JP2003309239A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の混成集積回路装置およびその製造方法
は、プリント基板等に回路装置が実装された混成集積回
路装置上に数多くの回路素子を固着し、回路素子の中の
半導体素子にあっては、金属細線を使用しワイヤーボン
ディングを行っていたため、組み立て工程が多いという
課題があった。 【解決手段】 本発明では、混成集積回路装置に用いる
半導体装置、特にパワートランジスタ１３を内蔵した半
導体装置は、ヒートシンク１１上にパワートランジスタ
１３を固着し、パワートランジスタ１３と隣接して設け
られた取り出し電極１２とを金属細線１６で接続し、絶
縁性樹脂１７でモールドされている。その後、この半導
体装置を導電パターン２３が形成されている実装基板２
２に固着することで、混成集積回路装置の組み立て工程
を減らすことができるものである。更に、ヒートシンク
１１および取り出し電極１２には凹部を設ける事によ
り、絶縁性樹脂１７との接合が強固になる。
は、プリント基板等に回路装置が実装された混成集積回
路装置上に数多くの回路素子を固着し、回路素子の中の
半導体素子にあっては、金属細線を使用しワイヤーボン
ディングを行っていたため、組み立て工程が多いという
課題があった。 【解決手段】 本発明では、混成集積回路装置に用いる
半導体装置、特にパワートランジスタ１３を内蔵した半
導体装置は、ヒートシンク１１上にパワートランジスタ
１３を固着し、パワートランジスタ１３と隣接して設け
られた取り出し電極１２とを金属細線１６で接続し、絶
縁性樹脂１７でモールドされている。その後、この半導
体装置を導電パターン２３が形成されている実装基板２
２に固着することで、混成集積回路装置の組み立て工程
を減らすことができるものである。更に、ヒートシンク
１１および取り出し電極１２には凹部を設ける事によ
り、絶縁性樹脂１７との接合が強固になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関する
ものであり、特に半導体素子、ヒートシンクおよび取り
出し電極を絶縁性樹脂により封止する半導体装置および
その製造方法に関するものである。
ものであり、特に半導体素子、ヒートシンクおよび取り
出し電極を絶縁性樹脂により封止する半導体装置および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器にセットされる混成集積
回路装置は、例えばプリント基板、セラミック基板また
は金属基板の上に導電パターンが形成され、この上に
は、ＬＳＩまたはディスクリートＴＲ等の能動素子、チ
ップコンデンサ、チップ抵抗またはコイル等の受動素子
が実装されて構成される。そして、前記導電パターンと
前記素子が電気的に接続されて所定の機能の回路が実現
されている。
回路装置は、例えばプリント基板、セラミック基板また
は金属基板の上に導電パターンが形成され、この上に
は、ＬＳＩまたはディスクリートＴＲ等の能動素子、チ
ップコンデンサ、チップ抵抗またはコイル等の受動素子
が実装されて構成される。そして、前記導電パターンと
前記素子が電気的に接続されて所定の機能の回路が実現
されている。
【０００３】図９を参照して、従来の回路装置を説明す
る。一番外側の矩形ラインは、少なくとも表面が絶縁処
理された実装基板５１である。そしてこの上には、Ｃｕ
から成る導電パターン５２が貼着されている。この導電
パターン５２は、外部取り出し用電極、配線、ダイパッ
ド、ボンディングパッド等で構成されている。
る。一番外側の矩形ラインは、少なくとも表面が絶縁処
理された実装基板５１である。そしてこの上には、Ｃｕ
から成る導電パターン５２が貼着されている。この導電
パターン５２は、外部取り出し用電極、配線、ダイパッ
ド、ボンディングパッド等で構成されている。
【０００４】ダイパットには、ＴＲ、ダイオード、複合
素子またはＬＳＩ等のベアチップ状で、半田を介して固
着されている。そしてこの固着されたチップ上の電極と
前記ボンディングパットがボンディングワイヤー用の金
属細線５５を介して電気的に接続されている。この金属
細線は、一般に、小信号と大信号用に分類され、小信号
部は２０〜８０μｍφの金属細線が用いられる。そして
ここでは約４０μｍφから成る金属線５５が採用され
る。また、大信号部は約１００〜５００μｍφのＡｌ線
等が採用されている。特に大信号は、線径が大きいた
め、１５０μｍφのＡｌ線、３００μｍφのＡｌ線が選
択されている。尚、大信号用の金属細線の径は、流れる
電流容量やボンディングパットサイズ等を考慮して適宜
採用される。
素子またはＬＳＩ等のベアチップ状で、半田を介して固
着されている。そしてこの固着されたチップ上の電極と
前記ボンディングパットがボンディングワイヤー用の金
属細線５５を介して電気的に接続されている。この金属
細線は、一般に、小信号と大信号用に分類され、小信号
部は２０〜８０μｍφの金属細線が用いられる。そして
ここでは約４０μｍφから成る金属線５５が採用され
る。また、大信号部は約１００〜５００μｍφのＡｌ線
等が採用されている。特に大信号は、線径が大きいた
め、１５０μｍφのＡｌ線、３００μｍφのＡｌ線が選
択されている。尚、大信号用の金属細線の径は、流れる
電流容量やボンディングパットサイズ等を考慮して適宜
採用される。
【０００５】また大電流を流すパワーＴＲ５６は、チッ
プの温度上昇を防止するために、ダイパッドのヒートシ
ンク５７に固着されている。
プの温度上昇を防止するために、ダイパッドのヒートシ
ンク５７に固着されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例では、チップコ
ンデンサ、チップ抵抗、小信号用ＴＲチップ、大信号用
ＴＲチップ、ダイオード更にはＬＳＩ等が数多く採用さ
れ、それぞれがロウ材等で固着されている。そしてＴＲ
チップ等の半導体素子は、金属細線を使って電気的に接
続されている。この金属細線は、電流容量により複数種
類に分けられ、その金属細線の数も非常に多い。また、
金属細線をボンディングする技術は技術的に高度である
ため、ボンディング設備のメンテナンス等が必要とな
る。この事からも明らかな様に、チップの固着、金属細
線の接続は、組み立て工程を非常に長くし、コストの上
昇を招いていた。
ンデンサ、チップ抵抗、小信号用ＴＲチップ、大信号用
ＴＲチップ、ダイオード更にはＬＳＩ等が数多く採用さ
れ、それぞれがロウ材等で固着されている。そしてＴＲ
チップ等の半導体素子は、金属細線を使って電気的に接
続されている。この金属細線は、電流容量により複数種
類に分けられ、その金属細線の数も非常に多い。また、
金属細線をボンディングする技術は技術的に高度である
ため、ボンディング設備のメンテナンス等が必要とな
る。この事からも明らかな様に、チップの固着、金属細
線の接続は、組み立て工程を非常に長くし、コストの上
昇を招いていた。
【０００７】更に、導電路が組み込まれた基板にパワー
トランジスタを固着する際においても、最初にヒートシ
ンクを固着しそのヒートシンク上にパワートランジスタ
を固着し、その後パワートランジスタのボンディングパ
ッド部と導電路とをパワートランジスタ用の太い金属細
線を使って電気的に接続されている。そのため、組み立
て工程を非常に長くすることによるコストの上昇や作業
時間の長期化を招いていた。また、パワートランジスタ
