JP2003330038A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気光学装置において、高開口率を維持した
まま蓄積容量を増大し、表示ムラやちらつき等のない高
品質な画像を表示することの可能とする。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板上に、画素電極、これ
に接続された半導体層（１ａ）を含むＴＦＴ、該ＴＦＴ
に接続された走査線及びデータ線、そして、誘電体膜を
挟持してなる上部電極（３００）及び下部電極（７１）
からなり、該上部電極及び該下部電極の一方が前記画素
電極に接続されてなる蓄積容量（７０）を備えてなり、
前記蓄積容量の断面形状は、凸形状を含んでいる。これ
により、図示する立体的部分がないとした場合における
蓄積容量よりも、その面積を概ね２ＨＬだけ増大させる
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
電子機器の技術分野に属し、特に、画素電極の電位保持
特性を向上させる蓄積容量を備えた電気光学装置及び該
電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属す
る。

【０００２】

【背景技術】マトリクス状に配列された画素電極及び該
電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film
Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦ
Ｔの各々に接続され、行及び列方向のそれぞれに平行に
設けられた走査線及びデータ線等を備えることによっ
て、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光
学装置が知られている。

【０００３】このような電気光学装置では更に、上述の
画素電極、ＴＦＴ等が形成されたＴＦＴアレイ基板、こ
れに対向配置される対向基板、及び両基板に挟持される
液晶等の電気光学物質等を備えることで、画像を表示す
ることが可能である。すなわち、前記アクティブマトリ
クス駆動によって、前記画素電極に対し所定の画像信号
を書き込むことで、画素毎に、前記電気光学物質に該画
像信号に対応した電界を印加してその状態を変更し、光
の透過率を変更させるのである。

【０００４】この場合、例えば、前記走査線が複数設け
られている場合では、一の走査線に連なるＴＦＴをＯＮ
とした状態から、次に、当該ＴＦＴがＯＮとされる状態
までには、複数の走査線すべてに対する掃引が完了する
まで、一定の時間が必要である。そして、画素電極ない
し液晶等の電気光学物質に対して印加された電圧は、一
般に、該一定の時間に減衰することになるから、そのま
まの状態では画像上に影響が及んでしまうことになる。

【０００５】そこで、従来の電気光学装置では、上述の
ような構成のほか、ＴＦＴアレイ基板上に蓄積容量が備
えられることがあった。これは、誘電体膜を挟持してな
る一対の電極からなり、画素電極に画像信号が印加され
液晶等の電気光学物質に対して所定の電界が印加される
と同時に、同じ電界がかけられるようにされたコンデン
サである。このような蓄積容量を利用することによっ
て、前述のような掃引期間の間、液晶等の電気光学物質
に対する電界を、当初印加されたとおりに維持すること
が可能となるから、高品質な画像を表示することが可能
となるのである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おける電気光学装置においては、上述した蓄積容量を十
分には大きくとれないという問題点があった。蓄積容量
を十分に大きくとれなければ、液晶等の電気光学物質に
対して印加された電界の維持を、前記掃引期間中、十分
に行うことができず、画像上に表示ムラやちらつき等を
発生させることとなる。

【０００７】このような問題に対処するため、蓄積容量
を大きくすることが望まれるが、今日、電気光学装置の
小型化、高精細化、あるいは高開口率化が進行するにつ
れて、その要求を満たすことが困難となってきている。
例えば、蓄積容量の増大化を単純に実現しようとすれ
ば、該蓄積容量を構成する上部電極及び下部電極等を大
面積化するという試みが考えられるが、これでは開口率
の減少は必須であり、明るい画像を表示するという電気
光学装置にとって根本的な要請に応えることが不可能と
なる。

【０００８】また、蓄積容量の増大化を図るためには、
上部電極及び下部電極間の間隔を狭めること、すなわち
誘電体膜の薄膜化という試みも考えられるが、現状にお
いてさえ、既に誘電体膜の厚さはかなりの薄膜化が進行
していることからして、このような試みはもはや限界に
達している。

【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、高開口率を維持したまま蓄積容量を増大し、
表示ムラやちらつき等のない高品質な画像を表示するこ
との可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を
具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、上記課題を解決するため、基板上に、走査線及びデ
ータ線に対応して設けられた薄膜トランジスタと、該薄
膜トランジスタに対応して設けられた画素電極と、誘電
体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極からなり、該
上部電極及び該下部電極の一方が前記画素電極に接続さ
れてなる蓄積容量とを備えてなり、前記蓄積容量は、前
記上部電極及び前記下部電極が前記誘電体膜を挟んで、
前記基板の表面に平坦な面に沿って積層された第１部分
と、前記基板の表面に対して立ち上がった平面に沿って
積層された第２部分とを含むことにより、その断面形状
が凸形状を含む。

【００１１】本発明の電気光学装置によれば、走査信号
を走査線を通じて薄膜トランジスタに供給することで、
そのＯＮ・ＯＦＦを制御するとともに、該薄膜トランジ
スタがＯＮとされている場合において、画像信号をデー
タ線を通じて画素電極に印加することで、いわゆるアク
ティブマトリクス駆動を実現することが可能となる。こ
れにより、上記構成に加え、前記基板に対向し共通電極
が備えられた対向基板、該対向基板及び前記基板間に電
気光学物質の一例たる液晶等を備えることで、画像の表
示が可能となる。これは、前記画素電極に対する電界の
印加を通じて、画素毎に、前記液晶に対する電界の印
加、その配向状態の変化、光透過率の変化を生じさせる
ことで、該液晶内を通過する光の階調を変化させること
が可能であることによる。

