JP2003273269A - 半導体素子搭載用配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子接続用メタライズ端子と半田バン
プとを強固に接続することができるとともに外部接続用
リード端子に対して良好な耐食性を付与することがで
き、かつ生産性に優れた半導体素子搭載用配線基板を提
供すること。 【解決手段】 上面に半導体素子４が搭載される搭載部
１ａを有するとともに、搭載部１ａから下面にかけて、
搭載部１ａに半導体素子接続用メタライズ端子２ａを有
する複数のメタライズ配線導体２が形成された絶縁基１
と、絶縁基体１の下面にメタライズ配線導２と電気的に
接続されるようにして立設された複数の外部接続用リー
ド端子３とを具備して成る半導体素子搭載用配線基板で
あって、半導体素子接続用メタライズ端子２ａは無電解
めっき膜７、８により被覆されており、外部接続用リー
ド端子は電解めっき膜９、１０および無電解めっき膜８
により順次被覆されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をフリ
ップチップ接続で搭載する半導体素子搭載用配線基板お
よびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子をフリップチップ接続
により搭載するための半導体素子搭載用配線基板は、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から
成る複数の絶縁層を積層して成り、その上面に半導体素
子が搭載される搭載部を有するとともにこの搭載部から
内部を介して下面にかけて導出するタングステンメタラ
イズ等の金属粉末メタライズから成る複数のメタライズ
配線導体を形成して成る略四角平板状の絶縁基体と、こ
の絶縁基体の下面に導出したメタライズ配線導体に銀ろ
う等のろう材を介して立設された鉄系合金や銅系合金等
から成る複数の外部接続用リード端子とから構成されて
いる。

【０００３】そして、この半導体素子搭載用配線基板に
おいては、メタライズ配線導体で絶縁基体の搭載部に露
出した部位が半導体素子の電極に電気的に接続される半
導体素子接続用メタライズ端子を形成しており、絶縁基
体の搭載部に半導体素子をその各電極が半導体素子接続
用メタライズ端子に半田バンプを介して接続されるよう
にして搭載し、しかる後、絶縁基体と半導体素子との間
にアンダーフィルと呼ばれる樹脂充填材を充填するとと
もに絶縁基体上面に半導体素子を覆うようにして樹脂封
止材や金属キャップを取着させることによって製品とし
ての半導体装置となる。そして、この半導体装置は、半
導体素子搭載用配線基板の外部接続用リード端子を外部
電気回路基板に設けたソケットに挿入することによって
外部電気回路基板に実装される。

【０００４】なお、この従来の半導体素子搭載用配線基
板においては、半導体素子接続用メタライズ端子および
外部接続用リード端子が酸化腐食するのを防止するとと
もに半導体素子接続用メタライズ端子と半田バンプとの
接続および外部接続用リード端子とソケットとの電気的
接続を良好とするために、通常であれば半導体素子接続
用メタライズ端子の表面および外部接続用リード端子の
表面がニッケルめっき膜および金めっき膜で順次被覆さ
れている。そして、一般的にこのようなニッケルめっき
膜および金めっき膜としては、半導体素子接続用メタラ
イズ端子には薄くて均一な厚みのめっき膜を被着可能な
無電解めっき膜が、外部接続用リード端子には厚くて緻
密なめっき膜を被着可能な電解めっき膜が被着されてい
る。半導体素子接続用メタライズ端子に薄くて均一な厚
みの無電解めっき膜を被着させるのは、この半導体素子
接続用メタライズ端子に半導体素子の電極を半田バンプ
を介して接続させる際に半田バンプ中の錫と半導体素子
接続用メタライズ端子に被着させた金めっき膜の金とが
反応して形成される脆弱な金と錫との金属間化合物の量
を少ないものとして半導体素子の電極と半導体素子接続
用メタライズ端子とを半田バンプを介して強固に接合可
能とするためであり、他方、外部接続用リード端子に厚
くて緻密な電解めっき膜を被着させるのは、厚くて緻密
な電解めっき膜により外部接続用リード端子の耐食性を
高めるとともに、そのような厚いめっき膜を短時間に効
率良く被着させることができるためである。

