JP2003315376A - 電流センサ - Google Patents

電流センサ

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JP2003315376A
JP2003315376A JP2002116881A JP2002116881A JP2003315376A JP 2003315376 A JP2003315376 A JP 2003315376A JP 2002116881 A JP2002116881 A JP 2002116881A JP 2002116881 A JP2002116881 A JP 2002116881A JP 2003315376 A JP2003315376 A JP 2003315376A
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current
magnetic field
current sensor
voltage
amorphous
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JP2002116881A
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English (en)
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Hitoshi Aoyama
均 青山
Yoshinobu Motokura
義信 本蔵
Ryuji Masaki
竜二 正木
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Aichi Micro Intelligent Corp
Original Assignee
Aichi Micro Intelligent Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度変化に対する安定度を改善し、大きな温
度変化が生ずる自動車における精度の悪化を防止し、コ
スト高を防止する。 【解決手段】 測定対象である被検出電線1を流れる電
流により生じる磁場内において、作用している磁場の大
きさから電流に対応する電圧信号を出力する電流センサ
2であって、前記磁場内の出力の線形関係が保持され所
定の磁場の大きさの範囲内となる位置であって磁場の方
向に平行に配設された直径30μmおよび長さ3mm以
下のアモルファスワイヤ30からなり、電流による周囲
の磁場に対応する内部磁場が変化する磁気インピーダン
ス素子3と、該素子3に巻回され磁気インピーダンス素
子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換すること
によりマグネト−インダクティブ磁気検出器20を構成
する検出コイル4および前記検出コイルの電圧を流れる
電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路5とか
ら成る電流センサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、測定対象である被
検出電線を流れる電流により生じる磁場内において、作
用している磁場の大きさから前記被検出電線を流れる電
流に対応する電圧信号を出力するマグネト−インダクテ
ィブ磁気検出器より成る電流センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電流センサ(特開2000−25
8464)は、図31に示されるように上下部材U、D
に分割され、上下部材U、Dの当接面に被検出電線Wが
載置される半円状の凹部Cが中央に形成された筐体部K
の一方の部材に、通電された被検出電線Wの周囲に生じ
る磁界の強さに応じて電圧を発生する磁気インピーダン
ス素子Mと、該磁気インピーダンス素子Mを駆動する駆
動回路DCとを配設することにより、前記磁気インピー
ダンス素子Mの電圧に基づいて計測し被検出電線を流れ
る電流値を求めるものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電流センサ
は、前記筐体部Kの一方の部材Uに配設された前記磁気
インピーダンス素子Mの電圧に基づいて磁界の強さを求
める方法においては、一般的に温度変化に対する安定度
が悪いため、例えば自動車のような大きな温度変化が生
ずる環境の下では精度が悪化して利用できないという問
題があった。
【0004】本発明者らが、磁気インピーダンス素子に
よる磁気計測を温度を変化させて行った結果によれば、
図32に示されるように磁気インピーダンス素子の両端
の出力電圧が、温度変化に応じて変化するため、単独で
用いると温度安定性が悪いという問題があった。
【0005】また温度補償をするために、従来の磁気イ
ンピーダンス素子を2個配設し、差動的に用いて温度変
動分を相殺するようにすると、コスト高になるという問
題があった。一方、磁気インピーダンス素子に巻回した
コイルで電磁誘導の原理により電圧に変換するマグネト
−インダクティブ磁気検出の方法によれば図10のごと
く広い温度変化に対して優れた安定度が得られることを
示している。
【0006】そこで本発明者は、測定対象である被検出
電線を流れる電流により生じる磁場内において、作用し
ている磁場の大きさから前記被検出電線を流れる電流に
対応する電圧信号を出力する電流センサであって、前記
被検出電線を流れる電流により生じる磁場内の出力の線
形関係が保持される位置に配設されたアモルファスワイ
ヤからなり、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化する
アモルファス素子に検出コイルを巻回して、前記アモル
ファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換
することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器を
構成して、信号変換回路により前記検出コイルの電圧を
前記被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換
