JP2003324229A - レーザベースの送信機のレーザアレイと集積回路とを相互接続する方法及び装置 - Google Patents
レーザベースの送信機のレーザアレイと集積回路とを相互接続する方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い相互接続誘導インダクタンス及び高温耐
熱性の相容れない要求は、ＥＭＬアレイとドライバＩＣ
との間の高速相互接続を困難にする。従って、低い相互
接続誘導インダクタンス、高温耐熱性及びわずかな空間
消費を生じるドライバＩＣとＥＭＬアレイとの間の相互
接続が必要である。 【解決手段】ドライバーIC(112)とEMLアレー(120)は、
可とう性PCBを通してお互いに電気接続している。ドラ
イバーIC(112)とEMLアレー(120)間の熱の絶縁はPCB(11
0)上で電気伝導性トレース(114，116)の断面積と長さを
変えることで調整される。
熱性の相容れない要求は、ＥＭＬアレイとドライバＩＣ
との間の高速相互接続を困難にする。従って、低い相互
接続誘導インダクタンス、高温耐熱性及びわずかな空間
消費を生じるドライバＩＣとＥＭＬアレイとの間の相互
接続が必要である。 【解決手段】ドライバーIC(112)とEMLアレー(120)は、
可とう性PCBを通してお互いに電気接続している。ドラ
イバーIC(112)とEMLアレー(120)間の熱の絶縁はPCB(11
0)上で電気伝導性トレース(114，116)の断面積と長さを
変えることで調整される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明による具体化は、一般
にレーザベースの送信機に関し、さらに特定すれば、ド
ライバ集積回路（ＩＣ）と電界吸収型変調レーザ（ＥＭ
Ｌ）を相互接続することに関する。 【０００２】 【従来の技術】電界吸収型変調レーザ（ＥＭＬ）ベース
の低密度波長分割多重化（ＣＷＤＭ）送信機は、チャネ
ルあたり１０Ｇｂ／ｓ及びそれ以上のデータ速度を達成
する。ＥＭＬは、典型的にモノリシックに集積化される
連続波分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、及び電気吸収変調
器を含む。典型的なＥＭＬ ＣＷＤＭ送信機モジュール
は、（１）それぞれのＥＭＬが異なった波長で動作する
ＥＭＬのアレイ（２）所望のデータ速度でＥＭＬのアレ
イを駆動する多チャネルドライバ集積回路（ＩＣ）
（３）アレイの光出力を結合する光マルチプレクサ、及
び（４）マルチプレクサ出力を光ファイバに結合する集
束レンズを含む。 【０００３】ＥＭＬ ＣＷＤＭ送信機モジュールができ
るだけ高い最大データ速度を達成することは望ましい。
しかしながら多チャネルドライバＩＣとＥＭＬアレイと
の間の電気相互接続は、ＥＭＬ ＣＷＤＭ送信機モジュ
ールの達成可能な最大のデータ速度を制限する。最大デ
ータ速度は、しばしば高速電気信号誘導インダクタンス
によって、望ましいものより低くなる。インダクタンス
は、ＩＣとＥＭＬアレイとの間の相互接続を短縮するこ
とによって減少させることができる。 【０００４】典型的な構成において、ＩＣとＥＭＬアレ
イとの間の相互接続を十分に短くすることは、困難であ
る。光マルチプレクサは、ＥＭＬアレイから光が現われ
るＥＭＬアレイ面の前面の近くに配置される。ドライバ
ＩＣは、典型的にＥＭＬアレイの後面に隣接して配置さ
れる。この構成において、ＥＭＬアレイの高速部分は前
面の近くにある。ＥＭＬアレイの高速部分は前面の近く
にあるので、ＥＭＬアレイの後からドライバＩＣへの相
互接続は長いと考えられる。このような構成は、高速な
データ速度の用途に対して望ましくない。 【０００５】相互接続の長さを短縮したときに、流布さ
れた温度管理が導入される。データ速度は、ドライバＩ
Ｃ上にＥＭＬアレイを直接フリップチップボンディング
することによって、ＥＭＬとドライバＩＣとの間におい
て最大にすることができる。ドライバＩＣ上にＥＭＬを
直接フリップチップボンディングすることによって、十
分に短い相互接続長が達成されるとはいえ、このように
フリップチップボンディングされたドライバＩＣ−ＥＭ
Ｌアレイアセンブリーは、ＥＭＬアレイの動作温度以内
に冷却しなければならないので、この結合の温度管理は
困難になる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】低い相互接続誘導イン
ダクタンスと高温耐熱性の相容れない要求は、ＥＭＬア
レイとドライバＩＣとの間の高速相互接続を困難にす
る。結果として低い相互接続誘導インダクタンス、高温
耐熱性及びわずかな空間消費を生じるドライバＩＣとＥ
ＭＬアレイとの間の相互接続が必要である。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の典型的な具体例
として、レーザベースの装置の製造方法が提供される。
レーザベースの装置は、熱絶縁の基板を含む。熱絶縁基
板は、２つの側を持つ。一方の側は、これに結合した電
気伝導体を有する。第２の側は、これに結合した電気伝
導体を有する。基板は、２つの側の間に電気伝導性のバ
イアを組込む。電気伝導性のバイアは、電気伝導体を電
気的に結合する。集積回路及びレーザは、電気伝導体に
電気的に結合することができる。 【０００８】本発明による別の具体例として、レーザベ
ースの装置が提供される。レーザベースの装置は、レー
ザ、レーザを駆動する集積回路、及びレーザと集積回路
との間にサンドイッチされた熱絶縁基板を含む。 【０００９】さらに本発明は、前記のものに加え又はそ
の代わりに、その他の特徴及び利点を有する実施例を提
供する。これらの特徴及び利点の多くは、図面を参照し
た以下の説明から明らかである。 【００１０】開示された発明は、添付図面を参照して説
明され、これらの図面は、本発明の重要な見本となる実
施例を示しており、かつこれらの図面は、引用によりこ
