JP2003297545A - マグネトロンフィラメント電源装置 - Google Patents

マグネトロンフィラメント電源装置

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JP2003297545A
JP2003297545A JP2002096743A JP2002096743A JP2003297545A JP 2003297545 A JP2003297545 A JP 2003297545A JP 2002096743 A JP2002096743 A JP 2002096743A JP 2002096743 A JP2002096743 A JP 2002096743A JP 2003297545 A JP2003297545 A JP 2003297545A
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voltage
transformer
magnetron
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JP2002096743A
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Kazuo Suzuki
一夫 鈴木
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Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 いかなるマグネトロン動作条件においても、
フィラメント温度を常に適正温度に保つことができ、フ
ィラメントの変形や脱炭現象が発生したりモーディング
現象が発生し、マグネトロンが短期間で動作不能となっ
てしまうのを防止することができるようなマグネトロン
フィラメント電源装置を提供する。 【解決手段】 フィラメント電圧検出手段ＰＴ，７によ
りフィラメント電圧Ｖfを検出し、フィラメント電流検
出手段ＣＨ，８によりフィラメント電流Ｉfを検出し、
検出された前記フィラメント電圧Ｖfとフィラメント電
流Ｉfとに基づいてフィラメント温度Ｔfに相当するフィ
ラメント温度電圧ＶTfを演算し、演算された前記フィラ
メント温度電圧ＶTfと適正温度に相当する基準電圧Ｖ
Refとの誤差に基づく誤差電圧を生成し、生成された誤
差電圧に応じてフィラメント４に供給する電力を調整す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マグネトロンの直
熱型カソードすなわちフィラメントに電力を供給するた
めのマグネトロンフィラメント電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マグネトロンにおいて、直熱型カ
ソードすなわちフィラメントから放出された電子は、磁
界によりサイクロイド運動を行いフィラメントの周囲を
回転運動する。これは、マグネトロン特性の一つであ
る。この状態でマグネトロンにアノード電流を流し発振
動作を行わせると、回転運動している電子の一部がフィ
ラメントに激突するため、アノード電流（マグネトロン
出力）に比例してフィラメント温度（カソード温度）が
上昇する。
【０００３】フィラメントが正常に動作することができ
る適正温度は例えば２０００ケルビン±５０ケルビン程
度であり、これより高い温度ではフィラメントの変形や
脱炭現象が発生するし、低い温度では電子の放出が不足
して異常発振であるモーディング現象が発生する。この
ため、図８に示すようにアノード電流Ｉbに反比例した
フィラメント電圧Ｖfを印加し、フィラメント温度を適
正温度に保たなければならない。
【０００４】図９は、従来のマグネトロンフィラメント
電源装置の一例を示すブロック回路図である。この電源
装置では、変圧用のトランスＴの一次側に設けたスイッ
チ１０１により、高圧回路１０２によるアノード電流Ｉ
bに応じて、トランスＴの二次側に設けたマグネトロン
１０３のフィラメント１０４に印加されるフィラメント
電圧Ｖfを切り替えるようにしている。
【０００５】図１０は、従来のマグネトロンフィラメン
ト電源装置の他の例を示すブロック回路図である。この
電源装置では、変圧用のトランスＴの一次側に設けたト
ライアック１０５を有する電力調整回路１０６により、
高圧回路１０２によるアノード電流Ｉbに応じて、トラ