するという本発明の技術的思想に着眼し、更に研究開発
を重ねた結果、温度変化に対する安定度を改善し、例え
ば自動車のような大きな温度変化が生ずる環境の下にお
ける精度の悪化を防止して利用可能とし、コスト高を防
止するという目的を達成する本発明に到達した。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明(請求項1に記載
の第1発明)の電流センサは、測定対象である被検出電
線を流れる電流により生じる磁場内において、作用して
いる磁場の大きさから前記被検出電線を流れる電流に対
応する電圧信号を出力する電流センサであって、前記被
検出電線を流れる電流により生じる磁場内の出力の線形
関係が保持される位置に配設されたアモルファスワイヤ
からなり、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化するア
モルファス素子と、該アモルファス素子に巻回されアモ
ルファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変
換することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器
を構成する検出コイルおよび前記検出コイルの電圧を前
記被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換す
る信号変換回路とから成るものである。
【0008】本発明(請求項2に記載の第2発明)の電
流センサは、前記第1発明において、前記検出コイルが
巻回されたアモルファス素子と前記信号変換回路が、平
坦面を備えたパッケージ内に収蔵され、前記被検出電線
が、前記パッケージの前記平坦面に当接する絶縁材料よ
り成るスペーサを挟んで当接するように構成されている
ものである。
【0009】本発明(請求項3に記載の第3発明)の電
流センサは、前記第1発明において、前記アモルファス
素子が、流れる電流の方向が互いに逆である前記被検出
電線の2つの被検出電線部により生じる2つの磁場の和
または差が検出できる位置に配設されているものであ
る。
【0010】本発明(請求項4に記載の第4発明)の電
流センサは、前記第1発明において、前記信号変換回路
が、前記検出コイルが出力する電圧の印加を制御するス
イッチ要素と該スイッチ要素がオンの時に印加された前
記検出コイルの電圧をホールドするコンデンサとから成
るサンプルホールド回路によって構成されているもので
ある。
【0011】
【発明の作用および効果】上記構成より成る第1発明の
電流センサは、測定対象である被検出電線を流れる電流
により生じる磁場内において、作用している磁場の大き
さから前記被検出電線を流れる電流に対応する電圧信号
を出力する電流センサであって、前記被検出電線を流れ
る電流により生じる磁場内の出力の線形関係が保持され
る位置に配設されたアモルファスワイヤからなり、周囲
の磁場に対応して内部磁場が変化する前記アモルファス
素子に巻回されマグネト−インダクティブ磁気検出器を
構成する前記検出コイルによって、前記アモルファス素
子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換するとと
もに、信号変換回路により前記検出コイルの電圧を前記
被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換する
ので、温度変化に対する安定度を改善し、例えば自動車
のような大きな温度変化が生ずる環境の下における精度
の悪化を防止して利用可能とし、コスト高を防止すると
いう効果を奏する。
【0012】上記構成より成る第2発明の電流センサ
は、前記第1発明において、前記検出コイルが巻回され
たアモルファス素子と前記信号変換回路が内部に収蔵さ
れた前記パッケージの前記平坦面に当接する絶縁材料よ
り成るスペーサを挟んで当接する前記被検出電線を流れ
る電流に対応した電圧信号を検出するので、前記アモル
ファス素子と前記被検出電線との距離が精度良く保持さ
れるため、安定且つ精度の高い電流測定を可能にすると
いう効果を奏する。
【0013】上記構成より成る第3発明の電流センサ
は、前記第1発明において、前記アモルファス素子が、
流れる電流の方向が互いに逆である前記被検出電線の2
つの被検出電線部により生じる2つの磁場の和または差
が検出できる位置に配設されているので、前記アモルフ
ァス素子を前記被検出電線の2つの被検出電線部により
生じる2つの磁場の和を検出出来る位置に配設した場合
には、微弱な電流を高感度に検出することを可能にする
とともに、前記アモルファス素子を前記被検出電線の2
つの被検出電線部により生じる2つの磁場の差を検出出
来る位置に配設した場合には、大電流を飽和すること無
く検出することを可能にするという効果を奏する。
【0014】上記構成より成る第4発明の電流センサ
は、前記第1発明において、前記信号変換回路を構成す
る前記サンプルホールド回路の前記スイッチ要素がオン
の時に前記スイッチ要素を介して印加された前記検出コ
イルの出力電圧を前記コンデンサによってホールドする
ものであるので、磁気インピーダンス素子に接続される
検波回路として順方向電圧に温度特性を有しているダイ
オードを用いる従来のセンサに比べて、温度変化に対し
て出力の安定性が優れているという効果を奏する。
【0015】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき、
図面を用いて説明する。
【0016】(第1実施形態)本第1実施形態の電流セ
ンサは、図1ないし図3に示されるように測定対象であ
る被検出電線1を流れる電流により生じる磁場内におい
て、作用している磁場の大きさから前記被検出電線を流
れる電流に対応する電圧信号を出力する電流センサ2で
あって、前記被検出電線1を流れる電流により生じる磁
場内の出力の線形関係が保持され所定の磁場の大きさの
範囲内となる位置であって磁場の方向に平行に配設され
た直径30μmおよび長さ3mm以下のアモルファスワ
イヤ30からなり、被検出電流による周囲の磁場に対応
して内部磁場が変化するアモルファス素子3と、該アモ
ルファス素子3に巻回されアモルファス素子の内部磁場
