JP2003323156A - Ｅｌ素子駆動回路及び表示パネル - Google Patents

Ｅｌ素子駆動回路及び表示パネル

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用する回路素子の特性バラツキの影響や、
映像信号を供給する信号供給線へのノイズ混入によるＥ
Ｌ素子の発光動作誤差（変動）を減少させながら、駆動
回路レイアウトの制約を最小限にでき、高画質のＥＬ素
子を使用した表示パネルを実現すること。 【解決手段】 駆動方式として電流設定方式を採用し、
微弱な電流に対して大きな動抵抗特性を有するトランジ
スタ（Ｍ５）を、ＥＬ素子への注入電流を決定する電圧
設定用のトランジスタ（Ｍ２）と電源（ＶＣＣ）との間
に挿入し、信号供給線（Ｖｉｄｅｏ）から混入するノイ
ズによるコンデンサー（Ｃ）の端子間電圧の変動を抑え
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流を注入して発
光するエレクトロルミネッセンス素子の駆動回路に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以後Ｅ
Ｌ素子と言う）は、ＥＬ素子を含む画素表示回路をマト
リクス状に複数配置した表示パネル型画像表示システム
（以後表示パネルと言う）等に応用されている。一般に
表示パネルは大面積であり単結晶シリコン基板上に形成
できない為、ガラス基板上に形成された薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）プロセスで形成される。
【０００３】このＥＬ素子の駆動回路には、主に電圧設
定方式と電流設定方式との２つの方式が存在する。
【０００４】〔電圧設定方式〕先ず図９を用いて電圧設
定方式を説明する。図９は従来の電圧設定方式による画
素表示回路の回路図である。
【０００５】映像信号を入力するための信号供給線Ｖｉ
ｄｅｏは制御パルスＰ６によってゲート電極が制御され
たＭＯＳトランジスタＭ１５（本明細書中ではＭＯＳト
ランジスタをＭの略記号にて表す）のソース電極（Ｍ１
５／Ｓ）（本明細書中ではＭＯＳトランジスタのソース
電極を／Ｓ、ドレイン電極を／Ｄ、ゲート電極を／Ｇの
略記号にて表す）に入力され、Ｍ１５のドレイン電極
（Ｍ１５／Ｄ）はコンデンサーＣ２に接続される。コン
デンサーＣ２の他端は電源ＶＣＣに一端が接続されたコ
ンデンサーＣ１に接続されるとともに、ソース電極が電
源ＶＣＣに接続されたＭ１のゲート電極（Ｍ１／Ｇ）と
制御パルスＰ５によってゲートが制御されたＭ１７／Ｓ
に接続される。Ｍ１／Ｄ及びＭ１７／Ｄはゲートが制御
パルスＰ４で制御されたＭ１６／Ｓに接続され、Ｍ１６
／ＤはＥＬ素子の電流注入端子に接続され、ＥＬ素子の
他端は接地ＧＮＤに接続される。
【０００６】表示パネルにおいて画素表示回路１は多数
配列され、例えばＱＶＧＡ（３２０×２４０）の場合、
信号供給線Ｖｉｄｅｏは２４０個の画素表示回路１に引
き回され接続され、制御パルスＰ４〜Ｐ６は３２０個の
画素表示回路１に引き回され接続される。
【０００７】図９の画素表示回路１の動作を図１０のタ
イムチャートを使用して説明する。図１０（ａ）〜
（ｅ）は、各々、信号供給線Ｖｉｄｅｏ、制御パルスＰ
４、制御パルスＰ５、制御パルスＰ６及びＭ１／Ｇの電
圧状態を示す。
【０００８】（時刻ｔ０以前において）信号供給線Ｖｉ
ｄｅｏの電圧は一行前の画素表示回路１の発光設定を行
う信号レベルＶｖ（ｎ−１）であり、Ｐ４＝Ｌ、Ｐ５＝
Ｈ、Ｐ６＝ＨからＭ１５＝ＯＦＦ、Ｍ１６＝ＯＮ、Ｍ１
７＝ＯＦＦであり、Ｍ１／Ｇの電圧は該当画素表示回路
１が前回制御されてコンデンサーＣ１に充電された電圧
Ｖｄ＃に保持されており、この電圧Ｖｄ＃によって決定
される電流がＥＬ素子に注入されＥＬ素子は発光してい
る。
【０００９】（時刻ｔ０において）Ｐ４＝Ｈ、Ｐ６＝Ｌ
になりＭ１５＝ＯＮ、Ｍ１６＝ＯＦＦになる。続いて信
号供給線Ｖｉｄｅｏを黒レベルＶｂｋ（最大電圧）に
し、続いてＰ５＝ＬにしてＭ１７＝ＯＮにする。この時
点においてＭ１は自己放電状態になり、コンデンサーＣ
１の電圧は放電されＭ１／Ｇの電圧は上昇する。
【００１０】ところでＭＯＳトランジスタの電流電圧特
性は１）式の五極管特性で概略示すことができる。
【００１１】
【数１】
【００１２】ここで、Ｉｄｓはドレイン電流、ｋは駆動
計数、Ｖｇｓはゲート・ソース間電圧、Ｖｔｈはしきい
値電圧である。
【００１３】１）式から理解できるようにＶｇｓ＝Ｖｔ
ｈに近づくとＩｄｓは小さくなるため、Ｍ１の自己放電
動作は弱くなる。従ってＭ１／Ｇは図１０（ｅ）に示す
ようにＶｔｈに漸近する。さらにコンデンサーＣ２は端
子間電圧が（Ｖｃｃ−Ｖｔｈ−Ｖｂｋ）になるように放
電される。
【００１４】（時刻ｔ１において）Ｐ５＝Ｈとなるため
Ｍ１７＝ＯＦＦになり、続いてＰ４＝ＬとなるためＭ１
６＝ＯＮになり、続いて信号供給線Ｖｉｄｅｏを所望レ
ベルＶｖ（ｎ）下降させてＭ１／Ｇの電圧を２）式で示
される電圧ｄｖ（ｎ）だけ下降させる。
【００１５】
【数２】
【００１６】２）式中では、Ｃ１、Ｃ２は、コンデンサ
ーＣ１、Ｃ２の電気容量を表している。
【００１７】ｄｖ（ｎ）はＶｖ（ｎ）の遷移速度に基本
的に依存しない。ｄｖ（ｎ）は１）式のΔＶに相当しこ
れによってトランジスタＭ１は電流をＥＬ素子に注入す
る。
【００１８】（時刻ｔ２において）Ｐ６＝Ｈとなるため
