの突出高さが異なり、選択的に装
着される。
設され、このウェーハシートの上面に貼着されたウェー
ハが多数の半導体チップに切断されており、これら半導
体チップを１つずつ不織布から剥離させ、チップ収納ト
レイの上面に多数形成された収納凹部へ移送するもので
あって、あらゆるウェーハシートに対応して十分なエキ
スパンド処理が行える半導体チップの移送装置を提供す
る。 【解決手段】 ウェーハリング７を固定するリング支持
テーブル６に対して着脱が可能で、そのウェーハリング
７内のウェーハシート８において直上に半導体チップ９
が存しない下面を押し上げて支持する環状突起２０を複
数備える。これらの環状突起２０は、相互にリング支持
テーブル６の上面からの突出高さが異なり、選択的に装
着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハから切り
出されてなる半導体チップを搬送用のチップ収納トレイ
に移送する半導体チップの移送装置に関する。
出されてなる半導体チップを搬送用のチップ収納トレイ
に移送する半導体チップの移送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体部品の製造工程は、ガリ
ウムヒ素やシリコン等の円盤状のウェーハ上にＩＣ回路
を形成する前工程と、そのウェーハをもとに所望する個
々の半導体部品に仕上げる後工程とに大きく区分され
る。これらのうち後工程では、先ずウェーハは、金属製
のリング（以下、「ウェーハリング」と記すことがあ
る）の内側に張設された不織布（以下、「ウェーハシー
ト」と記すことがある）の中央部の上面に接着剤で貼着
されており、そのままダイシングソーによりスクラブラ
インに沿って切断されるというダイシング工程を経て、
多数の半導体チップに分断される。そして、これらの半
導体チップは、ウェーハシートから分離されてプラズマ
洗浄工程を経た後（プラズマ洗浄後にウェーハシートか
ら分離される場合もある）、他の部品との電気的な接続
がなされるボンディング工程や、その接続個所を樹脂で
封止する樹脂封止工程等を経て、半導体部品に仕上げら
れる。
ウムヒ素やシリコン等の円盤状のウェーハ上にＩＣ回路
を形成する前工程と、そのウェーハをもとに所望する個
々の半導体部品に仕上げる後工程とに大きく区分され
る。これらのうち後工程では、先ずウェーハは、金属製
のリング（以下、「ウェーハリング」と記すことがあ
る）の内側に張設された不織布（以下、「ウェーハシー
ト」と記すことがある）の中央部の上面に接着剤で貼着
されており、そのままダイシングソーによりスクラブラ
インに沿って切断されるというダイシング工程を経て、
多数の半導体チップに分断される。そして、これらの半
導体チップは、ウェーハシートから分離されてプラズマ
洗浄工程を経た後（プラズマ洗浄後にウェーハシートか
ら分離される場合もある）、他の部品との電気的な接続
がなされるボンディング工程や、その接続個所を樹脂で
封止する樹脂封止工程等を経て、半導体部品に仕上げら
れる。
【０００３】その際、ウェーハシートから分離された半
導体チップは、実際には、上面に多数の収納凹部が形成
された専用のチップ収納トレイへ移送され、このチップ
収納トレイごと、その後のプラズマ洗浄工程やボンディ
ング工程へ一括して搬送されることになる。
導体チップは、実際には、上面に多数の収納凹部が形成
された専用のチップ収納トレイへ移送され、このチップ
収納トレイごと、その後のプラズマ洗浄工程やボンディ
ング工程へ一括して搬送されることになる。
【０００４】ここで、半導体チップをチップ収納トレイ
に移送するための従来の移送装置について、図７〜１０
に基づき説明する。図７は従来の移送装置の要部正面
図、図８はその移送装置の平面図、図９は図８のＤ−Ｄ
断面図、図１０は吸着ヘッドによる半導体チップのピッ
クアップ動作を説明する要部断面図である。
に移送するための従来の移送装置について、図７〜１０
に基づき説明する。図７は従来の移送装置の要部正面
図、図８はその移送装置の平面図、図９は図８のＤ−Ｄ
断面図、図１０は吸着ヘッドによる半導体チップのピッ
クアップ動作を説明する要部断面図である。
【０００５】これらの図面において、１は半導体チップ
９を１つずつ吸着しウェーハシート８から剥離させてピ
ックアップするノズル状の吸着ヘッドで、図示しない真
空吸引装置に連通接続され、ヘッドホルダ２により垂直
に支持されている。このヘッドホルダ２は、Ｘ軸方向
（図７、８では左右方向）に移動するとともに、吸着ヘ
ッド１をＺ軸方向（図７では上下方向、図８では紙面に
直交する方向）に移動させることができるように構成さ
れている。
９を１つずつ吸着しウェーハシート８から剥離させてピ
ックアップするノズル状の吸着ヘッドで、図示しない真
空吸引装置に連通接続され、ヘッドホルダ２により垂直
に支持されている。このヘッドホルダ２は、Ｘ軸方向
（図７、８では左右方向）に移動するとともに、吸着ヘ
ッド１をＺ軸方向（図７では上下方向、図８では紙面に
直交する方向）に移動させることができるように構成さ
れている。
【０００６】３、４は、複数個のチップ収納トレイ５を
Ｙ軸方向（図７では紙面に直交する方向、図８では上下
方向）に整列した状態で支持して固定するトレイ支持テ
ーブルで、互いに独立してＹ軸方向に移動するようにな
っている。そのチップ収納トレイ５の上面には、半導体
チップ９を収納するための多数の収納凹部５ａが碁盤目
状に形成されている。
Ｙ軸方向（図７では紙面に直交する方向、図８では上下
方向）に整列した状態で支持して固定するトレイ支持テ
ーブルで、互いに独立してＹ軸方向に移動するようにな
っている。そのチップ収納トレイ５の上面には、半導体
チップ９を収納するための多数の収納凹部５ａが碁盤目
状に形成されている。
【０００７】６は、上面にウェーハリング７を支持して
