JP2003273086A - ドライエッチング方法および半導体製造装置 - Google Patents
ドライエッチング方法および半導体製造装置Info
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- JP2003273086A JP2003273086A JP2002075762A JP2002075762A JP2003273086A JP 2003273086 A JP2003273086 A JP 2003273086A JP 2002075762 A JP2002075762 A JP 2002075762A JP 2002075762 A JP2002075762 A JP 2002075762A JP 2003273086 A JP2003273086 A JP 2003273086A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高アスペクト比のホール形成において、エッ
チング後に炭素含有生成物が残存しない、かつ、エッチ
ング形状が悪化しないドライエッチング方法および半導
体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に形成した酸化膜で構成さ
れる被加工領域の上に形成されたレジストマスクを用
い、反応室内にエッチングガスを導入しプラズマ化する
ことにより、前記被加工領域を選択的にエッチングする
際に、前記被加工領域をフルオロカーボン系ガスを主エ
ッチングガスとして用いエッチングし、その後に反応室
内部材および半導体基板上に堆積した炭素含有生成物を
酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する。
チング後に炭素含有生成物が残存しない、かつ、エッチ
ング形状が悪化しないドライエッチング方法および半導
体製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に形成した酸化膜で構成さ
れる被加工領域の上に形成されたレジストマスクを用
い、反応室内にエッチングガスを導入しプラズマ化する
ことにより、前記被加工領域を選択的にエッチングする
際に、前記被加工領域をフルオロカーボン系ガスを主エ
ッチングガスとして用いエッチングし、その後に反応室
内部材および半導体基板上に堆積した炭素含有生成物を
酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いた
ドライエッチング方法に係り、特に高アスペクト比のホ
ールを形成するためのドライエッチング方法の改良に関
するものである。
ドライエッチング方法に係り、特に高アスペクト比のホ
ールを形成するためのドライエッチング方法の改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の半導体デバイスの製造において、
反応室内にプラズマを生成させて、ドライエッチングを
行うプラズマ加工は、高集積化された半導体デバイス内
の要素を加工するために欠かせない技術である。例え
ば、層間絶縁膜に、配線とトランジスタのソース・ドレ
イン領域などの活性領域とを接続するためのコンタクト
ホールや、配線間を接続するためのバイヤホールを形成
する際には、図７に示す状態で加工を行う。同図におい
て、４はシリコン基板、２はシリコン基板４上に形成さ
れた層間絶縁膜である酸化膜、１は酸化膜２上に形成さ
れたレジストマスク、５は酸化膜２の一部を選択的にド
ライエッチングして形成されるコンタクトホールをそれ
ぞれ示す。エッチングを行う際には、反応室内にプラズ
マを生成して、プラズマイオンの衝突によって下方への
エッチングを進行させる一方、コンタクトホール５の側
壁にはエッチング反応等によって生じたデポ物を堆積さ
せることにより側方へのエッチングの進行を阻止するよ
うにしている。すなわち、このような異方性エッチング
によって、微細な径を有しながら層間絶縁膜を貫通する
コンタクトホールやバイヤホールを形成することができ
る。
反応室内にプラズマを生成させて、ドライエッチングを
行うプラズマ加工は、高集積化された半導体デバイス内
の要素を加工するために欠かせない技術である。例え
ば、層間絶縁膜に、配線とトランジスタのソース・ドレ
イン領域などの活性領域とを接続するためのコンタクト
ホールや、配線間を接続するためのバイヤホールを形成
する際には、図７に示す状態で加工を行う。同図におい
て、４はシリコン基板、２はシリコン基板４上に形成さ
れた層間絶縁膜である酸化膜、１は酸化膜２上に形成さ
れたレジストマスク、５は酸化膜２の一部を選択的にド
ライエッチングして形成されるコンタクトホールをそれ
ぞれ示す。エッチングを行う際には、反応室内にプラズ
マを生成して、プラズマイオンの衝突によって下方への
エッチングを進行させる一方、コンタクトホール５の側
壁にはエッチング反応等によって生じたデポ物を堆積さ
せることにより側方へのエッチングの進行を阻止するよ
うにしている。すなわち、このような異方性エッチング
によって、微細な径を有しながら層間絶縁膜を貫通する
コンタクトホールやバイヤホールを形成することができ
る。
【０００３】ところで、半導体デバイスサイズの縮小に
ともない、配線幅やコンタクトの径はますます小さくな
っている。しかるに、コンタクトホールやバイヤホール
の形成工程を例にとれば、ホール径は小さくなっている
にもかかわらず、層間絶縁膜の厚さはほとんど薄くなっ
ていない。したがって、ホール径に対する層間絶縁膜の
厚さの比（アスペクト比）は、ますます大きくなってき
ている。また、レジストマスクもホール径の縮小にとも
ない、レジスト膜厚が薄膜化されてきている。
ともない、配線幅やコンタクトの径はますます小さくな
っている。しかるに、コンタクトホールやバイヤホール
の形成工程を例にとれば、ホール径は小さくなっている
にもかかわらず、層間絶縁膜の厚さはほとんど薄くなっ
ていない。したがって、ホール径に対する層間絶縁膜の
厚さの比（アスペクト比）は、ますます大きくなってき
ている。また、レジストマスクもホール径の縮小にとも
ない、レジスト膜厚が薄膜化されてきている。
【０００４】このような技術トレンドの中、高アスペク
ト比のホールを形成するためには、被加工領域とレジス
トマスク領域を明確に区別するための対レジスト選択比
の向上と、半導体基板上の活性領域をエッチングしない
ための対シリコン基板との選択比の向上が要求されてい
る。この要求を満足するため、層間絶縁膜である酸化膜
のエッチングガスとしては炭素に対するフッ素の比が低
いＣ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、Ｃ 4Ｆ6等のフルオロカーボンガスが