【００１２】また、本発明においては、誘電体膜を挟持
してなる上部電極及び下部電極からなり、該上部電極及
び該下部電極の一方が前記画素電極に接続されてなる蓄
積容量が備えられている。これにより、画素電極に前記
画像信号に対応する電界が印加されると、それと同じ電
界が該蓄積容量にも蓄えられることになる。したがっ
て、液晶に対して印加された電界を、所定の期間にわた
って維持することができるから、本発明によれば、フリ
ッカ等のない高品質な画像を表示することが可能とな
る。

【００１３】ここで特に、本発明においては、前記蓄積
容量は、前記上部電極及び前記下部電極が前記誘電体膜
を挟んで、前記基板の表面に平坦な面に沿って積層され
た第１部分と、前記基板の表面に対して立ち上がった平
面に沿って積層された第２部分とを含むことにより、そ
の断面形状が凸形状を含んでいる。すなわち例えば、下
部電極それ自体が基板に対して凸状の部分を含むように
形成されているか、あるいは該下部電極の下の所定の箇
所に凸状部材が形成されているか等に応じて、その上層
に位置する誘電体膜及び上部電極は、断面視して屈曲し
た形状を有することになる。そして、この場合、従来の
平面的な蓄積容量に比べて、基板の表面に沿って立ち上
がった平面に沿って、上部電極、誘電体膜及び下部電極
が積層されてなる第２部分における面積部分だけ、換言
すれば、凸形状の側壁の面積部分だけ、容量増大の作用
効果が見込めることになるのである。

【００１４】したがって、本発明においては、蓄積容量
を構成する上部電極及び下部電極の面積を平面的に増大
させることなく、その容量を増大させることが可能とな
るから、高開口率を維持したまま、蓄積容量の増大を実
現することが可能となり、これをもって表示ムラ、ちら
つき等のない高品質な画像を表示することができるので
ある。

【００１５】なお、蓄積容量の断面形状が凸形状を含む
という形態は、上述したように、下部電極それ自体が凸
状の部分を含むようにこれを形成したり、下部電極下に
凸状部材を形成する等という手段によって実現されうる
が、本発明においては、その他の手段ないし方法によっ
て、これを実現するような形態としてもよい。例えば、
下部電極の下層に何らかの配線、回路素子等が形成さ
れ、かつ、これらの上に層間絶縁膜が形成される場合に
おいて、該層間絶縁膜の表面に、前記配線、前記回路素
子等が有する高さに応じて段差が生じる場合において
は、この段差を前記第２部分ないし前記凸形状の基礎と
なるように利用する場合等が考えられる。すなわち、こ
の場合には、前記段差上に下部電極、誘電体膜及び上部
電極を順次形成すれば、自然に凸形状を断面形状として
含む蓄積容量を構成することが可能となるのである。

【００１６】また、場合によっては、例えば、基板上の
層間絶縁膜において凹部を形成し、該凹部を覆うように
下部電極及び誘電体膜を形成するとともに、その上に、
該凹部を埋め尽くし、かつ、前記層間絶縁膜の表面を覆
うようにして、上部電極を形成するような形態としても
よい。

【００１７】さらに、本発明においては、蓄積容量を構
成する上部電極及び下部電極の一方は、画素電極に接続
されることで、それと同じ電位を有することになるが、
その場合、画素電極に接続されない他方の電極について
は、固定電位とするのが好ましい。ちなみに、この場
合、画素電極に接続されることとなる上部電極又は下部
電極については、一般にこれを「画素電位側容量電極」
と呼ぶことが可能であり、前記他方の電極については、
これを「固定電位側容量電極」と呼ぶことが可能であ
る。ここで、画素電極に接続される電極は、上部であっ
ても下部であってもよいことから、より実際的な蓄積容
量の構成としては、基板上、下から順に、画素電位側容
量電極、誘電体膜及び固定電位側容量電極という積層構
造としても、その逆としてもよい。

【００１８】なお、これに関連して、上述の固定電位側
容量電極は、走査線の延在する方向に沿って形成される
容量線の一部として構成されていてもよい。このように
すれば、製造上の手間ないしコストを削減することが可
能である。というのも、固定電位側容量電極を別々に
（あるいは、基板上に島状に）形成すると、これらに対
して個別に配線等を設ける必要があるが、該固定電位側
容量電極は、要は固定電位でさえあればよいのであるか
ら、これを容量「線」の一部として形成すれば、該容量
線につき一の配線を設ければよく、その相応分、製造コ
ストを削減することが可能となるからである。

【００１９】加えて、上述した上部電極及び下部電極を
構成する材料としては、基本的にどのようなものを選択
してもよいが、好ましくは例えば、上部電極及び下部電
極の少なくとも一方について、これを遮光性材料で構成
するような形態とするとよい。これにより、薄膜トラン
ジスタのチャネル領域に対する光入射を未然に防止する
遮光層としての役割を、上部電極又は下部電極に担わせ
ることが可能となるから、前記チャネル領域における光
リーク電流の発生が抑制されることにより、これに起因
するフリッカ等が発生しない高品質な画像を表示するこ
とが可能となる。

