JP2003272944A - 磁性多層膜の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁性多層膜、及び、磁気記録媒体 - Google Patents

磁性多層膜の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁性多層膜、及び、磁気記録媒体

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JP2003272944A JP2002070632A JP2002070632A JP2003272944A JP 2003272944 A JP2003272944 A JP 2003272944A JP 2002070632 A JP2002070632 A JP 2002070632A JP 2002070632 A JP2002070632 A JP 2002070632A JP 2003272944 A JP2003272944 A JP 2003272944A
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弘毅 高梨
Toshiyuki Shima
敏之 嶋
Seiji Mitani
誠司 三谷
Takuto Moriguchi
拓人 森口
Satoru Araki
悟 荒木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 損傷を抑制できる磁性多層膜の製造方法、磁
気記録媒体の製造方法、磁性多層膜、及び、磁気記録媒
体を提供する。 【解決手段】 基板の温度を１２０〜２４０℃とし、こ
の基板にＦｅ単原子層とＰｔ単原子層とを交互に積層す
る。このような製造方法により得られる磁性多層膜は、
Ｌ１0規則構造を有して磁気異方性エネルギー定数が大
きく、さらに、（００１）面が基板面に対して平行とさ
れており、垂直磁気異方性が高く、基板面に垂直な方向
の保磁力及び基板面に垂直な方向の磁化曲線の角形比が
大きく、磁気記録媒体等の磁気記録膜として有用であ
る。また、基板温度を１２０〜２４０℃として磁性多層
膜を形成するので、基板温度が５００℃程度にされる従
来の製造方法に比して基板等への温度負荷が低減され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｌ１0規則構造を
有するＦｅＰｔの磁性多層膜の製造方法、磁気記録媒体
の製造方法、磁性多層膜、及び、磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、特開平８−１８６０
２２号公報に開示されているように、Ｆｅ単原子層とＰ
ｔ単原子層とを交互に積層してなるＦｅＰｔの磁性多層
膜が知られている。この磁性多層膜は、Ｌ１0規則構造
を有して磁気異方性エネルギー定数が大きく、高密度記
録媒体や、モノリシックマイクロ波集積回路のバイアス
マグネット等への応用が期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな磁性多層膜及びこれを利用した磁気記録媒体の性能
を向上させるために、磁性多層膜に与える損傷を抑制で
きる製造方法が求められている。
【０００４】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、損傷を抑制できる磁性多層膜の製造方法、磁気
記録媒体の製造方法、磁性多層膜、及び、磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を進めた結果、単原子層を積層する際の基板温度に着目
することにより、損傷を抑制できる磁性多層膜の製造方
法を見出した。
【０００６】本発明に係る磁性多層膜の製造方法は、基
板の温度を１２０〜２４０℃とし、基板にＦｅ単原子層
とＰｔ単原子層とを交互に積層する単原子層積層工程を
含むことを特徴とする。
【０００７】本発明の磁性多層膜の製造方法により得ら
れる磁性多層膜は、Ｌ１0規則構造を有して磁気異方性
エネルギー定数が大きく、さらに、（００１）面が基板
面に対して平行とされており、垂直磁気異方性が高く、
基板面に垂直な方向の保磁力及び基板面に垂直な方向で
の磁化曲線の角形比が大きく、磁気記録媒体等の磁気記
録膜として有用である。また、基板温度を１２０〜２４
０℃として磁性多層膜を形成するので、基板温度が５０