Ｍ１５＝ＯＦＦになり、引き続き該当トランジスタＭ１
は電流をＥＬ素子に注入して発光動作を次回の発光設定
動作まで持続する。時刻ｔ２以降は次行の画素表示回路
１に対して同様な発光設定動作を行う。
【００１９】以上述べた図９の画素表示回路１の発光設
定動作においては、一旦Ｍ１／ＧをＶｔｈ電圧である黒
レベルにリセットしてから設定電圧Ｖｖを入力し、２）
式で示される駆動電流を発生する誤差電圧ｄｖ（ｎ）を
Ｍ１／Ｇに設定できる。このため表示パネルの各画素表
示回路１内の各トランジスタＭ１のＴＦＴプロセスによ
って助長されるＶｔｈのバラツキ及び配線抵抗による各
電源ＶＣＣの電位変動に影響されること無くＥＬ素子へ
の注入電流を設定できる。
【００２０】〔電流設定方式〕次に図６を用いて電流設
定方式を説明する。図６は従来の電流設定方式による画
素表示回路の回路図である。
【００２１】信号供給線Ｖｉｄｅｏには、入力映像電圧
信号を信号供給回路によって電流信号に変換した映像信
号電流が入力される。信号供給線Ｖｉｄｅｏはゲートが
制御パルスＰ２で制御されたＭ４／Ｓに接続され、Ｍ４
／Ｄはソース電極が電源ＶＣＣに接続されたＭ２／Ｄと
ゲートを制御パルスＰ１で制御されたＭ３／Ｓとに接続
される。Ｍ２／Ｇは一端を電源ＶＣＣに接続されたコン
デンサーＣ１とＭ３／Ｄとソース電極が電源ＶＣＣに接
続されたＭ１／Ｇとに接続される。Ｍ１／ＤはＥＬ素子
の電流注入端子に接続され、ＥＬ素子の他端は接地ＧＮ
Ｄされる。
【００２２】図６の画素表示回路１の動作を図７のタイ
ムチャートを使用して説明する。図７（ａ）〜（ｄ）
は、各々、信号供給線Ｖｉｄｅｏに供給される電流映像
信号、制御パルスＰ１、制御パルスＰ２、Ｍ１／Ｇ電圧
を示す。
【００２３】（時刻ｔ０以前において）信号供給線Ｖｉ
ｄｅｏには一行前の画素表示回路１への設定電流Ｉｄ
（ｎ−１）になっており、また、Ｐ１＝Ｈ、Ｐ２＝Ｌか
らＭ３＝ＯＦＦ及びＭ４＝ＯＦＦになっている。またＭ
１／Ｇには前回発光設定動作によって決定された電圧Ｖ
ｄ＃（ｎ）が電源ＶＣＣから与えられており、Ｖｄ＃
（ｎ）によって決定されるＭ１からの出力電流が該当Ｅ
Ｌ素子に注入され発光している。
【００２４】（時刻ｔ０において）信号供給線Ｖｉｄｅ
ｏは図６の該当画素表示回路１の発光設定をする電流Ｉ
ｄ（ｎ）に変化するとともに、Ｐ１＝Ｌ、Ｐ２＝Ｈから
Ｍ３＝ＯＮ及びＭ４＝ＯＮに変化する。このため信号供
給線Ｖｉｄｅｏに供給された電流Ｉｄ（ｎ）はＭ２に供
給され、Ｍ２は１）式を満たすようにＭ２／Ｇ電圧が変
化し、コンデンサーＣ１が充電され図７（ｄ）の様にこ
こに接続されているＭ１／Ｇが電圧Ｖｄ＃（ｎ）から電
圧Ｖｄ（ｎ）になる変化を開始し、時刻ｔ１までに終了
する。
【００２５】（時刻ｔ１において）Ｐ１＝ＨよりＭ３＝
ＯＦＦに変化し、コンデンサーＣ１の充電動作は停止す
るため、Ｍ１／Ｇは電圧Ｖｄ（ｎ）のまま保持状態にな
る。
【００２６】（時刻ｔ２において）Ｐ２＝ＬよりＭ４＝
ＯＦＦに変化してトランジスタＭ２への電流供給は無く
なるため、Ｍ２／Ｇに加えられている電圧Ｖｄ（ｎ）の
ため発生するＭ２の出力電流によりＭ２／Ｄは急速に電
位上昇し電源ＶＣＣになる。このときＭ２は抵抗動作領
域になりＭ２の出力電流は無くなりこの状態で安定す
る。このときＭ１／Ｇ電圧は変化が起こらず電圧Ｖｄ
（ｎ）のままであり、次回の発光設定動作まで電圧Ｖｄ
（ｎ）によって決定されるトランジスタＭ１からの出力
電流がＥＬ素子に注入されこの条件の発光を持続する。
【００２７】（時刻ｔ２以降において）信号供給線Ｖｉ
ｄｅｏは次行の画素表示回路１を発光設定する設定電流
Ｉｄ（ｎ＋１）に変化するとともに、該当画素表示回路
１においてはＰ１＝Ｈ及びＰ２＝Ｌのまま次回の発光設
定動作まで変化しない。そして次行の画素表示回路１の
発光設定動作が同様に開始される。
【００２８】以上説明した電流設定方式においても、表
示パネルが例えばＱＶＧＡ（３２０×２４０）の場合、
信号供給線Ｖｉｄｅｏは２４０個の画素表示回路１に引
き回され接続され、制御パルスＰ１、Ｐ２は３２０個の
画素表示回路１に引き回され接続される。電流設定方式
の場合、各画素表示回路１におけるトランジスタＭ１と
Ｍ２の駆動特性を相対的に確保できた場合、各トランジ
スタの遷移電圧Ｖｔｈ及び１）式における駆動係数ｋの
絶対値バラツキの影響を受けずに論理的にＥＬ素子への
注入電流を設定できる。各画素表示回路１のトランジス
タＭ１とＭ２の駆動特性を相対的に確保することは２つ
のトランジスタが近接して配置されることによってＴＦ
Ｔプロセスにおいても比較的容易に実現できる。このた
め電流設定方式によれば基本的には小電流から広いＤレ
ンジで設定でき、均一化した高品位の画像を表示パネル
に表示できる。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＥＬ素子を駆動する図９に示す電圧駆動方式及び図６に
示す電流駆動方式は以下に示す課題をもっている。
【００３０】〔図９の電圧駆動方式の課題〕 課題１（トランジスタの駆動係数ｋのバラツキ） １）式から理解できるようにＭＯＳトランジスタの出力
電流Ｉｄｓは各画素表示回路１において変動する駆動係
数ｋによって決定されているため、表示パネルの各画素
の発光レベルを均一化することが困難である。そして発
光レベルを均一化するためには難しいＴＦＴプロセスの
改良に依存しなければならない。
【００３１】課題２（ホワイトバランスの確保） また発光電流は誤差電圧Δｖの２乗で決定される為、Ｒ