ンスＴの二次側に設けたマグネトロン１０３のフィラメ
ント１０４に印加されるフィラメント電圧Ｖfを調整す
るようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の電源装置では、電源電圧の変動によるフ
ィラメント電圧Ｖfの変化すなわちフィラメント温度の
変化や、マグネトロン負荷のＶＳＷＲ（電圧定在波比）
との不整合に起因する反射電力によるフィラメント温度
の上昇や、マグネトロン個々のばらつきによるフィラメ
ント温度の変化等には対応することができない。すなわ
ち、フィラメント温度は必ずしも適正温度に保たれてい
るとは限らず、前述したようなフィラメントの変形や脱
炭現象が発生したりモーディング現象が発生し、マグネ
トロンが短期間で動作不能となってしまう虞があった。
【０００７】本発明は、このような実情に鑑みて為され
たものであり、いかなるマグネトロン動作条件において
も、フィラメント温度を常に適正温度に保つことがで
き、フィラメントの変形や脱炭現象が発生したりモーデ
ィング現象が発生し、マグネトロンが短期間で動作不能
となってしまうのを防止することができるようなマグネ
トロンフィラメント電源装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１に、本発明のマグネ
トロンフィラメント電源装置は、二次巻線にマグネトロ
ンのフィラメントが接続された変圧用のトランスと、前
記トランスの一次巻線に接続され制御電圧に応じて前記
フィラメントに供給する電力を調整する電力調整手段
と、前記フィラメントに印加されるフィラメント電圧を
検出するフィラメント電圧検出手段と、前記フィラメン
トを流れるフィラメント電流を検出するフィラメント電
流検出手段と、前記フィラメント電圧検出手段により検
出された前記フィラメント電圧と前記フィラメント電流
検出手段により検出された前記フィラメント電流とに基
づいて前記フィラメントの温度に相当するフィラメント
温度電圧を演算する演算手段と、前記演算手段により演
算された前記フィラメント温度電圧と適正温度に相当す
る基準電圧との誤差に基づく誤差電圧を生成し前記制御
電圧として前記電力調整手段に供給する誤差電圧生成手
段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】このようなマグネトロンフィラメント電源
装置によれば、フィラメントの温度に相当するフィラメ
ント温度電圧が適正温度に相当する基準電圧と一致する
ように、フィラメントに供給される電力が調整される。
従って、フィラメントの温度は常に適正温度に保たれ
る。
【００１０】第２に、本発明のマグネトロンフィラメン
ト電源装置は、前記第１に記載のマグネトロンフィラメ
ント電源装置において、前記フィラメント電圧検出手段
が前記トランスの二次巻線に接続された絶縁トランスを
有し、前記フィラメント電流検出手段が前記トランスの
二次巻線に接続された電流トランスを有することを特徴
とする。
【００１１】このようなマグネトロンフィラメント電源
装置によれば、トランスの二次巻線に接続された絶縁ト
ランスを有するフィラメント電圧検出手段によりフィラ
メント電圧が検出され、トランスの二次巻線に接続され
た電流トランスを有するフィラメント電流検出手段によ
りフィラメント電流が検出される。
【００１２】第３に、本発明のマグネトロンフィラメン
ト電源装置は、前記第１に記載のマグネトロンフィラメ
ント電源装置において、前記フィラメント電圧検出手段
が前記トランスの一次巻線に接続された絶縁トランスを
有し、前記フィラメント電流検出手段が前記トランスの
二次巻線に接続された電流トランスを有することを特徴
とする。
【００１３】このようなマグネトロンフィラメント電源
装置によれば、トランスの一次巻線に接続された絶縁ト
ランスを有するフィラメント電圧検出手段によりフィラ
メント電圧が検出され、トランスの二次巻線に接続され
た電流トランスを有するフィラメント電流検出手段によ
りフィラメント電流が検出される。
【００１４】第４に、本発明のマグネトロンフィラメン
ト電源装置は、前記第１に記載のマグネトロンフィラメ
ント電源装置において、前記フィラメント電圧検出手段
が前記トランスの一次巻線に並列に接続された電圧検出
用の分圧抵抗を有し、前記フィラメント電流検出手段が
前記トランスの二次巻線に接続された電流トランスを有
することを特徴とする。
