JP2003273144A - 集積回路用のトランスファ成形処理においてプレフォーム膜を使用するシステム及び方法 - Google Patents

集積回路用のトランスファ成形処理においてプレフォーム膜を使用するシステム及び方法

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JP2003273144A JP2003023609A JP2003023609A JP2003273144A JP 2003273144 A JP2003273144 A JP 2003273144A JP 2003023609 A JP2003023609 A JP 2003023609A JP 2003023609 A JP2003023609 A JP 2003023609A JP 2003273144 A JP2003273144 A JP 2003273144A
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マイケル シーゲル ハリー
M Chu Anthony
エム． チュウ アンソニー
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 「膜援助型成形」として知られる集積回路用
のトランスファ成形処理においてプレフォーム膜を使用
するシステム及び方法を提供する。 【解決手段】 集積回路の一部を成形化合物で封止する
ためにトランスファモールドを使用するタイプのトラン
スファ成形処理においてプレフォーム膜を使用するシス
テム及び方法を提供する。柔軟な物質からなる膜をプレ
フォームさせてその膜の形状をトランスファモールドの
モールドキャビティ表面に倣わさせる。次いで、プレフ
ォーム膜をトランスファモールドのモールドキャビティ
の表面に隣接して配置させる。モールドキャビティを成
形化合物で充填させ且つ集積回路を封止させる。膜のプ
レフォームは、従来の方法の場合には使用するのに適切
でない物質を使用することを可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大略、集積回路に
関するものであって、更に詳細には、集積回路用のトラ
ンスファ成形処理においてプレフォーム膜を使用するシ
ステム及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱硬化性プラスチックのトランスファモ
ールディング即ちトランスファ成形は公知であり且つ集
積回路（ＩＣ）をパッケージングするための通常使用さ
れる技術である。トランスファモールディングプロセス
即ちトランスファ成形処理はＩＣの一部の周りに液化プ
ラスチック物質をモールド即ち成形させる。トランスフ
ァモールドをＩＣの上に配置させ且つトランスファモー
ルドを液化熱硬化性プラスチック物質で充填する。液化
熱硬化性プラスチック物質が引き締まり且つ固化した後
に、トランスファモールドをＩＣから除去する。固化し
たプラスチック物質は封止したＩＣに対し機械的及び環
境的な保護を与える。例示的なトランスファ成形処理に
ついて図１乃至５を参照してより詳細に説明する。
【０００３】成形技術における進化が、集積回路チップ
の選択した区域を露出させるプラスチックパーツにおけ
る開口を形成する多数の方法を提供している。これらの
開口は、集積回路装置の機能性が集積回路の表面に対し
て直接的に物理的、環境的又は光学的アクセスを有する
ことに依存する適用例においては必須のものである。こ
のようなアクセスを必要とする装置例としては、これら
の制限されるものではないが、ＣＭＯＳチップ及びＣＣ
Ｄチップを使用するカメラ、圧力変換器、容量結合に依
存するバイオメトリックセンサー (例えば、指紋検知
用)等がある。
【０００４】露出されたＩＣ表面を形成するための２つ
の基本的なタイプのトランスファ成形技術が存在してい
る。両方のタイプにおいて、ＩＣ表面の選択した区域か
らプラスチックを排除することが必要である。このこと
を行うために、デリケートなＩＣダイ表面をトランスフ
ァモールドの一部と接触させるか又はクランプすること
が必要である。然しながら、トランスファモールドは、
通常、焼入鋼から構成されており、従ってデリケートな
ＩＣダイ表面と接触するトランスファモールドの表面は
硬く且つ柔軟性のないものである。トランスファモール
ドはＩＣダイ表面の高さ及び位置に存在する通常の寸法
変動を吸収するものではない。そのことは、トランスフ
ァモールドがＩＣダイ表面と接触する場合には、トラン
スファモールドは、通常、ＩＣダイ表面に対して損傷を
発生させることを意味している。
【０００５】第一のタイプのトランスファ成形技術は、
トランスファモールドがＩＣダイ表面と接触する区域に