のボンディングパッド部と導電路とを金属細線で接続す
る際に、金属細線がヒートシンクに接触することで金属
細線が切断されたり、ショートしてしまうという問題が
あった。
トランジスタを固着する際においても、最初にヒートシ
ンクを固着しそのヒートシンク上にパワートランジスタ
を固着し、その後パワートランジスタのボンディングパ
ッド部と導電路とをパワートランジスタ用の太い金属細
線を使って電気的に接続されている。そのため、組み立
て工程を非常に長くすることによるコストの上昇や作業
時間の長期化を招いていた。また、パワートランジスタ
のボンディングパッド部と導電路とを金属細線で接続す
る際に、金属細線がヒートシンクに接触することで金属
細線が切断されたり、ショートしてしまうという問題が
あった。
【０００８】また、トランジスタ等の半導体素子を電気
的に接続している金属細線において、金属細線が露出し
た構造を有する場合は、露出した金属細線を保護するた
めにエポキシコーティングやケース等の作業が必要とな
る問題があった。
的に接続している金属細線において、金属細線が露出し
た構造を有する場合は、露出した金属細線を保護するた
めにエポキシコーティングやケース等の作業が必要とな
る問題があった。
【０００９】また、現在市場にあるリードフレームに半
導体素子を固着したパッケージを混成集積回路基板に実
装すると、このパッケージサイズが非常に大きいため、
混成集積回路基板のサイズが大きくなってしまう問題も
あった。
導体素子を固着したパッケージを混成集積回路基板に実
装すると、このパッケージサイズが非常に大きいため、
混成集積回路基板のサイズが大きくなってしまう問題も
あった。
【００１０】以上述べたように、混成集積回路基板を採
用しコストを下げようとしても、組み立て工程が長くな
る点、高度なボンディング技術を要するため設備のメン
テナンスを必要とする点等からコストの上昇を招いてし
まう問題があった。
用しコストを下げようとしても、組み立て工程が長くな
る点、高度なボンディング技術を要するため設備のメン
テナンスを必要とする点等からコストの上昇を招いてし
まう問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、ヒー
トシンクと、前記ヒートシンクと同一材料で形成され且
つ前記ヒートシンクに近接して配置された取り出し電極
と、前記ヒートシンク上に固着された半導体素子と、前
記半導体素子の電極と前記取り出し電極とを電気的に接
続する電気的接続手段と、前記ヒートシンク、前記取り
出し電極および前記金属細線を埋没させ且つ全体を一体
に支持する絶縁性樹脂とを有する半導体装置であり、前
記ヒートシンクおよび前記取り出し電極には、前記絶縁
性樹脂との結合を向上させるための凹部を設けることを
特徴とする。
トシンクと、前記ヒートシンクと同一材料で形成され且
つ前記ヒートシンクに近接して配置された取り出し電極
と、前記ヒートシンク上に固着された半導体素子と、前
記半導体素子の電極と前記取り出し電極とを電気的に接
続する電気的接続手段と、前記ヒートシンク、前記取り
出し電極および前記金属細線を埋没させ且つ全体を一体
に支持する絶縁性樹脂とを有する半導体装置であり、前
記ヒートシンクおよび前記取り出し電極には、前記絶縁
性樹脂との結合を向上させるための凹部を設けることを
特徴とする。
【００１２】本発明は、第２に、前記ヒートシンクおよ
び前記取り出し電極は、銅板または銀板で構成されるこ
とを特徴とする。
び前記取り出し電極は、銅板または銀板で構成されるこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明は、第３に、前記半導体素子は、パ
ワー半導体素子、セミパワー半導体素子または小信号半
導体素子であることを特徴とする。
ワー半導体素子、セミパワー半導体素子または小信号半
導体素子であることを特徴とする。
【００１４】本発明は、第４に、前記電気的接続手段
は、金属細線またはパワーリードであることを特徴とす
る。
は、金属細線またはパワーリードであることを特徴とす
る。
【００１５】本発明は、第５に、金属基板に形成予定の
ヒートシンクおよび取り出し電極から成る各ユニット
の、前記ヒートシンクおよび前記取り出し電極以外の部
分の前記金属基板をプレスにより削除してスリットを設
ける工程と、前記各ユニットの前記ヒートシンクおよび
前記取り出し電極を、ハーフプレスにより凸部とする工
程と、前記各ユニットの前記ヒートシンクに半導体素子
を固着する工程と、前記各ユニットの前記半導体素子の
電極と前記取り出し電極とを電気的に接続する工程と、
前記各ユニットを絶縁性樹脂で個別にモールドする工程
と、前記各ユニットの前記ヒートシンクおよび前記取り
出し電極の裏面を押圧することにより、前記金属板と前
記各ユニットを分離させる工程とを具備することを特徴
とする。
ヒートシンクおよび取り出し電極から成る各ユニット
の、前記ヒートシンクおよび前記取り出し電極以外の部
分の前記金属基板をプレスにより削除してスリットを設
ける工程と、前記各ユニットの前記ヒートシンクおよび
前記取り出し電極を、ハーフプレスにより凸部とする工
程と、前記各ユニットの前記ヒートシンクに半導体素子
を固着する工程と、前記各ユニットの前記半導体素子の
電極と前記取り出し電極とを電気的に接続する工程と、
前記各ユニットを絶縁性樹脂で個別にモールドする工程
と、前記各ユニットの前記ヒートシンクおよび前記取り
出し電極の裏面を押圧することにより、前記金属板と前
記各ユニットを分離させる工程とを具備することを特徴
とする。
【００１６】本発明は、第６に、前記モールドする工程
に於いて、当接部を前記スリットの裏面に当接させて、
前記絶縁性樹脂が前記スリットから流出するのを防止す
ることを特徴とする。
に於いて、当接部を前記スリットの裏面に当接させて、
前記絶縁性樹脂が前記スリットから流出するのを防止す
ることを特徴とする。
【００１７】本発明は、第７に、前記金属板をハーフプ
レスする工程は、複数の前記ユニットの形成部が設けら
れた１対の金型に前記金属板を設置し、前記金属板の両
面から前記金属板をプレスする工程であることを特徴と
する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
レスする工程は、複数の前記ユニットの形成部が設けら
れた１対の金型に前記金属板を設置し、前記金属板の両
面から前記金属板をプレスする工程であることを特徴と
する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【００１８】本発明は、第８に、前記金属板をハーフプ
レスする工程において、前記金属板を前記金属板の厚み
と同程度抜き出すことを特徴とする。
レスする工程において、前記金属板を前記金属板の厚み
と同程度抜き出すことを特徴とする。
【００１９】本発明は、第９に、前記スリットを設ける
工程に於いて、前記ヒートシンクおよび前記取り出し電
極の表面に凹部を設けることを特徴とする。
工程に於いて、前記ヒートシンクおよび前記取り出し電
極の表面に凹部を設けることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】（半導体装置１０を説明する第１
の実施の形態）図１を参照して半導体装置１０の構造を
説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０の斜視図であ
