JP2003318141A - ウエハ研磨用化学−機械的研磨機とこの研磨機に適合したアブレーシブ送給装置 - Google Patents

ウエハ研磨用化学−機械的研磨機とこの研磨機に適合したアブレーシブ送給装置

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JP2003318141A
JP2003318141A JP2003105017A JP2003105017A JP2003318141A JP 2003318141 A JP2003318141 A JP 2003318141A JP 2003105017 A JP2003105017 A JP 2003105017A JP 2003105017 A JP2003105017 A JP 2003105017A JP 2003318141 A JP2003318141 A JP 2003318141A
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Frederic Metral
メトラル、フレデリック
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定性の高い研磨ができ、研磨ヘッドとの動
作干渉を起こさず、非消耗部品として頻繁な部品交換が
不要でアブレーシブの無駄な損失を生じることのないア
ブレーシブ送給装置を備えた化学−機械的研磨機を提供
する。 【解決手段】 回転研磨ターンテーブル(1)と相対移動
可能な研磨ヘッド(4)が非回転部分(42)と研磨対象ウエ
ハ(P)を保持する回転部分(40, 41)とを有する。ターン
テーブル面にアブレーシブ(A)を送給する手段(5)は送給
リング(50)を含み、送給リングはターンテーブルに対面
して開口した複数の送給オリフィス(53)と、リングをタ
ーンテーブル面と平行な平面内で研磨ヘッドの回転部分
の周囲に配置して非回転部分に固定する固定手段(420,
520, 52)を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学用、光電子工
学用又は電子工学用の基板の製造に用いられるウエハ、
特に半導体材料のウエハを研磨するための化学−機械的
研磨機に関するものである。本発明はまた、係る研磨機
に適合したアブレーシブの送給装置にも関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハは集積回路の製造に広く利
用されている。その場合の製造工程において、ソース基
板を構成する第1ウエハから切り出した薄層を支持体と
なる第2ウエハの表面に直接移し替えてボンディングす
る技術が利用されている。このような直接ボンディング
技術では、接合表面の粗度及び平坦度に関する要求が極
めて高く、ウエハ表面を完全に研磨する必要がある。
【0003】また、例えばスマートカット法(Smart Cu
t:登録商標)の名称で知られている方法などの幾つかの
方法では、1枚のウエハから多くの薄層の移し替えが行
われるが、1層の切り出しのたびに予めウエハ面が修整
され、この修整作業も研磨によって行われる。
【0004】これら両方の場合において、研磨作業は化
学−機械的研磨機によって実行される。
【0005】係る研磨機は当業者に公知であり、図1に
模式的に示すように一般には研磨用ターンテーブル1
と、研磨ヘッド2と、ペーストもしくは液体状のアブレ
ーシブAを散布する固定の散布具3とを備えている。一
例として、アブレーシブにはコロイド状シリカが用いら
れている。
【0006】研磨用ターンテーブル1は縦軸X−X’回
りに回転するディスク10を備え、この回転運動を矢印
R1で表してある。ディスク10は研磨クロス11で被
覆されている。
【0007】研磨ヘッド2も回転式(矢印R2)であ
り、一般にはターンテーブル1と同じ方向へ回転する。
研磨ヘッドは付勢されることによって矢印Fで示すよう
に振幅動作、即ち周期的往復運動も行う。この往復運動
は、一般には研磨ヘッド2がターンテーブル1のテーブ
ル面と平行に移動するようにターンテーブル1の半径に
沿って行われる。
【0008】研磨ヘッド2は、研磨すべきウエハPをヘ
ッドに保持固定するための保持手段(図示しない)を備
えている。
【0009】一般に、この保持手段は高い粘着係数の材
料から成るディスク形状のインサートを備え、このイン
サートは研磨ヘッド2に固定された止め輪で周囲を囲ま
れている。インサートは片面、即ち背面で研磨対象のウ
エハPを保持し、止め輪はその周縁でインサートを保持
している。
【0010】これらの保持手段によりウエハPは研磨ヘ