【００２０】加えて更に、本発明にいう「電気光学物
質」としては、上述したように、液晶が該当する場合が
典型的であるが、その他にも、適当なバインダ内に分散
された粉末ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）、ある
いは無機又は有機ＥＬ等もまた該当し得る。この場合に
おいては、液晶表示装置とは異なり、ＥＬに対して電界
が印加され、それ自身が発光することで、画像が表示さ
れるというメカニズムになるが、このような「ＥＬ表示
装置」においても、上述の蓄積容量をはじめ、ＴＦＴ、
走査線及びデータ線等が備えられる場合が考えられるこ
とからすると、そのような場合においても、本発明の適
用は当然に可能である。

【００２１】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
凸形状は、前記下部電極が前記基板に対して凸状の部分
を含むように形成されることにより、形作られている。

【００２２】この態様によれば、下部電極それ自体が凸
状の部分を含むように形成されることにより、比較的容
易に本発明に係る凸形状を含む蓄積容量を形成すること
が可能となる。すなわち、この場合においては、下部電
極の形成過程中、前記凸状の部分を含むように、それと
一体的に該下部電極を形成すること（すなわち、下部電
極と同一の膜として凸状の部分を形成すること）が可能
であるから、製造工程の簡略化が図れることになるので
ある。

【００２３】より具体的には、将来、下部電極となるべ
き元の膜を形成した後、該元の膜中、凸状として残すべ
き部分の上にのみレジスト膜を形成し、これに対してエ
ッチングを実施する、等のような手段によって、凸状を
含む下部電極の形成が可能である。

【００２４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記凸形状は、前記下部電極下に凸状部材が形成されるこ
とにより、形作られている。

【００２５】この態様によれば、上述のように、下部電
極が凸状の部分を含むように形成されるのではなくて、
下部電極の下に、これと別体となる凸状部材が形成され
ることにより、前記凸形状が形作られている。したがっ
て、この場合においては、下部電極を構成する材料と凸
状部材を構成する材料とは異ならしめるというような形
態をとることが可能である。

【００２６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記凸形状はテーパ形状を含む。

【００２７】この態様によれば、下部電極上に形成され
る誘電体膜及び上部電極を好適に形成することが可能で
ある。すなわち、前記凸形状がテーパ形状を含むことに
よれば、例えば垂直な側壁部を含む凸形状との対比から
明らかなように、該凸形状の角部はなめらかなものとな
るから、テーパ形状を含む凸形状の上に、誘電体膜及び
上部電極を形成する際においては、そのカバーレッジの
悪化等について懸念する必要が殆どなくなる。したがっ
て、本態様によれば、好適に、誘電体膜及び上部電極を
形成することが可能となるのである。

【００２８】また、垂直な側壁部を含む凸形状と、本態
様に係るテーパ形状を含む凸形状とを比べた場合、両者
の高さを同じとし、かつ、両者間で該凸形状の上面の面
積を同一とする仮定をおくならば、一般に前者よりも後
者の方が、側壁部の面積をより大きくとれることになる
から、蓄積容量の増大という観点からは好ましいという
ことがいえる。

【００２９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記凸形状の高さは、５０〜１０００ｎｍである。

【００３０】この態様によれば、誘電体膜を如何なる材
料で構成するか等、種々の条件により異なるものの、従
来の平面的な蓄積容量を基準として、その容量を概ね
１．５倍程度以上にすることが可能となる。したがっ
て、本態様によれば、その分だけ、電位保持特性を向上
させることが可能となり、画像上の表示ムラ、ちらつき
等の発生を低減することが可能となる。

【００３１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画素電極はマトリクス状に配列されてなり、前記走査
線及び前記データ線は、前記マトリクス状に対応した遮
光領域に形成されており、前記蓄積容量は前記遮光領域
内に形成されている。

【００３２】この態様によれば、蓄積容量は、遮光領域
に形成されていることから、開口率は高いところで維持
することが可能となる。しかも、本態様によれば、この
ように高い開口率を維持しえるにもかかわらず、蓄積容
量の断面形状が凸形状を含むことから、その容量をも大
きくとることが可能となるのである。

【００３３】したがって、本態様によれば、明るい画像
の表示が可能であり、かつ、表示ムラ、ちらつき等のな
い高品質な画像を表示することが可能となるのである。

【００３４】なお、遮光領域とは、画像表示に寄与する
光が遮られる領域をいい、その具体的形状は、上述の
「マトリクス状」なる形状が如何なる形状を有するかに
よって異なり得る。例えば、マトリクス状というのが、
画素電極が縦横それぞれに直線的に配列されているとい
う場合を指すならば、遮光領域の具体的形状は格子状と
いうことになるし、これとは別に、画素電極が縦横それ
ぞれに千鳥足状に配列されているという場合において
は、遮光領域の具体的形状は該画素電極の縁部に沿って
屈曲した曲線が縦横それぞれに並列された形状等という
ことになる。

【００３５】この態様では特に、前記蓄積容量の前記凸
形状は、前記走査線及び前記データ線の少なくとも一方
に沿って形成されているようにするとよい。

【００３６】このような構成によれば、前記凸形状の上
に層間絶縁膜等を積層していくと、該凸形状の上には凸
部が形成されることから、走査線及びデータ線の少なく
とも一方に沿って凸部が延在する形態が現出されること
になる。したがって、この場合、該凸部が、相隣接する
画素電極間に存在する形態が現出されることとなる。こ
れにより、本態様に係る電気光学装置を、１Ｈ反転駆動
方式、１Ｓ反転駆動方式又はドット反転駆動方式で駆動
する場合において、相隣接する画素電極間に生じる横電
界に起因した、画像に対する悪影響を低減することが可
能となり、より高品質な画像を表示することができるこ
とになる。以下、その事情を詳しく説明する。