り、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の断面図である。
の実施の形態）図１を参照して半導体装置１０の構造を
説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０の斜視図であ
り、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の断面図である。
【００２１】図１（Ａ）を参照して半導体装置１０は次
のような構成を有している。即ち、ヒートシンク１１
と、ヒートシンク１１と同一材料で形成され且つヒート
シンク１１に近接して配置された取り出し電極１２と、
ヒートシンク１１上に固着された半導体素子１３と、半
導体素子１３の電極と取り出し電極１２とを電気的に接
続する電気的接続手段としての金属細線１６と、ヒート
シンク１１、取り出し電極１２および金属細線１６を埋
没させ且つ全体を一体に支持する絶縁性樹脂１７等によ
り、半導体装置１０は構成されている。更に、ヒートシ
ンク１１および取り出し電極１２の表面には、絶縁性樹
脂１７との結合を向上させるための凹部１９を設けた。
このような個々の構成要素を以下にて説明する。
のような構成を有している。即ち、ヒートシンク１１
と、ヒートシンク１１と同一材料で形成され且つヒート
シンク１１に近接して配置された取り出し電極１２と、
ヒートシンク１１上に固着された半導体素子１３と、半
導体素子１３の電極と取り出し電極１２とを電気的に接
続する電気的接続手段としての金属細線１６と、ヒート
シンク１１、取り出し電極１２および金属細線１６を埋
没させ且つ全体を一体に支持する絶縁性樹脂１７等によ
り、半導体装置１０は構成されている。更に、ヒートシ
ンク１１および取り出し電極１２の表面には、絶縁性樹
脂１７との結合を向上させるための凹部１９を設けた。
このような個々の構成要素を以下にて説明する。
【００２２】ヒートシンク１１は、銅板または銀板から
形成されている。そして、ヒートシンク１１は、半導体
装置１０の電極としての働きを有すると同時に、半導体
素子１３から放出される熱を装置外部に積極的に放出さ
せる働きを有する。図１（Ｂ）に示すように、半導体装
置１０の裏面に於いて、絶縁性樹脂１２が形成する面
と、ヒートシンク１１が形成する面とは、ほぼ同一であ
る。更に、ヒートシンク１１の肩部には、絶縁性樹脂１
２との接着性を向上させるために、凹部１９が設けられ
ている。更にまた、絶縁性樹脂１２の裏面から露出する
ヒートシンク１１の面に関しては、半田等のロウ材２０
が塗布される。ヒートシンク１１上にはロウ材１４との
接着性を考慮して銀メッキや金メッキが施されている場
合もある。
形成されている。そして、ヒートシンク１１は、半導体
装置１０の電極としての働きを有すると同時に、半導体
素子１３から放出される熱を装置外部に積極的に放出さ
せる働きを有する。図１（Ｂ）に示すように、半導体装
置１０の裏面に於いて、絶縁性樹脂１２が形成する面
と、ヒートシンク１１が形成する面とは、ほぼ同一であ
る。更に、ヒートシンク１１の肩部には、絶縁性樹脂１
２との接着性を向上させるために、凹部１９が設けられ
ている。更にまた、絶縁性樹脂１２の裏面から露出する
ヒートシンク１１の面に関しては、半田等のロウ材２０
が塗布される。ヒートシンク１１上にはロウ材１４との
接着性を考慮して銀メッキや金メッキが施されている場
合もある。
【００２３】取り出し電極１２は、上述したように、ヒ
ートシンク１１に接近して設けられており、ヒートシン
ク１１と同一の材料から形成されている。取り出し電極
１２は、金属細線１６を介して、ヒートシンク１１上に
固着された半導体装置１０と電気的に接続されており、
電極としての働きを有する。図１（Ｂ）に示すように、
半導体装置１０の裏面に於いて、絶縁性樹脂１２が形成
する面と、取り出し電極１２が形成する面とは、ほぼ同
一である。更に、取り出し電極１２の肩部には、絶縁性
樹脂１２との接着性を向上させるために、凹部１９が設
けられている。更にまた、絶縁性樹脂１２の裏面から露
出する取り出し電極１２の面に関しては、半田等のロウ
材２０が塗布される。ここで、取り出し電極１２の上面
の高さは、ヒートシンク１１の上面の高さと同等に形成
される。また、取り出し電極１２上には金属細線１６の
接着性が考慮されて銀メッキやニッケルメッキが施され
ている。
ートシンク１１に接近して設けられており、ヒートシン
ク１１と同一の材料から形成されている。取り出し電極
１２は、金属細線１６を介して、ヒートシンク１１上に
固着された半導体装置１０と電気的に接続されており、
電極としての働きを有する。図１（Ｂ）に示すように、
半導体装置１０の裏面に於いて、絶縁性樹脂１２が形成
する面と、取り出し電極１２が形成する面とは、ほぼ同
一である。更に、取り出し電極１２の肩部には、絶縁性
樹脂１２との接着性を向上させるために、凹部１９が設
けられている。更にまた、絶縁性樹脂１２の裏面から露
出する取り出し電極１２の面に関しては、半田等のロウ
材２０が塗布される。ここで、取り出し電極１２の上面
の高さは、ヒートシンク１１の上面の高さと同等に形成
される。また、取り出し電極１２上には金属細線１６の
接着性が考慮されて銀メッキやニッケルメッキが施され
ている。
【００２４】半導体素子１３は、半田等のロウ材１４を
介してヒートシンク１１の上面に実装される。本実施の
形態では、半導体素子１３としてパワー系の半導体素子
（トランジスタ）を採用した。しかしながら、パワー系
の素子以外のものを半導体素子１３として採用すること
ができる。例えば、パワー半導体素子ではパワーＭＯＳ
ＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、大電流駆動用のＴｒ、大電
流駆動用のＩＣ（ＭＯＳ型ＢＩＰ型Ｂｉ−ＣＭＯＳ型）
メモリ素子等を使用できる。また、セミパワー半導体素
子、小信号半導体素子を用いることも可能である。
介してヒートシンク１１の上面に実装される。本実施の
形態では、半導体素子１３としてパワー系の半導体素子
（トランジスタ）を採用した。しかしながら、パワー系
の素子以外のものを半導体素子１３として採用すること
ができる。例えば、パワー半導体素子ではパワーＭＯＳ
ＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、大電流駆動用のＴｒ、大電
流駆動用のＩＣ（ＭＯＳ型ＢＩＰ型Ｂｉ−ＣＭＯＳ型）
メモリ素子等を使用できる。また、セミパワー半導体素
子、小信号半導体素子を用いることも可能である。
【００２５】金属細線１６は、電気的接続手段として、
ヒートシンク１１上に実装された半導体素子１３の電極
と、取り出し電極１２とを電気的に接続している。半導
体素子１３が大信号用のものであれば、金属細線１６と
して太線が用いられる。ここでは、半導体素子１３の電
極の高さと、取り出し電極１２の上面の高さがほぼ同一
である。従って、金属細線１６が引き出される方向のヒ
ートシンク１１の肩部に金属細線１６が接触する恐れが
少ない。
ヒートシンク１１上に実装された半導体素子１３の電極
と、取り出し電極１２とを電気的に接続している。半導
体素子１３が大信号用のものであれば、金属細線１６と
して太線が用いられる。ここでは、半導体素子１３の電
極の高さと、取り出し電極１２の上面の高さがほぼ同一
である。従って、金属細線１６が引き出される方向のヒ