【００１５】このようなマグネトロンフィラメント電源
装置によれば、トランスの一次巻線に並列に接続された
電圧検出用の分圧抵抗を有するフィラメント電圧検出手
段によりフィラメント電圧が検出され、トランスの二次
巻線に接続された電流トランスを有するフィラメント電
流検出手段によりフィラメント電流が検出される。
【００１６】第５に、本発明のマグネトロンフィラメン
ト電源装置は、前記第１に記載のマグネトロンフィラメ
ント電源装置において、前記フィラメント電圧検出手段
が前記トランスの一次巻線に接続された絶縁トランスを
有し、前記フィラメント電流検出手段が前記トランスの
一次巻線に接続された電流トランスを有することを特徴
とする。
【００１７】このようなマグネトロンフィラメント電源
装置によれば、トランスの一次巻線に接続された絶縁ト
ランスを有するフィラメント電圧検出手段によりフィラ
メント電圧が検出され、トランスの一次巻線に接続され
た電流トランスを有するフィラメント電流検出手段によ
りフィラメント電流が検出される。
【００１８】第６に、本発明のマグネトロンフィラメン
ト電源装置は、前記第１に記載のマグネトロンフィラメ
ント電源装置において、前記フィラメント電圧検出手段
が前記トランスの一次巻線に並列に接続された電圧検出
用の分圧抵抗を有し、前記フィラメント電流検出手段が
前記トランスの一次巻線に直列に接続された電流検出用
の抵抗を有することを特徴とする。
【００１９】このようなマグネトロンフィラメント電源
装置によれば、トランスの一次巻線に並列に接続された
電圧検出用の分圧抵抗を有するフィラメント電圧検出手
段によりフィラメント電圧が検出され、トランスの一次
巻線に直列に接続された電流検出用の抵抗を有するフィ
ラメント電流検出手段によりフィラメント電流が検出さ
れる。
【００２０】
【発明の実施の形態】まず、本発明の原理について説明
する。一般にマグネトロンにおいて、フィラメント温度
（カソード温度）Ｔfは、図２に示すようにフィラメン
ト抵抗Ｒfに比例している。このことは次式（１）で示
される。 Ｔf＝ｋ・Ｒf・・・（１） 但し、ｋは比例定数とする。一方、図３に示すように、
フィラメント抵抗Ｒfは、オームの法則によりフィラメ
ント電圧Ｖfをフィラメント電流Ｉfで除算することによ
り求まる。このことは次式（２）で示される。 Ｒf＝Ｖf／Ｉf・・・（２） 従って、式（２）を式（１）に代入すると、フィラメン
ト温度Ｔfは次式（３）で示される。 Ｔf＝ｋ・（Ｖf／Ｉf）・・・（３） 本発明は、フィラメント電圧Ｖfとフィラメント電流Ｉf
とを検出し、これらに基づいて式（３）を利用してフィ
ラメント温度Ｔfを演算し、このフィラメント温度Ｔfが
適正温度（例えば２０００ケルビン±５０ケルビン程
度）と一致するようにフィラメントに供給する電力を調
整するものである。
【００２１】次に、本発明の実施の形態について詳細に
説明する。
【００２２】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１に係るマグネトロンフィラメント電源装置を示す
ブロック回路図である。変圧用のトランスＴの一次側に
おいて、商用電源１（例えば１００Ｖまたは２００Ｖ）
は、電力調整回路２を介して一次巻線Ｎ1に接続されて
いる。電力調整回路２は、後述する誤差増幅器１０から
供給される制御電圧に応じて、後述するマグネトロン３
のフィラメント４に供給する電力を調整するものであ
る。この電力調整回路２には、例えばトライアックやＳ
ＣＲ（サイリスタ）等を有する位相制御回路、スイッチ
ング回路、電動スライダック等を用いればよい。
【００２３】一方、トランスＴの二次側において、二次
巻線Ｎ2は、マグネトロン３の直熱型カソードすなわち
フィラメント４に接続されている。マグネトロン３のア
ノード５は接地されており、フィラメント４は高圧回路
６に接続されている。高圧回路６は、アノード５に対し
て負の高電圧（例えば−４０００Ｖ〜−５０００Ｖ程
度）をフィラメント４に印加しアノード電流Ｉbを流す
ことによりマグネトロン３に発振動作を行わせるもので
ある。このため、トランスＴには、例えばＡＣ１０ｋＶ
程度の絶縁耐圧構造が要求される。
【００２４】二次巻線Ｎ2には、フィラメント４に印加
されるフィラメント電圧Ｖfを検出する絶縁トランスＰ
Ｔ（巻数比は１：１）が接続されており、該絶縁トラン
スＰＴはフィラメント電圧検出回路７に接続されてい
る。絶縁トランスＰＴにも、トランスＴと同様に、例え
