JP2003303836A - 電荷転送素子及び固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体撮像素子又は装置の寄生容量を減少する
ことによって、消費電力を減少させると共に動作速度の
向上、転送パルス波形の向上を図ることができる、電荷
転送素子及び固体撮像装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板５、埋め込みチャンネル領域
１６、絶縁膜４及び電荷転送電極３からなる電荷転送ゲ
ート部７上に、層間絶縁膜２を介して遮光膜１が設けら
れている水平レジスタ部６において、遮光膜１が各電荷
転送電極に対応して複数に分割されていると共にフロー
ティング状態となされている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電荷転送領域上に
第１絶縁層を介して電荷転送電極が設けられ、この電荷
転送電極上に第２絶縁層を介して遮光層が設けられてい
る電荷転送素子、及びこの電荷転送素子を具備する固体
撮像装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は、従来の固体撮像装置６１におけ
る水平レジスタ部５６の概略断面を示す。

【０００３】このレジスタ部はＨＣＣＤ（Horizontal C
harge Coupled Devise：以下、同様）として、例えば、
ｐ型シリコン半導体基板５５に形成したＮ型ウェル６８
に、電荷転送領域となるＮ⁻型（埋め込みチャンネル）
領域６６上にＳｉＯ₂からなる層間絶縁膜５４を形成
し、この上に端部が部分的に重なり合った２層ポリシリ
コンからなる電荷転送電極５３ａ及び５３ｂを２相駆動
用として設け、これらの電極の組み合せ（一対）毎に共
通した転送信号φＨ１、φＨ２を交互に印加して、垂直
レジスタ部（ここでは図示せず）からの転送電荷を順次
転送する。

【０００４】各転送電極は絶縁膜５２によって被覆さ
れ、更にこの上の全面に、接地されたＷやＡｌ等の遮光
膜５１を形成して、外光の入射を防止している。なお、
遮光膜５１はＷ又はＡｌ等の金属からなり、０Ｖ（グラ
ンド）に接地されていて、電荷転送ゲート部５７を含む
水平レジスタ部５６の全面を覆うように形成されてい
る。遮光膜５１より上層の構造については、簡略化のた
めにその説明を省略する。

【０００５】図７（ａ）は、図６に示した構造と原理的
には同様の２相駆動を行う電荷転送電極５３を各相で単
一の電極とした構造を示す。以降の説明においては、図
７（ａ）の固体撮像装置６１を用いて説明することとす
る。

【０００６】次に、水平レジスタ部５６を含む２次元の
固体撮像装置６１の電荷転送過程を簡略に示すと、図５
において、固体撮像装置６１のイメージ部１５を成す画
素部８に入射した入射光によって画素部８内に電荷が生
じ、この電荷が画素部８から垂直レジスタ部（ＶＣＣ
Ｄ、Vertical Charge Coupled Devise：以下、同様）９
へと転送され、更に電荷は垂直レジスタ部９から水平レ
ジスタ部５６へと転送される。

【０００７】水平レジスタ部５６においては、図７
（ａ）に示すように、２相（φＨ１（Ｖ _H）６３及びφ
Ｈ２（Ｖ_L）６４、Ｖ_H＝５Ｖ、Ｖ_L＝０Ｖ）の異なる転
送パルス電圧がそれぞれの電荷転送電極５３に交互に印
加されることにより、水平レジスタ部５６に転送された
電荷は、チャンネル領域６６を介して順次転送され、増
幅器１０を通して出力される。

【０００８】こうした電荷転送動作において、図７
（ａ）に示すように、φＨ１（Ｖ_H）６３として５Ｖの
転送パルス電圧を印加し、φＨ２（Ｖ_L）６４として０
Ｖの転送パルス電圧を印加した際に、端子６３に接続し
た電極５３と遮光膜５１との間、及び端子６４に接続し
た電極５３と遮光膜５１との間には、クーロン力による
寄生容量Ｃ₁がそれぞれ生じる。