固定するリング支持テーブルで、Ｘ軸方向及びＹ軸方向
に移動するようになっている。そのウェーハリング７の
内側にはウェーハシート８が張設され、このウェーハシ
ート８の上面には接着剤でウェーハ９０が貼着されてお
り、このウェーハ９０はダイシング工程で個々の半導体
チップ９に分断されている。なおウェーハリング７は、
リング支持テーブル６の上面に埋設した磁石（不図示）
の磁力により固定される。
固定するリング支持テーブルで、Ｘ軸方向及びＹ軸方向
に移動するようになっている。そのウェーハリング７の
内側にはウェーハシート８が張設され、このウェーハシ
ート８の上面には接着剤でウェーハ９０が貼着されてお
り、このウェーハ９０はダイシング工程で個々の半導体
チップ９に分断されている。なおウェーハリング７は、
リング支持テーブル６の上面に埋設した磁石（不図示）
の磁力により固定される。
【０００８】ここで、リング支持テーブル６には、ウェ
ーハ９０よりも一回り大きい径でウェーハ９０と同心状
の円形孔６ａが形成されており（図９参照）、この円形
孔６ａには、リング支持テーブル６の下方に配設され、
半導体チップ９をピックアップする際にウェーハシート
８上の半導体チップ９を突き上げるための突き上げユニ
ット１０３が挿脱されるようになっている（図１０参
照）。この突き上げユニット１０３は、ウェーハシート
８の下面において、突き上げ対象となる半導体チップ９
近傍を吸着する吸着部１０３ａ、及びその半導体チップ
９を突き上げる突き上げ針１０３ｂからなっている。
ーハ９０よりも一回り大きい径でウェーハ９０と同心状
の円形孔６ａが形成されており（図９参照）、この円形
孔６ａには、リング支持テーブル６の下方に配設され、
半導体チップ９をピックアップする際にウェーハシート
８上の半導体チップ９を突き上げるための突き上げユニ
ット１０３が挿脱されるようになっている（図１０参
照）。この突き上げユニット１０３は、ウェーハシート
８の下面において、突き上げ対象となる半導体チップ９
近傍を吸着する吸着部１０３ａ、及びその半導体チップ
９を突き上げる突き上げ針１０３ｂからなっている。
【０００９】更に、リング支持テーブル６の上面には、
ウェーハシート８におけるウェーハ９０の外側の下面、
すなわち直上に半導体チップ９が存しないウェーハシー
ト８の下面を押し上げて支持する環状突起部６ｂが、ウ
ェーハ９０と同心状に一体形成されている（図９参
照）。従って、リング支持テーブル６の上面に固定され
たウェーハリング７のウェーハシート８は、環状突起部
６ｂで押し上げられて引き延ばされ、これにより、ウェ
ーハシート８上で分断されている半導体チップ９相互の
間隔が広げられる。
ウェーハシート８におけるウェーハ９０の外側の下面、
すなわち直上に半導体チップ９が存しないウェーハシー
ト８の下面を押し上げて支持する環状突起部６ｂが、ウ
ェーハ９０と同心状に一体形成されている（図９参
照）。従って、リング支持テーブル６の上面に固定され
たウェーハリング７のウェーハシート８は、環状突起部
６ｂで押し上げられて引き延ばされ、これにより、ウェ
ーハシート８上で分断されている半導体チップ９相互の
間隔が広げられる。
【００１０】このような半導体チップ９相互の間隔を広
げる処理は、一般にエキスパンド処理と呼ばれ、半導体
チップ９とウェーハシート８間の接着層にせん断力が付
与されることにより相互間の接着力を弱めて半導体チッ
プ９を剥離させ易くしたり、半導体チップ９をピックア
ップする際に吸着ヘッド１がピックアップ対象でない隣
接の半導体チップ９と干渉するのを未然に防いだりする
ためのものである。
げる処理は、一般にエキスパンド処理と呼ばれ、半導体
チップ９とウェーハシート８間の接着層にせん断力が付
与されることにより相互間の接着力を弱めて半導体チッ
プ９を剥離させ易くしたり、半導体チップ９をピックア
ップする際に吸着ヘッド１がピックアップ対象でない隣
接の半導体チップ９と干渉するのを未然に防いだりする
ためのものである。
【００１１】１０はカメラで、突き上げ針１０３ｂの鉛
直上方に位置するようにハウジング１２上に固定され、
ピックアップ対象の半導体チップ９を撮像する。なお、
上記したエキスパンド処理は、カメラ１０で撮像された
半導体チップ９の輪郭を高精度で認識するためにも有効
である。
直上方に位置するようにハウジング１２上に固定され、
ピックアップ対象の半導体チップ９を撮像する。なお、
上記したエキスパンド処理は、カメラ１０で撮像された
半導体チップ９の輪郭を高精度で認識するためにも有効
である。
【００１２】１１はコンピュータで、入力部１１ａから
入力された指令に基づいて、吸着ヘッド１、ヘッドホル
ダ２、トレイ支持テーブル３、４、リング支持テーブル
６、カメラ１０、突き上げユニット１０３等を制御す
る。
入力された指令に基づいて、吸着ヘッド１、ヘッドホル
ダ２、トレイ支持テーブル３、４、リング支持テーブル
６、カメラ１０、突き上げユニット１０３等を制御す
る。
【００１３】このような構成の移送装置における一連の
移送動作を以下に説明しておく。先ず、ウェーハリング
７をリング支持テーブル６に固定し、ウェーハシート８
に対しエキスパンド処理がなされる。この状態で、リン
グ支持テーブル６が移動し、ウェーハシート８上で分断
されている多数の半導体チップ９のうちの１つが、突き
上げユニット１０３の突き上げ針１０３ｂの鉛直上方、
すなわち突き上げ位置に位置決めされる。
移送動作を以下に説明しておく。先ず、ウェーハリング
７をリング支持テーブル６に固定し、ウェーハシート８
に対しエキスパンド処理がなされる。この状態で、リン
グ支持テーブル６が移動し、ウェーハシート８上で分断
されている多数の半導体チップ９のうちの１つが、突き
上げユニット１０３の突き上げ針１０３ｂの鉛直上方、
すなわち突き上げ位置に位置決めされる。
【００１４】次いで、カメラ１０によりその半導体チッ
