JP2003282820A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】放熱対策のされたチップ・オン・チップ構造の
半導体装置を提供する。 【解決手段】親チップ１と子チップ２とが活性表面を対
向させて接合されて、チップ・オン・チップ構造が形成
されている。子チップ２の熱源付近の表面に金属膜１２
が形成されている。この金属膜１２は、親チップ１の表
面に形成された金属膜１１に接触または接合されてい
る。この金属膜１１は、ボンディングワイヤＷにより、
ヒートシンクの接続部２０に接続されている。 【効果】子チップ２は、金属膜１１，１２を介して放熱
できるから、半導体装置全体の動作特性を良好に保持で
きる。
半導体装置を提供する。 【解決手段】親チップ１と子チップ２とが活性表面を対
向させて接合されて、チップ・オン・チップ構造が形成
されている。子チップ２の熱源付近の表面に金属膜１２
が形成されている。この金属膜１２は、親チップ１の表
面に形成された金属膜１１に接触または接合されてい
る。この金属膜１１は、ボンディングワイヤＷにより、
ヒートシンクの接続部２０に接続されている。 【効果】子チップ２は、金属膜１１，１２を介して放熱
できるから、半導体装置全体の動作特性を良好に保持で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、いわゆるチップ
・オン・チップ構造の半導体装置に関する。
・オン・チップ構造の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】第１の半導体チップ（親チップ）上に、
第２の半導体チップ（子チップ）をたとえばフェースダ
ウンで接合することにより、チップ・オン・チップ構造
の半導体装置を構成することが提案されている。この場
合、第１および第２の半導体チップ相互間の電気接続
は、各チップの表面に設けられたバンプ同士を接合する
ことにより達成される。また、樹脂等のパッケージにチ
ップ・オン・チップ構造を収容した後の外部接続は、リ
ードフレームの端子部と上記第１の半導体チップの外部
接続用パッドとの間をワイヤボンディングなどで接続す
ることにより達成される。第１の半導体チップは、リー
ドフレームのアイランド部にダイボンディングされる。
第２の半導体チップ（子チップ）をたとえばフェースダ
ウンで接合することにより、チップ・オン・チップ構造
の半導体装置を構成することが提案されている。この場
合、第１および第２の半導体チップ相互間の電気接続
は、各チップの表面に設けられたバンプ同士を接合する
ことにより達成される。また、樹脂等のパッケージにチ
ップ・オン・チップ構造を収容した後の外部接続は、リ
ードフレームの端子部と上記第１の半導体チップの外部
接続用パッドとの間をワイヤボンディングなどで接続す
ることにより達成される。第１の半導体チップは、リー
ドフレームのアイランド部にダイボンディングされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のような構成で
は、第２の半導体チップが、バイポーラトランジスタを
内蔵したドライバ回路の場合や、フラッシュメモリ回路
の場合のように、電力消費量が大きく、その発熱量の大
きいものである場合には、リードフレームを介する放熱
が不十分になる。そのため、第２の半導体チップの動作
特性が劣化したり、第２の半導体チップからの熱が第１
の半導体チップに悪影響を及ぼしたりするおそれがあ
り、半導体装置全体として良好な動作特性を実現できな
い場合がある。
は、第２の半導体チップが、バイポーラトランジスタを
内蔵したドライバ回路の場合や、フラッシュメモリ回路
の場合のように、電力消費量が大きく、その発熱量の大
きいものである場合には、リードフレームを介する放熱
が不十分になる。そのため、第２の半導体チップの動作
特性が劣化したり、第２の半導体チップからの熱が第１
の半導体チップに悪影響を及ぼしたりするおそれがあ
り、半導体装置全体として良好な動作特性を実現できな
い場合がある。
【０００４】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、放熱対策のされたチップ・オン・チップ
構造の半導体装置を提供することである。
課題を解決し、放熱対策のされたチップ・オン・チップ
構造の半導体装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、第１の半
