JP2001230364A - 半導体素子搭載用配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部リードピン３に対する耐食性が不充分で
あり、かつ生産性が低い。 【解決手段】 半導体素子４を搭載するための絶縁基体
１の表面に、この半導体素子４の各電極が接続される接
続パッド２ａと、絶縁基体１に設けた配線導体２を介し
て接続パッド２ａに電気的に接続された外部リードピン
３とを備えて成る半導体素子搭載用配線基板であって、
接続パッド２ａは無電解めっき膜７・８により被覆され
ており、外部リードピン３は電解めっき膜９・10により
被覆されている半導体素子搭載用配線基板である。無電
解めっき膜７・８が接続パッド２ａと半導体素子４の電
極との電気的接続を安定かつ強固にし、電解めっき膜９
・10が外部リードピン３の耐食性を良好とするとともに
配線基板の生産性を向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をフリ
ップチップ接続で搭載する半導体素子搭載用配線基板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子をフリップチップ接続
により搭載するための半導体素子搭載用配線基板は、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から
成る複数の絶縁層を積層して成る略四角平板状の絶縁基
体と、この絶縁基体の上面から内部を介して下面にかけ
て導出するタングステンメタライズ等の金属粉末メタラ
イズから成る複数の配線導体と、この配線導体で絶縁基
体の下面に導出した部位に銀ろう等のろう材を介して立
設された鉄系合金や銅系合金等から成る複数の外部リー
ドピンとから構成されている。なお、この半導体素子搭
載用配線基板においては、配線導体で絶縁基体の上面に
露出した部位が半導体素子の電極に電気的に接続される
接続パッドを形成しており、絶縁基体の上面に半導体素
子をその各電極が接続パッドに半田バンプを介して接続
されるようにして搭載し、しかる後、絶縁基体と半導体
素子との間にアンダーフィルと呼ばれる樹脂充填材を充
填するとともに絶縁基体上面に半導体素子を覆うように
して樹脂封止材や金属キャップを取着させることによっ
て製品としての半導体装置となる。そして、この半導体
装置は、半導体素子搭載用配線基板の外部リードピンを
外部電気回路基板に設けたソケットに挿入することによ
って外部電気回路基板に実装される。また、この従来の
半導体素子搭載用配線基板においては、接続パッドおよ
び外部リードピンが酸化腐食するのを防止するとともに
接続パッドと半田バンプとの接続および外部リードピン
とソケットとの電気的接続を良好とするために、接続パ
ッドの表面および外部リードピンの表面がニッケルめっ
き膜および金めっき膜で順次被覆されている。なお、従
来の半導体素子搭載用配線基板において、接続パッドと
外部リードピンにニッケルめっき膜および金めっき膜を
被覆させるには、通常であれば、無電解めっき法が採用
されていた。無電解めっき法によると、全ての接続パッ
ドに略均一な厚みのめっき膜を被着させることができ、
それにより半導体素子の各電極と接続パッドとを全て安
定かつ強固に接続することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子搭載用配線基板によると、無電解めっき
膜は、その組織が緻密となりにくいため、めっき膜にピ
ンホールや膨れ・変色等が発生しやすく、特に酸化腐食
が発生しやすい鉄系合金や銅系合金から成る外部リード
ピンに対しては、十分な耐食性を付与することが困難で
あるという問題点を有していた。さらに、無電解めっき
膜は、その析出速度が遅く、外部リードピンに対して十
分な厚みのめっき膜を被着させるのに長時間を要し、こ
のため半導体素子搭載用配線基板の生産性が低いという
問題点を有していた。

【０００４】本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出
されたものであり、その目的は、外部リードピンに対し
て良好な耐食性を付与するとともに、生産性に優れた半
導体素子搭載用配線基板を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子搭載
用配線基板は、半導体素子を搭載するための絶縁基体の
表面に、この半導体素子の各電極が接続される接続パッ
ドと、絶縁基体に設けた配線導体を介して接続パッドに
電気的に接続された外部リードピンとを備えて成り、接
続パッドは無電解めっき膜により、外部リードピンは電
解めっき膜によりそれぞれ被覆されていることを特徴と
するものである。

【０００６】本発明の半導体素子搭載用配線基板によれ
ば、接続パッドは無電解めっき膜により被覆されている
ことから、半導体素子の各電極と接続パッドとを全て安
定かつ強固に接続することができる。また本発明の半導
体素子搭載用配線基板によれば、外部リードピンは電解
めっき膜により被覆されており、電解めっき膜は組織が
緻密でピンホールや膨れが発生しにくいことから、外部
リードピンに対して良好な耐食性を付与することができ
る。さらに電解めっき膜は、その析出速度が速いことか
ら、外部リードピンに対して十分な厚みのめっき膜を短
時間で被着させることができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。