ートシンク１１の肩部に金属細線１６が接触する恐れが
少ない。
【００２６】絶縁性樹脂１７は、ヒートシンク１１およ
び取り出し電極１２の裏面を露出させて、全体を封止し
ている。具体的には、ヒートシンク１１、取り出し電極
１２、半導体素子１３および金属細線１６を封止してい
る。絶縁性樹脂１２の材料としては、トランスファーモ
ールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクシ
ョンモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用する
ことができる。
び取り出し電極１２の裏面を露出させて、全体を封止し
ている。具体的には、ヒートシンク１１、取り出し電極
１２、半導体素子１３および金属細線１６を封止してい
る。絶縁性樹脂１２の材料としては、トランスファーモ
ールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクシ
ョンモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用する
ことができる。
【００２７】図２を参照して、上記した様な構成を有す
る半導体装置１０が実装基板２２に実装された混成集積
回路装置１０Ｂについて説明する。図２（Ａ）は、混成
集積回路装置１０Ｂの１部分の平面図である。図２
（Ｂ）は半導体装置１０が実装される部分の混成集積回
路装置１０Ｂの断面図である。
る半導体装置１０が実装基板２２に実装された混成集積
回路装置１０Ｂについて説明する。図２（Ａ）は、混成
集積回路装置１０Ｂの１部分の平面図である。図２
（Ｂ）は半導体装置１０が実装される部分の混成集積回
路装置１０Ｂの断面図である。
【００２８】先ず、実装基板２２について説明する。前
述した半導体装置１０を実装する実装基板２２として
は、プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシー
ト基板または金属基板を採用できる。この実装基板２２
は、表面に導電パターン２３が形成されるため、電気的
絶縁が考慮されて、少なくとも基板の表面が絶縁処理さ
れている。プリント基板、セラミック基板、フレキシブ
ルシート基板は、基板自身が絶縁材料で構成されている
ため、そのまま表面に導電パターン形成すれば良い。
述した半導体装置１０を実装する実装基板２２として
は、プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシー
ト基板または金属基板を採用できる。この実装基板２２
は、表面に導電パターン２３が形成されるため、電気的
絶縁が考慮されて、少なくとも基板の表面が絶縁処理さ
れている。プリント基板、セラミック基板、フレキシブ
ルシート基板は、基板自身が絶縁材料で構成されている
ため、そのまま表面に導電パターン形成すれば良い。
【００２９】図２（Ａ）を参照して、半導体装置１０
は、導電パターン２３により形成されるパッドに半田等
のロウ材２０を介して実装される。ここでは、ヒートシ
ンク１１が半導体素子１３の裏面から導出されるコレク
タ電極と接続している。そして、２つの取り出し電極１
２が、エミッタ電極およびベース電極と接続している。
は、導電パターン２３により形成されるパッドに半田等
のロウ材２０を介して実装される。ここでは、ヒートシ
ンク１１が半導体素子１３の裏面から導出されるコレク
タ電極と接続している。そして、２つの取り出し電極１
２が、エミッタ電極およびベース電極と接続している。
【００３０】従来の混成集積回路装置では、実装基板２
２に設けられたヒートシンク１１上に実装された半導体
素子１３の電極と実装基板２２上の導電パターンとを、
金属細線１６にて電気的に接続していた。従って、金属
細線１６がヒートシンク１１の肩部に接触してショート
するのを防止するために、金属細線１６が導電パターン
２３に接続する箇所とヒートシンク１１とは有る程度の
距離が必要であった。
２に設けられたヒートシンク１１上に実装された半導体
素子１３の電極と実装基板２２上の導電パターンとを、
金属細線１６にて電気的に接続していた。従って、金属
細線１６がヒートシンク１１の肩部に接触してショート
するのを防止するために、金属細線１６が導電パターン
２３に接続する箇所とヒートシンク１１とは有る程度の
距離が必要であった。
【００３１】図２（Ｂ）を参照して、本発明では、金属
細線１６が接続するのは、半導体素子１３の電極と取り
出し電極１２の上面である。そして、半導体素子１３の
電極と取り出し電極１２の上面は、ほぼ同等の高さであ
る。従って、取り出し電極１２をヒートシンク１１側に
接近させても、金属細線１６がヒートシンク１１に接触
してショートを起こしてしまう可能性が無い。
細線１６が接続するのは、半導体素子１３の電極と取り
出し電極１２の上面である。そして、半導体素子１３の
電極と取り出し電極１２の上面は、ほぼ同等の高さであ
る。従って、取り出し電極１２をヒートシンク１１側に
接近させても、金属細線１６がヒートシンク１１に接触
してショートを起こしてしまう可能性が無い。
【００３２】本実施の形態により、以下に示すような効
果を奏することができる。
果を奏することができる。
【００３３】第１に、ヒートシンク１１および取り出し
電極１２の表面に、凹部１９を設けたので、ヒートシン
ク１１および取り出し電極１２と絶縁性樹脂１７との接
着力を向上させることができる。
電極１２の表面に、凹部１９を設けたので、ヒートシン
ク１１および取り出し電極１２と絶縁性樹脂１７との接
着力を向上させることができる。
【００３４】第２に、金属細線やパワーリード等の接続
手段により電気的に接続される、半導体素子１３の電極
と取り出し電極１２の上面とが同程度の高さと成ってい
る。従って、半導体装置１０の取り出し電極１２をヒー
トシンク１１に接近させても、金属細線１６がヒートシ
ンク１１の肩部に接触してショートを起こす危険性が無
いので、半導体装置１０の大きさを小さく形成できる。
このことから、このような半導体装置１０を実装基板２
２に実装して混成集積回路装置を構成すると、パワー系
の半導体装置の固着および電気的接続を小さな面積で行
うことが可能となる。
手段により電気的に接続される、半導体素子１３の電極
と取り出し電極１２の上面とが同程度の高さと成ってい
る。従って、半導体装置１０の取り出し電極１２をヒー
トシンク１１に接近させても、金属細線１６がヒートシ
ンク１１の肩部に接触してショートを起こす危険性が無
いので、半導体装置１０の大きさを小さく形成できる。
このことから、このような半導体装置１０を実装基板２
２に実装して混成集積回路装置を構成すると、パワー系
の半導体装置の固着および電気的接続を小さな面積で行
うことが可能となる。
【００３５】（半導体装置の製造方法を説明する第２の
実施の形態）次に、図３〜図８を参照にして、半導体装
置１０の製造方法について説明する。本実施の形態に斯
かる半導体装置の製造方法は、次のような工程を有して
いる。即ち、金属板３１に形成予定のヒートシンク１１
および取り出し電極１２から成る各ユニット３３のヒー
トシンク１１および取り出し電極１２以外の部分の金属
板３１をプレスにより削除してスリット３２を設ける工
程と、各ユニット３３のヒートシンク１１および取り出
し電極１２をハーフプレスにより凸部とする工程と、各
ユニット３３のヒートシンク１１に半導体素子１３を固