ばＡＣ１０ｋＶ程度の絶縁耐圧構造が要求される。フィ
ラメント電圧検出回路７は、絶縁トランスＰＴからの交
流出力をフィラメント電圧Ｖfを示す直流値に変換する
ものであり、例えば、電力調整回路２に位相制御回路を
用いた場合には実効値変換回路を用いればよく、また電
力調整回路２に電動スライダックを用いた場合には安価
な全波整流回路による平均値変換回路を用いればよい。
絶縁トランスＰＴとフィラメント電圧検出回路７とは、
フィラメント電圧検出手段を構成している。
【００２５】また、二次巻線Ｎ2には、フィラメント４
を流れるフィラメント電流Ｉfを検出する電流トランス
ＣＴが接続されており、該電流トランスＣＴはフィラメ
ント電流検出回路８に接続されている。電流トランスＣ
Ｔにも、トランスＴと同様に、例えばＡＣ１０ｋＶ程度
の絶縁耐圧構造が要求される。フィラメント電流検出回
路８は、電流トランスＣＴからの交流出力をフィラメン
ト電流Ｉfを示す直流値に変換するものであり、例え
ば、電力調整回路２に位相制御回路を用いた場合には実
効値変換回路を用いればよく、また電力調整回路２に電
動スライダックを用いた場合には安価な全波整流回路に
よる平均値変換回路を用いればよい。電流トランスＣＴ
とフィラメント電流検出回路８とは、フィラメント電流
検出手段を構成している。
【００２６】フィラメント電圧検出回路７およびフィラ
メント電流検出回路８は、演算回路９にそれぞれ接続さ
れている。演算回路９は、フィラメント電圧検出回路７
からのフィラメント電圧Ｖfを示す直流値とフィラメン
ト電流検出回路８からのフィラメント電流Ｉfを示す直
流値とに基づいてフィラメント温度Ｔfに相当するフィ
ラメント温度電圧ＶTfを演算するものである。演算回路
９は、該演算回路９からのフィラメント温度電圧ＶTfと
適正温度（例えば２０００ケルビン±５０ケルビン程
度）に相当する基準電圧ＶRefとの誤差を増幅して誤差
電圧を生成する誤差増幅器１０に接続されている。誤差
増幅器１０は、上記誤差電圧を制御電圧として供給する
ために、前述した電力調整回路２に接続されている。
【００２７】このように構成された本実施の形態に係る
マグネトロンフィラメント電源装置において、絶縁トラ
ンスＰＴおよびフィラメント電圧検出回路７によりフィ
ラメント電圧Ｖfを示す直流値が得られるとともに、電
流トランスＣＴおよびフィラメント電流検出回路８によ
りフィラメント電流Ｉfを示す直流値が得られる。これ
らの直流値は演算回路９にそれぞれ供給され、フィラメ
ント温度Ｔfに相当するフィラメント温度電圧ＶTfが演
算される。このフィラメント温度電圧ＶTfは誤差増幅器
１０に供給され、適正温度に相当する基準電圧ＶRefと
の誤差が増幅されて誤差電圧が生成される。そして、こ
の誤差電圧が制御電圧として電力調整回路２に供給さ
れ、該制御電圧に応じてフィラメント４に供給される電
力が調整され、フィラメント温度Ｔfが常に適正温度に
保たれるようになっている。
【００２８】上述したように、本実施の形態に係るマグ
ネトロンフィラメント電源装置によれば、いかなるマグ
ネトロン動作条件においても、フィラメント温度Ｔfを
常に適正温度に保つことができ、フィラメント４の変形
や脱炭現象が発生したりモーディング現象が発生し、マ
グネトロン３が短期間で動作不能となってしまうのを防
止することができる。
【００２９】（実施の形態２）図４は、本発明の実施の
形態２に係るマグネトロンフィラメント電源装置を示す
ブロック回路図である。本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置は、マグネトロン３のフィラメ
ント４に印加されるフィラメント電圧ＶfをトランスＴ
の一次側で検出するようにしたものである。図４におい
て、トランスＴの一次巻線Ｎ1には、該一次巻線Ｎ1の端
子間電圧ＶOを検出することによりフィラメント４に印
加されるフィラメント電圧Ｖfを検出するための絶縁ト
ランスＰＴが接続されており、該絶縁トランスＰＴはフ
ィラメント電圧検出回路７ａに接続されている。この場
合、絶縁トランスＰＴには、例えばＡＣ１０ｋＶ程度の
絶縁耐圧構造は要求されず、安価なものを用いることが
できる。フィラメント電圧検出回路７ａは、フィラメン
ト電圧Ｖfと一次巻線Ｎ1の端子間電圧ＶOとトランスＴ
の巻数比Ｎ2／Ｎ1との関係Ｖf＝ＶO（Ｎ2／Ｎ1）を利用
して、絶縁トランスＰＴからの交流出力をフィラメント