【０００５】そして、半導体素子接続用メタライズ端子
に無電解めっき膜によるニッケルめっき膜および金めっ
き膜を、外部接続用リード端子に電解めっき膜によるニ
ッケルめっき膜および金めっき膜を順次被着させるに
は、まず、メタライズ配線導体が形成された絶縁基体と
外部接続用リード端子とを準備するとともに、半導体素
子接続用メタライズ端子を含むメタライズ配線導体の露
出表面に無電解ニッケルめっき膜を被着させ、次にこの
無電解ニッケルめっき膜が被着されたメタライズ配線導
体の絶縁基体の下面に導出した部位に外部接続用リード
端子を銀ろう等のろう材を介してろう付けすることによ
り絶縁基体の下面に外部接続用リード端子を立設し、次
に、半導体素子接続用メタライズ端子および外部接続用
リード端子の表面に無電解めっき膜による金めっき膜を
被着させ、次に、半導体素子接続用メタライズ端子上を
樹脂フィルムで被覆し、その状態で外部接続用リード端
子の表面に被着させた無電解めっき膜による金めっき膜
をエッチング除去した後、その外部接続用リード端子の
表面に電解めっき膜によるニッケルめっき膜および金め
っき膜を被着させ、最後に、半導体素子接続用メタライ
ズ端子を被覆する樹脂フィルムを除去する方法が採用さ
れていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の半導体素子搭載用配線基板においては、半導体素
子接続用メタライズ端子に無電解めっき膜による金めっ
き膜を被着させた際にそれと同時に外部接続用リード端
子の表面に被着された無電解めっき膜による金めっき膜
を一旦エッチング除去した後、外部接続用リード端子の
表面に電解めっき膜によるニッケルめっき膜および金め
っき膜を被着させており、その製造が煩雑であるという
問題点を有していた。

【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出
されたものであり、その目的は、半導体素子接続用メタ
ライズ端子と半田バンプとを強固に接続することができ
るとともに外部接続用リード端子に対して良好な耐食性
を付与することができ、かつ生産性に優れた半導体素子
搭載用配線基板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子搭載
用配線基板は、上面に半導体素子が搭載される搭載部を
有するとともに、前記搭載部から下面にかけて、前記搭
載部に半導体素子接続用メタライズ端子を有する複数の
メタライズ配線導体が形成された絶縁基体と、前記絶縁
基体の下面に前記メタライズ配線導体と電気的に接続さ
れるようにして立設された複数の外部接続用リード端子
とを具備して成る半導体素子搭載用配線基板であって、
前記半導体素子接続用メタライズ端子は無電解めっき膜
により被覆されており、前記外部接続用リード端子は電
解めっき膜および無電解めっき膜により順次被覆されて
いることを特徴とするものである。

【０００９】また、本発明の半導体素子搭載用配線基板
の製造方法は、上面に半導体素子が搭載される搭載部を
有するとともに、前記搭載部から下面にかけて、前記搭
載部に半導体素子接続用メタライズ端子を有する複数の
メタライズ配線導体が形成された絶縁基体と、複数の外
部接続用リード端子とを準備する工程と、前記絶縁基体
の下面に前記複数の外部接続用リード端子を前記メタラ
イズ配線導体と電気的に接続されるようにして立設する
工程と、前記絶縁基体の上面に前記半導体素子接続用メ
タライズ端子を覆うようにして樹脂フィルムを貼着する
工程と、前記外部接続用リード端子の表面に電解めっき
膜を被着する工程と、前記樹脂フィルムを前記絶縁基体
から剥離した後、前記半導体素子接続用メタライズ端子
および前記外部リード端子の表面に無電解めっき膜を被
着する工程とから成ることを特徴とするものである。

【００１０】本発明半導体素子搭載用配線基板によれ
ば、半導体素子接続用メタライズ端子は薄くて均一な厚
みの無電解めっき膜により被覆されており、外部接続用
リード端子は厚くて緻密な電解めっき膜およびその上の
薄くて均一な厚みの無電解めっき膜により順次被覆され
ていることから、半導体素子の電極と半導体素子接続用
メタライズ端子とを半田バンプを介して強固に接続する
ことができるとともに、外部接続用リード端子に対して
良好な耐食性を付与することができる。