ＧＢの発光エネルギーのバランスによるホワイトバラン
ス調整が難しいとともに、ドリフトに敏感であり表示画
像の重要要素であるホワイトバランスを保証するのが難
しい。
【００３２】課題３（Ｖｔｈ電圧へのリセット期間の確
保） さらに、画素表示回路１内のＭ１／ＧのＶｔｈへのリセ
ット動作期間（ｔ０〜ｔ１）は、完全にリセット動作す
るためには長い時間を必要とする。なぜならば、Ｍ１／
ＧがＶｔｈに漸近するほどトランジスタＭ１の自己放電
動作が弱まる為である。このため微小発光領域の発光設
定が難しく、画像の階調性を確保するのが難しく、高画
質表示パネルを実現するのが難しい。
【００３３】〔図６の電流駆動方式の課題〕例えばＱＶ
ＧＡ表示パネルのサイズが２インチの場合、各色のＥＬ
素子の最大所望注入電流は１００ｎＡ〜２００ｎＡ程度
の微小電流であり、またコントラストを確保する為の最
小所望電流は１ｎＡ以下の極小電流を必要としており信
号供給線Ｖｉｄｅｏにこの微小電流〜極小電流を供給す
る必要がある。ところで１）式で示されるＭＯＳトラン
ジスタ特性式を変形すると、３）式になる。
【００３４】
【数３】
【００３５】信号供給線Ｖｉｄｅｏの電位を決定する画
素表示回路１のトランジスタＭ２の動抵抗ｒｅは、本発
明者が経験しているＴＦＴプロセスにおいてｒｅ（１０
０ｎＡ）≒１ＭΩ、ｒｅ（１ｎＡ）≒１０ＭΩと言う非
常に高抵抗になる。
【００３６】課題４（信号供給線Ｖｉｄｅｏへのノイズ
混入） 前述したように信号供給線Ｖｉｄｅｏは多数の画素表示
回路１と引き回されながら接続される為、このような高
抵抗線には外乱ノイズが容易に混入する。前述のように
図７（ｅ）は信号供給線Ｖｉｄｅｏにノイズが混入した
場合のＭ１／Ｇ電圧の様子を示している。
【００３７】時刻ｔ０〜ｔ１以外の期間ではＭ３＝ＯＦ
Ｆなので該当画素表示回路１のＭ１／Ｇに信号供給線Ｖ
ｉｄｅｏが接続されずノイズ混入は無い。しかし時刻ｔ
０〜ｔ１においてはＭ３＝ＯＮ及びＭ４＝ＯＮなのでＭ
１／Ｇにはノイズが混入する。このため時刻ｔ１の時Ｍ
３＝ＯＦＦに変化してＭ１／Ｇ電圧が保持状態に移行し
たとき電圧Ｖｄ（ｎ）がノイズ混入がないときの所望値
に対して電圧ΔＶｄの誤差が生じることになる。これに
より、トランジスタＭ１は所望出力電流からずれた出力
電流をＥＬ素子に注入していまい当然発光量もずれてし
まう。
【００３８】ノイズは管理できるものでないから各画素
表示回路１におけるノイズ混入による発光量ずれも異な
るので安定した表示画像が得られない。またノイズ混入
による影響もＲＧＢ映像信号が小さい場合に顕著にな
り、さらに画像のＳ／Ｎ悪化をもたらす。
【００３９】ＥＬ素子が必要とする注入電流は小さく、
一般に駆動能力の低い（駆動係数ｋが小さい）ＴＦＴプ
ロセスにおいても駆動誤差電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）は遷
移電圧Ｖｔｈの１／１０程度であり、ノイズ混入による
Ｍ１／Ｇ電圧の誤差は大きな影響を及ぼすことになる。
このため電流設定方式においては表示パネルを外乱ノイ
ズから隔離する必要があるが、表示パネルの発光面をシ
ールドすることは難しい。
【００４０】また信号供給線Ｖｉｄｅｏの抵抗値を抑え
る為、画素表示回路１のトランジスタＭ２のサイズを大
きくして設定電流Ｉｄｓを大きくしてＭ２の動抵抗値ｒ
ｅを抑えることが考えられるが、３）式より、設定電流
Ｉｄｓを１０倍に増やしてもｒｅは１／√１０にしかな
らない。またこの方法では画素サイズが制限された表示
パネル用の画素表示回路１には大きなトランジスタＭ２
を搭載できず、特に消費電流を抑える必要がある小型表
示パネルでは解決法にならない。
【００４１】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、これらの課題を解決することが可能となるＥＬ素子
駆動回路、及びそれを備えた表示パネルを提供すること
を目的とするものである。
【００４２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の発明は、注入電流で発光動作するエレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）素子を発光させるＥＬ素子駆動回
路において、ＥＬ素子と、第１、第２及び第３のトラン
ジスタと、コンデンサーと、第１、第２及び第３のスイ
ッチと、を少なくとも備え、前記第１トランジスタと第
２トランジスタとは、第１主電極同士及びゲート電極同
士が互いに接続され、前記コンデンサーは、前記第１ト
ランジスタの第１主電極とゲート電極との間に接続さ
れ、前記ＥＬ素子は、前記第１トランジスタの第２主電
極に接続され、前記第１スイッチは、前記第２トランジ
スタの第２主電極とゲート電極との間に接続され、前記
第２スイッチは、前記ＥＬ素子への注入電流を規定する
信号電流を供給するための信号供給線と前記第２トラン
ジスタの第２主電極との間に接続され、前記第３トラン
ジスタは、第１主電極が電源に接続され、第２主電極が
前記第１トランジスタの第１主電極に接続され、第１主
電極と第２主電極との間の電位差により所定の方向に電
流が流れるようにゲート電極と第１主電極又は第２主電
極とが短絡され、前記第３スイッチは、電源と前記第１
トランジスタの第１主電極との間に接続され、前記第１
スイッチ及び第２スイッチが短絡されているときに前記
