JP2003300796A - 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低欠陥大口径の炭化珪素単結晶ウエハを取り
出せる炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供する。 【解決手段】 （１１−２０）面から、＜０００１＞軸
を中心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以
下の範囲にある任意の一方向に、３度以上６０度以下傾
いた面を単結晶育成面とする炭化珪素単結晶育成用種結
晶である。このような単結晶育成用種結晶を用いること
により、高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得ること
ができる。
出せる炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供する。 【解決手段】 （１１−２０）面から、＜０００１＞軸
を中心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以
下の範囲にある任意の一方向に、３度以上６０度以下傾
いた面を単結晶育成面とする炭化珪素単結晶育成用種結
晶である。このような単結晶育成用種結晶を用いること
により、高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得ること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素単結晶育
成用種結晶と炭化珪素単結晶及びその製造方法に関し、
特に、電力デバイスや高周波デバイスなどの基板ウエハ
となる良質で大型の単結晶インゴット及びその製造方法
に関する。
成用種結晶と炭化珪素単結晶及びその製造方法に関し、
特に、電力デバイスや高周波デバイスなどの基板ウエハ
となる良質で大型の単結晶インゴット及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素（ＳｉＣ）は、耐熱性及び機械
的強度に優れ、放射線に強いなどの物理的、化学的性質
から耐環境性半導体材料として注目されている。また近
年、青色から紫外にかけての短波長光デバイス、高周波
高耐圧電子デバイス等の基板ウエハとして、ＳｉＣ単結
晶ウエハの需要が高まっている。しかしながら、大面積
を有する高品質のＳｉＣ単結晶を、工業的規模で安定に
供給し得る結晶成長技術は、いまだ確立されていない。
それゆえ、ＳｉＣは、上述のような多くの利点及び可能
性を有する半導体材料にもかかわらず、その実用化が阻
まれていた。
的強度に優れ、放射線に強いなどの物理的、化学的性質
から耐環境性半導体材料として注目されている。また近
年、青色から紫外にかけての短波長光デバイス、高周波
高耐圧電子デバイス等の基板ウエハとして、ＳｉＣ単結
晶ウエハの需要が高まっている。しかしながら、大面積
を有する高品質のＳｉＣ単結晶を、工業的規模で安定に
供給し得る結晶成長技術は、いまだ確立されていない。
それゆえ、ＳｉＣは、上述のような多くの利点及び可能
性を有する半導体材料にもかかわらず、その実用化が阻
まれていた。
【０００３】従来、研究室程度の規模では、例えば昇華
再結晶法（レーリー法）でＳｉＣ単結晶を成長させ、半
導体素子の作製が可能なサイズのＳｉＣ単結晶を得てい
た。しかしながら、この方法では、得られた単結晶の面
積が小さく、その寸法及び形状を高精度に制御すること
は困難である。また、ＳｉＣが有する結晶多形及び不純
物キャリア濃度の制御も容易ではない。また、化学気相
成長法（ＣＶＤ法）を用いて珪素（Ｓｉ）などの異種基
板上にヘテロエピタキシャル成長させることにより立方
晶の炭化珪素単結晶を成長させることも行われている。
この方法では、大面積の単結晶は得られるが、基板との
格子不整合が約２０％もあること等により多くの欠陥
（〜１０7ｃｍ-2）を含むＳｉＣ単結晶しか成長させる
ことができず、高品質のＳｉＣ単結晶を得ることは容易
でない。これらの問題点を解決するために、ＳｉＣ単結
晶｛０００１｝ウエハを種結晶として用いて昇華再結晶
を行う改良型のレーリー法が提案されている（Yu. M. T
airov and V. F. Tsvetkov,Journal of Crystal Growt
h, vol.52 (1981) pp.146〜150）。この方法では、種結
晶を用いているため結晶の核形成過程が制御でき、また
不活性ガスにより雰囲気圧力を１００Ｐａから１５ｋＰ
ａ程度に制御することにより結晶の成長速度等を再現性
良くコントロールできる。改良レーリー法の原理を図１
を用いて説明する。種結晶となるＳｉＣ単結晶と原料と
なるＳｉＣ結晶粉末は坩堝（通常黒鉛）の中に収納さ
れ、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中（１３３Ｐａ〜１
３．３ｋＰａ）、摂氏２０００〜２４００度に加熱され
る。この際、原料粉末に比べ種結晶がやや低温になるよ
うに温度勾配が設定される。原料は、昇華後、濃度勾配
（温度勾配により形成される）により種結晶方向へ拡
散、輸送される。単結晶成長は、種結晶に到着した原料
ガスが種結晶上で再結晶化することにより実現される。
この際、結晶の抵抗率は、不活性ガスからなる雰囲気中
に不純物ガスを添加する、あるいは、原料のＳｉＣ結晶
粉末中に不純物元素あるいはその化合物を混合すること
により、制御可能である。ＳｉＣ単結晶中の置換型不純
物として代表的なものに、窒素（ｎ型）、ホウ素、アル
ミニウム（ｐ型）がある。改良レーリー法を用いれば、
ＳｉＣ単結晶の結晶多形（６Ｈ型、４Ｈ型、１５Ｒ型
等）及び形状、キャリア型及び濃度を制御しながら、Ｓ
ｉＣ単結晶を成長させることができる。
再結晶法（レーリー法）でＳｉＣ単結晶を成長させ、半
導体素子の作製が可能なサイズのＳｉＣ単結晶を得てい
た。しかしながら、この方法では、得られた単結晶の面
積が小さく、その寸法及び形状を高精度に制御すること
は困難である。また、ＳｉＣが有する結晶多形及び不純
物キャリア濃度の制御も容易ではない。また、化学気相
成長法（ＣＶＤ法）を用いて珪素（Ｓｉ）などの異種基
板上にヘテロエピタキシャル成長させることにより立方
晶の炭化珪素単結晶を成長させることも行われている。
この方法では、大面積の単結晶は得られるが、基板との
格子不整合が約２０％もあること等により多くの欠陥
（〜１０7ｃｍ-2）を含むＳｉＣ単結晶しか成長させる
ことができず、高品質のＳｉＣ単結晶を得ることは容易
でない。これらの問題点を解決するために、ＳｉＣ単結
晶｛０００１｝ウエハを種結晶として用いて昇華再結晶
を行う改良型のレーリー法が提案されている（Yu. M. T
airov and V. F. Tsvetkov,Journal of Crystal Growt
h, vol.52 (1981) pp.146〜150）。この方法では、種結
晶を用いているため結晶の核形成過程が制御でき、また
不活性ガスにより雰囲気圧力を１００Ｐａから１５ｋＰ
ａ程度に制御することにより結晶の成長速度等を再現性
良くコントロールできる。改良レーリー法の原理を図１
を用いて説明する。種結晶となるＳｉＣ単結晶と原料と
なるＳｉＣ結晶粉末は坩堝（通常黒鉛）の中に収納さ
れ、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中（１３３Ｐａ〜１
３．３ｋＰａ）、摂氏２０００〜２４００度に加熱され
る。この際、原料粉末に比べ種結晶がやや低温になるよ
うに温度勾配が設定される。原料は、昇華後、濃度勾配
（温度勾配により形成される）により種結晶方向へ拡
散、輸送される。単結晶成長は、種結晶に到着した原料
ガスが種結晶上で再結晶化することにより実現される。
この際、結晶の抵抗率は、不活性ガスからなる雰囲気中
に不純物ガスを添加する、あるいは、原料のＳｉＣ結晶
粉末中に不純物元素あるいはその化合物を混合すること
により、制御可能である。ＳｉＣ単結晶中の置換型不純
物として代表的なものに、窒素（ｎ型）、ホウ素、アル
ミニウム（ｐ型）がある。改良レーリー法を用いれば、
ＳｉＣ単結晶の結晶多形（６Ｈ型、４Ｈ型、１５Ｒ型
等）及び形状、キャリア型及び濃度を制御しながら、Ｓ
ｉＣ単結晶を成長させることができる。
【０００４】現在、上記の改良レーリー法で作製したＳ
ｉＣ単結晶から口径２インチ（５０ｍｍ）から３インチ
（７５ｍｍ）の｛０００１｝面ＳｉＣ単結晶ウエハが切
り出され、エピタキシャル薄膜成長、デバイス作製に供
されている。しかしながら、これらのＳｉＣ単結晶ウエ
ハには、成長方向に貫通する直径数μｍのピンホール欠
陥（マイクロパイプ欠陥）が５０〜２００ｃｍ-2程度含
まれていた。
ｉＣ単結晶から口径２インチ（５０ｍｍ）から３インチ
（７５ｍｍ）の｛０００１｝面ＳｉＣ単結晶ウエハが切
り出され、エピタキシャル薄膜成長、デバイス作製に供
されている。しかしながら、これらのＳｉＣ単結晶ウエ
ハには、成長方向に貫通する直径数μｍのピンホール欠
陥（マイクロパイプ欠陥）が５０〜２００ｃｍ-2程度含
まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の技術で作られたＳｉＣ単結晶にはマイクロパイプ欠陥
が５０〜２００ｃｍ-2程度含まれていた。P. G. Neudec
k et al., IEEE Electron Device Letters, vol.15 (19
94) pp.63〜65に記載されているように、これらの欠陥
は素子を作製した際に、漏れ電流等を引き起こし、その
低減はＳｉＣ単結晶のデバイス応用における最重要課題
とされている。
の技術で作られたＳｉＣ単結晶にはマイクロパイプ欠陥
が５０〜２００ｃｍ-2程度含まれていた。P. G. Neudec
k et al., IEEE Electron Device Letters, vol.15 (19
94) pp.63〜65に記載されているように、これらの欠陥
は素子を作製した際に、漏れ電流等を引き起こし、その
低減はＳｉＣ単結晶のデバイス応用における最重要課題
とされている。