用いられている。
ト比のホールを形成するためには、被加工領域とレジス
トマスク領域を明確に区別するための対レジスト選択比
の向上と、半導体基板上の活性領域をエッチングしない
ための対シリコン基板との選択比の向上が要求されてい
る。この要求を満足するため、層間絶縁膜である酸化膜
のエッチングガスとしては炭素に対するフッ素の比が低
いＣ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、Ｃ 4Ｆ6等のフルオロカーボンガスが
用いられている。
【０００５】以下図面を参照しながら、上記したドライ
エッチング方法の一例について説明する。
エッチング方法の一例について説明する。
【０００６】図８は従来のフルオロカーボンガスを用い
たコンタクトホール形成のドライエッチング方法を示す
ものである。図８において、１はレジストマスク、２は
酸化膜、３はコバルトサリサイド、４はシリコン基板、
５はコンタクトホール、６は炭素含有生成物である。
たコンタクトホール形成のドライエッチング方法を示す
ものである。図８において、１はレジストマスク、２は
酸化膜、３はコバルトサリサイド、４はシリコン基板、
５はコンタクトホール、６は炭素含有生成物である。
【０００７】まず、膜構成である図８（ａ）について説
明する。シリコン基板４上にコバルトサリサイド３を５
０ｎｍ形成し、層間絶縁膜である酸化膜２を１５００ｎ
ｍ成長し、マスク材料であるレジスト１を７００ｎｍ塗
布、パターン形成することで、被エッチング領域を区別
する。今回は、ドライエッチング装置としては、プラズ
マ生成制御用ソースＲＦ電力と、入射イオンエネルギー
制御用バイアスＲＦ電力が独立に制御可能な誘導結合型
プラズマ装置を使用した。
明する。シリコン基板４上にコバルトサリサイド３を５
０ｎｍ形成し、層間絶縁膜である酸化膜２を１５００ｎ
ｍ成長し、マスク材料であるレジスト１を７００ｎｍ塗
布、パターン形成することで、被エッチング領域を区別
する。今回は、ドライエッチング装置としては、プラズ
マ生成制御用ソースＲＦ電力と、入射イオンエネルギー
制御用バイアスＲＦ電力が独立に制御可能な誘導結合型
プラズマ装置を使用した。
【０００８】最初に第１の工程で酸化膜２をエッチング
する。このときのエッチング条件は、ソースＲＦ電力２
２００Ｗ、バイアスＲＦ電力２２００Ｗ、Ｃ4Ｆ8流量２
１ｓｃｃｍ、ＣＨ2Ｆ2流量８ｓｃｃｍ、ＣＯ流量７０ｓ
ｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、ガス圧力５ｍＴｏｒ
ｒ、エッチング時間１５０秒である。ここで、エッチン
グ時間１５０秒は、計算上のジャストエッチング時間１
００秒とエッチレート、酸化膜厚等のばらつきを考慮し
たオーバーエッチング５０秒の合計値である。
する。このときのエッチング条件は、ソースＲＦ電力２
２００Ｗ、バイアスＲＦ電力２２００Ｗ、Ｃ4Ｆ8流量２
１ｓｃｃｍ、ＣＨ2Ｆ2流量８ｓｃｃｍ、ＣＯ流量７０ｓ
ｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、ガス圧力５ｍＴｏｒ
ｒ、エッチング時間１５０秒である。ここで、エッチン
グ時間１５０秒は、計算上のジャストエッチング時間１
００秒とエッチレート、酸化膜厚等のばらつきを考慮し
たオーバーエッチング５０秒の合計値である。
【０００９】図８（ｂ）に第１の工程、エッチング時間
１００秒進行後の図を示す。酸化膜２がエッチングさ
れ、コバルトサリサイド３上でエッチングが停止してい
ることがわかる。
１００秒進行後の図を示す。酸化膜２がエッチングさ
れ、コバルトサリサイド３上でエッチングが停止してい
ることがわかる。
【００１０】図８（ｃ）に第１の工程、エッチング時間
１５０秒終了後の図を示す。コバルトサリサイド３上、
レジストマスク１上に、炭素含有生成物６が堆積してい
ることがわかる。炭素含有生成物６は炭素、フッ素、シ
リコンを主とした堆積物である。この炭素含有生成物が
酸素原子を含む酸化膜２以外の酸素を含まないコンタク
トホール５底部のコバルトサリサイド３上、レジストマ
スク１上に堆積することで、高選択性が達成可能とな
る。また、この図では示さなかったが、炭素含有生成物
６は反応室内部材にも大量に堆積する。次に第２の工程
で炭素含有生成物６を除去する。このときのエッチング
条件は、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲＦ電力
２００Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ガス圧力３０ｍＴ
ｏｒｒ、エッチング時間６０秒である。
１５０秒終了後の図を示す。コバルトサリサイド３上、
レジストマスク１上に、炭素含有生成物６が堆積してい
ることがわかる。炭素含有生成物６は炭素、フッ素、シ
リコンを主とした堆積物である。この炭素含有生成物が
酸素原子を含む酸化膜２以外の酸素を含まないコンタク
トホール５底部のコバルトサリサイド３上、レジストマ
スク１上に堆積することで、高選択性が達成可能とな
る。また、この図では示さなかったが、炭素含有生成物
６は反応室内部材にも大量に堆積する。次に第２の工程
で炭素含有生成物６を除去する。このときのエッチング
条件は、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲＦ電力
２００Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ガス圧力３０ｍＴ
ｏｒｒ、エッチング時間６０秒である。
【００１１】図８（ｄ）に第２の工程終了後の図を示
す。第２の工程で炭素含有生成物６の除去を行う。酸素
プラズマを用いるため、炭素含有生成物６とレジストマ
スク１の除去も行う。コンタクトホール５は形成されて
いるが、酸化膜２上、コバルトサリサイド３上に微小に
炭素含有生成物６が残存する。この図では示さなかった
が、反応室内部材に堆積した炭素含有生成物６も完全に
除去することはできない。
す。第２の工程で炭素含有生成物６の除去を行う。酸素
プラズマを用いるため、炭素含有生成物６とレジストマ
スク１の除去も行う。コンタクトホール５は形成されて
いるが、酸化膜２上、コバルトサリサイド３上に微小に
炭素含有生成物６が残存する。この図では示さなかった
が、反応室内部材に堆積した炭素含有生成物６も完全に
除去することはできない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来のドライエッチン
グ方法で形成された、酸化膜上に残存する炭素含有生成
物はシリコンを含んでいるため、後工程で一般的に用い