柔軟な物質を設けることによってこの問題に対処してい
る。この柔軟な物質は、トランスファモールドがＩＣダ
イ表面と接触するトランスファモールドの面に半永久的
に取付けられる。この柔軟な物質はＩＣダイ表面に対し
てトランスファモールドのクランプ作用にクッションを
与える。例えば、シリコーンから構成されるクッション
を、トランスファモールドがＩＣダイ表面と接触する臨
界的な接触区域においてトランスファモールドに取付け
ることが可能である。例えば、米国特許第５，８９７，
３３８号を参照すると良い。このタイプの技術は「ソフ
トインサート (ｓｏｆｔ ｉｎｓｅｒｔ)」成形技術と
呼称される。然しながら、ソフトインサート成形技術に
は幾つかの問題が存在している。シリコーンは柔らかい
物質であり且つ迅速に磨耗する。それはしばしば交換さ
れねばならない。シリコーン物質の交換は比較的高価な
作業である。更に、柔らかいシリコーン物質は時間と共
に埋込粒子を回収する場合がある。これらの埋込粒子は
デリケートなＩＣダイ表面を損傷する場合がある。
【０００６】２番目のタイプのトランスファ成形技術
は、トランスファモールドの表面を被覆する取り替え可
能な柔軟な膜を供給することによりトランスファモール
ドがＩＣダイ表面をクランプする区域に対してクッショ
ン作用を与える。トランスファモールドが使用される度
にトランスファモールドの表面上に新たな膜を配置させ
る。従って、トランスファモールドは、常に、その上で
それが使用される各ＩＣダイ表面に対して新たな綺麗な
柔軟な表面を提供する。
【０００７】この柔軟な膜は、通常、連続的に供給され
るテープの形態である。トランスファモールドが膜テー
プの一部の上に配置される。膜をストレッチし、膜を所
望の形状とさせ、且つトランスファモールドのモールド
キャビティの表面の輪郭に対して膜を所定位置に保持す
るためにトランスファモールドにおいて特別のピン及び
真空ポートを設けねばならない。これは、トランスファ
モールドの処理が行われる時にモールドキャビティの内
側表面の輪郭に対して膜を適合させるために必要であ
る。この処理は「膜援助型成形 (ｆｉｌｍ ａｓｓｉｓ
ｔｅｄ ｍｏｌｄｉｎｇ)」 (ＦＡＭ)技術と呼称され
る。例えば、米国特許第５，８００，８４１号を参照す
ると良い。このＦＡＭ技術は、使用することが可能な物
質のタイプを制限する。何故ならば、全てのタイプの柔
軟な物質がＦＡＭ技術を使用して成功裡にストレッチさ
せ且つ形成することが可能なものではないからである。
【０００８】従って、「膜援助型成形」として知られる
トランスファ成形処理に対する改良を提供するシステム
及び方法に対する必要性が存在している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、「膜援助型成形」として知られる集積回路
に対するトランスファ成形処理においてプレフォーム膜
(ｐｒｅ−ｆｏｒｍｅｄ ｆｉｌｍ)を使用するシステ
ム及び方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、大略、封止型
集積回路を製造する改善したシステム及び方法を提供し
ている。本発明システム及び方法はトランスファモール
ディングプロセス即ちトランスファ成形処理においてプ
レフォームしたフィルム即ちプレフォーム膜を使用す
る。トランスファモールドのモールドキャビティ表面に
対して膜の形状を倣わせるために柔軟な物質からなる膜
をプレフォームさせる。このプレフォームした膜即ちプ
レフォーム膜をトランスファモールドのモールドキャビ
ティの表面に隣接して配置させる。次いで、モールドキ
ャビティを液化成形化合物で充填し且つ集積回路を封止
させる。成形化合物が固化した後に、封止された集積回
路をトランスファモールドから除去する。
【００１１】本発明の目的とするところは、トランスフ
ァモールドのモールドキャビティの表面に隣接して配置
されるべきプレフォーム膜を提供することにより「膜援
助型成形」に対する改善したシステム及び方法を提供す
ることである。
【００１２】本発明の別の目的とするところは、トラン
スファ成形処理の前に柔軟な物質からなる膜をプレフォ
ームすることによって「膜援助型成形」に対する改善し
たシステム及び方法を提供することである。
【００１３】本発明の更に別の目的とするところは、従
来の方法によって使用することが不可能な物質を使用す
る膜をプレフォームすることによって「膜援助型成形」
に対する改善したシステム及び方法を提供することであ
る。
【００１４】本発明の更に別の目的とするところは、テ
ープの各部分をトランスファモールドのモールドキャビ
ティ表面に倣わせるためにテープの一部をプレフォーム
させる場合に柔軟な物質の膜からなるテープを提供する