プ９を撮像し、その輪郭情報に基づきコンピュータ１１
が突き上げ位置に対する位置ずれ量を算出し、再度リン
グ支持テーブル６が微動してその位置ずれ量を補正す
る。その後、突き上げユニット１０３が上昇して、吸着
部１０３ａによりウェーハシート８が吸着固定され、こ
れと同時に、吸着ヘッド１が突き上げ位置の鉛直上方に
移動する（図１０（ａ）参照）。
プ９を撮像し、その輪郭情報に基づきコンピュータ１１
が突き上げ位置に対する位置ずれ量を算出し、再度リン
グ支持テーブル６が微動してその位置ずれ量を補正す
る。その後、突き上げユニット１０３が上昇して、吸着
部１０３ａによりウェーハシート８が吸着固定され、こ
れと同時に、吸着ヘッド１が突き上げ位置の鉛直上方に
移動する（図１０（ａ）参照）。
【００１５】次いで、突き上げ針が上昇して半導体チッ
プ９を突き上げ、これに応動して吸着ヘッド１が下降
し、半導体チップ９の上面に当接して吸着する（図１０
（ｂ）参照）。その後、吸着ヘッド１が上昇して半導体
チップ９をウェーハシート８から剥離させ、ピックアッ
プがなされる（図１０（ｃ）参照）。
プ９を突き上げ、これに応動して吸着ヘッド１が下降
し、半導体チップ９の上面に当接して吸着する（図１０
（ｂ）参照）。その後、吸着ヘッド１が上昇して半導体
チップ９をウェーハシート８から剥離させ、ピックアッ
プがなされる（図１０（ｃ）参照）。
【００１６】そして、吸着ヘッド１が１つのチップ収納
トレイ５の上方に向けて移動するとともに、トレイ支持
テーブル４が移動し、吸着ヘッド１に吸着された半導体
チップ９が１つの収納凹部５ａの垂直上方に位置決めさ
れる。その後、吸着ヘッド１が下降して半導体チップ９
をその収納凹部５ａ内に収納し、吸着を解除して移送が
完了する。
トレイ５の上方に向けて移動するとともに、トレイ支持
テーブル４が移動し、吸着ヘッド１に吸着された半導体
チップ９が１つの収納凹部５ａの垂直上方に位置決めさ
れる。その後、吸着ヘッド１が下降して半導体チップ９
をその収納凹部５ａ内に収納し、吸着を解除して移送が
完了する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェーハシ
ート８としては、ダイシング工程の切断負荷で破損しな
い強度や、プラズマ洗浄工程で悪影響しない材質と厚さ
が特に要求されるため、ナイロンやポリエステルやポリ
塩化ビニル等の伸縮性を有した材質で、厚さ１５０μｍ
程度のフィルム状のものが適用され、ここ最近では、コ
ストダウンの要請からより薄く（厚さ８０μｍ程度）な
る傾向にある。従って、適用されるウェーハシート８
は、材質もさることながら厚さに対してもバリエーショ
ンが豊富であり、それ故、弾性率も様々となる。
ート８としては、ダイシング工程の切断負荷で破損しな
い強度や、プラズマ洗浄工程で悪影響しない材質と厚さ
が特に要求されるため、ナイロンやポリエステルやポリ
塩化ビニル等の伸縮性を有した材質で、厚さ１５０μｍ
程度のフィルム状のものが適用され、ここ最近では、コ
ストダウンの要請からより薄く（厚さ８０μｍ程度）な
る傾向にある。従って、適用されるウェーハシート８
は、材質もさることながら厚さに対してもバリエーショ
ンが豊富であり、それ故、弾性率も様々となる。
【００１８】しかしそうすると、上記した従来の移送装
置では、環状突起部６ｂがリング支持テーブル６に一体
形成されているため、エキスパンド処理において以下の
ような問題が生じる。例えば弾性率の高い（軟らかい）
ウェーハシート８を適用した場合は、引き延ばし力の伝
達が鈍感になってウェーハシート８が不均一に引き延ば
されるため、半導体チップ９相互の間隔が不規則に広げ
られ、所望の間隔が得られないおそれがある。他方弾性
率の低い（硬い）ウェーハシート８を適用した場合は、
引き延ばし力の伝達が敏感になってウェーハシート８が
均一に引き延ばされようとする反面、無理な引き延ばし
力が負荷されてウェーハシート８が裂けてしまうおそれ
がある。つまり、適用されるウェーハシート８によって
は、十分にエキスパンド処理がなされない場合が起こ
り、ひいては円滑な移送動作が阻害される。
置では、環状突起部６ｂがリング支持テーブル６に一体
形成されているため、エキスパンド処理において以下の
ような問題が生じる。例えば弾性率の高い（軟らかい）
ウェーハシート８を適用した場合は、引き延ばし力の伝
達が鈍感になってウェーハシート８が不均一に引き延ば
されるため、半導体チップ９相互の間隔が不規則に広げ
られ、所望の間隔が得られないおそれがある。他方弾性
率の低い（硬い）ウェーハシート８を適用した場合は、
引き延ばし力の伝達が敏感になってウェーハシート８が
均一に引き延ばされようとする反面、無理な引き延ばし
力が負荷されてウェーハシート８が裂けてしまうおそれ
がある。つまり、適用されるウェーハシート８によって
は、十分にエキスパンド処理がなされない場合が起こ
り、ひいては円滑な移送動作が阻害される。
【００１９】そこで本発明は、上記の問題に鑑みてなさ
れたものであり、ウェーハリングの内側にウェーハシー
トが張設され、このウェーハシートの上面に貼着された
ウェーハが多数の半導体チップに切断されており、これ
ら半導体チップを１つずつ不織布から剥離させ、チップ
収納トレイの上面に多数形成された収納凹部へ移送する
ものであって、あらゆるウェーハシートに対応して十分
なエキスパンド処理が行える半導体チップの移送装置を
提供することを目的とするものである。
れたものであり、ウェーハリングの内側にウェーハシー
トが張設され、このウェーハシートの上面に貼着された
ウェーハが多数の半導体チップに切断されており、これ
ら半導体チップを１つずつ不織布から剥離させ、チップ
収納トレイの上面に多数形成された収納凹部へ移送する
ものであって、あらゆるウェーハシートに対応して十分