られている酸素プラズマアッシング、硫過水（硫酸と過
酸化水素水の混合液）洗浄では完全に除去することはで
きない。その結果、後工程の膜はがれ、最終的にコンタ
クト抵抗不良、半導体デバイスの歩留まり低下等の異常
を招くことになる。
グ方法で形成された、酸化膜上に残存する炭素含有生成
物はシリコンを含んでいるため、後工程で一般的に用い
られている酸素プラズマアッシング、硫過水（硫酸と過
酸化水素水の混合液）洗浄では完全に除去することはで
きない。その結果、後工程の膜はがれ、最終的にコンタ
クト抵抗不良、半導体デバイスの歩留まり低下等の異常
を招くことになる。
【００１３】対策として、炭素含有生成物を除去するた
め、上記第２の工程のエッチング時間を長くする、ある
いは、バイアスＲＦ電力を大きくすることが考えられる
が、図８（ｄ）に示すように、酸素プラズマのスパッタ
リング力の増大につながり、コンタクトホールトップの
広がり等の形状悪化につながる。その結果、配線間ショ
ート等による歩留まり低下を引きおこす。
め、上記第２の工程のエッチング時間を長くする、ある
いは、バイアスＲＦ電力を大きくすることが考えられる
が、図８（ｄ）に示すように、酸素プラズマのスパッタ
リング力の増大につながり、コンタクトホールトップの
広がり等の形状悪化につながる。その結果、配線間ショ
ート等による歩留まり低下を引きおこす。
【００１４】また、レジストマスク上、反応室内部材等
に残存した炭素含有生成物の堆積量は制御が非常に難し
い。その結果、ウエハ連続処理時におけるエッチング特
性の連続再現性のばらつき、設備パーティクルの増大等
の問題点を有していた。
に残存した炭素含有生成物の堆積量は制御が非常に難し
い。その結果、ウエハ連続処理時におけるエッチング特
性の連続再現性のばらつき、設備パーティクルの増大等
の問題点を有していた。
【００１５】本発明は上記問題点に鑑み、第２の工程に
おいてフッ素濃度の調整、添加ガスを用いることで、前
記問題点を確実に解消しうるドライエッチング方法およ
び半導体製造装置を提供することを目的とする。
おいてフッ素濃度の調整、添加ガスを用いることで、前
記問題点を確実に解消しうるドライエッチング方法およ
び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、請求項１、２、３に記載されている第
１のドライエッチング方法に関する手段と、請求項４、
５、６に記載されている第２のドライエッチング方法に
関する手段と、請求項７、８、９に記載されている第３
のドライエッチング方法に関する手段とを講じている。
に、本発明では、請求項１、２、３に記載されている第
１のドライエッチング方法に関する手段と、請求項４、
５、６に記載されている第２のドライエッチング方法に
関する手段と、請求項７、８、９に記載されている第３
のドライエッチング方法に関する手段とを講じている。
【００１７】本発明の第１のドライエッチング方法は、
請求項１に記載されているように、半導体基板上に形成
した酸化膜で構成される被加工領域の上に形成されたレ
ジストマスクを用い、反応室内にエッチングガスを導入
しプラズマ化することにより、前記被加工領域を選択的
にエッチングするドライエッチング方法において、前記
被加工領域をフルオロカーボン系ガスを主エッチングガ
スとして用いエッチングする第１の工程と、前記第１の
工程終了後に反応室内部材および半導体基板上に堆積し
た炭素含有生成物を酸素ガスを主エッチングガスとして
用い除去する第２の工程からなり、炭素含有生成物を安
定的に除去できるようにプラズマ中のフッ素濃度を調整
する方法であり、前記第２の工程の主エッチングガスと
して酸素に、微小のフッ素を含有するフルオロカーボン
をエッチングガスとして添加することで、前記炭素含有
生成物を安定的に除去することである。
請求項１に記載されているように、半導体基板上に形成
した酸化膜で構成される被加工領域の上に形成されたレ
ジストマスクを用い、反応室内にエッチングガスを導入
しプラズマ化することにより、前記被加工領域を選択的
にエッチングするドライエッチング方法において、前記
被加工領域をフルオロカーボン系ガスを主エッチングガ
スとして用いエッチングする第１の工程と、前記第１の
工程終了後に反応室内部材および半導体基板上に堆積し
た炭素含有生成物を酸素ガスを主エッチングガスとして
用い除去する第２の工程からなり、炭素含有生成物を安
定的に除去できるようにプラズマ中のフッ素濃度を調整
する方法であり、前記第２の工程の主エッチングガスと
して酸素に、微小のフッ素を含有するフルオロカーボン
をエッチングガスとして添加することで、前記炭素含有
生成物を安定的に除去することである。
【００１８】この方法により、以下の作用が得られる。
炭素含有生成物の主成分は炭素、フッ素、シリコンであ
る。前記第２の工程の主エッチングガスが酸素のみであ
る場合、シリコンの除去が困難となってくる。そこで、
前記第２の工程に微小のフッ素を含有するフルオロカー
ボンガスを添加することで、シリコンの除去が容易とな
り、炭素含有生成物が安定的に除去可能となる。
炭素含有生成物の主成分は炭素、フッ素、シリコンであ
る。前記第２の工程の主エッチングガスが酸素のみであ
る場合、シリコンの除去が困難となってくる。そこで、
前記第２の工程に微小のフッ素を含有するフルオロカー
ボンガスを添加することで、シリコンの除去が容易とな
り、炭素含有生成物が安定的に除去可能となる。
【００１９】本発明の第２のドライエッチング方法は、
請求項５に記載されているように、下部電極上に設置さ
れる半導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した
部材を設け、部材自体からプラズマ中にフッ素を生成さ
せることで、前記炭素含有生成物を安定的に除去するこ
とである。
請求項５に記載されているように、下部電極上に設置さ
れる半導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した
部材を設け、部材自体からプラズマ中にフッ素を生成さ
せることで、前記炭素含有生成物を安定的に除去するこ
とである。
【００２０】この方法により、以下の作用が得られる。
前記第２の工程において、酸素ガスのみを用いた場合で
も、プラズマ中に部材自体からフッ素が解離してきて、
シリコンの除去が容易となり、炭素含有生成物が安定的
に除去可能となる。
前記第２の工程において、酸素ガスのみを用いた場合で
も、プラズマ中に部材自体からフッ素が解離してきて、
シリコンの除去が容易となり、炭素含有生成物が安定的
に除去可能となる。
【００２１】本発明の第３のドライエッチング方法は、
請求項７に記載されているように、第２の工程中で酸素
