JP2003283105A - 導体層形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細な導体層を高精度で形成でき、しかも、
設備費用及びランニングコストを低く抑えることができ
る導体層形成方法を提供する。 【解決手段】 凹版１の溝１ａ内に充填された導電ペー
スト２の溝内面に対する密着度を光硬化によって低下さ
せてから充填ペースト２を導体層形成対象物４に転写す
ることにより、転写時の充填ペースト２の抜けを良好に
して充填ペースト２を導体層形成対象物４上に綺麗に転
写し、また、導電ペースト２の溝内面と接する部分２ａ
を光硬化させることにより、溝１ａ内に充填された導電
ペースト２を溝１ａの断面形状に整合したかたちで導体
層形成対象物４に転写してこれを所望形状の導体層５と
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板やセラミック
グリーンシート等の対象物上に所望形状の導体層を形成
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話やパソコン等の電子機器
の小型化及び高機能化に伴い、電子部品に対しては微小
化が要求され、電子部品が実装される基板に対しては高
密度実装化が要求されている。電子部品に対する微小化
の要求を満足するには部品回路を構成する内部導体の微
細化が必至であり、また、基板に対する高密度実装化の
要求を満足するには導体パターンの微細化が必至であ
る。

【０００３】前記の内部導体及び導体パターンの形成に
は主として厚膜形成法と薄膜形成法が利用されており、
前者の厚膜形成法にはスクリーンを介して導電ペースト
を所定形状で印刷する方法が一般に採用され、後者の薄
膜形成法には蒸着法や陰極スパッタリング法等で成膜し
た後にフォトリソグラフィ技術等によって所定形状にパ
ターンニングする方法が一般に採用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の厚膜形
成法では設備費用及びランニングコストを低く抑えられ
る反面、内部導体や導体パターンを含む導体層を５０μ
ｍ以下の幅及び隣接間隔で形成することが難しい。ま
た、従来の薄膜形成法では導体層を２０μｍ以下の幅及
び隣接間隔で形成することが可能であるが、設備費用及
びランニングコストが厚膜形成法を実施する場合に比べ
て格段高くなる。

【０００５】本発明は前記事情に鑑みて創作されたもの
で、その目的とするところは、微細な導体層を高精度で
形成でき、しかも、設備費用及びランニングコストを低
く抑えることができる導体層形成方法を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の導体層形成方法は、透光性凹版の溝内に光
変質によって溝内面に対する密着度低下を可能とした導
電ペーストを充填する工程と、透光性凹版の溝内に充填
された導電ペーストを導体層形成対象物に転写する工程
と、透光性凹版の溝内に導電ペーストを充填した後或い
は充填された導電ペーストを転写するときに透光性凹版
の溝形成面とは反対の面に向かって光を照射して透光性
凹版を透過した光によって溝内に充填された導電ペース
トの溝内面と接する部分に光変質を生じさせて溝内面に
対する密着度を低下させる工程とを備える、ことをその
特徴とする。

【０００７】この導体層形成方法によれば、透光性凹版
の溝内に充填された導電ペーストの溝内面に対する密着
度を光変質によって低下させてから溝内に充填された導
電ペーストを導体層形成対象物に転写することにより、
転写時の導電ペーストの抜けを良好にして導電ペースト
を導体層形成対象物上に綺麗に転写してこれを所望形状
の導体層とすることができる。

【０００８】また、本発明の導体層形成方法は、透光性
凹版の溝内面に光変質によって溝内面に対する密着度低
下を可能とした感光膜を形成する工程と、感光膜形成後
に透光性凹版の溝内に導電ペーストを充填する工程と、
透光性凹版の溝内に充填された導電ペーストを感光膜と
一緒に導体層形成対象物に転写する工程と、透光性凹版
の溝内に導電ペーストを充填した後或いは充填された導
電ペーストを転写するときに透光性凹版の溝形成面とは
反対の面に向かって光を照射して透光性凹版を透過した
光によって感光膜に光変質を生じさせて溝内面に対する
密着度を低下させる工程とを備える、ことをその特徴と
する。

【０００９】この導体層形成方法によれば、透光性凹版
の溝内面に形成された感光膜の溝内面に対する密着度を
光変質によって低下させてから溝内に充填された導電ペ
ーストを導体層形成対象物に転写することにより、転写
時の導電ペーストの抜けを良好にして導電ペーストを導
体層形成対象物上に綺麗に転写してこれを所望形状の導
体層とすることができる。