導体チップと、この第１の半導体チップに重ね合わせ、
バンプを介して接合された第２の半導体チップと、上記
第１の半導体チップと上記第２の半導体チップとの間に
設けられ、上記第２の半導体チップが発生する熱の放熱
経路を形成する熱伝導体と、この熱伝導体を放熱部に熱
的に接続する接続部材とを含み、上記熱伝導体は、上記
第１の半導体チップおよび第２の半導体チップの両方の
表面保護膜上に上記バンプよりも大きく形成された金属
膜からなり、これらが接触または接合されていることを
特徴とする半導体装置である。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、第１の半
導体チップと、この第１の半導体チップに重ね合わせ、
バンプを介して接合された第２の半導体チップと、上記
第１の半導体チップと上記第２の半導体チップとの間に
設けられ、上記第２の半導体チップが発生する熱の放熱
経路を形成する熱伝導体と、この熱伝導体を放熱部に熱
的に接続する接続部材とを含み、上記熱伝導体は、上記
第１の半導体チップおよび第２の半導体チップの両方の
表面保護膜上に上記バンプよりも大きく形成された金属
膜からなり、これらが接触または接合されていることを
特徴とする半導体装置である。
【０００６】この構成により、第２の半導体チップから
発生した熱は、第１および第２の半導体チップ間に設け
られた熱伝導体および接続部材を伝導して、放熱部へと
導かれる。熱伝導体は、第１の半導体チップおよび第２
の半導体チップの少なくともいずれか一方の表面保護膜
上にバンプよりも大きく形成された金属膜からなってい
る。このようにして、放熱対策のされたチップ・オン・
チップ構造の半導体装置が実現され、第２の半導体チッ
プの発熱量が大きい場合でも、装置全体として良好な動
作特性を実現できる。すなわち、第２の半導体チップの
放熱を良好に行うことができるから、その動作特性を良
好に保持できるうえ、第１の半導体チップに第２の半導
体チップから発生した熱が悪影響を与えるおそれがな
い。
発生した熱は、第１および第２の半導体チップ間に設け
られた熱伝導体および接続部材を伝導して、放熱部へと
導かれる。熱伝導体は、第１の半導体チップおよび第２
の半導体チップの少なくともいずれか一方の表面保護膜
上にバンプよりも大きく形成された金属膜からなってい
る。このようにして、放熱対策のされたチップ・オン・
チップ構造の半導体装置が実現され、第２の半導体チッ
プの発熱量が大きい場合でも、装置全体として良好な動
作特性を実現できる。すなわち、第２の半導体チップの
放熱を良好に行うことができるから、その動作特性を良
好に保持できるうえ、第１の半導体チップに第２の半導
体チップから発生した熱が悪影響を与えるおそれがな
い。
【０００７】なお、上記放熱部は、ヒートシンクであっ
てもよい。この場合に、前記接続部材は、ヒートシンク
と熱伝導体との間を接続するボンディングワイヤであっ
てもよい。前記熱伝導体は、熱伝導率の高い金属（たと
えば、金）で形成されることが好ましい。また、上記第
１の半導体チップに形成された金属膜と放熱部とをボン
ディングワイヤなどの接続部材で熱的に接続することが
好ましい。
てもよい。この場合に、前記接続部材は、ヒートシンク
と熱伝導体との間を接続するボンディングワイヤであっ
てもよい。前記熱伝導体は、熱伝導率の高い金属（たと
えば、金）で形成されることが好ましい。また、上記第
１の半導体チップに形成された金属膜と放熱部とをボン
ディングワイヤなどの接続部材で熱的に接続することが
好ましい。
【０００８】請求項２記載の発明は、第１の半導体チッ
プと、この第１の半導体チップに重ね合わせ、バンプを
介して接合された第２の半導体チップと、上記第１の半
導体チップと上記第２の半導体チップとの間に設けら
れ、上記第１の半導体チップおよび第２の半導体チップ
の少なくともいずれか一方の表面保護膜上に上記バンプ
よりも大きく形成された金属膜からなり、上記第２の半
導体チップが発生する熱の放熱経路を形成する熱伝導体
と、この熱伝導体を放熱部に熱的に接続する接続部材と
を含み、上記第１の半導体チップが上記第２の半導体チ
ップよりも大きく形成されており、上記金属膜が上記第
２の半導体チップの熱源付近から上記第１の半導体チッ
プにおいて上記第２の半導体チップに覆われていない領
域まで引き出された引き出し部を有していることを特徴
とする半導体装置である。
プと、この第１の半導体チップに重ね合わせ、バンプを
