JP2003294531A - 偏波解析器 - Google Patents

偏波解析器

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JP2003294531A
JP2003294531A JP2002093176A JP2002093176A JP2003294531A JP 2003294531 A JP2003294531 A JP 2003294531A JP 2002093176 A JP2002093176 A JP 2002093176A JP 2002093176 A JP2002093176 A JP 2002093176A JP 2003294531 A JP2003294531 A JP 2003294531A
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light
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JP2002093176A
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Takanori Saito
崇記 斉藤
Shigeru Kinugawa
茂 衣川
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Anritsu Corp
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J4/00Measuring polarisation of light

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度、高精度を維持しながら高速測定を可
能とする偏波解析器を提供する。 【解決手段】 ファイバ101、コリメーターレンズ1
02を経由して入射された被測定光は第1旋光器103
内のファラデー素子108、波長板104、第2旋光器
105内のファラデー素子109、偏光子106を透過
して受光器107で電気信号に変換される。第1旋光器
103と第2旋光器105は、矩形信号発生器110と
位相遅延器113とアンプ111,114とで構成され
た信号発生器117からのお互いに90度位相のずれた
信号が、内蔵する磁場発生用コイル112,115に印
加されることで、その旋光角を制御される。信号処理器
116は信号発生器117と受光器107からの信号を
受けて、被測定光に与えられた4通りの偏波制御とその
ときの受光器107の受光量とからストークスパラメー
タを算出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信、光計測の分
野で利用される偏波解析器に係り、特に入射光の偏波状
態を高精度かつ高速に測定する偏波解析器に関する。
【0002】
【従来の技術】波長多重通信は、各チャンネルの通信速
度の広帯域化と、チャンネル間隔の狭幅化により、全体
の通信速度が年々高速化されているが、これらの広域帯
域化と狭幅化が進むにつれて、チャンネル間クロストー
クが問題となってきている。クロストークを低減させる
方法として、全てのチャンネルに伝播する光を直線偏波
とし、さらに隣合うチャンネル間の偏波面を90度ずら
した偏波インターリーブ法が提案され、現在開発が進め
られている。この偏波インターリーブ法においては、使
用する光部品や光伝送経路の偏波特性を正確に把握して
おく必要がある。光部品等の偏波特性は、入射光偏波と
出射光偏波を観測して、それらの変化を測定することに
より求められる。
【0003】光の偏波状態を測定する方法としては、空
間分解法と時間分解法の2つの方法が一般的に用いられ
てきた。空間分解法は、図3に示す様に、入射光を分割
し、それぞれの光に偏波回転を与え、その光量から入射
光の偏波状態を見積もる方法である。図3ではビームス
プリッタ301、ビームスプリッタ302、偏光ビーム
スプリッタ303を用いて光を光ビーム304、光ビー
ム305、光ビーム306、光ビーム307の4つに分
割している。光ビーム304は、λ/4板308と方位
45度偏光子309を透過し、受光器310で受光され
る。光ビーム305は、方位45度偏光子311と透過
し、受光器312で受光される。偏光ビームスプリッタ
303で分割された光ビーム306、光ビーム307
は、それぞれ0度と90度の偏光子を透過したことと等
価であり、直接受光器313、受光器314で受光され
る。受光器310、受光器312、受光器313、受光
器314の受光信号から、入射光のストークスパラメー