ことにより「膜援助型成形」に対する改善したシステム
及び方法を提供することである。
【００１５】本発明の更に別の目的とするところは、ト
ランスファモールドの上半分に対してプレフォーム膜を
供給することにより且つトランスファモールドの下半分
に対してプレフォームを供給することにより「膜援助型
成形」に対する改善したシステム及び方法を提供するこ
とである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に説明する図１乃至９及び本
明細書において本発明の原理を説明するために使用する
種々の実施例は単に例示的なものであって本発明の技術
的範囲を制限すべく解釈されるべきではない。当業者に
よって理解されるように、本発明の原理は任意の適宜構
成された集積回路において実現することが可能である。
【００１７】図１は例示的な従来のトランスファモール
ド１００の概略断面図を示している。例示的なトランス
ファモールド１００は、トランスファモールド１００の
本体を介して延在するチャンネル１２０及びチャンネル
１２２を形成する部分を有している。チャンネル１２０
及びチャンネル１２２はトランスファモールド１００の
下側表面１４０によって形成される第一モールドキャビ
ティ１３０からトランスファモールド１００の上側外部
表面１５０へ延在している。
【００１８】例示的トランスファモールド１００は、
又、トランスファモールド１００の本体を介して延在す
るチャンネル１６０，１６２，１６４，１６６を形成す
る部分を有している。チャンネル１６０，１６２，１６
４，１６６は、トランスファモールド１００の下側表面
１４０によって形成される第二モールドキャビティ１７
０からトランスファモールド１００の上側外部表面１５
０へ延在している。
【００１９】図１は、又、集積回路基板１９０上に装着
されている集積回路ダイ１８０を示している。説明の便
宜上、集積回路ダイ１８０と集積回路基板１９０との間
の回路接続は示していない。図１は、又、例えばフルオ
ロカーボン等の柔軟な物質から構成されている従来の平
坦なフィルム即ち膜２００を示している。従来の「膜援
助型成形」技術は、トランスファモールド１００の下側
に膜２００を配置させることにより開始する。即ち、膜
２００はトランスファモールド１００と集積回路基板１
９０上の集積回路ダイ１８０との間に配置される。
【００２０】図１に示したように、膜２００はトランス
ファモールド１００の下側表面１４０を完全に被覆す
る。膜２００はトランスファモールド１００の底部にわ
たって配置され、従って膜２００はモールドキャビティ
１３０及びモールドキャビティ１７０を密閉させる。こ
の時点において、モールドキャビティ１３０はチャンネ
ル１２０及びチャンネル１２２を介して大気へのアクセ
スを有しており且つモールドキャビティ１７０はチャン
ネル１６０，１６２，１６４，１６６を介して大気への
アクセスを有している。
【００２１】真空ポンプ (不図示)がトランスファモー
ルド１００の上部外部表面１５０におけるチャンネル１
２０，１２２，１６０，１６２，１６４，１６６の開口
へ接続している。真空ポンプはモールドキャビティ１３
０内から及びモールドキャビティ１７０内から空気をポ
ンプアウトすべく活性化される。空気がチャンネル１２
０，１２２，１６０，１６２，１６４，１６６を介して
除去されるに従い、膜２００の外部表面上の大気圧力が
膜２００をトランスファモールド１００の下側表面１４
０に対して押付ける。図２に示したように、膜２００は
ストレッチし且つトランスファモールド１００の下側表
面１４０のモールド輪郭に対して所定位置にフィットさ
れる。
【００２２】膜２００をトランスファモールド１００の
下側表面１４０のモールド輪郭に対して所定位置にフィ
ットさせた後に、トランスファモールド１００を集積回
路ダイ１８０及び集積回路基板１９０の上の所定位置に
下降させる。図３は、どのようにしてトランスファモー
ルド１００が集積回路ダイ１８０及び集積回路基板１９
０上の所定位置にフィットするかを示している。膜２０
０は集積回路ダイ１８０の表面上に載置され、それがト
ランスファモールド１００の本体に接触することを防止
する。図３に示した例においては、集積回路ダイ１８０
の左側端部部分がモールドキャビティ１７０内に延在し
ている。
【００２３】図４は、集積回路ダイ１８０及び集積回路
基板１９０上の所定位置に下降されているトランスファ
モールド１００の断面図を示しており、その場合に、モ
ールドキャビティ１３０及びモールドキャビティ１７０
は成形化合物で充填されている。この成形化合物は、通
常、熱硬化性プラスチック物質３００を有している。液
化プラスチック物質３００を、トランスファモールド１
００を貫通する１個又はそれ以上の別個のチャンネル