ッド2と共に回転できるようになっている。止め輪は、
ウエハPの横ずれを阻止すると共にウエハがターンテー
ブル1の回転によって生じる線速度に引き込まれるのを
阻止している。
【0011】また、研磨ヘッド2はウエハPの前面(研
磨対象面)をターンテーブル1上の研磨クロス11に押
し付ける機能も果たしている。
【0012】従ってウエハPの前面は、研磨ヘッド2と
ターンテーブル1との相対運動、即ち機械的運動によっ
て研磨されると同時にアブレーシブAによって構成され
る化学物質の存在によっても研磨され、かくして係る研
磨機の研磨動作は「化学−機械的研磨」と称されている
わけである。
【0013】ターンテーブル1の回転と同時に研磨ヘッ
ド2が付勢によって周期的往復運動Fを行うので、研磨
クロス11は確実にその全面に亘り均一に使われること
になる。
【0014】研磨ヘッド2の往復運動Fにより、ターン
テーブル1の半径のほぼ中間の固定位置に配置されてい
るアブレーシブ散布具3とヘッド2との距離dも変化す
る。これこそが、この研磨法における研磨の仕上がりに
再現性が得られないことの原因である。
【0015】また、距離dが大きくなった場合、即ちヘ
ッド2がターンテーブル1の中心もしくは周縁部のいず
れかに位置して散布具3の位置から最も離れた場合には
アブレーシブAの散逸が見られるようになり、アブレー
シブの無視できない損失を招く結果となっている。
【0016】特許文献1(欧州特許出願公開第1037
262号明細書)には、上述と同様のウエハ用化学−機
械的研磨機が開示されている。
【0017】この研磨機では、研磨ヘッドは止め輪によ
って囲まれており、研磨用ターンテーブルに接する側の
止め輪の表面には逆U字状断面形状の環状溝が設けられ
ている。この環状溝は、対面するターンテーブルの表面
との組み合わせでアブレーシブ混合物のためのポケット
を形成し、この場合、アブレーシブ混合物は外部供給源
から管を介して逆U字溝内に供給される。アブレーシブ
混合物は研磨用ターンテーブルの全面に分散され、ター
ンテーブルと研磨すべきウエハの表面との間で擦られる
ことになる。
【0018】しかしながら、この研磨機は以下のような
種々の欠点を有している。
【0019】即ち、止め輪が研磨ヘッドと一体に回転し
てしまうので、止め輪の内部へアブレーシブを供給する
管(チューブ)がヘッドに巻き付いてしまい、ヘッドの
動作を大いに妨げる結果となる。
【0020】また、止め輪は研磨用ターンテーブルを覆
っている研磨クロスに直接接触しているので消耗部品と
なり、従って定期的に止め輪を交換する必要がある。と
ころがU字状溝の機械加工が止め輪の構造をかなり複雑
にしており、結果として止め輪の製作が比較的高価なも
のとなって、その交換も研磨機の全体的な稼働コストの
増加要因となっている。
【0021】更に、アブレーシブは逆U字溝を介して止
め輪の全周に供給され、そこには特定の局所領域で供給
を制限する手段が何もないという欠点もある。
【0022】また特許文献2(米国特許第603048
7号明細書)にもウエハ研磨用の化学−機械的研磨ヘッ
ドが開示されており、このヘッドはアブレーシブ混合物
と対面する研磨用ターンテーブルの表面を更新するため
の処理液との双方を同時に供給可能とする付加装置を備
えている。
【0023】この付加装置は4本の脚部を備えており、
各脚部にはそれぞれ1つ以上の通路が穿孔され、これら
の通路を介して円の1/4(90°)ずつを分担する4
つのスカート部材にそれぞれ上述処理液を送給できるよ
うにし、各スカート部材にも同様に複数の送給用通路と
オリフィスが穿孔されている。
【0024】しかしながら、この付加装置は回転する研
磨ヘッドに固定されているので付加装置も回転し、その
結果、アブレーシブの送給が不規則になったり、ウエハ
の外方へ散布されたりする欠点がある。従って高い研磨
の安定性が得られないだけでなく、一部のアブレーシブ
は研磨に利用されないので経済的な観点からも重大な欠
点がある。
【0025】更に特許文献3(国際公開第01/919
74号パンフレット)にもウエハ研磨機に用いられるア
ブレーシブ混合物送給装置が開示されている。この装置
は環状のウエハ支持体を備えており、この支持体には、
その平らな底面に開口する複数の縦向きのアブレーシブ
供給通路が設けられている。
【0026】しかしながら、この装置もまた、ウエハ支
持体が研磨機の機能を維持するために定期的に交換しな
ければならない消耗部品であるにもかかわらず、そのよ
うなウエハ支持体に複数の通路を直接機械加工するとい
う欠点に悩まされている。即ち、このように従来の支持