の明細書に組込まれる。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明による実施例の次の説明に
おいて、説明のためであってかつ限定のためではなく、
本発明による典型的な実施例の完全な理解を提供するた
めに、特定の詳細が述べられる。しかしながら本発明に
よる実施例が、これら特定の詳細から離れた別の実施例
において実施することができることは、当該技術分野の
通常の専門家にとって明らかであろう。その他の場合、
周知の方法、装置等の詳細な説明は、不必要な詳細によ
って本発明による実施例の説明を不明瞭にしないように
省略されている。とくにＥＭＬの様相は、本発明による
典型的な実施例の特定の様相を説明する助けにするため
に参照される。 【００１２】本発明による実施例は、ドライバＩＣとＥ
ＭＬアレイを相互接続する実質的な方法を提供し、この
方法は十分に短い相互接続長、並びに高レベルの熱絶縁
と、わずかな空間消費を提供する。ドライバＩＣは、Ｅ
ＭＬアレイより高い温度で動作することができ、それ故
にＥＭＬアレイを冷却しかつドライバＩＣを冷却しない
ように適合されたＴＥＣを利用することができる。実施
例において良好に設計されたほとんどのヒートシンク
は、ドライバＩＣを冷却するのに十分である。 【００１３】本発明による実施例は、介在する熱絶縁基
板によるＥＭＬアレイ及びドライバＩＣの集積化を利用
する。典型的な実施例において、介在する熱絶縁基板
は、両面可とう性プリント回路基板（ＰＣＢ）である。
可とう性ＰＣＢは、例えばカプトン（商標名）テープ、
その同等物又はその派生物を含むことができる。ＥＭＬ
アレイ及びドライバＩＣは、互いに直接対向して、又は
互いに相対的に横方向にオフセットして（すなわちドラ
イバＩＣ及びＥＭＬアレイは、基板のいずれかの側に互
いに直接対向しないように配置される）、可とう性ＰＣ
Ｂの対向する側にフリップチップボンディングされた多
くの構成になっている。ドライバＩＣ及びＥＭＬアレイ
の横方向のオフセットは、アセンブリーの電気的及び熱
的特性の両方をさらに最適化することができる。 【００１４】図１は、本発明の教えによるドライバＩＣ
−ＥＭＬアレイアセンブリー１００を示している。ボン
ディングパッド１０２は、可とう性ＰＣＢとして図１の
ように示された熱絶縁基板１１０の第１の側１０４に存
在し、かつ盛り上がったボンディングパッド１０６は、
第２の側１０８に存在する。盛り上がったボンディング
パッド１０６は、ボンディングパッドの頂部において導
体隆起部が成長する周知のバンピング処理を介して製造
することができる。熱絶縁基板１１０は、可とう性でな
ければならないわけではないが、典型的な実施例におい
て、基板１１０は、熱のストレスに一層良好に耐えるた
めに、可とう性になっている。 【００１５】ドライバＩＣ１１２は、可とう性ＰＣＢ１
１０のボンディングパッド１０２に電気接続されてい
る。ボンディングパッド１０２に電気接続された少なく
とも１つの第１の電気伝導性のトレース１１４は、可と
う性ＰＣＢ１１０の第１の側１０４に存在し、かつ盛り
上がったボンディングパッド１０６に電気接続された少
なくとも１つの第２の電気伝導性のトレース１１６は、
第２の側１０８に存在する。 【００１６】第１の側１０４のトレース１１４と第２の
側１０８のトレース１１６との間の電気伝導性のバイア
１１８は、ＥＭＬアレイ１２０とドライバＩＣ１１２と
の間の高速電気相互接続を行なうために使われる。ドラ
イバＩＣ１１２及びＥＭＬアレイに隣接して示された下
側充填層１１５及び１１７は、それぞれ機械的な接続を
提供し、かつ熱応力特性を改善する。ボンディングパッ
ド１０２、トレース１１４及び１１６、及び盛り上がっ
たボンディングパッド１０６は、ＥＭＬアレイ１２０と
ドライバＩＣ１１２との間の電気相互接続を形成する。
トレース、ボンディングパッド又はバイアの種々の組合
せは、設計判定基準によって指定されたように利用する
ことができる。 【００１７】可とう性ＰＣＢ１１０は、熱絶縁体として
使うことができる。熱の不十分な伝導体である可とう性
ＰＣＢ１１０は、ＥＭＬアレイ１２０とドライバＩＣと
の間の熱絶縁体として作用する。ドライバＩＣ１１２か
らの熱は、主としてＥＭＬアレイ１２０とドライバＩＣ
との間の電気相互接続を介してＥＭＬアレイ１２０に導
かれる。電気相互接続の耐熱性は、電気相互接続の種々
の部品の長さと断面積に依存する。可とう性ＰＣＢ１１
０上のトレース１１４及び１１６は、比較的小さな断面
積を有するように作ることができ、この断面積は、その
間の電気相互接続のためにドライバＩＣ１１２からＥＭ
Ｌアレイ１２０に伝送される熱の量を著しく減少させ、
かつ相互接続誘導インダクタンスにわずかしか影響を及
ぼさない。 【００１８】前記のように、ドライバＩＣ１１２とＥＭ
Ｌアレイ１２０との間の電気相互接続の長さは、電気的
特性及び熱伝導に影響を及ぼす。ドライバＩＣ１１２と
ＥＭＬアレイ１２０との間の電気相互接続の長さは、Ｅ
ＭＬアレイ１２０の特性をあまり低下させることなく、
可能な限りドライバＩＣ１１２からＥＭＬアレイ１２０
への熱伝導を減らすために、ＥＭＬアレイ１２０の電気
的特性の限界まで延ばすことができる。電気相互接続の
断面積及び長さの調節は、典型的にＥＭＬアレイ１２０
が直接ドライバＩＣ１１２上にフリップチップボンディ
ングされるときに関連して実現すべきドライバＩＣ１１
２とＥＭＬアレイ１２０との間の熱絶縁における一桁分
の改善を可能にする。 【００１９】ＤＣ接続は、可とう性ＰＣＢ１１０の第２
の側１０８にルートが形成され、この可とう性ＰＣＢ
は、ドライバＩＣ１１２の設計の複雑さを減少させ、か
つＥＭＬアレイ１２０からドライバＩＣ１１２の熱絶縁
をさらに増加させるために使われる。例えばＥＭＬアレ
イ１２０のトレース１１６及びＤＦＢレーザ（とくに図
示せず）に接続された、盛り上がったボンディングパッ
ド１２２を介して行なわれるＤＣ電源１２１へのＤＣ接
続は、ドライバＩＣ１１２を通過する必要がない。盛り
上がったボンディングパッド１２２は、盛り上がったボ
ンディングパッド１０６のように、ボンディングパッド