【００３７】まず、１Ｈ反転駆動方式とは、例えば、正
方形状に配列された画素電極を想定した場合、ある一の
フレームないしフィールドにおいては、その奇数行に配
列された画素電極を共通電極の電位を基準として正極性
の電位で駆動するとともに、偶数行に配列された画素電
極を負極性の電位で駆動し、これに続く次のフレームな
いしフィールドにおいては、最前とは逆に、奇数行は負
極性で、偶数行は正極性で駆動する、という状態を連続
して行う駆動方式である。一方、１Ｓ反転駆動方式と
は、いま述べた、１Ｈ反転駆動方式に関する説明中、奇
数行を「奇数列」に、偶数行を「偶数列」に、それぞれ
置き換えて把握される駆動方式である。さらに、ドット
反転駆動方式とは、列方向及び行方向の両方向に相隣接
する画素電極間で、各画素電極に印加される電圧極性を
反転させる駆動方式である。これらの駆動方式を採るこ
とにより、直流電圧成分の印加による液晶等の電気光学
物質の劣化、あるいは画像上のクロストークやフリッカ
の発生を抑制することが可能となる。

【００３８】しかしながら、このような反転駆動方式に
あっては、異なる極性の電圧が印加された画素電極が相
隣接することとなるため、いわゆる「横電界」が発生す
ることとなる。例えば１Ｈ反転駆動方式では、ある行に
位置する画素電極と、これに相隣接する行に位置する画
素電極との間で、横電界が発生することになる。このよ
うな横電界が発生すると、基板上の画素電極及び対向基
板上の共通電極間の電位差（以下、「縦電界」とい
う。）に乱れを生じさせて液晶の配向不良を引き起こ
し、当該部分における光抜け等が発生して、コントラス
ト比の低下などという画質の劣化をもたらすこととなる
のである。

【００３９】しかるに、本態様においては、上述したよ
うに、蓄積容量の前記凸形状が、走査線及びデータ線の
少なくとも一方に沿って形成されているため、前記横電
界の発生を抑制することが可能となるのである。

【００４０】これは第一に、前記凸部の縁に画素電極の
縁が乗るように形成すれば、画素電極及び共通電極間の
距離を狭めることが可能となるから、従前に比して縦電
界を強めることが可能であることによる。また第二に、
画素電極の縁が凸部の上に存在するか否かにかかわら
ず、該凸部が有する誘電率の如何によって横電界自体を
弱め得ることによる。さらに第三に、前記凸部と共通電
極間の間隙の容積、すなわち該間隙内に位置する液晶の
体積を減少させることが可能であるから、液晶に与える
横電界の影響を相対的に小さくすることが可能であるこ
とによる。

【００４１】ちなみに、１Ｈ反転駆動方式の場合には、
凸形状ないし凸部を、走査線に沿うように形成すること
が好ましく、１Ｓ反転駆動方式の場合には、データ線に
沿うように形成することが好ましいことは言うまでもな
い。また、ドット反転駆動方式においては、凸形状ない
し凸部を、走査線及びデータ線の双方に沿って形成する
ことが好ましい。

【００４２】以上により、本態様によれば、液晶に対す
る縦電界の印加を好適に実現することが可能となるか
ら、所期したとおりの画像を表示することが可能となる
のである。

【００４３】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備し
てなる。

【００４４】本発明の電子機器によれば、上述の本発明
の電気光学装置、すなわち高開口率を保ちながら蓄積容
量が増大された電気光学装置を具備してなるから、明る
い画像が表示が可能であるとともに、表示ムラ、ちらつ
き等のない高品質な画像を表示することが可能な、投射
型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワード
プロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビ
デオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電
話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実
現できる。

【００４５】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００４７】（画素部の構成）まず、本発明の本実施形
態における電気光学装置の画素部における構成につい
て、図１から図３を参照して説明する。ここに、図１
は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス
状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の
等価回路である。また、図２は、データ線、走査線、画
素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複
数の画素群の平面図であり、図３及び図４はそれぞれ、
図２のＡ−Ａ´断面図及びＢ−Ｂ´断面図である。な
お、図３及び図４においては、各層・各部材を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ご
とに縮尺を異ならしめてある。

【００４８】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画
素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と
が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａ
が当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給
するようにしてもよい。

【００４９】また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、こ
の順に線順次で印加するように構成されている。画素電
極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だ
けそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから
供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイ
ミングで書き込む。

【００５０】画素電極９ａを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極
との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧
レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として
電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをも
つ光が出射する。

【００５１】ここで保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成さ
れる液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄
積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、定電位に
固定された固定電位側容量電極としての容量線３００を
含んでいる。

【００５２】以下では、上記データ線６ａ、走査線３
ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現
される電気光学装置の、より現実的な構成について、図
２乃至図４を参照して説明する。

【００５３】まず、本実施形態に係る電気光学装置は、
図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、透明な
ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な
対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板から
なり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。

【００５４】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等
の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、そ
の全面にわたって対向電極２１が設けられており、その
下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された
配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１も
また、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等
の透明導電性膜からなる。なお、前記の配向膜１６及び
２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からな
る。一方、図２において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴ
アレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられてお
り（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電
極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査
線３ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウ
ム膜等の金属膜あるいは合金膜からなる。また、走査線
３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で
示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されて
おり、走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわ
ち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそ
れぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲ
ート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０が設けられている。