【００１０】さらに、本発明の導体層形成方法は、透光
性凹版の溝内に光硬化によって溝内面に対する密着度低
下を可能とした非導電性感光ペーストを充填する工程
と、透光性凹版の溝内に充填された感光ペーストを導体
層形成対象物に転写する工程と、透光性凹版の溝内に感
光ペーストを充填した後或いは充填された感光ペースト
を転写するときに透光性凹版の溝形成面とは反対の面に
向かって光を照射して透光性凹版を透過した光によって
溝内に充填された感光ペーストの溝内面と接する部分に
光硬化を生じさせて溝内面に対する密着度を低下させる
工程と、感光ペースト転写後に転写された感光ペースト
に光を照射し全体を硬化させて感光層を形成する工程
と、感光層形成後に導体層形成対象物の少なくとも感光
層間に金属膜を形成する工程と、金属形成後に導体層形
成対象物から感光層を除去する工程とを備える、ことを
その特徴とする。

【００１１】この導体層形成方法によれば、透光性凹版
の溝内に充填された感光ペーストの溝内面に対する密着
度を光硬化によって低下させてから溝内に充填された感
光ペーストを導体層形成対象物に転写することにより、
転写時の感光ペーストの抜けを良好にして感光ペースト
を導体層形成対象物上に綺麗に転写することができ、こ
のようにして形成された綺麗で且つ形状良好の感光層を
利用して、金属膜の必要部分を導体層形成対象物上に残
してこれを所望形状の導体層とすることができる。

【００１２】本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構
成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって
明らかとなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】［第１実施形態］図１（Ａ）〜図
１（Ｆ）は本発明を適用した導体層形成方法の第１実施
形態を示す。

【００１４】図１（Ａ）は導体層形成に用いられる凹版
１を示すもので、底面幅よりも開口幅が大きな断面台形
状の印刷用溝１ａをその一面に有している。この凹版１
は透光性材料、例えば石英ガラス，ホウケイ酸ガラス，
アルミノシリケートガラス，ソーダ石灰ガラス，無アル
カリガラス等のガラス材や、ポリカーボネイト樹脂，ア
クリル樹脂，フッ素樹脂等の透明樹脂材から成り、好ま
しくは透明である。

【００１５】この凹版１は、平板状または円筒状の凹版
基材の一面に、凹版基材の材質に適した加工方法、例え
ばレーザ加工法やドライエッチング法やウェットエッチ
ング法等によって溝１ａを形成することにより作成され
ている。凹版基材の材質及び溝形成方法にもよるが、溝
１ａの幅及び隣接間隔として２０μｍ以下の数値を得る
ことは十分に可能である。また、図１（Ａ）には溝１ａ
として断面台形状のものを示してあるが、溝１ａの断面
形状は半円形や矩形やＵ字形やＶ字形等であっても構わ
ない。さらに、溝１ａの深さは後述する導体層５の厚み
に対応するものであり、得ようとする導体層５の厚みに
応じて任意に変更できる。

【００１６】前記の凹版１を用いて導体層を形成すると
きには、まず、溝１ａが上に向むように凹版１を載置
し、溝１ａ内に導電ペースト２を充填する（図１（Ｂ）
参照）。溝１ａ内への導電ペースト２の充填には、凹版
１上に導電ペースト２を載せてから凹版１の溝形成面に
沿ってスキージを動かして導電ペースト２を溝１ａ内に
押し込む方法や、スキージを固定し凹版１を動かして導
電ペースト２を溝１ａ内に押し込む方法等が採用でき
る。

【００１７】前記の導電ペースト２は、既存の熱硬化型
導電ペーストにその熱硬化特性に大きな影響を与えない
範囲内で光硬化性材料を加えたもので、熱硬化型導電ペ
ーストに対する光硬化性材料の重量比は例えば０．１〜
３．０である。

【００１８】前記の熱硬化型導電ペーストは、銀，金，
白金，パラジウム，ニッケル，銅，アルミニウム等から
選ばれる少なくとも１種の金属粉末と、アクリル樹脂や
フェノール樹脂やアルキッド樹脂やロジンエステルや各
種セルロース等から選ばれる少なくとも１種の有機バイ
ンダーと、アルコール系や炭化水素系やエーテル系やエ
ステル系等から選ばれる少なくとも１種の有機溶剤とを
必須として含み、必要に応じて各種添加剤を含有する。

【００１９】前記の光硬化性材料は、光照射により活性
種を発生させる光硬化開始剤と、その活性種と反応する
官能基を有する光反応性樹脂とを、所定の重量比、例え
ば１／１００〜１０／１００で配合したものである。光
硬化開始剤には公知のものが種々使用できるが、カチオ
ン活性種を発生するものとしては芳香族スルホニウム塩
化合物や芳香族ホスホニウム塩化合物や芳香族ヨードニ
ウム塩化合物やジアゾニウム塩化合物や鉄アレーン錯体
化合物等やこれらの組み合わせが挙げられ、一方、フリ
ーラジカル活性種を発生するものとしてはベンゾフェノ
ン誘導体やチオキサントン誘導体やアントラキノン誘導
体やトリクロロメチルトリアジン誘導体やアシルホスフ
ィンオキサイド誘導体やα−ヒドロキシケトン誘導体等
やこれらの組み合わせが挙げられる。