の頂部において導体隆起部が成長する周知のバンピング
処理を介して製造することができる。電気伝導性のトレ
ース１２４は、第２の側１０８において盛り上がったボ
ンディングパッド１２２に電気接続するように示されて
いる。 【００２０】図２は、本発明の教えにしたがってレーザ
ベースの装置を製造する方法を示すフローチャートであ
る。フロー２００はステップ２０２において始まり、こ
のステップにおいて、熱絶縁基板が提供される。例えば
可とう性、準可とう性又は剛体のＰＣＢであることがで
きる熱絶縁基板は、第１の側を含む。第１の側は、第１
の側に結合した少なくとも１つの電気伝導体を有する。
熱絶縁基板は、第２の側も含む。第２の側は、第２の側
に結合した少なくとも１つの電気伝導体を有する。少な
くとも１つの電気伝導性のバイアは、第１の側と第２の
側との間を貫通している。電気伝導性のバイアは、第１
の側及び第２の側における電気伝導体を互いに電気接続
するように働く。 【００２１】ステップ２０４において、第１の側に結合
した電気伝導体に集積回路が接続される。ステップ２０
６において、第２の側に結合した１つ又は複数の電気伝
導体に少なくとも１つのレーザが接続される。ステップ
２０８において、１つ又は複数の電気伝導体の断面積及
び長さが調節される。ステップ２１０において、第２の
側に結合した別の電気伝導体によって、レーザに電源が
接続される。フロー２００に示されたステップは、特定
の順序に構成され示されているが、ステップは前記の順
序で行なわなければならないわけではない。 【００２２】現在利用可能な可とう性ＰＣＢの技術は、
５０ミクロンより薄い厚さを有する熱絶縁基板の両側
に、電気伝導性のトレースの構成を可能にする。５０ミ
クロンより小さな直径を有するメッキ又は充填されたバ
イアも利用できる。本発明の実施例による高速電気相互
接続は、製造の環境において実際に実現することができ
る。適切に設計された工具及び設備によって、市販され
ているフリップチップボンダを使用することができる。 【００２３】前記のことは、本発明による実施例の原理
にしたがって、例示的なレーザベース送信機モジュール
がどのようにして製造できるかを示している。本発明に
よる実施例は、レーザベースの送信機によって達成でき
るデータ速度を減速させる不必要に大きな相互接続誘導
インダクタンス無しに、レーザベースの送信機モジュー
ルがドライバＩＣとレーザアレイとの間の電気相互接続
を含むことを可能にする。加えて本発明による実施例
は、ドライバＩＣ及びレーザアレイを互いに効果的に熱
絶縁することを可能にするので、ドライバＩＣをレーザ
アレイの適した動作温度に不必要に冷却する必要はな
い。 【００２４】さらに本発明による実施例は、ドライバＩ
Ｃを通す必要なく、レーザアレイの部品への電気接続を
電源に接続することを可能にし、それによりドライバＩ
Ｃ設計の複雑さを減らせる。さらにドライバＩＣとレー
ザアレイとの間の電気相互接続の長さ及び断面積は、ド
ライバＩＣ及びレーザアレイの間の熱絶縁と電気相互接
続誘導インダクタンスとの間のトレードオフを最適に設
定するように調節することができる。 【００２５】当該技術分野の専門家にとって明らかなよ
うに、この特許出願に記載された革新的な構想は、応用
の広い範囲にわたって変更しかつ変形することができ
る。したがって特許される主題の権利範囲は、ここにお
いて議論された特定の例としての教えのいずれにも限定
されるものではなく、その代わりに特許請求の範囲に定
義される。以下においては、本発明の種々の構成要件の
組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。 １．レーザベースの装置（１００）の製造方法であっ
て、少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）が結
合している第１の側（１０４）と、少なくとも１つの第
２の電気伝導体（１１６）が結合している第２の側（１
０８）と、前記第１の側（１０４）と前記第２の側（１
０８）の間を貫通し、前記第１の電気伝導体（１１４）
を前記第２の電気伝導体（１１６）に電気接続している
少なくとも１つの電気伝導性のバイア（１１８）と、を
含む熱絶縁基板（１１０）を提供し、集積回路（１１
２）を前記少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１
４）に電気接続し、少なくとも１つのレーザ（１２０）
を前記少なくとも１つの第２の電気伝導体（１１６）に
電気接続することを含む、レーザベースの装置（１０
０）の製造方法。 ２．前記第１の電気伝導体（１１４）及び前記第２の電
気伝導体（１１６）のうちの少なくとも一方の断面積及
び長さのうちの少なくとも一方を調節することをさらに
含む、上項１に記載の方法。 ３．前記第２の側（１１６）に結合した第３の電気伝導
体（１２４）によって前記少なくとも１つのレーザ（１
２０）に電源（１２１）を結合することをさらに含む、
上項１に記載の方法。 ４．前記少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）
が、電気伝導性のトレースを含む、上項１に記載の方
法。 ５．前記少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）
が、ボンディングパッド（１０２）を含む、上項４に記
載の方法。 ６．レーザベース装置（１００）であって、レーザ（１
２０）と、前記レーザ（１２０）を駆動するよう適合さ
れた集積回路（１１２）と、前記レーザ（１２０）と前
記集積回路（１１２）との間にサンドイッチされた熱絶
縁基板（１１０）であって、レーザ（１２０）に電気接
続した第１の電気伝導体（１１４）に結合している第１
の側（１０４）と、集積回路（１１２）に電気接続した
第２の電気伝導体（１１６）に結合している第２の側
（１０８）と、前記第１の側（１０４）と前記第２の側
（１０８）の間を貫通し、前記第１の電気伝導体（１１