(不図示)を介して圧力下でモールドキャビティ１３０及
びモールドキャビティ１７０内に注入される。
【００２４】図５に示したように、モールドキャビティ
１３０内及びモールドキャビティ１７０内の液化プラス
チック物質３００が引き締められ且つ固化された後に、
トランスファモールド１００を集積回路ダイ１８０と、
集積回路基板１９０と、固化したプラスチック物質３０
０からなる結合体から分離させる。固化したプラスチッ
ク物質３００は集積回路ダイ１８０に対して機械的及び
環境的な保護を与える。図５に示したように、集積回路
ダイ１８０の露出部分３２０は大気に対して開放したま
まである。
【００２５】前述したものは、例示的な従来の「膜援助
型成形」 (ＦＡＭ)技術を記載するものである。前述し
たように、ＦＡＭ技術は使用することが可能な物質のタ
イプを制限する。何故ならば、上述したＦＡＭ技術を使
用して全てのタイプの柔軟な物質を成功裡にストレッチ
させ且つ形成することが可能なものではないからであ
る。
【００２６】図６は集積回路をモールディングした後に
露出表面を形成するための本発明のプレフォーム膜６０
０を示している。本発明の原理によれば、膜６００は、
それがトランスファモールド１００内の所定位置に配置
される前に、トランスファモールド１００のキャビティ
の形状にプレフォーム即ち予め形状が形成される。膜６
００はエンボッシング (ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ)、スタン
ピング (ｓｔａｍｐｉｎｇ)又は通常平坦なテープをト
ランスファモールド１００のキャビティの近似的な形状
に形成させることによってプレフォームさせる。対照的
に、従来のＦＡＭ技術は、成形処理を実施する時にトラ
ンスファモールド１００のキャビティ形状に従来の膜２
００を強制的に倣わさせる即ち適合させる。
【００２７】本発明の原理に基づく膜６００のプレフォ
ームは、従来のＦＡＭ技術の場合に使用するのには不適
切である物質を使用することを可能とする。例えば、従
来のＦＡＭ技術を使用して膜として成功裡に使用するの
にはある物質は硬すぎるものがある。
【００２８】このような物質の特定の例はシリコーン塗
被ラテックス飽和紙ライナーである。このような紙ライ
ナーは市販されている (例えば、Ｌｏｐａｒｅｘ２−６
０ＳＦ−１５７及びＬｏｐａｒｅｘ２−６０ＳＦ−１６
８Ｂ)。本発明のプレフォーム処理 (例えば、エンボッ
シング)は、膜の端部が非拘束状態にある間に実施され
る。このことは、シリコーン塗被ラテックス飽和紙ライ
ナーをより容易に必要な変形を行わせることを可能とす
る。
【００２９】更に、トランスファモールド１００のキャ
ビティ形状へのプレフォーム膜６００は、実質的に、テ
ープピニング、テープストレッチング、真空保持に対す
る従来のＦＡＭ技術の条件を減少させる。膜６００のプ
レフォーム形状はトランスファモールド１００のキャビ
ティ形状を近似することを必要とするに過ぎない。何故
ならば、ＦＡＭ処理期間中に、（１）真空保持が膜６０
０をしてトランスファモールド１００のモールドキャビ
ティの表面へ接着させ、且つ（２）圧力下での成形化合
物３００の注入は強制的に膜６００をトランスファモー
ルド１００のモールドキャビティの形状に倣わさせる。
【００３０】膜６００のプレフォームは、多数の従来の
処理によって達成することが可能である。膜６００をプ
レフォームするための１つの好適な処理はエンボッシン
グ処理である。膜エンボッシングは、トランスファ成形
において通常遭遇する多数の特徴を吸収することが可能
である。トランスファモールド１００を設計する場合の
特別の注意 (例えば、豊富な抜け勾配及び豊富な半径を
与えること)はプレフォーム膜６００を成功裡に挿入さ
せ且つモールディングさせることを容易化させる。
【００３１】膜６００をプレフォームするためのプレフ
ォーム操作は、モールディングプロセス即ち成形処理の
直前に実施することが可能である。膜６００をトランス
ファモールド１００内に配置させる直前にトランスファ
モールド１００のモールドキャビティの形状に倣う形状
に膜６００をプレフォームさせるためにエンボッシング
装置 (不図示)を使用することが可能である。一方、膜
６００をプレフォームするためのプレフォーム操作は、
トランスファ成形処理とは別に且つそれより充分前に実
施することが可能である。
【００３２】図７に示したように、膜６００は連続的な
テープ７００の形態でプレフォームさせることが可能で
ある。テープ７００ (Ａ乃至Ｂ)の第一ユニット７１０
は膜６００の最初の単位を表している。同様に、テープ
７００の第二ユニット７２０(Ｂ乃至Ｃ)は膜６００の２
番目の単位を表している。テープ７００は所望数の膜６
００のユニットとして製造することが可能である。従っ