【０００６】このマイクロパイプ欠陥は、｛０００１｝
面に垂直な面を種結晶として用いて、＜０００１＞方向
と垂直方向にＳｉＣ単結晶を成長させることにより、完
全に防止できることが、特開平５−２６２５９９号公報
に開示されている。｛０００１｝面に垂直な面は、デバ
イス製造にとっても有用な面である。H. Yano et al.,
Materials Science Forum, vol.338-342 (2000) pp.110
5〜1108に示されているように、例えば｛０００１｝面
に垂直な面である（１１−２０）面を用いたＭＯＳ（金
属−酸化膜−半導体）型電界効果トランジスタは、（０
００１）Ｓｉ面上に作製したものと比べて、格段に高い
チャネル移動度を示す。このように、｛０００１｝面に
垂直な面に成長したＳｉＣ単結晶はマイクロパイプ欠陥
を含まず、さらに、［１１−２０］方向に成長したＳｉ
Ｃ単結晶インゴットを切断研磨して得られる（１１−２
０）ウエハは高性能のＳｉＣデバイスを作製するのに適
している。しかしながら、この方向にＳｉＣ単結晶を成
長した場合、J. Takahashiet al., Journal of Crystal
Growth, vol.181 (1997) pp.229〜240に記載されてい
るように、結晶中に多量の（０００１）面積層欠陥が導
入されてしまう。この結果、特開平５−２６２５９９号
公報に開示されている方法を用いても、マイクロパイプ
欠陥は抑制できるものの、今度はデバイスに悪影響を与
える積層欠陥が多量に発生してしまっていた。
面に垂直な面を種結晶として用いて、＜０００１＞方向
と垂直方向にＳｉＣ単結晶を成長させることにより、完
全に防止できることが、特開平５−２６２５９９号公報
に開示されている。｛０００１｝面に垂直な面は、デバ
イス製造にとっても有用な面である。H. Yano et al.,
Materials Science Forum, vol.338-342 (2000) pp.110
5〜1108に示されているように、例えば｛０００１｝面
に垂直な面である（１１−２０）面を用いたＭＯＳ（金
属−酸化膜−半導体）型電界効果トランジスタは、（０
００１）Ｓｉ面上に作製したものと比べて、格段に高い
チャネル移動度を示す。このように、｛０００１｝面に
垂直な面に成長したＳｉＣ単結晶はマイクロパイプ欠陥
を含まず、さらに、［１１−２０］方向に成長したＳｉ
Ｃ単結晶インゴットを切断研磨して得られる（１１−２
０）ウエハは高性能のＳｉＣデバイスを作製するのに適
している。しかしながら、この方向にＳｉＣ単結晶を成
長した場合、J. Takahashiet al., Journal of Crystal
Growth, vol.181 (1997) pp.229〜240に記載されてい
るように、結晶中に多量の（０００１）面積層欠陥が導
入されてしまう。この結果、特開平５−２６２５９９号
公報に開示されている方法を用いても、マイクロパイプ
欠陥は抑制できるものの、今度はデバイスに悪影響を与
える積層欠陥が多量に発生してしまっていた。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、欠陥の少ない良質の大口径ＳｉＣウエハを、再
現性良く製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する
ものである。
であり、欠陥の少ない良質の大口径ＳｉＣウエハを、再
現性良く製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）（１１
−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（２）（１１−
２０）面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（３）（１１−
２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］
軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一
方向に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面と
する炭化珪素単結晶育成用種結晶、（４）（１１−２
０）面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（５）（１１−
２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］
軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一
方向に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面と
する炭化珪素単結晶育成用種結晶、（６）（１１−２
０）面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（７）（１）〜
（６）のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶育成用種
結晶を用いて、昇華再結晶法により前記種結晶上に炭化
珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶
の製造方法、（８）（７）に記載の製造方法により得ら
れた炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴット
の口径が２０ｍｍ以上である炭化珪素単結晶インゴッ
ト、（９）（７）に記載の製造方法により得られた炭化
珪素単結晶インゴットを加工、研磨してなる炭化珪素単
結晶ウエハであって、かつ、ウエハ径が２０ｍｍ以上で
ある炭化珪素単結晶ウエハ、（１０）（９）に記載の炭
化珪素単結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる炭化
珪素単結晶エピタキシャルウエハ、である。
−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（２）（１１−
２０）面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（３）（１１−
２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］
軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一
方向に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面と
する炭化珪素単結晶育成用種結晶、（４）（１１−２
０）面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（５）（１１−
２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］
軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一
方向に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面と
する炭化珪素単結晶育成用種結晶、（６）（１１−２
０）面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１０
０］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意
の一方向に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成
面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、（７）（１）〜
（６）のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶育成用種
結晶を用いて、昇華再結晶法により前記種結晶上に炭化
珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶
の製造方法、（８）（７）に記載の製造方法により得ら
れた炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴット
の口径が２０ｍｍ以上である炭化珪素単結晶インゴッ
ト、（９）（７）に記載の製造方法により得られた炭化
珪素単結晶インゴットを加工、研磨してなる炭化珪素単
結晶ウエハであって、かつ、ウエハ径が２０ｍｍ以上で
ある炭化珪素単結晶ウエハ、（１０）（９）に記載の炭
化珪素単結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる炭化
珪素単結晶エピタキシャルウエハ、である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、炭化珪素単結晶からな
る炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の、
（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−
１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある
任意の一方向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶
育成面とするＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。さらに
本発明においては、このようなＳｉＣ単結晶育成用種結
晶をＳｉＣ単結晶育成用種結晶として用いることによ
り、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥の発生を防止するこ
とができる。なお、本発明において、該種結晶は六方晶
ＳｉＣ単結晶からなる単結晶であり、面指数はミラー指
数表示法に基いて記載される。参考として、図２に六方