第３スイッチを開放させ、第１スイッチ及び第２スイッ
チが開放しているときは前記第３スイッチを短絡させる
ように構成されていることを特徴とするＥＬ素子駆動回
路である。
【００４３】上記課題を解決するための第２の発明は、
上記第１の発明のＥＬ素子駆動回路をマトリクス状に複
数接続したことを特徴とする表示パネルである。
【００４４】本発明は、上記第１の発明において、前記
ＥＬ素子駆動回路が少なくとも画素表示回路と信号供給
回路とを含み、前記画素表示回路は、前記ＥＬ素子と、
前記第１及び第２のトランジスタと、前記コンデンサー
と、前記第１、第２及び第３のスイッチと、を含み、さ
らに第４のスイッチを備えた回路であり、前記信号供給
回路は、前記第３のトランジスタを含み、前記画素表示
回路と前記信号供給回路とは、少なくともノイズ抑制線
と前記信号供給線とにより接続され、前記第３トランジ
スタの第２主電極と前記第１トランジスタの第１主電極
とは、前記ノイズ抑制線と前記第４スイッチとを介して
接続され、前記第１スイッチ及び第２スイッチが短絡さ
れているときに前記第３スイッチを開放し前記第４スイ
ッチを短絡し、第１スイッチ及び第２スイッチが開放し
ているときは前記第３スイッチを短絡し前記第４スイッ
チを開放させるように構成されていることをその好まし
い態様として含むものである。
【００４５】上記課題を解決するための第３の発明は、
少なくとも、上記画素表示回路と信号供給回路とを備え
る発明に記載のＥＬ素子駆動回路を複数含み、画素表示
回路はマトリクス状に接続され、該マトリクス状に接続
された画素表示回路のうち１ラインに属する画素表示回
路を１組として、各組の画素表示回路を各組毎に１つず
つ配置された信号供給回路のそれぞれに共通に接続した
ことを特徴とする表示パネルである。
【００４６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
ＥＬ素子駆動回路の実施形態１を示す回路図である。本
形態においては、電圧として入力された映像信号ＰＩＣ
を映像電流信号に変換する信号供給回路２と画素表示回
路１とに分かれた構成となっており、本発明における第
１の発明の回路構成が画素表示回路１に含まれた形態と
なっているが、本発明の形態はこれに限られるものでは
ない。
【００４７】ここで、図１の構成を説明する前に、表示
パネルにおいて電流設定方式を使用した場合の構成例を
説明する。
【００４８】〔電流設定方式の表示パネルの構成〕図８
は電流設定方式による表示パネルの全体ブロック図であ
る。図８において、１は画素表示回路、２は信号供給回
路、３はサンプルホールド回路、４は水平（列）走査シ
フトレジスタ、５はパルス発生回路、６は基準電流発生
回路、７は垂直（行）走査シフトレジスタ、８は入力回
路、Ｖｉｄｅｏは信号供給線であり、ＳＫは画素クロッ
ク信号、ＳＰは水平（列）開始信号、ＶＲ、ＶＧ、ＶＢ
はＲＧＢ各色の基準電流設定電圧、ＬＫは垂直（行）走
査クロック信号である。
【００４９】入力映像電圧信号はＲＧＢ信号であり、Ｒ
ＧＢ各画素ごとに発光設定する為、各サンプルホールド
回路３に入力される。画素クロックＳＫは入力回路８を
介して１番目の水平（列）シフトレジスタ４に入力され
る。垂直（行）走査クロックＬＫは入力回路８を介し
て、パルス発生回路５と垂直（行）走査シフトレジスタ
７群の１番目に入力されるとともに信号供給回路２群に
入力される。垂直（行）走査クロックＬＫはパルス発生
回路５において奇数行／偶数行を識別するために２分周
されてサンプルホールド回路３群に入力される。水平
（列）シフトレジスタ４は図のようにＲＧＢ各組に１つ
配置される。水平（列）開始信号ＳＰは入力回路８を介
してパルス発生回路５に入力され、２本の水平（列）開
始信号に変換され水平（列）シフトレジスタ４群に入力
される。
【００５０】サンプルホールド回路３は、順次入力され
るＲＧＢ映像電圧信号に対処する為、２個のサンプルホ
ールド回路を内蔵して、奇数行用の映像信号入力時は１
番目のサンプルホールド回路はサンプル動作して２番目
のサンプルホールド回路がホールド動作し、偶数行用の
映像信号入力時は２番目のサンプルホールド回路はサン
プル動作して１番目のサンプルホールド回路がホールド
動作し、常にＲＧＢ映像情報を出力できるようにしてお
く。
【００５１】各サンプルホールド回路３のＲＧＢ出力映
像信号ＰＩＣは各信号供給回路２に入力される。ＲＧＢ
基準電流設定電圧ＶＲ、ＶＧ、ＶＢは基準電流発生回路
６に入力され、各色用の基準電流ＩｏＲ、ＩｏＧ、Ｉｏ
Ｂを発生する為のバイアス電圧ＶｂＲ、ＶｂＧ、ＶｂＢ
を発生して各色の各信号供給回路２群に入力して、基準
電流ＩｏＲ、ＩｏＧ、ＩｏＢを各信号供給回路２で発生
させる。このように基準電流を各色ごとに設定する理由
は、ＥＬ素子の電流発光変換特性がＲＧＢ各色で異なる
ことが一般的であることに対処するためである。
【００５２】各信号供給回路２では各色の電圧で入力さ
れた映像信号ＰＩＣを、内部で発生した基準電流に関係
する映像電流信号Ｉｄに変換して、各垂直（列）の画素
表示回路１群に引き回して接続された信号供給線Ｖｉｄ
ｅｏに供給する。
【００５３】垂直（行）走査シフトレジスタ７の出力で
ある行制御パルスは各行の画素表示回路１群に供給され
る。
【００５４】図８において行間において各色の画素表示
回路１が１．５画素ずれたΔ配列をしているのは、特に
ＱＶＧＡ等の低解像度表示パネルにおける色の縦ビート