体よりも複雑な構造のウエハ支持体は更に高価であるの
で、その交換に伴ってコストも増加する。
【0027】
【特許文献1】欧州特許出願公開第1037262号明
細書
【特許文献2】米国特許第6030487号明細書
【特許文献3】国際公開第01/91974号パンフレ
ット
【0028】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術の上述の欠点を解消することであり、高い安定性で
再現性のよい研磨が可能であり、研磨ヘッドとの動作干
渉を起こさず、非消耗部品として頻繁な部品交換が不要
で、しかもアブレーシブの無駄な損失を生じることのな
いアブレーシブ送給装置を備えた化学−機械的研磨機及
びそのように適合した研磨機用アブレーシブ送給装置を
提供することである。
【0029】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するため、光学用、光電子工学用又は電子工学用の
基板の製造に用いられる特に半導体材料のウエハを研磨
するための化学−機械的研磨機を提供するものであり、
この研磨機は、回転駆動される研磨用ターンテーブル
と、研磨用ターンテーブル(1)と相対移動可能で、非
回転部分(42)と、研磨すべきウエハ(P)を保持す
るための保持手段を有する回転部分(40,41)とを
有し、回転部分(40,41)によりウエハ(P)の片
面を研磨用ターンテーブル(1)に接触させたままウエ
ハを回転駆動可能な研磨ヘッド(4)と、研磨用ターン
テーブル(1)のテーブル面にアブレーシブ(A)を送
給するための手段(5)とを備えている。
【0030】本発明による研磨機では、アブレーシブの
送給手段はアブレーシブの供給源に接続された環状の管
から成るアブレーシブ送給リングを含み、アブレーシブ
送給リングはそれぞれ研磨用ターンテーブルのテーブル
面に対面するように開口した複数のアブレーシブ送給オ
リフィスを有すると共に該リングを研磨用ターンテーブ
ルのテーブル面と平行で且つ該テーブル面から離れた平
面内にて前記回転部分の周囲に配置した状態のまま研磨
ヘッドの非回転部分に固定する固定手段を備えている。
【0031】本発明の限定を意図しない好適な実施形態
としては、以下に列挙する特徴を単独又は組み合わせ
て、 ・研磨ヘッドが研磨用ターンテーブルのテーブル面と平
行な平面内で往復運動可能であるもの、 ・全てのアブレーシブ送給オリフィスが研磨すべきウエ
ハの外周縁から等距離にあるもの、 ・アブレーシブ送給オリフィスが選択的にプラグで閉鎖
可能であるもの、を挙げることができる。
【0032】本発明はまた、ウエハ研磨用の化学−機械
的研磨機の研磨用ターンテーブルの表面にアブレーシブ
を送給する装置も提供する。
【0033】このアブレーシブ送給装置は、アブレーシ
ブ送給リングを形成する環状の管を備え、該リングには
供給源からのアブレーシブの導入手段と、該リングの下
面に分布配置された複数のアブレーシブ送給オリフィス
と、該リングを研磨機に取り付けられた研磨ヘッドの非
回転部分に固定する固定手段とが設けられていることを
特徴とする。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の特徴と利点及びそ
の他の詳細を図示の実施形態に基づいて詳しく説明す
る。尚、これらの実施形態は本発明を限定するものでは
なく、当業者に自明なその変形態様も本発明の技術的範
疇に包含されることは述べるまでもないことである。
【0035】図2に示すように、本発明による化学−機
械的研磨機は、図1に示した従来技術で述べたのと同様
の研磨用ターンテーブル1を備えており、このターンテ
ーブル1も図1と同一符号で示す各部品の組み合わせか
ら成っている。
【0036】研磨ヘッドは全体符号4で示されている。
研磨ヘッド4は一般にディスク形状の剛性回転部分40
を備え、この剛性回転部分40は図示しないモータによ
り駆動軸41を介して回転される。この回転は縦軸Y−
Y’回りに行われる。
【0037】回転部分40は研磨すべきウエハPを着脱
可能に保持固定するための保持手段を備えており、この
保持手段によりウエハも一体的に回転できるようになっ
ている。保持手段としては、例えば前述した従来技術で
公知の研磨ヘッド用のものと同様の止め輪とインサート
を使用することができる。勿論、当業者に公知のその他
の保持手段を使用してもよい。
【0038】研磨ヘッド4は、ターンテーブル1、即ち
それを被覆している研磨布11に対してウエハPの研磨
対象面を適切な力で押し付ける手段(図示しない)も備
えている。この押しつけの圧力は、一般にはアクチュエ