【０００９】そのために、端子６３に接続した電極５３
の正電荷に対応する負電荷が遮光膜５１下の絶縁膜５２
の表面に誘起され、また端子６４に接続した電極５３の
負電荷に対応する正電荷が遮光膜５１下の絶縁膜５２の
表面に誘起される。この場合、遮光膜５１が０Ｖ（グラ
ンド）に接地されているために、端子６４に接続した電
極５３上の絶縁膜５２の表面に発生した正電荷は、０Ｖ
のグランドに放出されるので、後遮光膜５１下には端子
６３に接続された電極５３上の負電荷のみが残留する。
図７（ｂ）は、この状態を等価回路的に示すものであ
る。

【００１０】ここで、端子６３に５Ｖの電圧を印加した
場合に、電極５３から遮光膜５１に向かって伸びる電束
が、遮光膜５１の平面に対して垂直方向に放出される成
分が支配的であることから、この時の寄生容量Ｃ_従は次
式（１）で表される。即ち、

【数１】 である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述した２次元の固体
撮像装置においては垂直レジスタ部の駆動周波数と比較
して水平レジスタの駆動周波数は２〜３桁程度高い。例
えば、１３０万画素クラスの固体撮像装置においては、
１０００倍程度早くなっている。このため、水平レジス
タ部の転送パルス電圧の動作周波数を高くして対応して
いるが、これによって垂直レジスタ部と比較して消費電
力を増加させてしまう（図５参照）。

【００１２】そして、水平レジスタ部５６で生じる消費
電力の内、遮光膜５１―電荷転送電極５３間で発生する
消費電力Ｐは、固体撮像装置６１全体の消費電力に対し
て大きな割合を占めているが、消費電力Ｐの具体的な値
は、遮光膜５１―電荷転送電極５３間の電位差及び寄生
容量Ｃ₁との関係によって生じる。

【００１３】この消費電力Ｐは次式（２）で表わされ
る。即ち、

【数２】 である。

【００１４】ここで、電荷転送時の印加電圧による遮光
膜５１−電荷転送電極５３間の電位差をＶ、遮光膜５１
−電荷転送電極５３間の寄生容量をＣ、駆動周波数を
ｆ、電極素子数をｎとする。

【００１５】上記の式（２）において、可能な限り駆動
周波数ｆの値を上げかつ消費電力Ｐの値を下げるために
は、一定の値となる電位差Ｖ及び電極素子数ｎの値を除
いて、寄生容量Ｃの値を減少させる必要がある。

【００１６】しかし、図７（ｂ）の等価回路に示すよう
に、電圧の印加時に遮光膜５１−電荷転送電極５３間に
比較的大きな寄生容量Ｃ₁（上記Ｃに相当）が発生する
ために、消費電力Ｐの値を減らすのが容易ではない。

【００１７】また、電荷転送ゲート部５７の動作速度
や、転送パルス波形は、時定数τの大きさと反比例の関
係にあり、次式（３）で表わされる。即ち、

【数３】 である。

【００１８】ここで、電荷転送電極５３の抵抗値をＲ、
遮光膜５１−電荷転送電極５３間の寄生容量をＣとす
る。

【００１９】時定数τの値が小さくなるのに従がってパ
ルス波形のなまりが起こりにくくなり、早い動作速度に
対応するが、このためには、電荷転送電極５３の抵抗値
Ｒは一定の値であるために、遮光膜５１−電荷転送電極
５３間の寄生容量Ｃの値を減少する必要がある。

【００２０】しかし、上述のように、寄生容量Ｃ₁の値
が比較的大きいために、時定数τも減少し難く、従って
動作速度を増大させ難く、転送パルス波形が劣化し易く
なる。