変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマグネ
ト−インダクティブ磁気検出器20を構成する検出コイ
ル4および前記検出コイルの電圧を前記被検出電線を流
れる電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路5
とから成るものである。
【0017】本第1実施形態の電流センサ2は、図1に
示されるように導体からなる前記被検出電線1としての
電流路10と、該電流路10の上方に配設された前記検
出コイル4を巻回したアモルファスワイヤ30および前
記検出コイル4に接続された前記信号変換回路5とから
成り、前記検出コイル4によりアモルファス素子3の内
部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換するマグネト−
インダクティブ磁気検出器20を構成するものである。
【0018】図2に示されるように測定対象である前記
被検出電線1としての電流路を流れる電流によって生じ
る磁場B1は右ねじの法則により円形の磁場を生じ、そ
の大きさは電流路からの距離Lに対して逆比例するが、
前記アモルファスワイヤ30が、前記被検出電線1とし
ての電流路の真上の距離Lだけ上方に配設されている。
【0019】前記マグネト−インダクティブ磁気検出器
20は、通常の磁気センサと同様に入力となる磁場の大
きさが過剰になると、たとえば図4に示されるように出
力電圧が飽和し入出力の線形関係がくずれる。このため
本第1実施形態においては、前記マグネト−インダクテ
ィブ磁気検出器20における前記アモルファスワイヤ3
0を飽和が生じることがない線形範囲内の磁場の大きさ
となる所定の位置に配設されている。
【0020】図3は、本第1実施形態の電流センサ2に
おける電気回路200を示したものであり、前記電流路
1とマグネト−インダクティブ磁気検出器20とから成
っている。前記被検出電線1としての電流路10は測定
する電流を流すためのものであり、この電流により生じ
る磁場はアモルファスワイヤ30に内部磁場変化を与え
る。
【0021】前記電気回路200において、パルス発生
器210は、アモルファスワイヤ30、検波回路220
のアナログスイッチS221および励磁回路250のア
ナログスイッチS251にそれぞれP1、P2、P3の
同期したパルスを出力する。この三つのパルスは、P3
が最も先行しており続いてP1、 P2の順で発生し、た
とえば1MHzの周波数で繰り返すので磁場の測定は1
MHzの頻度である。
【0022】パルスP3が発生すると励磁回路250の
アナログスイッチs251が、瞬間的に閉となり、前記
アモルファスワイヤ30に巻回した前記検出コイル4に
電源VDD から抵抗器R251を介して励磁電流が流れ、
前記アモルファスワイヤ30が一時的に励磁されるとと
もに初期化される。
【0023】該励磁電流が終了し所定の時間後にパルス
P1が発生しアモルファスワイヤ30にパルス電流P1
が印加されると、アモルファスワイヤ30にはパルス電
流P1ならびにアモルファスワイヤが置かれている周辺
磁場に対応して内部磁場変化が生じる。このとき電磁誘
導作用により検出コイル4の端子には、該内部磁場変化
に対応する電圧が発生する。
【0024】この電圧を、前記信号変換回路5を構成す
る検波回路220の前記アナログスイッチが瞬間的に閉
になることで、サンプルホールド回路のコンデンサC2
21がホールドする。オペレーショナルアンプからなる
増幅器230は、前記検波回路220の電圧を増幅する
とともに、測定するべき電流に対応する電圧信号を出力
端子に出力する。
【0025】なお、ここで前記励磁回路250の役割に
ついて説明する。図4において前記測定電流による磁場
よりも強大で前記アモルファスワイヤ30が磁気飽和を
起こすN1あるいはS1レベル以上のノイズとなる磁場
が印加されると、アモルファスワイヤ30のヒステリシ
ス特性によりN極に飽和した場合とS極に飽和した場合
とではそれらの磁場が取り払われた後の動作線がn1、
s1のごとくに異なり、わずかなオフセット誤差が生じ
る。そこで1MHzの周波数で繰り返される各測定の直
前に前記励磁回路250により所定の励磁電流で初期化
し、つねに動作線を同一(たとえば常にs1を利用す
る)にしてヒステリシス誤差を排除している。
【0026】以上説明したごとく本第1実施形態の電流
センサは、マグネト−インダクティブ磁気検出器20か
ら成るものであるから、図5に示されるように幅広い温
度変化に対して出力特性に変化が無く、安定な計測がで
きるので、自動車のような厳しい温度環境にもおいても
安定度が高く精度の良い電流計測が可能な電流センサを
実現するという効果を奏する。
【0027】上述したように本第1実施形態の電流セン
サにおいては、前記被検出電線1としての前記電流路1
0を流れる電流によって生ずる磁場に対応して前記アモ
ルファスワイヤ30の内部に生ずる内部磁場変化を、前
記アモルファスワイヤ30に巻回した検出コイル4によ
って電磁誘導作用により電圧として検出し、前記検波回
路220の前記アナログスイッチのオンオフにより、サ
ンプルホールド回路としてのコンデンサC221にホー
ルドするものである。
【0028】すなわち本第1実施形態においては、前記
アモルファスワイヤ30の内部に生ずる内部磁場変化
を、前記アモルファスワイヤ30に巻回した検出コイル
4によって電磁誘導作用により電圧として検出するもの
であり、前記アモルファスワイヤ30から成るアモルフ
ァス素子の内部磁場変化の磁気特性は、アモルファス構
造が保たれるガラス化温度以下においては温度出力特性
が非常に安定であるとともに、前記検出コイル4による
電磁誘導作用も温度変化に対して安定している。それに
対して従来の磁気インピーダンス素子の両端の電圧を直
接検出する電流センサにおいては、磁気インピーダンス
素子のインピーダンスの変化を両端の電圧として検出す
るものであるため、インピーダンスを構成するリアクタ
ンスと抵抗はいずれも温度変化に対して出力が変化する
温度特性を持っているため、温度変化によって磁気イン
ピーダンス素子の両端の電圧が変化する。したがって本