て、テープ７００は従来の長さへ切断させることが可能
である。予め切断した長さのテープ７００をピックアッ
プし且つ順番に膜６００の個別的なユニットをトランス
ファモールド１００内へ供給させるためにロボット技術
を使用することが可能である。
【００３３】トランスファ成形処理が行われる各集積回
路に対して単に１つのユニットの膜６００が使用される
に過ぎない。即ち、トランスファモールド１００が使用
される度に、新たなユニットの膜６００がトランスファ
モールド１００の下側表面１４０上に配置される。この
ように、トランスファモールド１００は、常に、処理さ
れる各集積回路ダイ１８０に対して新しくクリーンで柔
軟な表面の膜６００を提供する。
【００３４】図８は本発明の別の好適実施例を示してい
る。リードフレームを具備する従来のプラスチックパッ
ケージをモールドするために本発明の原理を使用するこ
とが可能である。このようなパッケージは、例えば、デ
ュアルインラインパッケージ(ＤＩＰ)、スモールアウト
ラインパッケージ、シンスモールアウトラインパッケー
ジ、プラスチッククワッドフラットパック (ＰＱＦＰ)
パッケージ、及びその他のタイプのパッケージ等があ
る。
【００３５】図８は上側半分８１０と下側半分８２０と
を有するトランスファモールド８００の一部を示してい
る。集積回路ダイ１８０が集積回路基板１９０上に装着
されており且つトランスファモールド８００の上側半分
８１０と下側半分８２０との間に配置されている。トラ
ンスファモールド８００の上側半分８１０と下側半分８
２０とが合わせられると、それらはモールドキャビティ
８５０を形成する。
【００３６】本発明のこの別の好適実施例において
(１)本発明のプレフォーム膜８３０はトランスファモー
ルド８００の上側半分８１０の下側表面に対して配置さ
れ、且つ (２)本発明のプレフォーム膜８４０はトラン
スファモールド８００の下側半分８２０の上側表面に対
して配置される。この特定の変形実施例においては、成
形化合物 (図８には示していない)をプレフォーム膜８
３０と集積回路基板１９０との間に形成されている通路
を介して (及びプレフォーム膜８４０と集積回路基板１
９０との間に形成されている通路を介して)モールドキ
ャビティ８５０内に導入させる。
【００３７】このように、トランスファモールド８００
の上側半分８１０上のプレフォーム膜８３０及びトラン
スファモールド８００の下側半分８２０上のプレフォー
ム膜８４０はモールドキャビティ８５０の両側をプラス
チックの「汚染」から保護する。プレフォーム膜８３０
及びプレフォーム膜８４０はダムバーに沿ってのクラン
プ区域を密封することに貢献し従って樹脂の流出を防止
する。
【００３８】図９は集積回路用のトランスファ成形処理
においてプレフォーム膜を使用するための本発明方法の
好適実施例のフローチャートを示している。本方法のス
テップは、通常、参照番号９００で示してある。
【００３９】本方法の第一ステップは、柔軟な物質から
なる膜６００を供給することである(ステップ９１０)。
次いで、膜６００をトランスファモールド１００のモー
ルドキャビティの表面に対して膜６００の形状を倣わさ
せる (ステップ９２０)。次いで、プレフォーム膜６０
０をトランスファモールド１００のモールドキャビティ
内に配置させる (ステップ９３０)。前述したように、
プレフォーム膜６００は、トランスファモールド１００
のチャンネル１２０，１２２，１６０，１６２，１６
４，１６６へ真空を付与することによってトランスファ
モールド１００のモールドキャビティ内の所定位置に保
持させることが可能である。
【００４０】次いで、トランスファモールド１００を集
積回路ダイ１８０及び基板１９０の上に配置させる (ス
テップ９４０)。次いで、プレフォーム膜６００が集積
回路ダイ１８０及び基板１９０の表面を被覆する。次い
で、トランスファモールド１００のモールドキャビティ
をトランスファモールド１００を介しての１個又はそれ
以上の別個のチャンネル (不図示)を介して成形化合物
３００で充填させる (ステップ９５０)。次いで、成形
化合物３００が固化した場合に、トランスファモールド
１００を集積回路ダイ１８０及び基板１９０から除去す
る (ステップ９６０)。
【００４１】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 集積回路基板上の集積回路ダイの上に配置さ
れた例示的な従来のトランスファモールド及びトランス
ファモールドと集積回路ダイとの間に配置された柔軟な
物質からなる従来の膜を示した概略断面図。
【図２】 従来の方法を使用してトランスファモールド
のモールドキャビティの輪郭に対して従来の膜をストレ
ッチさせ且つ所定位置にフィットさせた例示的な従来の