【００２０】次に、導電ペースト２が充填された溝１ａ
が上を向いた状態のまま、凹版１の溝１ａとは反対側の
面に向かって光３を照射する（図１（Ｃ）参照）。光源
としては導電ペースト２に含まれる光反応性樹脂に反応
を生じさせるのに適した波長光を発するものであれば特
段の制限はなく、例えばＨｅ−Ｎｅレーザー，Ａｒイオ
ンレーザー，ＣＯ₂ レーザー，エキシマレーザー等の気
体レーザーや、ＹＡＧレーザー等の固体レーザーや、半
導体レーザーや、キセノンランプ，メタルハロイドラン
プ，水銀ランプ，白熱ランプ等のランプが適宜使用でき
る。

【００２１】溝１ａ内に充填された導電ペースト２（以
下充填ペースト２と言う）には金属粉末がほぼ均一に分
散しているものの、照射光３の強度が大きいと照射光３
が充填ペースト２の内部にまで侵入して充填ペースト２
全体が硬化してしまうので、ここでは充填ペースト２の
主に溝１ａの内面（底面及び側面）に接する部分２ａ
（図２参照）に含まれる光反応性樹脂のみが反応して同
部分２ａが光硬化する程度の低強度のものを照射光３と
して使用する。

【００２２】前記の照射光３は凹版１を透過して充填ペ
ースト２に達するが、その強度が低いため同光３は充填
ペースト２の内部には侵入せず、図２に示すように充填
ペースト２の主に溝１ａの内面（底面及び側面）に接す
る部分２ａに含まれる光反応性樹脂のみが反応して同部
分２ａが光硬化する。図２に示すように硬化部分２ａの
厚みは、光強度の減衰等による関係から、溝１ａの底面
と接する部位が最も厚く、溝１ａの側面と接する部位の
厚みは底面から離れるに従って薄くなる。

【００２３】この硬化により充填ペースト２が溝１ａの
断面形状に整合したかたちに整形されると共に、硬化及
び硬化に伴う収縮作用によって充填ペースト２の溝１ａ
内面に対する密着度が低下し、場合によっては充填ペー
スト２が溝１ａ内面から完全に剥離した状態となり、或
いは剥離した充填ペースト２が図３に示すように溝１ａ
の開口面から僅かに出た状態となる。

【００２４】次に、凹版１を反転させてその溝形成面を
導体層形成対象物４、例えばセラミクス，樹脂，ガラス
等から成る基板やセラミックグリーンシート等に近付け
て、溝１ａ内の充填ペースト２の露出面を導体層形成対
象物４に接触させる（図１（Ｄ）参照）。そして、凹版
１を導体層形成対象物４から引き離して、溝１ａ内の充
填ペースト２を導体層形成対象物４に転写する（図１
（Ｅ）参照）。

【００２５】密着度低下処理後の充填ペースト２の溝１
ａから露出する面は硬化していないため、凹版１を反転
させて導体層形成対象物４の上に置くと未硬化面は充填
ペースト２の重量により導体層形成対象物４に密着する
し、密着度低下処理後の充填ペースト２が図３に示すよ
うに溝１ａの開口面から僅かに出た状態となっている場
合には前記の密着をより的確に行える。何れの場合も前
記の密着度低下処理によって充填ペースト２の溝１ａの
内面に対する密着度は低下していてその保持力は導体層
形成対象物４に対する密着力よりも小さいため、凹版１
を導体層形成対象物４から引き離すときに転写後の充填
ペースト２が引き戻されることはない。

【００２６】次に、転写後の導電ペースト２（以下転写
ペースト２と言う）に転写ペースト２に含まれる有機バ
インダーに硬化作用が生じる程度の熱を加える（図１
（Ｆ）参照）。これにより、転写ペースト２に含まれる
溶剤が揮発すると共に有機バインダーに硬化作用が生じ
て転写ペースト２全体が硬化し、導体層形成対象物４上
に所望形状の導体層５が形成される。

【００２７】ちなみに、図１（Ｆ）のステップにおける
転写ペースト２の硬化は、熱を加える代わりに、転写ペ
ースト２の内部にまで侵入可能な高強度の光を転写ペー
スト２に照射することでも行うことが可能で、勿論、熱
と光を併用して転写ペースト２の硬化を行うようにして
もよい。また、導体層形成対象物４として例えば５００
℃以上の温度でも熱劣化を生じない耐熱性に富むもの
や、焼成が必要なセラミクスグリーンシートを使用する
場合には、ペースト転写後の導体層形成対象物４を焼成
炉に投入して転写ペースト５に含まれる有機物、例えば
有機バインダーや光硬化性材料等を溶剤とともに除去し
て高導電率の導体層５を得ることもできる。