４）と前記第２の電気伝導体（１１６）に電気接続され
ている電気伝導性のバイア（１１８）とを含む、熱絶縁
基板（１１０）と、を含むレーザベースの装置（１０
０）。 ７．前記レーザ（１２０）が、電界吸収型変調レーザを
含む、上項６に記載の装置。 ８．前記熱絶縁基板（１１０）が、可とう性のプリント
回路基板を含む、上項６に記載の装置。 ９．前記第２の側（１０８）に結合した第３の電気伝導
体（１２４）により前記レーザ（１２０）に結合された
電源（１２１）をさらに含む、上項６に記載の装置。 １０．前記第１の電気伝導体（１１４）が、電気伝導性
のトレースを含む、上項６に記載の装置。 【発明の効果】本発明により、低い相互接続誘導インダ
クタンス、高温耐熱性、及びわずかな空間消費を生じる
ドライバＩＣとＥＭＬアレイとの間の相互接続が可能と
なった。
にレーザベースの送信機に関し、さらに特定すれば、ド
ライバ集積回路（ＩＣ）と電界吸収型変調レーザ（ＥＭ
Ｌ）を相互接続することに関する。 【０００２】 【従来の技術】電界吸収型変調レーザ（ＥＭＬ）ベース
の低密度波長分割多重化（ＣＷＤＭ）送信機は、チャネ
ルあたり１０Ｇｂ／ｓ及びそれ以上のデータ速度を達成
する。ＥＭＬは、典型的にモノリシックに集積化される
連続波分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、及び電気吸収変調
器を含む。典型的なＥＭＬ ＣＷＤＭ送信機モジュール
は、（１）それぞれのＥＭＬが異なった波長で動作する
ＥＭＬのアレイ（２）所望のデータ速度でＥＭＬのアレ
イを駆動する多チャネルドライバ集積回路（ＩＣ）
（３）アレイの光出力を結合する光マルチプレクサ、及
び（４）マルチプレクサ出力を光ファイバに結合する集
束レンズを含む。 【０００３】ＥＭＬ ＣＷＤＭ送信機モジュールができ
るだけ高い最大データ速度を達成することは望ましい。
しかしながら多チャネルドライバＩＣとＥＭＬアレイと
の間の電気相互接続は、ＥＭＬ ＣＷＤＭ送信機モジュ
ールの達成可能な最大のデータ速度を制限する。最大デ
ータ速度は、しばしば高速電気信号誘導インダクタンス
によって、望ましいものより低くなる。インダクタンス
は、ＩＣとＥＭＬアレイとの間の相互接続を短縮するこ
とによって減少させることができる。 【０００４】典型的な構成において、ＩＣとＥＭＬアレ
イとの間の相互接続を十分に短くすることは、困難であ
る。光マルチプレクサは、ＥＭＬアレイから光が現われ
るＥＭＬアレイ面の前面の近くに配置される。ドライバ
ＩＣは、典型的にＥＭＬアレイの後面に隣接して配置さ
れる。この構成において、ＥＭＬアレイの高速部分は前
面の近くにある。ＥＭＬアレイの高速部分は前面の近く
にあるので、ＥＭＬアレイの後からドライバＩＣへの相
互接続は長いと考えられる。このような構成は、高速な
データ速度の用途に対して望ましくない。 【０００５】相互接続の長さを短縮したときに、流布さ
れた温度管理が導入される。データ速度は、ドライバＩ
Ｃ上にＥＭＬアレイを直接フリップチップボンディング
することによって、ＥＭＬとドライバＩＣとの間におい
て最大にすることができる。ドライバＩＣ上にＥＭＬを
直接フリップチップボンディングすることによって、十
分に短い相互接続長が達成されるとはいえ、このように
フリップチップボンディングされたドライバＩＣ−ＥＭ
Ｌアレイアセンブリーは、ＥＭＬアレイの動作温度以内
に冷却しなければならないので、この結合の温度管理は
困難になる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】低い相互接続誘導イン
ダクタンスと高温耐熱性の相容れない要求は、ＥＭＬア
レイとドライバＩＣとの間の高速相互接続を困難にす
る。結果として低い相互接続誘導インダクタンス、高温
耐熱性及びわずかな空間消費を生じるドライバＩＣとＥ
ＭＬアレイとの間の相互接続が必要である。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の典型的な具体例
として、レーザベースの装置の製造方法が提供される。
レーザベースの装置は、熱絶縁の基板を含む。熱絶縁基
板は、２つの側を持つ。一方の側は、これに結合した電
気伝導体を有する。第２の側は、これに結合した電気伝
導体を有する。基板は、２つの側の間に電気伝導性のバ
イアを組込む。電気伝導性のバイアは、電気伝導体を電
気的に結合する。集積回路及びレーザは、電気伝導体に
電気的に結合することができる。 【０００８】本発明による別の具体例として、レーザベ
ースの装置が提供される。レーザベースの装置は、レー
ザ、レーザを駆動する集積回路、及びレーザと集積回路
との間にサンドイッチされた熱絶縁基板を含む。 【０００９】さらに本発明は、前記のものに加え又はそ
の代わりに、その他の特徴及び利点を有する実施例を提
供する。これらの特徴及び利点の多くは、図面を参照し
た以下の説明から明らかである。 【００１０】開示された発明は、添付図面を参照して説
明され、これらの図面は、本発明の重要な見本となる実
施例を示しており、かつこれらの図面は、引用によりこ
の明細書に組込まれる。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明による実施例の次の説明に
おいて、説明のためであってかつ限定のためではなく、
本発明による典型的な実施例の完全な理解を提供するた
めに、特定の詳細が述べられる。しかしながら本発明に
よる実施例が、これら特定の詳細から離れた別の実施例
において実施することができることは、当該技術分野の
通常の専門家にとって明らかであろう。その他の場合、
周知の方法、装置等の詳細な説明は、不必要な詳細によ
って本発明による実施例の説明を不明瞭にしないように
省略されている。とくにＥＭＬの様相は、本発明による
典型的な実施例の特定の様相を説明する助けにするため
に参照される。 【００１２】本発明による実施例は、ドライバＩＣとＥ
ＭＬアレイを相互接続する実質的な方法を提供し、この
方法は十分に短い相互接続長、並びに高レベルの熱絶縁