晶ＳｉＣ単結晶の面指数を説明する概略図を示す。
る炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の、
（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に［１−
１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある
任意の一方向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶
育成面とするＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。さらに
本発明においては、このようなＳｉＣ単結晶育成用種結
晶をＳｉＣ単結晶育成用種結晶として用いることによ
り、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥の発生を防止するこ
とができる。なお、本発明において、該種結晶は六方晶
ＳｉＣ単結晶からなる単結晶であり、面指数はミラー指
数表示法に基いて記載される。参考として、図２に六方
晶ＳｉＣ単結晶の面指数を説明する概略図を示す。
【００１０】｛０００１｝面に垂直方向にＳｉＣ単結晶
を成長させた場合に積層欠陥が発生するメカニズムにつ
いては、J. Takahashi and N. Ohtani, phys. stat. so
l. (b), vol.202 (1997) pp.163〜175に記載されてい
る。改良レーリー法によるＳｉＣ単結晶の成長において
は、原料から昇華したＳｉＣ分子が種結晶表面（成長が
進行して行った段階では、結晶成長表面）に吸着し、こ
れが結晶に規則正しく取り込まれていくことによって結
晶が成長する。積層欠陥は、この吸着されたＳｉＣ分子
が結晶に取り込まれる際に、正規の配位ではなく、誤っ
た配位で取り込まれることによって誘起される。誤った
配位で取り込まれたＳｉＣ分子は、結晶中に局所的な歪
をもたらし、この歪が原因となって積層欠陥が発生す
る。ここで問題とされている積層欠陥は、結晶成長中に
おいてのみ発生する結晶成長誘起欠陥であり、結晶成長
後に成長結晶に機械的応力、電気的ストレス等が加えら
れることにより発生する結晶欠陥とは区別される。
を成長させた場合に積層欠陥が発生するメカニズムにつ
いては、J. Takahashi and N. Ohtani, phys. stat. so
l. (b), vol.202 (1997) pp.163〜175に記載されてい
る。改良レーリー法によるＳｉＣ単結晶の成長において
は、原料から昇華したＳｉＣ分子が種結晶表面（成長が
進行して行った段階では、結晶成長表面）に吸着し、こ
れが結晶に規則正しく取り込まれていくことによって結
晶が成長する。積層欠陥は、この吸着されたＳｉＣ分子
が結晶に取り込まれる際に、正規の配位ではなく、誤っ
た配位で取り込まれることによって誘起される。誤った
配位で取り込まれたＳｉＣ分子は、結晶中に局所的な歪
をもたらし、この歪が原因となって積層欠陥が発生す
る。ここで問題とされている積層欠陥は、結晶成長中に
おいてのみ発生する結晶成長誘起欠陥であり、結晶成長
後に成長結晶に機械的応力、電気的ストレス等が加えら
れることにより発生する結晶欠陥とは区別される。
【００１１】すなわち本発明においては、上記のメカニ
ズムを解析した結果見出されたものであり、種結晶とし
て、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に
［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲
にある任意の一方向に３度以上６０度以下傾いた面を単
結晶育成面とするＳｉＣ単結晶を用いることにより、吸
着分子が誤った配位で結晶中に取り込まれることを防止
し、積層欠陥の発生を抑制したものである。なお、以下
の説明において、（１１−２０）面からの単結晶育成面
の傾き角度を「オフ角度」（図４中、αで示される）、
該オフ角度が導入される方向を「オフ方向」と称する。
ズムを解析した結果見出されたものであり、種結晶とし
て、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に
［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲
にある任意の一方向に３度以上６０度以下傾いた面を単
結晶育成面とするＳｉＣ単結晶を用いることにより、吸
着分子が誤った配位で結晶中に取り込まれることを防止
し、積層欠陥の発生を抑制したものである。なお、以下
の説明において、（１１−２０）面からの単結晶育成面
の傾き角度を「オフ角度」（図４中、αで示される）、
該オフ角度が導入される方向を「オフ方向」と称する。
【００１２】図３を用いて、本発明の効果を説明する。
オフ角度の導入されていない（１１−２０）面種結晶上
に結晶を成長させた場合、結晶成長表面上でＳｉＣ分子
は結合配位として複数の配位形態を取り得る（例えば、
模式的に図３（ａ）の（１）および（２）で示され
る）。複数の配位形態の内、結晶内部と全く同一の結合
配位がエネルギー的には最も安定な配位であるが、Ｓｉ
Ｃ単結晶の場合、配位間のエネルギー差が極めて小さい
ために、吸着されるＳｉＣ分子は正規の配位（最安定配
位）とは異なった配位で結晶中に取り込まれてしまうこ
とがしばしば起こる。このように誤った配位で取り込ま
れたＳｉＣ分子が起点となって積層欠陥がＳｉＣ単結晶
中に発生する。
オフ角度の導入されていない（１１−２０）面種結晶上
に結晶を成長させた場合、結晶成長表面上でＳｉＣ分子
は結合配位として複数の配位形態を取り得る（例えば、
模式的に図３（ａ）の（１）および（２）で示され
る）。複数の配位形態の内、結晶内部と全く同一の結合
配位がエネルギー的には最も安定な配位であるが、Ｓｉ
Ｃ単結晶の場合、配位間のエネルギー差が極めて小さい
ために、吸着されるＳｉＣ分子は正規の配位（最安定配
位）とは異なった配位で結晶中に取り込まれてしまうこ
とがしばしば起こる。このように誤った配位で取り込ま
れたＳｉＣ分子が起点となって積層欠陥がＳｉＣ単結晶
中に発生する。
【００１３】一方、オフ角度を有する（１１−２０）面
種結晶上に結晶を成長させる場合には、図３（ｂ）に示
すように、成長表面にはステップが形成されている。ス
テップ間隔（密度）はオフ角度の大きさに依存し、オフ
角度が小さくなるほどステップ間隔は大きくなり、逆に
オフ角度が大きくなるとステップ間隔は小さくなる。成
長表面のステップ間隔が或る値以上小さくなると、原料
より飛来するＳｉＣ分子は全てステップで取り込まれる
ようになる。ステップにＳｉＣ分子が吸着し、取り込ま
れる場合には、その配位は一義的に決定され、誤った配
位で結晶中に取り込まれることはない。結果、積層欠陥
発生が抑制される。なお、オフ角度が小さい場合には、
ステップ密度が低下し、その結果ＳｉＣ分子がステップ
とステップの間に存在するテラス（図３（ａ）のオフ角
度の導入されていない（１１−２０）面に相当）上でも
結晶に取り込まれるようになるため、本発明の効果が期
待できない。
種結晶上に結晶を成長させる場合には、図３（ｂ）に示
すように、成長表面にはステップが形成されている。ス
テップ間隔（密度）はオフ角度の大きさに依存し、オフ
角度が小さくなるほどステップ間隔は大きくなり、逆に
オフ角度が大きくなるとステップ間隔は小さくなる。成
長表面のステップ間隔が或る値以上小さくなると、原料
より飛来するＳｉＣ分子は全てステップで取り込まれる
ようになる。ステップにＳｉＣ分子が吸着し、取り込ま
れる場合には、その配位は一義的に決定され、誤った配
位で結晶中に取り込まれることはない。結果、積層欠陥
発生が抑制される。なお、オフ角度が小さい場合には、
ステップ密度が低下し、その結果ＳｉＣ分子がステップ
とステップの間に存在するテラス（図３（ａ）のオフ角
度の導入されていない（１１−２０）面に相当）上でも
結晶に取り込まれるようになるため、本発明の効果が期
待できない。
【００１４】従来、結晶成長表面にオフ角度を付けるこ
とは、他の材料系でも行われてきた。しかしながら今
回、本発明者等は、数多くの実験および考察の結果とし
て、数ある条件の中から特に、ＳｉＣ単結晶の（１１−
２０）面において、オフ方向を、＜０００１＞軸を中心
に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範
囲にある任意の一方向、好ましくは［０００１］Ｓｉ軸
を中心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以
下の範囲にある任意の一方向とすることによって積層欠
陥が効果的に抑制できることを見出した。なおここで、
前記［０００１］Ｓｉ軸とは、＜０００１＞軸には［０
００１］Ｓｉと［０００−１］Ｃとの２方向があり（す
なわち＜０００１＞軸とはこれら２方向の総称）、その
内の［０００１］Ｓｉ方向のことである。（１１−２
０）面におけるオフ方向としては、［１−１００］方向
（＜０００１＞方向の垂直方向）も結晶学的には考えら
れるが、この方向にオフ角度を付けた場合には、本発明
の効果は得られない。これは、＜０００１＞方向にオフ
角度を付けた場合と［１−１００］方向にオフ角度を付
けた場合とで、形成されるステップの構造等がそれぞれ
異なり、［１−１００］方向にオフ角度を付けた場合に
は、ステップでのＳｉＣ分子の吸着配位に任意性が残っ
てしまうためであると考えられる。
とは、他の材料系でも行われてきた。しかしながら今
回、本発明者等は、数多くの実験および考察の結果とし
て、数ある条件の中から特に、ＳｉＣ単結晶の（１１−
２０）面において、オフ方向を、＜０００１＞軸を中心
に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範
囲にある任意の一方向、好ましくは［０００１］Ｓｉ軸
を中心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以
下の範囲にある任意の一方向とすることによって積層欠