【００５５】ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ
（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成
要素としては、上述したようにゲート電極として機能す
る走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３
ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａ
のチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを
絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａに
おける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１
ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅを備えている。

【００５６】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示
したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わ
ないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部
からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打
ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレ
イン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであって
もよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高
濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲ
ート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極
を配置してもよい。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導
体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結
晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いる
ことができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、
特に周辺回路の高性能化を図ることができる。

【００５７】一方、図３においては、蓄積容量７０が、
ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ
に接続された画素電位側容量電極としての中継層７１
（本発明に言う「下部電極」に該当する。）と、固定電
位側容量電極としての容量線３００の一部（本発明に言
う「上部電極」に該当する。）とが、誘電体膜７５を介
して対向配置されることにより形成されている。

【００５８】そして本実施形態においては特に、この蓄
積容量７０の断面形状が、図２のＢ−Ｂ´断面図たる図
４、あるいは図５に示すように、凸形状を含むことに特
徴がある。ここに、図５は、一画素に対応する蓄積容量
７０の立体的な構成を示す斜視図である。なお、図５
は、図２乃至図４中に示されたすべての構成を図示する
ものではなく、例えば、蓄積容量７０を構成する誘電体
膜７５や走査線３ａ等、幾つかの要素について、その図
示が適宜省略されたものとなっている。

【００５９】図４及び図５において、蓄積容量７０は、
半導体層１ａ、あるいはデータ線６ａが延在する方向に
沿って形成された部分（以下、「立体的部分」とい
う。）と、走査線３ａが延在する方向に沿って形成され
た部分（以下、「平面的部分」という。）の大きく二つ
の部分からなる。

【００６０】前者の立体的部分では、中継層７１の一部
として凸状部７１ａが形成されており、この凸状部７１
ａの上に誘電体膜７５及び容量線３００が形成されるこ
とで、コンデンサが構成されている。これにより、蓄積
容量７０は、基板の表面に対して立ち上がった平面に沿
って、中継層７１ａ、誘電体膜７５及び容量線３００が
積層構造をなしている部分を含む構造を有し、該蓄積容
量７０の断面形状は凸形状を含むものとなる。

【００６１】ここで、このような凸形状の高さ、ないし
前記凸状部７１ａの高さＨ（図５参照）としては、これ
を５０〜１０００ｎｍ程度とすると好ましい。この範囲
以下であると、蓄積容量の増大効果が十分に得られず、
また、この範囲以上であると、段差があまりにも大きく
なりすぎて、該段差による液晶層５０内の配向不良等、
デメリットが生じてくるからである。

【００６２】他方、後者の平面的部分は、基板の表面に
平坦な面に沿って、いずれも平面的な形状を有する、中
継層７１、誘電体膜７５及び容量線３００が積層構造を
なすように形成されている。

【００６３】そして、このような立体的部分及び平面的
部分は、それぞれ連続的な構造を有しており（すなわ
ち、両部分間において、中継層７１なら中継層７１で、
容量線３００なら容量線３００で、それぞれ一体的な構
造を有しており）、全体として、一つのコンデンサを構
成している。より詳しくは、中継層７１を平面視する
と、図２若しくは図５において特に明らかなように、デ
ータ線６ａの方向に沿い、かつ、二つのコンタクトホー
ル８１間に延在する部分と、当該部分から走査線３ａの
方向に延設され相隣るＴＦＴ３０に至るまでの間延在す
る部分とにより、いわば「Ｔ字型」の形状を有してい
る。また、容量線３００を、平面的に見ると、走査線３
ａと重なり合うように形成されており、より具体的に
は、走査線３ａに沿って延びる本線部３００ａと、図
中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに
沿って上方及び下方に夫々突出した突出部３００ｂと、
コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括
れ部３００ｃとを備えている。このうち突出部３００ｂ
は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利
用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。

【００６４】ちなみに、蓄積容量７０のデータ線６ａに
延在する部分については、上述したように、凸形状を含
む立体的部分として形成されていることにより、図４に
示すように、立体的部分の上に形成される第３層間絶縁
膜４３の表面上には、第２層間絶縁膜４２、データ線６
ａを介して、凸部４３Ａが形成されることになる。すな
わち、データ線６ａを挟んで相隣接する画素電極９ａ間
には、いわば障壁が設けられるような形となる。

【００６５】このような形態となる蓄積容量７０は、図
２乃至図５からわかるように、走査線３ａ及びデータ線
６ａの形成領域を含む遮光領域内に、いわば閉じ込めら
れるように形成されており、開口率の減少をもたらすよ
うなことがない。

【００６６】また、上述した中継層７１、容量線３００
及び誘電体膜７５は、本実施形態において、以下に記す
ような属性をそれぞれ有する。

【００６７】まず、中継層７１は、例えば導電性のポリ
シリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能す
る。ただし、この中継層７１は、後に述べる容量線３０
０と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜か
ら構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極
としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を
介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領
域１ｅとを中継接続する機能をもつ。

【００６８】次に、容量線３００は、例えば金属又は合
金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能
する。より好ましくは、容量線３００は、例えば、Ｔｉ
（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔ
ａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属の
うちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シ
リサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等を
含む導電性遮光性材料からなり、蓄積容量７０の固定電
位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側に
おいて入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての
機能をもたせるようにするとよい。ただし、容量線３０
０は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜
と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜
とが積層された多層構造をもってもよい。また、容量線
３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像
表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電
気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電
位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正
電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対
向電極２１に供給される定電位でも構わない。