と、わずかな空間消費を提供する。ドライバＩＣは、Ｅ
ＭＬアレイより高い温度で動作することができ、それ故
にＥＭＬアレイを冷却しかつドライバＩＣを冷却しない
ように適合されたＴＥＣを利用することができる。実施
例において良好に設計されたほとんどのヒートシンク
は、ドライバＩＣを冷却するのに十分である。 【００１３】本発明による実施例は、介在する熱絶縁基
板によるＥＭＬアレイ及びドライバＩＣの集積化を利用
する。典型的な実施例において、介在する熱絶縁基板
は、両面可とう性プリント回路基板（ＰＣＢ）である。
可とう性ＰＣＢは、例えばカプトン（商標名）テープ、
その同等物又はその派生物を含むことができる。ＥＭＬ
アレイ及びドライバＩＣは、互いに直接対向して、又は
互いに相対的に横方向にオフセットして（すなわちドラ
イバＩＣ及びＥＭＬアレイは、基板のいずれかの側に互
いに直接対向しないように配置される）、可とう性ＰＣ
Ｂの対向する側にフリップチップボンディングされた多
くの構成になっている。ドライバＩＣ及びＥＭＬアレイ
の横方向のオフセットは、アセンブリーの電気的及び熱
的特性の両方をさらに最適化することができる。 【００１４】図１は、本発明の教えによるドライバＩＣ
−ＥＭＬアレイアセンブリー１００を示している。ボン
ディングパッド１０２は、可とう性ＰＣＢとして図１の
ように示された熱絶縁基板１１０の第１の側１０４に存
在し、かつ盛り上がったボンディングパッド１０６は、
第２の側１０８に存在する。盛り上がったボンディング
パッド１０６は、ボンディングパッドの頂部において導
体隆起部が成長する周知のバンピング処理を介して製造
することができる。熱絶縁基板１１０は、可とう性でな
ければならないわけではないが、典型的な実施例におい
て、基板１１０は、熱のストレスに一層良好に耐えるた
めに、可とう性になっている。 【００１５】ドライバＩＣ１１２は、可とう性ＰＣＢ１
１０のボンディングパッド１０２に電気接続されてい
る。ボンディングパッド１０２に電気接続された少なく
とも１つの第１の電気伝導性のトレース１１４は、可と
う性ＰＣＢ１１０の第１の側１０４に存在し、かつ盛り
上がったボンディングパッド１０６に電気接続された少
なくとも１つの第２の電気伝導性のトレース１１６は、
第２の側１０８に存在する。 【００１６】第１の側１０４のトレース１１４と第２の
側１０８のトレース１１６との間の電気伝導性のバイア
１１８は、ＥＭＬアレイ１２０とドライバＩＣ１１２と
の間の高速電気相互接続を行なうために使われる。ドラ
イバＩＣ１１２及びＥＭＬアレイに隣接して示された下
側充填層１１５及び１１７は、それぞれ機械的な接続を
提供し、かつ熱応力特性を改善する。ボンディングパッ
ド１０２、トレース１１４及び１１６、及び盛り上がっ
たボンディングパッド１０６は、ＥＭＬアレイ１２０と
ドライバＩＣ１１２との間の電気相互接続を形成する。
トレース、ボンディングパッド又はバイアの種々の組合
せは、設計判定基準によって指定されたように利用する
ことができる。 【００１７】可とう性ＰＣＢ１１０は、熱絶縁体として
使うことができる。熱の不十分な伝導体である可とう性
ＰＣＢ１１０は、ＥＭＬアレイ１２０とドライバＩＣと
の間の熱絶縁体として作用する。ドライバＩＣ１１２か
らの熱は、主としてＥＭＬアレイ１２０とドライバＩＣ
との間の電気相互接続を介してＥＭＬアレイ１２０に導
かれる。電気相互接続の耐熱性は、電気相互接続の種々
の部品の長さと断面積に依存する。可とう性ＰＣＢ１１
０上のトレース１１４及び１１６は、比較的小さな断面
積を有するように作ることができ、この断面積は、その
間の電気相互接続のためにドライバＩＣ１１２からＥＭ
Ｌアレイ１２０に伝送される熱の量を著しく減少させ、
かつ相互接続誘導インダクタンスにわずかしか影響を及
ぼさない。 【００１８】前記のように、ドライバＩＣ１１２とＥＭ
Ｌアレイ１２０との間の電気相互接続の長さは、電気的
特性及び熱伝導に影響を及ぼす。ドライバＩＣ１１２と
ＥＭＬアレイ１２０との間の電気相互接続の長さは、Ｅ
ＭＬアレイ１２０の特性をあまり低下させることなく、
可能な限りドライバＩＣ１１２からＥＭＬアレイ１２０
への熱伝導を減らすために、ＥＭＬアレイ１２０の電気
的特性の限界まで延ばすことができる。電気相互接続の
断面積及び長さの調節は、典型的にＥＭＬアレイ１２０
が直接ドライバＩＣ１１２上にフリップチップボンディ
ングされるときに関連して実現すべきドライバＩＣ１１
２とＥＭＬアレイ１２０との間の熱絶縁における一桁分
の改善を可能にする。 【００１９】ＤＣ接続は、可とう性ＰＣＢ１１０の第２
の側１０８にルートが形成され、この可とう性ＰＣＢ
は、ドライバＩＣ１１２の設計の複雑さを減少させ、か
つＥＭＬアレイ１２０からドライバＩＣ１１２の熱絶縁
をさらに増加させるために使われる。例えばＥＭＬアレ
イ１２０のトレース１１６及びＤＦＢレーザ（とくに図
示せず）に接続された、盛り上がったボンディングパッ
ド１２２を介して行なわれるＤＣ電源１２１へのＤＣ接
続は、ドライバＩＣ１１２を通過する必要がない。盛り
上がったボンディングパッド１２２は、盛り上がったボ
ンディングパッド１０６のように、ボンディングパッド
の頂部において導体隆起部が成長する周知のバンピング
処理を介して製造することができる。電気伝導性のトレ
ース１２４は、第２の側１０８において盛り上がったボ
ンディングパッド１２２に電気接続するように示されて
いる。 【００２０】図２は、本発明の教えにしたがってレーザ
ベースの装置を製造する方法を示すフローチャートであ
る。フロー２００はステップ２０２において始まり、こ
のステップにおいて、熱絶縁基板が提供される。例えば
可とう性、準可とう性又は剛体のＰＣＢであることがで
きる熱絶縁基板は、第１の側を含む。第１の側は、第１
の側に結合した少なくとも１つの電気伝導体を有する。
熱絶縁基板は、第２の側も含む。第２の側は、第２の側
に結合した少なくとも１つの電気伝導体を有する。少な
くとも１つの電気伝導性のバイアは、第１の側と第２の