第1実施形態の電流センサは、この点において従来に比
べて温度変化に対して出力の安定性が優れている。
【0029】また本第1実施形態においては、電磁誘導
作用により前記検出コイル4によって検出した電圧を、
前記検波回路220の前記アナログスイッチのオンオフ
により、サンプルホールド回路としてのコンデンサC2
21にホールドするものであるので、検波回路として順
方向電圧に温度特性を有しているダイオードを用いる従
来のセンサに比べて、温度変化に対して出力の安定性が
優れている。
【0030】(第2実施形態)本第2実施形態の電流セ
ンサは、図6および図7に示されるように上記第1実施
形態に対して電流路10の下方に前記検出コイル4を巻
回したアモルファスワイヤ30および前記検出コイル4
に接続された前記信号変換回路5を追設した点が相違点
であり、以下相違点を中心に説明する。
【0031】本第2実施形態の電流センサは、マグネト
−インダクティブ磁気検出器20を2個用いて、互いの
検出方向が同一で、かつ測定電流による磁場の方向が互
いに逆方向となる前記電流路10に対して点対称の所定
の位置に配設し、前記二つのマグネト−インダクティブ
磁気検出器20のそれぞれの出力信号の差を演算する差
動増幅器62とで構成し、混入する地磁気などのノイズ
成分の影響を相殺排除して、高精度の電流計測を可能に
するものである。
【0032】本第2実施形態においては、2つのマグネ
ト−インダクティブ磁気検出器20は、図7に示される
ように前記電流路10の軸方向からの断面図のごとく電
流による磁場B1は円形のため、アモルファスワイヤ3
0の感度方向を矢印で示されるように同一としかつ、た
とえば電流路10を挟んで互いに反対側の位置となるよ
うに前記電流路10を流れる測定電流による磁場の方向
が逆となる位置に配設する。
【0033】このとき2つのマグネト−インダクティブ
磁気検出器20が測定する磁場信号は符号が正負に分か
れる。一方ノイズとなる地磁気等の成分は同符号であ
る。したがってこの2つのマグネト−インダクティブ磁
気検出器の出力信号が差動増幅器62によって差動演算
されるため、該差動増幅器62の出力端子63の差を演
算すれば測定する電流による磁場の信号は加算され和と
なり、そして地磁気などによるノイズは相殺されゼロと
することができる。
【0034】本第2実施形態の電流センサは、2つの出
力信号が前記差動増幅器63によって差動演算されるた
め、地磁気などによるノイズは相殺されゼロとすること
ができるので、ノイズの混入のない高精度の電流測定を
可能にするという効果を奏する。
【0035】(第3実施形態)本第3実施形態の電流セ
ンサは、図8に示されるように2つのマグネト−インダ
クティブ磁気検出器20を電流路10に対して同じ側で
かつ一方のマグネト−インダクティブ磁気検出器25を
前記電流路10の法線方向に配設し、混入する地磁気な
どのノイズ成分の影響を相殺排除する点に特徴がある。
【0036】本第3実施形態においては、図8に示され
るように電流路10をその軸方向から見た図であり、破
線で描いた円は電流路10の電流による代表的な磁場B
1を表している。すなわち一方のセンサは、電流による
磁場内に磁気検出器20が配設された前記第1実施形態
と同様の電流センサによって構成され、他方の磁気検出
器25は前記一方のセンサ20と同じ感度軸方向でかつ
電流路10の法線方向であって同一円上に配設されてい
る。
【0037】これにより磁気検出器25の感度方向と前
記測定するべき電流による磁場の方向が直交関係になる
ため、該磁気検出器25は電流路10の電流による磁場
は検出せずノイズとなる地磁気などの周辺磁場のみを検
出することになる。よって、前記磁気検出器20と前記
磁気検出器25の出力信号の差を差動増幅器63で演算
することでノイズとなる地磁気などの周辺磁場成分のみ
を排除した精度の高い電流検出を可能にする効果を得る
ものである。
【0038】また、前記磁気検出器25は、前記磁気検
出器20と同方向でかつ電流路10の法線上に配設され
るので、本第3実施形態による電流センサの実装上の高
さは電流路10と電流による磁場を検出するための磁気
検出器20との距離Lと同一である。これは、前記第2
実施形態における電流センサの上下方向の高さ寸法を約
1/2にして、小型化を達成する効果を得るものであ
る。
【0039】(第3実施形態の変形例)本第3実施形態
の変形例の電流センサは、図9に示されるように地磁気
などの周辺磁場のみを検出するためのマグネト−インダ
クティブ磁気検出器25の検出方向を前記磁気検出器2
0と同じ方向を保ちつつ前記電流による磁場の検出量が
充分微少となる任意の位置に配設するもので、前記第3
実施形態と同様の高精度化するとともに実装上の高さ方
向寸法を小さくして狭いスペースに収容可能とした効果
を得ることができる。
【0040】(第4実施形態)本第4実施形態の電流セ
ンサは、図10ないし図12に示されるようにマグネト
−インダクティブ磁気検出器24をパッケージ40に収
蔵し、該パッケージ40の一つの平坦面と絶縁材料によ
るスペーサを挟んで電流路14を当接する構造とし、該
電流路14と前記磁気検出器24とを所定の距離に安定
かつ精度良く設定するとともに、前記磁気検出器24お
よび前記電流路14の周囲を高透磁率材料で被覆して磁
気シールドを構成する点に特徴がある。
【0041】アモルファスワイヤ34が検出する測定電
流による磁場の大きさは、電流路とアモルファスワイヤ
との距離に逆比例する。すなわち電流路とアモルファス
ワイヤとの距離が変動すると電流センサ2としての感度
がばらつくことになる。
【0042】本第4実施形態においては、磁気検出器2
4を収納した小型の立方体のパッケージ40の1つの平
坦面S40に対して絶縁体のスペーサ141を挟んで電
流路14を当接するための該スペーサと一体構造をなす
ホールダ142により電流路14とマグネト−インダク
ティブ磁気検出器24とを所定の距離に容易に安定かつ
精度良く設定でき、かつ高透磁率材料で周囲を被覆する
ことにより磁気シールドを構成し、ノイズ混入のない高
精度な電流センサを安価な製品とするものである。
【0043】すなわち本第4実施形態における磁気検出
器は、図10に示されるように検出コイルを巻回したア
