JP2003318167A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シートフィルムと基板とを均一に相互に押し
付けてシートフィルムに形成した薄膜を基板に対して表
面が平坦で均一な膜厚をもって転写することができる薄
膜形成装置を提供する。 【解決手段】 シートフィルムＦの裏面側で、その上面
がシートフィルムＦの裏面に対して当接自在に第２のプ
レート５が配置されるとともに、さらに第２のプレート
５の下面側にシート状の支持部材９が配置されている。
この支持部材９はシート状弾性部材で構成されており、
その上面中央部で第２のプレート５を支持している。ま
た、支持部材９の周縁部は押圧機構１０と接続されてお
り、この押圧機構１０から与えられる流体圧力に応じて
基板Ｗ側に押圧されて第２のプレート５をシートフィル
ムＦの裏面に当接させる。このようにシートフィルムＦ
側では流体圧力を利用してシートフィルムＦを基板Ｗに
押し付ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、シートフィルム
の表面に形成された薄膜を基板に対向させた状態でシー
トフィルムと基板とを互いに押し付けてシートフィルム
の表面に形成された薄膜を基板に転写して基板に薄膜を
形成する薄膜形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大
口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適
合した薄膜形成方法が必要となってきた。また、ＬＳＩ
製造技術における多層配線技術の分野においては、多層
配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化
する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における
表面の平坦化技術への要求も高まってきている。そこ
で、これらの要求を満足すべく、加圧転写方法によって
基板に薄膜を形成する薄膜形成技術が提案されている。

【０００３】この薄膜形成装置としては、例えば特開２
００１−１３５６２３号公報に記載された装置がある。
この装置では、処理容器の内部に形成される薄膜形成室
内において、例えば図５（ａ）に示すように、加熱ヒー
タ１０１を内蔵する第１のプレート１０２が設けられて
おり、薄膜形成対象となる半導体ウエハや液晶パネル用
ガラス基板など（以下、「基板」という）Ｗを保持可能
となっている。また、薄膜形成室内には、第１のプレー
ト１０２の下方に加熱ヒータ１０３を内蔵する第２のプ
レート１０４が第１のプレート１０２と対向しながら配
置されている。さらに、シートフィルムＦに形成される
薄膜ＴＦを第１のプレート１０２上の基板Ｗに対向させ
ながら基板Ｗと第２のプレート１０４との間にシートフ
ィルムＦが配置されるとともに、その周辺部がフィルム
保持機構（図示省略）によって保持されている。

【０００４】そして、同図（ｂ）に示すように、この状
態のまま基板Ｗを保持する第１のプレート１０２と、シ
ートフィルムＦを保持する第２のプレート１０４とを相
互に近接移動させることによって基板Ｗとシートフィル
ムＦとを相互に押し付けてシートフィルムＦ上の薄膜Ｔ
Ｆを基板Ｗに転写する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の薄
膜形成装置において使用されているシートフィルムＦは
薄くて柔らかく弾性変形しやすいため、上記のようにし
て基板Ｗへの薄膜ＴＦの転写を行う際、第１のプレート
１０２が第２のプレート１０４に対して相対的に傾斜し
ていると、弾撥力のばらつきによりシートフィルムＦの
各部の変形量が異なり、基板Ｗの全面を均一な加重圧力
でシートフィルムＦに相対的に押し付けることができ
ず、表面が平坦で均一な膜厚の薄膜を基板Ｗに転写する
ことができないという問題が発生する。

【０００６】また、図５（ｂ）の１点鎖線円ＥＰに示す
ように、薄膜ＴＦのエッジ部では基板Ｗとシートフィル
ムＦとが離れて微小空間が形成されている。このため、
薄膜ＴＦのエッジ部の全てが基板Ｗに押し付けられて転
写処理が確実に行われているわけではなく、実際にシー
トフィルムＦを剥がした際にエッジ部の転写を良好に行
うことができない場合があった。

【０００７】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、シートフィルムと基板とを均一に相互に押し付け
てシートフィルムに形成した薄膜を基板に対して表面が
平坦で均一な膜厚をもって転写することができる薄膜形
成装置を提供することを第１の目的とする。