なエキスパンド処理が行える半導体チップの移送装置を
提供することを目的とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による半導体チップの移送装置は、ウェーハ
と同心状で不織布におけるウェーハの外側の下面を押し
上げて支持する環状突起を有し、リングを固定するリン
グ支持テーブルと、チップ収納トレイを固定するトレイ
支持テーブルと、半導体チップを吸着しリング支持テー
ブル及びトレイ支持テーブルに対して相対的に移動する
吸着ヘッドと、を備え、前記環状突起は前記リング支持
テーブルに対して着脱が可能で、相互に前記リング支持
テーブルの上面からの突出高さが異なる複数のうちから
選択的に装着されるようになっている。これにより、不
織布の材質や厚さに応じて、適正な押し上げ量が得られ
る環状突起を選定装着することで、十分なエキスパンド
処理が行えることになる。
め、本発明による半導体チップの移送装置は、ウェーハ
と同心状で不織布におけるウェーハの外側の下面を押し
上げて支持する環状突起を有し、リングを固定するリン
グ支持テーブルと、チップ収納トレイを固定するトレイ
支持テーブルと、半導体チップを吸着しリング支持テー
ブル及びトレイ支持テーブルに対して相対的に移動する
吸着ヘッドと、を備え、前記環状突起は前記リング支持
テーブルに対して着脱が可能で、相互に前記リング支持
テーブルの上面からの突出高さが異なる複数のうちから
選択的に装着されるようになっている。これにより、不
織布の材質や厚さに応じて、適正な押し上げ量が得られ
る環状突起を選定装着することで、十分なエキスパンド
処理が行えることになる。
【００２１】ここで、簡単な構成でリングをリング支持
テーブルに固定できるようにする観点から、前記リング
が金属製であって、前記リング支持テーブルの上面に埋
設した磁石の磁力により固定されることが好ましい。
テーブルに固定できるようにする観点から、前記リング
が金属製であって、前記リング支持テーブルの上面に埋
設した磁石の磁力により固定されることが好ましい。
【００２２】一方、安定してリングをリング支持テーブ
ルに固定できるようにする観点からは、前記リング支持
テーブルの上面に基軸を突設し、この基軸を中心に回動
する断面Ｌ字の板状部材により前記リングの上面及び側
面がクランプされて固定されることが好ましい。
ルに固定できるようにする観点からは、前記リング支持
テーブルの上面に基軸を突設し、この基軸を中心に回動
する断面Ｌ字の板状部材により前記リングの上面及び側
面がクランプされて固定されることが好ましい。
【００２３】更に、エキスパンド処理の際、不織布が滑
らかに引き延ばされるように、前記環状突起の上面側の
外周角部がＲ面取りされているとよい。
らかに引き延ばされるように、前記環状突起の上面側の
外周角部がＲ面取りされているとよい。
【００２４】また、リング支持テーブルに対し、環状突
起の着脱が簡単に行え、しかも装着した環状突起が安定
し得るように、前記リング支持テーブルに前記ウェーハ
と同心状の円形孔を形成し、前記環状突起は円形孔と嵌
合して装着されるとよい。
起の着脱が簡単に行え、しかも装着した環状突起が安定
し得るように、前記リング支持テーブルに前記ウェーハ
と同心状の円形孔を形成し、前記環状突起は円形孔と嵌
合して装着されるとよい。
【００２５】また、十分なエキスパンド処理がなされる
には、特に不織布の弾性率が著しく関与するため、前記
環状突起が不織布の弾性率に応じて選定され装着される
ことが好ましい。
には、特に不織布の弾性率が著しく関与するため、前記
環状突起が不織布の弾性率に応じて選定され装着される
ことが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て図面を参照しながら詳述する。先ず、本発明の第１実
施形態について説明する。図１は第１実施形態の半導体
チップの移送装置における要部平面図、図２は図１のＡ
−Ａ断面図、図３は図２の要部拡大図である。なお、図
中で図７〜１０と同じ名称の部分には同一の符号を付
し、重複する説明は省略する。
て図面を参照しながら詳述する。先ず、本発明の第１実
施形態について説明する。図１は第１実施形態の半導体
チップの移送装置における要部平面図、図２は図１のＡ
−Ａ断面図、図３は図２の要部拡大図である。なお、図
中で図７〜１０と同じ名称の部分には同一の符号を付
し、重複する説明は省略する。
【００２７】本実施形態の特徴は、従来の移送装置にお
けるリング支持テーブル６の環状突起部６ｂを排除し、
その代替として、リング支持テーブル６に対して着脱が
可能で、従来と同様にウェーハシート８に対しエキスパ
ンド処理の作用を与える環状突起２０を備えた点にあ
る。この環状突起２０は、相互の外周径が異なる上端部
２０ａと下端部２０ｂからなり、この下端部２０ｂの外
周はリング支持テーブル６の円形孔６ａと略同一の径に
加工されていて、上端部２０ａの外周径よりも小さくな
っている。
けるリング支持テーブル６の環状突起部６ｂを排除し、
その代替として、リング支持テーブル６に対して着脱が
可能で、従来と同様にウェーハシート８に対しエキスパ
ンド処理の作用を与える環状突起２０を備えた点にあ
る。この環状突起２０は、相互の外周径が異なる上端部
２０ａと下端部２０ｂからなり、この下端部２０ｂの外
周はリング支持テーブル６の円形孔６ａと略同一の径に
加工されていて、上端部２０ａの外周径よりも小さくな
っている。
【００２８】よって、環状突起２０をリング支持テーブ
ル６に装着する際は、上方から下端部２０ｂを円形孔６
ａに嵌入させ、上端部２０ａの下面とリング支持テーブ
ル６の上面との当接でそれ以上の嵌入が規制される。一
方、その環状突起２０の取り外しの際は、それとは逆に
移動させることでなされる。
ル６に装着する際は、上方から下端部２０ｂを円形孔６