モルファスワイヤ34と信号変換回路54とをIC化し
て複数のIC用電極55を備えた小型のパッケージ40
内に収納したIC型マグネト−インダクティブ磁気検出
器24である。
【0044】電流路14と前記IC型マグネト−インダ
クティブ磁気検出器24とに挟着されるスペーサ141
は電流路14を把持するホールダ142と一体構造をな
し該スペーサ141の当接面S141を前記IC型磁気
検出器24のひとつの面S40に当接することで電流路
14と前記IC型磁気検出器24に内蔵されたアモルフ
ァスワイヤ34との距離を容易に安定かつ精度良く設定
することを可能にする。
【0045】さらに前記IC型磁気検出器24および前
記ホールダ142をともに高透磁率材料からなる板14
3で被覆して固定し、かつ高透磁率材料の作用により磁
気シールドするとともにノイズとなる地磁気などの磁場
を排除して高精度化するので、ノイズ混入のない高精度
な電流センサを実現している。
【0046】なお図11において、当接するべきスペー
サ141の当接面s141を図示しやすくするためにパ
ッケージ40の面S40と分離して描いている。図12
は、IC型マグネト−インダクティブ磁気検出器24の
具体的な電気回路であり、回路は基本的には前記第1実
施形態と同様であるが、図12においては前記第1実施
形態における前記アモルファスワイヤを初期化するため
の励磁回路250を省略したことと、増幅器230を単
極電源で動作させるために設けた抵抗器R231および
R232による基準電位発生回路を追加したところが異
なる。励磁回路を省略したのは前記のごとく、IC型磁
気検出器24および前記ホールダ142をともに高透磁
率材料からなる板143で被覆して磁気シールドしたた
めノイズとなる磁場を排除できるからでコストダウンを
可能にするものである。
【0047】また、前記抵抗器R231およびR232
による基準電位発生回路を追加したのは、本電流センサ
を自動車用として用いるため、単極の電源で動作出来る
ようにしたもので、自動車における利用を可能にするも
のである。
【0048】以上によりIC型マグネト−インダクティ
ブ磁気検出器24を1個用いるのみで、ノイズ混入のな
い高精度かつ安定な電流センサを安価に製作することが
できる。
【0049】(第5実施形態)本第5実施形態の電流セ
ンサは、図13ないし図15に示されるように前記第4
実施形態におけるプリント回路基板の一方の面の導体で
電流路を構成し該プリント回路基板のもう一方の導体面
にマグネト−インダクティブ磁気検出器を溶着固定する
とともにプリント回路基板の厚みで電流路とマグネト−
インダクティブ磁気検出器との距離を安定かつ容易に設
定できるようにした大量生産可能な高精度な電流センサ
を実現するところに特徴がある。
【0050】本第5実施形態においては、図13および
図15に示されるように検出コイル4を巻回したアモル
ファスワイヤ51と信号変換回路52からなるIC型マ
グネト−インダクティブ磁気検出器50と絶縁材料から
なる板の表裏2面に導電体531、532が設けられて
いるプリント回路基板53から構成される。
【0051】図14に示されるように該プリント回路基
板53の一方の面531には図示を省略するが前記IC
型マグネト−インダクティブ磁気検出器50が配線さ
れ、またもう一方の面532は計測する電流を流すため
の電流路が形成され、両端に電極541、542が装着
されている。
【0052】また、プリント基板の幅すなわち電流路を
形成する導体532の幅方向の寸法Mはアモルファスワ
イヤ51の長さmの少なくとも2倍以上である。プリン
ト基板53は、十分なる寸法精度で生産されておりまた
経年変化も十分小さいので、一方の面531に前記IC
型マグネト−インダクティブ磁気検出器50を配線パタ
ーンの所定の位置にはんだ付けすることのみで導体53
2からなる電流路との高さ方向の距離および幅方向の位
置を精確ならびに安定に設定することができる。
【0053】なお、電流路を形成する導体532の幅方
向の寸法Mをアモルファスワイヤ51の長さmの少なく
とも2倍以上とすることにより、電流路の幅方向の位置
変動に対して測定電流による磁場の大きさがほとんど変
化しない領域を形成することができる。これによりIC
型磁気検出器50の取り付けにおいて前記電流路の幅方
向の位置決め誤差を大幅に許容できる効果をもたらす。
このため大量生産時の位置設定の不良率を小さくでき生
産効率を高めることができ安価な生産を可能にする。
【0054】図15は、IC型マグネト−インダクティ
ブ磁気検出器50の信号変換回路52の電気回路であ
り、基本的には図12に示される回路と同じであるが、
磁場測定をさらに高精度化するために前記アモルファス
ワイヤ51に新たに巻回した負帰還コイル45を含むフ
ィードバック回路を追加したところが異なる。
【0055】すなわち図15に示されるように増幅器2
30の出力端子に接続された抵抗器R501と前記負帰
還コイル45からなるフィードバック回路は、いかなる
磁場が印加されても前記アモルファスワイヤ51の内部
磁場がつねにゼロとなるように負帰還電流を流す。この
負帰還により前記アモルファスワイヤの動作点は変化し
ないからヒステリシスなどの非線形性が殆ど顕在化せず
非常に高精度な電流測定が可能になる。
【0056】(第6実施形態)本第6実施形態の電流セ
ンサは、図16および図17に示されるように前記第1
実施形態における前記電流路が電流の流れる向きが逆方
向となり往復する往電流路161および復電流路162
より成る往復電流路16であり、該往電流路161およ
び復電流路162に挟まれた空間に該往復電流路を含む
面と直角となる向きに感度方向を設定しかつ往と復との
二つの電流による磁場が和となる領域にマグネト−イン
ダクティブ磁気検出器26のアモルファスワイヤ36位
置を設定した高感度な電流センサを実現するものであ
る。
【0057】本第6実施形態においては、図16に示さ
れるように往電流路161および復電流路162からな
るU字状の往復電流路16によって挟まれる空間にマグ
ネト−インダクティブ磁気検出器26をその感度方向を
前記往復電流路16を含む面に対して直角となるべく配
置する。すなわち図17に示されるように前記アモルフ
ァスワイヤ36を、往電流路161および復電流路16