【０００８】また、この発明は、上記第１の目的を達成
した上で、さらに薄膜のエッジ部を基板と確実に密着さ
せてエッジ部を確実に基板に転写することができる薄膜
形成装置を提供することを第２の目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明は、シートフィ
ルムの表面に形成された薄膜を基板に対向させた状態で
シートフィルムと基板とを互いに押し付けて薄膜を基板
に転写して基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であっ
て、上記第１の目的を達成するため、その一方主面をシ
ートフィルムの裏面に当接可能に配置されたプレート部
材と、プレート部材の他方主面側に配置された支持部材
と、流体圧力によって支持部材を基板側に押圧する押圧
手段とを備えている。そして、支持部材は押圧手段によ
り基板側に押圧されることでプレート部材の他方主面お
よび側面部に沿って変形しながらプレート部材をシート
フィルムの裏面に当接させて流体圧力をシートフィルム
に与えるように構成している。

【００１０】このように構成された発明では、押圧手段
から支持部材に対して流体圧力が基板側に向けて与えら
るのに応じてプレート部材がシートフィルムを基板側に
押圧する。このとき、支持部材はプレート部材の他方主
面および側面部に沿って変形しながらプレート部材に対
して流体圧力が基板側に向けて加わることとなる。した
がって、プレート部材全体に均一な圧力が印加され、そ
の結果、シートフィルムは基板に向けて均一な圧力で押
し付けられ、シートフィルムに形成した薄膜が均一に転
写される。

【００１１】ここで、押圧手段からの流体圧力によって
支持部材をプレート部材の他方主面および側面部に沿っ
て変形させるためには、支持部材を弾性体で構成するの
が望ましい。

【００１２】また、プレート部材の一方主面とシートフ
ィルム上の薄膜との大小関係ならびに両者の配置関係を
適切に設定することで薄膜のエッジ部を基板と確実に密
着させてエッジ部を確実に基板に転写することが可能と
なり、上記第２の目的を達成することができる。例え
ば、プレート部材の一方主面がシートフィルム上の薄膜
よりも狭くなるように設定するとともに、押圧手段によ
り支持部材を基板側に押圧した際に支持部材からの流体
圧力を受けてプレート部材がシートフィルム上の薄膜の
略中央部を基板側に押圧するように構成するのが望まし
い。というのも、このように構成することで、薄膜の略
中央部をプレート部材により押圧する一方、そのプレー
ト部材の周辺領域において支持部材が直接シートフィル
ムの裏面に当接して該薄膜のエッジ部を基板側に押圧す
ることとなり、薄膜の略中央部はもちろんのことエッジ
部に対しても均一な圧力を加えることができるからであ
る。

【００１３】また、プレート部材の一方主面がシートフ
ィルム上の薄膜とほぼ同じ大きさとなっている場合に
も、押圧手段により支持部材を基板側に押圧した際に支
持部材からの流体圧力を受けてプレート部材がシートフ
ィルム上の薄膜全体を基板側に押圧するように構成する
のが望ましく、このように構成することでプレート部材
の周辺領域において支持部材が直接シートフィルムの裏
面に当接してエッジ部の周囲でシートフィルムを基板に
密着させ、薄膜の略中央部はもちろんのことエッジ部に
対しても均一な圧力を加えることができる。

【００１４】さらに、基板を加熱したり、シートフィル
ム上の薄膜を加熱するように構成してもよく、このよう
に加熱手段を設けることで薄膜転写を良好に行うことが
可能となる。特に、薄膜を加熱する薄膜加熱手段として
は、例えばプレート部材に設けるように構成したり、支
持部材に対して流体圧力を与えるために用いられる流体
を加熱する流体加熱部で構成するようにしてもよい。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は、この発明にかかる薄膜形
成装置の一実施形態を示す図である。また、図２は図１
の薄膜形成装置の部分拡大断面図である。この薄膜形成
装置は、その内部が後述するようにして転写処理を行う
薄膜形成室１１となっている処理容器１を有している。
また、この処理容器１の側面底部には、排気口１２が設
けられており、この排気口１２に薄膜形成室１１の圧力
を調整する圧力制御ユニット２が接続されている。