を削減する為のスクリーン角を形成する為のものであ
る。また図示していないが、入力ＲＧＢ映像信号は対ノ
イズ性を考慮して基準信号とともに入力するのが一般的
であり、このとき各サンプルホールド回路３では映像信
号と同様に基準信号をサンプルホールドして出力し、映
像信号ＰＩＣとともに基準信号ＲＥＦを各信号供給回路
２に入力する。
【００５５】また、垂直（行）走査クロックＬＫはブラ
ンキング信号の機能を持っており、信号供給回路２の出
力電流信号Ｉｄが各列の画素表示回路１群内で使用され
ない期間の処理を行う為に信号供給回路２に入力されて
いる。
【００５６】〔図１の画素表示回路１、信号供給回路２
の説明〕図１において、１は画素表示回路、２は信号供
給回路、Ｃはコンデンサー、ＥＬはＥＬ素子、Ｍ１は第
１トランジスタ、Ｍ２は第２トランジスタ、Ｍ３は第１
スイッチ、Ｍ４は第２スイッチ、Ｍ５は第３トランジス
タ、Ｍ６は第３スイッチ、Ｖｉｄｅｏは信号供給線、Ｖ
ＣＣは電源、ＧＮＤは接地、ＲＥＦは基準信号、ＰＩＣ
は映像信号である。
【００５７】本発明の第１主電極、第２主電極とは、ソ
ース電極とドレイン電極とのいずれかを夫々示してお
り、以下においては第１主電極がソース電極、第２主電
極がドレイン電極である形態を示す。従って図１の形態
はＭＯＳトランジスタの夫々の極性を適切に設計して配
線した一例を示したものであり、ＭＯＳトランジスタの
極性を適宜変更して本発明と同じ機能を有するように構
成しても構わない。この事は、後述の実施の形態２にお
いても同様である。
【００５８】図１における信号供給回路２は、従来の電
流設定方式を使用した図６の画素表示回路１に対して使
用されるものと同じものであるが、まず電流変換回路２
について説明する。
【００５９】サンプルホールド回路３から映像信号ＰＩ
Ｃと基準信号ＲＥＦとが、ソース電極同士が互いに接続
されたＭ９／Ｇ及びＭ１０／Ｇに各々入力される。バイ
アス電圧Ｖｂはソース電極が電源ＶＣＣに接続されたＭ
８／Ｇに入力され、Ｍ８／Ｄから基準電流ＩｏをＭ９／
Ｓ（Ｍ１０／Ｓ）に供給する。Ｍ９／Ｄは接地ＧＮＤに
接続され、Ｍ１０／Ｄからは基準信号ＲＥＦに対する映
像信号ＰＩＣのレベル差と基準電流Ｉｏに関連し変換さ
れた映像電流信号が出力され、図１に示すようにトラン
ジスタＭ１１とＭ１４からなるカレントミラー回路によ
ってＭ１４／Ｄより発光設定電流信号Ｉｄを信号供給線
Ｖｉｄｅｏに出力する。
【００６０】Ｍ１４／Ｄはゲートが制御パルスＰ３によ
って制御されたＭ１３／Ｄに接続され、Ｍ１３／Ｓはソ
ースが電源ＶＣＣに接続されドレインとゲートが短絡さ
れたトランジスタＭ１２に接続される。制御パルスＰ３
は垂直（行）走査クロックＬＫであり、信号供給線Ｖｉ
ｄｅｏに出力される発光設定電流信号Ｉｄが接続された
画素表示回路１群に供給されないブランキング期間にお
いてＭ１３＝ＯＮになり、トランジスタＭ１２によって
画素表示回路１により決定される信号供給線Ｖｉｄｅｏ
の近傍電位に規定する。
【００６１】次に、図１の画素表示回路１と図６の従来
の画素表示回路１との相違点を説明し、本発明の構成の
特徴を明確にする。即ち、図１の本発明の構成において
は、Ｍ１／Ｓ、Ｍ２／Ｓ及びコンデンサーＣ１が接続さ
れたノードは、電源ＶＣＣに直接接続されるのではな
く、ソース電極が電源ＶＣＣに接続されゲート電極が制
御パルスＰ２で制御されたＭ６／Ｄに接続されるととも
に、ソース電極が電源ＶＣＣに接続されゲート電極とド
レイン電極とが短絡されたトランジスタＭ５に接続され
る。
【００６２】このような構成とすることにより、後述の
説明で明らかとなるように、信号供給線Ｖｉｄｅｏから
混入するノイズによりコンデンサーＣに与えられる電位
差が所定の値からずれることを防止することができる。
【００６３】図１の画素表示回路１の動作を図３のタイ
ムチャートを使用して説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は
Ｖｉｄｅｏから入力される発光設定電流信号、制御パル
スＰ１、制御パルスＰ２のレベルを示しており、図７の
タイムチャートと同様である。図３（ｄ）の＃１及び＃
２はＭ１／Ｇ（Ｍ２／Ｇ）及びＭ１／Ｓ（Ｍ２／Ｇ）の
信号を示す。
【００６４】（時刻ｔ０以前において）Ｍ３＝ＯＦＦ、
Ｍ４＝ＯＦＦ、Ｍ６＝ＯＮである為、Ｍ２／Ｓ（Ｍ１／
Ｓ）は電源ＶＣＣになり、図６の画素表示回路１と同様
に前回電流設定によって電圧Ｖｄ＃（ｎ）がＭ１／Ｇに
与えられ、トランジスタＭ１からの出力電流によってＥ
Ｌ素子は設定された発光を行っている。
【００６５】（時刻ｔ０において）Ｍ３＝ＯＮ、Ｍ４＝
ＯＮに変化し、Ｍ６はＯＦＦする為、このとき信号供給
線Ｖｉｄｅｏに供給される設定電流Ｉｄ（ｎ）がトラン
ジスタＭ５に供給されることによりＭ２／Ｓは１）式を
満たすＭ５のＶｇｓに向かって電圧降下始めるととも
に、トランジスタＭ２に設定電流Ｉｄ（ｎ）が供給され
る為、Ｍ２／ＧはＭ２／Ｓからさらに１）式を満たすＭ
２のＶｇｓに向かって電圧降下始める。そして時刻ｔ１
までにトランジスタＭ５とＭ２によるコンデンサーＣ１
への充電動作を終了し、Ｍ２／Ｓに対するＭ２／Ｇの電
圧は図６の画素表示回路１と同様に設定電流をＭ１に発
生する設定電圧Ｖｄ（ｎ）になる。
【００６６】（時刻ｔ１において）Ｍ３＝ＯＦＦに変化
するが、Ｍ２／Ｓ（Ｍ１／Ｓ）電圧に対してＭ１／Ｇ
（Ｍ２／Ｇ）電圧は設定電圧Ｖｄ（ｎ）のままである。