介して接合された第２の半導体チップと、上記第１の半
導体チップと上記第２の半導体チップとの間に設けら
れ、上記第１の半導体チップおよび第２の半導体チップ
の少なくともいずれか一方の表面保護膜上に上記バンプ
よりも大きく形成された金属膜からなり、上記第２の半
導体チップが発生する熱の放熱経路を形成する熱伝導体
と、この熱伝導体を放熱部に熱的に接続する接続部材と
を含み、上記第１の半導体チップが上記第２の半導体チ
ップよりも大きく形成されており、上記金属膜が上記第
２の半導体チップの熱源付近から上記第１の半導体チッ
プにおいて上記第２の半導体チップに覆われていない領
域まで引き出された引き出し部を有していることを特徴
とする半導体装置である。
【０００９】この構成において、上記引き出し部分と放
熱部とをボンディングワイヤなどで熱的に接続してもよ
い（請求項３）。上記第１の半導体チップおよび／また
は第２の半導体チップの表面の金属膜は、第１および／
または第２の半導体チップの表面に形成されるバンプと
同じ材料（たとえば、金）で形成することが好ましい
（請求項４）。このようにすれば、バンプの形成工程に
おいて、同時に熱伝導体としての金属膜を表面保護膜上
に形成することができる。
熱部とをボンディングワイヤなどで熱的に接続してもよ
い（請求項３）。上記第１の半導体チップおよび／また
は第２の半導体チップの表面の金属膜は、第１および／
または第２の半導体チップの表面に形成されるバンプと
同じ材料（たとえば、金）で形成することが好ましい
（請求項４）。このようにすれば、バンプの形成工程に
おいて、同時に熱伝導体としての金属膜を表面保護膜上
に形成することができる。
【００１０】第１の半導体チップと第２の半導体チップ
とは、各活性表面同士が対向して接合されていることが
好ましい。この構成を採用すれば、活性表面側に通常設
けられるバンプの形成工程において上述の金属膜を各チ
ップ表面に形成しておくことにより、第１および第２の
半導体チップ同士の接合の際に、各チップ上の金属膜同
士を接触または接合させることができる。また、第１の
半導体チップは、リードフレームにダイボンディングさ
れていることが好ましい。これにより、第１の半導体チ
ップの放熱は、リードフレームを介して良好に行える。
とは、各活性表面同士が対向して接合されていることが
好ましい。この構成を採用すれば、活性表面側に通常設
けられるバンプの形成工程において上述の金属膜を各チ
ップ表面に形成しておくことにより、第１および第２の
半導体チップ同士の接合の際に、各チップ上の金属膜同
士を接触または接合させることができる。また、第１の
半導体チップは、リードフレームにダイボンディングさ
れていることが好ましい。これにより、第１の半導体チ
ップの放熱は、リードフレームを介して良好に行える。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図で
あり、図２は、この半導体装置の図解的な平面図であ
る。この半導体装置は、第１の半導体チップとしての親
チップ１と、第２の半導体チップとしての子チップ２
（図２では二点鎖線で示す。）とを、互いの活性表面を
対向させて接合したチップ・オン・チップ構造を有して
いる。この場合、活性表面とは、トランジスタなどの能
動素子や抵抗などの受動素子を含む機能素子が形成され
た活性表層領域側の表面を指す。親チップ１および子チ
ップ２は、いずれもシリコンチップであってもよいが、
ゲルマニウム半導体や化合物半導体（ガリウム砒素やガ
リウム燐など）などの他の種類の半導体チップであって
もよいし、親チップ１と子チップ２との半導体の種類が
一致している必要もない。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図で
あり、図２は、この半導体装置の図解的な平面図であ
る。この半導体装置は、第１の半導体チップとしての親
チップ１と、第２の半導体チップとしての子チップ２
（図２では二点鎖線で示す。）とを、互いの活性表面を
対向させて接合したチップ・オン・チップ構造を有して
いる。この場合、活性表面とは、トランジスタなどの能
動素子や抵抗などの受動素子を含む機能素子が形成され
た活性表層領域側の表面を指す。親チップ１および子チ
ップ２は、いずれもシリコンチップであってもよいが、
ゲルマニウム半導体や化合物半導体（ガリウム砒素やガ
リウム燐など）などの他の種類の半導体チップであって
もよいし、親チップ１と子チップ２との半導体の種類が