【００２１】本発明は、上記のような状況に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、固体撮像素子又は装置
の寄生容量を減少することによって、消費電力を減少さ
せると共に転送パルス波形及び動作速度の向上を図るこ
とができる、電荷転送素子及び固体撮像装置を提供する
ことにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、電荷転
送領域上に第１絶縁層を介して電荷転送電極が設けら
れ、この電荷転送電極上に第２絶縁層を介して遮光層が
設けられている電荷転送素子において、前記遮光層が複
数に分割されていることを特徴とする電荷転送素子に係
わるものである。

【００２３】本発明はまた、光入射可能な画素部と、こ
の画素部で発生した電荷を転送する電荷転送素子からな
るレジスタ部とを具備し、電荷転送領域上に第１絶縁層
を介して電荷転送電極が設けられ、この電荷転送電極上
に第２絶縁層を介して遮光層が設けられている固体撮像
装置において、前記遮光層が複数に分割されていること
を特徴とする固体撮像装置に係わるものである。

【００２４】本発明によれば、電荷転送素子の遮光層が
複数に分割されているために、転送電圧をそれぞれの電
荷転送電極に印加した際に、これらの電荷転送電極に対
応するそれぞれの分割された遮光層に正又は負の電荷が
蓄積されて寄生容量が発生し、かつ隣接する遮光層間に
も寄生容量が発生し、これらの容量が電荷転送電極間に
直列に接続される状態となるために、全体としての合成
寄生容量が減少し、これによって既述した消費電力の減
少及び転送時のパルス波形のなまりを小さくする事によ
り、早い動作速度での駆動を可能とすることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明においては、上記した直列
の寄生容量を発生させるために、前記遮光層が電気的に
フローティングの状態であるのが望ましい。

【００２６】また、第１導電型領域に第２導電型領域が
埋設され、この第２導電型領域を含む領域上に前記電荷
転送電極が設けられているのが望ましい。

【００２７】また、前記遮光層の分離位置が、互いに隣
接する前記電荷転送電極の境界上の位置であってもよい
し、それ以外であってもよい。

【００２８】また、前記電荷転送電極が第１電極とこの
第１電極に部分的に重なり合った第２電極とからなり、
この重なり合った領域上に、前記遮光層の分離位置が存
在していてよい。

【００２９】また、前記遮光層の分離箇所から光が入射
しないためには、その分離間隔が０．２μｍ以下である
のが望ましい。

【００３０】また、遮光層の遮光能力を発揮するため
に、その層厚が１００ｎｍ以上であるのが望ましい。

【００３１】また、電荷転送領域に入射光を到達させな
いために、前記第２絶縁層の表面と前記電荷転送領域の
表面との距離が２０ｎｍ以上であるのが望ましい。

【００３２】また、電荷転送素子が、２次元固体撮像装
置の水平レジスタ部及び／又は垂直レジスタ部を構成す
るか、或いは１次元固体撮像装置のレジスタ部を構成す
るのが望ましい。

【００３３】以下に、本発明の好ましい実施の形態を図
面の参照下に説明する。

【００３４】図１に示す固体撮像装置１１においては、
電荷転送電極３が電極３ａと電極３ｂとからなり、かつ
これに対応してＷやＡｌ等の遮光膜１が分割され、電気
的にフローティング状態にある点が、図６の固体撮像装
置６１と根本的に相違している。但し、同一構造部分の
説明は省略する。

【００３５】また、図２（ａ）は、図１の構造とは異な
って電荷転送電極３が単層からなっていて、固体撮像装
置１１の水平レジスタ部６（ＨＣＣＤ）を構成する構造
を示す。遮光膜１より上層の構造については、簡略化の
ためにその説明を省略する。

【００３６】本実施の形態における固体撮像素子１１の
水平レジスタ部６（ＨＣＣＤ）は、Ｓｉ等からなるＰ型
半導体基板５にＮ型ウェル１８が形成され、このウェル
内に電荷転送領域となるＮ⁻型の複数の埋め込みチャン
ネル領域１６が形成されており、このチャンネル領域１
６とこのチャンネル領域１６上の絶縁膜４とこの絶縁膜
４上の電荷転送電極３とが一組になって、電荷転送ゲー
ト部７を構成している。