０℃程度にされる従来の製造方法に比して基板等への温
度負荷が低減され、磁性多層膜の損傷が低減される。
【０００８】ここで、上記単原子層積層工程を、１×１
０-6Ｐａ以下の圧力下で行うことが好ましい。このよう
な超高真空下で単原子層の積層をすることにより、磁性
多層膜の純度が向上し、また、膜の酸化等も低減され
る。
【０００９】また、上記単原子層積層工程の前に、上記
基板にバッファ層を形成するバッファ層形成工程を含む
ことが好ましい。
【００１０】バッファ層を形成することによって基板の
濡れ性や平坦性が改善され、磁性多層膜のＬ１0構造の
規則性が高くなって、磁性多層膜の性能が向上する。
【００１１】また、上記バッファ層をＰｔ，Ａｕまたは
Ａｇの何れかにより形成し、上記バッファ層の厚みを１
０〜５０ｎｍとすることが好ましく、これによってバッ
ファ層の機能が十分発揮される。
【００１２】また、上記バッファ層形成工程の前に、上
記基板にシード層を形成するシード層形成工程を含むこ
とが好ましい。
【００１３】シード層を形成することにより、その上に
積層されるバッファ層を（００１）面配向とすることが
でき、磁性多層膜の（００１）面の配向をより確実に基
板面に対して平行とすることができ、垂直磁気異方性の
高い磁性多層膜が好適に形成される。
【００１４】また、上記シード層をＦｅ，Ａｕ，Ａｇ，
ＮｉまたはＣｏの何れかにより形成し、上記シード層の
厚みを０．２〜２ｎｍとすることが好ましく、これによ
ってシード層の機能が十分発揮される。
【００１５】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、
上記磁性多層膜の製造方法を含むことを特徴とする。
【００１６】本発明に係る磁気記録媒体によれば、上記
磁性多層膜の製造方法を含んでいるので、上記のような
磁気的性能の高い磁性多層膜が得られると共に磁性多層
膜の損傷が少なくされ、磁気記録媒体の信頼性が高くな
る。
【００１７】本発明に係る磁性多層膜は、基板上に、シ
ード層、バッファ層が順に積層され、その上にＦｅ単原
子層とＰｔ単原子層とが交互に積層されてなることを特
徴とする。
【００１８】本発明に係る磁性多層膜によれば、シード
層によりバッファ層が（００１）面に確実に配向され、
バッファ層上に積層される磁性多層膜の（００１）面の
配向をより確実に基板面に対して平行とすることがで
き、垂直磁気異方性が高くなると共に、基板面に垂直な
方向の保磁力及び基板面に垂直な方向の磁化曲線の角形
比が大きくなる。
【００１９】ここで、上記シード層は、０．２〜２ｎｍ
の厚みを有すると共にＦｅ，Ａｕ，Ａｇ，ＮｉまたはＣ
ｏの何れかにより形成され、上記バッファ層は、１０〜
５０ｎｍの厚みを有すると共にＰｔ，ＡｕまたはＡｇの
何れかによって形成されることが好ましい。これによっ
て、シード層とバッファ層の機能が十分に発揮される。
【００２０】本発明に係る磁気記録媒体は、上記磁性多
層膜を磁気記録膜として有することを特徴とする。シー
ド層とバッファ層とを有しているので、上記のように垂
直磁気異方性が高く、基板面に垂直な方向の保磁力及び
基板面に垂直な方向の磁化曲線の角形比が大きい磁気記
録媒体が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。
【００２２】本実施形態の磁性多層膜の製造方法は、基
板上にシード層を形成するシード層形成工程と、シード
層上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、バ
ッファ層上にＦｅ単原子層とＰｔ単原子層を交互に積層
する単原子層積層工程とを含む。
【００２３】まず、シード層形成工程において、基板上
に所定の厚みのシード層を形成する。このシード層は、
その上に積層されるバッファ層を（００１）面配向にす
るものである。
【００２４】ここで、基板としては、例えば、ＭｇＯ
（００１），ＧａＡｓ（００１），Ｓｉ（００１）等が
使用でき、シード層としては、Ｆｅ，Ａｕ，Ａｇ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ等が使用できる。また、シード層の厚みは、
０．２〜２ｎｍとすることが好ましく、０．５〜１．５
ｎｍとすることがより好ましい。シード層が薄すぎると
その上に積層されるバッファ層を（００１）面配向させ
ることが難しい傾向があり、また、厚すぎるとその上に
バッファ層をエピタキシャルに成長させることが難しく
