JP2003313447A - インドールスチリル化合物およびこれを用いた高密度記録媒体 - Google Patents
インドールスチリル化合物およびこれを用いた高密度記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高密度で記録可能な光学ディスクに使用でき
る新規なインドールスチリル化合物を提供する。 【解決手段】 式（Ｉ）で示されるインドールスチリル
化合物。 例えば、
る新規なインドールスチリル化合物を提供する。 【解決手段】 式（Ｉ）で示されるインドールスチリル
化合物。 例えば、
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なインドール
スチリル化合物に関するものであり、特に、新規なイン
ドールスチリル化合物及びこれを用いた高密度光学記録
媒体(high-density optical recording media)に関する
ものである。
スチリル化合物に関するものであり、特に、新規なイン
ドールスチリル化合物及びこれを用いた高密度光学記録
媒体(high-density optical recording media)に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】情報及びマルチメディア時代が到来し、
より大きな記憶密度及び能力を持つコンピューター、通
信及びコンシューマーエレクトロニクスがより要求され
てきている。大量の情報の交換により、高密度で小型で
安価な記録媒体の開発が望まれる。従来の磁気による記
録媒体は、すでに、現在の用途には不十分であり、高密
度の光学情報記録媒体が現在研究の主流となっている。
光学情報記録媒体において記録密度を増加する原理や方
法が一部報告されている。ものによっては、重要であ
り、すでにうまく実施されているものもある。一つとし
ては、レーザービームの波長を短くする方法がある。例
えば、赤色レーザーの代わりに青色レーザーを使用す
る。また、レンズの開口率（ＮＡ）を上げることによっ
ても同様の効果が得られる。他の方法としては、デジタ
ルシグナルのコーディング手段を改善するまたはいわゆ
る超高解像近傍光学構造(ultra-high resolution near-
field optical structure)を有する光学ディスク記録を
使用する方法がある。これらの方法はすべて記録密度を
効率よく向上する。
より大きな記憶密度及び能力を持つコンピューター、通
信及びコンシューマーエレクトロニクスがより要求され
てきている。大量の情報の交換により、高密度で小型で
安価な記録媒体の開発が望まれる。従来の磁気による記
録媒体は、すでに、現在の用途には不十分であり、高密
度の光学情報記録媒体が現在研究の主流となっている。
光学情報記録媒体において記録密度を増加する原理や方
法が一部報告されている。ものによっては、重要であ
り、すでにうまく実施されているものもある。一つとし
ては、レーザービームの波長を短くする方法がある。例
えば、赤色レーザーの代わりに青色レーザーを使用す
る。また、レンズの開口率（ＮＡ）を上げることによっ
ても同様の効果が得られる。他の方法としては、デジタ
ルシグナルのコーディング手段を改善するまたはいわゆ
る超高解像近傍光学構造(ultra-high resolution near-
field optical structure)を有する光学ディスク記録を
使用する方法がある。これらの方法はすべて記録密度を
効率よく向上する。
【０００３】これに対して、光学情報記録媒体の他の研
究分野では、光学記録層で使用する有機染料をより良好
な光学特性を有する有機染料に置換することがある。近
年、１回読み取り用のコンパクトディスク(one-time re
ading compact disc)（ＣＤ−Ｒ）が、安価で、高速で
焼けること、持ち運びが便利なこと、及び異なるパソコ
ンでの高い適合性から人々に好まれる記録媒体となって
いる。高密度の記録を達成するために、４．７ＧＢの容
量を有する１回読み取り用のデジタルバーサタイルディ
スク(one-time reading digital versatile disc)（Ｄ
ＶＤ−Ｒ）等の媒体のための染料が研究の重要な対象に
なってきている。ＤＶＤ−Ｒ等の高密度の記録媒体用の
レーザーは、ＣＤ−Ｒ用のレーザーの波長（７８０ｎ
ｍ）とは異なる、６５０ｎｍの光波長を有するため、染
料をこれらの２種類の媒体で共有することができない。
このため、高密度の記録媒体用の新規な有機染料が緊急
で必要である。
究分野では、光学記録層で使用する有機染料をより良好
な光学特性を有する有機染料に置換することがある。近
年、１回読み取り用のコンパクトディスク(one-time re
ading compact disc)（ＣＤ−Ｒ）が、安価で、高速で
焼けること、持ち運びが便利なこと、及び異なるパソコ
ンでの高い適合性から人々に好まれる記録媒体となって
いる。高密度の記録を達成するために、４．７ＧＢの容
量を有する１回読み取り用のデジタルバーサタイルディ
スク(one-time reading digital versatile disc)（Ｄ
ＶＤ−Ｒ）等の媒体のための染料が研究の重要な対象に
なってきている。ＤＶＤ−Ｒ等の高密度の記録媒体用の
レーザーは、ＣＤ−Ｒ用のレーザーの波長（７８０ｎ
ｍ）とは異なる、６５０ｎｍの光波長を有するため、染
料をこれらの２種類の媒体で共有することができない。
このため、高密度の記録媒体用の新規な有機染料が緊急
で必要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、ＤＶＤ−Ｒ等の高密度の記録媒体用のレーザー
の染料に使用できるように、５００〜７００ｎｍの光波
長（λ＝５００〜７００ｎｍ）で最大の吸収を有する、
高密度で記録可能な光学ディスクに使用できる新規なイ
ンドールスチリル化合物を提供することである。
目的は、ＤＶＤ−Ｒ等の高密度の記録媒体用のレーザー
の染料に使用できるように、５００〜７００ｎｍの光波
長（λ＝５００〜７００ｎｍ）で最大の吸収を有する、
高密度で記録可能な光学ディスクに使用できる新規なイ
ンドールスチリル化合物を提供することである。
【０００５】また、本発明の他の目的は、高い感受性、
光及び熱に対する化学的安定性ならびに有機溶剤に対す
る良好な溶解性を有するインドールスチリル化合物を提
供することである。
光及び熱に対する化学的安定性ならびに有機溶剤に対す
る良好な溶解性を有するインドールスチリル化合物を提
供することである。
【０００６】本発明のさらなる他の目的は、記録層に本
発明のインドールスチリル化合物を使用する高密度デー
タ記憶媒体を提供することである。このようなインドー
ルスチリル化合物は合成及び精製が容易であるため、他
の一般的な染料に比べて安価である。加えて、本発明の
インドールスチリル化合物を用いた高密度データ記録媒
体は記録層において良好な光感受性及び優れた化学安定
性を有する。
発明のインドールスチリル化合物を使用する高密度デー
タ記憶媒体を提供することである。このようなインドー
ルスチリル化合物は合成及び精製が容易であるため、他
の一般的な染料に比べて安価である。加えて、本発明の
インドールスチリル化合物を用いた高密度データ記録媒
体は記録層において良好な光感受性及び優れた化学安定
性を有する。
【０００７】本発明のさらなる別の目的は、高密度光学
記録媒体を形成するために記録可能な光学ディスクの記
録層としての新規なインドールスチリル化合物の使用を
提供することである。この記録可能な光学ディスクは、
（１）好ましくは溝を有する透明基材である、第一の基
材、（２）本発明の新規なインドールスチリル化合物を
用いて該第一の基材の表面上に形成される、記録層、
（３）該記録層上に形成される、反射層、（４）好まし
くは溝を有する透明基材である、第二の基材、（５）な
らびに該反射層及び第二の基材を連結するのに使用され
る、接着層を有する。本発明の一の特徴は、本発明の新
規なインドールスチリル化合物を記録層の染料として使
用する点にある。
記録媒体を形成するために記録可能な光学ディスクの記
録層としての新規なインドールスチリル化合物の使用を
提供することである。この記録可能な光学ディスクは、
（１）好ましくは溝を有する透明基材である、第一の基
材、（２）本発明の新規なインドールスチリル化合物を
用いて該第一の基材の表面上に形成される、記録層、
（３）該記録層上に形成される、反射層、（４）好まし
くは溝を有する透明基材である、第二の基材、（５）な
らびに該反射層及び第二の基材を連結するのに使用され
る、接着層を有する。本発明の一の特徴は、本発明の新
規なインドールスチリル化合物を記録層の染料として使
用する点にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記諸目的は、下記
（１）〜（２７）によって達成される。
（１）〜（２７）によって達成される。
【０００９】（１） 下記式（Ｉ）：
【００１０】
【化３】
【００１１】ただし、Ｒ1は、炭素原子数１〜８のアル
キル基、ＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ
7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる基で
あり；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、炭
素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアル
コキシ基（アルキル−酸素基）、炭素原子数１〜８のア
ルコキシカルボニル基からなる群より選ばれる基であ
る、または、Ｒ2及びＲ3は、連結してピロリジン環を形
成しても若しくは少なくとも一方がベンゼン環に結合し
てユロリジン環を形成してもよく；Ｒ4及びＲ5は、それ
ぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル
基、トリフルオロメチル基、炭素原子数１〜８のアルコ
キシ基、カルボキシル基、ニトロ基(nitric acid)、ア
ミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）、スルホン酸基、−ＳＯ3Ｒ
11、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−Ｃ
Ｏ2Ｒ8）、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる基
であり；Ｙ-がＲ1と適合するように選択される必要があ
りかつＲ1がＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ 2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ
3Ｒ7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる一
種である場合には、Ｙ-は、テトラシアノ−ｐ−キノジ
メタン（ＴＣＮＱ-）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮ
Ｅ-）、ＣｌＯ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、及びハ
ロゲンイオンからなる群より選ばれる基であり；Ｒ1が
炭素原子数１〜８のアルキル基である場合には、Ｙ
-は、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）及
びテトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ-）からなる群より
選ばれる基である、で示される、インドールスチリル化
合物。
キル基、ＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ
7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる基で
あり；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、炭
素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアル
コキシ基（アルキル−酸素基）、炭素原子数１〜８のア
ルコキシカルボニル基からなる群より選ばれる基であ
る、または、Ｒ2及びＲ3は、連結してピロリジン環を形
成しても若しくは少なくとも一方がベンゼン環に結合し
てユロリジン環を形成してもよく；Ｒ4及びＲ5は、それ
ぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル
基、トリフルオロメチル基、炭素原子数１〜８のアルコ
キシ基、カルボキシル基、ニトロ基(nitric acid)、ア
ミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）、スルホン酸基、−ＳＯ3Ｒ
11、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−Ｃ
Ｏ2Ｒ8）、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる基
であり；Ｙ-がＲ1と適合するように選択される必要があ
りかつＲ1がＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ 2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ
3Ｒ7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる一
種である場合には、Ｙ-は、テトラシアノ−ｐ−キノジ
メタン（ＴＣＮＱ-）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮ
Ｅ-）、ＣｌＯ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、及びハ
ロゲンイオンからなる群より選ばれる基であり；Ｒ1が
炭素原子数１〜８のアルキル基である場合には、Ｙ
-は、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）及
びテトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ-）からなる群より