一致している必要もない。
【００１２】親チップ１および子チップ２の各活性表面
には、相互接続のためのチップ間接続パッドＰＣ１，Ｐ
Ｃ２が形成されており、親チップ１の活性表面には、さ
らに外部接続パッドＰＥが形成されている。親チップ１
および子チップ２の活性表面の最表面には、窒化シリコ
ン膜などからなる表面保護膜（図示せず）が形成されて
いて、パッドＰＣ１，ＰＣ２，ＰＥは表面保護膜に形成
された開口から露出している。そして、親チップ１と子
チップ２との電気的接続および機械的接合は、親チップ
１および子チップ２のチップ間接続パッドＰＣ１，ＰＣ
２の両方または一方に配置されたバンプＢを用いて達成
されるようになっている。
には、相互接続のためのチップ間接続パッドＰＣ１，Ｐ
Ｃ２が形成されており、親チップ１の活性表面には、さ
らに外部接続パッドＰＥが形成されている。親チップ１
および子チップ２の活性表面の最表面には、窒化シリコ
ン膜などからなる表面保護膜（図示せず）が形成されて
いて、パッドＰＣ１，ＰＣ２，ＰＥは表面保護膜に形成
された開口から露出している。そして、親チップ１と子
チップ２との電気的接続および機械的接合は、親チップ
１および子チップ２のチップ間接続パッドＰＣ１，ＰＣ
２の両方または一方に配置されたバンプＢを用いて達成
されるようになっている。
【００１３】親チップ１の外部接続パッドＰＥは、ボン
ディングワイヤＷを介して、リードフレームＦの端子部
Ｆｔに接続される。リードフレームＦは、半導体チップ
をダイボンディングするためのアイランド部Ｆｉと、半
導体装置のパッケージ内外の接続のための端子部Ｆｔと
を有している。そして、親チップ１は、アイランド部Ｆ
ｉにダイボンディングされており、この親チップ１から
発生した熱は、リードフレームＦを通って外部に放出さ
れるようになっている。
ディングワイヤＷを介して、リードフレームＦの端子部
Ｆｔに接続される。リードフレームＦは、半導体チップ
をダイボンディングするためのアイランド部Ｆｉと、半
導体装置のパッケージ内外の接続のための端子部Ｆｔと
を有している。そして、親チップ１は、アイランド部Ｆ
ｉにダイボンディングされており、この親チップ１から
発生した熱は、リードフレームＦを通って外部に放出さ
れるようになっている。
【００１４】親チップ１および子チップ２の活性表面に
は、子チップ２から発生した熱を放熱するための放熱経
路を形成する金属膜１１，１２がそれぞれ形成されてい
る。具体的には、子チップ２内に形成されたバイボーラ
トランジスタなどの熱源ＨＳの近傍の子チップ２の最表
面を覆うように、たとえば、金などからなる金属膜１２
（図２では図示を省略した。）がバンプＢよりも大きく
形成されている。また、親チップ１には、子チップ２の
表面に形成された金属膜１２に接触または接合するよう
に、たとえば、金などからなる金属膜１１が最表面にバ
ンプＢよりも大きく形成されている。これらの金属膜１
１，１２は、バンプＢと同じ材料で形成することが好ま
しく、この場合には、バンプＢの形成工程において、金
属膜１１，１２を同時に形成することができる。
は、子チップ２から発生した熱を放熱するための放熱経
路を形成する金属膜１１，１２がそれぞれ形成されてい
る。具体的には、子チップ２内に形成されたバイボーラ
トランジスタなどの熱源ＨＳの近傍の子チップ２の最表
面を覆うように、たとえば、金などからなる金属膜１２
（図２では図示を省略した。）がバンプＢよりも大きく
形成されている。また、親チップ１には、子チップ２の
表面に形成された金属膜１２に接触または接合するよう
に、たとえば、金などからなる金属膜１１が最表面にバ
ンプＢよりも大きく形成されている。これらの金属膜１
１，１２は、バンプＢと同じ材料で形成することが好ま
しく、この場合には、バンプＢの形成工程において、金
属膜１１，１２を同時に形成することができる。
【００１５】親チップ１は、平面視において、子チップ
２よりも大きく、金属膜１１は、金属膜１２と接触また
は接合する位置から、子チップ２に覆われていない領域
まで引き出されて形成されている。そして、１本または
複数本のボンディングワイヤＷによって、ヒートシンク
の接続部２０（放熱部）に熱的に接続されている。組立
ての際には、親チップ１および子チップ２をバンプＢに
より互いに接合するとともに、金属膜１１，１２を互い
に接触させる。そして、親チップ１をアイランド部Ｆｉ
にダイボンディングし、さらに、親チップ１と端子部Ｆ
ｔとのワイヤボンディングおよび金属膜１１とヒートシ