なる傾向がある。
【００２５】次に、バッファ層形成工程において、シー
ド層上に、バッファ層をエピタキシャル成長させる。こ
のバッファ層は、主として、基板の濡れ性及び平坦性を
向上させるものである。
【００２６】ここで、バッファ層としては、Ｌ１0構造
のＦｅＰｔと格子面間隔が近いものが使用でき、例え
ば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ等が使用できる。また、バッファ
層の厚みは、１０〜５０ｎｍとすることが好ましい。バ
ッファ層が薄すぎると平坦性を確保することが難しくな
る傾向があり、また、厚すぎるとその上にＦｅやＰｔの
単原子層をエピタキシャルに成長させることが難しくな
る傾向がある。
【００２７】ここで、これらのシード層形成工程や、バ
ッファ層形成工程においては、基板の温度を常温〜２４
０℃程度とすることが好ましい。基板の温度を高温にす
ると、シード原子やバッファ原子が島状に成長する傾向
がある。また、基板を常温程度として島状にならないよ
うに成膜を行ったのち、各々の膜毎に２００〜２４０℃
程度で膜の加熱処理を行って、表面拡散等により各々の
膜の平坦化を行うことがより好ましい。
【００２８】次に、単原子層積層工程として、このよう
にして得られたバッファ層上に、Ｆｅ単原子層とＰｔ単
原子層とを交互に積層し、［Ｆｅ（１ＭＬ）／Ｐｔ（１
ＭＬ）］多層膜を形成する。なお、ＭＬは単原子層を示
す。
【００２９】ここで、このような単原子層積層工程に際
しては、基板温度を１２０〜２４０℃とすることが好ま
しく、さらに２００℃〜２４０℃とすることが好適であ
る。基板温度を１２０〜２４０℃として磁性多層膜を形
成することにより、十分な磁気的性能を有する磁性多層
膜が得られると共に、基板温度が５００℃程度にされる
従来の製造方法に比して基板等への温度負荷が低減さ
れ、磁性多層膜に対する損傷が低減される。また、基板
温度を２００℃〜２４０℃とすることにより、より磁気
的性能の高い磁性多層膜が得られる。
【００３０】また、Ｆｅ（１ＭＬ）／Ｐｔ（１ＭＬ）を
１単位としたときの積層単位数は特に限定されないが、
１０〜３００とすることが好ましい。
【００３１】なお、このような、シード層形成工程、バ
ッファ層形成工程及び単原子層積層工程における、シー
ド層、バッファ層、及び［Ｆｅ（１ＭＬ）／Ｐｔ（１Ｍ
Ｌ）］多層膜の成膜は、１０-6Ｐａ以下の超高真空（Ｕ
ＨＶ）下で行うことが好ましく、１×１０-8〜４×１０
-7Ｐａ程度で行うことがより好ましい。超高真空下で成
膜することにより、磁性多層膜の純度が向上し、また、
膜の酸化等も低減される。
【００３２】また、シード層、バッファ層、及び［Ｆｅ
（１ＭＬ）／Ｐｔ（１ＭＬ）］多層膜の成膜に用いる成
膜方法は特に限定されず、スパッタ法等あらゆる成膜法
が適用できるが、特に、上記の様な超高真空下での成膜
が容易に行える真空蒸着法により行うことが好ましい。
【００３３】このようにして製造された磁性多層膜はＬ
１0規則構造を有して磁気異方性エネルギー定数が大き
く、さらに、（００１）面が基板面に対して平行とされ
ていて、垂直磁気異方性が高く、基板面に垂直な方向の
保磁力及び基板面に垂直な方向の磁化曲線の角形比が大
きく、磁気記録媒体等の磁気記録膜として有用である。
【００３４】また、Ｆｅ単原子層とＰｔ単原子層とを交
互に積層する際や、シード層やバッファ層の積層の際の
基板温度が２４０℃以下とされ、従来のように、５００
℃程度にまで基板を加熱しないので、基板等に対する温
度負荷が低減され、また、シード層等の下地層の拡散等
が低減されて磁性多層膜の損傷が低減される。
【００３５】そして、このような損傷等が少ない磁性多
層膜は、光磁気記録媒体、ハードディスク、薄膜磁石
（パターンドメディア）等の磁気記録媒体の磁気記録膜
として好適に利用でき、信頼性が高い磁気記録媒体が得
られる。特に、薄膜磁石等においては、リソグラフィー
によって磁性多層膜のパターンを描画する際のレジスト
膜の耐熱性がほとんど問題とならず好適である。
【００３６】次に、本実施形態の磁性多層膜の製造方法
の実施例について説明する。 （実施例１）本実施例においては、Ｆｅ原子、Ｐｔ原子
に対応する２つの独立した電子銃と、基板を保持する基
板ホルダと、を備える超高真空蒸着装置を用い、基板上
に所望の厚みで原子の蒸着膜を形成した。この超高真空
蒸着装置においては、基板ホルダの裏側に取り付けられ
たタングステン−レニウム熱電対によって基板の温度を