【００２８】この導体層形成方法によれば、凹版１の溝
１ａ内に充填された導電ペースト２の溝内面に対する密
着度を光硬化によって低下させてから充填ペースト２を
導体層形成対象物４に転写することにより、転写時の充
填ペースト２の抜けを良好にして充填ペースト２を導体
層形成対象物４上に綺麗に転写し、また、導電ペースト
２の溝内面と接する部分２ａを光硬化させることによ
り、溝１ａ内に充填された導電ペースト２を溝１ａの断
面形状に整合したかたちで導体層形成対象物４に転写し
て、これを所望形状の導体層５とすることができる。

【００２９】つまり、２０μｍ以下の幅及び隣接間隔で
形成された溝１ａを有する凹版１を利用して、微細な導
体層５を導体層形成対象物４上に高精度で形成すること
ができる。また、凹版印刷を導体層形成の基本手法とし
ているので、設備費用及びランニングコストを低く抑え
ることができる。

【００３０】［第２実施形態］図４（Ａ）〜図４（Ｅ）
は本発明を適用した導体層形成方法の第２実施形態を示
す。

【００３１】本第２実施形態の導体層形成方法が第１実
施形態の導体層形成方法と異なるところは、凹版１の溝
１ａに導電ペースト２を充填した後（図４（Ａ）及び図
４（Ｂ）参照）、凹版１を反転させて溝１ａ内の充填ペ
ースト２の露出面を導体層形成対象物４に接触させてか
ら、凹版１の溝１ａとは反対側の面に向かって光３を照
射して密着度低下処理を行い（図４（Ｃ）参照）、この
後に凹版１を導体層形成対象物４から引き離して溝１ａ
内の充填ペースト２を導体層形成対象物４に転写した
（図４（Ｄ）参照）点にある。

【００３２】この導体層形成方法によれば、凹版１の溝
１ａに導電ペースト２を充填した後に凹版１を反転させ
て溝１ａ内の充填ペースト２の露出面を導体層形成対象
物４に接触させているので、充填ペースト２の溝１ａか
ら露出する面に乾燥等が生じて同面の密着力（転写力）
が低下することを防止できる。また、充填ペースト２の
溝１ａから露出する面を導体層形成対象物４に密着させ
てから充填ペースト２に対して密着度低下処理を行って
いるので、密着度低下処理時の硬化及び硬化に伴う収縮
作用によって充填ペースト２に対して溝１ａ内に潜り込
む力が作用するような場合でも導体層形成対象物４に対
する密着を的確に行うことができる。他の作用効果は第
１実施形態の導体層形成方法による作用効果と同じであ
る。

【００３３】［第３実施形態］図５（Ａ）〜図５（Ｅ）
は本発明を適用した導体層形成方法の第３実施形態を示
す。

【００３４】本第３実施形態の導体層形成方法が第２実
施形態の導体層形成方法と異なるところは、導電ペース
ト６として既存の光硬化型導電ペーストを使用した点
と、密着度低下処理時には照射光３として低強度のもの
を使用して充填ペースト６の主に溝１ａの内面（底面及
び側面）に接する部分のみを硬化させるようにし（図５
（Ｃ）参照）、充填ペースト６を導体層形成対象物４に
転写した後は前記照射光３と同じ波長で、且つ、転写ペ
ースト２の内部にまで侵入可能な高強度の光３’を転写
ペースト２に照射して全体を硬化させて、導体層形成対
象物４上に所望の導体層７を形成した（図５（Ｅ）参
照）点にある。

【００３５】ここで使用する導電ペースト６には、先に
述べた光硬化性を有する熱硬化型導電ペーストから有機
バインダーを除去して光硬化性材料の含有率を高めたも
の、或いは、光硬化性材料に比べて有機バインダーの含
有率を下げたもの等が使用される。

【００３６】この導体層形成方法によれば、導電ペース
ト６として既存の光硬化型導電ペーストを使用できる利
点がある。他の作用効果は第１実施形態の導体層形成方
法による作用効果と第２実施形態の導体層形成方法によ
る作用効果と同じである。

【００３７】尚、前述の第１実施形態の導体層形成方法
と第２実施形態の導体層形成方法では光硬化性材料を含
む熱硬化型導電ペーストを導電ペースト２として用い、
また、第３実施形態の導体層形成方法では光硬化型導電
ペーストを導電ペースト６としてを用いたが、光による
変質によって溝１ａ内面に対する密着度の低下を可能と
したものであれば前記の導電ペースト２及び６以外の導
電ペーストを使用しても前記同様の密着度低下処理を行
うことができる。

【００３８】図６は光触媒によって密着度低下処理を行
う一例を示すもので、ここでは、導電ペーストとして既
存の熱硬化型導電ペーストまたは既存の光硬化型導電ペ
ーストに、光照射により濡れ性変化を生じ得る感光性材
料を加えたものを導電ペースト８として使用する。ちな
みに、光照射により濡れ性変化を生じ得る感光性材料と
してはＴｉＯ₂ 等が挙げられ、その配合割合は０．５〜
５ｗｔ％程度である。この導電ペースト８の場合には、
溝１ａに充填された導電ペースト８に凹版１を介して光
３を照射することにより、充填ペースト８の溝１ａと内
面（底面及び側面）と接する部分８ａに濡れ性変化が生
じて、充填ペーストと溝１ａの内面との密着度が低下す
る。この密着度低下によって溝１ａにおける充填ペース
ト８の保持力は低下するため、充填ペースト８の露出面
を導体層形成対象物４に密着させてから凹版１を導体層
形成対象物４から引き離すときに充填ペースト８が引き
戻されることはない。