電圧Ｖfを示す直流値に変換するものである。絶縁トラ
ンスＰＴとフィラメント電圧検出回路７ａとは、フィラ
メント電圧検出手段を構成している。なお、他の部分の
構成については前述した実施の形態１に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置と同様であり、説明を省略す
る。
【００３０】このような本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置によれば、前述した実施の形態
１に係るマグネトロンフィラメント電源装置と同様な効
果が得られるばかりでなく、絶縁トランスＰＴに安価な
ものを用いることができるという効果も得られる。
【００３１】（実施の形態３）図５は、本発明の実施の
形態３に係るマグネトロンフィラメント電源装置を示す
ブロック回路図である。本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置は、上述した実施の形態２に係
るマグネトロンフィラメント電源装置と同様に、マグネ
トロン３のフィラメント４に印加されるフィラメント電
圧ＶfをトランスＴの一次側で検出するようにしたもの
である。図５において、トランスＴの一次巻線Ｎ1に
は、フィラメント４に印加されるフィラメント電圧Ｖf
を検出するための電圧検出用の分圧抵抗Ｒ1およびＲ2が
該一次巻線Ｎ1に並列に接続されており、抵抗Ｒ2の両端
がフィラメント電圧検出回路７ｂに接続されている。フ
ィラメント電圧検出回路７ｂは、フィラメント電圧Ｖf
と一次巻線Ｎ1の端子間電圧Ｖ OとトランスＴの巻数比Ｎ
2／Ｎ1との関係Ｖf＝ＶO（Ｎ2／Ｎ1）から、分圧抵抗Ｒ
1およびＲ2による分圧比がトランスＴの巻数比Ｎ2／Ｎ1
と等しくなるように該分圧抵抗Ｒ1およびＲ2を設定すれ
ばフィラメント電圧Ｖfと等しい電圧が得られることを
利用して、フィラメント電圧Ｖfを示す直流値を得るも
のである。分圧抵抗Ｒ1およびＲ2とフィラメント電圧検
出回路７ｂとは、フィラメント電圧検出手段を構成して
いる。なお、他の部分の構成については前述した実施の
形態１に係るマグネトロンフィラメント電源装置と同様
であり、説明を省略する。
【００３２】このような本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置によれば、前述した実施の形態
１に係るマグネトロンフィラメント電源装置と同様な効
果が得られるばかりでなく、絶縁トランスより安価な分
圧抵抗Ｒ1およびＲ2を用いることができるという効果も
得られる。
【００３３】（実施の形態４）図６は、本発明の実施の
形態４に係るマグネトロンフィラメント電源装置を示す
ブロック回路図である。本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置は、マグネトロン３のフィラメ
ント４に印加されるフィラメント電圧Ｖfばかりでな
く、該フィラメント４を流れるフィラメント電流Ｉfも
トランスＴの一次側で検出するようにしたものである。
図６において、トランスＴの一次巻線Ｎ1には、該一次
巻線Ｎ1の端子間電圧ＶOを検出することによりフィラメ
ント４に印加されるフィラメント電圧Ｖfを検出するた
めの絶縁トランスＰＴが接続されており、該絶縁トラン
スＰＴはフィラメント電圧検出回路７ａに接続されてい
る。この場合、絶縁トランスＰＴには、例えばＡＣ１０
ｋＶ程度の絶縁耐圧構造は要求されず、安価なものを用
いることができる。フィラメント電圧検出回路７ａは、
フィラメント電圧Ｖfと一次巻線Ｎ1の端子間電圧ＶOと
トランスＴの巻数比Ｎ2／Ｎ1との関係Ｖf＝ＶO（Ｎ2／
Ｎ1）を利用して、絶縁トランスＰＴからの交流出力を
フィラメント電圧Ｖfを示す直流値に変換するものであ
る。絶縁トランスＰＴとフィラメント電圧検出回路７ａ
とは、フィラメント電圧検出手段を構成している。
【００３４】また、トランスＴの一次巻線Ｎ1には、該
一次巻線Ｎ1を流れる電流ＩOを検出することによりフィ
ラメント４を流れるフィラメント電流Ｉfを検出するた
めの電流トランスＣＴが接続されており、該電流トラン
スＣＴはフィラメント電流検出回路８ａに接続されてい
る。この場合、電流トランスＣＴには、例えばＡＣ１０
ｋＶ程度の絶縁耐圧構造は要求されず、安価なものを用
いることができる。フィラメント電流検出回路８ａは、
フィラメント電流Ｉfと一次巻線Ｎ1を流れる電流ＩOと
