JP2003282503A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. テーブル上に吸着させた半導体ＣＭＰ加工用パッドに細溝を切削加工するに際し、切削により前記パッド及び切粉に帯電した静電気を中和させるイオンを切削工具の刃先近傍から圧力空気とともに噴出させて前記パッド及び工具に付着する切粉を分離させることを特徴とする半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
2. 前記切削工具が旋削用多刃工具であって、同心円の細溝を同時に切削加工する場合において、前記旋削用多刃工具の工具ホルダの導通穴を通った前記イオンを工具刃先の方向に複数の噴出口から放出させ、切粉の発生個所に均等に中和用イオンを噴出させ強制的に切粉と衝突させて帯電を中和させることにより切刃と切刃の間に切粉が付着するのを防ぐ請求項１に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
3. 前記切削工具が溝フライスカッタを所定のピッチに積層して構成した溝フライス加工ユニットであって、複数の平行な細溝を同時に切削加工する場合において、切刃の近傍に設けたノズルから切粉の静電気を中和する逆極性の帯電イオンをパッド面と切粉及び内部に吹き付けて付着を防ぐようにした請求項１に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
4. 前記切削工具の刃先近傍から圧力空気とともに噴出させて切粉の電荷を中和し前記パッドおよび工具に付着する切粉を分離させ、該分離した切粉をエアブローノズルと切粉吸い込みノズルの働きによりパッド上に切粉を散在させておかないようにした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
5. 半導体ＣＭＰパッドを切削工具を用い細溝を加工する場合のイオンブロー装置であって、イオン発生源を有し発生したイオンを圧力空気と共に供給可能なイオンブロー流路と、前記切削工具を保持しその刃先方向に前記イオンブロー流路のイオンを噴出させる噴出口が並設された工具ホルダと、切粉と逆極性の前記イオンを吹き当て静電気が中和された切粉を排出する吸引ノズルとを含んでなり、切粉の電荷を中和させ付着性を失った切粉を吸引回収することを特徴とするイオンブロー装置。
6. テーブル上に吸着させたパッドに細溝を切削加工することにより半導体ＣＭＰ加工用パッドを製造するに際し、
   切削により前記パッド及び切粉に帯電した静電気を中和させるイオンを切削工具の刃先近傍から圧力空気とともに噴出させることを特徴とする半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
7. 前記切削工具として旋削用多刃工具を用い、前記イオンを前記圧力空気とともに該旋削用多刃工具の旋削方向後方から工具刃先の方向に放出させる請求項６に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
8. 前記切削工具として旋削用多刃工具を用い、同心円の細溝を同時に切削加工すると共に、該旋削用多刃工具の工具ホルダに対してイオンブロー噴出用の導通穴を形成し、該導通穴を通った前記イオンを前記圧力空気とともに工具刃先の方向に複数の噴出口から放出させる請求項６又は７に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
9. 前記パッドの切削加工に際して発生する切粉を吸引して排除する切粉吸い込みノズルを設けた請求項６乃至８の何れかに記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。