トランスファモールドの概略断面図。
【図３】 集積回路基板上の集積回路ダイの上の所定位
置に下降させた従来の膜がフィットされている例示的な
従来のトランスファモールドの概略断面図。
【図４】 トランスファモールドのキャビティがプラス
チック成形化合物で充填されている集積回路基板上の集
積回路ダイの上の所定位置に下降された例示的な従来の
トランスファモールドの概略断面図。
【図５】 プラスチック物質が成形された集積回路ダイ
と集積回路基板の結合体から分離した図４に示した例示
的な従来のトランスファモールドの概略断面図。
【図６】 本発明の柔軟物質からなるプレフォーム膜の
好適実施例及び集積回路基板上の集積回路ダイの上に配
置させたトランスファモールドの概略断面図。
【図７】 本発明の２つのユニットのプレフォーム膜を
有する連続的なテープの好適実施例を示した概略図。
【図８】 本発明の別の好適実施例を示した概略図。
【図９】 集積回路内に成形した後に露出表面を形成す
るためにプレフォーム膜を供給するための本発明方法の
好適実施例のフローチャートを示した概略図。
【符号の説明】
１００ トランスファモールド １８０ 集積回路ダイ １９０ 集積回路基板 ３００ 成形化合物 ６００ プレフォーム膜 ７００ テープ ８００ トランスファモールド ８１０ 上側半分 ８２０ 下側半分 ８５０ モールドキャビティ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハリー マイケル シーゲル アメリカ合衆国， テキサス 76053， ハースト， ウィールウッド ドライブ 825 (72)発明者 アンソニー エム． チュウ アメリカ合衆国， テキサス 75082， リチャードソン， バターカップ ドライ ブ 2563 Ｆターム(参考） 4F206 AD08 AH33 JA02 JB12 JB17 4M109 AA01 BA01 CA21 DA06 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 成形用化合物内に集積回路の一部を封止
    させるためにトランスファモールドを使用するタイプの
    トランスファ成形処理において使用するものであり前記
    トランスファ成形処理においてプレフォーム膜を使用す
    る方法において、 柔軟性物質からなる膜を供給し、 前記膜の形状を前記トランスファモールドのモールドキ
    ャビティ表面に倣うように前記柔軟物質からなる膜をプ
    レフォームし、 前記柔軟物質からなるプレフォーム膜を前記トランスフ
    ァモールドの前記モールドキャビティ表面に隣接した前
    記トランスファモールド内に配置させる、上記各ステッ
    プを有していることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記柔軟性物質の膜
    をプレフォームするステップを、前記膜を前記トランス
    ファモールド内に配置させる直前における前記トランス
    ファ成形処理期間中に実施することを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 請求項１において、前記膜を前記トラン
    スファモールドの前記モールドキャビティ表面の形状に
    ほぼ倣う形状にプレフォームさせることを特徴とする方
    法。
  4. 【請求項４】 請求項１において、前記トランスファモ
    ールドのモールドキャビティ表面に対して前記膜の形状
    が倣うように前記柔軟性物質の膜をプレフォームするス
    テップが、前記膜のエンボッシング及び前記膜のスタン
    ピングのうちの１つを有していることを特徴とする方
    法。
  5. 【請求項５】 請求項１において、更に、 集積回路基板上の集積回路ダイの上に前記トランスファ
    モールドを配置し、 前記トランスファモールドの前記モールドキャビティを
    液化成形化合物で充填し、 前記成形化合物を固化させ、 前記成形化合物が固化した後に前記集積回路ダイ及び前
    記集積回路基板から前記トランスファモールドを除去す
    る、上記各ステップを有していることを特徴とする方
    法。
  6. 【請求項６】 集積回路の一部を成形化合物内に封止さ
    せるためにトランスファモールドを使用するタイプのト
    ランスファ成形処理において使用するものであって前記
    トランスファ成形処理においてプレフォーム膜を使用す
    る方法において、 柔軟性物質の膜からなるテープを供給し、 前記テープの前記一部の形状を前記トランスファモール
    ドのモールドキャビティ表面に倣うように前記テープの