【００６７】（時刻ｔ２において）Ｍ４＝ＯＦＦ及びＭ
６＝ＯＮに変化し、Ｍ２／Ｓ（Ｍ１／Ｓ）電圧は電源Ｖ
ＣＣに変化するが、Ｍ２／Ｓ（Ｍ１／Ｓ）電圧に対して
Ｍ１／Ｇ（Ｍ２／Ｇ）電圧はコンデンサーＣにより設定
電圧Ｖｄ（ｎ）のまま保持され、トランジスタＭ１の出
力電流がＥＬ素子に供給され次回の発光設定動作が開始
されるまで設定した発光動作を行う。次行の画素表示回
路１の発光設定動作を同様に開始する。
【００６８】図３（ｅ）は電流設定方式の課題であった
信号供給線Ｖｉｄｅｏへのノイズ混入に対する図１の画
素表示回路１の動作を示すものである。該当表示回路１
はトランジスタＭ２がＯＮしている期間ｔ０〜ｔ１にお
いて信号供給線Ｖｉｄｅｏへのノイズ混入により、図３
（ｅ）の＃１及び＃２の様にＭ２／Ｇ及びＭ２／Ｓがノ
イズ信号で変動するが、これらは類似した波形となる。
なぜならば、前述したように信号供給線Ｖｉｄｅｏに供
給される設定電流は微小電流〜極小電流である為、トラ
ンジスタＭ６の動抵抗は１ＭΩ〜１０ＭΩが想定され、
このような高抵抗においてコンデンサーＣ１は期間ｔ０
〜ｔ１に比べて短い期間で変動するノイズ信号に対して
電圧保持動作になることによってＭ２／ＧとＭ２／Ｓの
ノイズ混入による変動Ｎ１とＮ２はほとんど等しくなる
からである。このため信号供給線Ｖｉｄｅｏにノイズ混
入があってもＭ２／Ｓに対するＭ２／Ｇの電圧は所望電
圧Ｖｄ（ｎ）にほとんど等しい設定電圧Ｖｄ％（ｎ）と
することができる。このため時刻ｔ１以降のＭ１／Ｇに
与えられる設定電圧Ｖｄ％（ｎ）は所望設定電圧Ｖｄ
（ｎ）にほとんど等しく、したがってトランジスタＭ１
の出力電流による発光するＥＬ素子はおおよそ所望発光
動作を行うことができる。
【００６９】なお、図１の画素表示回路１におけるトラ
ンジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ５のＰ型／Ｎ型のタイプを限定
しているものではなく、トランジスタＭ３、Ｍ４は制御
パルスＰ１、Ｐ２の極性を変えれば容易に構成できるこ
とは明確である。
【００７０】（実施の形態２）図２は本発明のＥＬ素子
駆動回路の実施形態２を示す回路図である。図２におい
て、図１と同じ符号は同じ要素を示している。また、Ｍ
７は第４スイッチである。
【００７１】まず、図２で示される本形態と前記の図１
の形態との、画素表示回路１と信号供給回路２との構成
の差異について説明する。
【００７２】画素表示回路１と信号供給回路２とは、信
号供給線Ｖｉｄｅｏの他にノイズ抑制線ｘｘｘにより接
続されている。ノイズ抑制線ｘｘｘは信号供給線Ｖｉｄ
ｅｏと同様に該当列の画素表示回路１群に引き回され接
続される。
【００７３】図２の画素表示回路１においては、Ｍ２／
Ｓ、Ｍ１／Ｓ及びコンデンサーＣ１が接続されたノード
には、ソース電極がノイズ抑制線ｘｘｘに接続されゲー
ト電極が制御パルスＰ２で制御された第４スイッチＭ７
のドレイン電極が接続される。
【００７４】また、本形態においては、第３トランジス
タＭ５は信号供給回路２に含まれている。
【００７５】次に動作を図３のタイムチャートの（ｆ）
を使用して説明する。
【００７６】（時刻ｔ０以前において）Ｍ３＝ＯＦＦ、
Ｍ４＝ＯＦＦ、Ｍ７＝ＯＦＦでありＭ６＝ＯＮしている
為、Ｍ２／Ｓ（Ｍ１／Ｓ）は電源ＶＣＣになり、図６の
画素表示回路１と同様に前回電流設定によって電圧Ｖｄ
＃（ｎ）がＭ１／Ｇに与えられ、トランジスタＭ１から
の出力電流によってＥＬ素子は設定された発光を行って
いる。
【００７７】（時刻ｔ０において）Ｍ３＝ＯＮ、Ｍ４＝
ＯＮ及びＭ６＝ＯＦＦに変化し、Ｍ７＝ＯＮとなる為、
このとき信号供給線Ｖｉｄｅｏに供給される設定電流Ｉ
ｄ（ｎ）がノイズ抑制線ｘｘｘを介して信号供給回路２
内のトランジスタＭ５に供給される。したがってＭ２／
Ｓ電圧は１）式を満たすＭ５のＶｇｓに向かって電圧降
下始めるとともに、トランジスタＭ２に設定電流Ｉｄ
（ｎ）が供給される為Ｍ２／ＧはＭ２／Ｓからさらに
１）式を満たすＭ２のＶｇｓに向かって電圧降下始め
る。そして時刻ｔ１までにトランジスタＭ５とＭ２によ
るコンデンサーＣ１への充電動作を終了し、Ｍ２／Ｓに
対するＭ２／Ｇの電圧は図６の画素表示回路１と同様に
設定電流をＭ１に発生する設定電圧Ｖｄ（ｎ）になる。
【００７８】（時刻ｔ１において）Ｍ３＝ＯＦＦ、Ｍ７
＝ＯＦＦに変化するためノイズ抑制線ｘｘｘは該当画素
表示回路１から切り離され、信号供給線Ｖｉｄｅｏに供
給されている設定電流Ｉｄ（ｎ）によってＭ２／Ｓ電圧
は電圧降下を開始する。しかし設定電流Ｉｄ（ｎ）は微
小〜極小であるためこの電圧降下は急激なものではな
く、Ｍ１／Ｓ（Ｍ２／Ｓ）電圧に対してＭ１／Ｇ（Ｍ２
／Ｇ）電圧は設定電圧Ｖｄ（ｎ）のままである。
【００７９】（時刻ｔ２において）Ｍ４＝ＯＦＦ、Ｍ６
＝ＯＮに変化して、Ｍ１／Ｓ（Ｍ２／Ｓ）の時刻ｔ１か
らの電圧降下は停止してＭ１／Ｓ（Ｍ２／Ｓ）は急速に
電源ＶＣＣになる。この過程においてＭ１／Ｇ（Ｍ２／
Ｇ）電圧は、コンデンサーＣにより電源ＶＣＣから設定
電圧Ｖｄ（ｎ）のまま保持され、トランジスタＭ１の出
力電流がＥＬ素子に供給され次回の発光設定動作が開始
されるまで設定した発光動作を行う。そして次行の画素
表示回路１の発光設定動作を同様に開始する。
【００８０】このような本形態によれば、Ｍ２／Ｇ及び
Ｍ２／Ｓのノイズ混入による変動Ｎ１及びＮ２は、ノイ
ズ抑制線ｘｘｘが信号供給線Ｖｉｄｅｏと同様に引き回
されることから実施の形態１の画素表示回路１の動作よ