プラズマによる被加工領域の加工制御の悪化防止のた
め、添加ガスを加えること、添加ガスは酸素と比較し、
原子量の軽い、つまり、スパッタリングレートの遅いヘ
リウムあるいは窒素であり、酸素流量と添加ガスの流量
の合計が３００ｓｃｃｍ以上に設定することである。
請求項７に記載されているように、第２の工程中で酸素
プラズマによる被加工領域の加工制御の悪化防止のた
め、添加ガスを加えること、添加ガスは酸素と比較し、
原子量の軽い、つまり、スパッタリングレートの遅いヘ
リウムあるいは窒素であり、酸素流量と添加ガスの流量
の合計が３００ｓｃｃｍ以上に設定することである。
【００２２】この方法により、以下の作用が得られる。
第２の工程で酸素プラズマを用いた場合、図８（ｄ）に
示すようなコンタクトホールトップがスパッタリングさ
れることにより拡大し形状が悪化する。添加ガスとして
酸素と比較し原子量の軽いヘリウムを用いることで、形
状悪化を防止することができる。
第２の工程で酸素プラズマを用いた場合、図８（ｄ）に
示すようなコンタクトホールトップがスパッタリングさ
れることにより拡大し形状が悪化する。添加ガスとして
酸素と比較し原子量の軽いヘリウムを用いることで、形
状悪化を防止することができる。
【００２３】請求項１０に記載されているように、第１
の工程でエッチングガスとして用いるフルオロカーボン
はＣ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、Ｃ4Ｆ6の少なくと
もいずれか１つを含ませることができる。
の工程でエッチングガスとして用いるフルオロカーボン
はＣ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、Ｃ4Ｆ6の少なくと
もいずれか１つを含ませることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】まず、本発明のドライエッチング
方法の意義を説明するため、本発明をなすまでに行った
実験データについて、図面を参照しながら説明する。
方法の意義を説明するため、本発明をなすまでに行った
実験データについて、図面を参照しながら説明する。
【００２５】（第１の実施形態）以下本発明の一実施の
形態のドライエッチング方法について、図面を参照しな
がら説明する。
形態のドライエッチング方法について、図面を参照しな
がら説明する。
【００２６】図１は本発明の第１の実施の形態における
フルオロカーボンガスを用いたコンタクトホール形成の
ドライエッチング方法を示すものである。
フルオロカーボンガスを用いたコンタクトホール形成の
ドライエッチング方法を示すものである。
【００２７】図１において、１はレジストマスク、２は
酸化膜、３はコバルトサリサイド、４はシリコン基板、
５はコンタクトホール、６は炭素含有生成物である。
酸化膜、３はコバルトサリサイド、４はシリコン基板、
５はコンタクトホール、６は炭素含有生成物である。
【００２８】まず、膜構成である図１（ａ）について説
明する。シリコン基板４上にコバルトサリサイド３を５
０ｎｍ形成し、層間絶縁膜である酸化膜２を１５００ｎ
ｍ成長し、マスク材料であるレジスト１を７００ｎｍ塗
布、パターン形成することで、被加工領域を区別する。
明する。シリコン基板４上にコバルトサリサイド３を５
０ｎｍ形成し、層間絶縁膜である酸化膜２を１５００ｎ
ｍ成長し、マスク材料であるレジスト１を７００ｎｍ塗
布、パターン形成することで、被加工領域を区別する。
【００２９】今回は、ドライエッチング装置としては、
プラズマ生成制御用ソースＲＦ電力と、入射イオンエネ
ルギー制御用バイアスＲＦ電力が独立に制御可能な誘導
結合型プラズマ装置を使用した。最初に第１の工程で酸
化膜２をエッチングする。このときのエッチング条件
は、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲＦ電力２２
００Ｗ、Ｃ4Ｆ8流量２１ｓｃｃｍ、ＣＨ2Ｆ2流量８ｓｃ
ｃｍ、ＣＯ流量７０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、
ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間１５０秒であ
る。ここで、エッチング時間１５０秒は、計算上のジャ
ストエッチング時間１００秒と、エッチレート、酸化膜
厚等のばらつきを考慮したオーバーエッチング５０秒の
合計値である。
プラズマ生成制御用ソースＲＦ電力と、入射イオンエネ
ルギー制御用バイアスＲＦ電力が独立に制御可能な誘導
結合型プラズマ装置を使用した。最初に第１の工程で酸
化膜２をエッチングする。このときのエッチング条件
は、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲＦ電力２２
００Ｗ、Ｃ4Ｆ8流量２１ｓｃｃｍ、ＣＨ2Ｆ2流量８ｓｃ
ｃｍ、ＣＯ流量７０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、
ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間１５０秒であ
る。ここで、エッチング時間１５０秒は、計算上のジャ
ストエッチング時間１００秒と、エッチレート、酸化膜
厚等のばらつきを考慮したオーバーエッチング５０秒の
合計値である。
【００３０】図１（ｂ）に第１の工程、エッチング時間
１００秒進行後の図を示す。酸化膜２がエッチングさ
れ、コバルトサリサイド３上でエッチングが停止してい
ることがわかる。
１００秒進行後の図を示す。酸化膜２がエッチングさ
れ、コバルトサリサイド３上でエッチングが停止してい
ることがわかる。
【００３１】図１（ｃ）に第１の工程、エッチング時間
１５０秒終了後の図を示す。コバルトサリサイド３上、
レジストマスク１上に、炭素含有生成物６が堆積してい
ることがわかる。炭素含有生成物６は炭素、フッ素、シ
リコンを主とした堆積物である。この炭素含有生成物が
酸素原子を含む酸化膜２以外（Ｃ＋Ｏ→ＣＯｘ）の、酸
素を含まないコンタクトホール５底部のコバルトサリサ
イド３上、レジストマスク１上に堆積することで、高選
択性が達成可能となる。次に第２の工程で炭素含有生成
物を除去する。
１５０秒終了後の図を示す。コバルトサリサイド３上、
レジストマスク１上に、炭素含有生成物６が堆積してい
ることがわかる。炭素含有生成物６は炭素、フッ素、シ
リコンを主とした堆積物である。この炭素含有生成物が
酸素原子を含む酸化膜２以外（Ｃ＋Ｏ→ＣＯｘ）の、酸
素を含まないコンタクトホール５底部のコバルトサリサ
イド３上、レジストマスク１上に堆積することで、高選