ンクの接続部２０との間のワイヤボンディングを行う。
その後、親チップ１および子チップ２のチップ・オン・
チップ構造を適当な樹脂を用いてパッケージ５内に封止
する。このとき、同時に、アイランド部Ｆｉ、端子部Ｆ
ｔの一部、ヒートシンクの接続部２０、およびボンディ
ングワイヤＷも、パッケージ５内に封止されることにな
る。
２よりも大きく、金属膜１１は、金属膜１２と接触また
は接合する位置から、子チップ２に覆われていない領域
まで引き出されて形成されている。そして、１本または
複数本のボンディングワイヤＷによって、ヒートシンク
の接続部２０（放熱部）に熱的に接続されている。組立
ての際には、親チップ１および子チップ２をバンプＢに
より互いに接合するとともに、金属膜１１，１２を互い
に接触させる。そして、親チップ１をアイランド部Ｆｉ
にダイボンディングし、さらに、親チップ１と端子部Ｆ
ｔとのワイヤボンディングおよび金属膜１１とヒートシ
ンクの接続部２０との間のワイヤボンディングを行う。
その後、親チップ１および子チップ２のチップ・オン・
チップ構造を適当な樹脂を用いてパッケージ５内に封止
する。このとき、同時に、アイランド部Ｆｉ、端子部Ｆ
ｔの一部、ヒートシンクの接続部２０、およびボンディ
ングワイヤＷも、パッケージ５内に封止されることにな
る。
【００１６】上述のとおり、この実施形態では、子チッ
プ２の熱源ＨＳから発生した熱は、金属膜１１，１２お
よびボンディングワイヤＷを介してヒートシンクの接続
部２０に導かれ、パッケージ５外のヒートシンク本体か
ら放出される。したがって、とくに、子チップ２がバイ
ポーラトランジスタを内臓したドライバ回路やフラッシ
ュメモリ回路などのように発熱量が大きいものである場
合に、その放熱を良好に行うことができるから、子チッ
プ２の温度上昇およびこれに接合された親チップ１の温
度上昇を抑制できる。その結果、親チップ１および子チ
ップ２を良好に動作させることが可能になり、半導体装
置の信頼性を向上することができる。
プ２の熱源ＨＳから発生した熱は、金属膜１１，１２お
よびボンディングワイヤＷを介してヒートシンクの接続
部２０に導かれ、パッケージ５外のヒートシンク本体か
ら放出される。したがって、とくに、子チップ２がバイ
ポーラトランジスタを内臓したドライバ回路やフラッシ
ュメモリ回路などのように発熱量が大きいものである場
合に、その放熱を良好に行うことができるから、子チッ
プ２の温度上昇およびこれに接合された親チップ１の温
度上昇を抑制できる。その結果、親チップ１および子チ
ップ２を良好に動作させることが可能になり、半導体装
置の信頼性を向上することができる。
【００１７】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は他の形態でも実施することができ
る。たとえば、上述の実施形態では、親チップ１および
子チップ２の両方の活性表面に金属膜１１，１２を形成
し、これらを接触または接合させる構成としているが、
たとえば、親チップ１側にのみ金属膜１１を形成し、こ
れを子チップ２の熱源近傍の表面に接触させるようにし
てもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の
範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
したが、この発明は他の形態でも実施することができ
る。たとえば、上述の実施形態では、親チップ１および
子チップ２の両方の活性表面に金属膜１１，１２を形成
し、これらを接触または接合させる構成としているが、
たとえば、親チップ１側にのみ金属膜１１を形成し、こ
れを子チップ２の熱源近傍の表面に接触させるようにし
てもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の
範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の図解
的な断面図である。
的な断面図である。
【図２】上記半導体装置の図解的な平面図である。
１ 親チップ（第１の半導体チップ）
２ 子チップ（第２の半導体チップ）
１１ 金属膜
１２ 金属膜
２０ ヒートシンクの接続部
Ｂ バンプ
Ｆ リードフレーム
Ｗ ボンディングワイヤ
Claims (4)
- 【請求項１】第１の半導体チップと、 この第１の半導体チップに重ね合わせ、バンプを介して
接合された第２の半導体チップと、 上記第１の半導体チップと上記第２の半導体チップとの