着する工程と、各ユニット３３の半導体素子１３の電極
と取り出し電極１２とを電気的に接続する工程と、各ユ
ニット３３を絶縁性樹脂で個別にモールドする工程と、
各ユニット３３のヒートシンク１１および前記取り出し
電極１２の裏面を押圧することにより、金属板３１と各
ユニット３３を分離させる工程とで半導体装置１０は製
造される。このような各工程の詳細を以下にて説明す
る。
実施の形態）次に、図３〜図８を参照にして、半導体装
置１０の製造方法について説明する。本実施の形態に斯
かる半導体装置の製造方法は、次のような工程を有して
いる。即ち、金属板３１に形成予定のヒートシンク１１
および取り出し電極１２から成る各ユニット３３のヒー
トシンク１１および取り出し電極１２以外の部分の金属
板３１をプレスにより削除してスリット３２を設ける工
程と、各ユニット３３のヒートシンク１１および取り出
し電極１２をハーフプレスにより凸部とする工程と、各
ユニット３３のヒートシンク１１に半導体素子１３を固
着する工程と、各ユニット３３の半導体素子１３の電極
と取り出し電極１２とを電気的に接続する工程と、各ユ
ニット３３を絶縁性樹脂で個別にモールドする工程と、
各ユニット３３のヒートシンク１１および前記取り出し
電極１２の裏面を押圧することにより、金属板３１と各
ユニット３３を分離させる工程とで半導体装置１０は製
造される。このような各工程の詳細を以下にて説明す
る。
【００３６】第１工程：図３参照
本工程は、金属板３１を用意して、形成予定のユニット
３３のヒートシンク１１および取り出し電極１２以外の
部分を切除することにより、スリットを形成する工程で
ある。図３は、プレス機を用いて金属板３１を部分的に
切除することにより、スリット３３を設けた状態を示す
平面図である。同図に於いて、斜線のハッチングの部分
は金属板３１である。
３３のヒートシンク１１および取り出し電極１２以外の
部分を切除することにより、スリットを形成する工程で
ある。図３は、プレス機を用いて金属板３１を部分的に
切除することにより、スリット３３を設けた状態を示す
平面図である。同図に於いて、斜線のハッチングの部分
は金属板３１である。
【００３７】具体的には、先ず、大判の金属板３１を準
備する。金属板３１は銅、銀等の金属から成り、０．５
〜３．０ｍｍの板厚を具備する。同図に於いて、点線で
示される部分は、形成予定のヒートシンク１１および取
り出し電極１２から成る１つのユニット３３を示してい
る。また、金属板３１の周辺部には、ガイド孔３４が設
けられており、各工程に於いて、金属板３１の位置を固
定するために用いられる。
備する。金属板３１は銅、銀等の金属から成り、０．５
〜３．０ｍｍの板厚を具備する。同図に於いて、点線で
示される部分は、形成予定のヒートシンク１１および取
り出し電極１２から成る１つのユニット３３を示してい
る。また、金属板３１の周辺部には、ガイド孔３４が設
けられており、各工程に於いて、金属板３１の位置を固
定するために用いられる。
【００３８】次に、プレス機を用いて金属板３１を部分
的に切除する。このことにより、スリット３２が形成さ
れる。スリット３２を形成することにより、各ユニット
３３のヒートシンク１１および取り出し電極１２は、金
属板３１とは接続部３４を介して連続している。本発明
では、１枚の金属板３１に多数個のユニット３３が形成
される。即ち１枚の金属板３１から、多数個の半導体装
置１０を構成するヒートシンク１１および取り出し電極
１２が製造される。ここでは、各ユニット３３のヒート
シンク１１および取り出し電極１２は、接続部３４によ
り金属板３１に接続しているので、１枚の板状に保持さ
れている。
的に切除する。このことにより、スリット３２が形成さ
れる。スリット３２を形成することにより、各ユニット
３３のヒートシンク１１および取り出し電極１２は、金
属板３１とは接続部３４を介して連続している。本発明
では、１枚の金属板３１に多数個のユニット３３が形成
される。即ち１枚の金属板３１から、多数個の半導体装
置１０を構成するヒートシンク１１および取り出し電極
１２が製造される。ここでは、各ユニット３３のヒート
シンク１１および取り出し電極１２は、接続部３４によ
り金属板３１に接続しているので、１枚の板状に保持さ
れている。
【００３９】更に、本工程に於いて、ヒートシンク１１
および取り出し電極１２の肩部には、凹部１９が形成さ
れる。この凹部１９に絶縁性樹脂１２が噛み込むことに
より、ヒートシンク１１および取り出し電極１２と、絶
縁性樹脂１７との結合は強化される。
および取り出し電極１２の肩部には、凹部１９が形成さ
れる。この凹部１９に絶縁性樹脂１２が噛み込むことに
より、ヒートシンク１１および取り出し電極１２と、絶
縁性樹脂１７との結合は強化される。
【００４０】第２工程：図４および図５参照
この工程は、金属板３１をハーフプレスすることによ
り、ヒートシンク１１および取り出し電極１２を凸状に
形成する工程である。図４を参照して、プレス機により
金属板３１を部分的に凸状に形成する工程を説明する。
図４（Ａ）はプレス機を用いて金属板３１を部分的に凹
状に形成する状態を示す断面図であり、図４（Ｂ）は部
分的に凹状に形成された金属板３１の形状を示す断面図
である。
り、ヒートシンク１１および取り出し電極１２を凸状に
形成する工程である。図４を参照して、プレス機により
金属板３１を部分的に凸状に形成する工程を説明する。
図４（Ａ）はプレス機を用いて金属板３１を部分的に凹
状に形成する状態を示す断面図であり、図４（Ｂ）は部
分的に凹状に形成された金属板３１の形状を示す断面図
である。
【００４１】具体的には、前行程において準備した金属
板３１をプレス機の台座３２に設置し、ヒートシンク１
１および取り出し電極１２の形成部をプレス機に認識さ
せ、ヒートシンク１１および取り出し電極１２の形成部
をパンチ３３にて半抜き状態にプレス加工する。このと
き、金属板３１はその厚み程度抜き出されるが、使用用
途に応じてできる限り接続部３４が少なくなるよにプレ
ス加工する。次に、上記したプレス加工を繰り返すこと
で金属板３１に複数の半導体装置形成部を構成するユニ
ットを凸状に形成する。
板３１をプレス機の台座３２に設置し、ヒートシンク１
１および取り出し電極１２の形成部をプレス機に認識さ
せ、ヒートシンク１１および取り出し電極１２の形成部
をパンチ３３にて半抜き状態にプレス加工する。このと
き、金属板３１はその厚み程度抜き出されるが、使用用
途に応じてできる限り接続部３４が少なくなるよにプレ
ス加工する。次に、上記したプレス加工を繰り返すこと
で金属板３１に複数の半導体装置形成部を構成するユニ
ットを凸状に形成する。
【００４２】図５を参照して、ヒートシンク１１および
取り出し電極１２の箇所が凸状に形成された金属板３１
を説明する。図５（Ａ）は、各ユニット３３のヒートシ
ンク１１および取り出し電極１２が凸状に形成された金
属板３１の斜視図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ
−Ｘ’断面に於ける断面図である。
取り出し電極１２の箇所が凸状に形成された金属板３１
を説明する。図５（Ａ）は、各ユニット３３のヒートシ
ンク１１および取り出し電極１２が凸状に形成された金
属板３１の斜視図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ
−Ｘ’断面に於ける断面図である。