高精度で測定することができる。なお、この熱電対は、
あらかじめ、銅箔に包まれ基板ホルダ上の基板と直接接
触された他のタングステン−レニウム熱電対による測定
値に基づいて精確に校正されている。
【００３７】また、この超高真空蒸着装置は、基板に積
層される膜の厚みを精確に測定する水晶発信式の膜厚測
定装置を備えている。この膜厚測定装置も、あらかじ
め、Ｆｅ層及びＰｔ層各々について、ＲＨＥＥＤ（refl
ection high-energy electrondiffraction）強度の振動
挙動の観察等によって、十分に校正されており、本実施
例において、積層する各々の層の厚みは、この膜厚測定
装置によってモニターすることにより制御した。
【００３８】まず、容器内の圧力を１×１０-8Ｐａ程度
にまで減圧した後、ＭｇＯ（００１）基板上に、１×１
０-7Ｐａ程度の超高真空（ＵＨＶ）下で、基板の温度を
７０℃として１ｎｍの厚みのＦｅのシード層を形成し
た。そして、積層後に、基板を２００℃程度に加熱し
て、シード層の平坦化を行った。
【００３９】続いて、基板の温度を７０℃として、シー
ド層上に、４０ｎｍのＰｔ（００１）のバッファ層をエ
ピタキシャル成長させた。そして、積層後に、基板を２
００℃程度に加熱して、バッファ層の平坦化を行った。
【００４０】続いて、単原子層積層工程として、バッフ
ァ層上に、Ｆｅ単原子層と、Ｐｔ単原子層と、を交互に
各々５０回ずつ積層し、［Ｆｅ（１ＭＬ）／Ｐｔ（１Ｍ
Ｌ）］50多層膜を形成し実施例１の磁性多層膜サンプル
を得た。ここで、Ｆｅの単原子層の厚みを０．１４ｎ
ｍ、Ｐｔの単原子層の厚みを０．２ｎｍとした。また、
各々の原子の析出速度を略０．０１ｎｍ／ｓとし、基板
の温度を１２０℃として積層を行った。
【００４１】（実施例２〜４）Ｆｅ単原子層とＰｔ単原
子層とを交互に積層する際の基板の温度を各々１６０，
２００，２３０℃とする以外は実施例１と同様にして、
さらに実施例２〜４の３つの磁性多層膜サンプルを得
た。
【００４２】このようにして作成された磁性多層膜のＰ
ｔ最上層のＲＨＥＥＤパターンの一例として、実施例３
で得られた磁性多層膜のＲＨＥＥＤパターンを図１に示
す。シャープな縞状のパターンが確認されることから、
原子スケールでみて比較的平坦な表面が形成され、表面
拡散等によってＰｔやＦｅが１層ずつエピタキシャル成
長したことが確認される。
【００４３】実施例１〜４で得られた磁性多層膜の組成
をＲＢＳ（Rutherford Backscattering Spectrometry）
で測定したところ、すべての磁性多層膜サンプルについ
て、ＦｅとＰｔの原子比の誤差は±３％以内であった。
【００４４】実施例１〜４で得られた磁性多層膜をＣｕ
Ｋα線によってＸ線回折分析した結果を、図２に各々示
す。（００２）面及び（００４）面の基本反射ピークに
加え、すべての基板温度について、（００１）面、（０
０３）面の面心正方格子の超格子ピークが明確に観察さ
れ、Ｌ１0規則構造が形成していることが確認できる。
なお、Ｌ１0規則構造の他の方向の面からのピークは特
に観察されず、原子レベルで規則構造を有する膜が形成
されたことがわかる。
【００４５】また、２３０℃で積層された磁性多層膜
（実施例４）において、特にシャープで強い超格子のピ
ークが観察された。超格子ピークは単原子層積層工程で
の基板温度の低下と共に減少していくことから、基板温
度が低下すると共に磁性多層膜の化学的規則性が徐々に
低下していくことがわかる。
【００４６】ここで、図２におけるＦｅＰｔ（００Ｌ）
（Ｌ＝１，２，３及び４）の各々のピークを、各基板温
度について積分することにより、規則度Ｓを次式のよう
に定義する。
【００４７】
【数１】
【００４８】ここで、Ｉfund，Ｉsuperは、各々基本ピ
ーク強度、超格子ピーク強度を示す。また、Ｉfund及び
Ｉsuperの計算値は、原子分率、原子散乱因子、デバイ
−ワーラー因子、ローレンツ（分極）因子及び構造因子
によって推算される。
【００４９】各々の基板温度で得られた磁性多層膜につ
いて、計算された規則度Ｓの値を表１に示す。
【００５０】
【表１】
【００５１】規則度Ｓの値は、単原子層積層工程での基
板温度の上昇に伴って０．３から０．８にまで増加し
た。磁性多層膜の高レベルの化学的規則性は、特に基板
温度が約２００℃以上で得られることがわかる。
【００５２】また、得られた磁性多層膜について、ＳＱ