【００１１】また、本発明の半導体素子搭載用配線基板
の製造方法によれば、外部接続用リード端子が立設され
た絶縁基体の上面に半導体素子接続用メタライズ端子を
覆うようにして樹脂フィルムを貼着した後、外部接続用
リード端子の表面に電解めっき膜を被着し、その後、樹
脂フィルムを剥離した後、半導体素子接続用メタライズ
端子および外部接続用リード端子の表面に無電解めっき
膜を被着することから、外部接続用リード端子表面の無
電解めっき膜をエッチング除去することがないので、本
発明の半導体素子搭載用配線基板を生産性良く製造する
ことができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図１は、本発明の半導体素子搭載用配
線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶
縁基体、２はメタライズ配線導体、３は外部接続用リー
ド端子である。

【００１３】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化
珪素質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラス−セラミック
ス等の電気絶縁材料から成る略四角平板であり、その上
面に半導体素子４が搭載される搭載部１ａを有してお
り、この搭載部１ａに半導体素子４がフリップチップ接
続で搭載される。

【００１４】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化
珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等のセラミッ
ク原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤を添加混合し
て泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブ
レード法を採用してシート状となすことにより絶縁基体
１用の複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる
後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともに、これらを上下に積層し、最後にこの
積層体を約１６００℃の温度で焼成することによって製
作される。

【００１５】また、絶縁基体１には、その搭載部１ａか
ら内部を介して下面に導出するタングステンやモリブデ
ン、銅、銀等の金属粉末メタライズから成る複数のメタ
ライズ配線導体２が形成されている。このメタライズ配
線導体２は、半導体素子４の各電極を外部電気回路基板
に電気的に接続するための導電路の一部として機能し、
絶縁基体１の搭載部１ａに露出した部位が半導体素子４
の電極に半田バンプ５を介して電気的および機械的に接
続される半導体素子接続用メタライズ端子２ａを形成し
ており、絶縁基体１の下面に導出した部位が外部接続用
リード端子３に電気的および機械的に接続される外部リ
ード端子接続パッド２ｂを形成している。このようなメ
タライズ配線導体２は、絶縁基体１用のセラミックグリ
ーンシートにメタライズ配線導体２用の金属ペーストを
従来周知のスクリーン印刷法で印刷塗布し、これを絶縁
基体１用のセラミックグリーンシートの積層体とともに
焼成することにより絶縁基体１の搭載部１ａから内部を
介して下面に導出するようにして形成される。なお、メ
タライズ配線導体２用の金属ペーストは、例えばメタラ
イズ配線導体２がタングステンメタライズから成る場合
であれば、タングステン粉末に適当な有機バインダー、
溶剤を添加混合して適当な粘度のペースト状となすこと
によって製作される。

【００１６】また、メタライズ配線導体２の外部リード
端子接続パッド２ｂには鉄−ニッケル−コバルト合金等
の鉄系合金やアロイ１９４等の銅系合金から成る略円柱
状の外部接続用リード端子３が銀ろう等のろう材６を介
して接合されている。外部接続用リード端子３は、半導
体素子４の各電極を外部電気回路基板の配線導体に電気
的に接続するための接続端子として機能し、メタライズ
配線導体２の半導体素子接続用メタライズ端子２ａに半
導体素子４の各電極を半田バンプ５を介して接続した
後、外部接続用リード端子３を例えば外部電気回路基板
に設けたソケット等に挿入することにより半導体素子４
の各電極が外部電気回路に電気的に接続されることとな
る。