りもさらに類似した波形となり、より高いノイズ抑制効
果が得られるとともに、期間ｔ０〜ｔ１に比べて長周期
のノイズ変動に対してもＭ２／Ｓに対するＭ２／Ｇの電
圧を設定電圧にほぼ等しいＶｄ％（ｎ）にできる。この
ため時刻ｔ２以降のＭ１／Ｇに与えられる設定電圧Ｖｄ
％（ｎ）は所望設定電圧Ｖｄ（ｎ）にほとんど等しく、
したがってトランジスタＭ１の出力電流により発光する
ＥＬ素子はおおよそ所望発光動作を行うことができる。
尚、図３（ｇ）は、本形態においても図３（ｅ）に示し
た実施の形態１の形態の効果と同様な効果が得られるこ
とを明示したものである。
【００８１】本形態においても、図２の画素表示回路１
におけるトランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ７のＰ型／Ｎ型の
タイプを限定してしているものではなく、各トランジス
タのゲート制御パルス信号を適宜入力すれば、容易に構
成できることは明確である。
【００８２】表示パネルの画素表示回路１において前述
したようにスペース的な制約は非常に大きい。図２の画
素表示回路１に関してＴＦＴプロセスを想定したレイア
ウト構成の一例を図４に示す。また、その際に使用した
ＴＦＴプロセスの構造の概念図を図１１に示す。
【００８３】ガラス基板ａの上に、他の配線にも使用で
きるゲート配線層ｂを設け、そのゲート配線層ｂの上に
薄い絶縁層であるゲート酸化膜層ｃを設け、その上にポ
リシリコン層ｄを設け、その上に第１の配線絶縁層ｅを
設け、第１の配線絶縁層ｅの結線個所にスルーホールを
設けておき、その上に第１の配線層ｆを設け、その上に
比較的厚い第２の配線絶縁層ｇを設けたあと表面を平滑
化しておき、ＥＬ素子の電流注入端子に接続されるノー
ド個所にスルーホールを設けたのち第２の配線層ｈを該
当ＥＬ素子の発光領域に設け、その上にＥＬ発光層ｉを
設けた後に前面に透明導体（ＩＴＯ）層ｊを設ける構成
である。
【００８４】図１１に示したポリシリコン層ｄの領域に
形成されるトランジスタは、ＥＬ素子を駆動するトラン
ジスタＭ１を示している。
【００８５】以上説明したＴＦＴプロセスを一般にボト
ムゲート方式といいゲート配線層ｂの配線使用条件に制
約があるがトランジスタ特性に良いとされている。
【００８６】図１１のＴＦＴプロセスで構成した図４の
画素表示回路１のレイアウトにおいては、表示パネルに
おける行配線となる電源ＶＣＣ、制御パルスＰ１、Ｐ２
はゲート配線層ｂを使用し、列配線となる信号供給線Ｖ
ｉｄｅｏ及びノイズ抑制線ｘｘｘは第１の配線層ｆを使
用している。コンデンサーＣ１はゲート配線層ｂ、ゲー
ト酸化膜層ｃ及びポリシリコン層ｄで構成している。
尚、図４においてＥＬと記したノードＭ１／ＤがＥＬ素
子の電流注入端子への接続パッドであり図４には第２の
配線層ｈ、ＥＬ発光層ｉ、透明導体層ｊは省略してい
る。
【００８７】表示パネルにおいて画素表示回路１を前述
したようにΔ配列することは非常に重要である。図５は
図４の画素表示回路１のレイアウトを使用してΔ配列レ
イアウトを実現したものである。
【００８８】Δ配列レイアウトにおいては列配線数の制
約が大きいが、図２の画素表示回路１におけるノイズ抑
制線ｘｘｘの結線される信号供給回路２は、信号供給線
Ｖｉｄｅｏと異なり、何れかの色の信号供給回路２に接
続されれば良いので、列配線への制約が減少できる。例
えば図５においてＲ色のノイズ抑制線ｘｘｘは最も近接
した行のＢ色の画素表示回路１のノイズ抑制線ｘｘｘを
介して接続している。
【００８９】図２の画素表示回路１の使用トランジスタ
数＝６は図６、図９に示す従来の電流設定方式及び電圧
設定方式の使用トランジスタ数＝４に比べて２つ多い。
しかし、電圧設定方式の場合、コンデンサーＣ２を必要
とし、これはトランジスタより大きくなる。また、従来
の電流設定方式においても対ノイズ性を向上させるため
図６のトランジスタＭ２を大きくして信号供給線Ｖｉｄ
ｅｏに供給される設定電流を増やす為、トランジスタ数
＝４であるこれら２つのＥＬ素子駆動回路にレイアウト
上の優位性はない。
【００９０】さらに、図５のΔ配列の画素表示回路１の
レイアウトにおいては、実用化されている４μルールの
ＴＦＴプロセスで列方向が１９０ｐｐｉ、行方向は２０
０ｐｐｉを実現できる。進化の著しいＴＦＴプロセスの
微細化によって列方向も目標である２００ｐｐｉの実現
性は極めて高い。
【００９１】
【発明の効果】以上説明した様に本発明のＥＬ素子駆動
回路を使用した場合、従来の電圧設定方式に比べて使用
する回路素子の特性バラツキの影響を受けずにＥＬ素子
の発光動作を行うことができ、従来の電流設定方式に比
べて信号供給線へのノイズ混入によるＥＬ素子の発光動
作誤差（変動）を著しく減少させるとともに、駆動回路
レイアウトの制約を最小限にでき、高画質のＥＬ素子を
使用した表示パネルを実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子駆動回路の一実施形態を示す
回路図である。
【図２】本発明のＥＬ素子駆動回路の別の実施形態を示
す回路図である。
【図３】図１、図２に示した形態のＥＬ素子駆動回路の
動作を説明するためのタイムチャートである。
【図４】図２に示した形態のＥＬ素子駆動回路に含まれ
る画素表示回路の回路レイアウトの一例である。
【図５】図４の形態の回路レイアウトを有する画素表示
回路を複数Δ配置したタイプの表示パネルの回路レイア