【００１６】この圧力制御ユニット２では、バタフライ
バルブ２１を介して真空ポンプ２２が薄膜形成室１１と
連通されており、バタフライバルブ２１を開いた状態
で、装置全体を制御する制御部３からの動作信号に応じ
て真空ポンプ２２が作動すると、薄膜形成室１１内が排
気減圧される。また、圧力制御ユニット２には、バタフ
ライバルブ２１の開度をコントロールするバルブコント
ローラ２３が設けられており、制御部３からの開度信号
に応じてバルブコントローラ２３がバタフライバルブ２
１の開閉、さらには開度を調整することで薄膜形成室１
１からの排気量を調整し、薄膜形成室１１内の圧力（真
空度）を制御可能となっている。なお、この実施形態で
は、薄膜形成室１１内の圧力を精度良く制御するため
に、薄膜形成室１１内の圧力を測定する圧力計３１を設
け、この圧力計３１の測定結果を制御部３に出力し、こ
の測定結果に基づくフィードバック制御を実行してい
る。

【００１７】また、この処理容器１の上面周縁部には、
導入口１３が設けられており、この導入口１３を介して
一定流量の窒素ガスが薄膜形成室１１内に供給されてい
る。すなわち、この導入口１３はマスフローコントロー
ラ１４を介して窒素ガス供給源（図示省略）と接続され
ており、制御部３から与えられるガス供給信号に基づき
マスフローコントローラ１４が導入口１３を介して薄膜
形成室１１に供給される窒素ガスの流入量をコントロー
ルしている。なお、この実施形態では、後で説明する転
写処理を良好に行うために窒素ガスを供給しているが、
薄膜形成室１１に供給するガス種はこれに限定されるも
のではなく、転写処理に適したガスを供給すればよい。

【００１８】こうして圧力調整の対象となっている薄膜
形成室１１には、第１、第２のプレート４，５が上下に
対向して収容されている。これらのプレートのうち、第
１のプレート４は、第２のプレート５と対向する下面に
薄膜形成対象である基板Ｗを保持可能となっている。こ
こで、薄膜形成対象となる基板Ｗとしては、例えば円板
状に形成された半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に
電極配線としてＡｌ配線をパターニング形成した構造を
有するものがあり、以下においては、この基板Ｗのパタ
ーニング形成面側に後述する絶縁膜（薄膜）を転写する
場合について説明する。

【００１９】この第１のプレート４の下面には、平坦性
を確保するために研磨された石英板４１が設けられてお
り、この石英板４１に基板Ｗが装着される。このように
基板Ｗと直接接触する板材４１として石英を用いた理由
は、石英が基板Ｗを汚染する物質を含まないこと、およ
び加工性がよく、必要とする平坦性が容易に得られるこ
となどからである。

【００２０】また、第１のプレート４には、基板加熱手
段として加熱ヒータ６１が内蔵されている。この加熱ヒ
ータ６１は制御部３から与えられる基板温度信号に基づ
きヒータコントローラ６２によって制御され、例えば２
５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。そして、第
１のプレート４は処理容器１内に吊設され、加重モータ
７によって昇降されるように構成されている。

【００２１】また、もう一方のプレート、つまり第２の
プレート５は、上記第１のプレート４と同様の理由から
例えば石英板で構成されており、本発明の「プレート部
材」に相当する。そして、この第２のプレート５はフィ
ルム保持緊張機構８により保持されたシートフィルムＦ
の裏面（薄膜ＴＦが形成されていない面）側に配置され
ており、シートフィルムＦの裏面に対して当接可能とな
っている。そして、第２のプレート５においても、第１
のプレート４と同様に、薄膜加熱手段として加熱ヒータ
６３が内蔵されており、制御部３から与えられる薄膜温
度信号に基づきヒータコントローラ６４によって制御さ
れ、例えば２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御され
る。なお、基板Ｗと薄膜ＴＦの各温度については、基板
Ｗや薄膜ＴＦの種類やサイズ等に応じた値に設定すれば
よく、本実施形態では各温度を個別に制御している。