【００３７】更に、このゲート部７上の層間絶縁膜２上
には、半導体基板５へ光を透過させないための遮光膜１
が形成されている。

【００３８】この遮光膜１は、各転送ゲート毎に複数に
分割されていると共に、電気的にフローティングの状態
であり、かつ各々の遮光膜１を分離する分離部１７は、
隣り合う電極３間の境界上に位置している。分離部１７
の分離幅ｄは０．２μｍ以下である。

【００３９】ここで、遮光膜１の分離位置は、図１、図
２のように、互いに隣接する電荷転送電極３の境界上の
位置であるのが望ましいが、その境界上以外の位置であ
ってもよく、更にはそれぞれの遮光膜１が等間隔のみな
らず任意の間隔で分離されていてもよい。

【００４０】また、この分離位置が、図１に示すよう
に、電荷転送電極３ａと、この電極３ａに部分的に重な
り合った電荷転送電極３ｂとの重なり合った領域上の位
置にあってもよい。これらの電極は例えば２層ポリシリ
コンからなっている。

【００４１】また、図３に示すように、分離部１７が電
荷転送電極３ａと３ｂとの重なり合った部分と、電極３
ｂ上とを交互に位置することができるし、それ以外に位
置することもできる。更には、図４に示すように、分離
部１７を電荷転送電極３ａ又は３ｂ上にのみ位置させて
もよい。

【００４２】ここで、上記のように遮光膜１の分離位置
を任意としてもよい理由は、後述するように、それぞれ
の遮光膜１に発生して残留する正又は負の電荷の総量が
変わらないからである。

【００４３】遮光膜１の分離部１７から層間絶縁膜２内
へ外部からの光を入射させないためには、分離間隔ｄが
０．２μｍ以下であるのが望ましい（”IEEE TRANSLATI
ON ON ELECTRON DEVICES”, Vol44, No.10 (1997) 1599
-1602参照）。また、遮光層１の遮光能力を発揮するた
めには、遮光膜１の厚さｔが１００ｎｍ以上であるのが
望ましい。

【００４４】また、電荷転送領域である半導体基板５に
外部からの入射光を到達させないためには、層間絶縁膜
２の表面と半導体基板５の表面との間の距離Ｔが２０ｎ
ｍ以上であるのが望ましいが、膜厚の比較的大きい層間
絶縁膜２の存在によって、常に２０ｎｍ以上となる。

【００４５】これらの条件を満たすと、外部からの入射
光が半導体基板５に到達してノイズ成分となる電荷が発
生することを確実に防止できる。

【００４６】また、電荷転送ゲート部７は、本実施の形
態に示すような２次元の固体撮像装置１１の水平レジス
タ部６及び／又は垂直レジスタ部９（図５参照）を構成
するのみならず、１次元の固体撮像装置のレジスタ部を
構成してもよい。

【００４７】次に、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照し
て、固体撮像装置１１の電荷転送過程を詳しく述べる。

【００４８】入力端子１３にφＨ１（Ｖ_H）、例えば５
Ｖの転送パルス電圧を印加し、入力端子１４にφＨ２
（Ｖ_L）、例えば０Ｖの転送パルス電圧を印加した際
に、端子１４に接続された電極３と遮光膜１との間、及
び端子１３に接続された電極３と遮光膜１との間には、
クーロン力による寄生容量Ｃ₁がそれぞれ生じる。

【００４９】そのために、端子１３に接続された電極３
の正電荷に対応する負電荷が、対応する遮光膜１に誘起
されると共に、端子１４に接続された電極３の負電荷に
対応する正電荷が、対応する別の遮光膜１に誘起され
る。