側との間を貫通している。電気伝導性のバイアは、第１
の側及び第２の側における電気伝導体を互いに電気接続
するように働く。 【００２１】ステップ２０４において、第１の側に結合
した電気伝導体に集積回路が接続される。ステップ２０
６において、第２の側に結合した１つ又は複数の電気伝
導体に少なくとも１つのレーザが接続される。ステップ
２０８において、１つ又は複数の電気伝導体の断面積及
び長さが調節される。ステップ２１０において、第２の
側に結合した別の電気伝導体によって、レーザに電源が
接続される。フロー２００に示されたステップは、特定
の順序に構成され示されているが、ステップは前記の順
序で行なわなければならないわけではない。 【００２２】現在利用可能な可とう性ＰＣＢの技術は、
５０ミクロンより薄い厚さを有する熱絶縁基板の両側
に、電気伝導性のトレースの構成を可能にする。５０ミ
クロンより小さな直径を有するメッキ又は充填されたバ
イアも利用できる。本発明の実施例による高速電気相互
接続は、製造の環境において実際に実現することができ
る。適切に設計された工具及び設備によって、市販され
ているフリップチップボンダを使用することができる。 【００２３】前記のことは、本発明による実施例の原理
にしたがって、例示的なレーザベース送信機モジュール
がどのようにして製造できるかを示している。本発明に
よる実施例は、レーザベースの送信機によって達成でき
るデータ速度を減速させる不必要に大きな相互接続誘導
インダクタンス無しに、レーザベースの送信機モジュー
ルがドライバＩＣとレーザアレイとの間の電気相互接続
を含むことを可能にする。加えて本発明による実施例
は、ドライバＩＣ及びレーザアレイを互いに効果的に熱
絶縁することを可能にするので、ドライバＩＣをレーザ
アレイの適した動作温度に不必要に冷却する必要はな
い。 【００２４】さらに本発明による実施例は、ドライバＩ
Ｃを通す必要なく、レーザアレイの部品への電気接続を
電源に接続することを可能にし、それによりドライバＩ
Ｃ設計の複雑さを減らせる。さらにドライバＩＣとレー
ザアレイとの間の電気相互接続の長さ及び断面積は、ド
ライバＩＣ及びレーザアレイの間の熱絶縁と電気相互接
続誘導インダクタンスとの間のトレードオフを最適に設
定するように調節することができる。 【００２５】当該技術分野の専門家にとって明らかなよ
うに、この特許出願に記載された革新的な構想は、応用
の広い範囲にわたって変更しかつ変形することができ
る。したがって特許される主題の権利範囲は、ここにお
いて議論された特定の例としての教えのいずれにも限定
されるものではなく、その代わりに特許請求の範囲に定
義される。以下においては、本発明の種々の構成要件の
組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。 １．レーザベースの装置（１００）の製造方法であっ
て、少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）が結
合している第１の側（１０４）と、少なくとも１つの第
２の電気伝導体（１１６）が結合している第２の側（１
０８）と、前記第１の側（１０４）と前記第２の側（１
０８）の間を貫通し、前記第１の電気伝導体（１１４）
を前記第２の電気伝導体（１１６）に電気接続している
少なくとも１つの電気伝導性のバイア（１１８）と、を
含む熱絶縁基板（１１０）を提供し、集積回路（１１
２）を前記少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１
４）に電気接続し、少なくとも１つのレーザ（１２０）
を前記少なくとも１つの第２の電気伝導体（１１６）に
電気接続することを含む、レーザベースの装置（１０
０）の製造方法。 ２．前記第１の電気伝導体（１１４）及び前記第２の電
気伝導体（１１６）のうちの少なくとも一方の断面積及
び長さのうちの少なくとも一方を調節することをさらに
含む、上項１に記載の方法。 ３．前記第２の側（１１６）に結合した第３の電気伝導
体（１２４）によって前記少なくとも１つのレーザ（１
２０）に電源（１２１）を結合することをさらに含む、
上項１に記載の方法。 ４．前記少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）
が、電気伝導性のトレースを含む、上項１に記載の方
法。 ５．前記少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）
が、ボンディングパッド（１０２）を含む、上項４に記
載の方法。 ６．レーザベース装置（１００）であって、レーザ（１
２０）と、前記レーザ（１２０）を駆動するよう適合さ
れた集積回路（１１２）と、前記レーザ（１２０）と前
記集積回路（１１２）との間にサンドイッチされた熱絶
縁基板（１１０）であって、レーザ（１２０）に電気接
続した第１の電気伝導体（１１４）に結合している第１
の側（１０４）と、集積回路（１１２）に電気接続した
第２の電気伝導体（１１６）に結合している第２の側
（１０８）と、前記第１の側（１０４）と前記第２の側
（１０８）の間を貫通し、前記第１の電気伝導体（１１
４）と前記第２の電気伝導体（１１６）に電気接続され
ている電気伝導性のバイア（１１８）とを含む、熱絶縁
基板（１１０）と、を含むレーザベースの装置（１０
０）。 ７．前記レーザ（１２０）が、電界吸収型変調レーザを
含む、上項６に記載の装置。 ８．前記熱絶縁基板（１１０）が、可とう性のプリント
回路基板を含む、上項６に記載の装置。 ９．前記第２の側（１０８）に結合した第３の電気伝導
体（１２４）により前記レーザ（１２０）に結合された
電源（１２１）をさらに含む、上項６に記載の装置。 １０．前記第１の電気伝導体（１１４）が、電気伝導性
のトレースを含む、上項６に記載の装置。 【発明の効果】本発明により、低い相互接続誘導インダ
クタンス、高温耐熱性、及びわずかな空間消費を生じる
ドライバＩＣとＥＭＬアレイとの間の相互接続が可能と
なった。
【図面の簡単な説明】