トランスＴの巻数比の逆数Ｎ1／Ｎ2との関係Ｉf＝Ｉ
O（Ｎ1／Ｎ2）を利用して、電流トランスＣＴからの交
流出力をフィラメント電流Ｉfを示す直流値に変換する
ものである。電流トランスＣＴとフィラメント電流検出
回路８ａとは、フィラメント電流検出手段を構成してい
る。なお、他の部分の構成については前述した実施の形
態１に係るマグネトロンフィラメント電源装置と同様で
あり、説明を省略する。
【００３５】このような本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置によれば、前述した実施の形態
１に係るマグネトロンフィラメント電源装置と同様な効
果が得られるばかりでなく、絶縁トランスＰＴおよび電
流トランスＣＴに安価なものを用いることができるとい
う効果も得られる。
【００３６】（実施の形態５）図７は、本発明の実施の
形態５に係るマグネトロンフィラメント電源装置を示す
ブロック回路図である。本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置は、上述した実施の形態４に係
るマグネトロンフィラメント電源装置と同様に、マグネ
トロン３のフィラメント４に印加されるフィラメント電
圧Ｖfばかりでなく、該フィラメント４を流れるフィラ
メント電流ＩfもトランスＴの一次側で検出するように
したものである。図７において、トランスＴの一次巻線
Ｎ1には、フィラメント４に印加されるフィラメント電
圧Ｖfを検出するための電圧検出用の分圧抵抗Ｒ1および
Ｒ2が該一次巻線Ｎ1に並列に接続されており、抵抗Ｒ2
の両端がフィラメント電圧検出回路７ｂに接続されてい
る。フィラメント電圧検出回路７ｂは、フィラメント電
圧Ｖfと一次巻線Ｎ1の端子間電圧ＶOとトランスＴの巻
数比Ｎ2／Ｎ1との関係Ｖf＝ＶO（Ｎ2／Ｎ1）から、分圧
抵抗Ｒ1およびＲ2による分圧比がトランスＴの巻数比Ｎ
2／Ｎ1と等しくなるように該分圧抵抗Ｒ1およびＲ2を設
定すればフィラメント電圧Ｖfと等しい電圧が得られる
ことを利用して、フィラメント電圧Ｖfを示す直流値を
得るものである。分圧抵抗Ｒ1およびＲ 2とフィラメント
電圧検出回路７ｂとは、フィラメント電圧検出手段を構
成している。
【００３７】また、トランスＴの一次巻線Ｎ1には、該
一次巻線Ｎ1を流れる電流ＩOを検出することによりフィ
ラメント４を流れるフィラメント電流Ｉfを検出するた
めの電流検出用の抵抗Ｒ3が該一次巻線Ｎ1に直列に接続
されており、該抵抗Ｒ3はフィラメント電流検出回路８
ａに接続されている。フィラメント電流検出回路８ａ
は、フィラメント電流Ｉfと一次巻線Ｎ1を流れる電流Ｉ
OとトランスＴの巻数比の逆数Ｎ1／Ｎ2との関係Ｉf＝Ｉ
O（Ｎ1／Ｎ2）を利用して、抵抗Ｒ3による交流出力をフ
ィラメント電流Ｉfを示す直流値に変換するものであ
る。抵抗Ｒ3とフィラメント電流検出回路８ａとは、フ
ィラメント電流検出手段を構成している。なお、他の部
分の構成については前述した実施の形態１に係るマグネ
トロンフィラメント電源装置と同様であり、説明を省略
する。
【００３８】このような本実施の形態に係るマグネトロ
ンフィラメント電源装置によれば、前述した実施の形態
１に係るマグネトロンフィラメント電源装置と同様な効
果が得られるばかりでなく、絶縁トランスより安価な電
圧検出用の分圧抵抗Ｒ1およびＲ2を用いることができる
とともに、電流トランスより安価な電流検出用の抵抗Ｒ
3を用いることができるという効果も得られる。
【００３９】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、本発
明に係るマグネトロンフィラメント電源装置によれば、
いかなるマグネトロン動作条件においても、フィラメン
ト温度を常に適正温度に保つことができ、フィラメント
の変形や脱炭現象が発生したりモーディング現象が発生
し、マグネトロンが短期間で動作不能となってしまうの
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るマグネトロンフィ
ラメント電源装置を示すブロック回路図である。
【図２】フィラメント抵抗とフィラメント温度との関係
を説明するためのグラフである。
【図３】フィラメント電圧およびフィラメント電流とフ
ィラメント抵抗との関係を説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係るマグネトロンフィ