2の軸を結ぶ直線tに対して直交する方向に配設するも
のである。
【0058】測定する電流が矢印のごとく往電流路16
1を紙面の左から右方向へ流れ、さらに右端で折り返し
て復電流路162を右から左へ流れるとき、往電流路1
61および復電流路162による右回りの磁場B1およ
び左回りの磁場B2が図17に示されるように生ずる。
【0059】このため前記マグネト−インダクティブ磁
気検出器26のアモルファスワイヤ36は、印加される
磁場B1およびB2が同じ方向成分であり両磁場の和を
検出することになり、電流の検出感度を高感度化すると
ともに、微弱な電流の検出を可能にするという効果を得
ることができる。
【0060】なお図18に示されるように往復電流路1
6Bをコイル状に巻回してアモルファスワイヤ36Bに
およぶ磁場を増大させることで、さらに微弱な電流を検
出できる高感度電流センサを構築することができる。
【0061】(第7実施形態)本第7実施形態の電流セ
ンサは、図19および図20に示されるように前記アモ
ルファスワイヤ37を、往電流路161および復電流路
162の軸を結ぶ直線tに対して平行に配設する点が前
記第6実施形態との相違点であり、以下相違点を中心に
説明する。
【0062】本第7実施形態は、前記電流路が電流の流
れる向きが往復する往電流路161および復電流路16
2より成る往復電流路16であり、該往復電流路16に
挟まれた空間に往復電流路を含む面と平行となる向きに
感度方向を設定したマグネト−インダクティブ磁気検出
器27とからなり、磁場の大きさが往と復との二つの電
流により生じる磁場の差となる領域において、この差の
磁場の大きさが前記磁気検出器27が計測できる線形領
域内である所定の位置にアモルファスワイヤ37を設定
することを特徴とする大電流が測定できる電流センサを
実現するものである。
【0063】すなわち本第7実施形態における電流セン
サは、非常に大きな電流でも精度良く測定可能な電流セ
ンサを構成するものである。アモルファスワイヤを用い
るマグネト−インダクティブ磁気検出器は、本来非常に
高感度な磁気センサであるため、測定する磁場が大きす
ぎると図21に示されるように入力対出力の関係が飽和
し線形関係が崩れ誤差が生じる。本第7実施形態におい
ては計測対象である大電流が流れても、前記マグネト−
インダクティブ磁気検出器に印加される磁場の大きさ
を、前記線形関係範囲内に設定するものである。
【0064】本第7の実施形態においては、図19に示
されるように前記第6実施形態と同じ往復電流路16を
用い該往復電流路に挟まれた空間においてマグネト−イ
ンダクティブ磁気検出器27の感度方向すなわちアモル
ファスワイヤ37の軸方向を前記往復電流路16を含む
面と平行となる方向に配設する。
【0065】計測する電流が矢印のごとく電流路161
を紙面の左から右方向へ流れ、さらに右端で折り返して
電流路162を右から左へ流れるとき、図20のごとく
電流路161、162による右回りの回転磁場B3およ
び左回りの回転磁場B4が生じる。同図は電流路16の
紙面左側から見た断面図であり、L1、L2は各電流路
とアモルファスワイヤ37の中心部との距離、hは電流
路を含む面とアモルファスワイヤ37の中心との距離で
ある。
【0066】前記電流路161、162による電流がア
モルファスワイヤ37に与える磁場は互いに回転方向が
異なるため、該アモルファスワイヤ37が検出する磁場
ベクトルは、両者の差に基づくものとなる。この磁場B
3、B4はそれぞれの電流路からの距離L1、L2に逆
比例し、また電流路16を含む面からの距離hに逆比例
する。よってh、L1、L2を所定の値に設定すること
により前記マグネト−インダクティブ磁気検出器26が
検出する磁場の大きさを誤差の生じない線形関係範囲内
に設定することができる。
【0067】本第7実施形態は、これにより大電流によ
りいかなる大きな磁場が生じても前記マグネト−インダ
クティブ磁気検出器26が線形領域から脱することがな
いため、大電流の計測を可能にする大電流センサを実現
することができる。
【0068】(第8実施形態)本第8実施形態の電流セ
ンサは、図22ないし図24に示されるように前記第7
実施形態を改良したもので、二つの測定レンジを持つ薄
型で安価な電流センサを構成している。
【0069】本第8実施形態においては、図22に示さ
れるように両面に導体を設けたプリント基板の一方の面
に検出コイルを巻回したアモルファスワイヤ81と信号
変換回路58とを小型化しパッケージに収蔵したIC型
マグネト−インダクティブ磁気検出器28を配線パター
ン上に半田付けにより固定している。もう一方の面には
往復電流路を形成する導体が設けてあり、その形状は図
23に示される。
【0070】本第8実施形態における往復電流路は導体
180,181,182からなり大電流を計測するとき
は電流路として導体180および181を使用し、それ
より小さい電流を計測するときには導体180と182
を使う。
【0071】すなわち図24において前記IC型マグネ
ト−インダクティブ磁気検出器28のアモルファスワイ
ヤ81と導体180との距離L3および導体181との
距離L4さらに導体182との距離L5はそれぞれ計測
する電流の大きさに対応して前記IC型マグネト−イン
ダクティブ磁気検出器の線形関係範囲内の磁場の大きさ
となる所定の距離に選ばれている。
【0072】本第8実施形態は、電流路を含む面とIC
型マグネト−インダクティブ磁気検出器28との距離h
は主としてプリント基板の絶縁体の厚さで設定されるの
で、電流路とIC型マグネト−インダクティブ磁気検出
器との距離はプリント回路基板に形成された電気回路の
寸法で設定されるので安定、安価、薄型でさらにレンジ
切り替えのできる電流センサを実現するものである。
【0073】(第9実施形態)本第9実施形態の電流セ
ンサは、図25および図26に示されるように電流路が
電流の流れる向きが往復する往電流路191および復電
流路192が近接して配設された往復電流路19であり
該往復電流路19を含む面と直角となる向きに感度方向
を設定したマグネト−インダクティブ磁気検出器29と
からなり、往復電流により生じる方向の異なる二つの磁
場の差が前記マグネト−インダクティブ磁気検出器29
