JP2003270310A - 印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法 - Google Patents

印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法

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JP2003270310A
JP2003270310A JP2002153549A JP2002153549A JP2003270310A JP 2003270310 A JP2003270310 A JP 2003270310A JP 2002153549 A JP2002153549 A JP 2002153549A JP 2002153549 A JP2002153549 A JP 2002153549A JP 2003270310 A JP2003270310 A JP 2003270310A
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Myung-Sam Kang
ＫＡＮＧ） カン、ミョン−サン（Ｍｙｕｎｇ−Ｓａｍ，
Na Kyoung-Won
ＮＡ） ナ、キョン−ウォン（Ｋｙｏｕｎｇ−Ｗｏｎ，
Sang-On Choi
ＣＨＯＩ） チェ、サン−オン（Ｓａｎｇ−Ｏｎ，
Won-Youl Choi
ＣＨＯＩ） チェ、ウォン−ヨル（Ｗｏｎ−Ｙｏｕｌ，
Jeong-Hwan Lee
ＬＥＥ） イ−、ジョン−ファン（Ｊｅｏｎｇ−Ｈｗａｎ，
Park Keon-Yang
ＰＡＲＫ） パク、ギョン−ヤン（Ｋｅｏｎ−Ｙａｎｇ，
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Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 弱磁界を精密に検出し、正確な位置精度を維
持し、小型化、優秀な磁界効率及び低消費電力を同時に
達成することのできる弱磁界感知用センサー及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 所定の形状にパターン化された磁性体
と、前記磁性体の下部及び上部にそれぞれ対向して積層
され、前記磁性体を取り囲む形態となるように互いに導
通するドライビングパターンが形成された第１積層体及
び第２積層体と、前記第１積層体の下側面及び第２積層
体の上側面に積層され、前記磁性体及びドライビングパ
ターンを取り囲むように互いに導通するピックアップパ
ターンが形成された１対の第３積層体とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は印刷回路基板製造技
術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方
法に関し、特に、移動端末機などに実装され、地磁気を
感知して位置情報を得るための、印刷回路基板製造技術
により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話及び携帯端末機の普及に
伴い、多様な付加情報サービスが拡充される趨勢にした
がい、その位置情報サービスも必須機能として確立され
つつある。携帯電話等の位置情報サービスは、今後さら
に正確で便利性の高いものが要求されることになる。
【０００３】位置情報を把握するためには、現在位置が
正確に感知できるセンサーが必要であるが、このような
位置情報を把握する手段としては、地球の磁界を感知し
て位置を検出する弱磁界センサーが使用されている。こ
の磁気センサーの一般の部品としてはフラックスゲート
センサーが使用されている。
【０００４】フラックスゲートセンサーは高透磁率の磁
性材料をコアとして使用し、磁性体の周囲に巻き取られ
た１次コイルの電圧と、コアから発生する磁界の変化に
より２次コイルから発生する電圧との差を用いて方向を
認識する。
【０００５】このような従来のフラックスゲートセンサ
ーは円筒形の磁性体コアに銅線を一定の方向に巻き取っ
て製作する。すなわち、フラックスゲートセンサーの製
作は、まず磁性体コアに、磁場を発生させるため、銅線
をドライビングコイル（１次コイル）として一定の方向
に、かつ一定の間隔及び圧力で巻き取る。その後、ドラ
イビングコイルにより磁性体コアから発生する磁界を感
知するため、ピックアップコイル（２次コイル）を磁性
体コアに巻き取る。この際にも同様に、ピックアップコ
イルとして銅線を一定の間隔及び圧力で巻き取る。
【０００６】このように、銅線を巻き取って製作するフ
ラックスゲートセンサーは、ドライビングコイルとこれ
から発生する磁界を検出するためのピックアップコイル
とから構成される。磁性体コアへのコイルの巻き取り
は、すでに広く知られているワイヤーコイル技術（wire