【００２２】図３は、フィルム保持緊張機構の構成およ
び動作を示す図である。フィルム保持緊張機構８は、シ
ートフィルムＦを保持するフィルム保持機能とシートフ
ィルムＦを緊張させるフィルム緊張機能を兼ね備えたも
のであり、以下のように構成することで両機能を発揮さ
せている。すなわち、フィルム保持緊張機構８は、同図
（ａ）に示すようにシートフィルムＦの外周縁部の表裏
面を挟持する一対の挾持体８１ａ，８１ｂと、これらの
挾持体８１ａ，８１ｂを上下動させるエアシリンダ等の
アクチュエータ８２ａ，８２ｂとを備え、シートフィル
ムＦが適宜な供給機構によって供給されてフィルム仮置
き台８３上に載置されると、アクチュエータ８２ａ，８
２ｂが作動して挾持体８１ａ，８１ｂによりシートフィ
ルムＦを挟持するように構成されている。挾持体８１
ａ，８１ｂはそれぞれリング状に形成され、アクチュエ
ータ８２ａ，８２ｂはシートフィルムＦの周方向に等間
隔をおいて複数個設けられ、挾持体８１ａ，８１ｂをそ
れぞれ保持している。

【００２３】また、フィルム保持緊張機構８は、上記の
ようにして保持されたシートフィルムＦに対して熱が加
えられることで熱膨張したシートフィルムＦに所望の張
力を加えて緊張させるためのもので、フレーム８４に下
向きに取付けられたアクチュエータとしてのエアシリン
ダ８５と、このアクチュエータ８５の作動によって同図
（ｂ）に示すように下降することによりシートフィルム
Ｆの外周部、厳密には一対の挾持体８１ａ，８１ｂより
内側部分を押圧する円形の押えリング８６とで構成され
ている。エアシリンダ８５はシートフィルムＦの外周部
に周方向に等間隔をおいて複数個配設され、その可動ロ
ッドの先端に押えリング８６が取付けられている。な
お、全てのエアシリンダ８５は制御部３からの駆動信号
によって同期して作動するように構成されている。

【００２４】図１および図２に戻って説明を続ける。上
記したようにフィルム保持緊張機構８により保持された
シートフィルムＦの裏面側で、その上面（本発明の「一
方主面」に相当）がシートフィルムＦの裏面に対して当
接自在に第２のプレート５が配置されているが、さらに
第２のプレート５の下面（本発明の「他方主面」に相
当）側にシート状の支持部材９が配置されている。この
支持部材９はシート状弾性部材で構成されており、その
上面中央部で第２のプレート５を支持している。より具
体的には、支持部材９の中央部は第２のプレート５の下
面および側面部に沿って変形することで該下面および側
面部と密着しつつ第２のプレート５を下方から支持して
いる。

【００２５】また、支持部材９の周縁部は押圧機構１０
と接続されており、この押圧機構１０から与えられる流
体圧力に応じて基板Ｗ側（図１および図２の上方側）に
押圧されて第２のプレート５をシートフィルムＦの裏面
に当接させるように構成されている。すなわち、この押
圧機構１０は、支持部材９と協働して第２のプレート５
の下面側で閉空間ＳＰを形成するベース部材１０ａと、
閉空間ＳＰに流体を供給する流体供給部１０ｂとを有し
ている。そして、制御部３から与えられる流体供給信号
に基づき流体供給部１０ｂが閉空間ＳＰに供給する流体
１０ｃの量を制御することで支持部材９に与える流体圧
力を任意に設定可能となっている。

【００２６】次に、上記した薄膜形成装置を使用した薄
膜形成手順について説明する。本実施形態においては、
第１のプレート４の下面に基板Ｗがパターニング形成面
（電極配線を形成した面）を下に向けて装着される。ま
た、第２のプレート５の上方には、シートフィルムＦが
絶縁膜などの薄膜ＴＦを上に向けて供給され、その外周
縁部がフィルム保持緊張機構８によって保持される。な
お、この段階では、フィルム保持緊張機構８によるシー
トフィルムＦの緊張は行われておらず、また流体供給部
１０ｂから閉空間ＳＰに供給されている流体１０ｃの量
は比較的少なく、図２（ａ）に示すように第２のプレー
ト５はシートフィルムＦの下方に離間している。