【０００８】図１は、本発明の半導体素子搭載用配線基
板の実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基
体、２は配線導体、３は外部リードピンである。

【０００９】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化
珪素質焼結体・炭化珪素質焼結体・ガラス−セラミック
ス等の電気絶縁材料から成る略四角平板であり、その上
面に半導体素子４が搭載される。

【００１０】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化
珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミッ
ク原料粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合し
て泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブ
レード法を採用してシート状となすことにより複数枚の
セラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミ
ックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すととも
に、これらを上下に積層し、最後にこの積層体を約1600
℃の温度で焼成することによって製作される。

【００１１】また、絶縁基体１には、その上面から内部
を介して下面に導出するタングステンやモリブデン・銅
・銀・銀−パラジウム等の金属粉末メタライズから成る
複数の配線導体２が配設されている。配線導体２は、半
導体素子４の各電極を外部電気回路基板に電気的に接続
するための導電路の一部として機能し、絶縁基体１の上
面に露出した部位が半導体素子４の電極に半田バンプ５
を介して電気的・機械的に接続される接続パッド２ａを
形成しており、絶縁基体１の下面に導出した部位が外部
リードピン３に電気的・機械的に接続される外部リード
ピン接続パッド２ｂを形成している。このような配線導
体２は、絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに配
線導体２用の金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法で印刷塗布し、これを絶縁基体１となるセラミックグ
リーンシートの積層体とともに焼成することにより絶縁
基体１の上面から内部を介して下面に導出するようにし
て配設される。なお、配線導体２用の金属ペーストは、
例えば配線導体２がタングステンメタライズから成る場
合であれば、タングステン粉末に適当な有機バインダー
・溶剤を添加混合して適当な粘度のペースト状となすこ
とによって製作される。

【００１２】また、配線導体２の外部リードピン接続パ
ッド２ｂには鉄−ニッケル−コバルト合金等の鉄系合金
やアロイ194等の銅系合金から成る略円柱状の外部リー
ドピン３が銀ろう等のろう材６を介して接合されてい
る。外部リードピン３は、半導体素子４の各電極を外部
電気回路基板の配線導体に電気的に接続するための接続
端子として機能し、配線導体２の接続パッド２ａに半導
体素子４の各電極を半田バンプ５を介して接続した後、
外部リードピン３を例えば外部電気回路基板に設けたソ
ケット等に挿入することにより半導体素子４の各電極が
外部電気回路に電気的に接続されることとなる。

【００１３】そして、本発明の半導体素子搭載用配線基
板においては、図２に要部拡大断面図で示すように、接
続パッド２ａの表面が無電解ニッケルめっき膜７および
無電解金めっき膜８で順次被覆されている。接続パッド
２ａを被覆する無電解ニッケルめっき膜７および無電解
金めっき膜８は、接続パッド２ａが酸化腐食するのを防
止するとともに、接続パッド２ａと半田バンプ５との接
続を良好なものとする作用をなし、いずれも無電解めっ
き法によって形成されることから、全ての接続パッド２
ａに対して略均一な所定厚みに被着され、その結果、接
続パッド２ａに半導体素子４の電極を半田バンプ５を介
して接続する際に、その接続を安定かつ強固なものとす
ることができる。

【００１４】これらの無電解めっき膜７・８のうち、無
電解ニッケルめっき膜７は、接続パッド２ａに無電解金
めっき膜８および半田バンプ５を接続させるための下地
金属として機能し、その厚みが2.0μｍ未満であると、
接続パッド２ａの酸化腐食を有効に防止することが困難
であるとともに接続パッド２ａと半田バンプ５とを強固
に接合することが困難となる傾向にあり、他方、10.0μ
ｍを超えると、無電解ニッケルめっき膜７を形成する際
に無電解ニッケルめっき膜７中に発生する応力によって
無電解ニッケルめっき膜７が接続パッド２ａから剥離し
てしまう危険性がある。したがって、無電解ニッケルめ
っき膜７の厚みは2.0〜10.0μｍの範囲が好ましく、さ
らには3.0〜7.0μｍの範囲が好ましい。