【００１７】そして、本発明の半導体素子搭載用配線基
板においては、図２に要部拡大断面図で示すように、半
導体素子接続用メタライズ端子２ａの表面が無電解ニッ
ケルめっき膜７および無電解金めっき膜８で順次被覆さ
れている。半導体素子接続用メタライズ端子２ａを被覆
する無電解ニッケルめっき膜７および無電解金めっき膜
８は、半導体素子接続用メタライズ端子２ａが酸化腐食
するのを防止するとともに、半導体素子接続用メタライ
ズ端子２ａと半田バンプ５との接続を良好なものとする
作用をなし、いずれも無電解めっき法によって形成され
ることから、全ての半導体素子接続用メタライズ端子２
ａに対して略均一な所定厚みに被着され、その結果、半
導体素子接続用メタライズ端子２ａに半導体素子４の電
極を半田バンプ５を介して接続する際に、その接続を安
定かつ強固なものとすることができる。

【００１８】これらの無電解めっき膜７、８のうち、無
電解ニッケルめっき膜７は、半導体素子接続用メタライ
ズ端子２ａに無電解金めっき膜８および半田バンプ５を
接続させるための下地金属として機能し、その厚みが２
μｍ未満であると、半導体素子接続用メタライズ端子２
ａの酸化腐食を有効に防止することが困難であるととも
に半導体素子接続用メタライズ端子２ａと半田バンプ５
とを強固に接合することが困難となる傾向にあり、他
方、１０μｍを超えると、無電解ニッケルめっき膜７を
形成する際に無電解ニッケルめっき膜７中に発生する応
力によって無電解ニッケルめっき膜７が半導体素子接続
用メタライズ端子２ａから剥離してしまう危険性があ
る。したがって、無電解ニッケルめっき膜７の厚みは２
〜１０μｍの範囲が好ましく、さらには３〜７μｍの範
囲が好ましい。

【００１９】また、無電解ニッケルめっき膜７は、ホウ
素を０．０５〜５質量％含有するニッケル−ホウ素合金
膜であることが好ましい。無電解ニッケルめっき膜７を
ホウ素含有量が０．０５〜５質量％のニッケル−ホウ素
合金とした場合、無電解ニッケルめっき膜７中にピンホ
ールやボイドを形成することがなくメタライズ配線導体
２に対して良好な耐食性を付与することができる。この
場合、無電解ニッケルめっき膜７中のホウ素含有量が
０．０５重量％未満であると、無電解ニッケルめっき膜
７中にピンホールやボイド、クラック等が発生する危険
性が大きくなる傾向にあり、他方、５質量％を超える
と、無電解ニッケルめっき膜７と無電解金めっき膜８と
の密着が弱いものとなる傾向にあるとともに無電解ニッ
ケルめっき膜７の電気抵抗が大きくなる傾向にある。し
たがって、無電解ニッケルめっき膜７をニッケル−ホウ
素合金とした場合、無電解ニッケルめっき膜７中のホウ
素含有量は０．０５〜５質量％の範囲が好ましい。

【００２０】さらに、無電解ニッケルめっき膜７をニッ
ケル−ホウ素合金で形成する場合、無電解ニッケルめっ
き膜７をホウ素含有量が０．５〜５質量％の第１のニッ
ケル−ホウ素合金めっき膜とこの上に被着されたホウ素
含有量が0.05〜0.5重量％の第２のニッケル−ホウ素合
金めっき膜との２層構造とすることが好ましい。ホウ素
含有量が0.5〜5.0重量％の第１のニッケル−ホウ素合金
めっき膜により無電解ニッケルめっき膜７とメタライズ
配線導体２との接合を極めて強固なものとなすことがで
きる。また、この上に被着されたホウ素含有量が０．０
５〜０．５質量％の第２のニッケル−ホウ素合金めっき
膜により無電解ニッケルめっき膜７と無電解金めっき膜
８との密着を極めて良好なものとなすことができる。な
お、無電解ニッケルめっき膜７をホウ素含有量が０．５
〜５質量％の第１のニッケル−ホウ素合金めっき膜とこ
の上に被着されたホウ素含有量が０．０５〜０．５質量
％の第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜との２層構造
とした場合には、第１のニッケル−ホウ素合金めっき膜
の厚みが０．５〜５μｍの範囲であることが好ましく、
第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜の厚みが２〜５μ
ｍの範囲であることが好ましい。第１のニッケル−ホウ
素合金めっき膜の厚みが０．５μｍ未満であると、第１
のニッケル−ホウ素めっき膜にピンホールやボイド等の
欠陥が発生しやすくなる傾向にあり、他方５μｍを超え
ると、第１のニッケル−ホウ素合金めっき膜を被着させ
る際に発生する応力により無電解ニッケルめっき膜７が
メタライズ配線導体２から剥離してしまう危険性があ
る。また、第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜の厚み
が２μｍ未満であると、無電解ニッケルめっき膜７と無
電解金めっき膜８との密着を極めて良好とすることが困
難となる傾向にあり、他方５μｍを超えると、第２のニ
ッケル−ホウ素合金めっき膜を被着させる際に発生する
応力により無電解ニッケルめっき膜７がメタライズ配線
導体２から剥離してしまう危険性がある。