択性が達成可能となる。次に第２の工程で炭素含有生成
物を除去する。
【００３２】従来の技術で示した図８（ｄ）では、酸素
プラズマのみを用いるため、酸化膜２上、コバルトサリ
サイド３上に微小に炭素含有生成物６が残存している。
プラズマのみを用いるため、酸化膜２上、コバルトサリ
サイド３上に微小に炭素含有生成物６が残存している。
【００３３】炭素含有生成物が残存する反応メカニズム
について説明する。図２は第２の工程処理中におけるプ
ラズマ中の発光強度比を示すものである。同図におい
て、横軸は第２の工程のエッチング時間、縦軸は発光強
度比を示す。第２の工程ではエッチングガスとして酸素
のみ用いていないが、約３０秒までＣ2（５２０ｎｍ）
と、Ｆ（６８４ｎｍ）の発光が観察され、約３０秒から
６０秒まではＣ2とＦは観察されていない。この現象
は、第１の工程終了後に反応室内部材および半導体基板
上に堆積した大量の炭素含有生成物が、第２の工程の酸
素と反応し、化学反応が進行したものである。炭素含有
生成物（Ｃ、Ｆ、Ｓｉ）と酸素の反応でＣ2、Ｆ、ＣＯ
ｘ、ＣＦｘ、ＳｉＦｘ等の形で反応、揮発性ガスとして
排気される。ここで、炭素含有物のＣ、Ｆは第２の工程
の酸素でのみ化学反応が進行するため、残存することは
ないが、Ｓｉは酸素との反応性はないため残存する。つ
まり、Ｓｉは炭素含有生成物中のＦとの反応に依存した
ものであり、ＦがＳｉより先に排気されてしまうと確実
に残存する。炭素含有生成物、なかでもＳｉの除去性
は、炭素含有生成物中のＦに依存しており、Ｆが消滅し
た時点で除去不可能となる。
について説明する。図２は第２の工程処理中におけるプ
ラズマ中の発光強度比を示すものである。同図におい
て、横軸は第２の工程のエッチング時間、縦軸は発光強
度比を示す。第２の工程ではエッチングガスとして酸素
のみ用いていないが、約３０秒までＣ2（５２０ｎｍ）
と、Ｆ（６８４ｎｍ）の発光が観察され、約３０秒から
６０秒まではＣ2とＦは観察されていない。この現象
は、第１の工程終了後に反応室内部材および半導体基板
上に堆積した大量の炭素含有生成物が、第２の工程の酸
素と反応し、化学反応が進行したものである。炭素含有
生成物（Ｃ、Ｆ、Ｓｉ）と酸素の反応でＣ2、Ｆ、ＣＯ
ｘ、ＣＦｘ、ＳｉＦｘ等の形で反応、揮発性ガスとして
排気される。ここで、炭素含有物のＣ、Ｆは第２の工程
の酸素でのみ化学反応が進行するため、残存することは
ないが、Ｓｉは酸素との反応性はないため残存する。つ
まり、Ｓｉは炭素含有生成物中のＦとの反応に依存した
ものであり、ＦがＳｉより先に排気されてしまうと確実
に残存する。炭素含有生成物、なかでもＳｉの除去性
は、炭素含有生成物中のＦに依存しており、Ｆが消滅し
た時点で除去不可能となる。
【００３４】以上、炭素含有生成物の堆積量は制御不可
能であるため、第２の工程での炭素含有物の除去も結果
的に不安定なものとなる。
能であるため、第２の工程での炭素含有物の除去も結果
的に不安定なものとなる。
【００３５】図１（ｄ）に本実施の形態における第２の
工程終了後の図を示す。このときのエッチング条件は、
ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲＦ電力２００
Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ＣＦ4流量１０ｓｃｃ
ｍ、ガス圧力３０ｍＴｏｒｒ、エッチング時間６０秒で
ある。
工程終了後の図を示す。このときのエッチング条件は、
ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲＦ電力２００
Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ＣＦ4流量１０ｓｃｃ
ｍ、ガス圧力３０ｍＴｏｒｒ、エッチング時間６０秒で
ある。
【００３６】従来例に対して、図１（ｄ）では第２の工
程で酸素に、エッチングガスとしてＣＦ4を添加してい
るため、Ｆの供給が安定的になり、Ｓｉの除去が容易
（Ｓｉ＋Ｆ→ＳｉＦｘ）となることで、炭素含有生成物
が完全に除去可能となる。但し、ＣＦ4の流量を大きく
すると、酸化膜２自体もエッチングする可能性があるの
で、酸化膜２をエッチングせずに、コンタクトホール５
の形状を悪化させることのない、酸素流量に対する５％
以下の添加流量にすることが好ましい。
程で酸素に、エッチングガスとしてＣＦ4を添加してい
るため、Ｆの供給が安定的になり、Ｓｉの除去が容易
（Ｓｉ＋Ｆ→ＳｉＦｘ）となることで、炭素含有生成物
が完全に除去可能となる。但し、ＣＦ4の流量を大きく
すると、酸化膜２自体もエッチングする可能性があるの
で、酸化膜２をエッチングせずに、コンタクトホール５
の形状を悪化させることのない、酸素流量に対する５％
以下の添加流量にすることが好ましい。
【００３７】図３はＣＦ4を添加したときの第２の工程
処理中におけるプラズマ中の発光強度比を示すものであ
る。Ｆ（６８４ｎｍ）の発光が約３０秒以降も観察され
ており、安定してフッ素が微小に供給されていることが
わかる。
処理中におけるプラズマ中の発光強度比を示すものであ
る。Ｆ（６８４ｎｍ）の発光が約３０秒以降も観察され
ており、安定してフッ素が微小に供給されていることが
わかる。
【００３８】以上のように、前記第２の工程の主エッチ
ングガスとして酸素に、微小のフッ素を含有するフルオ
ロカーボンをエッチングガスとして添加することで、炭
素含有生成物を安定的に除去することができる。
ングガスとして酸素に、微小のフッ素を含有するフルオ
ロカーボンをエッチングガスとして添加することで、炭
素含有生成物を安定的に除去することができる。
【００３９】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施の形態について図面を参照しながら説明する。
実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４０】図４は第２の工程処理中における反応室内
概略図を示す図である。図４において、７は下部電極、
８は半導体基板、９は電極周辺リング、１０はプラズマ
生成用コイル、１１はソースＲＦ電源、１２はバイアス
ＲＦ電源、１３はガス噴出し板、６は炭素含有生成物で
ある。第１の工程後に反応室内部材、半導体基板８上に
炭素含有生成物６が大量に堆積していることがわかる。
また、炭素含有生成物（Ｃ、Ｆ、Ｓｉ）と酸素の反応で
Ｃ2、Ｆ、ＣＯｘ、ＣＦｘ、ＳｉＦｘ等の形で反応、揮
発性ガスとして排気されていることもわかる。
概略図を示す図である。図４において、７は下部電極、
８は半導体基板、９は電極周辺リング、１０はプラズマ
生成用コイル、１１はソースＲＦ電源、１２はバイアス
ＲＦ電源、１３はガス噴出し板、６は炭素含有生成物で