【００４３】図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、
各ユニット３３のヒートシンク１１および取り出し電極
１２は、凸状に形成されている。また、このようにプレ
スで金属板３１をハーフプレスを行った後も、個々のヒ
ートシンク１１および取り出し電極１２は、接続部３４
を介して、金属板３１に連続している。
各ユニット３３のヒートシンク１１および取り出し電極
１２は、凸状に形成されている。また、このようにプレ
スで金属板３１をハーフプレスを行った後も、個々のヒ
ートシンク１１および取り出し電極１２は、接続部３４
を介して、金属板３１に連続している。
【００４４】第３工程：図６参照
この工程は、前行程で形成した各ユニットに於いて、ヒ
ートシンク１１上に半導体素子を固着し、この半導体素
子の電極と取り出し電極１２とを電気的に接続する工程
である。図６（Ａ）は各ユニット３３のヒートシンク１
１に半導体素子１３が固着され、半導体素子１３と取り
出し電極１２との電気的接続が行われた状態を示す斜視
図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＸ−Ｘ’断面に於
ける断面図である。
ートシンク１１上に半導体素子を固着し、この半導体素
子の電極と取り出し電極１２とを電気的に接続する工程
である。図６（Ａ）は各ユニット３３のヒートシンク１
１に半導体素子１３が固着され、半導体素子１３と取り
出し電極１２との電気的接続が行われた状態を示す斜視
図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＸ−Ｘ’断面に於
ける断面図である。
【００４５】具体的には、図６（Ｂ）に示すように、金
属板３１の凸部のヒートシンク１１に半導体素子１３
を、半田等のロウ材１４を介して固着する。そして、固
着された半導体素子１３のボンディングパッド部とエミ
ッタ、ベース取り出し電極１２とを金属細線１６等の電
気的接続手段で電気的に接続する。このとき、大電流を
流すパワートランジスタ１３はチップ自身が大きく電流
容量も多いのでボンディングパッドのサイズも大きく形
成されているため、金属細線１６は、例えば、大径（３
００μｍ）のＡｌ線が用いられる。そして、太線ボンダ
ーによりボンディングパッド部および電極部１２には超
音波ボンディングされることで接続される。ここでは、
電気的接続手段として金属細線を使用したが、パワーリ
ード等を使用することも可能である。
属板３１の凸部のヒートシンク１１に半導体素子１３
を、半田等のロウ材１４を介して固着する。そして、固
着された半導体素子１３のボンディングパッド部とエミ
ッタ、ベース取り出し電極１２とを金属細線１６等の電
気的接続手段で電気的に接続する。このとき、大電流を
流すパワートランジスタ１３はチップ自身が大きく電流
容量も多いのでボンディングパッドのサイズも大きく形
成されているため、金属細線１６は、例えば、大径（３
００μｍ）のＡｌ線が用いられる。そして、太線ボンダ
ーによりボンディングパッド部および電極部１２には超
音波ボンディングされることで接続される。ここでは、
電気的接続手段として金属細線を使用したが、パワーリ
ード等を使用することも可能である。
【００４６】尚、図示はしていないが、ヒートシンク１
１上には半田ペースト１４との接着性を考慮して銀メッ
キや金メッキが施されている場合もある。また、取り出
し電極１２上には金属細線１６の接着性が考慮され銀メ
ッキやニッケルメッキが施されている。
１上には半田ペースト１４との接着性を考慮して銀メッ
キや金メッキが施されている場合もある。また、取り出
し電極１２上には金属細線１６の接着性が考慮され銀メ
ッキやニッケルメッキが施されている。
【００４７】半導体素子１３としては、上記の他に、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、大電流駆動用の
Ｔｒ、大電流駆動用のＩＣ（ＭＯＳ型、ＢＩＰ型、Ｂｉ
−ＣＭＯＳ型）メモリ素子等のように大電流で用いら
れ、放熱を必要とするパワー半導体素子を用いることも
できる。
ワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、大電流駆動用の
Ｔｒ、大電流駆動用のＩＣ（ＭＯＳ型、ＢＩＰ型、Ｂｉ
−ＣＭＯＳ型）メモリ素子等のように大電流で用いら
れ、放熱を必要とするパワー半導体素子を用いることも
できる。
【００４８】第４工程：図１７参照
この工程は、各ユニットを個別に絶縁性樹脂でモールド
する工程である。図７は、金型を用いて個々のユニット
を個別にモールドした状態を示す断面図である。
する工程である。図７は、金型を用いて個々のユニット
を個別にモールドした状態を示す断面図である。
【００４９】具体的には、金属細線６０により各々のエ
ミッタ、ベース取り出し電極部１３と接続されている金
属板３１に絶縁性樹脂１７を形成する。これは、トラン
スファーモールド、インジェクションモールド、または
ポッティングや印刷により実現できる。本実施例では、
例えば、トランスファーモールドによる絶縁性樹脂１７
が、各ユニットを一体にモールドしている。ここで、絶
縁性樹脂１７としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の
熱可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂１
７は、金型を用いて固める樹脂、塗布をして被覆できる
樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。
ミッタ、ベース取り出し電極部１３と接続されている金
属板３１に絶縁性樹脂１７を形成する。これは、トラン
スファーモールド、インジェクションモールド、または
ポッティングや印刷により実現できる。本実施例では、
例えば、トランスファーモールドによる絶縁性樹脂１７
が、各ユニットを一体にモールドしている。ここで、絶
縁性樹脂１７としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の
熱可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂１
７は、金型を用いて固める樹脂、塗布をして被覆できる
樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。
【００５０】本実施の形態では、金属板３１表面に被覆
された絶縁性樹脂１７の厚さは、パワートランジスタ１
３の最頂部から約１００μｍ程度が被覆されるように調
整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くするこ
とも、薄くすることも可能である。
された絶縁性樹脂１７の厚さは、パワートランジスタ１
３の最頂部から約１００μｍ程度が被覆されるように調
整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くするこ
とも、薄くすることも可能である。
【００５１】当接部４０は、各ユニットの凹状に形成さ
れている部分に下方から当接している。そして、スリッ
ト３２から絶縁性樹脂が流出してしまうのを防止してい
る。
れている部分に下方から当接している。そして、スリッ
ト３２から絶縁性樹脂が流出してしまうのを防止してい
る。