【００２７】こうして、基板ＷおよびシートフィルムＦ
の搬入および装着が完了すると、制御部３が予めメモリ
（図示省略）に記憶されている転写プログラムにしたが
って装置各部を制御し、次に説明する転写処理を実行し
て薄膜ＴＦを基板Ｗに転写する。

【００２８】まず、制御部３から与えられる開閉信号に
応じてバタフライバルブ２１が開いて真空ポンプ２２に
よる薄膜形成室１１の排気減圧を開始する。すると、薄
膜形成室１１の圧力は徐々に低下していく。また、これ
と並行して、制御部３からのガス供給信号に応じてマス
フローコントローラ１４は導入口１３から供給される窒
素ガスの流量を一定量に維持する。

【００２９】そして、所望の圧力まで減圧されると、ヒ
ータコントローラ６２からの制御信号によって加熱ヒー
タ６１に通電して第１のプレート４を加熱し、基板Ｗを
所望の温度に加熱する。また、シートフィルムＦ側につ
いても、ヒータコントローラ６４からの制御信号によっ
て加熱ヒータ６３に通電して第２のプレート５を加熱す
るとともに、制御部３より流体供給部１０ｂに信号が送
られ、閉空間ＳＰに流体１０ｃを供給することでプレー
ト５の昇降移動を開始する。これによって第２のプレー
ト５がシートフィルムＦの位置まで上昇してプレート５
の上面がシートフィルムＦに接触する。これによって、
シートフィルムＦは加熱されて伸張し波状の弛みが発生
する。そこで、この実施形態では、フィルム保持緊張機
構８によってシートフィルムＦを緊張させて熱膨張によ
る波状の弛みを取り除いている。

【００３０】また、シートフィルムＦの緊張とともに、
加重モータ７の駆動によって第１のプレート４を下降さ
せて基板ＷをシートフィルムＦに押し付けて基板Ｗへの
薄膜ＴＦの転写を開始する。このように、この実施形態
では、基板ＷとシートフィルムＦとを相互に押し付けて
いるが、特にシートフィルムＦ側では流体圧力を利用し
て第２のプレート５をシートフィルムＦの裏面に当接さ
せ、これによってシートフィルムＦを基板Ｗに押し付け
ているため、その押圧力を精度良く制御することができ
る。というのも、制御部３からの信号に応じて流体供給
部１０ｂから閉空間ＳＰに与える流体供給量を制御する
ことで押圧力を任意に設定することができるからであ
る。しかも、流体圧力を支持部材９に作用させた際、支
持部材９はプレート５の下面および側面部に沿って変形
しながらプレート５に対して基板Ｗ側に向けて流体圧力
が加わることとなるため、第２のプレート５全体に均一
な圧力が印加されることとなり、その結果、シートフィ
ルムＦは基板Ｗに向けて均一な圧力で押し付けられてシ
ートフィルムＦに形成した薄膜ＴＦを均一に転写するこ
とができる。

【００３１】これに加えて、この実施形態では図２
（ａ）に示すようにプレート５の上面５ａがシートフィ
ルムＦ上の薄膜ＴＦよりも狭くなるように設計されてい
る、つまりプレート５の幅Ｈ5が薄膜ＴＦの幅Ｈtfより
も小さく、押圧機構１０により支持部材９を基板Ｗ側に
押圧した際には、支持部材９からの流体圧力を受けてプ
レート５がシートフィルムＦ上の薄膜ＴＦの略中央部を
基板Ｗ側に押圧するように構成している。このため、プ
レート５の周辺領域（図２（ｂ）中の符号Ｒで示す領
域）においては、支持部材９が直接シートフィルムＦの
裏面に当接して薄膜ＴＦのエッジ部ＥＧを基板Ｗ側に押
圧することとなり、薄膜ＴＦの中央のみならずエッジ部
ＥＧに対しても均一な圧力を加えることができる。した
がって、薄膜ＴＦのエッジ部ＥＧを基板Ｗと確実に密着
させてエッジ部ＥＧを確実に基板Ｗに転写することがで
きる。

【００３２】なお、こうして基板ＷとシートフィルムＦ
とを相互に押し付けている間も、基板Ｗとシートフィル
ムＦは所定の温度となるように加熱されるとともに、薄
膜形成室１１の圧力も所定値に制御されている。