ＵＩＤ（Superconducting quantuminterference devic
e）磁気メータにより、常温で５．５Ｔまでの範囲の磁
界をかけて、基板面に垂直な方向（Ｈ⊥）と平行な方向
（Ｈ//）とで磁化曲線を測定した結果を図３に示す。
【００５３】Ｌ１0規則構造の［００１］方向が基板面
に対して垂直になることから予想されるように、すべて
の基板温度で得られた磁性多層膜において、磁化容易軸
は基板面に対して垂直となり、垂直磁気異方性を示し
た。
【００５４】特に、基板温度２００℃以上で得られた磁
性多層膜においては、５５ｋＯｅの磁界でも基板面に平
行な向きの飽和磁化ができず、大きな単軸磁気異方性の
存在を示している。
【００５５】得られた磁性多層膜について、磁気異方性
の強さを示す一軸磁気異方性エネルギー定数Ｋｕと、基
板面に対して垂直に磁界を作用させた場合の磁化曲線の
角形比（Ｍｒ／Ｍｓ）と、基板面に対して垂直な方向の
保磁力Ｈｃと、をさらに表１に示す。
【００５６】実施例１〜４で得られた磁性多層膜の一軸
磁気異方性エネルギー定数Ｋｕは単原子層積層工程の際
の基板温度の上昇と共に増加し、規則度Ｓの増加と共に
上昇した。また、一軸磁気異方性エネルギー定数Ｋｕの
値は、どの基板温度の場合も磁気記録媒体として好まし
い１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上となり、Ｌ１0規則構造の
ＦｅＰｔバルク合金の７×１０7ｅｒｇ／ｃｃと匹敵す
るほどの非常に大きい値となった。
【００５７】また、実施例１〜４で得られた磁性多層膜
の角形比（Ｍｒ／Ｍｓ）は０．５以上となり、磁気記録
膜としての実用性を備えている。
【００５８】また、実施例１〜４で得られた磁性多層膜
の保磁力Ｈｃは８００Ｏｅ以上の大きな値を示し、磁気
記録膜としての実用性を備えている。なお、基板温度２
３０℃から１６０℃まで、磁性多層膜の保磁力Ｈｃは１
７００Ｏｅから８００Ｏｅまで減少するが、基板温度１
２０℃で得られた磁性多層膜の保磁力Ｈｃは１４００Ｏ
ｅに増加した。これは、１２０℃では１６０℃に比べて
規則度Ｓがかなり減少しており、磁性多層膜の磁区構造
が変化してこのような現象が起きたものと考えられる。
【００５９】なお、実施例３及び実施例４、すなわち、
基板温度２００℃以上では、３．０×１０7ｅｒｇ／ｃ
ｃ以上という非常に高い一軸磁気異方性エネルギー定数
Ｋｕを有し、かつ、１５００Ｏｅ以上の高い保磁力Ｈｃ
を示し、加えて、約０．９程度の特に良好な角形比（Ｍ
ｒ／Ｍｓ）を備えた磁性多層膜が得られ、磁気記録膜と
して極めて好適である。
【００６０】
【発明の効果】上述のように、本発明に係る磁性多層膜
の製造方法は、基板の温度を１２０〜２４０℃とし、当
該基板にＦｅ単原子層とＰｔ単原子層とを交互に積層す
る。この製造方法により得られる磁性多層膜は、Ｌ１0
規則構造を有して磁気異方性エネルギー定数が大きく、
さらに、（００１）面が基板面に対して平行とされてお
り、垂直磁気異方性が高く、基板面に垂直な方向の保磁
力及び基板面に垂直な方向の磁化曲線の角形比が大き
く、磁気記録媒体等の磁気記録膜として有用である。ま
た、基板温度を１２０〜２４０℃として磁性多層膜を形
成するので、基板温度が５００℃程度にされる従来の製
造方法に比して基板等への温度負荷が低減され、磁性多
層膜の損傷が抑制される。
【００６１】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、
上記磁性多層膜の製造方法を含んでいるので、上記のよ
うに磁気的性能が高い磁性多層膜が得られると共に、磁
性多層膜の損傷が少なくされ、磁気記録媒体の信頼性が
高くなる。
【００６２】本発明に係る磁性多層膜は、基板上に、シ
ード層、バッファ層が順に積層され、その上にＦｅ単原
子層とＰｔ単原子層とが交互に積層されているので、シ
ード層によりバッファ層が（００１）面に確実に配向さ
れ、バッファ層上に積層される磁性多層膜の（００１）
面の配向をより確実に基板面に対して平行とすることが
できる。このため、垂直磁気異方性が高くなり、基板面
に垂直な方向の保磁力及び基板面に垂直な方向の磁化曲
線の角形比が大きくなる。
【００６３】本発明に係る磁気記録媒体は、シード層と
バッファ層とを有する磁性多層膜を磁気記録膜として有
しているので、上記のように垂直磁気異方性が高く、基
板面に垂直な方向の保磁力及び基板面に垂直な方向の磁