ータによって研磨ヘッドに直接作用させるか、さもなけ
れば例えばバルーンなどのダイヤフラムでウエハに作用
させるかのいずれかである。
【0039】駆動軸41は軸スリーブ42の内部を貫通
しており、研磨ヘッド4を支持及び駆動するための図示
しない手段に連結されている。
【0040】軸スリーブ42は軸回転不能な非回転部分
であり、矢印Fで示す周期的往復運動のみ可能となって
いる。この往復運動は好ましくはターンテーブル1の半
径方向に沿って行われる。駆動軸41と軸スリーブ42
は同心配置とすることが好ましい。尚、縦軸Y−Y’方
向に関して、軸スリーブ42は図示しない昇降装置によ
り駆動軸41と共に制御された量だけ昇降可能であり、
また軸スリーブ42と駆動軸41との相対位置も後述の
間隔Dが予め定められた最小値以上となる限り任意に調
整可能としてもよい。
【0041】尚、研磨ヘッド自体の構造は当業者に公知
のものと大差ないので、ここではその詳細な説明は省略
する。本発明において、研磨ヘッド4はアブレーシブ送
給装置5を装備している。
【0042】このアブレーシブ送給装置5は、平面図で
リングの形状となるように環状に成形された管50を備
えており、ここではこれをアブレーシブ送給リングと称
している。
【0043】図3に示すように、このリング50は回転
軸心Y−Y’を有しており、この回転軸心は、リング5
0がヘッド4の非回転部分であるスリーブ42に固定さ
れた状態では研磨ヘッド4の縦軸Y−Y’と同軸とな
る。
【0044】リング50は、軸心(縦軸)Y−Y’を含
む縦断面内で矩形の断面形状のものとすることが好まし
い。
【0045】これによってリング50は、共に平面の頂
面501と底面502、そして共に円筒面の内周面と外
周面を持つことになる。
【0046】好ましくはリング50はフッ素重合体タイ
プの熱可塑性樹脂(例えばパーフルオロ・アルコキシレ
ジンPFA)で成形するとよい。
【0047】図2に更に明瞭に示したように、リング5
0はチューブのようなアブレーシブ供給手段54を介し
てアブレーシブ供給源(図示しない)に接続されてい
る。このチューブ51はリング50の頂面501に固定
されており、この頂面501に設けられたオリフィス
(図示しない)を通じてリング内部に開口している。
【0048】アブレーシブは、その粘性に応じて加圧送
給されるか或いは単に重力による流下で供給される。
【0049】また、送給リング50は、非回転部分であ
る軸スリーブ42への固定手段として例えばリング外周
面504に溶接された固定用ブラケット52を有してい
る。固定用ブラケット52は、例えばネジなどの適宜な
止着手段により研磨ヘッド4上の軸スリーブ42の基部
に取り付けられているカラー420に固定される。図2
では、この固定部分の止着軸心のみを符号520で示し
てある。
【0050】更に、図3及び図4に明示するように、送
給リング50はその底面502に一列に並んだオリフィ
ス53を有し、これらのオリフィス53は本発明で言う
アブレーシブ送給オリフィスであって、リングの全周に
亘り均等に分布配置されている。例えば、30°間隔で
12箇所のオリフィス53を設けることができる。
【0051】これら全てのオリフィス53は、縦軸Y−
Y’から、従って研磨ヘッド4及びそれに固定された研
磨対象のウエハPの外周縁から等距離に配置されている
ことが好ましい。リング50が研磨ヘッド4の軸スリー
ブ42に装着された状態において、これらのオリフィス
53は研磨用ターンテーブル1上の研磨布11に対面し
て開口している。
【0052】これらの送給オリフィス53は選択的にプ
ラグ54で閉鎖可能である。プラグ54は例えばオリフ
ィス53に螺入することができ、この場合、プラグとオ
リフィスにはネジ溝が設けられることは述べるまでもな
い。
【0053】このようにして、開口させておく送給オリ
フィス53の数とその空間的な分布とを選択することが
できる。従って、アブレーシブの送給量を例えば研磨対
象のウエハPの構成材料に応じて変えることができる。
【0054】軸スリーブ42に対する送給リング50の
固定は、リングの底面502が研磨用ターンテーブル1
のテーブル面と平行又はほぼ平行で且つ僅かに上方に位
置する面内にあるようにする。即ち、図2に示すよう
に、送給リング50の底面502は研磨用ターンテーブ
ル1上の研磨布11から間隔Dの位置にあり、この間隔
Dは例えば5〜10cmの範囲内とすることができる。
従って送給リング50は研磨布11に接触することはな
く、その結果、研磨布11がリング50との接触で無用
に消耗することはない。
【0055】本発明による化学−機械的研磨機による研