陥が効果的に抑制できることを見出した。なおここで、
前記［０００１］Ｓｉ軸とは、＜０００１＞軸には［０
００１］Ｓｉと［０００−１］Ｃとの２方向があり（す
なわち＜０００１＞軸とはこれら２方向の総称）、その
内の［０００１］Ｓｉ方向のことである。（１１−２
０）面におけるオフ方向としては、［１−１００］方向
（＜０００１＞方向の垂直方向）も結晶学的には考えら
れるが、この方向にオフ角度を付けた場合には、本発明
の効果は得られない。これは、＜０００１＞方向にオフ
角度を付けた場合と［１−１００］方向にオフ角度を付
けた場合とで、形成されるステップの構造等がそれぞれ
異なり、［１−１００］方向にオフ角度を付けた場合に
は、ステップでのＳｉＣ分子の吸着配位に任意性が残っ
てしまうためであると考えられる。
【００１５】ＳｉＣ単結晶の（１１−２０）面における
オフ方向とオフ角度との関係を図４に示す。本発明の効
果を得るには、オフ方向が、＜０００１＞軸、好ましく
は［０００１］Ｓｉ軸を中心に、［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある必要がある。す
なわち、図４に示すβが、−４５°≦β≦４５°である
必要がある。ここでオフ方向が＜０００１＞軸から−４
５度未満または４５度超の場合には、ステップの構造が
［１−１００］方向にオフ角度を付けた場合と類似した
構造となり、ステップでのＳｉＣ分子の吸着配位に任意
性が残ってしまうため、本発明の効果が期待できない。
オフ方向とオフ角度との関係を図４に示す。本発明の効
果を得るには、オフ方向が、＜０００１＞軸、好ましく
は［０００１］Ｓｉ軸を中心に、［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある必要がある。す
なわち、図４に示すβが、−４５°≦β≦４５°である
必要がある。ここでオフ方向が＜０００１＞軸から−４
５度未満または４５度超の場合には、ステップの構造が
［１−１００］方向にオフ角度を付けた場合と類似した
構造となり、ステップでのＳｉＣ分子の吸着配位に任意
性が残ってしまうため、本発明の効果が期待できない。
【００１６】また、オフ角度（図４中、αで示される）
は、３度以上６０度以下（３°≦α≦６０°）であり、
好ましくは３度以上３０度以下（３°≦α≦３０°）、
さらに好ましくは６度以上３０度以下（６°≦α≦３０
°）である。オフ角度（α）が３度未満では、種結晶表
面のステップ間隔が大きくなり過ぎ、テラス上でＳｉＣ
分子が取り込まれるようになるため、積層欠陥が発生す
る。また、オフ角度が６０度超になると、従来の＜００
０１＞方向へのＳｉＣ単結晶成長と類似の成長様式とな
り、マイクロパイプ欠陥が発生してしまい、好ましくな
い。
は、３度以上６０度以下（３°≦α≦６０°）であり、
好ましくは３度以上３０度以下（３°≦α≦３０°）、
さらに好ましくは６度以上３０度以下（６°≦α≦３０
°）である。オフ角度（α）が３度未満では、種結晶表
面のステップ間隔が大きくなり過ぎ、テラス上でＳｉＣ
分子が取り込まれるようになるため、積層欠陥が発生す
る。また、オフ角度が６０度超になると、従来の＜００
０１＞方向へのＳｉＣ単結晶成長と類似の成長様式とな
り、マイクロパイプ欠陥が発生してしまい、好ましくな
い。
【００１７】以上説明した、本発明のＳｉＣ単結晶育成
用種結晶の好ましい実施形態を以下に具体的に例示す
る。
用種結晶の好ましい実施形態を以下に具体的に例示す
る。
【００１８】本発明の第１実施形態は、（１１−２０）
面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
ＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
ＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
【００１９】本発明の第２実施形態は、（１１−２０）
面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸
方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方
向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成面とす
るＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸
方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方
向に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成面とす
るＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
【００２０】本発明の第３実施形態は、（１１−２０）
面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
ＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
ＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
【００２１】本発明の第４実施形態は、（１１−２０）
面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸
方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方
向に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とす
るＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸
方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方
向に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とす
るＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
【００２２】本発明の第５実施形態は、（１１−２０）
面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
ＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
面から、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
ＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
【００２３】本発明の第６実施形態は、（１１−２０）
面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸
方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方
向に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とす
るＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
面から、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸
方向に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方
向に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とす
るＳｉＣ単結晶育成用種結晶である。
【００２４】これら第１〜第６実施形態に係るＳｉＣ単
結晶育成用種結晶はいずれも、上述したように、吸着分
子が誤った配位で結晶中に取り込まれることを防止し、
積層欠陥の発生を抑制したものである。
結晶育成用種結晶はいずれも、上述したように、吸着分
子が誤った配位で結晶中に取り込まれることを防止し、
積層欠陥の発生を抑制したものである。
【００２５】次に、本発明のＳｉＣ単結晶育成用種結晶
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００２６】本発明のＳｉＣ単結晶育成用種結晶は、ま
ず、［０００−１］Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳｉＣ単
結晶（マイクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存在しな
い）から、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中
心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の
範囲にある任意の一方向に、オフ角度が３度以上６０度
以下になるようにウエハを切り出し、鏡面研磨すること
によって製造することができる。なお切り出しの際、オ
フ角度の前記任意の方向からのずれは±１度以内である
ことが好ましい。
ず、［０００−１］Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳｉＣ単
結晶（マイクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存在しな
い）から、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中
心に［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の
範囲にある任意の一方向に、オフ角度が３度以上６０度
以下になるようにウエハを切り出し、鏡面研磨すること
によって製造することができる。なお切り出しの際、オ
フ角度の前記任意の方向からのずれは±１度以内である
ことが好ましい。
【００２７】また本発明は、上記で説明したような特徴
を有する本発明のＳｉＣ単結晶育成用種結晶を用いた、