【００３９】図７はガス発生によって密着度低下処理を
行う一例を示す。ここでは、導電ペーストとして既存の
熱硬化型導電ペーストまたは既存の光硬化型導電ペース
トに、光照射によりガス発生を生じ得る感光性材料を加
えたものを導電ペースト９として使用する。光照射によ
りガス発生を生じ得る感光性材料としては発泡材が挙げ
られ、その配合割合は０．５〜５ｗｔ％程度である。こ
の導電ペースト９の場合には、溝１ａに充填された導電
ペースト９に凹版１を介して光３を照射することによ
り、充填ペースト９からガスＧが発生して、このガスＧ
により充填ペースト９が溝１ａの内面から剥離する。こ
のガス発生によって溝１ａにおける充填ペースト９の保
持力は低下するため、充填ペースト９の露出面を導体層
形成対象物４に密着させてから凹版１を導体層形成対象
物４から引き離すときに充填ペースト９が引き戻される
ことはない。また、ガス発生によって溝１ａ内の充填ペ
ースト９が導体層形成対象物４に押し付けられるため、
導体層形成対象物４に対する充填ペースト９の密着はよ
り的確に行える。

【００４０】［第４実施形態］図８（Ａ）〜図８（Ｅ）
は本発明を適用した導体層形成方法の第４実施形態を示
す。

【００４１】本第４実施形態の導体層形成方法が第１実
施形態の導体層形成方法と異なるところは、導電ペース
ト１１として光硬化性材料を含まない既存の熱硬化型導
電ペーストを使用した点と、光硬化型導電ペーストから
成る感光膜１０を噴霧法や塗布法等によって凹版１の溝
１ａの内面（底面及び側面）に予め形成し（図８（Ａ）
及び図８（Ｂ）参照）、感光膜形成後に凹版１の溝１ａ
内に導電ペースト１１を充填し（図８（Ｃ）参照）、凹
版１の溝形成面とは反対の面に向かって光３を照射して
凹版１を透過した光によって感光膜１０に光硬化を生じ
させて溝内面に対する密着度を低下させ（図８（Ｄ）参
照）、凹版１の溝１ａ内に充填された導電ペースト１１
を感光膜１０と一緒に導体層形成対象物４に転写し（図
８（Ｅ）参照）、感光膜１０と一緒に転写された導電ペ
ースト１１に熱を加えて硬化させた（図８（Ｆ）参照）
点にある。

【００４２】感光膜１０を形成するために用いられる光
硬化型導電ペーストには、先に述べた光硬化性を有する
熱硬化型導電ペーストから有機バインダーを除去して光
硬化性材料の含有率を高めたもの、或いは、光硬化性材
料に比べて有機バインダーの含有率を下げたもの等が使
用される。

【００４３】この導体層形成方法によれば、充填ペース
ト１１の露出面を除く部分を光硬化型導電ペーストから
成る感光膜１０で覆うようにし、この感光膜１０に光３
を当てて硬化させて溝１ａの内面から剥離するようにし
ているので、照射光３として任意の出力を有するものが
使用できるし、導電ペースト１１として光硬化性材料を
含まない既存の熱硬化型導電ペーストが使用できる利点
がある。他の作用効果は第１実施形態の導体層形成方法
による作用効果と同じである。

【００４４】ちなみに、第４実施形態の導体層形成方法
では感光膜１０の材料として光硬化型導電ペーストを用
いたが、光変質によって溝１ａ内面に対する密着度の低
下を可能としたものであれば前記の光硬化型導電ペース
トに限らず種々の材料を感光膜材料として使用すること
ができ、前記同様の密着度低下処理を行うことができ
る。

【００４５】［第５実施形態］図９（Ａ）〜図９（Ｆ）
と図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は本発明を適用した導
体層形成方法の第５実施形態を示す。

【００４６】図９（Ａ）は導体層形成に用いられる凹版
２１を示すもので、断面矩形状の印刷用溝２１ａをその
一面に有している。この凹版２１は透光性材料、例えば
石英ガラス，ホウケイ酸ガラス，アルミノシリケートガ
ラス，ソーダ石灰ガラス，無アルカリガラス等のガラス
材や、ポリカーボネイト樹脂，アクリル樹脂，フッ素樹
脂等の透明樹脂材や、水晶，ＣａＦ₂ ，サファイア，Ｓ
ｉＣ，ＧａＮ，ダイヤモンド等の結晶材から成り、好ま
しくは透明である。