磨作業の開始操作を図2〜4を参照して説明すれば以下
の通りである。
【0056】まず研磨対象のウエハPが研磨ヘッド4の
回転部分40に固定される。回転部分40が研磨用ター
ンテーブル1の回転と共に回転され、同時に液体アブレ
ーシブがチューブ51を介してリング50の内部へ送り
込まれる。アブレーシブはリング内に均一に拡散して各
送給オリフィス53から研磨布11上に流出する。その
後、研磨ヘッド4の周期的往復運動が加わって研磨が行
われる。
【0057】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ウエハ
Pから材料を研磨除去する安定性を向上することが可能
であり、従って均一で再現性のよい研磨を行うことがで
き、アブレーシブの消費量を低減することが可能とな
る。
【0058】また、アブレーシブを均一に分配散布する
ことにより研磨ヘッドと研磨布の間の摩擦を減少するの
で、研磨布の消耗も制限することができる。
【0059】更に、本発明におけるアブレーシブ送給リ
ングは構造が単純で安価に製作することができ、非消耗
部品であるので頻繁に交換する必要もなく、一方で既存
の研磨機の研磨ヘッドにも構造を大幅に改変することな
く選択的に着脱可能である利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術の化学−機械的研磨機を模式的に示す
斜視図である。
【図2】本発明による化学−機械的研磨機の要部を模式
的に示す側面図である。
【図3】本発明におけるアブレーシブ送給リングを中心
軸上の縦断面図で示す拡大図である。
【図4】本発明におけるアブレーシブ送給リングを下か
ら見上げた状態で示す斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 メトラル、フレデリック フランス国、38210 サン−カンタン・ス ール・イゼール、ラ・レプラ(番地なし) Fターム(参考) 3C047 FF08 GG20 3C058 AA07 AC04 CA01 CB03 CB05 DA12

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学用、光電子工学用又は電子工学用の
    基板の製造に用いられる特に半導体材料のウエハを研磨
    するための化学−機械的研磨機であって、 回転駆動される研磨用ターンテーブル(1)と、 研磨用ターンテーブル(1)と相対移動可能で、非回転
    部分(42)と、研磨すべきウエハ(P)を保持するた
    めの保持手段を有する回転部分(40,41)とを有
    し、回転部分(40,41)によりウエハ(P)の片面
    を研磨用ターンテーブル(1)に接触させたままウエハ
    を回転駆動可能な研磨ヘッド(4)と、 研磨用ターンテーブル(1)のテーブル面にアブレーシ
    ブ(A)を送給するための手段(5)とを備え、 アブレーシブ(A)の送給手段(5)はアブレーシブ
    (A)の供給源に接続された環状の管から成るアブレー
    シブ送給リング(50)を含み、アブレーシブ送給リン
    グ(50)はそれぞれ研磨用ターンテーブル(1)のテ
    ーブル面に対面するように開口した複数のアブレーシブ
    送給オリフィス(53)を有すると共に該リングを研磨
    用ターンテーブル(1)のテーブル面と平行で且つ該テ
    ーブル面から離れた平面内にて回転部分(40,41)
    の周囲に配置した状態のまま研磨ヘッド(4)の非回転
    部分(42)に固定する固定手段(420,520,5
    2)を備えたことを特徴とするウエハ研磨用化学−機械
    的研磨機。
  2. 【請求項2】 研磨ヘッド(4)が研磨用ターンテーブ
    ル(1)のテーブル面と平行な平面内で往復運動可能で
    あることを特徴とする請求項1に記載の研磨機。
  3. 【請求項3】 全てのアブレーシブ送給オリフィス(5
    3)が研磨すべきウエハ(P)の外周縁から等距離にあ
    ることを特徴とする請求項1又は2に記載の研磨機。
  4. 【請求項4】 アブレーシブ送給オリフィス(53)が
    選択的にプラグ(54)で閉鎖可能であることを特徴と
    する請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨機。
  5. 【請求項5】 ウエハ(P)を研磨するための化学−機
    械的研磨機の研磨用ターンテーブル(1)の表面にアブ
    レーシブ(A)を送給する装置であって、アブレーシブ