ＳｉＣ単結晶の製造方法である。当該製造方法は、昇華
再結晶法により、前記種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長さ
せる工程を包含することを特徴とするものであり、当該
方法によって、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥等の結晶
欠陥が少ない良質のＳｉＣ単結晶を再現性良く得ること
ができる。したがって、当該製造方法によれば、２０ｍ
ｍ以上の口径を有するＳｉＣ単結晶インゴットを製造す
ることができる。該ＳｉＣ単結晶インゴットは、２０ｍ
ｍ以上という大口径を有しながら、デバイスに悪影響を
及ぼすマイクロパイプ欠陥が皆無で、且つ積層欠陥が極
めて少ないという利点を有する。
を有する本発明のＳｉＣ単結晶育成用種結晶を用いた、
ＳｉＣ単結晶の製造方法である。当該製造方法は、昇華
再結晶法により、前記種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長さ
せる工程を包含することを特徴とするものであり、当該
方法によって、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥等の結晶
欠陥が少ない良質のＳｉＣ単結晶を再現性良く得ること
ができる。したがって、当該製造方法によれば、２０ｍ
ｍ以上の口径を有するＳｉＣ単結晶インゴットを製造す
ることができる。該ＳｉＣ単結晶インゴットは、２０ｍ
ｍ以上という大口径を有しながら、デバイスに悪影響を
及ぼすマイクロパイプ欠陥が皆無で、且つ積層欠陥が極
めて少ないという利点を有する。
【００２８】以下、本発明の種結晶を用いたＳｉＣ単結
晶インゴットの製造方法について具体的に説明する。
晶インゴットの製造方法について具体的に説明する。
【００２９】まず本発明で用いられる製造装置について
説明する。図５は、本発明で用いる製造装置であり、種
結晶を用いた改良型レーリー法によってＳｉＣ単結晶を
成長させる装置の一例である。まず、この単結晶成長装
置について簡単に説明する。結晶成長は、種結晶として
用いたＳｉＣ単結晶１の上に原料であるＳｉＣ粉末２を
昇華再結晶化させることにより行われる。種結晶のＳｉ
Ｃ単結晶１は、黒鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けら
れる。原料のＳｉＣ粉末２は、黒鉛製坩堝３の内部に充
填されている。このような黒鉛製坩堝３は、二重石英管
５の内部に、黒鉛の支持棒６により設置される。黒鉛製
坩堝３の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト
７が設置されている。二重石英管５は、真空排気装置１
１により高真空排気（１０-3Ｐａ以下）することがで
き、かつ内部雰囲気をＡｒガスにより圧力制御すること
ができる。Ａｒガスによる圧力制御は、Ａｒガス配管９
およびＡｒガス用マスフローコントローラ１０によりな
される。また、二重石英管５の外周には、ワークコイル
８が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛
製坩堝３を加熱し、原料及び種結晶を所望の温度に加熱
することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下
部を覆うフェルトの中央部に直径２〜４ｍｍの光路を設
け坩堝上部及び下部からの光を取りだし、二色温度計を
用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の温
度を種温度とする。
説明する。図５は、本発明で用いる製造装置であり、種
結晶を用いた改良型レーリー法によってＳｉＣ単結晶を
成長させる装置の一例である。まず、この単結晶成長装
置について簡単に説明する。結晶成長は、種結晶として
用いたＳｉＣ単結晶１の上に原料であるＳｉＣ粉末２を
昇華再結晶化させることにより行われる。種結晶のＳｉ
Ｃ単結晶１は、黒鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けら
れる。原料のＳｉＣ粉末２は、黒鉛製坩堝３の内部に充
填されている。このような黒鉛製坩堝３は、二重石英管
５の内部に、黒鉛の支持棒６により設置される。黒鉛製
坩堝３の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト
７が設置されている。二重石英管５は、真空排気装置１
１により高真空排気（１０-3Ｐａ以下）することがで
き、かつ内部雰囲気をＡｒガスにより圧力制御すること
ができる。Ａｒガスによる圧力制御は、Ａｒガス配管９
およびＡｒガス用マスフローコントローラ１０によりな
される。また、二重石英管５の外周には、ワークコイル
８が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛
製坩堝３を加熱し、原料及び種結晶を所望の温度に加熱
することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下
部を覆うフェルトの中央部に直径２〜４ｍｍの光路を設
け坩堝上部及び下部からの光を取りだし、二色温度計を
用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の温
度を種温度とする。
【００３０】このような結晶成長装置を用いて、本発明
に係るＳｉＣ単結晶を製造する。まず、本発明のＳｉＣ
単結晶育成用種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の内面に取
り付ける。黒鉛製坩堝３の内部には、原料２を充填す
る。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を
取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被覆した
後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の内部に
設置する。そして、石英管の内部を真空排気した後、ワ
ークコイル８に電流を流し原料温度を所定温度（通常摂
氏２０００度程度）に上げる。その後、雰囲気ガスとし
てＡｒガスを流入させ、石英管内圧力を所定圧力（通常
約８０ｋＰａ）に保ちながら、原料温度を目標温度（通
常摂氏２４００度程度）まで上昇させる。所定の成長圧
力（通常１．３ｋＰａ程度）に時間をかけて減圧し、そ
の後、口径が２０ｍｍ以上になるように所定時間単結晶
成長を続け、本発明に係るＳｉＣ単結晶を得ることがで
きる。
に係るＳｉＣ単結晶を製造する。まず、本発明のＳｉＣ
単結晶育成用種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の内面に取
り付ける。黒鉛製坩堝３の内部には、原料２を充填す
る。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を
取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被覆した
後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の内部に
設置する。そして、石英管の内部を真空排気した後、ワ
ークコイル８に電流を流し原料温度を所定温度（通常摂
氏２０００度程度）に上げる。その後、雰囲気ガスとし
てＡｒガスを流入させ、石英管内圧力を所定圧力（通常
約８０ｋＰａ）に保ちながら、原料温度を目標温度（通
常摂氏２４００度程度）まで上昇させる。所定の成長圧
力（通常１．３ｋＰａ程度）に時間をかけて減圧し、そ
の後、口径が２０ｍｍ以上になるように所定時間単結晶
成長を続け、本発明に係るＳｉＣ単結晶を得ることがで
きる。
【００３１】また一方で本発明は、前記ＳｉＣ単結晶の
製造方法によって製造されたＳｉＣインゴットを加工、
研磨してなる、口径２０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハ
である。本発明のＳｉＣ単結晶ウエハは、まず、上記で
得られたＳｉＣ単結晶インゴットを切り出し、従来汎用
の手段によって研磨することによって製造される。研磨
方法は特には限定されないが、例えば摂氏約５３０度の
溶融ＫＯＨでウエハ表面をエッチングする方法が挙げら
れ本発明においても好ましく用いることができる。この
ようにして製造されるウエハを用いることによって、光
学的特性の優れた青色発光素子、電気的特性の優れた電
子デバイスを製作することができる。
製造方法によって製造されたＳｉＣインゴットを加工、
研磨してなる、口径２０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハ
である。本発明のＳｉＣ単結晶ウエハは、まず、上記で
得られたＳｉＣ単結晶インゴットを切り出し、従来汎用
の手段によって研磨することによって製造される。研磨
方法は特には限定されないが、例えば摂氏約５３０度の
溶融ＫＯＨでウエハ表面をエッチングする方法が挙げら
れ本発明においても好ましく用いることができる。この
ようにして製造されるウエハを用いることによって、光
学的特性の優れた青色発光素子、電気的特性の優れた電
子デバイスを製作することができる。
【００３２】また一方で本発明は、前記ＳｉＣ単結晶ウ
エハにエピタキシャル成長してなるＳｉＣ単結晶エピタ
キシャルウエハである。該エピタキシャルウエハは、上
記で得られたＳｉＣ単結晶ウエハを基板として用いて、
ＳｉＣのエピタキシャル成長を行うことによって製造さ
れる。ＳｉＣのエピタキシャル成長条件は、特には限定
されず適宜好ましい条件を選択することが好ましいが、
具体的には、成長温度摂氏１５００度、シラン（ＳｉＨ
4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それ
ぞれ０.１〜１０.０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、０.６〜６.