【００１５】また、無電解ニッケルめっき膜７は、ホウ
素を0.05〜5.0重量％含有するニッケル−ホウ素合金膜
であることが好ましい。無電解ニッケルめっき膜７をホ
ウ素含有量が0.05〜5.0重量％のニッケル−ホウ素合金
とした場合、無電解ニッケルめっき膜７中にピンホール
やボイドを形成することがなく配線導体２に対して良好
な耐食性を付与することができる。この場合、無電解ニ
ッケルめっき膜７中のホウ素含有量が0.05重量％未満で
あると、無電解ニッケルめっき膜７中にピンホールやボ
イド・クラック等が発生する危険性が大きくなる傾向に
あり、他方、5.0重量％を超えると、無電解ニッケルめ
っき膜７と無電解金めっき膜８との密着が弱いものとな
る傾向にあるとともに無電解ニッケルめっき膜７の電気
抵抗が大きくなる傾向にある。したがって、無電解ニッ
ケルめっき膜７をニッケル−ホウ素合金とした場合、無
電解ニッケルめっき膜７中のホウ素含有量は0.05〜5.0
重量％の範囲が好ましい。

【００１６】さらに、無電解ニッケルめっき膜７をニッ
ケル−ホウ素合金で形成する場合、無電解ニッケルめっ
き膜７をホウ素含有量が0.5〜5.0重量％の第１のニッケ
ル−ホウ素合金めっき膜とこの上に被着されたホウ素含
有量が0.05〜0.5重量％の第２のニッケル−ホウ素合金
めっき膜との２層構造とすることが好ましい。ホウ素含
有量が0.5〜5.0重量％の第１のニッケル−ホウ素合金め
っき膜により無電解ニッケルめっき膜７と配線導体２と
の接合を極めて強固なものとなすことができる。また、
この上に被着されたホウ素含有量が0.05〜0.5重量％の
第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜により無電解ニッ
ケルめっき膜７と無電解金めっき膜８との密着を極めて
良好なものとなすことができる。なお、無電解ニッケル
めっき膜７をホウ素含有量が0.5〜5.0重量％の第１のニ
ッケル−ホウ素合金めっき膜とこの上に被着されたホウ
素含有量が0.05〜0.5重量％の第２のニッケル−ホウ素
合金めっき膜との２層構造とした場合には、第１のニッ
ケル−ホウ素合金めっき膜の厚みが0.5〜5.0μｍの範囲
であることが好ましく、第２のニッケル−ホウ素合金め
っき膜の厚みが2.0〜5.0μｍの範囲であることが好まし
い。第１のニッケル−ホウ素合金めっき膜の厚みが0.5
μｍ未満であると、第１のニッケル−ホウ素めっき膜に
ピンホールやボイド等の欠陥が発生しやすくなる傾向に
あり、他方5.0μｍを超えると、第１のニッケル−ホウ
素合金めっき膜を被着させる際に発生する応力により無
電解ニッケルめっき膜７が配線導体２から剥離してしま
う危険性がある。また、第２のニッケル−ホウ素合金め
っき膜の厚みが2.0μｍ未満であると、無電解ニッケル
めっき膜７と無電解金めっき膜８との密着を極めて良好
とすることが困難となる傾向にあり、他方5.0μｍを超
えると、第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜を被着さ
せる際に発生する応力により無電解ニッケルめっき膜７
が配線導体２から剥離してしまう危険性がある。