【００４７】この凹版２１は、平板状または円筒状の凹
版基材の一面に、凹版基材の材質に適した加工方法、例
えばレーザ加工法やドライエッチング法やウェットエッ
チング法等によって溝２１ａを形成することにより作成
されている。凹版基材の材質及び溝形成方法にもよる
が、溝２１ａの幅及び隣接間隔として２０μｍ以下の数
値を得ることは十分に可能である。また、図９（Ａ）に
は溝１ａとして断面矩形状のものを示してあるが、溝２
１ａの断面形状は半円形や台形やＵ字形やＶ字形等であ
っても構わない。さらに、溝２１ａの深さは後述する感
光層２５を金属膜２６を形成した後に除去する関係から
金属膜２６の厚みよりも大きく設定されている。

【００４８】前記の凹版２１を用いて導体層を形成する
ときには、まず、溝２１ａが上に向むように凹版２１を
載置し、溝２１ａ内に非導電性の感光ペースト２２を充
填する（図９（Ｂ）参照）。溝２１ａ内への感光ペース
ト２２の充填には、凹版２１上に感光ペースト２２を載
せてから凹版２１の溝形成面に沿ってスキージを動かし
て感光ペースト２２を溝２１ａ内に押し込む方法や、ス
キージを固定し凹版２１を動かして感光ペースト２２を
溝２１ａ内に押し込む方法等が採用できる。

【００４９】前記の感光ペースト２２は、既存のネガ型
レジスト、例えばスルホン酸エステル等の感光材料と有
機溶剤を含むペースト状のネガ型レジストから成る。

【００５０】次に、感光ペースト２２が充填された溝２
１ａが上を向いた状態のまま、凹版２１の溝２１ａとは
反対側の面に向かって光２３を照射する（図９（Ｃ）参
照）。光源としては感光ペースト２２に感光反応を生じ
させるのに適した波長光を発するものであれば特段の制
限はなく、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザー，Ａｒイオンレ
ーザー，ＣＯ₂ レーザー，エキシマレーザー等の気体レ
ーザーや、ＹＡＧレーザー等の固体レーザーや、半導体
レーザーや、キセノンランプ，メタルハロイドランプ，
水銀ランプ，白熱ランプ等のランプが適宜使用できる。

【００５１】照射光２３の強度が大きいと照射光２３が
溝２１ａ内に充填された導電ペースト２２（以下充填ペ
ースト２２と言う）の内部にまで侵入して充填ペースト
２全体が感光してしまうので、ここでは充填ペースト２
２の主に溝２１ａの内面（底面及び側面）に接する部分
２２ａ（図１１参照）が感光する程度の低強度のものを
照射光２３として使用する。

【００５２】前記の照射光２３は凹版２１を透過して充
填ペースト２２に達するが、その強度が低いため同光２
３は充填ペースト２２の内部には侵入せず、図１１に示
すように充填ペースト２２の主に溝２１ａの内面（底面
及び側面）に接する部分２２ａのみが感光して同部分２
２ａが光硬化する。図１１に示すように硬化部分２２ａ
の厚みは、光強度の減衰等による関係から、溝２１ａの
底面と接する部位が最も厚く、溝２１ａの側面と接する
部位の厚みは底面から離れるに従って薄くなる。

【００５３】この硬化により充填ペースト２２が溝２１
ａの断面形状に整合したかたちに整形されると共に、硬
化及び硬化に伴う収縮作用によって充填ペースト２２の
溝２１ａ内面に対する密着度が低下し、場合によっては
充填ペースト２２が溝２１ａ内面から完全に剥離した状
態となり、或いは剥離した充填ペースト２２が図１２に
示すように溝２１ａの開口面から僅かに出た状態とな
る。

【００５４】次に、凹版２１を反転させてその溝形成面
を導体層形成対象物２４、例えばセラミクス，樹脂，ガ
ラス等から成る基板やセラミックグリーンシート等に近
付けて、溝２１ａ内の充填ペースト２２の露出面を導体
層形成対象物２４に接触させる（図９（Ｄ）参照）。そ
して、凹版２１を導体層形成対象物２４から引き離し
て、溝２１ａ内の充填ペースト２２を導体層形成対象物
２４に転写する（図９（Ｅ）参照）。

【００５５】密着度低下処理後の充填ペースト２２の溝
２１ａから露出する面は硬化していないため、凹版２１
を反転させて導体層形成対象物２４の上に置くと未硬化
面は充填ペースト２２の重量により導体層形成対象物４
に密着するし、密着度低下処理後の充填ペースト２２が
図１２に示すように溝２１ａの開口面から僅かに出た状
態となっている場合には前記の密着をより的確に行え
る。何れの場合も前記の密着度低下処理によって充填ペ
ースト２２の溝２１ａの内面に対する密着度は低下して
いてその保持力は導体層形成対象物２４に対する密着力
よりも小さいため、凹版２１を導体層形成対象物２４か
ら引き離すときに転写後の充填ペースト２２が引き戻さ
れることはない。