【図１】ドライバＩＣ−ＥＭＬアレイアセンブリーの横
断面図である。 【図２】レーザベースの装置を製造する方法を示すフロ
ーチャートである。 【符号の説明】 １００ レーザベースの装置 １０２ ボンディングパッド １０４ 第１の側 １０８ 第２の側 １１０ 熱絶縁基板 １１２ 集積回路 １１４ 電気伝導体 １１６ 電気伝導体 １１８ バイア １２０ レーザ １２１ 電源 １２４ 電気伝導体
断面図である。 【図２】レーザベースの装置を製造する方法を示すフロ
ーチャートである。 【符号の説明】 １００ レーザベースの装置 １０２ ボンディングパッド １０４ 第１の側 １０８ 第２の側 １１０ 熱絶縁基板 １１２ 集積回路 １１４ 電気伝導体 １１６ 電気伝導体 １１８ バイア １２０ レーザ １２１ 電源 １２４ 電気伝導体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 モハメド・エルシャド・アリ
アメリカ合衆国カリフォルニア州94085,
サニーベイル，エスキャロン・アベニュ
ー・ナンバー305・955
(72)発明者 エドウィン・デ・グロート
アメリカ合衆国カリフォルニア州95070,
サラトガ，キャンローズ・アベニュー・
12730
(72)発明者 ブライアン・エリオット・レモフ
アメリカ合衆国カリフォルニア州94587,
ユニオンシティ，タミー・コート・4844
(72)発明者 リサ・アン・バックマン
アメリカ合衆国カリフォルニア州94123,
サンフランシスコ，ウェブスター・ストリ
ート・ナンバー105・3757
Ｆターム(参考） 5F073 AB21 BA02 EA14 EA29 FA15
FA16 FA28
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】レーザベースの装置（１００）の製造方法
であって、 少なくとも１つの第１の電気伝導体（１１４）が結合し
ている第１の側（１０４）と、少なくとも１つの第２の
電気伝導体（１１６）が結合している第２の側（１０
８）と、前記第１の側（１０４）と前記第２の側（１０
８）の間を貫通し、前記第１の電気伝導体（１１４）を
前記第２の電気伝導体（１１６）に電気接続している少
なくとも１つの電気伝導性のバイア（１１８）と、を含
む熱絶縁基板（１１０）を提供し、 集積回路（１１２）を前記少なくとも１つの第１の電気
伝導体（１１４）に電気接続し、 少なくとも１つのレーザ（１２０）を前記少なくとも１
つの第２の電気伝導体（１１６）に電気接続することを
含む、レーザベースの装置（１００）の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4359773A (en) * | 1980-07-07 | 1982-11-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor lasers with selective driving circuit |
| US5541524A (en) * | 1991-08-23 | 1996-07-30 | Nchip, Inc. | Burn-in technologies for unpackaged integrated circuits |
| US5394489A (en) | 1993-07-27 | 1995-02-28 | At&T Corp. | Wavelength division multiplexed optical communication transmitters |
| JPH07169872A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5475263A (en) * | 1994-02-14 | 1995-12-12 | Delco Electronics Corp. | Thick film hybrid multilayer circuit |
| US5583376A (en) * | 1995-01-03 | 1996-12-10 | Motorola, Inc. | High performance semiconductor device with resin substrate and method for making the same |
| US5708280A (en) * | 1996-06-21 | 1998-01-13 | Motorola | Integrated electro-optical package and method of fabrication |
| US5790728A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-04 | Motorola, Inc. | Optical coupling component and method of making the same |
| JPH11168262A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Canon Inc | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 |
| JP3119246B2 (ja) | 1998-08-19 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | 光送信器 |
| US6243508B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-06-05 | Picolight Incorporated | Electro-opto-mechanical assembly for coupling a light source or receiver to an optical waveguide |
| JP3728147B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 光電気混載配線基板 |