【００１７】なお、接続パッド２ａに無電解ニッケルめ
っき膜７を被着させるには、めっき液として、例えばニ
ッケル供給源である硫酸ニッケルと、還元剤であるジメ
チルアミンボランとを主成分とし、錯化剤として酢酸・
マロン酸・コハク酸・プロピオン酸またはこれらのナト
リウム塩のうちいずれか２〜３種類と、ｐＨ調整剤とし
て塩化アンモニウムと、安定剤としてチオ２酢酸または
酢酸鉛とを添加混合して製作しためっき液を用いる。こ
のめっき液中に配線導体２が配設された絶縁基体１をｐ
Ｈが５〜７程度、液温が55〜65℃程度の条件で浸漬する
ことにより、接続パッド２ａの表面に無電解ニッケルめ
っき膜７を被着させることができる。そして、無電解ニ
ッケルめっき膜７中のホウ素含有量を上記所定の範囲内
に制御するには、例えば錯化剤を２〜３種類組み合わせ
ること、およびそれぞれの濃度を増減させること、ある
いは安定剤成分の種類および濃度を種々組み合わせるこ
とにより行なえばよい。その他、めっき条件すなわちｐ
Ｈ・液温・攪拌スピード等によっても制御することがで
きる。なお、無電解ニッケルめっき膜７をホウ素含有量
が0.5〜5.0重量％の第１のニッケル−ホウ素合金めっき
膜とホウ素含有量が0.05〜0.5重量％の第２のニッケル
−ホウ素合金めっき膜とから構成する場合には、上述の
めっき液の組成や条件を異ならせた２種類のめっき液を
用いて２回に分けてめっきを行えばよい。さらに、無電
解ニッケルめっき膜７を被着させた後、これを非酸化雰
囲気中、約700〜900℃の温度で熱処理してもよい。この
場合、熱処理により無電解ニッケルめっき膜７と配線導
体２とが強固に密着するとともに、無電解ニッケルめっ
き膜７中の応力が緩和される。なお、このような熱処理
は無電解ニッケルめっき膜７をホウ素含有量が0.5〜5.0
重量％の第１のニッケル−ホウ素合金めっき膜とホウ素
含有量が0.05〜0.5重量％の第２のニッケル−ホウ素合
金めっき膜とから構成する場合には、第１や第２のニッ
ケル−ホウ素合金めっき膜を被着させた後にそれぞれ行
えばよい。

【００１８】また、無電解ニッケルめっき膜７の表面に
被着された無電解金めっき膜８は、主として接続パッド
２ａと半田バンプ５との濡れ性を極めて良好なものとす
る作用をなし、その厚みが0.01μｍ未満では、接続パッ
ド２ａと半田バンプ５との濡れ性が低下してしまう危険
性があり、他方、1.0μｍを超えると、半田バンプ５を
接続パッド２ａに接続させた際に、半田バンプ５中の錫
と無電解金めっき膜８中の金との間で脆弱な金属間化合
物が多量に形成され、そのため半田バンプ５と接続パッ
ド２ａとを強固に接合させることができなくなる傾向に
ある。したがって、無電解金めっき膜８の厚みは0.01〜
1.0μｍの範囲が好ましく、さらには0.03〜0.1μｍの範
囲が好ましい。

【００１９】なお、無電解金めっき膜８としては、置換
型の無電解金めっき膜の上に還元型の無電解金めっき膜
を被着させた２層構造の金めっき膜が好適に用いられ
る。

【００２０】置換型の無電解金めっき膜は、無電解ニッ
ケルめっき膜７の表面に無電解金めっき膜８を被着させ
るための下地めっき膜であり、無電解ニッケルめっき膜
７表面のニッケルと置換型無電解金めっき液中に含有さ
れる金とを化学的に置換させることにより無電解ニッケ
ルめっき膜７の表面に置換型無電解金めっき膜が被着さ
れる。この置換型の無電解金めっき膜は、例えば、金の
供給源であるシアン化金カリウムと、錯化剤としてのエ
チレンジアミン４酢酸（ＥＤＴＡ）・クエン酸等と、ｐ
Ｈ調整剤等とから成る無電解めっき液を用いる。このめ
っき液中に接続パッド２ａの表面に無電解ニッケルめっ
き膜７が被着された絶縁基体１をｐＨが４〜７程度、液
温が85〜95℃程度の条件で約30秒〜30分程度浸漬するこ
とにより、接続パッド２ａの表面に被着された無電解ニ
ッケルめっき膜７上に置換型の無電解金めっき膜を被着
させることができる。なお、置換型の無電解金めっき膜
は、その厚みが0.01μｍ未満では、無電解ニッケルめっ
き膜７の表面を均質に覆うことが困難となる傾向にあ
り、他方0.07μｍを超えると、無電解ニッケルめっき膜
７が金との置換反応により腐食されて、その結果、無電
解ニッケルめっき膜７と半田との濡れ性が低下してしま
う傾向にある。従って、置換型の無電解金めっき膜の厚
みは、0.01〜0.07μｍの範囲が好ましい。