【００５６】次に、転写後の導電ペースト２２（以下転
写ペースト２２と言う）に前記照射光２３と同じ波長
で、且つ、転写ペースト２２の内部にまで侵入可能な高
強度の光２３’を照射する（図９（Ｆ）参照）。これに
より、高強度の光２３’が転写ペースト２２の内部にま
で侵入して転写ペースト２２全体が硬化し、導体層形成
対象物２４上に所望形状の感光層２５が形成される。

【００５７】次に、導体層形成対象物２４上に形成され
た感光層２５の間に、蒸着やスパッタリングや気相メッ
キ等の薄膜形成法によって銀，金，白金，パラジウム，
ニッケル，銅，アルミニウム等から選ばれる少なくとも
１種の金属膜２６を形成する（図１０（Ａ）参照）。ち
なみに、前記の薄膜形成時には感光層２５の上面にも金
属膜２６が形成されるが、感光層２５の厚みが金属膜２
６の厚みよりも大きいため、感光層２５上に形成された
金属膜２６と導体層形成対象物２４上に形成さた金属膜
２６とは部分的に連続する場合も含め実質的には分断さ
れている。

【００５８】次に、導体層形成対象物２４上の感光層２
５をアセトン等の有機溶剤で除去する（図１０（Ｂ）参
照）。これにより、感光層２５の間に形成されている金
属膜２６のみが導体層形成対象物２４上に残って、所望
形状の導体層２７が形成される。

【００５９】この導体層形成方法によれば、凹版２１の
溝２１ａ内に充填された感光ペースト２２の溝内面に対
する密着度を光硬化によって低下させてから充填ペース
ト２２を導体層形成対象物４に転写することにより、転
写時の充填ペースト２２の抜けを良好にして充填ペース
ト２２を導体層形成対象物２４上に綺麗に転写すること
ができ、また、感光ペースト２２の溝内面と接する部分
２２ａを光硬化させることにより、溝２１ａ内に充填さ
れた感光ペースト２２を溝２１ａの断面形状に整合した
かたちで導体層形成対象物２４に転写して、これを感光
層２５とすることができる。また、このようにして形成
された綺麗で且つ形状良好の感光層２５を利用して、金
属膜２６の必要部分を導体層形成対象物２４上に残して
これを所望形状の導体層２７とすることができる。

【００６０】つまり、２０μｍ以下の幅及び隣接間隔で
形成された溝２１ａを有する凹版２１を利用して、微細
な導体層２５を導体層形成対象物２４上に高精度で形成
することができる。また、凹版印刷を導体層形成の基本
手法としているので、設備費用及びランニングコストを
低く抑えることができる。

【００６１】［第６実施形態］図１３（Ａ）〜図１３
（Ｅ）及び図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は本発明を適
用した導体層形成方法の第６実施形態を示す。

【００６２】本第６実施形態の導体層形成方法が第５実
施形態の導体層形成方法と異なるところは、凹版２１の
溝２１ａに感光ペースト２２を充填した後（図４（Ａ）
及び図４（Ｂ）参照）、凹版２１を反転させて溝２１ａ
内の充填ペースト２２の露出面を導体層形成対象物４に
接触させてから、凹版２１の溝２１ａとは反対側の面に
向かって光２３を照射して密着度低下処理を行い（図４
（Ｃ）参照）、この後に凹版２１を導体層形成対象物２
４から引き離して溝２１ａ内の充填ペースト２２を導体
層形成対象物２４に転写した（図４（Ｄ）参照）点にあ
る。

【００６３】この導体層形成方法によれば、凹版２１の
溝２１ａに感光ペースト２２を充填した後に凹版２１を
反転させて溝２１ａ内の充填ペースト２２の露出面を導
体層形成対象物４に接触させているので、充填ペースト
２２の溝２１ａから露出する面に乾燥等が生じて同面の
密着力（転写力）が低下することを防止できる。また、
充填ペースト２２の溝２１ａから露出する面を導体層形
成対象物２４に密着させてから充填ペースト２２に対し
て密着度低下処理を行っているので、密着度低下処理時
の硬化及び硬化に伴う収縮作用によって充填ペースト２
２に対して溝２１ａ内に潜り込む力が作用するような場
合でも導体層形成対象物２４に対する密着を的確に行う
ことができる。他の作用効果は第５実施形態の導体層形
成方法による作用効果と同じである。

【００６４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
微細な導体層を導体層形成対象物上に高精度で形成する
ことができ、設備費用及びランニングコストを低く抑え
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る導体層形成方法の
説明図