【００２１】なお、半導体素子接続用メタライズ端子２
ａに無電解ニッケルめっき膜７を被着させるには、めっ
き液として、例えばニッケル供給源である硫酸ニッケル
と、還元剤であるジメチルアミンボランとを主成分と
し、錯化剤として酢酸、マロン酸、コハク酸、プロピオ
ン酸またはこれらのナトリウム塩のうちいずれか２〜３
種類と、ｐＨ調整剤として塩化アンモニウムと、安定剤
としてチオ２酢酸または酢酸鉛とを添加混合して製作し
ためっき液を用いる。このめっき液中にメタライズ配線
導体２が配設された絶縁基体１をｐＨが５〜７程度、液
温が５５〜６５℃程度の条件で浸漬することにより、半
導体素子接続用メタライズ端子２ａの表面に無電解ニッ
ケルめっき膜７を被着させることができる。そして、無
電解ニッケルめっき膜７中のホウ素含有量を上記所定の
範囲内に制御するには、例えば錯化剤を２〜３種類組み
合わせること、およびそれぞれの濃度を増減させるこ
と、あるいは安定剤成分の種類および濃度を種々組み合
わせることにより行なえばよい。その他、めっき条件す
なわちめっき液のｐＨや液温、攪拌スピード等によって
も制御することができる。なお、無電解ニッケルめっき
膜７をホウ素含有量が０．５〜５質量％の第１のニッケ
ル−ホウ素合金めっき膜とホウ素含有量が０．０５〜
０．５質量％の第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜と
から構成する場合には、上述のめっき液の組成や条件を
異ならせた２種類のめっき液を用いて２回に分けてめっ
きを行なえばよい。さらに、無電解ニッケルめっき膜７
を被着させた後、これを非酸化雰囲気中、約７００〜９
００℃の温度で熱処理してもよい。この場合、熱処理に
より無電解ニッケルめっき膜７とメタライズ配線導体２
とが強固に密着するとともに、無電解ニッケルめっき膜
７中の応力が緩和される。なお、このような熱処理は無
電解ニッケルめっき膜７をホウ素含有量が０．５〜５質
量％の第１のニッケル−ホウ素合金めっき膜とホウ素含
有量が０．０５〜０．５質量％の第２のニッケル−ホウ
素合金めっき膜とから構成する場合には、第１や第２の
ニッケル−ホウ素合金めっき膜を被着させた後にそれぞ
れ行えばよい。

【００２２】また、無電解ニッケルめっき膜７の表面に
被着された無電解金めっき膜８は、主として半導体素子
接続用メタライズ端子２ａと半田バンプ５との濡れ性を
極めて良好なものとする作用をなし、その厚みが０．０
１μｍ未満では、半導体素子接続用メタライズ端子２ａ
と半田バンプ５との濡れ性が低下してしまう危険性があ
り、他方、１μｍを超えると、半田バンプ５を半導体素
子接続用メタライズ端子２ａに接続させた際に、半田バ
ンプ５中の錫と無電解金めっき膜８中の金との間で脆弱
な金属間化合物が多量に形成され、そのため半田バンプ
５と半導体素子接続用メタライズ端子２ａとを強固に接
合させることができなくなる傾向にある。したがって、
無電解金めっき膜８の厚みは０．０１〜１μｍの範囲が
好ましく、さらには０．０３〜０．１μｍの範囲が好ま
しい。