【００５０】そして、それぞれの遮光膜１は、従来のよ
うに０Ｖ（グランド）に接地されないで電気的にフロー
ティングの状態であるために、端子１４に接続された電
極３上の遮光膜１には正電荷が残留し、端子１３に接続
された電極３上の遮光膜１には負電荷が残留することに
よって、それぞれの遮光膜１−電極３間には寄生容量Ｃ
₁がそれぞれ生じ、更には、端子１４に接続された電極
３上の遮光膜１に残留する正電荷と、端子１３に接続し
た電極３上の遮光膜１に残留する負電荷との間に寄生容
量Ｃ_２が生じる。

【００５１】従って、図２（ｂ）の等価回路に示すよう
に各電極３−３間には、寄生容量Ｃ ₂と２つの寄生容量
Ｃ₁とが直列に接続された状態となる。このため、次に
示すように、固体撮像装置１１全体の寄生容量Ｃを減少
させることができるが、これは、下記の計算式（４）に
よって算出される。

【００５２】即ち、遮光膜１−電荷転送電極３間のそれ
ぞれの寄生容量をＣ₁、隣り合う遮光膜１間の寄生容量
をＣ₂、固体撮像装置１１全体の寄生容量をＣ_新とする
と、Ｃ_新の値は下記の式で表される。即ち、

【数４】 である。

【００５３】上記の式（４）の算出は、図２の如く入力
端子１３及び１４に接続された単層の電極３のみの構造
を用いて行ったが、図１の如く２つ以上の転送電極を組
とする構造であっても、計算が煩雑になるだけであり、
式（４）で示される結果に変わりはない。

【００５４】そして、既述した従来の固体撮像装置６１
の寄生容量Ｃ_従はＣ₁と同じ（Ｃ_従≒Ｃ₁、式（１）参
照）であるのに対し、上記式（４）で表される本実施の
形態の寄生容量Ｃ_新は、下記の式（５）で示されるよう
に、従来のＣ_従よりも小さくなる。即ち、

【数５】 である。

【００５５】上記の式（５）から、本実施の形態におけ
る寄生容量Ｃ_新の値が従来の寄生容量Ｃ_従の値よりも小
さくなって、全体の寄生容量が減少していることが分か
る。

【００５６】このＣ_新の値とＣ_従の値を、既述した消費
電力Ｐを求める式（２）に代入すると、本実施の形態の
消費電力Ｐ_新と従来の消費電力Ｐ_従との関係は、次式
（６）のようになる。即ち、

【数６】 である。

【００５７】上記の式（６）において、一定の値である
電極素子数ｎ、及び遮光膜１−電荷転送電極３間の電位
差Ｖと共に、駆動周波数ｆの値を一定にすると、Ｐ_従＞
Ｐ_新となり、本実施の形態によって、固体撮像装置１１
の消費電力Ｐの値を減少させることができる。

【００５８】また、上記の式（６）において、既に一定
の値である電極素子数ｎ及び遮光膜１−電荷転送電極３
間の電位差Ｖと共に、消費電力Ｐの値を一定にすると、
ｆ_新＞ｆ_従となり、本実施の形態によって、固体撮像装
置１１の駆動周波数ｆの値を増大することができる。

【００５９】更に、上記のＣ_新の値とＣ_従の値を、時定
数τを求める上述の式（３）に代入すると、本実施の形
態の時定数τ_新と従来の時定数τ_従との関係は、次式
（７）のようになる。即ち、 τ_従＝ＲＣ_従＞ＲＣ_新＝τ_新 ・・・（７） である。

【００６０】この式（７）から、電荷転送電極の抵抗Ｒ
の値は一定であるために、τ_従＞τ _新となり、本実施の
形態によって、時定数τの値が小さくなる事からパルス
なまりが小さくなり、これに応じて動作速度が増大する
ことが可能になる。