間に設けられ、上記第２の半導体チップが発生する熱の
放熱経路を形成する熱伝導体と、 この熱伝導体を放熱部に熱的に接続する接続部材とを含
み、 上記熱伝導体は、上記第１の半導体チップおよび第２の
半導体チップの両方の表面保護膜上に上記バンプよりも
大きく形成された金属膜からなり、これらが接触または
接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】第１の半導体チップと、 この第１の半導体チップに重ね合わせ、バンプを介して
接合された第２の半導体チップと、 上記第１の半導体チップと上記第２の半導体チップとの
間に設けられ、上記第１の半導体チップおよび第２の半
導体チップの少なくともいずれか一方の表面保護膜上に
上記バンプよりも大きく形成された金属膜からなり、上
記第２の半導体チップが発生する熱の放熱経路を形成す
る熱伝導体と、 この熱伝導体を放熱部に熱的に接続する接続部材とを含
み、 上記第１の半導体チップが上記第２の半導体チップより
も大きく形成されており、上記金属膜が上記第２の半導
体チップの熱源付近から上記第１の半導体チップにおい
て上記第２の半導体チップに覆われていない領域まで引
き出された引き出し部を有していることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項３】上記接続部材は、上記引き出し部と放熱部
とを接続するボンディングワイヤを含むことを特徴とす
る請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】上記金属膜が上記バンプと同じ材料で形成
されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003120448A JP2003282820A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003120448A JP2003282820A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31408399A Division JP3570672B2 (ja) | 1999-11-04 | 1999-11-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282820A true JP2003282820A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29244588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003120448A Pending JP2003282820A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003282820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2409346A (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-22 | Kingpak Tech Inc | Stacked memory card |
| US8981574B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
-
2003
- 2003-04-24 JP JP2003120448A patent/JP2003282820A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2409346A (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-22 | Kingpak Tech Inc | Stacked memory card |
| US8981574B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
| US9633973B2 (en) | 2012-12-20 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A02 | Decision of refusal |
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