選ばれる基である、で示される、インドールスチリル化
合物。
【００１２】（２） Ｒ6は、炭素原子数１〜８のアル
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（１）に記載のインド
ールスチリル化合物。
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（１）に記載のインド
ールスチリル化合物。
【００１３】（３） Ｒ7は、炭素原子数１〜８のアル
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（１）または（２）に
記載のインドールスチリル化合物。
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（１）または（２）に
記載のインドールスチリル化合物。
【００１４】（４） Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、
炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2
Ｒ8）であり、Ｒ8は、炭素原子数１〜８のアルキル基及
び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群より
選ばれる基である、前記（１）〜（３）のいずれかに記
載のインドールスチリル化合物。
炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2
Ｒ8）であり、Ｒ8は、炭素原子数１〜８のアルキル基及
び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群より
選ばれる基である、前記（１）〜（３）のいずれかに記
載のインドールスチリル化合物。
【００１５】（５） Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、
アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）であり、Ｒ9及びＲ10は、
それぞれ独立して、水素原子及び炭素原子数１〜６のア
ルキル基からなる群より選ばれる基である、前記（１）
〜（４）のいずれかに記載のインドールスチリル化合
物。
アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）であり、Ｒ9及びＲ10は、
それぞれ独立して、水素原子及び炭素原子数１〜６のア
ルキル基からなる群より選ばれる基である、前記（１）
〜（４）のいずれかに記載のインドールスチリル化合
物。
【００１６】（６） Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、
−ＳＯ3Ｒ11基であり、Ｒ11は、水素原子及び炭素原子
数１〜６のアルキル基からなる群より選ばれる基であ
る、前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載のインド
ールスチリル化合物。
−ＳＯ3Ｒ11基であり、Ｒ11は、水素原子及び炭素原子
数１〜６のアルキル基からなる群より選ばれる基であ
る、前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載のインド
ールスチリル化合物。
【００１７】（７） 透明基材である、第一の基材；上
記第一の基材の一方の表面上に形成されるイミン塩を有
し、この際、上記イミン塩は、下記式（Ｉ）：
記第一の基材の一方の表面上に形成されるイミン塩を有
し、この際、上記イミン塩は、下記式（Ｉ）：
【００１８】
【化４】
【００１９】ただし、Ｒ1は、炭素原子数１〜８のアル
キル基、ＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ
7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる基で
あり；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、炭
素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアル
コキシ基、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基
からなる群より選ばれる基である、または、Ｒ2及びＲ3
は、連結してピロリジン環を形成しても若しくは少なく
とも一方がベンゼン環に結合してユロリジン環を形成し
てもよく；Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原
子、炭素原子数１〜８のアルキル基、トリフルオロメチ
ル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル
基、ニトロ基(nitric acid)、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ
10）、スルホン酸基、−ＳＯ3Ｒ11、炭素原子数１〜８
のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）、及びハロゲ
ン原子からなる群より選ばれる基であり；Ｙ-がＲ1と適
合するように選択される必要がありかつＲ1がＣＨ2Ｃ6
Ｈ4Ｒ6'ＣＯ 2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7及び（ＣＨ2）n
ＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる一種である場合には、
Ｙ-は、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮ
Ｑ-）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ-）、Ｃｌ
Ｏ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、及びハロゲンイオン
からなる群より選ばれる基であり；Ｒ1が炭素原子数１
〜８のアルキル基である場合には、Ｙ-は、テトラシア
ノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）及びテトラシアノ
エチレン（ＴＣＮＥ-）からなる群より選ばれる基であ
る、で示されるインドールスチリル化合物であり；上記
記録層上に形成される、反射層；透明基材である、第二
の基材；ならびに上記反射層及び第二の基材を連結する
のに使用される、接着層を有する高密度記録光学ディス
ク。
キル基、ＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ
7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる基で
あり；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、炭
素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアル
コキシ基、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基
からなる群より選ばれる基である、または、Ｒ2及びＲ3
は、連結してピロリジン環を形成しても若しくは少なく
とも一方がベンゼン環に結合してユロリジン環を形成し
てもよく；Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原
子、炭素原子数１〜８のアルキル基、トリフルオロメチ
ル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル
基、ニトロ基(nitric acid)、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ
10）、スルホン酸基、−ＳＯ3Ｒ11、炭素原子数１〜８
のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）、及びハロゲ
ン原子からなる群より選ばれる基であり；Ｙ-がＲ1と適
合するように選択される必要がありかつＲ1がＣＨ2Ｃ6
Ｈ4Ｒ6'ＣＯ 2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7及び（ＣＨ2）n
ＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる一種である場合には、
Ｙ-は、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮ
Ｑ-）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ-）、Ｃｌ
Ｏ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、及びハロゲンイオン
からなる群より選ばれる基であり；Ｒ1が炭素原子数１
〜８のアルキル基である場合には、Ｙ-は、テトラシア
ノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）及びテトラシアノ
エチレン（ＴＣＮＥ-）からなる群より選ばれる基であ
る、で示されるインドールスチリル化合物であり；上記
記録層上に形成される、反射層；透明基材である、第二
の基材；ならびに上記反射層及び第二の基材を連結する
のに使用される、接着層を有する高密度記録光学ディス
ク。
【００２０】（８） Ｒ6は、炭素原子数１〜８のアル
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（７）に記載の高密度
記録光学ディスク。
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（７）に記載の高密度
記録光学ディスク。
【００２１】（９） Ｒ7は、炭素原子数１〜８のアル
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（７）または（８）に
記載の高密度記録光学ディスク。
キル基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からな
る群より選ばれる基である、前記（７）または（８）に
記載の高密度記録光学ディスク。
【００２２】（１０） Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方
が、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−Ｃ
Ｏ2Ｒ8）であり、Ｒ8は、炭素原子数１〜８のアルキル
基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群
より選ばれる基である、前記（７）〜（９）のいずれか
に記載の高密度記録光学ディスク。
が、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−Ｃ
Ｏ2Ｒ8）であり、Ｒ8は、炭素原子数１〜８のアルキル
基及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群
より選ばれる基である、前記（７）〜（９）のいずれか
に記載の高密度記録光学ディスク。
【００２３】（１１） Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方
が、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）であり、Ｒ9及びＲ10
は、それぞれ独立して、水素原子及び炭素原子数１〜６
のアルキル基からなる群より選ばれる基である、前記
（７）〜（１０のいずれかに記載の高密度記録光学ディ
スク。
が、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）であり、Ｒ9及びＲ10
は、それぞれ独立して、水素原子及び炭素原子数１〜６
のアルキル基からなる群より選ばれる基である、前記
（７）〜（１０のいずれかに記載の高密度記録光学ディ
スク。
【００２４】（１２） Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方
が、−ＳＯ3Ｒ11基であり、Ｒ11は、水素原子及び炭素
原子数１〜６のアルキル基からなる群より選ばれる基で
ある、前記（７）〜（１１）のいずれかに記載の高密度
記録光学ディスク。
が、−ＳＯ3Ｒ11基であり、Ｒ11は、水素原子及び炭素
原子数１〜６のアルキル基からなる群より選ばれる基で
ある、前記（７）〜（１１）のいずれかに記載の高密度
記録光学ディスク。
【００２５】（１３） 上記第一及び第二の基材は、ラ
ンド(land)及び溝を有し、トラックピッチが０．３〜
０．８μｍであり、溝深さが７０〜２００ｎｍである透
明基材である、前記（７）〜（１２）のいずれかに記載
の高密度記録光学ディスク。
ンド(land)及び溝を有し、トラックピッチが０．３〜
０．８μｍであり、溝深さが７０〜２００ｎｍである透
明基材である、前記（７）〜（１２）のいずれかに記載
の高密度記録光学ディスク。
【００２６】（１４） 上記第一及び第二の基材は、ポ
リエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及び
ＭＣＯＣからなる群より選ばれる材料から形成される、
前記（７）〜（１３）のいずれかに記載の高密度記録光
学ディスク。
リエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及び
ＭＣＯＣからなる群より選ばれる材料から形成される、
前記（７）〜（１３）のいずれかに記載の高密度記録光
学ディスク。
【００２７】（１５） 上記記録層は、スピンコーティ
ング、真空蒸着、ジェットコーティング、ロールコーテ
ィング、及びソーキングからなる群より選ばれる方法を
用いて形成される、前記（７）〜（１４）のいずれかに
記載の高密度記録光学ディスク。
ング、真空蒸着、ジェットコーティング、ロールコーテ
ィング、及びソーキングからなる群より選ばれる方法を
用いて形成される、前記（７）〜（１４）のいずれかに
記載の高密度記録光学ディスク。
【００２８】（１６） 上記記録層の厚みは７０〜２５