ある。第１の工程後に反応室内部材、半導体基板８上に
炭素含有生成物６が大量に堆積していることがわかる。
また、炭素含有生成物（Ｃ、Ｆ、Ｓｉ）と酸素の反応で
Ｃ2、Ｆ、ＣＯｘ、ＣＦｘ、ＳｉＦｘ等の形で反応、揮
発性ガスとして排気されていることもわかる。
【００４１】図５は本発明の第２の実施の形態における
下部電極上に設置される半導体基板の周辺に、あらかじ
めフッ素を含有した部材を設けたときの反応室概略図を
示すものである。図５において、７は下部電極、８は半
導体基板、９は電極周辺リング、１０はプラズマ生成用
コイル、１１はソースＲＦ電源、１２はバイアスＲＦ電
源、１３はガス噴出し板である。ここで、電極周辺リン
グ９の材料としてはテフロンを用いた（テフロンはデュ
ポン社の登録商標）。図５に示すようにテフロンを電極
周辺部材に用いることで、第２の工程処理中のプラズマ
中において、テフロン自体からフッ素が供給される。こ
のことにより、第１の実施の形態で示したことと同等の
結果を確認できた。
下部電極上に設置される半導体基板の周辺に、あらかじ
めフッ素を含有した部材を設けたときの反応室概略図を
示すものである。図５において、７は下部電極、８は半
導体基板、９は電極周辺リング、１０はプラズマ生成用
コイル、１１はソースＲＦ電源、１２はバイアスＲＦ電
源、１３はガス噴出し板である。ここで、電極周辺リン
グ９の材料としてはテフロンを用いた（テフロンはデュ
ポン社の登録商標）。図５に示すようにテフロンを電極
周辺部材に用いることで、第２の工程処理中のプラズマ
中において、テフロン自体からフッ素が供給される。こ
のことにより、第１の実施の形態で示したことと同等の
結果を確認できた。
【００４２】以上のように、下部電極上に設置される半
導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した部材を
設け、部材自体からプラズマ中にフッ素を生成させるこ
とで、炭素含有生成物を安定的に除去することができ
る。
導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した部材を
設け、部材自体からプラズマ中にフッ素を生成させるこ
とで、炭素含有生成物を安定的に除去することができ
る。
【００４３】なお、第２の実施の形態において、電極周
辺リングの材料はテフロンとしたが、事前にフッ素がド
ープされたシリコン、ＳｉＣとしてもよい。
辺リングの材料はテフロンとしたが、事前にフッ素がド
ープされたシリコン、ＳｉＣとしてもよい。
【００４４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施の形態について図面を参照しながら説明する。
実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４５】図６は本発明の第３の実施の形態における
第２の工程処理後のエッチング形状の改善を示すもので
ある。
第２の工程処理後のエッチング形状の改善を示すもので
ある。
【００４６】図６において、図６（ａ）は第２の工程後
の従来例を、図６（ｂ）は第２の工程後の第３の実施の
形態を示すものである。図６において、２は酸化膜、３
はコバルトサリサイド、４はシリコン基板、５はコンタ
クトホールである。このときのエッチング条件を示す。
第１の工程のエッチング条件は、図６（ａ）、図６
（ｂ）共通で、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲ
Ｆ電力２２００Ｗ、Ｃ4Ｆ8流量２１ｓｃｃｍ、ＣＨ2Ｆ2
流量８ｓｃｃｍ、ＣＯ流量７０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０
ｓｃｃｍ、ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間１５
０秒である。第２の工程のエッチング条件は、図６
（ａ）において、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアス
ＲＦ電力２００Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ガス圧力
３０ｍＴｏｒｒ、エッチング時間１００秒であり、図６
（ｂ）において、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアス
ＲＦ電力２００Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ヘリウム
３０ｓｃｃｍ、ガス圧力３０ｍＴｏｒｒ、エッチング時
間１００秒である。
の従来例を、図６（ｂ）は第２の工程後の第３の実施の
形態を示すものである。図６において、２は酸化膜、３
はコバルトサリサイド、４はシリコン基板、５はコンタ
クトホールである。このときのエッチング条件を示す。
第１の工程のエッチング条件は、図６（ａ）、図６
（ｂ）共通で、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアスＲ
Ｆ電力２２００Ｗ、Ｃ4Ｆ8流量２１ｓｃｃｍ、ＣＨ2Ｆ2
流量８ｓｃｃｍ、ＣＯ流量７０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０
ｓｃｃｍ、ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、エッチング時間１５
０秒である。第２の工程のエッチング条件は、図６
（ａ）において、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアス
ＲＦ電力２００Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ガス圧力
３０ｍＴｏｒｒ、エッチング時間１００秒であり、図６
（ｂ）において、ソースＲＦ電力２２００Ｗ、バイアス
ＲＦ電力２００Ｗ、酸素流量７５０ｓｃｃｍ、ヘリウム
３０ｓｃｃｍ、ガス圧力３０ｍＴｏｒｒ、エッチング時
間１００秒である。
【００４７】図６（ａ）に示す従来例では、コンタクト
ホールのトップ径が広がっている。これは、第１の工程
で堆積した炭素含有生成物を除去するため、第２の工程
で、酸素プラズマによる過剰な時間、バイアスＲＦ電力
でエッチングを実施したため、コンタクトホールのトッ
プが酸素プラズマでスパッタリングされ、形状が悪化し
たものである。図６（ｂ）では、コンタクトホールのト
ップ径は広がっておらず良好な形状である。エッチング
ガスとして、酸素と比較し原子量の軽いヘリウムを添加
しているため、コンタクトホールトップがスパッタリン
グされないためである。