【００２３】なお、無電解金めっき膜８としては、置換
および還元の作用により析出されるる無電解金めっき膜
８が好適に用いられる。この無電解金めっき膜８は、例
えば、金の供給源であるシアン化金カリウムと、錯化剤
としてのシアン化カリウム等から成る無電解金めっき液
を用い、このめっき液中に半導体素子搭載用配線基板を
ｐＨが６．９〜７．５程度、液温が７８〜８６℃程度の
条件で約３０秒〜３０分程度浸漬することにより、無電
解金めっき膜８を被着させることができる。なお、この
ような無電解金めっき膜８は、無電解ニッケルめっき膜
７上に被着された後、非酸化雰囲気中、３００〜５００
℃程度の温度で熱処理されてもよい。この場合、熱処理
により無電解ニッケルめっき膜７と無電解金めっき膜８
との密着をさらに強固なものとすることができる。

【００２４】さらに、本発明の半導体素子搭載用配線基
板においては、図３に要部拡大断面図で示すように、外
部リード端子接続パッド２ｂに被着した無電解ニッケル
めっき膜７および外部接続用リード端子３、ろう材６の
各露出表面に電解ニッケルめっき膜９および電解金めっ
き膜１０、さらには、前述した半導体素子接続用メタラ
イズ端子２ａを被覆する際に同時に被着される無電解金
めっき膜８が順次被着されている。外部接続用リード端
子３の露出表面を被覆する電解ニッケルめっき膜９およ
び電解金めっき膜１０、無電解金めっき膜８は、外部接
続用リード端子３が酸化腐食するのを有効に防止すると
ともに、外部接続用リード端子３と外部電気回路基板の
ソケットとの電気的な接続を良好なものとする作用をな
し、酸化腐食しやすい鉄系合金や銅系合金から成る外部
接続用リード端子３に対して極めて良好な耐食性を付与
することができる。また、電解めっき法によるめっき膜
はその析出速度が速いことから、外部接続用リード端子
３に対して十分な厚みの電解ニッケルめっき膜９および
電解金めっき膜１０を短時間で被着させることができ、
配線基板の生産性を高いものとすることができる。

【００２５】外部接続用リード端子３の露出表面を被覆
する電解ニッケルめっき膜９は、外部接続用リード端子
３に電解金めっき膜１０を被着させるための下地めっき
膜として機能し、その厚みが１μｍ未満であると、電解
ニッケルめっき膜９上に電解金めっき膜１０を強固に密
着させることが困難となる傾向にあり、他方、１０μｍ
を超えると、電解ニッケルめっき膜９を形成する際に電
解ニッケルめっき膜９中に発生する応力により電解ニッ
ケルめっき膜９が外部接続用リード端子３から剥離して
しまう危険性がある。したがって、電解ニッケルめっき
層９の厚みは１〜１０μｍの範囲が好ましく、さらには
３〜７μｍの範囲が好ましい。

【００２６】なお、外部接続用リード端子３の露出表面
に電解ニッケルめっき膜９を被着させるには、従来周知
のスルファミン酸浴やワット浴を使用し、０．５〜７Ａ
／ｄｍ²の電流密度でめっきを施す方法が採用され得
る。

【００２７】また、電解ニッケルめっき膜９の上に被着
された電解金めっき膜１０は、外部接続用リード端子３
に対して良好な耐食性を付与するとともに外部接続用リ
ード端子３と外部電気回路基板のソケットの電気的な接
触を極めて良好とする。このような電解金めっき膜１０
は、その厚みが０．５μｍ未満では、外部接続用リード
端子３に対して十分な耐食性を付与することができない
危険性が大きなものとなり、他方、５μｍを超えると、
電解金めっき膜１０の厚みが不要に厚いものとなり、半
導体素子搭載用配線基板が極めて高価なものとなってし
まう。したがって、電解金めっき膜１０の厚みは、０．
５〜５μｍの範囲が好ましく、さらには０．７５〜３μ
ｍの範囲が好ましい。なお、電解ニッケルめっき膜９の
上に電解金めっき膜１０を被着させるには、従来周知の
中性シアン化金めっき浴を使用し、０．１〜１Ａ／ｄｍ
²の電流密度でめっきを施す方法が採用され得る。