【００２１】また、還元型の無電解金めっき膜は、無電
解ニッケルめっき膜７の表面に被着される無電解金めっ
き膜８を緻密かつ所定の厚みの膜とする作用をなし、無
電解ニッケルめっき膜７の表面に被着された金を触媒と
してこの上に無電解金めっき膜８が緻密かつ所定の厚み
に被着される。この還元型の無電解金めっき膜は、例え
ば、金の供給源であるシアン化金カリウムと、還元剤と
しての水酸化ホウ素ナトリウム・ジメチルアミンボラン
と、錯化剤としてのシアン化カリウム等から成る無電解
めっき液を用いる。このめっき液中に接続パッド２ａ表
面の無電解ニッケルめっき膜７上に置換型無電解金めっ
き膜が被着形成された絶縁基体１をｐＨが12〜14程度、
液温が50〜60℃程度の条件で約60秒〜30分程度浸漬する
ことにより、置換型の無電解金めっき膜上に還元型の無
電解金めっき膜を被着させることができる。なお、この
ような無電解金めっき膜８は、無電解ニッケルめっき膜
７上に被着された後、非酸化雰囲気中、300〜500℃程度
の温度で熱処理されてもよい。この場合、熱処理により
無電解ニッケルめっき膜７と無電解金めっき膜８との密
着をさらに強固なものとすることができる。

【００２２】さらに、本発明の半導体素子搭載用配線基
板においては、図３に要部拡大断面図で示すように、外
部リードピン３のろう材６から露出した表面が電解ニッ
ケルめっき膜９および電解金めっき膜10で順次被覆され
ている。外部リードピン３の露出表面を被覆する電解ニ
ッケルめっき膜９および電解金めっき膜10は、外部リー
ドピン３が酸化腐食するのを有効に防止するとともに、
外部リードピン３と外部電気回路基板のソケットとの電
気的な接続を良好なものとする作用をなし、いずれも電
解めっき法により形成されていることから組織が緻密で
あり、酸化腐食しやすい鉄系合金や銅系合金から成る外
部リードピン３に対して極めて良好な耐食性を付与する
ことができる。また、電解めっき法によるめっき膜はそ
の析出速度が速いことから、外部リードピン３に対して
十分な厚みの電解ニッケルめっき膜９および電解金めっ
き膜10を短時間で被着させることができ、配線基板の生
産性を高いものとすることができる。

【００２３】外部リードピン３の露出表面を被覆する電
解ニッケルめっき膜９は、外部リードピン３に電解金め
っき膜10を被着させるための下地めっき膜として機能
し、その厚みが1.0μｍ未満であると、電解ニッケルめ
っき膜９上に電解金めっき膜10を強固に密着させること
が困難となる傾向にあり、他方、10.0μｍを超えると、
電解ニッケルめっき膜９を形成する際に電解ニッケルめ
っき膜９中に発生する応力により電解ニッケルめっき膜
９が外部リードピン３から剥離してしまう危険性があ
る。したがって、電解ニッケルめっき層９の厚みは1.0
〜10.0μｍの範囲が好ましく、さらには3.0〜7.0μｍの
範囲が好ましい。

【００２４】なお、外部リードピン３の露出表面に電解
ニッケルめっき膜９を被着させるには、従来周知のスル
ファミン酸浴やワット浴を使用し、0.5〜７Ａ／ｄｍ２
の電流密度でめっきを施す方法が採用され得る。

【００２５】また、電解ニッケルめっき膜９の上に被着
された電解金めっき膜10は、外部リードピン３に対して
良好な耐食性を付与するとともに外部リードピン３と外
部電気回路基板のソケットの電気的な接触を極めて良好
とする。このような電解金めっき膜10は、その厚みが0.
5μｍ未満では、外部リードピン３に対して十分な耐食
性を付与することができない危険性が大きなものとな
り、他方、5.0μｍを超えると、電解金めっき膜10の厚
みが不要に厚いものとなり、半導体素子搭載用配線基板
が極めて高価なものとなってしまう。したがって、電解
金めっき膜10の厚みは、0.5〜5.0μｍの範囲が好まし
く、さらには0.75〜3.0μｍの範囲が好ましい。なお、
電解ニッケルめっき膜９の上に電解金めっき膜10を被着
させるには、従来周知の中性シアン化金めっき浴を使用
し、0.1〜１Ａ／ｄｍ２の電流密度でめっきを施す方法
が採用され得る。