【００６９】最後に、誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜
２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature
Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の
酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成さ
れる。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼
性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄い
ほどよい。

【００７０】なお、図３乃至図５において、本実施形態
に係る蓄積容量７０は、ＴＦＴアレイ基板１０上、下か
ら順に、中継層７１、誘電体膜７５及び容量線３００と
いう積層構造をもって構成されていたが、場合によって
は、この逆に、容量線３００、誘電体膜７５及び中継層
７１という積層構造を採用してもよい。要は、誘電体膜
７５を挟んで一対の電極が構成されていればよく、その
ような相対的な関係が満たされている限り、具体的にど
のような構成を採ろうとも基本的に自由である。

【００７１】図２及び図３においては、上記のほか、Ｔ
ＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられてい
る。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされて
おり、これにより各画素の開口領域を規定している。な
お、開口領域の規定は、図２中のデータ線６ａと、これ
に交差するよう形成された容量線３００とによっても、
なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前
述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦ
Ｔ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画
像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続する
とよい。

【００７２】また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２
が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１
ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴア
レイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴア
レイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残
る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化
を防止する機能を有する。

【００７３】加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース
領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレ
イン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ
開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。ま
た、この第１層間絶縁膜４１上には、上述したような中
継層７１、誘電体膜７５及び容量線３００が形成されて
おり、更にこれらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通
じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコン
タクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜
４２が形成されている。加えて、この第２層間絶縁膜４
２上には、データ線６ａが形成されており、この上には
中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された
第３層間絶縁膜４３が形成されている。

【００７４】なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４
１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、
半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に
注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層
間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないこ
とにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの
緩和を図るようにしてもよい。

【００７５】このような構成となる本実施形態の電気光
学装置においては、上記蓄積容量７０の存在を要因とし
て、次のような作用効果が奏されることとなる。

【００７６】まず、本実施形態においては、蓄積容量７
０の断面形状が凸形状を含むように構成されていたこと
により、該凸形状の側面の面積部分だけ容量増大の作用
効果が見込めることになる。これは、既に参照した図５
と、同図と同趣旨の図ではあるが立体的部分を含まない
従来の蓄積容量７０´の構成例を示す図６との対比から
明らかとなる。なお、図６において、蓄積容量７０´
は、いずれも平面的に形成された中継層７１´及び容量
線３００´によって、その下部電極及び上部電極が構成
されていることにより、図５に示したようなデータ線６
ａに沿う立体的部分が存在しない構成となっている。

【００７７】これら図５及び図６から明らかなように、
本実施形態では、高さＨの凸状部７１ａが、概ねコンタ
クトホール８１及び８３間の距離Ｌなる長さ分だけ、中
継層７１の一部として形成されているため、図６に比べ
て図５の方が、全体として概ね２ＨＬだけ面積が増加し
た蓄積容量７０が構成されていることがわかる。この２
ＨＬなる面積は、立体的部分の側壁部分の面積に該当す
るのは言うまでもない。

【００７８】したがって、本実施形態によれば、蓄積容
量７０を構成する、固定電位側容量電極としての容量線
３００及び画素電位側容量電極としての中継層７１の面
積を平面的に増大させることなく、その容量を増大させ
ることが可能となるから、高開口率を維持しまま、蓄積
容量７０の増大を実現することが可能となり、もって表
示ムラ、ちらつき等のない高品質な画像を表示すること
ができることになる。

【００７９】また、本実施形態においては、前述のよう
に、蓄積容量７０の断面形状が凸形状を含むようにする
ために、中継層７１にその一部たる凸状部７１ａを形成
する形態をとっていたことにより、その製造が容易であ
る。すなわち、前記凸状部７１ａないし前記凸形状は、
中継層７１の形成プロセス中に形成可能であるから、例
えば、凸形状を形成するため別途に材料を用意したり別
プロセスを実施したりすること等から考えると、製造コ
ストをその相応分削減することが可能となるのである。

【００８０】さらに、本実施形態においては、蓄積容量
７０が凸形状を含む部分が、データ線６ａに沿って形成
されていたことにより、次のような作用効果が得られ
る。すなわち、本実施形態に係る電気光学装置が、１Ｓ
反転駆動方式で駆動される場合においては、データ線６
ａを挟んで相隣接する画素電極間に生じる横電界の発生
を抑制することが可能となるのである。これは、図４に
示すように、中継層７１の一部たる凸状部７１ａ上に形
成される第３層間絶縁膜４３の表面上に、第２層間絶縁
膜４２、データ線６ａを介して凸部４３Ａが形成される
ことによるものである。すなわち第一に、該凸部４３Ａ
上に画素電極９ａの縁部が乗るように該画素電極９ａを
形成すれば、図４に示すように、対向電極２１及び画素
電極９ａ間の距離を、Ｇ１からＧ２（＜Ｇ１）に狭める
ことが可能となり、それだけ縦電界（図４中上下方向に
印加される電界）を強めることが可能となるからであ
る。

【００８１】また第二に、画素電極９ａの縁部が凸部４
３Ａの上に存在するか否かにかかわらず、該凸部４３Ａ
が有する誘電率の如何によって横電界自体を弱め得るこ
とによる。さらに第三に、前記凸部４３Ａ及び対向電極
２１間の間隙が、図４に示すように、Ｇ１からＧ３に狭
められることに伴い、その容積、すなわち該間隙内に位
置する液晶層５０の体積を減少させることが可能である
から、液晶層５０に与える横電界の影響を相対的に小さ
くすることが可能であることによる。