coil technology）を用いて行われる。この際、２次コ
イルは磁場の感度を正確に検出するために、Ｘ軸及びＹ
軸方向に垂直に巻き取られる必要がある。
【０００７】しかし、従来のフラックスゲートセンサー
は、コイルをコアに巻き取る際にその位置精度が維持さ
れなければならないが、この位置精度を維持するのが難
しいという欠点があった。このような構造により、位置
精度は温度、光又は表面物質により影響を強く受けるた
め、その特性値に対する精度が低下する問題点が発生し
ていた。また、フラックスゲートセンサーは、コイルを
直接磁性体に巻き取るため、コイルの切れ現象が頻繁に
発生するという欠点があり、さらにセンサー自体が大き
くなるため、電子製品の小型化、軽量化の趨勢に反し、
これにより電力消費が高なるいといった問題点があっ
た。
【０００８】このような従来のフラックスゲートセンサ
ーの欠点を解決するため、米国特許第５，９３６，４０
３号及び同第６，２７０，６８６号には、所定のパター
ンを上下に導通可能にエッチングしたエポキシ基板の両
面に環状にエッチングを行ったアモルファス板を合わせ
て積層してアモルファスコアを製造し、アモルファスコ
アの上下面に、それぞれＸコイル及びＹコイルをエッチ
ングしたエポキシ基板を積層してなる弱磁気センサーが
開示されている。しかし、米国特許第５，９３６，４０
３号においては、環状エッチングを行いエッチング部を
合わせ積層してアモルファスコアを製造しなければなら
ないため、その製造工程が複雑になり、層数が多くなっ
て製造コストが高くなるといった欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは前述の従
来技術の問題点を解決するための研究を重ねた結果、小
型及び低消費電力の要求に応じる新たな印刷回路基板製
造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製
造方法を開発することになった。
【００１０】したがって、本発明の目的は、弱磁界を精
密に検出し、正確な位置精度を維持することのできる弱
磁界感知用センサー及びその製造方法を提供することで
ある。
【００１１】本発明の他の目的は、印刷回路基板のエッ
チング技術を用いて、小型化、優秀な磁界効率及び低消
費電力を同時に達成することにより、携帯電話などのよ
うな応用分野に要求される高密度実装に備えられる弱磁
界感知用センサー及びその製造方法を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、所定の形状にパターン化された磁性体
と、該磁性体の下部及び上部にそれぞれ対向して積層さ
れ、磁性体を取り囲む形態となるように互いに導通する
ドライビングパターンが形成された第１積層体及び第２
積層体と、該第１積層体の下側面及び該第２積層体の上
側面に積層され、前記磁性体及びドライビングパターン
を取り囲むように互いに導通するピックアップパターン
が形成された１対の第３積層体と、を含む、印刷回路基
板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーを提供
する。
【００１３】また、本発明は、第１導電層、第１基板層
及び磁性体の順に積層して第１積層体を製作する段階
と、前記第１積層体上に第２基板層及び第２導電層の順
に積層して第２積層体を製作する段階と、前記第１導電
層及び第２導電層にバイアホールを形成して互いに導通
させる段階と、前記第１導電層及び第２導電層に、磁性
体のパターンに対応するドライビングパターンを形成す
る段階と、前記ドライビングパターンが形成された第１
積層体の下側面及び第２積層体の上側面に第３基板層及
び第３導電層の順に積層して１対の第３積層体を形成す
る段階と、前記１対の第３導電層の間にスルーホールを
形成して互いに導通させる段階と、前記第３導電層にピ
ックアップパターンを形成する段階と、を含む、印刷回
路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法
を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき本発明の
構成及び作用を詳細に説明する。
【００１５】図１及び図２は本発明による印刷回路基板
製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施
例の分解斜視図及び断面図である。
【００１６】同図に示すように、本発明による印刷回路
基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、
所定の形態にパターン化された磁性体１と、ドライビン
グパターン３が形成され、磁性体１の下部に積層される
第１積層体１０と、磁性体１の上部に積層される第２積
層体２０と、ピックアップパターン５が形成され、第１
積層体１０の下部及び第２積層体２０の上部に積層され