    一部をプレフォームし、 前記テープの前記プレフォーム部分を前記トランスファ
    モールドの前記モールドキャビティ表面に隣接した前記
    トランスファモールド内に配置させる、上記各ステップ
    を有していることを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項６において、更に、 前記テープの複数個の部分の各々の形状を前記トランス
    ファモールドの前記モールドキャビティ表面に倣わせる
    ために前記テープの前記複数個の部分をプレフォーム
    し、 前記テープの前記複数個の部分のうちの１つをトランス
    ファ成形処理期間中に前記トランスファモールドの前記
    モールドキャビティ表面に隣接している前記トランスフ
    ァモールド内に配置させる、上記各ステップを有してい
    ることを特徴とする方法。
  8. 【請求項８】 請求項６において、前記テープの前記一
    部をプレフォームするステップが、前記テープの前記一
    部が前記トランスファモールド内に配置される直前に前
    記トランスファ成形処理期間中に実施されることを特徴
    とする方法。
  9. 【請求項９】 請求項６において、前記テープの前記一
    部が前記トランスファモールドの前記モールドキャビテ
    ィ表面の形状にほぼ倣う形状にプレフォームされること
    を特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１において、前記テープの前記
    一部の形状を前記トランスファモールドのモールドキャ
    ビティ表面に倣わせるために前記テープの前記一部をプ
    レフォームするステップが、前記テープの前記一部のエ
    ンボッシング及び前記テープの前記一部のスタンピング
    のうちの１つを有していることを特徴とする方法。
  11. 【請求項１１】 請求項６において、更に、 集積回路基板上の集積回路ダイの上に前記トランスファ
    モールドを配置し、 前記トランスファモールドの前記モールドキャビティを
    液化成形化合物で充填し、 前記成形化合物を固化させ、 前記成形化合物が固化した後に前記集積回路ダイ及び集
    積回路基板から前記トランスファモールドを除去する、
    上記各ステップを有していることを特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】 集積回路の一部を成形化合物内に封止
    させるためにトランスファモールドの上半分とトランス
    ファモールドの下半分とを使用するタイプのトランスフ
    ァ成形処理において使用するためであって前記トランス
    ファ成形処理においてプレフォーム膜を使用する方法に
    おいて、 柔軟物質の第一膜を供給し、 前記第一膜の形状を前記トランスファモールドの前記上
    半分のモールドキャビティ表面に倣わせるために柔軟な
    物質の前記第一膜をプレフォームし、 前記柔軟物質のプレフォームした第一膜を前記トランス
    ファモールドの前記上半分の前記モールドキャビティ表
    面に隣接した前記トランスファモールドの前記上半分内
    に配置し、 柔軟物質の第二膜を供給し、 前記第二膜の形状を前記トランスファモールドの前記下
    半分のモールドキャビティ表面に倣わせるために前記柔
    軟な物質の第二膜をプレフォームし、 前記柔軟物質のプレフォームした第二膜を前記トランス
    ファモールドの前記下半分の前記モールドキャビティ表
    面に隣接した前記トランスファモールドの前記下半分内
    に配置させる、上記各ステップを有していることを特徴
    とする方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２において、前記柔軟物質の
    第一膜をプレフォームするステップを、前記第一膜を前
    記トランスファモールドの前記上半分内に配置させる直
    前に前記トランスファ成形処理期間中に実施させ、前記
    柔軟物質の第二膜をプレフォームするステップが前記第
    二膜を前記トランスファモールドの前記下半分内に配置
    させる前に前記トランスファ成形処理期間中に実施させ
    る、ことを特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２において、前記第一膜を、
    前記トランスファモールドの前記上半分の前記モールド
    キャビティ表面の形状にほぼ倣う形状へプレフォームさ
    せ、前記第二膜を、前記トランスファモールドの前記下
    半分の前記モールドキャビティ表面の形状にほぼ倣う形