０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、１.０〜１０.０×１０-5ｍ3／
ｓｅｃである条件が挙げられ、本発明において好ましく
用いることができる。成長圧力は、他の成長条件に応じ
て適宜選択されることが好ましく、一般的には大気圧で
ある。成長時間は所望の成長膜厚が得られる程度行えば
よく特には限定されないが、例えば１〜２０時間で、１
〜２０μｍの膜厚が得られる。このようにして製造され
るエピタキシャルウエハは、ウエハ全面に渡って非常に
平坦で、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する表面
欠陥の非常に少ない良好な表面モフォロジーを有する。
エハにエピタキシャル成長してなるＳｉＣ単結晶エピタ
キシャルウエハである。該エピタキシャルウエハは、上
記で得られたＳｉＣ単結晶ウエハを基板として用いて、
ＳｉＣのエピタキシャル成長を行うことによって製造さ
れる。ＳｉＣのエピタキシャル成長条件は、特には限定
されず適宜好ましい条件を選択することが好ましいが、
具体的には、成長温度摂氏１５００度、シラン（ＳｉＨ
4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それ
ぞれ０.１〜１０.０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、０.６〜６.
０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、１.０〜１０.０×１０-5ｍ3／
ｓｅｃである条件が挙げられ、本発明において好ましく
用いることができる。成長圧力は、他の成長条件に応じ
て適宜選択されることが好ましく、一般的には大気圧で
ある。成長時間は所望の成長膜厚が得られる程度行えば
よく特には限定されないが、例えば１〜２０時間で、１
〜２０μｍの膜厚が得られる。このようにして製造され
るエピタキシャルウエハは、ウエハ全面に渡って非常に
平坦で、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する表面
欠陥の非常に少ない良好な表面モフォロジーを有する。
【００３３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を述べる。
【００３４】（実施例）上記発明の実施の形態において
図５を参照しながら説明した結晶成長装置を用いて、Ｓ
ｉＣ単結晶を製造した。まず、［０００−１］Ｃ方向に
成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を
含むが積層欠陥は存在しない）から、（１１−２０）面
から［０００１］Ｓｉ方向（［０００１］Ｓｉ方向から
のずれは±１度以内）に１０度オフしたウエハを切り出
し、鏡面研磨した後、種結晶とした（口径は、一番小さ
いところで２０ｍｍであった）。この後、種結晶１を黒
鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けた。黒鉛製坩堝３の
内部には、原料２を充填した。次いで、原料を充填した
黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛
製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗
せ、二重石英管５の内部に設置した。そして、石英管の
内部を真空排気した後、ワークコイル８に電流を流し原
料温度を摂氏２０００度まで上げた。その後、雰囲気ガ
スとしてＡｒガスを流入させ、石英管内圧力を約８０ｋ
Ｐａに保ちながら、原料温度を目標温度である摂氏２４
００度まで上昇させた。成長圧力である１．３ｋＰａに
は約３０分かけて減圧し、その後約２０時間成長を続け
た。この際の坩堝内の温度勾配は摂氏１５度／ｃｍで、
成長速度は約０．８ｍｍ／時であった。得られた結晶の
口径は２２ｍｍで、高さは１６ｍｍ程度であった。
図５を参照しながら説明した結晶成長装置を用いて、Ｓ
ｉＣ単結晶を製造した。まず、［０００−１］Ｃ方向に
成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を
含むが積層欠陥は存在しない）から、（１１−２０）面
から［０００１］Ｓｉ方向（［０００１］Ｓｉ方向から
のずれは±１度以内）に１０度オフしたウエハを切り出
し、鏡面研磨した後、種結晶とした（口径は、一番小さ
いところで２０ｍｍであった）。この後、種結晶１を黒
鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けた。黒鉛製坩堝３の
内部には、原料２を充填した。次いで、原料を充填した
黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛
製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗
せ、二重石英管５の内部に設置した。そして、石英管の
内部を真空排気した後、ワークコイル８に電流を流し原
料温度を摂氏２０００度まで上げた。その後、雰囲気ガ
スとしてＡｒガスを流入させ、石英管内圧力を約８０ｋ
Ｐａに保ちながら、原料温度を目標温度である摂氏２４
００度まで上昇させた。成長圧力である１．３ｋＰａに
は約３０分かけて減圧し、その後約２０時間成長を続け
た。この際の坩堝内の温度勾配は摂氏１５度／ｃｍで、
成長速度は約０．８ｍｍ／時であった。得られた結晶の
口径は２２ｍｍで、高さは１６ｍｍ程度であった。
【００３５】こうして得られたＳｉＣ単結晶をＸ線回折
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶が成長したことを確認できた。また、マイクロパ
イプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、成長した単結晶
インゴットから（０００１）面ウエハと（１−１００）
面ウエハを切り出し、研磨した（これら２つのウエハ
は、単結晶インゴットを成長方向に平行に切断すること
によって得られた）。その後、摂氏約５３０度の溶融Ｋ
ＯＨでウエハ表面をエッチングした。続いて、顕微鏡観
察により、（０００１）ウエハにおいてはマイクロパイ
プ欠陥に対応する大型の六角形エッチピットの数を、
（１−１００）面ウエハにおいては積層欠陥に対応する
線状のエッチピットの数を調べたところ、マイクロパイ
プ欠陥は全く存在せず、また積層欠陥は平均で４個／ｃ
ｍであることがわかった。
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶が成長したことを確認できた。また、マイクロパ
イプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、成長した単結晶
インゴットから（０００１）面ウエハと（１−１００）
面ウエハを切り出し、研磨した（これら２つのウエハ
は、単結晶インゴットを成長方向に平行に切断すること
によって得られた）。その後、摂氏約５３０度の溶融Ｋ
ＯＨでウエハ表面をエッチングした。続いて、顕微鏡観
察により、（０００１）ウエハにおいてはマイクロパイ
プ欠陥に対応する大型の六角形エッチピットの数を、
（１−１００）面ウエハにおいては積層欠陥に対応する
線状のエッチピットの数を調べたところ、マイクロパイ
プ欠陥は全く存在せず、また積層欠陥は平均で４個／ｃ
ｍであることがわかった。
【００３６】次に、同様にして製造した４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（成長方向と垂直に切断。口径は２２ｍ
ｍ）、厚さ３００μｍまで研磨しＳｉＣ単結晶（１１２
０）面鏡面ウエハを作製した。さらに、このＳｉＣ単結
晶鏡面ウエハを基板として用いて、ＳｉＣのエピタキシ
ャル成長を行った。ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条
件は、成長温度摂氏１５００度、シラン（ＳｉＨ4）、
プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それぞれ
５．０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、５．０×１０-5ｍ 3／ｓｅｃであった。成長圧力は
大気圧とした。成長時間は４時間で、膜厚としては約５
μｍ成長した。
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（成長方向と垂直に切断。口径は２２ｍ
ｍ）、厚さ３００μｍまで研磨しＳｉＣ単結晶（１１２
０）面鏡面ウエハを作製した。さらに、このＳｉＣ単結
晶鏡面ウエハを基板として用いて、ＳｉＣのエピタキシ
ャル成長を行った。ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条
件は、成長温度摂氏１５００度、シラン（ＳｉＨ4）、
プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それぞれ
５．０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、５．０×１０-5ｍ 3／ｓｅｃであった。成長圧力は
大気圧とした。成長時間は４時間で、膜厚としては約５
μｍ成長した。
【００３７】エピタキシャル薄膜成長後、ノマルスキー
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、ウエハ全面に渡って非
常に平坦で、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する
表面欠陥の非常に少ない良好な表面モフォロジーを有す
るＳｉＣエピタキシャル薄膜が成長されているのが分か
った。
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、ウエハ全面に渡って非
常に平坦で、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する
表面欠陥の非常に少ない良好な表面モフォロジーを有す
るＳｉＣエピタキシャル薄膜が成長されているのが分か
った。
【００３８】また、このエピタキシャルウエハを（１−
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングしエピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べたと
ころ、基板ウエハと同様に平均で４個／ｃｍであった。
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングしエピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べたと
ころ、基板ウエハと同様に平均で４個／ｃｍであった。
【００３９】（比較例）比較例として、オフ角度を有し
ない（１１−２０）面種結晶上へのＳｉＣ単結晶成長に
ついて述べる。種結晶として、［０００−１］Ｃ方向に
成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を
含むが積層欠陥は存在しない）から、（１１−２０）面
ウエハ（（１１−２０）面からのずれは±０．５度以
内）を切り出し、鏡面研磨した後、種結晶とした（口径
は、一番小さいところで２０ｍｍであった）。次に、種
結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付け、黒鉛製
坩堝３の内部に、原料粉末２を充填した。原料を充填し
た黒鉛製坩堝３を、蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被
覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の
内部に設置した。そして、石英管の内部を真空排気した
後、ワークコイル８に電流を流し原料温度を摂氏２００
０度まで上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Ａｒ