の線形領域内の大きさとなる所定の位置にアモルファス
ワイヤの位置を設定することを特徴とする大電流が測定
できる電流センサを実現するものである。
【0074】本第9実施形態においては、図25に示さ
れるように電流路191および192からなる往復電流
路19は、上述した前記第6の実施形態と基本的に同じ
ものである。マグネト−インダクティブ磁気検出器29
は、その感度方向すなわちアモルファスワイヤ39の軸
方向は前記往復電流路19を含む面と直角となる方向に
設定されている。
【0075】計測する電流が矢印のごとく電流路191
を紙面の左から右方向へ流れ、さらに右端で折り返して
電流路192を右から左へ流れるとき、電流路191に
よる右回りの回転磁場B5および192による左回りの
回転磁場B6が、図26のごとく生じる。同図は電流路
19の紙面左側から見た断面図であり前記磁場B5およ
びB6が互いに方向が逆であるためアモルファスワイヤ
39が検出する磁場ベクトルは両磁場の差とすることが
できる。
【0076】またL7、L8は各電流路191、192
とアモルファスワイヤ39の中心部との距離であり前記
磁場B5、B6の大きさはそれぞれの電流路からの距離
に逆比例するので、L7、L8を所定の値に設定するこ
とにより前記マグネト−インダクティブ磁気検出器29
が検出する磁場の大きさを誤差の生じない線形範囲内に
設定することができる。これにより大電流によっていか
なる大きな磁場が生じても前記マグネト−インダクティ
ブ磁気検出器29が線形領域から脱することがないため
大電流センサを実現することができる。
【0077】(第10実施形態)本第10実施形態の電
流センサは、図27および図28に示されるように導体
層が3層のプリント基板100とIC型マグネト−イン
ダクティブ磁気検出器200からなる大電流計測可能な
電流センサを実現するものである。
【0078】3層プリント基板100は、その最下面の
導体601と中央層の導体602は端部において電気的
に導通しており該導体601および602で往復電流路
を形成する。最上面の導体には前記IC型マグネト−イ
ンダクティブ磁気検出器200を構成するアモルファス
ワイヤ300および信号変換回路510が収納されたパ
ッケージの平坦面としての下面がはんだ付けにより配線
されている。
【0079】本第10実施形態においては、各電流路と
アモルファスワイヤ300の中心部との距離L9、L1
0に相当するL9、L10はプリント基板の二つの絶縁
層の厚みに基づいて設定することで、IC型マグネト−
インダクティブ磁気検出器200のアモルファスワイヤ
300が検出する磁場ベクトル成分を往と復との電流に
より生じる二つの磁場の差とすることができるので、大
電流の安定な測定を可能にするとともに、量産によるコ
ストダウンを可能にするものである。
【0080】(第11実施形態)本第11実施形態の電
流センサは、図29に示されるように信号変換回路が可
変増幅器と不揮発性メモリとを含む電子回路からなるこ
とを特徴とするものである。
【0081】本第11実施形態の電流センサは、図29
に示されるように電流路1001と信号変換回路100
2とからなる電流センサ1000の電気回路と本電流セ
ンサ1000の電流感度とゼロ点を自動調整するための
自動調整システム1005とを示す。
【0082】前記信号変換回路1002は、図12に示
される前記第4の実施形態の電気回路と基本的に同じで
あるので、相違点のみ説明をする。変更箇所は図12に
おける増幅器をゲインおよびゼロ点を電子的に変更でき
る可変増幅器1100とし、これに不揮発性メモリ11
01を追加したところが異なる。
【0083】すなわち可変増幅器は1100は、前記検
波回路220の電圧を増幅して計測電流に対応する出力
電圧を出力するが、その増幅度および基準となるゼロ点
は不揮発性メモリ1101の記憶情報に基づいている。
【0084】該不揮発性メモリ1101の記憶情報は、
外部のコントローラから与えられるが、一度記憶すると
記憶の書き換えをしない限りコントローラとの接続を断
ったり電源をオフにしても、記憶の変更は起こらない。
【0085】したがって電流センサを製作した後で電流
路1001にゼロ点と基準の電流とを流して出力信号電
圧が所定の値となるべく増幅器1100の増幅度を変更
し、その増幅度情報を不揮発性メモリ1101に記憶さ
せることで精度の高いゼロ点および感度の調整が可能に
なる。
【0086】次に本第11実施形態の電流センサにおけ
る自動調整システムによる該電流センサのゼロ点および
感度の調整について、以下に説明する。自動調整システ
ム1005は、コンピュータからなるコントローラ11
20と電流源1121とからなる。コントローラ112
0は、端子Q1により電流源1121に電流のゼロおよ
び基準の電流を端子T1、T2から電流源1001に供
給する。
【0087】コントローラの端子Q2は、不揮発性メモ
リ1101に、Q3は電流センサの出力端子に接続され
ている。端子Q3は、電流センサの出力電圧を監視する
もので、電流源1121の電流がゼロのときおよび基準
の電流を流すときコントローラ1120は、Q3がゼロ
および所定の出力となるように、その都度不揮発性メモ
リの内容を書き込みその値を記憶させる。
【0088】本第11実施形態の電流センサは、以上に
より製作した電流センサの調整工程を自動化すること
で、品質のそろった高精度な製品を安価に提供できるよ
うになるとともに、電流センサの調整工程を自動化でき
る構成として高精度な電流センサを安価に大量生産可能
にする。
【0089】上述の実施形態は、説明のために例示した
もので、本発明としてはそれらに限定されるものでは無
く、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面の記
載から当業者が認識することができる本発明の技術的思
想に反しない限り、変更および付加が可能である。
【0090】上述の第4実施形態においては、一例とし
て電流路14をホールダ142とともに挟着する絶縁体
のスペーサ141に当接するための磁気検出器20を収
納した小型の立方体のパッケージ40の1つの平坦面S
40全面を平坦面にした例について説明したが、本発明
としてはそれらに限定されるものでは無く、図30に示