ａに嵌入させ、上端部２０ａの下面とリング支持テーブ
ル６の上面との当接でそれ以上の嵌入が規制される。一
方、その環状突起２０の取り外しの際は、それとは逆に
移動させることでなされる。
【００２９】また、リング支持テーブル６に対して環状
突起２０を装着しウェーハリング７を固定した状態で
は、従来の環状突起部６ｂと同様に、上端部２０ａの上
面が、直上に半導体チップ９が存しないウェーハシート
８の下面を押し上げて支持しするようになっている。つ
まりエキスパンド処理がなされることになる。また、上
端部２０ａの上面側の外周角部にはＲ面取りが施されて
おり、エキスパンド処理の際、ウェーハシート８がその
Ｒ面取りに沿って滑らかに引き延ばされ、引き延ばし力
が均等に伝達する。
突起２０を装着しウェーハリング７を固定した状態で
は、従来の環状突起部６ｂと同様に、上端部２０ａの上
面が、直上に半導体チップ９が存しないウェーハシート
８の下面を押し上げて支持しするようになっている。つ
まりエキスパンド処理がなされることになる。また、上
端部２０ａの上面側の外周角部にはＲ面取りが施されて
おり、エキスパンド処理の際、ウェーハシート８がその
Ｒ面取りに沿って滑らかに引き延ばされ、引き延ばし力
が均等に伝達する。
【００３０】ここで、上端部２０ａの上面でウェーハシ
ート８を押し上げて引き延ばすわけであるが、その押し
上げ量は、リング支持テーブル６の上面から上端部２０
ａの上面までの高さ、すなわち上端部２０ａの高さで定
まることになる。そこで本実施形態では、相互に上端部
２０ａの高さが異なる環状突起２０を複数作製してお
き、それらの環状突起２０のうちから、ウェーハシート
８の材質や厚さ、特にその弾性率に応じて、適正な押し
上げ量が確保できるものを選定して装着するようにして
いる。
ート８を押し上げて引き延ばすわけであるが、その押し
上げ量は、リング支持テーブル６の上面から上端部２０
ａの上面までの高さ、すなわち上端部２０ａの高さで定
まることになる。そこで本実施形態では、相互に上端部
２０ａの高さが異なる環状突起２０を複数作製してお
き、それらの環状突起２０のうちから、ウェーハシート
８の材質や厚さ、特にその弾性率に応じて、適正な押し
上げ量が確保できるものを選定して装着するようにして
いる。
【００３１】具体的には、押し上げ量が約１．５〜２．
５ｍｍの範囲で３段階に調整できるように環状突起２０
を３つ製作しておき、標準のウェーハシート８が適用さ
れている場合は、中間の押し上げ量（２ｍｍ）が確保で
きる環状突起２０を装着し、弾性率の高い（軟らかい）
ウェーハシート８の場合は、押し上げ量を増してウェー
ハシート８をより引き延ばせるように２．５ｍｍの押し
上げ量の環状突起２０を装着し、また、弾性率の低い
（硬い）ウェーハシート８の場合は、ウェーハシート８
の負荷を軽減するように１．５ｍｍの押し上げ量の環状
突起２０を装着する。
５ｍｍの範囲で３段階に調整できるように環状突起２０
を３つ製作しておき、標準のウェーハシート８が適用さ
れている場合は、中間の押し上げ量（２ｍｍ）が確保で
きる環状突起２０を装着し、弾性率の高い（軟らかい）
ウェーハシート８の場合は、押し上げ量を増してウェー
ハシート８をより引き延ばせるように２．５ｍｍの押し
上げ量の環状突起２０を装着し、また、弾性率の低い
（硬い）ウェーハシート８の場合は、ウェーハシート８
の負荷を軽減するように１．５ｍｍの押し上げ量の環状
突起２０を装着する。
【００３２】なお、押し上げ量の設定にあたっては、上
記したウェーハシート８の特性以外にも、ウェーハ９０
や半導体チップ９のサイズ、エキスパンド処理前の半導
体チップ９相互の間隔、エキスパンド処理後に所望する
半導体チップ９相互の間隔、ウェーハリング７の内径等
も勿論影響するため、これらも踏まえて設定することが
望ましい。
記したウェーハシート８の特性以外にも、ウェーハ９０
や半導体チップ９のサイズ、エキスパンド処理前の半導
体チップ９相互の間隔、エキスパンド処理後に所望する
半導体チップ９相互の間隔、ウェーハリング７の内径等
も勿論影響するため、これらも踏まえて設定することが
望ましい。
【００３３】このように本実施形態の移送装置によれ
ば、エキスパンド処理に特に関与するウェーハシート８
の特性に応じて、十分なエキスパンド処理が行えるよう
簡単に対処できる。
ば、エキスパンド処理に特に関与するウェーハシート８
の特性に応じて、十分なエキスパンド処理が行えるよう
簡単に対処できる。
【００３４】次に、リング支持テーブル６に対するウェ
ーハリング７の固定手法について、以下に説明する。本
実施形態では、簡単な構成で容易に固定できる手法を採
用しており、図１に示すように、ウェーハリング７の外
縁には相互に対向する一対の切欠７ａが形成されてお
り、リング支持テーブル６の上面には、各切欠７ａと係
合する軸部材２１が突設され、また磁石（不図示）が埋
設されている。このような構成のもと、ウェーハリング
７は、各切欠７ａと軸部材２１との係合によりリング支
持テーブル６上でのスライドや回転移動が規制され、更
に磁石の磁力によりリング支持テーブル６上に固定され
る。
ーハリング７の固定手法について、以下に説明する。本
実施形態では、簡単な構成で容易に固定できる手法を採
用しており、図１に示すように、ウェーハリング７の外
縁には相互に対向する一対の切欠７ａが形成されてお
り、リング支持テーブル６の上面には、各切欠７ａと係
合する軸部材２１が突設され、また磁石（不図示）が埋
設されている。このような構成のもと、ウェーハリング
７は、各切欠７ａと軸部材２１との係合によりリング支
持テーブル６上でのスライドや回転移動が規制され、更
に磁石の磁力によりリング支持テーブル６上に固定され
る。
【００３５】次に、本発明の第２実施形態について図４
〜６に基づき説明する。図４は第２実施形態の半導体チ
ップの移送装置における要部平面図、図５は図４のＢ−