タを見積もることができる。
【0004】時間分解法は、図4に示した様に、入射光
を、λ/2板401、λ/4板402と偏光子403を
透過させ、その透過光量を受光器404で測定する。そ
の際、λ/2板401、λ/4板402と偏光子403
の方位角を任意に複数設定し、それぞれの方位角と透過
光量との関係からストークスパラメータを見積もること
ができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、空間分
解法では、複数偏波回転を同時に入射光に与えることが
できるため、ストークスパラメータの高速測定が可能で
あるが、光を分岐させる際の分岐比を正確に測定するこ
とが困難であるために、得られたストークスパラメータ
の精度が悪く、また、分岐することから一つの受光器当
たりの受光量が減少し、測定感度が低下していた。時間
分解法では、光分岐がないために測定感度は良いが、波
長板や偏光子の回転に時間が掛かるため、高速測定が困
難であった。
【0006】本発明の目的は、基本的に時間分解法の構
成をとるが、偏波回転を行う方法として、従来のような
波長板等を機械的に回転させる方法ではなく、被測定光
をファラデー効果を有するファラデー素子に透過させる
ことによって、被測定光の偏波を回転させることとし、
高感度、高精度を維持しながら高速測定を可能とする偏
波解析器を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明の偏波解析器は、ファラデー素子と、前記
ファラデー素子に磁場を印加する磁場発生器から構成さ
れ、被測定光の光軸上に直列に配置され、被測定光を旋
光させる少なくとも2つの旋光器と、前記直列に配置さ
れた旋光器の間に配置され、被測定光にリタデーション
を与える波長板と、前記旋光器と波長板の透過光を透過
させる様に配置された偏光子と、前記偏光子の透過光量
を検出してその透過光量に対応した受光電気信号を出力
する受光器と、それぞれの旋光器の旋光角を制御するた
めの電気信号を発生する信号発生器と、前記信号発生器
の電気信号と該電気信号に対応する前記受光電気信号と
の組から、被測定光のストークスパラメータを算出する
信号処理器とを備えている。
【0008】また、本発明の別の偏波解析器は、前記本
発明の偏波解析器の少なくとも1つの前記旋光器におい
て、強度が該旋光器に内蔵されたファラデー素子の飽和
磁界以上の磁場を当該ファラデー素子に印加することを
特徴としている。
【0009】そして、本発明のさらに別の偏波解析器
は、前記本発明の偏波解析器の少なくとも1つの前記旋
光器において、強度が該旋光器に内蔵されたファラデー
素子の飽和磁界以上で、方向が前記光軸に対して平行方
向もしくは反平行方向となる磁場を当該旋光器に内蔵さ
れたファラデー素子に印加することにより、該旋光器の
旋光角を当該ファラデー素子のファラデー角の整数倍の
みとすることを特徴としている。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる偏波解析器
の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明
する。図1は、本発明に係わる偏波解析器の第1の実施
の形態の構成を示したものである。ファイバー101よ
り入射された被測定光は、コリメーターレンズ102で
コリメートされ、第1旋光器103、波長板104、第
2旋光器105、偏光子106を透過後、受光器107
で受光される。それぞれの旋光器にはファラデー角22.5
度の第1旋光器用ファラデー素子108、第2旋光器用
ファラデー素子109が内蔵されている。
【0011】ファラデー素子の光学的性質は、印加磁場
に依存する。磁場強度が飽和磁界以下の場合は、旋光角
は磁場に比例する。また、ファラデー素子内部の磁壁構
造は磁場に依存し、その磁壁が伝播光を散乱させるた
め、透過率が磁場に依存する。飽和磁界を超える磁場を
印加した場合は、旋光角は磁場によらず一定となる。こ
の時の旋光角がファラデー角である。磁気的に飽和して
いるため磁壁構造は消滅し、透過率も磁場強度によらず
一定となる。図5に印加磁場と旋光角の関係を、図6に
印加磁場と透過率の関係を示した。この例では、飽和磁
界強度120Oe 、ファラデー角22.5度のファラデー素子を
使用した。120Oe 以上の強度を持つ磁場を印加した場
合、透過率と旋光角がともに一定値となることが、これ
らの図からわかる。透過率と旋光角が磁場によらず一定
となることは、測定精度を向上させるためには、極めて
有用なことである。
【0012】信号発生器117は、この実施の形態で