ガスを流入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちな
がら、原料温度を目標温度である摂氏２４００度まで上
昇させた。成長圧力である１．３ｋＰａには約３０分か
けて減圧し、その後約２０時間成長を続けた。この際の
坩堝内の温度勾配は摂氏１５度／ｃｍで、成長速度は約
０．８ｍｍ／時であった。得られた結晶の口径は２２ｍ
ｍで、高さは１６ｍｍ程度であった。
ない（１１−２０）面種結晶上へのＳｉＣ単結晶成長に
ついて述べる。種結晶として、［０００−１］Ｃ方向に
成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を
含むが積層欠陥は存在しない）から、（１１−２０）面
ウエハ（（１１−２０）面からのずれは±０．５度以
内）を切り出し、鏡面研磨した後、種結晶とした（口径
は、一番小さいところで２０ｍｍであった）。次に、種
結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付け、黒鉛製
坩堝３の内部に、原料粉末２を充填した。原料を充填し
た黒鉛製坩堝３を、蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被
覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の
内部に設置した。そして、石英管の内部を真空排気した
後、ワークコイル８に電流を流し原料温度を摂氏２００
０度まで上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Ａｒ
ガスを流入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちな
がら、原料温度を目標温度である摂氏２４００度まで上
昇させた。成長圧力である１．３ｋＰａには約３０分か
けて減圧し、その後約２０時間成長を続けた。この際の
坩堝内の温度勾配は摂氏１５度／ｃｍで、成長速度は約
０．８ｍｍ／時であった。得られた結晶の口径は２２ｍ
ｍで、高さは１６ｍｍ程度であった。
【００４０】こうして得られたＳｉＣ単結晶をＸ線回折
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶が成長したことを確認できた。また、マイクロパ
イプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、成長した単結晶
インゴットから（０００１）面ウエハと（１−１００）
面ウエハを切り出し、研磨した。その後、摂氏約５３０
度の溶融ＫＯＨでウエハ表面をエッチングし、顕微鏡に
より、（０００１）ウエハにおいてはマイクロパイプ欠
陥に対応する大型の六角形エッチピットの数を、（１−
１００）面ウエハにおいては積層欠陥に対応する線状の
エッチピットの数を調べたところ、マイクロパイプ欠陥
は全く存在しなかったものの、積層欠陥密度は平均で１
７０個／ｃｍと多かった。
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶が成長したことを確認できた。また、マイクロパ
イプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、成長した単結晶
インゴットから（０００１）面ウエハと（１−１００）
面ウエハを切り出し、研磨した。その後、摂氏約５３０
度の溶融ＫＯＨでウエハ表面をエッチングし、顕微鏡に
より、（０００１）ウエハにおいてはマイクロパイプ欠
陥に対応する大型の六角形エッチピットの数を、（１−
１００）面ウエハにおいては積層欠陥に対応する線状の
エッチピットの数を調べたところ、マイクロパイプ欠陥
は全く存在しなかったものの、積層欠陥密度は平均で１
７０個／ｃｍと多かった。
【００４１】次に、同様にして製造した４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（口径２２ｍｍ）、厚さ３００μｍまで研磨
しＳｉＣ単結晶（１１２０）面鏡面ウエハを作製した。
さらに、このＳｉＣ単結晶鏡面ウエハを基板として用い
て、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行った。ＳｉＣエピ
タキシャル薄膜の成長条件は、成長温度摂氏１５００
度、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素
（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×１０-5ｍ3／
ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とした。成長時間は
４時間で、膜厚としては約５μｍ成長した。
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（口径２２ｍｍ）、厚さ３００μｍまで研磨
しＳｉＣ単結晶（１１２０）面鏡面ウエハを作製した。
さらに、このＳｉＣ単結晶鏡面ウエハを基板として用い
て、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行った。ＳｉＣエピ
タキシャル薄膜の成長条件は、成長温度摂氏１５００
度、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素
（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×１０-5ｍ3／
ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とした。成長時間は
４時間で、膜厚としては約５μｍ成長した。
【００４２】エピタキシャル薄膜成長後、ノマルスキー
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、積層欠陥に起因すると
思われる表面欠陥がウエハ表面に観測された。
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、積層欠陥に起因すると
思われる表面欠陥がウエハ表面に観測された。
【００４３】また、このエピタキシャルウエハを（１−
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングしエピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べたと
ころ、基板ウエハと同様に平均で１７０個／ｃｍであっ
た。
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングしエピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べたと
ころ、基板ウエハと同様に平均で１７０個／ｃｍであっ
た。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＳｉＣ単
結晶育成用種結晶を用いた改良型レーリー法により、マ
イクロパイプ欠陥、積層欠陥等の結晶欠陥が少ない良質
のＳｉＣ単結晶を再現性良く成長させることができる。
このようなＳｉＣ単結晶から製造されたウエハを用いれ
ば、光学的特性の優れた青色発光素子、電気的特性の優
れた電子デバイスを製作することができる。また、この
ようなＳｉＣ単結晶から製造された４Ｈ型のＳｉＣ単結
晶ウエハを用いれば、従来に比べ格段に低損失な電力デ
バイスが作製可能である。
結晶育成用種結晶を用いた改良型レーリー法により、マ
イクロパイプ欠陥、積層欠陥等の結晶欠陥が少ない良質
のＳｉＣ単結晶を再現性良く成長させることができる。
このようなＳｉＣ単結晶から製造されたウエハを用いれ
ば、光学的特性の優れた青色発光素子、電気的特性の優
れた電子デバイスを製作することができる。また、この
ようなＳｉＣ単結晶から製造された４Ｈ型のＳｉＣ単結
晶ウエハを用いれば、従来に比べ格段に低損失な電力デ
バイスが作製可能である。
【図１】 改良レーリー法の原理を説明するための概略
図である。
図である。
【図２】 六方晶ＳｉＣ単結晶の面指数を説明する概略
図である。
図である。
【図３】 本発明の効果を説明する図である。
【図４】 本発明の種結晶のオフ方向とオフ角度の関係
を説明する図である。
を説明する図である。
【図５】 本発明の製造方法に用いられる単結晶成長装
置の一例を示す構成図である。
置の一例を示す構成図である。
１ 種結晶（ＳｉＣ単結晶）
２ ＳｉＣ結晶粉末
３ 黒鉛製坩堝
４ 黒鉛製坩堝蓋
５ 二重石英管
６ 支持棒
７ 黒鉛製フェルト
８ ワークコイル
９ Ａｒガス配管
１０ Ａｒガス用マスフローコントローラ
１１ 真空排気装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年４月２３日（２００２．４．２
３）
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】本発明のＳｉＣ単結晶育成用種結晶は、ま
ず、［０００−１］Ｃ方向に成長したＳｉＣ単結晶（マ
イクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存在しない）か
ら、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に
［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲
にある任意の一方向に、オフ角度が３度以上６０度以下
になるようにウエハを切り出し、鏡面研磨することによ
って製造することができる。なお切り出しの際、オフ角
度の前記任意の方向からのずれは±１度以内であること
が好ましい。
ず、［０００−１］Ｃ方向に成長したＳｉＣ単結晶（マ
イクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存在しない）か
ら、（１１−２０）面から、＜０００１＞軸を中心に
［１−１００］軸方向に−４５度以上４５度以下の範囲
にある任意の一方向に、オフ角度が３度以上６０度以下
になるようにウエハを切り出し、鏡面研磨することによ
って製造することができる。なお切り出しの際、オフ角
度の前記任意の方向からのずれは±１度以内であること
が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】また一方で本発明は、前記ＳｉＣ単結晶の
製造方法によって製造されたＳｉＣインゴットを加工、
研磨してなる、口径２０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハ
である。本発明のＳｉＣ単結晶ウエハは、まず、上記で
得られたＳｉＣ単結晶インゴットを切り出し、従来汎用
の手段によって研磨することによって製造される。この
ようにして製造されるウエハを用いることによって、光
学的特性の優れた青色発光素子、電気的特性の優れた電
子デバイスを製作することができる。
製造方法によって製造されたＳｉＣインゴットを加工、
研磨してなる、口径２０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハ
である。本発明のＳｉＣ単結晶ウエハは、まず、上記で
得られたＳｉＣ単結晶インゴットを切り出し、従来汎用
の手段によって研磨することによって製造される。この
ようにして製造されるウエハを用いることによって、光
学的特性の優れた青色発光素子、電気的特性の優れた電
子デバイスを製作することができる。
フロントページの続き
(72)発明者 藤本 辰雄
千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式
会社技術開発本部内
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE08 DA02 DA18 DA19
DB04 DB07 EA02 ED05 HA02
HA06 HA12 SA04 TA04 TB02
Claims (10)
- 【請求項１】 炭化珪素単結晶からなる炭化珪素単結晶