【００３３】そして、一連の加重操作が終了して転写処
理が完了すると、加重の状態が零となるように制御部３
から加重モータ７に信号を送るとともに、流体供給部１
０ｂに信号を送り、第１、第２のプレート４，５を元の
初期位置に復帰させる。また、両プレート４，５が初期
位置に戻った後、バタフライバルブ２１を閉じるととも
に、真空ポンプ２２を停止させる。

【００３４】次に、薄膜形成室１１の圧力が大気圧に戻
るのを待って、制御部３からマスフローコントローラ１
４にガス供給の停止信号を発する。これにより、薄膜形
成室１１への窒素ガスの供給は停止する。また、薄膜Ｔ
Ｆを挟んでシートフィルムＦと一体となった状態の基板
Ｗを薄膜形成室１１から取り出し、シートフィルムＦを
剥離することによって薄膜ＴＦが形成された基板Ｗを得
る。

【００３５】以上のように、この実施形態によれば、流
体圧力を利用してシートフィルムＦを基板Ｗに押し付け
ているため、シートフィルムＦを基板Ｗに向けて均一な
圧力で押し付けることができ、シートフィルムＦに形成
した薄膜ＴＦを均一に転写することができる。また、プ
レート５の周辺領域Ｒにおいては、支持部材９が直接シ
ートフィルムＦの裏面に当接して薄膜ＴＦのエッジ部Ｅ
Ｇを基板Ｗ側に押圧するように構成しているので、上記
したように薄膜ＴＦのエッジ部ＥＧを基板Ｗと確実に密
着させてエッジ部ＥＧを確実に基板Ｗに転写することが
できる。

【００３６】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態ではプレート５と薄膜ＴＦと
の大小関係が Ｈ5＜Ｈtf となるように設定しているが、例えば図４に示すように
両者がほぼ同一となるように構成しても、上記と同様の
作用効果が得られる。

【００３７】また、上記実施形態では、シートフィルム
Ｆを円板状に形成し、一枚ずつ第１、第２のプレート
４，５間に供給し、シートフィルムＦを押圧するように
した薄膜形成装置に適用したが、ロール状のシートフィ
ルムを用いた薄膜形成装置にもそのまま適用することが
できる。また、上記した実施形態では、第１のプレート
４を加重モータ７によって昇降させるようにしたが、第
１のプレート４を固定配置して押圧機構１０のみにより
基板ＷとシートフィルムＦとを相互に押し付けるように
構成してもよい。

【００３８】また、上記実施形態では、熱可塑性合成樹
脂フィルムによるシートフィルムＦを用いたが、これに
限らず、金属系フィルムなどでもよいことはいうまでも
ない。

【００３９】また、上記実施形態では、薄膜ＴＦを加熱
するための薄膜加熱手段として第２のプレート５に加熱
ヒータ６３を設けているが、薄膜加熱手段としては流体
を加熱する流体加熱部を設けるようにしてもよい。ま
た、加熱ヒータ６３と流体加熱部を併用するようにして
もよいことはいうまでもない。

【００４０】さらに、上記実施形態では、シートフィル
ムＦに絶縁膜を薄膜ＴＦとして形成しているが、シート
フィルム上に形成可能な薄膜であれば絶縁膜に限るもの
ではなく、他の薄膜、例えば金属系の薄膜を形成しても
よい。さらに、上記した実施形態では、半導体基板に薄
膜を形成する例を示したが、これに限らず、電子部品材
料関係であればマルチチップモジュール等の実装関係の
基板や液晶関係の基板にも適用できることはいうまでも
ない。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、押圧
手段から支持部材に対して基板側に向けて流体圧力を与
えることでプレート部材がシートフィルムを基板側に押
圧するように構成しているので、プレート部材全体に均
一な圧力が印加されてシートフィルムを基板に向けて均
一な圧力で押し付けることができる。その結果、シート
フィルムに形成した薄膜を基板に対して表面が平坦で均
一な膜厚をもって転写することができる。