０ｎｍである、前記（７）〜（１５）のいずれかに記載
の高密度記録光学ディスク。
０ｎｍである、前記（７）〜（１５）のいずれかに記載
の高密度記録光学ディスク。
【００２９】（１７） 上記記録層は、インドールスチ
リル化合物を有機溶剤に溶解した後、これを第一の基材
の表面にスピンコーティングによって塗布することによ
って形成される、前記（７）〜（１６）のいずれかに記
載の高密度記録光学ディスク。
リル化合物を有機溶剤に溶解した後、これを第一の基材
の表面にスピンコーティングによって塗布することによ
って形成される、前記（７）〜（１６）のいずれかに記
載の高密度記録光学ディスク。
【００３０】（１８） 上記有機溶剤は、炭素原子数１
〜６のアルコール、炭素原子数１〜６のケトン、炭素原
子数１〜６のエーテル、ハロゲン化合物、シクラン及び
アミドからなる群より選ばれる少なくとも一種である、
前記（１７）に記載の高密度記録光学ディスク。
〜６のアルコール、炭素原子数１〜６のケトン、炭素原
子数１〜６のエーテル、ハロゲン化合物、シクラン及び
アミドからなる群より選ばれる少なくとも一種である、
前記（１７）に記載の高密度記録光学ディスク。
【００３１】（１９） 上記炭素原子数１〜６のアルコ
ールは、メタノール、エタノール、イソプロパノール、
ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、２，２，３，３−テ
トラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２
−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノール、及
びヘキサフルオロブタノールからなる群より選ばれる少
なくとも一種である、前記（１８）に記載の高密度記録
光学ディスク。
ールは、メタノール、エタノール、イソプロパノール、
ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、２，２，３，３−テ
トラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２
−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノール、及
びヘキサフルオロブタノールからなる群より選ばれる少
なくとも一種である、前記（１８）に記載の高密度記録
光学ディスク。
【００３２】（２０） 上記炭素原子数１〜６のケトン
は、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、３−ヒドロキシ−３−
メチル−２−ブタノンからなる群より選ばれる少なくと
も一種である、前記（１８）に記載の高密度記録光学デ
ィスク。
は、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、３−ヒドロキシ−３−
メチル−２−ブタノンからなる群より選ばれる少なくと
も一種である、前記（１８）に記載の高密度記録光学デ
ィスク。
【００３３】（２１） 上記ハロゲン化合物は、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、及び１−クロロブタンからな
る群より選ばれる少なくとも一種である、前記（１８）
に記載の高密度記録光学ディスク。
ホルム、ジクロロメタン、及び１−クロロブタンからな
る群より選ばれる少なくとも一種である、前記（１８）
に記載の高密度記録光学ディスク。
【００３４】（２２） 上記シクランは、メチルシクロ
ヘキサン（ＭＣＨ）である、前記（１８）に記載の高密
度記録光学ディスク。
ヘキサン（ＭＣＨ）である、前記（１８）に記載の高密
度記録光学ディスク。
【００３５】（２３） 上記アミドは、ジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）及びジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）
からなる群より選ばれる少なくとも一種である、前記
（１８）に記載の高密度記録光学ディスク。
アミド（ＤＭＦ）及びジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）
からなる群より選ばれる少なくとも一種である、前記
（１８）に記載の高密度記録光学ディスク。
【００３６】（２４） 上記反射層は、金、銀、アルミ
ニウム、シリコン、銅、銀−チタン合金、銀−クロム合
金、銀−銅合金からなる群より選ばれる少なくとも一種
である、前記（７）〜（２３）のいずれかに記載の高密
度記録光学ディスク。
ニウム、シリコン、銅、銀−チタン合金、銀−クロム合
金、銀−銅合金からなる群より選ばれる少なくとも一種
である、前記（７）〜（２３）のいずれかに記載の高密
度記録光学ディスク。
【００３７】（２５） 第一の基材及び第二の基材の合
わせ(combination)は、スピンコーティング、ハーフト
ーンプリンティング(half-tone printing)、熱接着、及
び両面テープからなる群より選ばれる方法を用いてなさ
れる、前記（７）〜（２４）のいずれかに記載の高密度
記録光学ディスク。
わせ(combination)は、スピンコーティング、ハーフト
ーンプリンティング(half-tone printing)、熱接着、及
び両面テープからなる群より選ばれる方法を用いてなさ
れる、前記（７）〜（２４）のいずれかに記載の高密度
記録光学ディスク。
【００３８】（２６） 上記反射層の厚みは、５０〜２
００ｎｍである、前記（７）〜（２５）のいずれかに記
載の高密度記録光学ディスク。
００ｎｍである、前記（７）〜（２５）のいずれかに記
載の高密度記録光学ディスク。
【００３９】（２７） さらに複数の記録層及び複数の
反射層が一緒に接着されて、多層の高密度記録光学ディ
スクとして形成される、前記（７）〜（２６）のいずれ
かに記載の高密度記録光学ディスク。
反射層が一緒に接着されて、多層の高密度記録光学ディ
スクとして形成される、前記（７）〜（２６）のいずれ
かに記載の高密度記録光学ディスク。
【００４０】
【発明の実施の形態および実施例】本発明の第一は、下
記式（Ｉ）：
記式（Ｉ）：
【００４１】
【化５】
【００４２】で示されるインドールスチリル化合物に関
するものである。本発明において、インドールスチリル
化合物は、様々な基の組み合わせによる式（Ｉ）の構造
をする。このような構造を有するインドールスチリル化
合物は、５００〜７００ｎｍの光波長（λ＝５００〜７
００ｎｍ）で最大の吸収を有するため、ＤＶＤ−Ｒ等の
記録媒体用のレーザーの染料に使用でき、高密度で記録
可能な光学ディスクに好適である。
するものである。本発明において、インドールスチリル
化合物は、様々な基の組み合わせによる式（Ｉ）の構造
をする。このような構造を有するインドールスチリル化
合物は、５００〜７００ｎｍの光波長（λ＝５００〜７
００ｎｍ）で最大の吸収を有するため、ＤＶＤ−Ｒ等の
記録媒体用のレーザーの染料に使用でき、高密度で記録
可能な光学ディスクに好適である。
【００４３】以下、本発明を詳細に説明する。
【００４４】上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5及びＹ-は、それぞれ、上記式（Ｉ）において
異なる位置に結合する基を表わす。式（Ｉ）において、
Ｒ1は、炭素原子数１〜８のアルキル基、ＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ
6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7または（ＣＨ2）nＣＯ
2Ｒ7である。本発明において、「炭素原子数１〜８のア
ルキル基」とは、炭素原子数１〜８の直鎖または分岐鎖
または環状のアルキル基を表わし、具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、シクロプロピル基、ｉ
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、シクロブチル基、ｉ
ｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、シクロペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル
基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル
基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメ
チルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，
２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘプチ
ル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチル
ブチル基、ｎ−オクチル基、シクロオクチル基、２−エ
チルヘキシル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブ
チル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピル基、１−ｔ
−ブチル−２−メチルプロピル基等が挙げられ、以下の
他の置換基についても同様の定義とする。また、上記Ｒ
1において、Ｒ6'は、結合子、炭素原子数１〜８のアル
キレン基またはこのアルキレン基の少なくとも一部がハ
ロゲン化、好ましくはフッ素化されたアルキレン基を表
わす。この際、炭素原子数１〜８のアルキレン基として
は、炭素原子数１〜８の直鎖または分岐鎖のアルキレン
基を表わし、具体的には、メチレン基（−ＣＨ2−）、
エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、トリメチレン基（−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2−）、テトラメチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ2−）、ペンタメチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ
2ＣＨ2ＣＨ2−）、プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ
2−）などが挙げられる。また、Ｒ6は、炭素原子数１〜
８のアルキル基または上記アルキル基の少なくとも一部
がハロゲン化された、好ましくは少なくとも一部がフッ
素化されたアルキル基、より好ましくはフッ化アルキ
ル、例えば、−ＣＦ3、−Ｃ2Ｆ4、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ
2Ｈ、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、
−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈな
どを表わす。これらのうち、Ｒ6は、好ましくは、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル
基、または−Ｃ2Ｆ4、−ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ
2Ｈ等の、これのフッ素化アルキル基を表わす。また、
Ｒ7は、炭素原子数１〜８のアルキル基または上記アル
キル基の少なくとも一部がハロゲン化された、好ましく
は少なくとも一部がフッ素化されたアルキル基、より好
ましくはフッ化アルキル、例えば、−ＣＦ3、−Ｃ
2Ｆ4、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−Ｃ
Ｆ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−Ｃ
Ｈ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈなどを表わす。これらのうち、Ｒ
6は、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基等のアルキル基、または−Ｃ2Ｆ4、−ＣＦ3、
−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ等の、これのフッ素化アルキ
ル基を表わす。さらに、ｎは、所望の効果が得られるも
のであれば特に制限されず、適宜選択でき、１以上の整
数を表わす。
Ｒ4、Ｒ5及びＹ-は、それぞれ、上記式（Ｉ）において
異なる位置に結合する基を表わす。式（Ｉ）において、
Ｒ1は、炭素原子数１〜８のアルキル基、ＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ
6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7または（ＣＨ2）nＣＯ
2Ｒ7である。本発明において、「炭素原子数１〜８のア
ルキル基」とは、炭素原子数１〜８の直鎖または分岐鎖
または環状のアルキル基を表わし、具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、シクロプロピル基、ｉ
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、シクロブチル基、ｉ
ｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、シクロペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル
基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル
基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメ
チルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，
２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘプチ
ル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチル
ブチル基、ｎ−オクチル基、シクロオクチル基、２−エ
チルヘキシル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブ
チル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピル基、１−ｔ
−ブチル−２−メチルプロピル基等が挙げられ、以下の
他の置換基についても同様の定義とする。また、上記Ｒ
1において、Ｒ6'は、結合子、炭素原子数１〜８のアル
キレン基またはこのアルキレン基の少なくとも一部がハ
ロゲン化、好ましくはフッ素化されたアルキレン基を表
わす。この際、炭素原子数１〜８のアルキレン基として
は、炭素原子数１〜８の直鎖または分岐鎖のアルキレン
基を表わし、具体的には、メチレン基（−ＣＨ2−）、
エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、トリメチレン基（−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2−）、テトラメチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ2−）、ペンタメチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ
2ＣＨ2ＣＨ2−）、プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ
2−）などが挙げられる。また、Ｒ6は、炭素原子数１〜
８のアルキル基または上記アルキル基の少なくとも一部
がハロゲン化された、好ましくは少なくとも一部がフッ
素化されたアルキル基、より好ましくはフッ化アルキ
ル、例えば、−ＣＦ3、−Ｃ2Ｆ4、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ
2Ｈ、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、
−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈな
どを表わす。これらのうち、Ｒ6は、好ましくは、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル
基、または−Ｃ2Ｆ4、−ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ
2Ｈ等の、これのフッ素化アルキル基を表わす。また、
Ｒ7は、炭素原子数１〜８のアルキル基または上記アル
キル基の少なくとも一部がハロゲン化された、好ましく
は少なくとも一部がフッ素化されたアルキル基、より好
ましくはフッ化アルキル、例えば、−ＣＦ3、−Ｃ
2Ｆ4、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−Ｃ
Ｆ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−Ｃ
Ｈ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈなどを表わす。これらのうち、Ｒ
6は、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基等のアルキル基、または−Ｃ2Ｆ4、−ＣＦ3、
−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｈ等の、これのフッ素化アルキ
ル基を表わす。さらに、ｎは、所望の効果が得られるも
のであれば特に制限されず、適宜選択でき、１以上の整
数を表わす。
【００４５】また、上記式（Ｉ）において、Ｒ2及びＲ3
は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原
子数１〜８のアルコキシ基（−ＯＲ8）、または炭素原
子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）を
表わす。または、Ｒ2及びＲ3は、これらが相互に連結し
てピロリジン環を形成しても若しくは少なくとも一方が
ベンゼン環に結合してユロリジン環を形成してもよい。
この際、Ｒ2及びＲ3は、同一であってもあるいは異なる
基であってもよい。また、Ｒ2および／またはＲ3がアル
コキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わす際のＲ
8としては、炭素原子数１〜８のアルキル基または上記
アルキル基の少なくとも一部がハロゲン化された、好ま
しくは少なくとも一部がフッ素化されたアルキル基、よ
り好ましくはフッ化アルキルが挙げられ、より具体的な
例示は上記Ｒ6及びＲ7における定義と同様であり、より
好ましくは、メチル基、エチル基等の炭素原子数１〜８
のアルキル基またはＣ2Ｆ4、ＣＦ3等のフッ化アルキル
基である。
は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原
子数１〜８のアルコキシ基（−ＯＲ8）、または炭素原
子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）を
表わす。または、Ｒ2及びＲ3は、これらが相互に連結し
てピロリジン環を形成しても若しくは少なくとも一方が
ベンゼン環に結合してユロリジン環を形成してもよい。
この際、Ｒ2及びＲ3は、同一であってもあるいは異なる
基であってもよい。また、Ｒ2および／またはＲ3がアル
コキシ基またはアルコキシカルボニル基を表わす際のＲ
8としては、炭素原子数１〜８のアルキル基または上記
アルキル基の少なくとも一部がハロゲン化された、好ま
しくは少なくとも一部がフッ素化されたアルキル基、よ
り好ましくはフッ化アルキルが挙げられ、より具体的な
例示は上記Ｒ6及びＲ7における定義と同様であり、より
好ましくは、メチル基、エチル基等の炭素原子数１〜８
のアルキル基またはＣ2Ｆ4、ＣＦ3等のフッ化アルキル
基である。
【００４６】さらに、上記式（Ｉ）において、Ｒ4及び
Ｒ5は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、ト
リフルオロメチル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基
（−ＯＲ8）、カルボキシル基、ニトロ基(nitric acid)
（−ＮＯ2）、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）、スルホン
酸基、−ＳＯ3Ｒ11、炭素原子数１〜８のアルコキシカ
ルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）またはハロゲン原子を表わ
す。この際、Ｒ4及びＲ5は、同一であってもあるいは異
なる基であってもよい。また、Ｒ4および／またはＲ5が
アルコキシ基（−ＯＲ8）またはアルコキシカルボニル
基（−ＣＯ2Ｒ8）を表わす際のＲ8としては、上記Ｒ2及
びＲ3における定義と同様である。また、Ｒ4および／ま
たはＲ5がアミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）を表わす際のＲ
9及びＲ10としては、水素原子及び炭素原子数１〜６の
アルキル基が挙げられる。この際、Ｒ 9及びＲ10は、同
一であってもあるいは異なる基であってもよい。また、
Ｒ4および／またはＲ5が−ＳＯ3Ｒ11を表わす際のＲ11
としては、水素原子及び炭素原子数１〜６のアルキル基
が挙げられる。この際、炭素原子数１〜６のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、シク
ロプロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、シ
クロブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメ
チルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、
１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロ
ピル基、１，２−ジメチルブチル基などの、炭素原子数
１〜６の、直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基が挙げ
られる。さらに、Ｒ4及びＲ5において、ハロゲン原子
は、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子または塩素原子
のいずれでもよいが、好ましくはヨウ素原子である。
Ｒ5は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、ト
リフルオロメチル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基
（−ＯＲ8）、カルボキシル基、ニトロ基(nitric acid)
（−ＮＯ2）、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）、スルホン
酸基、−ＳＯ3Ｒ11、炭素原子数１〜８のアルコキシカ
ルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）またはハロゲン原子を表わ
す。この際、Ｒ4及びＲ5は、同一であってもあるいは異
なる基であってもよい。また、Ｒ4および／またはＲ5が
アルコキシ基（−ＯＲ8）またはアルコキシカルボニル
基（−ＣＯ2Ｒ8）を表わす際のＲ8としては、上記Ｒ2及
びＲ3における定義と同様である。また、Ｒ4および／ま
たはＲ5がアミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）を表わす際のＲ
9及びＲ10としては、水素原子及び炭素原子数１〜６の
アルキル基が挙げられる。この際、Ｒ 9及びＲ10は、同
一であってもあるいは異なる基であってもよい。また、
Ｒ4および／またはＲ5が−ＳＯ3Ｒ11を表わす際のＲ11
としては、水素原子及び炭素原子数１〜６のアルキル基
が挙げられる。この際、炭素原子数１〜６のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、シク
ロプロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、シ
クロブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメ
チルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、
１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロ
ピル基、１，２−ジメチルブチル基などの、炭素原子数
１〜６の、直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基が挙げ
られる。さらに、Ｒ4及びＲ5において、ハロゲン原子
は、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子または塩素原子
のいずれでもよいが、好ましくはヨウ素原子である。
【００４７】さらに、上記式（Ｉ）において、Ｙ-がＲ1
と適合するように選択される必要がありかつＲ1がＣＨ2
Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7または（ＣＨ
2）nＣＯ2Ｒ7を表わす場合には、Ｙ-は、テトラシアノ
−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）、テトラシアノエチ
レン（ＴＣＮＥ-）、ＣｌＯ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、Ｂ
Ｆ4 -、またはハロゲンイオンを表わす。この際、ハロゲ
ンイオンは、フッ素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
または塩素イオンのいずれでもよいが、好ましくはヨウ
素イオンである。また、Ｙ-は、Ｙ-がＲ1と適合するよ
うに選択される必要がありかつＲ1が炭素原子数１〜８
のアルキル基である場合には、テトラシアノ−ｐ−キノ
ジメタン（ＴＣＮＱ-）またはテトラシアノエチレン
（ＴＣＮＥ-）を表わす。
と適合するように選択される必要がありかつＲ1がＣＨ2
Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7または（ＣＨ
2）nＣＯ2Ｒ7を表わす場合には、Ｙ-は、テトラシアノ
−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）、テトラシアノエチ
レン（ＴＣＮＥ-）、ＣｌＯ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、Ｂ
Ｆ4 -、またはハロゲンイオンを表わす。この際、ハロゲ
ンイオンは、フッ素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン
または塩素イオンのいずれでもよいが、好ましくはヨウ
素イオンである。また、Ｙ-は、Ｙ-がＲ1と適合するよ
うに選択される必要がありかつＲ1が炭素原子数１〜８
のアルキル基である場合には、テトラシアノ−ｐ−キノ
ジメタン（ＴＣＮＱ-）またはテトラシアノエチレン
（ＴＣＮＥ-）を表わす。
【００４８】本発明のインドールスチリル化合物は、上
記式（Ｉ）で表わされるものであれば特に制限されない
が、上記記載を考慮して、本発明のインドールスチリル
化合物の特に好ましい例を、下記表１〜３に列挙する。
なお、下記表１及び２において、各化合物（Ａ）〜
（Ｋ）の最大吸収波長（λmax）及び一部の化合物につ
いて吸収係数(absorption coefficient)（ε）を併せて
記載する。
記式（Ｉ）で表わされるものであれば特に制限されない
が、上記記載を考慮して、本発明のインドールスチリル
化合物の特に好ましい例を、下記表１〜３に列挙する。
なお、下記表１及び２において、各化合物（Ａ）〜
（Ｋ）の最大吸収波長（λmax）及び一部の化合物につ
いて吸収係数(absorption coefficient)（ε）を併せて
記載する。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】本発明において、上記本発明の第一の態様