【００６１】上述のように、本実施の形態によれば、水
平レジスタ部６の遮光層１が複数に分割されてフローテ
ィング状態となされているために、電荷転送パルス電圧
をそれぞれの電荷転送電極３に印加した際に、これらの
電荷転送電極３に対応するそれぞれの分割された遮光層
１に正又は負の電荷が蓄積されて寄生容量Ｃ₁がそれぞ
れ発生し、かつ隣接する遮光層１間に寄生容量Ｃ₂が発
生し、これらの寄生容量が、隣接する電荷転送電極３−
３間に直列に接続されるために、固体撮像装置１１の全
体の寄生容量を減少することができ、ひいては水平レジ
スタ部６の消費電力の減少及び動作速度の増大を可能と
し、良好な電荷転送効率を有する固体撮像装置１１を提
供することができる。

【００６２】また、消費電力の減少によって固体撮像装
置１１の電力消費による発熱を抑えることができるの
で、白点抑制及び暗電流の低減にも効果のある固体撮像
装置１１を提供できる。

【００６３】以上に述べた実施の形態は、本発明の技術
的思想に基づき種々に変形が可能である。

【００６４】例えば、一つの入力端子に接続される電極
数は上述の実施の形態のように１個又は２個に限られ
ず、任意に変更してもよいし、印加する電荷転送パルス
電圧も２相以上であってもよい。

【００６５】また、遮光膜１、遮光膜１の分離幅（スリ
ット１７）は変更してよいし、絶縁膜２及び４、その他
の構成部分の形状、サイズ、材質等は種々であってよ
く、また転送部の構成も変更してよい。

【００６６】上述した分割された遮光膜を有する転送部
の構造は、２次元の固体撮像装置の場合は垂直ＣＣＤに
も採用してよいし、水平ＣＣＤ及び垂直ＣＣＤの少なく
とも一方に採用してよい。さらには一次元の固体撮像装
置に用いてもよい。

【００６７】

【発明の作用効果】上述したように、本発明によれば、
電荷転送素子の遮光層が複数に分割されているために、
転送電圧をそれぞれの電荷転送電極に印加した際に、こ
れらの電荷転送電極に対応するそれぞれの分割された遮
光層に正又は負の電荷が蓄積して寄生容量が発生しかつ
隣接する遮光層間にも寄生容量が発生し、これらの容量
が電荷転送電極間に直列に接続される状態となるため
に、全体としての合成寄生容量が減少し、これによって
消費電力の減少及び転送波形の向上、動作速度の増大及
び発熱の低下による白点及び暗電流の低減を実現するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における固体撮像装置の要
部断面図である。

【図２】同、他の固体撮像装置の要部断面図（ａ）及び
その等価回路図（ｂ）である。

【図３】同、他の固体撮像装置の要部断面図である。

【図４】同、更に他の固体撮像装置の要部断面図であ
る。

【図５】固体撮像装置のレイアウト図である。

【図６】従来例による固体撮像装置の要部断面図であ
る。

【図７】同、他の固体撮像装置の要部断面図（ａ）及び
その等価回路図（ｂ）である。

【符号の説明】

１、５１…遮光膜、２、４…絶縁膜、３、３ａ、３ｂ、
５３ａ、５３ｂ…電荷転送電極、５…基板、６…水平レ
ジスタ部、７…電荷転送ゲート部、８…画素部、９…垂
直レジスタ部、１１…固体撮像装置、１３、１４…入力
端子、１５…イメージ部、１６…埋め込みチャンネル領
域、１７…分離部、１８…ウェル、Ｃ₁…遮光膜−電荷
転送電極間の寄生容量、Ｃ₂…隣接する遮光膜間の寄生
容量、ｄ…隣接する遮光膜間の分離幅、ｔ…遮光膜の厚
さ、Ｔ…遮光膜下面−基板表面間の距離