| US6639714B2 (en) * | 1999-10-29 | 2003-10-28 | Intel Corporation | Integrated circuit with opposed spatial light modulator and processor |
| US6348991B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-02-19 | Intel Corporation | Integrated circuit with opposed spatial light modulator and processor |
| US6597718B2 (en) * | 2000-07-18 | 2003-07-22 | Multiplex, Inc. | Electroabsorption-modulated fabry perot laser |
| US6406934B1 (en) * | 2000-09-05 | 2002-06-18 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level production of chip size semiconductor packages |
| US6849916B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-02-01 | Amkor Technology, Inc. | Flip chip on glass sensor package |
| US6342406B1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-01-29 | Amkor Technology, Inc. | Flip chip on glass image sensor package fabrication method |
| US6686588B1 (en) * | 2001-01-16 | 2004-02-03 | Amkor Technology, Inc. | Optical module with lens integral holder |
| US6635866B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-10-21 | Internation Business Machines Corporation | Multi-functional fiber optic coupler |
| US6910812B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-06-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Small-scale optoelectronic package |
| US6734552B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-05-11 | Asat Limited | Enhanced thermal dissipation integrated circuit package |
| US7049693B2 (en) * | 2001-08-29 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Electrical contact array for substrate assemblies |
| US6647050B2 (en) * | 2001-09-18 | 2003-11-11 | Agilent Technologies, Inc. | Flip-chip assembly for optically-pumped lasers |
| US6483037B1 (en) * | 2001-11-13 | 2002-11-19 | Motorola, Inc. | Multilayer flexible FR4 circuit |
| US6642485B2 (en) * | 2001-12-03 | 2003-11-04 | Visteon Global Technologies, Inc. | System and method for mounting electronic components onto flexible substrates |
| US6864509B2 (en) * | 2002-02-06 | 2005-03-08 | Eugene Robert Worley | Packaging optically coupled integrated circuits using flip-chip methods |
| US6867368B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-03-15 | Finisar Corporation | Multi-layer ceramic feedthrough structure in a transmitter optical subassembly |
| SG107595A1 (en) * | 2002-06-18 | 2004-12-29 | Micron Technology Inc | Semiconductor devices and semiconductor device components with peripherally located, castellated contacts, assembles and packages including such semiconductor devices or packages and associated methods |
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