Ｂ断面図、図６は図４のＣ矢視の拡大図である。なお、
図中で図１〜３と同じ名称の部分には同一の符号を付
し、第１実施形態と重複する説明は省略する。
〜６に基づき説明する。図４は第２実施形態の半導体チ
ップの移送装置における要部平面図、図５は図４のＢ−
Ｂ断面図、図６は図４のＣ矢視の拡大図である。なお、
図中で図１〜３と同じ名称の部分には同一の符号を付
し、第１実施形態と重複する説明は省略する。
【００３６】本実施形態の特徴は、第１実施形態と比較
して、リング支持テーブル６に対するウェーハリング７
の固定手法を変形した点にあり、磁力による固定手法に
代えて、機械的な拘束力を活用した固定手法を採用して
いる。つまり、ウェーハリング７の外縁の対向する２個
所それぞれで、各上面及び側面を挟持、すなわちクラン
プする断面Ｌ字に折曲した板状部材２２を設けている。
して、リング支持テーブル６に対するウェーハリング７
の固定手法を変形した点にあり、磁力による固定手法に
代えて、機械的な拘束力を活用した固定手法を採用して
いる。つまり、ウェーハリング７の外縁の対向する２個
所それぞれで、各上面及び側面を挟持、すなわちクラン
プする断面Ｌ字に折曲した板状部材２２を設けている。
【００３７】ここで各板状部材２２は、ウェーハリング
７の上面をクランプする上片２２ａと、ウェーハリング
７の側面をクランプする側片２２ｂとからなっており、
リング支持テーブル６の上面にボルトを介して突設され
た基軸２３を中心に回動自在に支持されている。従っ
て、各板状部材２２は、基軸２３を中心とした回動によ
り、クランプ位置とクランプ解除位置（図４中、２点鎖
線で図示）とを取り得るようになる。
７の上面をクランプする上片２２ａと、ウェーハリング
７の側面をクランプする側片２２ｂとからなっており、
リング支持テーブル６の上面にボルトを介して突設され
た基軸２３を中心に回動自在に支持されている。従っ
て、各板状部材２２は、基軸２３を中心とした回動によ
り、クランプ位置とクランプ解除位置（図４中、２点鎖
線で図示）とを取り得るようになる。
【００３８】このような板状部材２２によるクランプ機
構は、ウェーハリング７を機械的な拘束力で固定できる
ため、磁力による固定よりも固定状態が安定する点で有
利である。
構は、ウェーハリング７を機械的な拘束力で固定できる
ため、磁力による固定よりも固定状態が安定する点で有
利である。
【００３９】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
ず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可
能である。例えば、上記の実施形態では、吸着ヘッド１
による半導体チップ９のピックアップの確実性を考慮し
て突き上げユニット１０３を配設しているが、そのピッ
クアップの確実性が十分に許容できる限り、突き上げユ
ニット１０３を特に設けなくても構わない。その場合に
は、リング支持テーブル６の円形孔６ａも不要となる
が、環状突起２０の装着のために、リング支持テーブル
６の上面に環状突起２０を受け入れる円形状の溝を形成
すれば足りる。
ず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可
能である。例えば、上記の実施形態では、吸着ヘッド１
による半導体チップ９のピックアップの確実性を考慮し
て突き上げユニット１０３を配設しているが、そのピッ
クアップの確実性が十分に許容できる限り、突き上げユ
ニット１０３を特に設けなくても構わない。その場合に
は、リング支持テーブル６の円形孔６ａも不要となる
が、環状突起２０の装着のために、リング支持テーブル
６の上面に環状突起２０を受け入れる円形状の溝を形成
すれば足りる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、リン
グの内側に不織布が張設され、この不織布の上面に貼着
されたウェーハが多数の半導体チップに切断されてお
り、これら半導体チップを１つずつ不織布から剥離さ
せ、チップ収納トレイの上面に多数形成された収納凹部
へ移送するものであって、前記ウェーハと同心状で前記
不織布における前記ウェーハの外側の下面を押し上げて
支持する環状突起を有し、前記リングを固定するリング
支持テーブルと、前記チップ収納トレイを固定するトレ
イ支持テーブルと、前記半導体チップを吸着しリング支
持テーブル及びトレイ支持テーブルに対して相対的に移
動する吸着ヘッドと、を備えた半導体チップの移送装置
において、前記環状突起は前記リング支持テーブルに対
して着脱が可能で、相互に前記リング支持テーブルの上
面からの突出高さが異なる複数のうちから選択的に装着
されるようになっている。よって、どのような不織布を
適用しても、その不織布の材質や厚さに応じて、適正な
押し上げ量が得られる環状突起を選定装着することで、
十分なエキスパンド処理が行えることになり、一連の半
導体チップの移送動作も円滑に行える。
グの内側に不織布が張設され、この不織布の上面に貼着
されたウェーハが多数の半導体チップに切断されてお
り、これら半導体チップを１つずつ不織布から剥離さ
せ、チップ収納トレイの上面に多数形成された収納凹部
へ移送するものであって、前記ウェーハと同心状で前記
不織布における前記ウェーハの外側の下面を押し上げて
支持する環状突起を有し、前記リングを固定するリング
支持テーブルと、前記チップ収納トレイを固定するトレ
イ支持テーブルと、前記半導体チップを吸着しリング支
持テーブル及びトレイ支持テーブルに対して相対的に移
動する吸着ヘッドと、を備えた半導体チップの移送装置
において、前記環状突起は前記リング支持テーブルに対
して着脱が可能で、相互に前記リング支持テーブルの上
面からの突出高さが異なる複数のうちから選択的に装着