のインドールスチリル化合物の製造方法は、特に制限さ
れず、公知の方法またはその類似の若しくは改良された
方法を単独であるいは組み合わせて使用することによっ
て達成されるが、好ましくは下記反応式に示されるよう
に、有機溶剤中で化合物（ＩＩ）及び化合物（ＩＩＩ）
の反応によって製造されることが好ましい。即ち、化合
物（ＩＩ）及び化合物（ＩＩＩ）を有機溶剤中で混合し
て、反応することによって、ハロゲンイオン（Ｘ-）を
有するインドールスチリル化合物（ＩＶ）が得られる。
のインドールスチリル化合物の製造方法は、特に制限さ
れず、公知の方法またはその類似の若しくは改良された
方法を単独であるいは組み合わせて使用することによっ
て達成されるが、好ましくは下記反応式に示されるよう
に、有機溶剤中で化合物（ＩＩ）及び化合物（ＩＩＩ）
の反応によって製造されることが好ましい。即ち、化合
物（ＩＩ）及び化合物（ＩＩＩ）を有機溶剤中で混合し
て、反応することによって、ハロゲンイオン（Ｘ-）を
有するインドールスチリル化合物（ＩＶ）が得られる。
【００５２】
【化６】
【００５３】最後に、下記反応式に示されるように、ハ
ロゲンイオン（Ｘ-）を有するインドールスチリル化合
物（ＩＶ）を、リチウム、ナトリウム及びカリウム塩の
一（ＬｉＹ、ＮａＹ、ＫＹ）と有機溶剤中で混合して、
イオン交換して、本発明の式（Ｉ）で示されるインドー
ルスチリル化合物を得る。
ロゲンイオン（Ｘ-）を有するインドールスチリル化合
物（ＩＶ）を、リチウム、ナトリウム及びカリウム塩の
一（ＬｉＹ、ＮａＹ、ＫＹ）と有機溶剤中で混合して、
イオン交換して、本発明の式（Ｉ）で示されるインドー
ルスチリル化合物を得る。
【００５４】
【化７】
【００５５】ここで、本発明のインドールスチリル化合
物の製造のより好ましい実施態様を、上記表１〜３の化
合物について述べる。なお、下記説明において、各化合
物に付記されるアルファベットは、上記表１及び２にお
けるものと一致し、例えば、下記説明における化合物
（Ａ）は、表１における化合物（Ａ）を意味する。
物の製造のより好ましい実施態様を、上記表１〜３の化
合物について述べる。なお、下記説明において、各化合
物に付記されるアルファベットは、上記表１及び２にお
けるものと一致し、例えば、下記説明における化合物
（Ａ）は、表１における化合物（Ａ）を意味する。
【００５６】第一の実施態様においては、式（Ｉ）中の
置換基Ｒ1が−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2ＣＨ3である本発明のイ
ンドールスチリル化合物の製造方法について、以下に説
明する。すなわち、Ｒ1が−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2ＣＨ3であ
り、Ｒ4が水素原子である上記式（ＩＩ）の出発材料
（ＩＩ）５ｇ及びＲ2及びＲ3が双方ともエチル基（−Ｃ
2Ｈ5）であり、Ｒ5が水素原子である上記式（ＩＩＩ）
の材料（ＩＩＩ）２．４ｇを、１２０ｍｌのアルコール
に溶解する。この際、アルコールとしては、特に制限さ
れないが、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好ましく
使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流温
度で、８時間加熱して反応させる。所定時間反応を行な
った後、反応物を瀘過し、乾燥して、上記式（ＩＶ）の
化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、Ｘ-がヨ
ウ素イオンである緑色の固体結晶（Ａ）を得る。この際
の収率は８３％である。このようにして得られた化合物
（Ａ）を分析したところ、最大吸収波長は５６６ｎｍ
（ＵＶmax＝５６６ｎｍ）である。さらに、この化合物
（Ａ）について、有機溶剤中でリチウム、ナトリウムま
たはカリウムイオン性化合物（それぞれ、ＬｉＹ、Ｎａ
ＹまたはＫＹ）によるイオン交換反応を行なうことによ
って、様々な種類の式（Ｉ）の化合物が得られる。この
際、使用できる有機溶剤としては、原料化合物である化
合物（Ａ）及び上記イオン性化合物の反応に悪影響を与
えないものであれば特に制限されないが、例えば、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等
のアルコールなどが挙げられ、エタノールが好ましく使
用される。ここで、以下に、上記イオン交換反応から形
成される化合物（Ｂ）及び（Ｃ）の製造方法および特性
をより詳細に記載する。
置換基Ｒ1が−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2ＣＨ3である本発明のイ
ンドールスチリル化合物の製造方法について、以下に説
明する。すなわち、Ｒ1が−ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＯ2ＣＨ3であ
り、Ｒ4が水素原子である上記式（ＩＩ）の出発材料
（ＩＩ）５ｇ及びＲ2及びＲ3が双方ともエチル基（−Ｃ
2Ｈ5）であり、Ｒ5が水素原子である上記式（ＩＩＩ）
の材料（ＩＩＩ）２．４ｇを、１２０ｍｌのアルコール
に溶解する。この際、アルコールとしては、特に制限さ
れないが、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好ましく
使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流温
度で、８時間加熱して反応させる。所定時間反応を行な
った後、反応物を瀘過し、乾燥して、上記式（ＩＶ）の
化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、Ｘ-がヨ
ウ素イオンである緑色の固体結晶（Ａ）を得る。この際
の収率は８３％である。このようにして得られた化合物
（Ａ）を分析したところ、最大吸収波長は５６６ｎｍ
（ＵＶmax＝５６６ｎｍ）である。さらに、この化合物
（Ａ）について、有機溶剤中でリチウム、ナトリウムま
たはカリウムイオン性化合物（それぞれ、ＬｉＹ、Ｎａ
ＹまたはＫＹ）によるイオン交換反応を行なうことによ
って、様々な種類の式（Ｉ）の化合物が得られる。この
際、使用できる有機溶剤としては、原料化合物である化
合物（Ａ）及び上記イオン性化合物の反応に悪影響を与
えないものであれば特に制限されないが、例えば、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等
のアルコールなどが挙げられ、エタノールが好ましく使
用される。ここで、以下に、上記イオン交換反応から形
成される化合物（Ｂ）及び（Ｃ）の製造方法および特性
をより詳細に記載する。
【００５７】（１）化合物（Ａ）の固体結晶２．８４ｇ
及びＮａＳｂＦ6 １．５ｇをとり、５０ｍｌのアルコ
ールに溶解する。この際、アルコールとしては、特に制
限されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好まし
く使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流
温度(backflow temperature)に加熱して、イオン交換を
行なう。反応後、生成物を瀘過し、乾燥して、上記式
（Ｉ）の化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、
Ｙ-がＳｂＦ6 -である化合物（Ｂ）の暗緑色の固体結晶
を得る。反応収率を測定したところ、８９％であること
が分かった。このようにして得られた化合物（Ｂ）を分
析したところ、最大吸収波長は５６６ｎｍ（ＵＶmax＝
５６６ｎｍ）であり、吸収係数（ε）は１．０９×１０
5である。
及びＮａＳｂＦ6 １．５ｇをとり、５０ｍｌのアルコ
ールに溶解する。この際、アルコールとしては、特に制
限されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好まし
く使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流
温度(backflow temperature)に加熱して、イオン交換を
行なう。反応後、生成物を瀘過し、乾燥して、上記式
（Ｉ）の化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、
Ｙ-がＳｂＦ6 -である化合物（Ｂ）の暗緑色の固体結晶
を得る。反応収率を測定したところ、８９％であること
が分かった。このようにして得られた化合物（Ｂ）を分
析したところ、最大吸収波長は５６６ｎｍ（ＵＶmax＝
５６６ｎｍ）であり、吸収係数（ε）は１．０９×１０
5である。
【００５８】（２）化合物（Ａ）の固体結晶２．８４ｇ
及びＬｉＴＣＮＱ １．６ｇをとり、５０ｍｌのアルコ
ールに溶解する。この際、アルコールとしては、特に制
限されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好まし
く使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流
温度(backflow temperature)に加熱して、イオン交換を
行なう。反応後、生成物を瀘過し、乾燥して、上記式
（Ｉ）の化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、
Ｙ-がＴＣＮＱ-である化合物（Ｃ）の金緑色(gold gree
n)のを得る。反応収率を測定したところ、８６％である
ことが分かった。このようにして得られた化合物（Ｃ）
を分析したところ、最大吸収波長は５６６（ＵＶmax＝
５６６ｎｍ）であり、吸収係数（ε）は１．２６×１０
5であることが分かった。
及びＬｉＴＣＮＱ １．６ｇをとり、５０ｍｌのアルコ
ールに溶解する。この際、アルコールとしては、特に制
限されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好まし
く使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流
温度(backflow temperature)に加熱して、イオン交換を
行なう。反応後、生成物を瀘過し、乾燥して、上記式
（Ｉ）の化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、
Ｙ-がＴＣＮＱ-である化合物（Ｃ）の金緑色(gold gree
n)のを得る。反応収率を測定したところ、８６％である
ことが分かった。このようにして得られた化合物（Ｃ）
を分析したところ、最大吸収波長は５６６（ＵＶmax＝
５６６ｎｍ）であり、吸収係数（ε）は１．２６×１０
5であることが分かった。
【００５９】上記第一の実施態様において、化合物
（Ａ）は、ヨウ素イオンを有するインドールスチリル化
合物であり、これを有機溶剤中でリチウム、ナトリウム
またはカリウム塩と混合してイオン交換を行ない、反応
産物を瀘過、乾燥することによって、それぞれ、インド
ールスチリル化合物（Ｂ）及び（Ｃ）が得られる。この
際、化合物（Ｄ）〜（Ｆ）の製造については詳細に記載
していないが、上記第一の実施態様の方法と同様にして
製造できる。
（Ａ）は、ヨウ素イオンを有するインドールスチリル化
合物であり、これを有機溶剤中でリチウム、ナトリウム
またはカリウム塩と混合してイオン交換を行ない、反応
産物を瀘過、乾燥することによって、それぞれ、インド
ールスチリル化合物（Ｂ）及び（Ｃ）が得られる。この
際、化合物（Ｄ）〜（Ｆ）の製造については詳細に記載
していないが、上記第一の実施態様の方法と同様にして
製造できる。
【００６０】次に、本発明の第二の実施態様において
は、式（Ｉ）中の置換基Ｒ1が−（ＣＨ2）4ＣＯ2ＣＨ3
である本発明のインドールスチリル化合物の製造方法に
ついて、以下に説明する。すなわち、Ｒ1が−（ＣＨ2）
4ＣＯ2ＣＨ3であり、Ｒ4が水素原子である上記式（Ｉ
Ｉ）の出発材料（ＩＩ）９ｇ及びＲ2及びＲ3が連結して
ピロリジン環を形成し、Ｒ5が水素原子である上記式
（ＩＩＩ）の材料（ＩＩＩ）４．３ｇを、１００ｍｌの
アルコールに溶解する。この際、アルコールとしては、
特に制限されないが、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが
好ましく使用される。次に、この混合物を、アルコール
の還流温度まで加熱して、８時間反応させる。所定時間
反応を行なった後、反応物を瀘過し、乾燥して、上記式
（ＩＶ）の化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であ
り、Ｘ-がヨウ素イオンである化合物（Ｇ）の緑色の固
体結晶を得る。この際の収率は８６％である。このよう
にして得られた化合物（Ｇ）を分析したところ、最大吸
収波長は５５７ｎｍ（ＵＶmax＝５５７ｎｍ）である。
さらに、この化合物（Ｇ）及びリチウム、ナトリウムま
たはカリウムイオン性化合物（それぞれ、ＬｉＹ、Ｎａ
ＹまたはＫＹ）を有機溶剤中で混合して、イオン交換反
応を行なうことによって、様々な種類の式（Ｉ）の化合
物が得られる。この際、使用できる有機溶剤としては、
原料化合物である化合物（Ｇ）及び上記イオン性化合物
の反応に悪影響を与えないものであれば特に制限されな
いが、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ブタノール等のアルコールなどが挙げられ、エタ
ノールが好ましく使用される。ここで、以下に、上記イ
オン交換反応から形成される化合物（Ｈ）の製造方法お
よび特性をより詳細に記載する。
は、式（Ｉ）中の置換基Ｒ1が−（ＣＨ2）4ＣＯ2ＣＨ3
である本発明のインドールスチリル化合物の製造方法に
ついて、以下に説明する。すなわち、Ｒ1が−（ＣＨ2）
4ＣＯ2ＣＨ3であり、Ｒ4が水素原子である上記式（Ｉ
Ｉ）の出発材料（ＩＩ）９ｇ及びＲ2及びＲ3が連結して
ピロリジン環を形成し、Ｒ5が水素原子である上記式
（ＩＩＩ）の材料（ＩＩＩ）４．３ｇを、１００ｍｌの
アルコールに溶解する。この際、アルコールとしては、
特に制限されないが、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが
好ましく使用される。次に、この混合物を、アルコール
の還流温度まで加熱して、８時間反応させる。所定時間