【００２８】さらに、電解金めっき膜１０の上に被着さ
れた無電解金めっき膜８は、外部接続用リード端子３に
対して耐食性をさらに強化できるとともに、外部接続用
リード端子３と外部電気回路基板のソケットの電気的な
接触をさらに良好とできるように作用する。

【００２９】かくして、本発明の半導体素子搭載用配線
基板によれば、絶縁基体１の上面に半導体素子４をその
各電極が電子部品接続用メタライズ端子２ａに半田バン
プ５を介して接続されるようにして搭載し、しかる後、
絶縁基体１と半導体素子４との間にアンダーフィルと呼
ばれる樹脂充填材を充填するとともに絶縁基体１の上面
に半導体素子４を覆うようにして樹脂封止材や金属キャ
ップを取着させることによって製品としての半導体装置
となる。そして、この半導体装置は、半導体素子搭載用
配線基板の外部接続用リード端子３を外部電気回路基板
に設けたソケットに挿入することによって外部電気回路
基板に実装される。

【００３０】次に、上述の本発明の半導体素子搭載用配
線基板の製造方法について説明する。まず、上面に半導
体素子４が搭載される搭載部１ａを有するとともに、搭
載部１ａから下面にかけて、搭載部１ａに半導体素子接
続用メタライズ端子２ａを有する複数のメタライズ配線
導体２が形成された絶縁基体１と、複数の外部接続用リ
ード端子３とを準備する。次に、この絶縁基体１に形成
されたメタライズ配線導体２の半導体素子接続用メタラ
イズ端子２ａおよび外部リード端子接続パッド２ｂの露
出表面に無電解めっき法により無電解ニッケルめっき膜
７を被着させた後、無電解ニッケルめっき膜７が被着さ
れた外部リード端子接続パッド２ｂに外部接続用リード
端子３を例えば銀−銅合金から成るろう材６を介して接
合する。次に、絶縁基体１の上面に半導体素子接続用メ
タライズ端子２ａを覆うように樹脂フィルムを貼着して
マスキングし、その状態で外部リード端子接続パッド２
ｂに被着した無電解ニッケルめっき膜７および外部接続
用リード端子３、ろう材６の各露出表面に電解ニッケル
めっき膜９および電解金めっき膜１０を電解めっき法に
より順次被着させる。次に、絶縁基体１の上面から樹脂
フィルムを除去するとともに、露出した半導体素子接続
用メタライズ端子２ａ上の無電解ニッケルめっき膜７お
よび外部リード端子接続パッド２ｂ、外部接続用リード
端子３、ろう材６上の電解金めっき膜１０の上に無電解
めっき法により無電解金めっき膜８を被着する。以上の
ようにして本発明の半導体素子搭載用配線基板が製造さ
れる。この場合、外部接続用リード端子３が立設された
絶縁基体１の上面に半導体素子接続用メタライズ端子２
ａを覆うようにして樹脂フィルムを貼着した後、外部接
続用リード端子３の表面に電解ニッケルめっき膜９、電
解金めっき膜１０を被着し、その後、樹脂フィルムを剥
離した後、半導体素子接続用メタライズ端子２ａおよび
外部接続用リード端子３の表面に無電解金めっき膜８を
被着することから、外部接続用リード端子３表面の無電
解金めっき膜８をエッチング除去することがないので、
半導体素子接続用メタライズ端子２ａと半田バンプ５と
の接続性に優れるとともに、外部接続用リード端子３の
耐食性に優れた本発明の半導体素子搭載用配線基板を生
産性良く製造することができる。なお、無電解ニッケル
めっき膜７、無電解金めっき膜８、電解ニッケルめっき
膜９、電解金めっき膜１０を被着する際に用いるめっき
液としては、前述しためっき液を用いればよい。この場
合、無電解金めっき膜８を被着させるための無電解金め
っき液としてｐＨ６．９〜７．５程度の略中性の無電解
金めっき液を用いることにより、半導体素子接続用メタ
ライズ端子２ａ上の無電解ニッケルめっき膜７と外部接
続用リード端子３上の電解金めっき膜１０との両方の表
面に薄くて均一な厚みの無電解金めっき膜８を被着させ
ることが可能となる。