【００４２】また、プレート部材の一方主面がシートフ
ィルム上の薄膜とほぼ同一、あるいは狭くなるように構
成し、押圧手段により支持部材を基板側に押圧した際に
支持部材からの流体圧力をプレート部材に与えるだけで
なく、プレート部材の周辺領域において支持部材を直接
シートフィルムの裏面に当接させるように構成している
ので、薄膜に対して均一な圧力を加えることができる。
したがって、薄膜のエッジ部を基板と確実に密着させて
エッジ部を確実に基板に転写することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を
示す図である。

【図２】図１の薄膜形成装置の部分拡大断面図である。

【図３】フィルム保持緊張機構の構成および動作を示す
図である。

【図４】この発明にかかる薄膜形成装置の他の実施形態
を示す図である。

【図５】従来の薄膜形成装置の動作を示す図である。

【符号の説明】

５…第２のプレート（プレート部材） ５ａ…上面（プレート部材の一方主面） ９…支持部材 １０…押圧機構 １０ａ…ベース部材 １０ｂ…流体供給部 １０ｃ…流体 ６１…加熱ヒータ（基板加熱手段） ６３…加熱ヒータ（薄膜加熱手段） ＥＧ…（薄膜の）エッジ部 Ｆ…シートフィルム Ｒ…（プレート部材の）周辺領域 ＳＰ…閉空間 ＴＦ…薄膜 Ｗ…基板

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シートフィルムの表面に形成された薄膜
   を基板に対向させた状態で前記シートフィルムと前記基
   板とを互いに押し付けて前記薄膜を前記基板に転写して
   前記基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、 その一方主面を前記シートフィルムの裏面に当接可能に
   配置されたプレート部材と、 前記プレート部材の他方主面側に配置された支持部材
   と、 流体圧力によって前記支持部材を前記基板側に押圧する
   押圧手段とを備え、 前記支持部材は前記押圧手段により前記基板側に押圧さ
   れることで前記プレート部材の前記他方主面および側面
   部に沿って変形しながら前記プレート部材を前記シート
   フィルムの裏面に当接させて前記流体圧力を前記シート
   フィルムに与えることを特徴とする薄膜形成装置。
2. 【請求項２】 前記支持部材が弾性体である請求項１記
   載の薄膜形成装置。
3. 【請求項３】 前記プレート部材の前記一方主面は前記
   シートフィルム上の薄膜よりも狭くなっており、 前記支持部材が前記押圧手段により前記基板側に押圧さ
   れることで、前記プレート部材が前記シートフィルム上
   の薄膜の略中央部を前記基板側に押圧する一方、前記プ
   レート部材の周辺領域において前記支持部材が直接前記
   シートフィルムの裏面に当接して該薄膜のエッジ部を前
   記基板側に押圧する請求項１または２記載の薄膜形成装
   置。
4. 【請求項４】 前記プレート部材の前記一方主面は前記
   シートフィルム上の薄膜とほぼ同じ大きさとなってお
   り、 前記支持部材が前記押圧手段により前記基板側に押圧さ
   れることで、前記プレート部材が前記シートフィルム上
   の薄膜全体を前記基板側に押圧する一方、前記プレート
   部材の周辺領域において前記支持部材が直接前記シート
   フィルムの裏面に当接する請求項１または２記載の薄膜
   形成装置。
5. 【請求項５】 少なくとも前記シートフィルムと前記基
   板とが互いに押し付けられているときに、前記基板を加
   熱する基板加熱手段をさらに備える請求項１ないし４の
   いずれかに記載の薄膜形成装置。
6. 【請求項６】 少なくとも前記シートフィルムと前記基
   板とが互いに押し付けられているときに、前記シートフ
   ィルム上の薄膜を加熱する薄膜加熱手段をさらに備える
   請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜形成装置。
7. 【請求項７】 前記薄膜加熱手段は前記プレート部材に
   設けられる請求項６記載の薄膜形成装置。
8. 【請求項８】 前記薄膜加熱手段は前記支持部材に対し
   て流体圧力を与えるために用いられる流体を加熱する流
   体加熱部を有する請求項６または７記載の薄膜形成装
   置。
9. 【請求項９】 前記押圧手段は、前記支持部材と協働し
   て前記プレート部材の他方主面側で閉空間を形成するベ
   ース部材と、前記閉空間に流体を供給する流体供給部と
   を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜形成
   装置。