【図２】図１（Ｃ）のステップにおける光硬化の様子を
示す図

【図３】図１（Ｃ）のステップにおける光硬化の様子を
示す図

【図４】本発明の第２実施形態に係る導体層形成方法の
説明図

【図５】本発明の第３実施形態に係る導体層形成方法の
説明図

【図６】光硬化以外の手法によって密着度低下処理を行
う一例を示す図

【図７】光硬化以外の手法によって密着度低下処理を行
う他の例を示す図

【図８】本発明の第４実施形態に係る導体層形成方法の
説明図

【図９】本発明の第５実施形態に係る導体層形成方法の
説明図

【図１０】本発明の第５実施形態に係る導体層形成方法
の説明図

【図１１】図９（Ｃ）のステップにおける光硬化の様子
を示す図

【図１２】図９（Ｃ）のステップにおける光硬化の様子
を示す図

【図１３】本発明の第６実施形態に係る導体層形成方法
の説明図

【図１４】本発明の第６実施形態に係る導体層形成方法
の説明図

【符号の説明】

１…凹版、１ａ…溝、２…導電ペースト、２ａ…導電ペ
ースト２の溝内面と接触する部分、３…光、４…導体層
形成対象物、５…導体層、６…導電ペースト、３’…
光、７…導体層、８…導電ペースト、８ａ…導電ペース
ト８の溝内面と接触する部分、９…導電ペースト、Ｇ…
ガス、１０…感光膜、１１…導電ペースト、１２…導体
層、２１…凹版、２１ａ…溝、２２…導電ペースト、２
２ａ…導電ペースト２の溝内面と接触する部分、２３，
２３’…光、２４…導体層形成対象物、２５…感光層、
２６…金属膜、２７…導体層。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性凹版の溝内に光変質によって溝内
   面に対する密着度低下を可能とした導電ペーストを充填
   する工程と、 透光性凹版の溝内に充填された導電ペーストを導体層形
   成対象物に転写する工程と、 透光性凹版の溝内に導電ペーストを充填した後或いは充
   填された導電ペーストを転写するときに透光性凹版の溝
   形成面とは反対の面に向かって光を照射して透光性凹版
   を透過した光によって溝内に充填された導電ペーストの
   溝内面と接する部分に光変質を生じさせて溝内面に対す
   る密着度を低下させる工程とを備える、 ことを特徴とする導体層形成方法。
2. 【請求項２】 導電ペーストは光硬化性材料を含む熱硬
   化型導電ペーストまたは光硬化型導電ペーストから成
   る、 ことを特徴とする請求項１に記載の導体層形成方法。
3. 【請求項３】 転写工程の後段階で、転写された導電ペ
   ーストに熱，光または両方を加えてこれを硬化させる工
   程を実施する、 ことを特徴とする請求項２に記載の導体層形成方法。
4. 【請求項４】 透光性凹版の溝内面に光変質によって溝
   内面に対する密着度低下を可能とした感光膜を形成する
   工程と、 感光膜形成後に透光性凹版の溝内に導電ペーストを充填
   する工程と、 透光性凹版の溝内に充填された導電ペーストを感光膜と
   一緒に導体層形成対象物に転写する工程と、 透光性凹版の溝内に導電ペーストを充填した後或いは充
   填された導電ペーストを転写するときに透光性凹版の溝
   形成面とは反対の面に向かって光を照射して透光性凹版
   を透過した光によって感光膜に光変質を生じさせて溝内
   面に対する密着度を低下させる工程とを備える、 ことを特徴とする導体層形成方法。
5. 【請求項５】 感光膜は光硬化型導電ペーストから成
   り、導電ペーストは熱硬化型導電ペーストまたは光硬化
   型導電ペーストから成る、 ことを特徴とする請求項４に記載の導体層形成方法。
6. 【請求項６】 転写工程の後段階で、感光膜と一緒に転
   写された導電ペーストに熱，光または両方を加えてこれ
   を硬化させる工程を実施する、 ことを特徴とする請求項５に記載の導体層形成方法。
7. 【請求項７】 透光性凹版の溝内に光硬化によって溝内
   面に対する密着度低下を可能とした非導電性感光ペース
   トを充填する工程と、 透光性凹版の溝内に充填された感光ペーストを導体層形
   成対象物に転写する工程と、 透光性凹版の溝内に感光ペーストを充填した後或いは充
   填された感光ペーストを転写するときに透光性凹版の溝
   形成面とは反対の面に向かって光を照射して透光性凹版
   を透過した光によって溝内に充填された感光ペーストの
   溝内面と接する部分に光硬化を生じさせて溝内面に対す
   る密着度を低下させる工程と、 感光ペースト転写後に転写された感光ペーストに光を照
   射し全体を硬化させて感光層を形成する工程と、 感光層形成後に導体層形成対象物の少なくとも感光層間
   に金属膜を形成する工程と、 金属形成後に導体層形成対象物から感光層を除去する工
   程とを備える、 ことを特徴とする導体層形成方法。
8. 【請求項８】 感光ペーストはネガ型フォトレジストか
   ら成る、 ことを特徴とする導体層形成方法。