【００５２】この工程では、モールド金型（図示せず）
を用いて各ユニットを個別にモールドしている。従っ
て、各ユニットと金属板３１は、接続部３４を介して接
合されているのみである。
を用いて各ユニットを個別にモールドしている。従っ
て、各ユニットと金属板３１は、接続部３４を介して接
合されているのみである。
【００５３】第５工程：図８参照
この工程は、絶縁性樹脂１７により支持されている各ユ
ニットを、プレスすることにより、金属板３１から分離
させる工程である。具体的には、金属板３１の裏面か
ら、プレス等を用いて各ユニットのヒートシンク１１お
よび取り出し電極１２の裏面をプレスする。前述したよ
うに、各ユニットのヒートシンク１１および取り出し電
極１２と金属板とは、接続部３４で連続されている。そ
してヒートシンク１１および取り出し電極１２は、第２
工程で金属板の厚さ程度抜き出されている。従って各ユ
ニットと、金属板との接合はそれほど強固ではない。
ニットを、プレスすることにより、金属板３１から分離
させる工程である。具体的には、金属板３１の裏面か
ら、プレス等を用いて各ユニットのヒートシンク１１お
よび取り出し電極１２の裏面をプレスする。前述したよ
うに、各ユニットのヒートシンク１１および取り出し電
極１２と金属板とは、接続部３４で連続されている。そ
してヒートシンク１１および取り出し電極１２は、第２
工程で金属板の厚さ程度抜き出されている。従って各ユ
ニットと、金属板との接合はそれほど強固ではない。
【００５４】このことから、各ユニットのヒートシンク
１１および取り出し電極１２の裏面をプレスすることに
より、各ユニットを金属板から剥離させることができ
る。それと同時に、各ユニットは個々に分離されて、個
々の半導体装置となる。
１１および取り出し電極１２の裏面をプレスすることに
より、各ユニットを金属板から剥離させることができ
る。それと同時に、各ユニットは個々に分離されて、個
々の半導体装置となる。
【００５５】本実施の形態では、以下に示すような効果
を奏することができる。
を奏することができる。
【００５６】第１に、上記のような工程で製造された半
導体装置を回路素子として混成集積回路装置に用いるこ
とで、ワイヤーボンディング工程を省略し簡素な組み立
て工程を実現することができる。
導体装置を回路素子として混成集積回路装置に用いるこ
とで、ワイヤーボンディング工程を省略し簡素な組み立
て工程を実現することができる。
【００５７】第２に、上記したような半導体装置の製造
方法は、エッチングの工程およびダイシングの工程を必
要としない。従って工程数を削減した半導体装置の製造
方法を実現させることができる。
方法は、エッチングの工程およびダイシングの工程を必
要としない。従って工程数を削減した半導体装置の製造
方法を実現させることができる。
【００５８】第３に、最終工程までは、各ユニットは金
属板を介して一体に支持されており、搬送性および作業
性に優れた半導体装置の製造方法を実現できる。
属板を介して一体に支持されており、搬送性および作業
性に優れた半導体装置の製造方法を実現できる。
【００５９】第４に、スリット３２を形成することによ
り、各ユニットのヒートシンク１１および取り出し電極
１２と金属板３１とは、接続部３４のみで連続してい
る。従って、金属板３１から各ユニット３３を分離させ
る工程に於いて、各ユニットを容易に分離させることが
可能である。
り、各ユニットのヒートシンク１１および取り出し電極
１２と金属板３１とは、接続部３４のみで連続してい
る。従って、金属板３１から各ユニット３３を分離させ
る工程に於いて、各ユニットを容易に分離させることが
可能である。
【００６０】
【発明の効果】本発明では、以下に示すような効果を奏
することができる。
することができる。
【００６１】第１に、ヒートシンク１１および取り出し
電極１２の表面に、凹部１９を設けたので、ヒートシン
ク１１および取り出し電極１２と絶縁性樹脂１７との接
着力を向上させることができる。
電極１２の表面に、凹部１９を設けたので、ヒートシン
ク１１および取り出し電極１２と絶縁性樹脂１７との接
着力を向上させることができる。
【００６２】第２に、金属細線やパワーリード等の接続
手段により電気的に接続される半導体素子１３の電極
と、取り出し電極１２の上面とが同程度の高さと成って
いる。従って、半導体装置１０の取り出し電極１２をヒ
ートシンク１１に接近させても、金属細線１６がヒート
シンク１１の肩部に接触してショートを起こす危険性が
無いので、半導体装置１０の大きさを小さく形成でき
る。このことから、このような半導体装置１０を実装基
板２２に実装して混成集積回路装置を構成すると、パワ
ー系の半導体装置の固着および電気的接続を小さな面積
で行うことが可能となる。
手段により電気的に接続される半導体素子１３の電極
と、取り出し電極１２の上面とが同程度の高さと成って
いる。従って、半導体装置１０の取り出し電極１２をヒ
ートシンク１１に接近させても、金属細線１６がヒート
シンク１１の肩部に接触してショートを起こす危険性が
無いので、半導体装置１０の大きさを小さく形成でき
る。このことから、このような半導体装置１０を実装基
板２２に実装して混成集積回路装置を構成すると、パワ
ー系の半導体装置の固着および電気的接続を小さな面積
で行うことが可能となる。
【００６３】第３に、上記のような工程で製造された半
導体装置を回路素子として混成集積回路装置に用いるこ
とで、ワイヤーボンディング工程を省略し簡素な組み立
て工程を実現することができる。
導体装置を回路素子として混成集積回路装置に用いるこ
とで、ワイヤーボンディング工程を省略し簡素な組み立
て工程を実現することができる。
【００６４】第４に、上記したような半導体装置の製造
方法は、エッチングの工程およびダイシングの工程を必
要としない。従って工程数を削減した半導体装置の製造
方法を実現させることができる。
方法は、エッチングの工程およびダイシングの工程を必
要としない。従って工程数を削減した半導体装置の製造
方法を実現させることができる。
【００６５】第５に、最終工程までは、各ユニットは金
属板を介して一体に支持されており、搬送性および作業
性に優れた半導体装置の製造方法を実現できる。
属板を介して一体に支持されており、搬送性および作業
性に優れた半導体装置の製造方法を実現できる。
【００６６】第６に、スリット３２を形成することによ
り、各ユニットのヒートシンク１１および取り出し電極
１２と金属板３１とは、接続部３４のみで連続してい
る。従って、金属板３１から各ユニット３３を分離させ
る工程に於いて、各ユニットを容易に分離させることが
可能である。
り、各ユニットのヒートシンク１１および取り出し電極
１２と金属板３１とは、接続部３４のみで連続してい
る。従って、金属板３１から各ユニット３３を分離させ
る工程に於いて、各ユニットを容易に分離させることが
可能である。
【図１】本発明の半導体装置を説明する斜視図（Ａ）、
断面図（Ｂ）である。
断面図（Ｂ）である。
【図２】本発明の半導体装置を説明する平面図（Ａ）、
断面図（Ｂ）である。
断面図（Ｂ）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明する平面
図である。
図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明する断面
図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を説明する斜視