は、矩形波信号発生器110、位相遅延器113、第1
旋光器用アンプ111、および第2旋光器用アンプ11
4で構成されている。信号発生器117は、後述する
が、それぞれの旋光器103,105の旋光角θ,φを
制御して、被測定光に4通りの偏波制御を与えれば良い
のであるから、上記構成に限らず、例えば、位相遅延器
113を用いないで、矩形波信号発生器を2台用いるよ
うな構成にすることも可能である。
【0013】矩形波信号発生器110から発生された周
波数fの矩形波電圧信号は、第1矩形波電圧信号、第2
矩形波電圧信号に2分岐される。第1矩形波電圧信号
は、第1旋光器用アンプ111で増幅後、第1旋光器磁
場発生用コイル112に印加される。偏波解析を行う
際、透過率が一定であれば、ストークスパラメータを容
易にしかも高精度に算出することができる。そのため、
第1旋光器磁場発生用コイル112で発生する矩形波磁
場の振幅は、第1旋光器用ファラデー素子108の飽和
磁界を超える強度となる様に調整する。従って、第1旋
光器の旋光角は、図2(a) に示した通り、振幅22.5度、
周波数fの矩形波状に変化し、透過率は常に一定とな
る。
【0014】前記矩形波電圧信号を正弦波形として第1
旋光器磁場発生コイル112で発生する磁場の波形を正
弦波形とし、その振幅をファラデー素子の飽和磁界以上
としても、図7の図中の時間領域B、Dの様に、旋光角
が一定となる状態をつくることができる。この時間領域
の測定値からストークスパラメータを見積もることは可
能である。しかし、その他のA、C、Eの時間領域で
は、旋光角が磁場とともに変化し、また透過率も変動す
るため、この時間領域で得られた測定値からストークス
パラメータを見積もることは、困難であり、事実上無駄
な時間となる。このことから、磁場の波形を矩形とした
場合が、正弦波磁場で見られる無駄な時間領域(A、
C、E)がなく、最も有効な波形と言える。
【0015】第2矩形波矩形波電圧信号は、位相遅延器
113により90度位相を遅らせた後、第2旋光器用ア
ンプ114で増幅し、第2旋光器磁場発生用コイル11
5に印加される。第2旋光器磁場発生用コイル115で
発生した矩形波磁場の振幅は、第2旋光器用ファラデー
素子109の飽和磁界を超える強度を持つ。図2(b)に
第2旋光器の旋光角の時間変化を示した。
【0016】次に、受光器107で受光される光量につ
いて述べる。第1旋光器103による旋光角をθとし、
その際の第1旋光器103の透過率は旋光角θに依存す
るとしてT1(θ) とする。同様に第2旋光器5の旋光角
と透過率をφ、T2(φ) とする。波長板104の透過率
とリタデーションをTq 、Δ、偏光子106は完全偏光
子であるとし、その光学軸に対する波長板104の光学
軸の傾きをαとする。第1旋光器103、波長板10
4、第2旋光器105、偏光子106のそれぞれのミュ
ーラー行列を、Rθ(式(1)中ではθは下付き文
字)、Q、Rφ(式(1)中ではφは下付き文字)、P
とすると、偏波解析器全体のミューラー行列Aは、
【0017】
【数1】
【0018】となる。入射光と出射光のストークスパラ
メーターをそれぞれS i 、S'j (i,j=0,1,2,3) とする
と、S'0 、つまり受光器107で受光される光量は、式
(1)から、
【0019】
【数2】
【0020】と表わせる。φ、θ、α、Δ、T2(φ) 、
1(θ) 、Tq が既知であるならば、4つの独立な式
(2)があれば、入射光の偏波状態を表わすストークス
パラメータS i (i=0,1,2,3) を求めることができる。つ
まり、θとφを変化させて被測定光に4通りの偏波制御
を与え、その際の透過光量、即ち式(2)のS'0 を求め
れば、それらの値から被測定光のストークスパラメータ
を算出できる。
【0021】図6に示した通り、ファラデー素子に飽和
磁界以下の磁場を印加した場合のファラデー素子の透過
率は旋光角に強く依存する。しかしながら、飽和磁界以
上の磁場を印加した場合には、透過率は磁場に依らず一
定となる。飽和磁界以上の磁場を、透過光に対して平行
方向に印加した際の旋光角(即ちファラデー角)を
ξ+ 、反平行方向に印加した際の旋光角をξ- とする
と、
【0022】
【数3】
【0023】の関係がある。この実施の形態に用いたフ
ァラデー素子のファラデー角は、第1旋光器用ファラデ
ー素子108、第2旋光器用ファラデー素子109とも
に22.5度である。従って、飽和磁界以上の磁場を向きを
切り替えてファラデー素子に印加することにより、
【0024】
【数4】
【0025】の4つの偏波制御を被測定光に与えること
ができる。これらの場合、透過率は旋光角に依らず一定