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Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電荷転送領域上に第１絶縁層を介して電
   荷転送電極が設けられ、この電荷転送電極上に第２絶縁
   層を介して遮光層が設けられている電荷転送素子におい
   て、前記遮光層が複数に分割されていることを特徴とす
   る電荷転送素子。
2. 【請求項２】 前記遮光層が電気的にフローティングの
   状態である、請求項１に記載の電荷転送素子。
3. 【請求項３】 第１導電型領域に第２導電型領域が埋設
   され、この第２導電型領域を含む領域上に前記電荷転送
   電極が設けられている、請求項１に記載の電荷転送素
   子。
4. 【請求項４】 前記遮光層の分離位置が、互いに隣接す
   る前記電荷転送電極の境界上の位置である、請求項１に
   記載の電荷転送素子。
5. 【請求項５】 前記遮光層の分離位置が、互いに隣接す
   る前記電荷転送電極の境界上以外の位置である、請求項
   １に記載の電荷転送素子。
6. 【請求項６】 前記電荷転送電極が第１電極とこの第１
   電極に部分的に重なり合った第２電極とからなり、この
   重なり合った領域上に前記遮光層の分離位置が存在して
   いる、請求項１に記載の電荷転送素子。
7. 【請求項７】 前記遮光層の分離間隔が０．２μｍ以下
   である、請求項１に記載の電荷転送素子。
8. 【請求項８】 前記遮光層の層厚が１００ｎｍ以上であ
   る、請求項１に記載の電荷転送素子。
9. 【請求項９】 前記第２絶縁層の表面と前記電荷転送領
   域の表面との距離が２０ｎｍ以上である、請求項１に記
   載の電荷転送素子。
10. 【請求項１０】 ２次元固体撮像装置の水平レジスタ部
    及び／又は垂直レジスタ部を構成する、請求項１に記載
    の電荷転送素子。
11. 【請求項１１】 １次元固体撮像装置のレジスタ部を構
    成する、請求項１に記載の電荷転送素子。
12. 【請求項１２】 光入射可能な画素部と、この画素部で
    発生した電荷を転送する電荷転送素子からなるレジスタ
    部とを具備し、電荷転送領域上に第１絶縁層を介して電
    荷転送電極が設けられ、この電荷転送電極上に第２絶縁
    層を介して遮光層が設けられている固体撮像装置におい
    て、前記遮光層が複数に分割されていることを特徴とす
    る固体撮像装置。
13. 【請求項１３】 前記遮光層が電気的にフローティング
    の状態である、請求項１２に記載の固体撮像装置。
14. 【請求項１４】 第１導電型領域に第２導電型領域が埋
    設され、この第２導電型領域を含む領域上に前記電荷転
    送電極が設けられている、請求項１２に記載の固体撮像
    装置。
15. 【請求項１５】 前記遮光層の分離位置が隣接する前記
    電荷転送電極の境界上の位置である、請求項１２に記載
    の固体撮像装置。
16. 【請求項１６】 前記遮光層の分離位置が隣接する前記
    電荷転送電極の境界上以外の位置である、請求項１２に
    記載の固体撮像装置。
17. 【請求項１７】 前記電荷転送電極が第１電極とこの第
    １電極に部分的に重なり合った第２電極とからなり、こ
    の重なり合った領域上の位置に前記遮光層の分離位置が
    存在している、請求項１２に記載の固体撮像装置。
18. 【請求項１８】 前記遮光層の分離間隔が０．２μｍ以
    下である、請求項１２に記載の固体撮像装置。
19. 【請求項１９】 前記遮光層の層厚が１００ｎｍ以上で
    ある、請求項１２に記載の固体撮像装置。
20. 【請求項２０】 前記第２絶縁層の表面と前記電荷転送
    領域の表面との距離が２０ｎｍ以上である、請求項１２
    に記載の固体撮像装置。
21. 【請求項２１】 前記レジスタ部が２次元固体撮像装置
    の水平レジスタ部及び／又は垂直レジスタ部である、請
    求項１２に記載の固体撮像装置。
22. 【請求項２２】 前記レジスタ部が１次元固体撮像装置
    のレジスタ部である、請求項１２に記載の固体撮像装
    置。