【００２６】なお、上述のように接続パッド２ａの表面
を無電解ニッケルめっき膜７および無電解金めっき膜８
で順次被覆するとともに外部リードピン３の表面を電解
ニッケルめっき膜９および電解金めっき膜10で順次被覆
するには、例えばまず配線導体２が配設された絶縁基体
１を準備するとともに、この絶縁基体１に配設された配
線導体２の接続パッド２ａおよび外部リードピン接続パ
ッド２ｂの露出表面に無電解めっき法により無電解ニッ
ケルめっき膜７を被着させ、次に無電解ニッケルめっき
膜７が被着された外部リード端子接続パッド２ｂに外部
リードピン３を例えば銀−銅合金から成るろう材６を介
して接合し、次に接続パッド２ａおよび外部リードピン
接続パッド２ｂを被覆する無電解ニッケルめっき膜７・
外部リードピン３・ろう材６の各露出表面に無電解めっ
き法により無電解金めっき膜８を被着させ、次に絶縁基
体１の上面を接続パッド２ａが被覆されるようにマスク
するとともに、マスクから露出した外部リードピン接続
パッド２ｂ上の無電解ニッケルめっき膜７・外部リード
ピン３・ろう材６に被着された無電解金めっき膜８をエ
ッチング除去し、次にマスクから露出した外部リードピ
ン接続パッド２ｂ上の無電解ニッケルめっき７・外部リ
ードピン３・ろう材６の各露出表面に電解ニッケルめっ
き膜９および電解金めっき膜10を電解めっき法により順
次被着させ、最後に絶縁基体１の上面からマスクを除去
する方法が採用され得る。

【００２７】かくして、本発明の半導体素子搭載用配線
基板によれば、接続パッド２ａと半田バンプ５との接続
性に優れるとともに、外部リードピン３の耐食性に優
れ、かつ生産性に優れた半導体素子搭載用配線基板を提
供することができる。

【００２８】なお、本発明は、上述の実施の形態例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば、種々の変更が可能であることはいうまでもな
い。

【００２９】

【発明の効果】本発明の半導体素子搭載用配線基板によ
れば、接続パッドは無電解めっき膜により被覆されてい
ることから、半導体素子の各電極と接続パッドとを全て
安定かつ強固に接続することができる。また、外部リー
ドピンは電解めっき膜により被覆されており、電解めっ
き膜は組織が緻密でピンホールや膨れが発生しにくいこ
とから、外部リードピンの耐食性が良好なものとなる。
さらに電解めっき膜は、その析出速度が速いことから、
外部リードピンに対して十分な厚みのめっき膜を短時間
で被着させることができるので配線基板の生産性が高
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体素子搭載用配線基板の実施の形
態例を示す断面図である。

【図２】図１に示す半導体素子搭載用配線基板の要部拡
大断面図である。

【図３】図１に示す半導体素子搭載用配線基板の要部拡
大断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・配線導体 ２ａ・・・・・接続パッド ３・・・・・・外部リードピン ４・・・・・・半導体素子 ７・・・・・・無電解ニッケルめっき膜 ８・・・・・・無電解金めっき膜 ９・・・・・・電解ニッケルめっき膜 10・・・・・・電解金めっき膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子を搭載するための絶縁基体の
   表面に、前記半導体素子の各電極が接続される接続パッ
   ドと、前記絶縁基体に設けた配線導体を介して前記接続
   パッドに電気的に接続された外部リードピンとを備えて
   成り、前記接続パッドは無電解めっき膜により、前記外
   部リードピンは電解めっき膜によりそれぞれ被覆されて
   いることを特徴とする半導体素子搭載用配線基板。
2. 【請求項２】 前記無電解めっき膜が無電解ニッケルめ
   っき膜および該無電解ニッケルめっき膜上に被着された
   無電解金めっき膜から成り、前記電解めっき膜が電解ニ
   ッケルめっき膜および該電解ニッケルめっき膜上に被着
   された電解金めっき膜から成ることを特徴とする請求項
   １記載の半導体素子搭載用配線基板。
3. 【請求項３】 前記無電解金めっき膜の厚みが０．０１
   〜１．０μｍであり、前記電解金めっき膜の厚みが０．
   ５〜５．０μｍであることを特徴とする請求項２記載の
   半導体素子搭載用配線基板。
4. 【請求項４】 前記無電解ニッケルめっき膜がホウ素を
   ０．０５〜５．０重量％含有するニッケル−ホウ素合金
   めっき膜から成ることを特徴とする請求項２または請求
   項３記載の半導体素子搭載用配線基板。
5. 【請求項５】 前記無電解ニッケルめっき膜がホウ素を
   ０．５〜５．０重量％含有する第１のニッケル−ホウ素
   合金めっき膜と、該第１のニッケル−ホウ素合金めっき
   膜上に被着されたホウ素を０．０５〜５．０重量％含有
   する第２のニッケル−ホウ素合金めっき膜とから成るこ
   とを特徴とする請求項２または請求項３記載の半導体素
   子搭載用配線基板。