ラメント電源装置を示すブロック回路図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係るマグネトロンフィ
ラメント電源装置を示すブロック回路図である。
【図６】本発明の実施の形態４に係るマグネトロンフィ
ラメント電源装置を示すブロック回路図である。
【図７】本発明の実施の形態５に係るマグネトロンフィ
ラメント電源装置を示すブロック回路図である。
【図８】アノード電流とフィラメント電圧との関係を説
明するためのグラフである。
【図９】従来のマグネトロンフィラメント電源装置の一
例を示すブロック回路図である。
【図１０】従来のマグネトロンフィラメント電源装置の
他の例を示すブロック回路図である。
【符号の説明】
２ 電力調整回路 ３ マグネトロン ４ フィラメント ７，７ａ，７ｂ フィラメント電圧検出回路 ８，８ａ フィラメント電流検出回路 ９ 演算回路 １０ 誤差増幅器 Ｔ トランス Ｎ1 一次巻線 Ｎ2 二次巻線 ＰＴ 絶縁トランス ＣＴ 電流トランス Ｒ1，Ｒ2 電圧検出用の分圧抵抗 Ｒ3 電流検出用の抵抗 Ｖf フィラメント電圧 Ｉf フィラメント電流 Ｔf フィラメント温度 ＶTf フィラメント温度電圧 ＶRef 基準電圧

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 二次巻線にマグネトロンのフィラメント
    が接続された変圧用のトランスと、 前記トランスの一次巻線に接続され制御電圧に応じて前
    記フィラメントに供給する電力を調整する電力調整手段
    と、 前記フィラメントに印加されるフィラメント電圧を検出
    するフィラメント電圧検出手段と、 前記フィラメントを流れるフィラメント電流を検出する
    フィラメント電流検出手段と、 前記フィラメント電圧検出手段により検出された前記フ
    ィラメント電圧と前記フィラメント電流検出手段により
    検出された前記フィラメント電流とに基づいて前記フィ
    ラメントの温度に相当するフィラメント温度電圧を演算
    する演算手段と、 前記演算手段により演算された前記フィラメント温度電
    圧と適正温度に相当する基準電圧との誤差に基づく誤差
    電圧を生成し前記制御電圧として前記電力調整手段に供
    給する誤差電圧生成手段と、を備えたことを特徴とする
    マグネトロンフィラメント電源装置。
  2. 【請求項２】 前記フィラメント電圧検出手段が前記ト
    ランスの二次巻線に接続された絶縁トランスを有し、前
    記フィラメント電流検出手段が前記トランスの二次巻線
    に接続された電流トランスを有することを特徴とする請
    求項１に記載のマグネトロンフィラメント電源装置。
  3. 【請求項３】 前記フィラメント電圧検出手段が前記ト
    ランスの一次巻線に接続された絶縁トランスを有し、前
    記フィラメント電流検出手段が前記トランスの二次巻線
    に接続された電流トランスを有することを特徴とする請
    求項１に記載のマグネトロンフィラメント電源装置。
  4. 【請求項４】 前記フィラメント電圧検出手段が前記ト
    ランスの一次巻線に並列に接続された電圧検出用の分圧
    抵抗を有し、前記フィラメント電流検出手段が前記トラ
    ンスの二次巻線に接続された電流トランスを有すること
    を特徴とする請求項１に記載のマグネトロンフィラメン
    ト電源装置。
  5. 【請求項５】 前記フィラメント電圧検出手段が前記ト
    ランスの一次巻線に接続された絶縁トランスを有し、前
    記フィラメント電流検出手段が前記トランスの一次巻線
    に接続された電流トランスを有することを特徴とする請
    求項１に記載のマグネトロンフィラメント電源装置。
  6. 【請求項６】 前記フィラメント電圧検出手段が前記ト
    ランスの一次巻線に並列に接続された電圧検出用の分圧
    抵抗を有し、前記フィラメント電流検出手段が前記トラ
    ンスの一次巻線に直列に接続された電流検出用の抵抗を
    有することを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン
    フィラメント電源装置。
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