育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２０）面か
ら、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向に−
４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向に、３
度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成面とする炭化珪
素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項２】 炭化珪素単結晶からなる炭化珪素単結晶
育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２０）面か
ら、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、３度以上６０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
炭化珪素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項３】 炭化珪素単結晶からなる炭化珪素単結晶
育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２０）面か
ら、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向に−
４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向に、３
度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする炭化珪
素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項４】 炭化珪素単結晶からなる炭化珪素単結晶
育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２０）面か
ら、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、３度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
炭化珪素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項５】 炭化珪素単結晶からなる炭化珪素単結晶
育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２０）面か
ら、＜０００１＞軸を中心に［１−１００］軸方向に−
４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向に、６
度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする炭化珪
素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項６】 炭化珪素単結晶からなる炭化珪素単結晶
育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２０）面か
ら、［０００１］Ｓｉ軸を中心に［１−１００］軸方向
に−４５度以上４５度以下の範囲にある任意の一方向
に、６度以上３０度以下傾いた面を単結晶育成面とする
炭化珪素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の炭
化珪素単結晶育成用種結晶を用いて、昇華再結晶法によ
り前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包
含する炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の製造方法により得られ
た炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの
口径が２０ｍｍ以上である炭化珪素単結晶インゴット。 - 【請求項９】 請求項７に記載の製造方法により得られ
た炭化珪素単結晶インゴットを加工、研磨してなる炭化
珪素単結晶ウエハであって、かつ、ウエハ径が２０ｍｍ
以上である炭化珪素単結晶ウエハ。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の炭化珪素単結晶ウエ
ハにエピタキシャル成長してなる炭化珪素単結晶エピタ
キシャルウエハ。
Priority Applications (10)
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|---|---|---|---|
| JP2002102682A JP4160769B2 (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ |
| PCT/JP2003/004058 WO2003085175A1 (fr) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | Cristal germe de monocristal de carbure de silicium et procede de production de lingot au moyen de celui-ci |
| US10/509,923 US20050160965A1 (en) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | Seed crystal of silicon carbide single crystal and method for producing ingot using same |
| KR1020047015594A KR100773624B1 (ko) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | 탄화 규소 단결정으로 이루어지는 종결정 및 그를 이용한잉곳의 제조 방법 |
| DE60335252T DE60335252D1 (de) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | Impfkristall aus siliciumcarbid-einkristall und verfahren zur herstellung eines stabs damit |
| EP03715636A EP1493848B1 (en) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | Seed crystal of silicon carbide single crystal and method for producing ingot using same |
| AT03715636T ATE491055T1 (de) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | Impfkristall aus siliciumcarbid-einkristall und verfahren zur herstellung eines stabs damit |
| US11/901,077 US20080020212A1 (en) | 2002-04-04 | 2007-09-13 | Seed crystal consisting of silicon carbide carbide single crystal and method for producing ingot using the same |
| US12/592,808 US20100083897A1 (en) | 2002-04-04 | 2009-12-02 | Seed crystal consisting of silicon carbide single crysatal and method for producing ingot using the same |
| US12/653,229 US20100089311A1 (en) | 2002-04-04 | 2009-12-10 | Seed crystal consisting of silicon carbide single crystal and method for producing ingot using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002102682A JP4160769B2 (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003300796A true JP2003300796A (ja) | 2003-10-21 |
| JP4160769B2 JP4160769B2 (ja) | 2008-10-08 |
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ID=29389012
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002102682A Expired - Lifetime JP4160769B2 (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4160769B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013005A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Denso Corp | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法 |
| US20070221119A1 (en) | 2004-05-14 | 2007-09-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of Sic Single Crystal Growth and Sic Single Crystal |
| US7672075B2 (en) | 2005-03-10 | 2010-03-02 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium, recording/reproducing apparatus, and stamper |
-
2002
- 2002-04-04 JP JP2002102682A patent/JP4160769B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070221119A1 (en) | 2004-05-14 | 2007-09-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of Sic Single Crystal Growth and Sic Single Crystal |
| JP2006013005A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Denso Corp | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法 |
| US7672075B2 (en) | 2005-03-10 | 2010-03-02 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium, recording/reproducing apparatus, and stamper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4160769B2 (ja) | 2008-10-08 |
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