図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を説明する斜視
図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を説明する断面
図である。
図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を説明する断面
図である。
図である。
【図９】従来の混成集積回路装置を説明する平面図であ
る。
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ
23/373 Ｍ
(72)発明者 西塔 秀史
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
(72)発明者 金子 弘
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
(72)発明者 高島 和典
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB09 BD01 BE01
Claims (9)
- 【請求項１】 ヒートシンクと、 前記ヒートシンクと同一材料で形成され且つ前記ヒート
シンクに近接して配置された取り出し電極と、 前記ヒートシンク上に固着された半導体素子と、 前記半導体素子の電極と前記取り出し電極とを電気的に
接続する電気的接続手段と、 前記ヒートシンク、前記取り出し電極および前記金属細
線を埋没させ且つ全体を一体に支持する絶縁性樹脂とを
有する半導体装置であり、 前記ヒートシンクおよび前記取り出し電極には、前記絶
縁性樹脂との結合を向上させるための凹部を設けること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記ヒートシンクおよび前記取り出し電
極は、銅板または銀板で構成されることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体素子は、パワー半導体素子、
セミパワー半導体素子または小信号半導体素子であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記電気的接続手段は、金属細線または
パワーリードであることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 金属板に形成予定のヒートシンクおよび
取り出し電極から成る各ユニットの、前記ヒートシンク
および前記取り出し電極以外の部分の前記金属板をプレ
スにより削除してスリットを設ける工程と、 前記各ユニットの前記ヒートシンクおよび前記取り出し
電極を、ハーフプレスにより凸部とする工程と、 前記各ユニットの前記ヒートシンクに半導体素子を固着
する工程と、 前記各ユニットの前記半導体素子の電極と前記取り出し
電極とを電気的に接続する工程と、 前記各ユニットを絶縁性樹脂で個別にモールドする工程
と、 前記各ユニットの前記ヒートシンクおよび前記取り出し
電極の裏面を押圧することにより、前記金属板と前記各
ユニットを分離させる工程とを具備することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記モールドする工程に於いて、当接部
を前記スリットの裏面に当接させて、前記絶縁性樹脂が
前記スリットから流出するのを防止することを特徴とす
る請求項５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記金属板をハーフプレスする工程は、
複数の前記ユニットの形成部が設けられた１対の金型に
前記金属板を設置し、前記金属板の両面から前記金属板
をプレスする工程であることを特徴とする請求項５記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記金属板をハーフプレスする工程にお
いて、前記金属板を前記金属板の厚みと同程度抜き出す
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項９】 前記スリットを設ける工程に於いて、前
記ヒートシンクおよび前記取り出し電極の表面に凹部を
設けることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002114083A JP2003309239A (ja) | 2002-04-17 | 2002-04-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002114083A JP2003309239A (ja) | 2002-04-17 | 2002-04-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309239A true JP2003309239A (ja) | 2003-10-31 |
Family
ID=29396027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002114083A Pending JP2003309239A (ja) | 2002-04-17 | 2002-04-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003309239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080141A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
| JP2021525887A (ja) * | 2018-06-08 | 2021-09-27 | ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール | 電気部品の温度を測定するためのシステム、およびこのようなシステムを備えるスイッチングアーム |
-
2002
- 2002-04-17 JP JP2002114083A patent/JP2003309239A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080141A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
| JP4486451B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
| JP2021525887A (ja) * | 2018-06-08 | 2021-09-27 | ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール | 電気部品の温度を測定するためのシステム、およびこのようなシステムを備えるスイッチングアーム |
| JP7135119B2 (ja) | 2018-06-08 | 2022-09-12 | ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール | 電気部品の温度を測定するためのシステム、およびこのようなシステムを備えるスイッチングアーム |
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