【００８２】このように、本実施形態によれば、データ
線６ａを挟んで生じる可能性のある横電界の発生を抑制
することが可能となるから、該横電界による液晶層５０
中における液晶分子の配向状態に乱れが生じる可能性を
低減することが可能となり、もって高品質な画像を表示
することができることになるのである。

【００８３】なお、本発明は、上述したような実施形態
のみに限定されるものではなく、その他種々の具体的な
態様を採り得る。以下、その他の具体的態様について、
順次説明する。

【００８４】まず、上記実施形態においては、蓄積容量
７０を構成する立体的部分は、データ線６ａの方向のみ
に存在する形となっていたが、本発明においては、その
他、例えば図７に示すように、走査線３ａの方向につい
てのみ、中継層７１Ａと一体としての凸状部７１ａＡを
形成するとともに、該凸状部７１ａＡ上に、誘電体膜及
び容量線３００Ａを形成することで、前記の方向につい
て立体的部分が設けられるような蓄積容量７０Ａを構成
してもよい。

【００８５】ちなみに、このような形態に係る電気光学
装置を１Ｈ反転駆動方式で駆動すれば、上述したのと同
様な理屈によって横電界の発生を抑止することが可能と
なり、高品質な画像を表示することが可能となる。

【００８６】あるいはまた、図８に示すように、データ
線６ａ及び走査線３ａのいずれの方向についても、中継
層７１Ｂと一体としての凸状部７１ａＢを形成するとと
もに、該凸状部７１ａＢ上に、誘電体膜及び容量線３０
０Ｂを形成することで、前記のいずれの方向について
も、立体的部分が設けられるような蓄積容量７０Ｂを構
成してもよい。

【００８７】そして、この場合における蓄積容量７０Ｂ
は、平面視すると、いわば十文字型の形状を有する立体
的部分を有し、図６の従来例に比べて、概ね２Ｈ（Ｌ＋
Ｍ）なる大きさだけ面積の増加を図ることができる。ま
た、このような立体的部分を含む蓄積容量７０Ｂでは、
図４に示したような凸部４３Ｂが、走査線３ａ及びデー
タ線６ａのいずれの方向に沿っても形成されることにな
るから、このような形態に係る電気光学装置について
は、これを１Ｈ反転駆動方式、１Ｓ反転駆動方式、又は
ドット反転駆動方式のいずれによって駆動する場合であ
っても、上述したのと同様な理屈によって横電界の発生
を抑止することが可能となり、高品質な画像表示を行う
ことが可能となる。

【００８８】更にはまた、図９に示すように、走査線３
ａを境にしてデータ線６ａの一方に延在する方向と、走
査線３ａの方向とについて、中継層７１Ｃと一体として
の凸状部７１ａＣを形成するとともに、該凸状部７１ａ
Ｃ上に、誘電体膜及び容量線３００Ｃを形成すること
で、前記の各方向について、立体的部分が設けられるよ
うな蓄積容量７０Ｃを構成してもよい。

【００８９】そして、この場合における蓄積容量７０Ｂ
は、平面視すると、いわば鉤型の形状を有する立体的部
分を有し、図６の従来例に比べて、概ねＨ（Ｎ＋Ｍ）な
る大きさだけ面積の増加を図ることができる。

【００９０】ちなみに、このような図７乃至図９のいず
れの形態にしても、図６の従来例に比べて、立体的部分
を構成する側壁の面積分だけ蓄積容量の増大が見込める
にもかかわらず、開口率を減少させるようなことがない
ことは、図５と同様であることが明白である。

【００９１】また、上記実施形態では、蓄積容量７０の
凸形状を含む断面形状が、完全な矩形状とされていた
が、本発明においては、その他、例えば図１０に示すよ
うに、該断面形状がテーパ形状となるような形態として
もよい。より詳しくは、中継層７１Ｄと一体としての凸
状部７１ａＤは、図１０に示すように、その断面形状が
テーパ状を有するものとされ、該凸状部７１ａＤ上に、
誘電体膜及び容量線３００Ｄが形成されることで、その
断面形状にテーパ形状を含む蓄積容量７０Ｄが構成され
る形態となる。

【００９２】この場合においても、立体的部分を構成す
る側壁の面積分だけ蓄積容量の増大が見込めるにもかか
わらず、開口率が犠牲にならないことは、図５と同様で
あるのが明白である。また、このような形態では特に、
図１０から明らかなように、図５に示した凸状部７１ａ
のような鋭敏な角部が存在せず、丸まったコーナー部を
有する形態となるから、該凸状部７１ａＤの上の誘電体
膜及び容量線３００Ｄを好適に形成することが可能とな
る。これは、該誘電体膜及び該容量線３００Ｄの成膜過
程において、図４乃至図９のような形態に比べて、その
カバーレッジの悪化等につき懸念する必要がなくなるか
らである。

【００９３】さらには、上記実施形態においては、凸状
部７１ａが中継層７１と一体的なものとして形成されて
いたが、本発明は、このような形態にも限定されない。
例えば、中継層７１の下に、該中継層７１とは異なる材
料となる凸状部材を設け、その上に、誘電体膜７５及び
容量線３００を形成するような形態としてもよい。