る一対の第３積層体３０と、からなる。
【００１７】より詳しく説明すると、本発明による印刷
回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー
は、平行に配列された２本の帯状のパターン化された磁
性体１の下部に第１積層体１０が積層され、その上部に
は第２積層体２０が積層され、第１積層対１０及び第２
積層体２０には各磁性体に対応するドライビングパター
ン３が形成されている。ドライビングパターン３は、図
１に示すように、多数の平行な直線形態に配列され、帯
状の磁性体１に垂直に形成される。第１積層体１０及び
第２積層体２０に形成された各ドライビングパターン３
は相互に対向し、第１積層体１０及び第２積層体２０に
形成されたバイアホール７を介して導通され、上下のド
ライビングパターン３がバイアホール７を介して互いに
ジグザグに連結されており、あたかも１本のパターンで
磁性体１の周囲を巻き取る形態となっている。
【００１８】磁性体の周囲を巻き取るようにドライビン
グパターン３が形成された第１積層体１０の下側面及び
第２積層体２０の上側面には、ピックアップパターン５
が形成された第３積層体３０が積層される。ピックアッ
プパターン５は、図１に示すように、多数の直線形に平
行に配列され、帯状の磁性体１に垂直に形成される。こ
こで、ピックアップパターン５はドライビングパターン
３より長く形成されている。
【００１９】上下のピックアップパターン５が互いに導
通するように、第１積層体１０、第２積層体２０及び第
３積層体にはこれらを貫通するスルーホール８が形成さ
れる。ピックアップパターン５はドライビングパターン
３と同じ方向に形成され、上下の第３積層体３０に形成
された各ピックアップパターン５はスルーホール８を介
して互いに導通し、ピックアップパターン５はスルーホ
ール８を介して互いにジグザグに連結されて１本のパタ
ーンとなり、磁性体１及びドライビングパターン３を取
り囲む。
【００２０】このような印刷回路基板製造技術により製
造した弱磁界感知用センサーは、ドライビングパターン
３に交流電流を流すと、磁性体１の磁束密度が変わり、
これによりピックアップパターン５で誘導電流が発生し
て電圧差が起こる。この電圧差を検出することで位置又
は方向を感知することができる。
【００２１】図３（ａ）から図３（ｉ）に本発明による
印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用セン
サーの製造工程の一具体例を示した。
【００２２】まず、第１積層体１０を用意する。このた
め、第１導電層１１上に第１基板層１２及び磁性物質１
３を置き、予備レイアップを行う（図３（ａ））。第１
導電層１１の材質としては銅箔を用いることが好まし
い。第１基板層１２は、好ましくは部分的に硬化した状
態のプレプレッグであって、例えば、当該技術分野に通
常に知られているＦＲ−４、高ガラス転移温度（Ｔｇ）
を有するＦＲ−４、ビスマレイミド−トリアジン（Ｂ
Ｔ）エポキシ樹脂などからなる群から選択される。一般
には、印刷回路基板に用いられる材料を使用することが
好ましい。また、磁性体１３は、アモルファス金属、パ
ーマロイ（Permalloy）及びスーパーマロイ（Supermall
oy）からなる群から選択される。
【００２３】本発明によると、まず、第１導電層１１、
第１基板層１２及び磁性体１３の順に配列し積層して第
１積層体１０を形成する。磁性体は典型的に下部に位置
すべき基板（又はプレプレッグ）と同じ大きさに加工し
て使用するか、又は下記のように、実際の製品の製造工
程を考慮した大きさ（例えば、磁性体リボン形）に加工
して使用する。第１積層体１０を形成するため、このよ
うな磁性体リボン形態を用いる予備レイアップの具体例
を図４に示した。
【００２４】図４はワークサイズ（work size）の基板
から製作される具体例のレイアップを示すものであり、
実際の工程において、完製品では多数の印刷回路基板を
用いる弱磁界感知用センサーユニットを含む帯状に製作
されるのが一般的である。同図には５本の磁性体リボン
５４の予備レイアップ過程が示されている。ここで、１
本の磁性体リボン５４が複数のユニットを含む帯状に製
造するために使用される。したがって、このような磁性
体リボンの大きさはストリップの大きさに鑑みて決定さ
れる。しかし、帯状に製造する場合は、後続の磁性体の
パターン化過程で、プレプレッグ５２上に磁性体リボン
５４を、多数のユニットの製作が出来るように、同時加
工可能な位置に配列する必要がある。したがって、前記
具体例においては、予備レイアップのため、最上部に磁
性体リボンを配列するための一種の加工銅箔５３を配列
して予備レイアップを進行する。このように、銅箔を加
工するためには、二通りの方法が可能である。すなわ
ち、金型をもって上から押し付けて所望の大きさだけ除
去する方法と、一般的な基板加工方法のうち、ルータ工