反応を行なった後、反応物を瀘過し、乾燥して、上記式
（ＩＶ）の化合物として、Ｒ4及びＲ5が水素原子であ
り、Ｘ-がヨウ素イオンである化合物（Ｇ）の緑色の固
体結晶を得る。この際の収率は８６％である。このよう
にして得られた化合物（Ｇ）を分析したところ、最大吸
収波長は５５７ｎｍ（ＵＶmax＝５５７ｎｍ）である。
さらに、この化合物（Ｇ）及びリチウム、ナトリウムま
たはカリウムイオン性化合物（それぞれ、ＬｉＹ、Ｎａ
ＹまたはＫＹ）を有機溶剤中で混合して、イオン交換反
応を行なうことによって、様々な種類の式（Ｉ）の化合
物が得られる。この際、使用できる有機溶剤としては、
原料化合物である化合物（Ｇ）及び上記イオン性化合物
の反応に悪影響を与えないものであれば特に制限されな
いが、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ブタノール等のアルコールなどが挙げられ、エタ
ノールが好ましく使用される。ここで、以下に、上記イ
オン交換反応から形成される化合物（Ｈ）の製造方法お
よび特性をより詳細に記載する。
【００６１】（３）化合物（Ｇ）の固体結晶２．５ｇ及
びＮａＳｂＦ6 １．４ｇをとり、５０ｍｌのアルコー
ルに溶解する。この際、アルコールとしては、特に制限
されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好ましく
使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流温
度に加熱して、イオン交換を行なう。反応後、生成物を
瀘過し、乾燥して、上記式（Ｉ）の化合物として、Ｒ4
及びＲ5が水素原子であり、Ｙ-がＳｂＦ6 -である化合物
（Ｈ）の暗緑色の固体結晶を得る。反応収率を測定した
ところ、９３％であることが分かった。このようにして
得られた化合物（Ｈ）を分析したところ、最大吸収波長
は５５７ｎｍ（ＵＶmax＝５５７ｎｍ）であることが分
かった。
びＮａＳｂＦ6 １．４ｇをとり、５０ｍｌのアルコー
ルに溶解する。この際、アルコールとしては、特に制限
されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ブタノールなどが挙げられ、エタノールが好ましく
使用される。次に、この混合物を、アルコールの還流温
度に加熱して、イオン交換を行なう。反応後、生成物を
瀘過し、乾燥して、上記式（Ｉ）の化合物として、Ｒ4
及びＲ5が水素原子であり、Ｙ-がＳｂＦ6 -である化合物
（Ｈ）の暗緑色の固体結晶を得る。反応収率を測定した
ところ、９３％であることが分かった。このようにして
得られた化合物（Ｈ）を分析したところ、最大吸収波長
は５５７ｎｍ（ＵＶmax＝５５７ｎｍ）であることが分
かった。
【００６２】上記第二の実施態様において、化合物
（Ｇ）は、ヨウ素イオンを有するインドールスチリル化
合物であり、これを有機溶剤中でリチウム、ナトリウム
またはカリウム塩と混合してイオン交換を行ない、反応
産物を瀘過、乾燥することによって、それぞれ、インド
ールスチリル化合物（Ｈ）が得られる。この際、化合物
（Ｉ）〜（Ｊ）の製造については詳細に記載していない
が、上記第二の実施態様の方法と同様にして製造でき
る。また、化合物（Ｋ）に関しても、その製造について
は詳細に記載していないが、上記第一及び第二の実施態
様の方法と同様にして製造できる。
（Ｇ）は、ヨウ素イオンを有するインドールスチリル化
合物であり、これを有機溶剤中でリチウム、ナトリウム
またはカリウム塩と混合してイオン交換を行ない、反応
産物を瀘過、乾燥することによって、それぞれ、インド
ールスチリル化合物（Ｈ）が得られる。この際、化合物
（Ｉ）〜（Ｊ）の製造については詳細に記載していない
が、上記第二の実施態様の方法と同様にして製造でき
る。また、化合物（Ｋ）に関しても、その製造について
は詳細に記載していないが、上記第一及び第二の実施態
様の方法と同様にして製造できる。
【００６３】このようにして得られたインドールスチリ
ル化合物は、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒや他の高密度データ記
憶媒体の記録層などに直接適用できる。より詳細には、
本発明のインドールスチリル化合物を適当に希釈して加
工することにより、高密度記録光学ディスク用の染料と
することができ、また、この際、高密度記録光学ディス
クの所望の特性を得るために、一以上のインドールスチ
リル化合物および／または他の染料を添加してもよい。
したがって、本発明の第二は、透明基材である、第一の
基材；上記第一の基材の一方の表面上に形成される記録
層；上記記録層上に形成される、反射層；透明基材であ
る、第二の基材；ならびに上記反射層及び第二の基材を
連結するのに使用される、接着層を有する高密度記録光
学ディスクにおいて、本発明の式（Ｉ）のインドールス
チリル化合物が記録層の染料として用いられることを特
徴とする高密度記録光学ディスクに関するものである。
ル化合物は、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒや他の高密度データ記
憶媒体の記録層などに直接適用できる。より詳細には、
本発明のインドールスチリル化合物を適当に希釈して加
工することにより、高密度記録光学ディスク用の染料と
することができ、また、この際、高密度記録光学ディス
クの所望の特性を得るために、一以上のインドールスチ
リル化合物および／または他の染料を添加してもよい。
したがって、本発明の第二は、透明基材である、第一の
基材；上記第一の基材の一方の表面上に形成される記録
層；上記記録層上に形成される、反射層；透明基材であ
る、第二の基材；ならびに上記反射層及び第二の基材を
連結するのに使用される、接着層を有する高密度記録光
学ディスクにおいて、本発明の式（Ｉ）のインドールス
チリル化合物が記録層の染料として用いられることを特
徴とする高密度記録光学ディスクに関するものである。
【００６４】本発明の高密度記録光学ディスクの構造
は、特に制限されず、公知の高密度記録光学ディスクの
構造が使用でき、透明基材である、第一の基材；該第一
の基材の一方の表面上に形成され、本発明のインドール
スチリル化合物を含む記録層；該記録層上に形成され
る、反射層；透明基材である、第二の基材；及び該反射
層及び第二の基材を連結するのに使用される、接着層を
有することを必須とする。また、本発明の高密度記録光
学ディスクの好ましい例を図２に示す。図２において、
本発明の高密度記録光学ディスクは、第一の基材１０、
記録層２０、反射層３０、反射層３０を被覆する樹脂保
護層４０、第二の基材６０及び樹脂保護層４０と第二の
基材を連結する接着層５０を有する。この際、本発明
は、記録層２０に様々なイオン性基を有する本発明のイ
ンドールスチリル化合物を使用することを特徴とするも
のであり、第一の基材１０及び第二の基材６０は、透明
な基材であればよく、その材質などは公知のものと同様
のものが使用でき、また、同様にして、反射層３０、こ
れを被覆するための樹脂保護層４０、及び接着層５０も
また、特に制限されず、その材質などは公知のものと同
様のものが使用できる。
は、特に制限されず、公知の高密度記録光学ディスクの
構造が使用でき、透明基材である、第一の基材；該第一
の基材の一方の表面上に形成され、本発明のインドール
スチリル化合物を含む記録層；該記録層上に形成され
る、反射層；透明基材である、第二の基材；及び該反射
層及び第二の基材を連結するのに使用される、接着層を
有することを必須とする。また、本発明の高密度記録光
学ディスクの好ましい例を図２に示す。図２において、
本発明の高密度記録光学ディスクは、第一の基材１０、
記録層２０、反射層３０、反射層３０を被覆する樹脂保
護層４０、第二の基材６０及び樹脂保護層４０と第二の
基材を連結する接着層５０を有する。この際、本発明
は、記録層２０に様々なイオン性基を有する本発明のイ
ンドールスチリル化合物を使用することを特徴とするも
のであり、第一の基材１０及び第二の基材６０は、透明
な基材であればよく、その材質などは公知のものと同様
のものが使用でき、また、同様にして、反射層３０、こ
れを被覆するための樹脂保護層４０、及び接着層５０も
また、特に制限されず、その材質などは公知のものと同
様のものが使用できる。
【００６５】このため、本発明の高密度記録光学ディス
クも製造方法は、特に制限されず、公知の方法またはそ
の類似の若しくは改良された方法を単独であるいは組み
合わせて使用することによっても達成される。本発明の
高密度記録光学ディスクの製造方法の好ましい一実施態
様を、以下に説明する。
クも製造方法は、特に制限されず、公知の方法またはそ
の類似の若しくは改良された方法を単独であるいは組み
合わせて使用することによっても達成される。本発明の
高密度記録光学ディスクの製造方法の好ましい一実施態
様を、以下に説明する。
【００６６】すなわち、まず、本発明のインドールスチ
リル化合物１．８ｇを、２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノール等の有機溶剤に溶解して、１００ｇの溶
液を調製する。この際使用できる有機溶剤としては、上
記実施態様では２，２，３，３−テトラフルオロプロパ
ノールを例示したが、インドールスチリル化合物を溶解
できるものであれば特に制限されず、様々な有機溶剤が
使用できる。具体的には、炭素原子数１〜６のアルコー
ル、炭素原子数１〜６のケトン、炭素原子数１〜６のエ
ーテル、ハロゲン化合物、シクラン及びアミドなどが挙
げられる。この際、炭素原子数１〜６のアルコールとし
ても、特に制限されず公知のアルコールが使用できる
が、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、２，２，３，３
−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノー
ル、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノー
ル、及びヘキサフルオロブタノールなどが好ましく使用
できる。また、炭素原子数１〜６のケトンもまた、特に
制限されず公知のケトンが使用できるが、例えば、アセ
トン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエ
チルケトン（ＭＥＫ）、３−ヒドロキシ−３−メチル−
２−ブタノンなどが好ましく使用できる。また、ハロゲ
ン化合物としても、特に制限されず公知のハロゲン化合
物が使用できるが、例えば、クロロホルム、ジクロロメ
タン、及び１−クロロブタンなどが好ましく使用でき
る。また、同様にして、シクランとしては、メチルシク
ロヘキサン（ＭＣＨ）などが好ましく使用でき、アミド
としては、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）及びジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡ）などが好ましく使用できる。
本発明において、上記有機溶剤は、単独で使用されても
あるいは２種以上の混合液の形態で使用されてもよい。
リル化合物１．８ｇを、２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノール等の有機溶剤に溶解して、１００ｇの溶
液を調製する。この際使用できる有機溶剤としては、上
記実施態様では２，２，３，３−テトラフルオロプロパ
ノールを例示したが、インドールスチリル化合物を溶解
できるものであれば特に制限されず、様々な有機溶剤が
使用できる。具体的には、炭素原子数１〜６のアルコー
ル、炭素原子数１〜６のケトン、炭素原子数１〜６のエ
ーテル、ハロゲン化合物、シクラン及びアミドなどが挙
げられる。この際、炭素原子数１〜６のアルコールとし
ても、特に制限されず公知のアルコールが使用できる
が、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、２，２，３，３
−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノー
ル、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノー
ル、及びヘキサフルオロブタノールなどが好ましく使用
できる。また、炭素原子数１〜６のケトンもまた、特に
制限されず公知のケトンが使用できるが、例えば、アセ
トン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエ
チルケトン（ＭＥＫ）、３−ヒドロキシ−３−メチル−
２−ブタノンなどが好ましく使用できる。また、ハロゲ
ン化合物としても、特に制限されず公知のハロゲン化合
物が使用できるが、例えば、クロロホルム、ジクロロメ
タン、及び１−クロロブタンなどが好ましく使用でき
る。また、同様にして、シクランとしては、メチルシク
ロヘキサン（ＭＣＨ）などが好ましく使用でき、アミド
としては、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）及びジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡ）などが好ましく使用できる。
本発明において、上記有機溶剤は、単独で使用されても
あるいは２種以上の混合液の形態で使用されてもよい。
【００６７】次に、この溶液を第一の基材１０に塗布し
た後、乾燥することによって、第一の基材１０上に本発
明のインドールスチリル化合物を含む記録層２０が形成
される。この際、本発明は、記録層２０に様々なイオン
性基を有する本発明のインドールスチリル化合物を使用
することを特徴とするものであり、第一の基材１０は、
透明な基材であればよく、その材質などは公知のものと
同様のものが使用できるが、例えば、ポリエステル、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及びＭＣＯＣ(Metal
locene Based Cyclic Olefin Copolymer)などが挙げら
れる。また、第一の基材１０は、図２に示されるよう
に、好ましくはランド(land)及び溝を有し、この際のト
ラックピッチが０．３〜０．８μｍであり、溝深さが７
０〜２００ｎｍである透明基材である。また、記録層の
形成方法は、特に制限されず、公知の方法が同様にして
使用できる。例えば、記録層は、スピンコーティング、
真空蒸着、ジェットコーティング、ロールコーティング