ウトである。
【図６】従来の電流設定方式による画素表示回路の回路
図である。
【図７】図６の画素表示回路の動作を説明するためのタ
イムチャートである。
【図８】電流設定方式による表示パネルの全体ブロック
図である。
【図９】従来の電圧設定方式による画素表示回路の回路
図である。
【図１０】図９の画素表示回路の動作を説明するための
タイムチャートである。
【図１１】ＴＦＴプロセスの構成概念図である。
【符号の説明】
１ 画素表示回路 ２ 信号供給回路 ３ サンプルホールド回路 ４ 水平（列）走査シフトレジスタ ５ パルス発生回路 ６ 基準電流発生回路 ７ 垂直（行）走査シフトレジスタ ８ 入力回路 Ｃ コンデンサー ＥＬ ＥＬ素子 Ｍ１ 第１トランジスタ Ｍ２ 第２トランジスタ Ｍ３ 第１スイッチ Ｍ４ 第２スイッチ Ｍ５ 第３トランジスタ Ｍ６ 第３スイッチ Ｍ７ 第４スイッチ ｘｘｘ ノイズ抑制線 Ｖｉｄｅｏ 信号供給線 ＶＣＣ 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｄ ６８０ ６８０Ｈ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１４ Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB17 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 CC03 DD05 DD30 EE30 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 5F110 AA30 BB02 CC07 DD02 FF02 GG02 GG13 NN72 QQ19

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 注入電流で発光動作するエレクトロルミ
    ネッセンス（ＥＬ）素子を発光させるＥＬ素子駆動回路
    において、 ＥＬ素子と、第１、第２及び第３のトランジスタと、コ
    ンデンサーと、第１、第２及び第３のスイッチと、を少
    なくとも備え、 前記第１トランジスタと第２トランジスタとは、第１主
    電極同士及びゲート電極同士が互いに接続され、 前記コンデンサーは、前記第１トランジスタの第１主電
    極とゲート電極との間に接続され、 前記ＥＬ素子は、前記第１トランジスタの第２主電極に
    接続され、 前記第１スイッチは、前記第２トランジスタの第２主電
    極とゲート電極との間に接続され、 前記第２スイッチは、前記ＥＬ素子への注入電流を規定
    する信号電流を供給するための信号供給線と前記第２ト
    ランジスタの第２主電極との間に接続され、 前記第３トランジスタは、第１主電極が電源に接続さ
    れ、第２主電極が前記第１トランジスタの第１主電極に
    接続され、第１主電極と第２主電極との間の電位差によ
    り所定の方向に電流が流れるようにゲート電極と第１主
    電極又は第２主電極とが短絡され、 前記第３スイッチは、電源と前記第１トランジスタの第
    １主電極との間に接続され、 前記第１スイッチ及び第２スイッチが短絡されていると
    きに前記第３スイッチを開放させ、第１スイッチ及び第
    ２スイッチが開放しているときは前記第３スイッチを短
    絡させるように構成されていることを特徴とするＥＬ素
    子駆動回路。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のＥＬ素子駆動回路をマ
    トリクス状に複数接続したことを特徴とする表示パネ
    ル。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載のＥＬ素子駆動回路にお
    いて、該ＥＬ素子駆動回路が少なくとも画素表示回路と
    信号供給回路とを含み、 前記画素表示回路は、前記ＥＬ素子と、前記第１及び第
    ２のトランジスタと、前記コンデンサーと、前記第１、
    第２及び第３のスイッチと、を含み、さらに第４のスイ
    ッチを備えた回路であり、 前記信号供給回路は、前記第３のトランジスタを含み、 前記画素表示回路と前記信号供給回路とは、少なくとも
    ノイズ抑制線と前記信号供給線とにより接続され、 前記第３トランジスタの第２主電極と前記第１トランジ
    スタの第１主電極とは、前記ノイズ抑制線と前記第４ス
    イッチとを介して接続され、 前記第１スイッチ及び第２スイッチが短絡されていると
    きに前記第３スイッチを開放し前記第４スイッチを短絡
    し、第１スイッチ及び第２スイッチが開放しているとき
    は前記第３スイッチを短絡し前記第４スイッチを開放さ
    せるように構成されていることを特徴とするＥＬ素子駆
    動回路。
  4. 【請求項４】 少なくとも請求項３に記載のＥＬ素子駆
    動回路を複数含み、画素表示回路はマトリクス状に接続
    され、該マトリクス状に接続された画素表示回路のうち
    １ラインに属する画素表示回路を１組として、各組の画
    素表示回路を各組毎に１つずつ配置された信号供給回路
    のそれぞれに共通に接続したことを特徴とする表示パネ
    ル。
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