    状にプレフォームさせることを特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２において、前記第一膜の形
    状を前記トランスファモールドの前記上半分のモールド
    キャビティ表面に倣わせるために前記柔軟物質の第一膜
    をプレフォームするステップが、前記第一膜のエンボッ
    シング及び前記第一膜のスタンピングのうちの１つを有
    しており、前記第二膜の形状を前記トランスファモール
    ドの前記下半分のモールドキャビティ表面に倣わせるた
    めに前記柔軟物質の第二膜をプレフォームするステップ
    が、前記第二膜のエンボッシング及び前記第二膜のスタ
    ンピングのうちの１つを有していることを特徴とする方
    法。
  16. 【請求項１６】 請求項１２において、更に、 集積回路基板上の集積回路ダイの周りに前記トランスフ
    ァモールドの前記上半分と前記トランスファモールドの
    前記下半分とを配置させて前記集積回路基板上の前記集
    積回路ダイの周りにモールドキャビティを形成し、 前記トランスファモールドの前記モールドキャビティを
    液化成形化合物で充填し、 前記成形化合物を固化させ、 前記成形化合物が固化した後に前記集積回路ダイ及び前
    記集積回路基板から前記トランスファモールドを除去す
    る、ことを特徴とする方法。
  17. 【請求項１７】 集積回路の一部を成形化合物内に封止
    させるトランスファモールドを使用するタイプのトラン
    スファ成形処理において使用するものであって、前記ト
    ランスファモールドのモールドキャビティ表面の形状に
    倣う形状を具備する柔軟物質のプレフォーム膜。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記膜の柔軟物
    質はエンボッシング及びスタンピングのうちの１つによ
    って変形させることが可能であることを特徴とする膜。
  19. 【請求項１９】 請求項１７において、前記膜がシリコ
    ーン塗被ラテックス飽和紙ライナーを有していることを
    特徴とする膜。
  20. 【請求項２０】 集積回路の一部を成形化合物内に封止
    させるためにトランスファモールドを使用するタイプの
    トランスファ成形処理において使用するものであって、
    柔軟物質の膜を有するプレフォームテープにおいて、前
    記テープが複数個の部分を有しており、前記テープの各
    部分が前記トランスファモールドのモールドキャビティ
    表面の形状に倣う形状を有していることを特徴とするプ
    レフォームテープ。
  21. 【請求項２１】 請求項２０において、前記膜の柔軟物
    質がエンボッシング及びスタンピングのうちの１つによ
    って変形させることが可能であることを特徴とするプレ
    フォームテープ。
  22. 【請求項２２】 請求項２０において、前記膜がシリコ
    ーン塗被ラテックス飽和紙ライナーを有していることを
    特徴とするプレフォームテープ。
  23. 【請求項２３】 集積回路の一部を成形化合物内に封止
    させるためにトランスファモールドの上半分とトランス
    ファモールドの下半分とを使用するタイプのトランスフ
    ァ成形処理において使用するプレフォーム膜において、 前記トランスファモールドの前記上半分のモールドキャ
    ビティ表面の形状に倣う形状を具備している柔軟物質の
    第一プレフォーム膜、 前記トランスファモールドの前記下半分のモールドキャ
    ビティ表面の形状に倣う形状を具備している柔軟物質の
    第二プレフォーム膜、を有していることを特徴とするプ
    レフォーム膜。
  24. 【請求項２４】 請求項２３において、前記第一及び第
    二プレフォーム膜の柔軟物質がエンボッシング及びスタ
    ンピングのうちの１つによって変形させることが可能で
    あることを特徴とするプレフォーム膜。
  25. 【請求項２５】 請求項２３において、前記第一及び第
    二プレフォーム膜の各々がシリコーン塗被ラテックス飽
    和紙ライナーを有していることを特徴とするプレフォー
    ム膜。
  26. 【請求項２６】 請求項１の方法に従って製造された集
    積回路。
  27. 【請求項２７】 請求項６の方法に従って製造された集
    積回路。
  28. 【請求項２８】 請求項７の方法に従って製造された集
    積回路。
  29. 【請求項２９】 請求項１２の方法に従って製造された
    集積回路。
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