ホールのトップ径が広がっている。これは、第１の工程
で堆積した炭素含有生成物を除去するため、第２の工程
で、酸素プラズマによる過剰な時間、バイアスＲＦ電力
でエッチングを実施したため、コンタクトホールのトッ
プが酸素プラズマでスパッタリングされ、形状が悪化し
たものである。図６（ｂ）では、コンタクトホールのト
ップ径は広がっておらず良好な形状である。エッチング
ガスとして、酸素と比較し原子量の軽いヘリウムを添加
しているため、コンタクトホールトップがスパッタリン
グされないためである。
【００４８】以上のように、第１の工程終了後に反応室
内部材および半導体基板上に堆積した炭素含有生成物を
酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する第２の
工程からなり、第２の工程中で酸素プラズマによる被加
工領域の加工制御の悪化防止のため、添加ガスを用いる
ことが有効であることがわかる。
内部材および半導体基板上に堆積した炭素含有生成物を
酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する第２の
工程からなり、第２の工程中で酸素プラズマによる被加
工領域の加工制御の悪化防止のため、添加ガスを用いる
ことが有効であることがわかる。
【００４９】なお、第３の実施の形態において、添加ガ
スはヘリウムとしたが、酸素より原子量の軽い窒素とし
てもよい。
スはヘリウムとしたが、酸素より原子量の軽い窒素とし
てもよい。
【００５０】
【発明の効果】請求項１から３によれば、半導体基板上
に形成した酸化膜で構成される被加工領域の上に形成さ
れたレジストマスクを用い、反応室内にエッチングガス
を導入しプラズマ化することにより、前記被加工領域を
選択的にエッチングするドライエッチング方法におい
て、前記被加工領域をフルオロカーボン系ガスを主エッ
チングガスとして用いエッチングする第１の工程と、前
記第１の工程終了後に反応室内部材および半導体基板上
に堆積した炭素含有生成物を酸素ガスを主エッチングガ
スとして用い除去する第２の工程からなり、プラズマ中
のフッ素濃度を調整することで炭素含有生成物を安定的
に除去することができる。
に形成した酸化膜で構成される被加工領域の上に形成さ
れたレジストマスクを用い、反応室内にエッチングガス
を導入しプラズマ化することにより、前記被加工領域を
選択的にエッチングするドライエッチング方法におい
て、前記被加工領域をフルオロカーボン系ガスを主エッ
チングガスとして用いエッチングする第１の工程と、前
記第１の工程終了後に反応室内部材および半導体基板上
に堆積した炭素含有生成物を酸素ガスを主エッチングガ
スとして用い除去する第２の工程からなり、プラズマ中
のフッ素濃度を調整することで炭素含有生成物を安定的
に除去することができる。
【００５１】請求項４から６によれば、前記第１の工程
後に堆積した炭素含有生成物は、下部電極上に設置され
る半導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した部
材を設け、部材自体からプラズマ中にフッ素を生成させ
る半導体製造装置を用いることで、炭素含有生成物を安
定的に除去することができる。
後に堆積した炭素含有生成物は、下部電極上に設置され
る半導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した部
材を設け、部材自体からプラズマ中にフッ素を生成させ
る半導体製造装置を用いることで、炭素含有生成物を安
定的に除去することができる。
【００５２】請求項７から９によれば、添加ガスとし
て、主エッチングガスである酸素と比較し、原子量の軽
い、つまり、スパッタリングレートの遅いヘリウムある
いは窒素を用いることで、第２の工程中で酸素プラズマ
による被加工領域の加工制御の悪化を防止することがで
きる。
て、主エッチングガスである酸素と比較し、原子量の軽
い、つまり、スパッタリングレートの遅いヘリウムある
いは窒素を用いることで、第２の工程中で酸素プラズマ
による被加工領域の加工制御の悪化を防止することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるフルオロカ
ーボンガスを用いたコンタクトホール形成のドライエッ
チング方法を示す図
ーボンガスを用いたコンタクトホール形成のドライエッ
チング方法を示す図
【図２】第１の実施の形態における第２の工程処理中に
おけるプラズマ中の発光強度比を示す図
おけるプラズマ中の発光強度比を示す図
【図３】第１の実施の形態における新たにＣＦ4を添加
したときの第２の工程処理中におけるプラズマ中の発光
強度比を示す図
したときの第２の工程処理中におけるプラズマ中の発光
強度比を示す図
【図４】本発明の第２の実施の形態における第２の工程
処理中における反応室内概略図
処理中における反応室内概略図
【図５】第２の実施の形態における下部電極上に設置さ
れる半導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した
部材を設けたときの反応室概略図を示す図
れる半導体基板の周辺に、あらかじめフッ素を含有した
部材を設けたときの反応室概略図を示す図
【図６】本発明の第３の実施の形態における第２の工程
処理後のエッチング形状の改善を示す図
処理後のエッチング形状の改善を示す図
【図７】従来の技術で示したコンタクトホール形成後を
示す図
示す図
【図８】従来の技術で示したフルオロカーボンガスを用
いたコンタクトホール形成のドライエッチング方法を示
す図
いたコンタクトホール形成のドライエッチング方法を示
す図
１ レジストマスク
２ 酸化膜
３ コバルトサリサイド
４ シリコン基板
５ コンタクトホール
６ 炭素含有生成物
７ 下部電極
８ 半導体基板
９ 電極周辺リング
１０ プラズマ生成用コイル
１１ ソースＲＦ電源
１２ バイアスＲＦ電源
１３ ガス噴出し板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 坂本 正紀
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5F004 AA12 AA13 BA20 BB18 BB23
BD03 CA01 CA02 CA03 CA06
CB02 DA01 DA26 DB01 DB03
EA23 EB01
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成した酸化膜で構成さ
れる被加工領域の上に形成されたレジストマスクを用
い、反応室内にエッチングガスを導入しプラズマ化する
ことにより、前記被加工領域を選択的にエッチングする