【００３１】かくして、本発明の半導体素子搭載用配線
基板の製造方法によれば、半導体素子接続用メタライズ
端子２ａと半田バンプ５との接続性に優れるとともに、
外部接続用リード端子３の耐食性に優れ、かつ生産性に
優れた半導体素子搭載用配線基板を提供することができ
る。

【００３２】なお、本発明は、上述の実施の形態例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば、種々の変更が可能であることはいうまでもな
い。

【００３３】

【発明の効果】本発明半導体素子搭載用配線基板によれ
ば、半導体素子接続用メタライズ端子は薄くて均一な厚
みの無電解めっき膜により被覆されており、外部接続用
リード端子は厚くて緻密な電解めっき膜およびその上の
薄くて均一な厚みの無電解めっき膜により順次被覆され
ていることから、半導体素子の電極と半導体素子接続用
メタライズ端子とを半田バンプを介して強固に接続する
ことができるとともに、外部接続用リード端子に対して
良好な耐食性を付与することができる。

【００３４】また、本発明の半導体素子搭載用配線基板
の製造方法によれば、外部接続用リード端子が立設され
た絶縁基体の上面に半導体素子接続用メタライズ端子を
覆うようにして樹脂フィルムを貼着した後、外部接続用
リード端子の表面に電解めっき膜を被着し、その後、樹
脂フィルムを剥離した後、半導体素子接続用メタライズ
端子および外部接続用リード端子の表面に無電解めっき
膜を被着することから、外部接続用リード端子表面の無
電解めっき膜をエッチング除去することがないので、本
発明の半導体素子搭載用配線基板を生産性良く製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体素子搭載用配線基板の実施の形
態例を示す断面図である。

【図２】図１に示す半導体素子搭載用配線基板の要部拡
大断面図である。

【図３】図１に示す半導体素子搭載用配線基板の要部拡
大断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・メタライズ配線導体 ２ａ・・・・・半導体素子接続用メタライズ端子 ３・・・・・・外部接続用リード端子 ４・・・・・・半導体素子 ７・・・・・・無電解ニッケルめっき膜 ８・・・・・・無電解金めっき膜 ９・・・・・・電解ニッケルめっき膜 10・・・・・・電解金めっき膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面に半導体素子が搭載される搭載部を
   有するとともに、前記搭載部から下面にかけて、前記搭
   載部に半導体素子接続用メタライズ端子を有する複数の
   メタライズ配線導体が形成された絶縁基体と、前記絶縁
   基体の下面に前記メタライズ配線導体と電気的に接続さ
   れるようにして立設された複数の外部接続用リード端子
   とを具備して成る半導体素子搭載用配線基板であって、
   前記半導体素子接続用メタライズ端子は無電解めっき膜
   により被覆されており、前記外部接続用リード端子は電
   解めっき膜および無電解めっき膜により順次被覆されて
   いることを特徴とする半導体素子搭載用配線基板。
2. 【請求項２】 上面に半導体素子が搭載される搭載部を
   有するとともに、前記搭載部から下面にかけて、前記搭
   載部に半導体素子接続用メタライズ端子を有する複数の
   メタライズ配線導体が形成された絶縁基体と、複数の外
   部接続用リード端子とを準備する工程と、前記絶縁基体
   の下面に前記複数の外部接続用リード端子を前記メタラ
   イズ配線導体と電気的に接続されるようにして立設する
   工程と、前記絶縁基体の上面に前記半導体素子接続用メ
   タライズ端子を覆うようにして樹脂フィルムを貼着する
   工程と、前記外部接続用リード端子の表面に電解めっき
   膜を被着する工程と、前記樹脂フィルムを前記絶縁基体
   から剥離した後、前記半導体素子接続用メタライズ端子
   および前記外部リード端子の表面に無電解めっき膜を被
   着する工程とから成ることを特徴とする半導体素子搭載
   用配線基板の製造方法。