化曲線の角形比が大きい磁気記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例３の磁性多層膜における最上層のＰｔ層
のＲＨＥＥＤパターンである。
【図２】図２（ａ）は実施例１で得られた磁性多層膜の
Ｘ線回折パターン、図２（ｂ）は実施例２で得られた磁
性多層膜のＸ線回折パターン、図２（ｃ）は実施例３で
得られた磁性多層膜のＸ線回折パターン、図２（ｄ）は
実施例４で得られた磁性多層膜のＸ線回折パターンであ
る。
【図３】基板面に垂直な方向（Ｈ⊥）と平行な方向（Ｈ
//）についての磁化曲線であって、図３（ａ）は実施例
１で得られた磁性多層膜の磁化曲線、図３（ｂ）は実施
例２で得られた磁性多層膜の磁化曲線、図３（ｃ）は実
施例３で得られた磁性多層膜の磁化曲線、図３（ｄ）は
実施例４で得られた磁性多層膜の磁化曲線である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 誠司 宮城県仙台市太白区西の平１−23−16− 203 (72)発明者 森口 拓人 宮城県仙台市青葉区川内山屋敷85−204 (72)発明者 荒木 悟 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB08 CA02 CA05 CA06 EA03 5D112 AA03 AA05 BB02 BB07 BD03 FA01 GB01 5E049 AA04 BA08 EB03

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の温度を１２０〜２４０℃とし、前
    記基板にＦｅ単原子層とＰｔ単原子層とを交互に積層す
    る単原子層積層工程を含むことを特徴とする、磁性多層
    膜の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記単原子層積層工程を、１×１０-6Ｐ
    ａ以下の圧力下で行うことを特徴とする、請求項１に記
    載の磁性多層膜の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記単原子層積層工程の前に、前記基板
    にバッファ層を形成するバッファ層形成工程を含むこと
    を特徴とする、請求項１又は２に記載の磁性多層膜の製
    造方法。
  4. 【請求項４】 前記バッファ層をＰｔ，ＡｕまたはＡｇ
    の何れかにより形成し、前記バッファ層の厚みを１０〜
    ５０ｎｍとすることを特徴とする、請求項３に記載の磁
    性多層膜の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記バッファ層形成工程の前に、前記基
    板にシード層を形成するシード層形成工程を含み、前記
    シード層上に前記バッハ層を形成することを特徴とす
    る、請求項３又は４に記載の磁性多層膜の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記シード層をＦｅ，Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ
    またはＣｏの何れかにより形成し、前記シード層の厚み
    を０．２〜２ｎｍとすることを特徴とする、請求項５に
    記載の磁性多層膜の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６の磁性多層膜の製造方法を
    含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  8. 【請求項８】 基板上に、シード層、バッファ層が順に
    積層され、その上にＦｅ単原子層とＰｔ単原子層とが交
    互に積層されてなることを特徴とする、磁性多層膜。
  9. 【請求項９】 前記シード層は、０．２〜２ｎｍの厚み
    を有すると共にＦｅ，Ａｕ，Ａｇ，ＮｉまたはＣｏの何
    れかにより形成され、前記バッファ層は、１０〜５０ｎ
    ｍの厚みを有すると共にＰｔ，ＡｕまたはＡｇの何れか
    によって形成されることを特徴とする、請求項８に記載
    の磁性多層膜。
  10. 【請求項１０】 請求項８又は９の磁性多層膜を磁気記
    録膜として有することを特徴とする磁気記録媒体。
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