されるようになっている。よって、どのような不織布を
適用しても、その不織布の材質や厚さに応じて、適正な
押し上げ量が得られる環状突起を選定装着することで、
十分なエキスパンド処理が行えることになり、一連の半
導体チップの移送動作も円滑に行える。
【００４１】ここで、前記リングが金属製であって、前
記リング支持テーブルの上面に埋設した磁石の磁力によ
り固定されるようになっていると、煩雑な作業をするこ
となく、簡単にリングをリング支持テーブルに固定でき
る。
記リング支持テーブルの上面に埋設した磁石の磁力によ
り固定されるようになっていると、煩雑な作業をするこ
となく、簡単にリングをリング支持テーブルに固定でき
る。
【００４２】一方、前記リング支持テーブルの上面に基
軸を突設し、この基軸を中心に回動する断面Ｌ字の板状
部材により前記リングの上面及び側面がクランプされて
固定されるようになっていると、機械的な拘束力でリン
グをリング支持テーブルに固定できるため、その固定状
態の安定性が増す。
軸を突設し、この基軸を中心に回動する断面Ｌ字の板状
部材により前記リングの上面及び側面がクランプされて
固定されるようになっていると、機械的な拘束力でリン
グをリング支持テーブルに固定できるため、その固定状
態の安定性が増す。
【００４３】更に、前記環状突起の上面側の外周角部が
Ｒ面取りされていると、エキスパンド処理の際、環状突
起の上面と当接した不織布が、そのＲ面取りに沿って滑
らかに引き延ばされるため、引き延ばし力が均等に伝達
し、十分なエキスパンド処理が確実に行える。
Ｒ面取りされていると、エキスパンド処理の際、環状突
起の上面と当接した不織布が、そのＲ面取りに沿って滑
らかに引き延ばされるため、引き延ばし力が均等に伝達
し、十分なエキスパンド処理が確実に行える。
【００４４】また、前記リング支持テーブルに前記ウェ
ーハと同心状の円形孔を形成し、前記環状突起は円形孔
と嵌合して装着されるようになっていると、リング支持
テーブルに対し、環状突起の着脱が簡単に行えるととも
に、装着した環状突起が安定する。
ーハと同心状の円形孔を形成し、前記環状突起は円形孔
と嵌合して装着されるようになっていると、リング支持
テーブルに対し、環状突起の着脱が簡単に行えるととも
に、装着した環状突起が安定する。
【００４５】また、前記環状突起が不織布の弾性率に応
じて選定され装着されるようになっていると、より十分
なエキスパンド処理がなされる。
じて選定され装着されるようになっていると、より十分
なエキスパンド処理がなされる。
【図１】 第１実施形態の半導体チップの移送装置に
おける要部平面図。
おける要部平面図。
【図２】 図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】 図２の要部拡大図。
【図４】 第２実施形態の半導体チップの移送装置に
おける要部平面図。
おける要部平面図。
【図５】 図４のＢ−Ｂ断面図。
【図６】 図４のＣ矢視の拡大図。
【図７】 従来の移送装置の要部正面図。
【図８】 従来の移送装置の平面図。
【図９】 図８のＤ−Ｄ断面図
【図１０】 半導体チップのピックアップ動作を説明
する要部断面図。
する要部断面図。
１ 吸着ヘッド
２ ヘッドホルダ
３、４ トレイ支持テーブル
５ チップ収納トレイ
５ａ 収納凹部
６ リング支持テーブル
６ａ 円形孔
６ｂ 環状突起部
７ ウェーハリング（リング）
７ａ 切欠
８ ウェーハシート（不織布）
９ 半導体チップ
１０ カメラ
１１ コンピュータ
２０ 環状突起
２０ａ 上端部
２０ｂ 下端部
２１ 軸部材
２２ 板状部材
２３ 基軸
９０ ウェーハ
１０３ 突き上げユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3C007 AS24 DS01 ES02 ES17 ET02
EV07 EV23 EW00 NS13
5F031 CA02 CA13 FA07 GA23 HA80
MA35 MA40 PA08 PA30
Claims (6)
- 【請求項１】 リングの内側に不織布が張設され、この
不織布の上面に貼着されたウェーハが多数の半導体チッ
プに切断されており、これら半導体チップを１つずつ不
織布から剥離させ、チップ収納トレイの上面に多数形成
された収納凹部へ移送するものであって、 前記ウェーハと同心状で前記不織布における前記ウェー
ハの外側の下面を押し上げて支持する環状突起を有し、
前記リングを固定するリング支持テーブルと、前記チッ
プ収納トレイを固定するトレイ支持テーブルと、前記半
導体チップを吸着しリング支持テーブル及びトレイ支持
テーブルに対して相対的に移動する吸着ヘッドと、を備
えた半導体チップの移送装置において、 前記環状突起は前記リング支持テーブルに対して着脱が
可能で、相互に前記リング支持テーブルの上面からの突
出高さが異なる複数のうちから選択的に装着されること
を特徴とする半導体チップの移送装置。 - 【請求項２】 前記リングが金属製であって、前記リン
グ支持テーブルの上面に埋設した磁石の磁力により固定
されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ
の移送装置。 - 【請求項３】 前記リング支持テーブルの上面に基軸を
突設し、この基軸を中心に回動する断面Ｌ字の板状部材
により前記リングの上面及び側面がクランプされて固定
されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ
の移送装置。 - 【請求項４】 前記環状突起の上面側の外周角部がＲ面
取りされていることを特徴とする請求項１から３のいず
れかに記載の半導体チップの移送装置。 - 【請求項５】 前記リング支持テーブルに前記ウェーハ
と同心状の円形孔を形成し、前記環状突起は円形孔と嵌
合して装着されることを特徴とする請求項１から４のい