となり、ほぼ100%となる(図6参照)。波長板の透過率
もほぼ100%であると見なせば、
【0026】
【数5】
【0027】となる。また、波長板のリタデーションを
45度(つまりλ/8板)とし、α=0 度とする。この場合
の上記A、B、C、Dの4つの状態での式(3)は、
【0028】
【数6】
【0029】となる。式(6)を解くと、
【0030】
【数7】
【0031】として被測定光のストークスパラメータを
算出することができる。上記した一連の演算は、信号処
理器116で処理される。図2で示した信号発生器から
の電気信号により現在の状態を認識し、それぞれの状態
における受光電気信号を式(7)に代入することによっ
て、被測定光のストークスパラメータは算出されてい
る。式(6)、式(7)は、Δ=45度、ファラデー角2
2.5度の場合の結果であるが、ファラデー角等がこれら
の値からずれていた場合には、ファラデー素子毎のファ
ラデー角や波長板のリタデーション等を精密に測定し、
式(2)に代入すれば、より正確なストークスパラメー
タを算出できる。
【0032】上記の実施の形態では偏光子106の透過
光を直接受光器107で受光しているが、透過光を一旦
ファイバーに入射し、そのファイバーの出射光を受光器
で受光しても問題ない。
【0033】上記の説明は旋光器を2つ使った場合の例
であるが、旋光器を3つ使っても同様に被測定光のスト
ークスパラメータを求めることができる。以下にその概
要を述べる。図8に旋光器を3つ用いた偏波解析器の例
を示した。全ての旋光器にはファラデー角22.5度のファ
ラデー素子が内蔵されている。この場合、第1旋光器の
旋光角θ1 と第2旋光器の旋光角θ2 の和が式(1)、
(2)のθに相当する。第1旋光器、第2旋光器とも光
軸に対して平行もしくは反平行に磁場を印加するとすれ
ば、θは、 θ=45度(θ1 =22.5度、θ2 =22.5度) θ= 0度(θ1 =22.5度、θ2 =−22.5度もしくはθ
1 =−22.5度、θ2 =22.5度) θ=−45度(θ1 =−22.5度、θ2 =−22.5度) の3値を取り得る。φは±22.5度の2値を取り得るの
で、この系では6通りの偏波制御を被測定光に与えるこ
とができる。Δ=90度、α=0 度とした場合、偏波制御
時の受光量と被測定光のストークスパラメータとの関係
は、
【0034】
【数8】
【0035】となる。ストークスパラメータを求める場
合、式は4つあれば良いので、例えばA、B、C、Dを
用いれば、
【0036】
【数9】
【0037】と、被測定光のストークスパラメータを求
めることができる。もちろん、B、C、D、Eを使って
も同様にストークスパラメータを求めることができる。
いろいろな組み合わせで求めたストークスパラメータを
統計的に処理すれば、精度を向上させることが可能であ
る。
【0038】また、第1旋光器と第2旋光器に内蔵され
ているファラデー素子のファラデー角が異なる場合ある
いはファラデー素子の数が異なる場合、例えば、θ1
22.5度、θ2 =45度の場合には、θは67.5度、22.5度、
−22.5度、−67.5度の4値となる。従って、8通りの偏
波制御を被測定光に与えることができる。図9に示した
とおり、旋光器の数を4つ以上とした場合も、実施可能
である。
【0039】上記の実施の形態では、光軸に対して平行
あるいは反平行に飽和磁界以上の磁場をファラデー素子
に印加させて被測定光を旋光させたが、飽和磁界以下の
磁場印加の場合でも、透過率が正確に既知であれば、式
(2)より被測定光のストークスパラメータを算出する
ことができる。
【0040】また、図10に示したように、磁場の方向
を光軸と平行な方向から傾けた場合も旋光角が既知であ
れば、同様に式(2)から被測定光のストークスパラメ
ータを算出できる。
【0041】さらに、図11に示した通り、回転磁場型
旋光器を用いてもストークスパラメータを算出すること
ができる。回転磁場型旋光器では、ファラデー素子11
01に水平磁場発生用コイル1102と垂直磁場発生用
コイル1103により、2方向から磁場Hx、Hyを印加
し、その合成磁場強度H (=(Hx2 +Hy2 1/2 )は飽
和磁界以上となっている。Hx、Hyを調整して合成磁場の
方向を回転させることができる。ファラデー角をηS
すれば、旋光角ηは、η=(Hx/H )ηS と表わすこと
ができる。
【0042】
【発明の効果】本発明に係わる偏波解析器は、ファラデ
ー素子を用いた旋光器と波長板により被測定光の偏波を
回転させ、その被測定光の偏光子を透過させた後の光量
を測定し、偏波回転量と光量から被測定光の偏波状態を