及びソーキング(soaking)等の公知の方法、好ましくは
スピンコーティングを用いて形成されうる。本発明にお
いて、記録層の厚みもまた、特に制限されず、高密度で
記録可能な光学ディスクに要求される特性を満たすもの
であればよく、公知の厚みが同様にして使用できるが、
好ましくは、７０〜２５０ｎｍである。なお、本発明に
おいて、記録層は、１層である必要はなく、形成される
高密度記録光学ディスクの所望の特性などによって、複
数の記録層を有する多層の高密度記録光学ディスクを形
成してもよい。
た後、乾燥することによって、第一の基材１０上に本発
明のインドールスチリル化合物を含む記録層２０が形成
される。この際、本発明は、記録層２０に様々なイオン
性基を有する本発明のインドールスチリル化合物を使用
することを特徴とするものであり、第一の基材１０は、
透明な基材であればよく、その材質などは公知のものと
同様のものが使用できるが、例えば、ポリエステル、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及びＭＣＯＣ(Metal
locene Based Cyclic Olefin Copolymer)などが挙げら
れる。また、第一の基材１０は、図２に示されるよう
に、好ましくはランド(land)及び溝を有し、この際のト
ラックピッチが０．３〜０．８μｍであり、溝深さが７
０〜２００ｎｍである透明基材である。また、記録層の
形成方法は、特に制限されず、公知の方法が同様にして
使用できる。例えば、記録層は、スピンコーティング、
真空蒸着、ジェットコーティング、ロールコーティング
及びソーキング(soaking)等の公知の方法、好ましくは
スピンコーティングを用いて形成されうる。本発明にお
いて、記録層の厚みもまた、特に制限されず、高密度で
記録可能な光学ディスクに要求される特性を満たすもの
であればよく、公知の厚みが同様にして使用できるが、
好ましくは、７０〜２５０ｎｍである。なお、本発明に
おいて、記録層は、１層である必要はなく、形成される
高密度記録光学ディスクの所望の特性などによって、複
数の記録層を有する多層の高密度記録光学ディスクを形
成してもよい。
【００６８】さらに、記録層２０上に、金属材料を公知
の方法によって、例えば、スパッタリングすることによ
って、反射層３０が直接形成される。この際、反射層を
形成する金属材料としては、特に制限されず、公知の材
料が同様にして使用できる。例えば、反射層の材質とし
ては、金、銀、アルミニウム、シリコン、銅、銀−チタ
ン合金、銀−クロム合金、及び銀−銅合金などが好まし
く使用できる。この際、反射層は、単独の材料から構成
されてもあるいは２種以上の材料から構成されてもよ
い。また、反射層の厚みもまた、特に制限されず、高密
度で記録可能な光学ディスクに要求される特性を満たす
ものであればよく、公知の厚みが同様にして使用できる
が、例えば、５０〜２００ｎｍであることが好ましい。
なお、本発明において、反射層は、１層である必要はな
く、形成される高密度記録光学ディスクの所望の特性な
どによって、複数の反射層を有する多層の高密度記録光
学ディスクを形成してもよい。
の方法によって、例えば、スパッタリングすることによ
って、反射層３０が直接形成される。この際、反射層を
形成する金属材料としては、特に制限されず、公知の材
料が同様にして使用できる。例えば、反射層の材質とし
ては、金、銀、アルミニウム、シリコン、銅、銀−チタ
ン合金、銀−クロム合金、及び銀−銅合金などが好まし
く使用できる。この際、反射層は、単独の材料から構成
されてもあるいは２種以上の材料から構成されてもよ
い。また、反射層の厚みもまた、特に制限されず、高密
度で記録可能な光学ディスクに要求される特性を満たす
ものであればよく、公知の厚みが同様にして使用できる
が、例えば、５０〜２００ｎｍであることが好ましい。
なお、本発明において、反射層は、１層である必要はな
く、形成される高密度記録光学ディスクの所望の特性な
どによって、複数の反射層を有する多層の高密度記録光
学ディスクを形成してもよい。
【００６９】さらに、反射層３０上に、樹脂保護層４０
を形成する。この際、樹脂保護層に使用できる材料や厚
みなどは、特に制限されず、公知の材料や厚みが同様に
して使用できる。最後に、第二の基材６０を、接着層５
０を用いて、樹脂保護層４０に接着され、これにより、
本発明の高密度記録光学ディスクが製造できる。この
際、本発明は、記録層２０に様々なイオン性基を有する
本発明のインドールスチリル化合物を使用することを特
徴とするものであり、第二の基材６０は、透明な基材で
あればよく、その材質などは公知のものと同様のものが
使用できるが、例えば、ポリエステル、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及びＭＣＯＣなどが挙げられる。
また、第二の基材６０は、第一の基材１０の場合と同
様、好ましくはランド(land)及び溝を有し、この際のト
ラックピッチが０．３〜０．８μｍであり、溝深さが７
０〜２００ｎｍである透明基材である。また、本発明に
おいて、第一の基材及び第二の基材の組み合わせ(combi
nation)方法、即ち、図２においては樹脂保護層４０上
に、接着層５０を介して第二の基材６０を形成する方法
は、特に制限されないが、例えば、スピンコーティン
グ、ハーフトーンプリンティング(half-tone printin
g)、熱接着(hot gluing)、及び両面テープ等の公知の方
法によって達成される。
を形成する。この際、樹脂保護層に使用できる材料や厚
みなどは、特に制限されず、公知の材料や厚みが同様に
して使用できる。最後に、第二の基材６０を、接着層５
０を用いて、樹脂保護層４０に接着され、これにより、
本発明の高密度記録光学ディスクが製造できる。この
際、本発明は、記録層２０に様々なイオン性基を有する
本発明のインドールスチリル化合物を使用することを特
徴とするものであり、第二の基材６０は、透明な基材で
あればよく、その材質などは公知のものと同様のものが
使用できるが、例えば、ポリエステル、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及びＭＣＯＣなどが挙げられる。
また、第二の基材６０は、第一の基材１０の場合と同
様、好ましくはランド(land)及び溝を有し、この際のト
ラックピッチが０．３〜０．８μｍであり、溝深さが７
０〜２００ｎｍである透明基材である。また、本発明に
おいて、第一の基材及び第二の基材の組み合わせ(combi
nation)方法、即ち、図２においては樹脂保護層４０上
に、接着層５０を介して第二の基材６０を形成する方法
は、特に制限されないが、例えば、スピンコーティン
グ、ハーフトーンプリンティング(half-tone printin
g)、熱接着(hot gluing)、及び両面テープ等の公知の方
法によって達成される。
【００７０】上記実施態様において、５０〜２００ｎｍ
の厚みの反射層３０及び７０〜２５０ｎｍの厚みの記録
層２０を有する基材を、０．６ｍｍの第二のブランク基
材と、例えば、上記したようなスピンコーティング、ハ
ーフトーンプリンティング(half-tone printing)、熱接
着(hot gluing)、及び両面テープ等の公知の方法を用い
て合わせる（連結する）ことによって、１２０ｍｍの厚
みの高密度記録光学ディスクが形成された。このように
して形成された高密度記録光学ディスクの波長に対する
反射率(reflective index)を測定したところ、図３に示
されるような光学スペクトルが得られた。図３から示さ
れるように、６３５ｎｍ及び６５０ｎｍの間の波長で４
５％を超える反射率が示される。
の厚みの反射層３０及び７０〜２５０ｎｍの厚みの記録
層２０を有する基材を、０．６ｍｍの第二のブランク基
材と、例えば、上記したようなスピンコーティング、ハ
ーフトーンプリンティング(half-tone printing)、熱接
着(hot gluing)、及び両面テープ等の公知の方法を用い
て合わせる（連結する）ことによって、１２０ｍｍの厚
みの高密度記録光学ディスクが形成された。このように
して形成された高密度記録光学ディスクの波長に対する
反射率(reflective index)を測定したところ、図３に示
されるような光学スペクトルが得られた。図３から示さ
れるように、６３５ｎｍ及び６５０ｎｍの間の波長で４
５％を超える反射率が示される。
【００７１】ここで、さらにＰＵＬＳＴＥＣ ＤＤＵ−
１０００評価試験器を用いて、試験結果を、書き込み(w
rite)及び読み取り(read)をした。この際の記録(record
ing)条件は下記のとおりである：定常線速度(constant
linear velocity)（ＣＬＶ）が３．５ｍ／ｓであり、波
長が６５８ｎｍであり、開口率（ＮＡ）が０．６であ
り、書き込み力(writing power)が７〜１４ｍＷであ
る。また、読み取り(reading)条件は下記のとおりであ
る：ＣＬＶは２．５ｍ／ｓであり、波長が６５８ｎｍで
あり、ＮＡが０．６であり、読み取り力(reading powe
r)が０．５〜１．５ｍＷである。この際の異なる書き込
み力(writing power)下でのＣＮＲ(carrier-noise-rati
o)値を下記表３に示す。
１０００評価試験器を用いて、試験結果を、書き込み(w
rite)及び読み取り(read)をした。この際の記録(record
ing)条件は下記のとおりである：定常線速度(constant
linear velocity)（ＣＬＶ）が３．５ｍ／ｓであり、波
長が６５８ｎｍであり、開口率（ＮＡ）が０．６であ
り、書き込み力(writing power)が７〜１４ｍＷであ
る。また、読み取り(reading)条件は下記のとおりであ
る：ＣＬＶは２．５ｍ／ｓであり、波長が６５８ｎｍで
あり、ＮＡが０．６であり、読み取り力(reading powe
r)が０．５〜１．５ｍＷである。この際の異なる書き込
み力(writing power)下でのＣＮＲ(carrier-noise-rati
o)値を下記表３に示す。
【００７２】
【表３】
【００７３】表３から、書き込み力が９ｍＷ以上である
と、ＣＮＲ値は５０ｄＢを超えることが示される。これ
は、本発明の高密度記録光学ディスクが高感度及び光や
熱の化学安定性を有することを示唆するものである。
と、ＣＮＲ値は５０ｄＢを超えることが示される。これ
は、本発明の高密度記録光学ディスクが高感度及び光や
熱の化学安定性を有することを示唆するものである。
【００７４】本発明を特定の実施態様を参照しながら、
詳細に説明してきたが、本発明のはこれに限定されるも
のではないと解される。上記実施態様の様々な修飾さら
には変更が当業者には明らかであろう。したがって、本
発明の概念に含まれるすべての修飾及び変更は、特許請
求の範囲に包含されるものである。
詳細に説明してきたが、本発明のはこれに限定されるも
のではないと解される。上記実施態様の様々な修飾さら
には変更が当業者には明らかであろう。したがって、本
発明の概念に含まれるすべての修飾及び変更は、特許請
求の範囲に包含されるものである。
【００７５】
【発明の効果】本発明のインドールスチリル化合物は、
上記式（Ｉ）で示される化合物である。本発明のインド
ールスチリル化合物は、合成及び精製が容易であり、５
００〜７００ｎｍの光波長（λ＝５００〜７００ｎｍ）
で最大の吸収を有するため、ＤＶＤやＤＶＤ−Ｒ等の光
学ディスクに適し、さらに、従来一般的に使用されてい
る染料化合物に比べてより安価に製造できるという利点
を有する。また、本発明のインドールスチリル化合物
は、式（Ｉ）におけるＲ1側鎖により、光感受性ならび
に光や熱に対する安定性が向上できる。さらに、本発明
のインドールスチリル化合物は、有機溶剤中で非常に良
好な溶解性を示すので、光学ディスクでのスピンコーテ
ィングに非常に適する。したがって、本発明のインドー
ルスチリル化合物は、従来の光学ディスク用の染料に比
して安価であり、また、高密度記録媒体に使用されるよ
り短いレーザービーム下でもより安定であるため、高密
度記録光学ディスクの記録層に良好に使用できるという
利点を有する。
上記式（Ｉ）で示される化合物である。本発明のインド
ールスチリル化合物は、合成及び精製が容易であり、５
００〜７００ｎｍの光波長（λ＝５００〜７００ｎｍ）
で最大の吸収を有するため、ＤＶＤやＤＶＤ−Ｒ等の光
学ディスクに適し、さらに、従来一般的に使用されてい
る染料化合物に比べてより安価に製造できるという利点
を有する。また、本発明のインドールスチリル化合物
は、式（Ｉ）におけるＲ1側鎖により、光感受性ならび
に光や熱に対する安定性が向上できる。さらに、本発明
のインドールスチリル化合物は、有機溶剤中で非常に良
好な溶解性を示すので、光学ディスクでのスピンコーテ
ィングに非常に適する。したがって、本発明のインドー
ルスチリル化合物は、従来の光学ディスク用の染料に比
して安価であり、また、高密度記録媒体に使用されるよ
り短いレーザービーム下でもより安定であるため、高密
度記録光学ディスクの記録層に良好に使用できるという
利点を有する。
【図１】は、本発明のインドールスチリル化合物の式
（Ｉ）を示す図である。
（Ｉ）を示す図である。
【図２】は、本発明のインドールスチリル化合物を記録
層の染料として使用した本発明の高密度記録光学ディス
クの一実施態様を示す該略図である。
層の染料として使用した本発明の高密度記録光学ディス
クの一実施態様を示す該略図である。
【図３】は、本発明の第二の実施態様による高密度記録
光学ディスクの波長に対する反射率(reflective index)
を示すグラフである。
光学ディスクの波長に対する反射率(reflective index)
を示すグラフである。
１０…第一の基材、２０…記録層、３０…反射層、４０
…樹脂保護層、５０…接着層、６０…第二の基材。
…樹脂保護層、５０…接着層、６０…第二の基材。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６Ａ
５２６ ５３８Ｅ
５３８ ５３８Ｆ
５６１Ｍ
５６１ 7/26 ５３１
7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ
(72)発明者 蔡 ▲けい▼ 冰
台灣新竹縣竹東鎭中興路四段195號
(72)発明者 顏 春 ▲ふく▼
台灣新竹縣竹東鎭中興路四段195號
(72)発明者 ▲らい▼ ▲けい▼ 昌
台灣新竹縣竹東鎭中興路四段195號