ずれかに記載の半導体チップの移送装置。 - 【請求項６】 前記環状突起が不織布の弾性率に応じて
選定され装着されることを特徴とする請求項１から５の
いずれかに記載の半導体チップの移送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142314A JP4091338B2 (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 半導体チップの移送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142314A JP4091338B2 (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 半導体チップの移送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332406A true JP2003332406A (ja) | 2003-11-21 |
| JP4091338B2 JP4091338B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=29702629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002142314A Expired - Fee Related JP4091338B2 (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 半導体チップの移送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4091338B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009145727A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Agency For Science, Technology And Research | A semiconductor structure and a method of manufacturing a semiconductor structure |
| US8247307B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate provided with semiconductor films |
| US8309429B2 (en) * | 2007-09-21 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device |
| US8822305B2 (en) | 2007-09-21 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate provided with semiconductor films and manufacturing method thereof |
| JP2017188559A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 太陽誘電株式会社 | 拡張装置及び電子部品の製造方法 |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002142314A patent/JP4091338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8247307B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate provided with semiconductor films |
| US8309429B2 (en) * | 2007-09-21 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device |
| US8822305B2 (en) | 2007-09-21 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate provided with semiconductor films and manufacturing method thereof |
| WO2009145727A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Agency For Science, Technology And Research | A semiconductor structure and a method of manufacturing a semiconductor structure |
| US8466550B2 (en) | 2008-05-28 | 2013-06-18 | Agency For Science, Technology And Research | Semiconductor structure and a method of manufacturing a semiconductor structure |
| JP2017188559A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 太陽誘電株式会社 | 拡張装置及び電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4091338B2 (ja) | 2008-05-28 |
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