測定することにより、被測定光を分岐することなく高精
度、高感度に、かつ、高速に偏波状態を測定可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる偏波解析器の、第1の実施の形
態の構成を示す図である。
【図2】本発明に係わる偏波解析器の旋光器の旋光角を
示す図である。
【図3】空間分割法を説明する図である。
【図4】時間分割法を説明する図である。
【図5】本発明の実施の形態に用いたファラデー素子の
旋光角の印加磁場依存性を示す図である。
【図6】本発明の実施の形態に用いたファラデー素子の
透過率の印加磁場依存性を示す図である。
【図7】本発明の実施の形態に用いたファラデー素子に
正弦波磁場を印加した場合の旋光角の様子を示す図であ
る。
【図8】本発明に係わる旋光器を3つ用いた偏波解析器
の光学系を示す図である。
【図9】本発明に係わる旋光器を4つ用いた偏波解析器
の光学系を示す図である。
【図10】磁場を光軸と平行な方向から傾けた方向に印
加する旋光器を示す図である。
【図11】回転磁場を印加する方式の旋光器を示す図で
ある。
【符号の説明】
101 ファイバ 102 コリメーターレンズ 103 第1旋光器 104 波長板 105 第2旋光器 106 偏光子 107 受光器 108 第1旋光器用ファラデー素子 109 第2旋光器用ファラデー素子 110 矩形波信号発生器 111 第1旋光器用アンプ 112 第1旋光器磁場発生用コイル 113 位相遅延器 114 第2旋光器用アンプ 115 第2旋光器磁場発生用コイル 116 信号処理器 117 信号発生器 301 ビームスプリッタ 302 ビームスプリッタ 303 偏光ビームスプリッタ 304 光ビーム 305 光ビーム 306 光ビーム 307 光ビーム 308 λ/4板 309 方位45度偏光子 310 受光器 311 方位45度偏光子 312 受光器 313 受光器 314 受光器 401 λ/2板 402 λ/4板 403 偏光子 404 受光器 801 ファイバ 802 コリメーターレンズ 803 第1旋光器 804 第2旋光器 805 波長板 806 第3旋光器 807 偏光子 808 受光器 901 ファイバ 902 コリメーターレンズ 903 第1旋光器 904 第2旋光器 905 波長板 906 第3旋光器 907 第4旋光器 908 偏光子 909 受光器 1001 ファラデー素子 1002 旋光器 1003 磁場発生用コイル 1101 ファラデー素子 1102 水平磁場発生用コイル 1103 垂直磁場発生用コイル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ファラデー素子(108,109 )と、前記フ
    ァラデー素子に磁場を印加する磁場発生器(112,115 )
    から構成され、被測定光の光軸上に直列に配置され、被
    測定光を旋光させる少なくとも2つの旋光器(103,105
    )と、前記直列に配置された旋光器の間に配置され、
    被測定光にリタデーションを与える波長板(104 )と、
    前記旋光器と波長板の透過光を透過させる様に配置され
    た偏光子(106 )と、前記偏光子の透過光量を検出して
    その透過光量に対応した受光電気信号を出力する受光器
    (107 )と、それぞれの旋光器の旋光角を制御するため
    の電気信号を発生する信号発生器(117 )と、前記信号
    発生器の電気信号と該電気信号に対応する前記受光電気
    信号との組から、被測定光のストークスパラメータを算
    出する信号処理器(116 )とを備えた偏波解析器。
  2. 【請求項2】 少なくとも1つの前記旋光器において、
    強度が該旋光器に内蔵されたファラデー素子の飽和磁界
    以上の磁場を当該ファラデー素子に印加することを特徴
    とする請求項1記載の偏波解析器。
  3. 【請求項3】少なくとも1つの前記旋光器において、強
    度が該旋光器に内蔵されたファラデー素子の飽和磁界以
    上で、方向が前記光軸に対して平行方向もしくは反平行
    方向となる磁場を当該旋光器に内蔵されたファラデー素
    子に印加することにより、該旋光器の旋光角を当該ファ
    ラデー素子のファラデー角の整数倍のみとすることを特
    徴とする請求項1記載の偏波解析器。
JP2002093176A 2002-03-28 2002-03-28 偏波解析器 Pending JP2003294531A (ja)

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