されるように一定間隔の溝40Gが形成され、平坦部4
0Pが一定間隔で並設され全体として平坦面を構成する
ような変形例も採用可能である。
【0091】上述の第1実施形態においては、厳しい温
度環境の下において利用される用途の一例として自動車
の用途について例示して説明したが、本発明としてはそ
れらに限定されるものでは無く、必要に応じて自動車以
外のあらゆる用途に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の電流センサを示す斜視
図である。
【図2】本第1実施形態の電流センサを示す側面図であ
る。
【図3】本第1実施形態の電流センサにおける電気回路
を示す回路図である。
【図4】本第1実施形態の電流センサにおける磁場の大
きさと出力との関係を示す線図である。
【図5】本第1実施形態の電流センサにおける電磁誘導
を利用した磁気検出器の出力の温度特性を示す線図であ
る。
【図6】本発明の第2実施形態の電流センサを示す斜視
図である。
【図7】本第2実施形態の電流センサを示す側面図であ
る。
【図8】本発明の第3実施形態の電流センサを示すブロ
ック図である。
【図9】本発明の第3実施形態の変形例の電流センサを
示すブロック図である。
【図10】本発明の第4実施形態の電流センサにおける
磁気検出器がパッケージに収納された状態を示す平面図
である。
【図11】本第4実施形態における磁気検出器が収納さ
れたパッケージと、ホールダとスペーサに挟着された電
流路との装着態様を説明するための説明図である。
【図12】本第4実施形態の電流センサにおける電気回
路を示す回路図である。
【図13】本発明の第5実施形態の電流センサを示す斜
視図である。
【図14】本第5実施形態の電流センサを示す正面図で
ある。
【図15】本第5実施形態の電流センサにおける電気回
路を示す回路図である。
【図16】本発明の第6実施形態の電流センサを示す斜
視図である。
【図17】本第6実施形態の電流センサを示す側面図で
ある。
【図18】本発明の第6実施形態の変形例の電流センサ
を示す要部拡大図である。
【図19】本発明の第7実施形態の電流センサを示す斜
視図である。
【図20】本第7実施形態の電流センサを示す側面図で
ある。
【図21】本第7実施形態における入力対出力の線形お
よび飽和特性を示す線図である。
【図22】本発明の第8実施形態の電流センサを示す平
面図である。
【図23】本第8実施形態の電流センサを示す底面図で
ある。
【図24】本第8実施形態の電流センサを示す側面図で
ある。
【図25】本発明の第9実施形態の電流センサを示す斜
視図である。
【図26】本第9実施形態の電流センサを示す側面図で
ある。
【図27】本発明の第10実施形態の電流センサを示す
正面図である。
【図28】本第10実施形態の電流センサにおける磁気
検出器が収納されたパッケージを示す平面図である。
【図29】本第11実施形態の電流センサにおける電気
回路を示す回路図である。
【図30】本発明の変形例を説明するための説明図であ
る。
【図31】従来の電流センサを示す断面図である。
【図32】従来の磁気インピーダンス素子における磁気
計測を行った場合の出力電圧の温度特性を示す線図であ
る。
【符号の説明】
1 被検出電線 2 電流センサ 3 アモルファス素子 4 検出コイル 5 信号変換回路 10 電流路 20 マグネト−インダクティブ磁気検出器 30 アモルファスワイヤ
フロントページの続き (72)発明者 本蔵 義信 愛知県東海市荒尾町ワノ割1番地 アイ チ・マイクロ・インテリジェント株式会社 内 (72)発明者 正木 竜二 愛知県東海市荒尾町ワノ割1番地 愛知製 鋼株式会社内 Fターム(参考) 2G017 AA01 AB02 AC02 AD51 BA05 2G025 AA11 AB01 AC04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 測定対象である被検出電線を流れる電流
    により生じる磁場内において、作用している磁場の大き
    さから前記被検出電線を流れる電流に対応する電圧信号
    を出力する電流センサであって、 前記被検出電線を流れる電流により生じる磁場内の出力
    の線形関係が保持される位置に配設されたアモルファス
    ワイヤからなり、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化
    するアモルファス素子と、 該アモルファス素子に巻回されアモルファス素子の内部
    磁場変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマ
    グネト−インダクティブ磁気検出器を構成する検出コイ
    ルおよび前記検出コイルの電圧を前記被検出電線を流れ
    る電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路とか
    ら成ることを特徴とする電流センサ。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記検出コイルが巻回されたアモルファス素子と前記信
    号変換回路が、平坦面を備えたパッケージ内に収蔵さ
    れ、 前記被検出電線が、前記パッケージの前記平坦面に当接
    する絶縁材料より成るスペーサを挟んで当接するように
    構成されていることを特徴とする電流センサ。
  3. 【請求項3】 請求項1において、 前記アモルファス素子が、流れる電流の方向が互いに逆
    である前記被検出電線の2つの被検出電線部により生じ
    る2つの磁場の和または差が検出できる位置に配設され
    ていることを特徴とする電流センサ。
  4. 【請求項4】 請求項1において、 前記信号変換回路が、前記検出コイルが出力する電圧の
    印加を制御するスイッチ要素と該スイッチ要素がオンの
    時に印加された前記検出コイルの電圧をホールドするコ
    ンデンサとから成るサンプルホールド回路によって構成
    されていることを特徴とする電流センサ。
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