    送給リング(50)を形成する環状の管を備え、該リン
    グ(50)には、供給源からのアブレーシブ(A)の導
    入手段(51)と、該リングの下面(502)に分布配
    置された複数のアブレーシブ送給オリフィス(53)
    と、該リングを研磨機に取り付けられた研磨ヘッド
    (4)の非回転部分(42)に固定する固定手段(52
    0,52)とが設けられていることを特徴とするアブレ
    ーシブ送給装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007168008A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Showa Denko Kk 研磨液の供給装置および研磨装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100395079C (zh) * 2004-11-10 2008-06-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种数控抛光用非接触式喷液磨头
CN103219825A (zh) * 2013-04-24 2013-07-24 常熟市研明电子元器件厂 震荡研磨电机连接装置
CN106625180B (zh) * 2016-12-24 2018-10-23 长沙机超人自动化科技有限公司 一种全自动精密抛光机
CN107650009B (zh) * 2017-11-20 2023-08-25 山东省科学院新材料研究所 一种新型晶片研磨抛光机
CN110695840B (zh) * 2019-11-07 2021-02-02 许昌学院 一种基于光电检测的半导体研磨装置
CN114505782B (zh) * 2020-11-17 2023-08-04 长鑫存储技术有限公司 固定装置及检测系统
US12005545B2 (en) 2020-11-17 2024-06-11 Changxin Memory Technologies, Inc. Fixing device and detection system
CN112757148B (zh) * 2020-12-29 2022-06-21 湖南星科液压有限公司 一种用于液压油缸生产的抛光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4737017A (en) * 1983-10-25 1988-04-12 Minolta Camera Optical element holding mechanism and method of manufacturing the same
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
US6030487A (en) * 1997-06-19 2000-02-29 International Business Machines Corporation Wafer carrier assembly
US6231428B1 (en) * 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
US6527624B1 (en) * 1999-03-26 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Carrier head for providing a polishing slurry
JP3753577B2 (ja) * 1999-11-16 2006-03-08 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
US6409579B1 (en) * 2000-05-31 2002-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for conditioning a polish pad at the point of polish and for dispensing slurry at the point of polish

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007168008A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Showa Denko Kk 研磨液の供給装置および研磨装置

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