(72)発明者 鄭 尊 仁
台灣新竹縣竹東鎭中興路四段195號
(72)発明者 楊 忠 烈
台灣新竹縣竹東鎭中興路四段195號
(72)発明者 李 明 家
台灣新竹縣竹東鎭中興路四段195號
Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA22 EA32 FA01 FA12
FA13 FA23 FA35 FB42 GA02
GA05 GA06 GA07
4C204 BB05 CB03 DB03 DB13 EB10
FB23 GB01
4H056 CA02 CC02 CE02 CE03 CE06
DD03
5D029 JA04 JB13 JB35 KA01 MA13
MA14 WB11 WB17 WC01 WD10
5D121 AA01 AA04 AA05 EE22 EE27
Claims (27)
- 【請求項１】 下記式（Ｉ）： 【化１】 ただし、Ｒ1は、炭素原子数１〜８のアルキル基、ＣＨ2
Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7及び（Ｃ
Ｈ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる基であり、この
際、ｎは１以上の整数であり；Ｒ2及びＲ3は、それぞれ
独立して、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、
炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数１〜８の
アルコキシカルボニル基からなる群より選ばれる基であ
る、または、Ｒ2及びＲ3は、連結してピロリジン環を形
成しても若しくは少なくとも一方がベンゼン環に結合し
てユロリジン環を形成してもよく；Ｒ4及びＲ5は、それ
ぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル
基、トリフルオロメチル基、炭素原子数１〜８のアルコ
キシ基、カルボキシル基、ニトロ基、アミド基（−ＣＯ
ＮＲ9Ｒ10）、スルホン酸基、−ＳＯ3Ｒ11、炭素原子数
１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）、及び
ハロゲン原子からなる群より選ばれる基であり；Ｙ-が
Ｒ1と適合するように選択される必要がありかつＲ1がＣ
Ｈ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ 2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7及び（Ｃ
Ｈ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる一種である場合
には、Ｙ-は、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣ
ＮＱ-）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ-）、ＣｌＯ
4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4 -、及びハロゲンイオンか
らなる群より選ばれる基であり；Ｒ1が炭素原子数１〜
８のアルキル基である場合には、Ｙ-は、テトラシアノ
−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）及びテトラシアノエ
チレン（ＴＣＮＥ-）からなる群より選ばれる基であ
る、で示される、インドールスチリル化合物。 - 【請求項２】 Ｒ6は、炭素原子数１〜８のアルキル基
及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群よ
り選ばれる基である、請求項１に記載のインドールスチ
リル化合物。 - 【請求項３】 Ｒ7は、炭素原子数１〜８のアルキル基
及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群よ
り選ばれる基である、請求項１または２に記載のインド
ールスチリル化合物。 - 【請求項４】 Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、炭素原
子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）で
あり、Ｒ8は、炭素原子数１〜８のアルキル基及び炭素
原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群より選ばれ
る基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のイン
ドールスチリル化合物。 - 【請求項５】 Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、アミド
基（−ＣＯＮＲ9Ｒ1 0）であり、Ｒ9及びＲ10は、それぞ
れ独立して、水素原子及び炭素原子数１〜６のアルキル
基からなる群より選ばれる基である、請求項１〜４のい
ずれか１項に記載のインドールスチリル化合物。 - 【請求項６】 Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、−ＳＯ
3Ｒ11基であり、Ｒ1 1は、水素原子及び炭素原子数１〜
６のアルキル基からなる群より選ばれる基である、請求
項１〜５のいずれか１項に記載のインドールスチリル化
合物。 - 【請求項７】 透明基材である、第一の基材；該第一の
基材の一方の表面上に形成されるイミン塩を有し、この
際、該イミン塩は、下記式（Ｉ）： 【化２】 ただし、Ｒ1は、炭素原子数１〜８のアルキル基、ＣＨ2
Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ2Ｒ6、（ＣＨ2）nＳＯ3Ｒ7及び（Ｃ
Ｈ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より選ばれる基であり；Ｒ2
及びＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数
１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ
基、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニル基からな
る群より選ばれる基である、または、Ｒ2及びＲ3は、連
結してピロリジン環を形成しても若しくは少なくとも一
方がベンゼン環に結合してユロリジン環を形成してもよ
く；Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素
原子数１〜８のアルキル基、トリフルオロメチル基、炭
素原子数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、ニト
ロ基、アミド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）、スルホン酸基、
−ＳＯ3Ｒ11、炭素原子数１〜８のアルコキシカルボニ
ル基（−ＣＯ2Ｒ8）、及びハロゲン原子からなる群より
選ばれる基であり；Ｙ-がＲ1と適合するように選択され
る必要がありかつＲ1がＣＨ2Ｃ6Ｈ4Ｒ6'ＣＯ 2Ｒ6、（Ｃ
Ｈ2）nＳＯ3Ｒ7及び（ＣＨ2）nＣＯ2Ｒ7からなる群より
選ばれる一種である場合には、Ｙ-は、テトラシアノ−
ｐ−キノジメタン（ＴＣＮＱ-）、テトラシアノエチレ
ン（ＴＣＮＥ-）、ＣｌＯ4 -、ＳｂＦ6 -、ＰＦ6 -、ＢＦ4
-、及びハロゲンイオンからなる群より選ばれる基であ
り；Ｒ1が炭素原子数１〜８のアルキル基である場合に
は、Ｙ-は、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン（ＴＣＮ
Ｑ-）及びテトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ-）からなる
群より選ばれる基である、で示されるインドールスチリ
ル化合物であり；該記録層上に形成される、反射層；透
明基材である、第二の基材；ならびに該反射層及び第二
の基材を連結するのに使用される、接着層を有する高密
度記録光学ディスク。 - 【請求項８】 Ｒ6は、炭素原子数１〜８のアルキル基
及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群よ
り選ばれる基である、請求項７に記載の高密度記録光学
ディスク。 - 【請求項９】 Ｒ7は、炭素原子数１〜８のアルキル基
及び炭素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群よ
り選ばれる基である、請求項７または８に記載の高密度
記録光学ディスク。 - 【請求項１０】 Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、炭素
原子数１〜８のアルコキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ8）
であり、Ｒ8は、炭素原子数１〜８のアルキル基及び炭
素原子数１〜８のフッ化アルキル基からなる群より選ば
れる基である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の高
密度記録光学ディスク。 - 【請求項１１】 Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、アミ
ド基（−ＣＯＮＲ9Ｒ10）であり、Ｒ9及びＲ10は、それ
ぞれ独立して、水素原子及び炭素原子数１〜６のアルキ
ル基からなる群より選ばれる基である、請求項７〜１０
のいずれか１項に記載の高密度記録光学ディスク。 - 【請求項１２】 Ｒ4及びＲ5の少なくとも一方が、−Ｓ
Ｏ3Ｒ11基であり、Ｒ11は、水素原子及び炭素原子数１
〜６のアルキル基からなる群より選ばれる基である、請
求項７〜１１のいずれか１項に記載の高密度記録光学デ
ィスク。 - 【請求項１３】 該第一及び第二の基材は、ランド(lan
d)及び溝を有し、トラックピッチが０．３〜０．８μｍ
であり、溝深さが７０〜２００ｎｍである透明基材であ
る、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の高密度記録
光学ディスク。 - 【請求項１４】 該第一及び第二の基材は、ポリエステ
ル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＰＭＭＡ及びＭＣＯＣ
からなる群より選ばれる材料から形成される、請求項７
〜１３のいずれか１項に記載の高密度記録光学ディス
ク。 - 【請求項１５】 該記録層は、スピンコーティング、真
空蒸着、ジェットコーティング、ロールコーティング、
及びソーキングからなる群より選ばれる方法を用いて形
成される、請求項７〜１４のいずれか１項に記載の高密
度記録光学ディスク。 - 【請求項１６】 該記録層の厚みは７０〜２５０ｎｍで
ある、請求項７〜１５のいずれか１項に記載の高密度記
録光学ディスク。 - 【請求項１７】 該記録層は、インドールスチリル化合
物を有機溶剤に溶解した後、これを第一の基材の表面に
スピンコーティングによって塗布することによって形成
される、請求項７〜１６のいずれか１項に記載の高密度
記録光学ディスク。 - 【請求項１８】 該有機溶剤は、炭素原子数１〜６のア
ルコール、炭素原子数１〜６のケトン、炭素原子数１〜
６のエーテル、ハロゲン化合物、シクラン及びアミドか
らなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項１
７に記載の高密度記録光学ディスク。 - 【請求項１９】 該炭素原子数１〜６のアルコールは、
メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセト
ンアルコール（ＤＡＡ）、２，２，３，３−テトラフル
オロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロ
エタノール、オクタフルオロペンタノール、及びヘキサ
フルオロブタノールからなる群より選ばれる少なくとも
一種である、請求項１８に記載の高密度記録光学ディス
ク。 - 【請求項２０】 該炭素原子数１〜６のケトンは、アセ
トン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエ
チルケトン（ＭＥＫ）、３−ヒドロキシ−３−メチル−
２−ブタノンからなる群より選ばれる少なくとも一種で
ある、請求項１８に記載の高密度記録光学ディスク。 - 【請求項２１】 該ハロゲン化合物は、クロロホルム、
ジクロロメタン、及び１−クロロブタンからなる群より
選ばれる少なくとも一種である、請求項１８に記載の高
密度記録光学ディスク。 - 【請求項２２】 該シクランは、メチルシクロヘキサン
（ＭＣＨ）である、請求項１８に記載の高密度記録光学
ディスク。 - 【請求項２３】 該アミドは、ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）及びジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）からな
る群より選ばれる少なくとも一種である、請求項１８に
記載の高密度記録光学ディスク。 - 【請求項２４】 該反射層は、金、銀、アルミニウム、
シリコン、銅、銀−チタン合金、銀−クロム合金、銀−
銅合金からなる群より選ばれる少なくとも一種である、
請求項７〜２３のいずれか１項に記載の高密度記録光学
ディスク。 - 【請求項２５】 第一の基材及び第二の基材の合わせ(c
ombination)は、スピンコーティング、ハーフトーンプ
リンティング(half-tone printing)、熱接着、及び両面
テープからなる群より選ばれる方法を用いてなされる、
請求項７〜２４のいずれか１項に記載の高密度記録光学
ディスク。 - 【請求項２６】 該反射層の厚みは、５０〜２００ｎｍ
である、請求項７〜２５のいずれか１項に記載の高密度
記録光学ディスク。 - 【請求項２７】 さらに複数の記録層及び複数の反射層
が一緒に接着されて、多層の高密度記録光学ディスクと
して形成される、請求項７〜２６のいずれか１項に記載
の高密度記録光学ディスク。
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