【００９４】（電気光学装置の全体構成）以下では、以
上のように構成された上記実施形態における電気光学装
置の全体構成を図１１及び図１２を参照して説明する。
なお、図１１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成され
た各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図
であり、図１２は図１１のＨ−Ｈ´断面図である。

【００９５】図１１及び図１２において、本実施形態に
係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基
板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０
と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されてお
り、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表
示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた
シール材５２により相互に接着されている。

【００９６】シール材５２は、両基板を貼り合わせるた
め、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫
外線、加熱等により硬化させられたものである。また、
このシール材５２中には、本実施形態における電気光学
装置を、液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡
大表示を行う液晶装置に適用するのであれば、両基板間
の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペ
ーサ）が散布されている。あるいは、当該電気光学装置
を液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表
示を行う液晶装置に適用するのであれば、このようなギ
ャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。

【００９７】シール材５２の外側の領域には、データ線
６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することによ
り該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及
び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一
辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所
定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆
動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二
辺に沿って設けられている。

【００９８】なお、走査線３ａに供給される走査信号遅
延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は
片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ
線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両
側に配列してもよい。

【００９９】ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所
においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられ
ている。

【０１００】図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０上
には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線
等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が
形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極
２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。ま
た、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィ
ク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間
で、所定の配向状態をとる。

【０１０１】なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これ
らのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等
に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイ
ミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６
ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための
検査回路等を形成してもよい。

【０１０２】また、データ線駆動回路１０１及び走査線
駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わ
りに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上
に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の
周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的
及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基
板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０
の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Tw
isted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）
モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crysta
l）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモー
ド・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィ
ルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置さ
れる。

【０１０３】（電子機器）次に、以上詳細に説明した電
気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例
たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全
体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、
図１３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図であ
る。

【０１０４】図１３において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ
用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとし
て用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロ
ジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色
光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられる
と、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラ
ー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分
Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ
１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。
この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出
射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介
して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００
Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応
する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再
度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリー
ン１１２０にカラー画像として投射される。

【０１０５】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可
能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子
機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図であ
る。

【図２】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ´断面図である。

【図４】 図２のＢ−Ｂ´断面図である。

【図５】 一画素に対応する蓄積容量の立体的な構成を
示す斜視図である。

【図６】 図５と同趣旨図であるが、蓄積容量が立体的
部分を含まない従来の電気光学装置に関する構成例を示
す斜視図である。

【図７】 図５と同趣旨の図であって、蓄積容量の立体
的部分が走査線の方向にのみ延在している構成例を示す
斜視図である。

【図８】 図５と同趣旨の図であって、蓄積容量の立体
的部分が走査線及びデータ線の双方の方向に延在してい
る構成例を示す斜視図である。

【図９】 図５と同趣旨の図であって、蓄積容量の立体
的部分が走査線を境としてデータ線の一方の方向と走査
線の方向に延在している構成例を示す斜視図である。

【図１０】 図５と同趣旨の図であって、蓄積容量の断
面形状に含まれる凸形状が、テーパ形状となる構成例を
示す斜視図である。

【図１１】 本発明の実施形態の電気光学装置における
ＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素と
ともに対向基板の側から見た平面図である。

【図１２】 図１１のＨ−Ｈ´断面図である。

【図１３】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。

【符号の説明】

３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 ３０…ＴＦＴ ７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ、７０Ｄ…蓄積容量 ３００、３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ、３００Ｄ…容
量線（上部電極） ７１、７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃ、７１Ｄ…中継層（下部
電極） ７１ａ、７１ａＡ、７１ａＢ、７１ａＣ、７１ａＤ…凸
状部 ７５…誘電体膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA25 GA26 JA24 JB23 JB24 JB32 JB33 JB54 JB64 JB68 NA04 NA07 NA27 PA06 PA09 RA05 3K007 AB03 AB17 DB03 GA00 5C094 AA03 BA03 BA27 BA43 CA19 DA15 EA04 EA05 ED15 FA02 FA03 FB02 FB16 HA08 JA08

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、 走査線及びデータ線に対応して設けられた薄膜トランジ
   スタと、 該薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極と、 誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極からな
   り、該上部電極及び該下部電極の一方が前記画素電極に
   接続されてなる蓄積容量とを備えてなり、 前記蓄積容量は、前記上部電極及び前記下部電極が前記
   誘電体膜を挟んで、前記基板の表面に平坦な面に沿って
   積層された第１部分と、前記基板の表面に対して立ち上
   がった平面に沿って積層された第２部分とを含むことに
   より、その断面形状が凸形状を含むことを特徴とする電
   気光学装置。
2. 【請求項２】 前記凸形状は、前記下部電極が前記基板
   に対して凸状の部分を含むように形成されることによ
   り、形作られていることを特徴とする請求項１に記載の
   電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記凸形状は、前記下部電極下に凸状部
   材が形成されることにより、形作られていることを特徴
   とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記凸形状は、テーパ形状を含むことを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気
   光学装置。
5. 【請求項５】 前記凸形状の高さは、５０〜１０００ｎ
   ｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一
   項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記画素電極はマトリクス状に配列され
   てなり、前記走査線及び前記データ線は、前記マトリク
   ス状に対応した遮光領域に形成されており、 前記蓄積容量は前記遮光領域内に形成されていることを
   特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気
   光学装置。
7. 【請求項７】 前記蓄積容量の前記凸形状は、前記走査
   線及び前記データ線の少なくとも一方に沿って形成され
   ていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装
   置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
   電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機
   器。