ドライエッチング方法において、前記被加工領域をフル
オロカーボン系ガスを主エッチングガスとして用いエッ
チングする第１の工程と、前記第１の工程終了後に反応
室内部材および前記半導体基板上に堆積した炭素含有生
成物を酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する
第２の工程とからなり、前記炭素含有生成物を安定的に
除去できるようにプラズマ中のフッ素濃度を調整するこ
とを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のドライエッチング方法に
おいて、第２の工程の主エッチングガスとして酸素を用
いる場合、微小にフッ素を含有するフルオロカーボンを
エッチングガスとして添加することで、炭素含有生成物
を除去することを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のドライエッチング方法に
おいて、酸素に占めるフルオロカーボンのガス流量比は
５％以下であることを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項４】 半導体基板上に形成した酸化膜で構成さ
れる被加工領域の上に形成されたレジストマスクを用
い、反応室内にエッチングガスを導入しプラズマ化する
ことにより、前記被加工領域を選択的にエッチングする
ドライエッチング方法において、前記被加工領域をフル
オロカーボン系ガスを主エッチングガスとして用いエッ
チングする第１の工程と、前記第１の工程終了後に反応
室内部材および前記半導体基板上に堆積した炭素含有生
成物を酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する
第２の工程とからなり、前記炭素含有生成物を安定的に
除去できるようにプラズマ中のフッ素濃度を調整するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体製造装置におい
て、下部電極上に設置される半導体基板の周辺に、あら
かじめフッ素を含有した部材を設け、部材自体からプラ
ズマ中にフッ素を生成させることで、炭素含有生成物を
除去することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 請求項５記載のドライエッチング方法に
おいて、フッ素を含有した部材の主材質が、テフロン
（登録商標）、シリコン、ＳｉＣであることを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項７】 半導体基板上に形成した酸化膜で構成さ
れる被加工領域の上に形成されたレジストマスクを用
い、反応室内にエッチングガスを導入しプラズマ化する
ことにより、前記被加工領域を選択的にエッチングする
ドライエッチング方法において、前記被加工領域をフル
オロカーボン系ガスを主エッチングガスとして用いエッ
チングする第１の工程と、前記第１の工程終了後に反応
室内部材および前記半導体基板上に堆積した炭素含有生
成物を酸素ガスを主エッチングガスとして用い除去する
第２の工程とからなり、前記第２の工程中で酸素プラズ
マによる前記被加工領域の加工制御の悪化防止のため、
添加ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項８】 請求項７記載のドライエッチング方法に
おいて、添加ガスは酸素と比較し、原子量の軽い、つま
り、スパッタリングレートの遅いヘリウムあるいは窒素
であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項９】 請求項８記載のドライエッチング方法に
おいて、酸素流量と添加ガスの流量の合計が３００ｓｃ
ｃｍ以上であることを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項１０】 請求項１から９記載のドライエッチン
グ方法において、第１の工程で用いるフルオロカーボン
はＣ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、Ｃ4Ｆ6、の少なく
ともいずれか１つを含むことを特徴とするドライエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002075762A JP2003273086A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | ドライエッチング方法および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002075762A JP2003273086A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | ドライエッチング方法および半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273086A true JP2003273086A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29204753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002075762A Pending JP2003273086A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | ドライエッチング方法および半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273086A (ja) |
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| CN100355015C (zh) * | 2003-11-14 | 2007-12-12 | 茂德科技股份有限公司 | 反应室处理的方法 |
| JP2009527899A (ja) * | 2006-02-21 | 2009-07-30 | マイクロン テクノロジー， インク． | 高アスペクト比コンタクト |
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-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002075762A patent/JP2003273086A/ja active Pending
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