程により、回転加工体で所望部分を除去する方法とがあ
る。この際、加工の大きさは磁性体リボン５４より大き
くなければならないが、加工公差と前記銅箔上に磁性体
リボンが覆われる問題を考慮し、１軸方向におよそ０．
１〜０．２ｍｍ大きく加工することが好ましい。また、
一つのストリップ内において実際製品が占める領域を考
慮すると、磁性体リボン５４の大きさは十分に余裕があ
るため、ストリップの幅に合わせて使用することができ
る。しかし、磁性体リボンの長さは、ストリップが磁性
体リボン内に一つ以上入ることができるので、初期設計
時に決定するとよい。
【００２５】前述のように、銅箔１１、第１基板層１２
及び磁性体１３の順に予備レイアップを進行した後、高
温及び高圧（例えば、およそ１５０〜２００℃及び３０
〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加圧、積層して第１積層体１０
を製作する。
【００２６】１次積層の完了後の第１積層体１０の構造
は、基板の片面上に磁性体１３が積層されている形態と
なる。ここで、第１積層体１０上にドライフィルム（又
はフォトレジスト）１４を形成した後（図３（ｂ））、
予め設計された磁性体のパターンに合わせて露光及び現
像し、一定のパターンに形成されたドライフィルム層１
４をマスクとして磁性体１３のエッチングを行う。この
露光、現像及びエッチング過程の一般的な原理は当業界
によく知られているものである。その後、ドライフィル
ム層１４がストリッピングされ、その結果、基板上に一
定にパターン化された磁性体１のみが残る（図３
（ｃ））。特に、第１導電層（銅箔）１１は２次積層後
にパターン化（ドライビングパターン）されるため、磁
性体のパターン化過程のうち、露光工程で塗布された状
態で、全面露光からドライフィルムが銅箔層を保護する
ようにすることで、エッチング液に影響を受けないよう
にする。前記磁性体のパターンとして、図５に本発明に
採用できるパターン化された磁性体の形状の例を示す。
すなわち、一定の間隔を置き配置された二つの磁性バン
ド形態、単一の磁性体バンド形態又は長方形の帯形態な
どが可能である。
【００２７】このように、第１積層体１０の磁性体のパ
ターン化過程が終了すると、前述したように、第１積層
体１０上に第２基板層（又はプレプレッグ）２２及び第
２導電層（又は銅箔）２１を臨時に置いた状態（予備レ
イアップ）で、高温及び高圧の条件（例えば、およそ１
５０〜２００℃、３０〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加圧、積
層させて第２積層体２０を製作する（図３（ｄ））。そ
の後、対向する第１導電層１１及び第２導電層２１にド
ライビングパターン３を形成することで、磁性体の周囲
をドライビングパターン３が巻き取っている形態となる
ようにする。この際、前記第１導電層１１及び第２導電
層２１に形成されたドライビングパターン３は互いに導
通しなければならないので、回路パターン化に先立ち、
ドリルにてバイアホール（inner via-hole；ＩＶＨ）７
を形成した後、導電性金属（つまり、銅）でバイアホー
ル７の内面に鍍金を施す（図３（ｅ））。この際、バイ
アホール７は、上部及び下部ドライビングパターン３の
導通に問題がないようにするため、直径がおよそ０．１
５ｍｍ〜０．２ｍｍとなるように加工することが好まし
い。次いで、一般的な印刷回路基板の製造工程である露
光、現像及びエッチングにより、前記パターン化された
磁性体１に対応するドライビングパターン３を形成する
（図３（ｆ））。こうして形成されたドライビングパタ
ーン３はバイアホール７により互いに導通して、フラッ
クスゲートセンサーのドライビングコイルの役目を果た
すことになる。
【００２８】前記のように、第１積層体１０及び第２積
層体２０上にドライビングパターン３を形成した後に、
第１積層体１０の下側面及び第２積層体２０の上側面に
第３基板層（又はプレプレッグ）３２及び第３導電層
（又は銅箔）３１の順に積層して第３積層体３０を製作
する（図３（ｇ））。これに先立ち、積層を容易にする
ため、前処理として黒化処理（black oxidation）を行
うことが好ましい。この３次積層工程においても、２次
積層工程と同様に、第３基板層（プレプレッグ）３２及
び第３導電層（銅箔）３１の順に予備レイアップを行っ
た後、高温及び高圧の条件（例えば、およそ１５０〜２
００℃、３０〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加圧、積層させる
（図３（ｈ））。
【００２９】第３積層体３０の第３導電層３１にはピッ
クアップパターン５を形成する。こうして形成されたピ
ックアップパターン５はドライビングパターン３を取り
囲む形状となり、フラックスゲートセンサーのピックア
ップコイルの役目を果たす。
【００３０】この際、前記１対の第３導電層３１に形成
されたピックアップパターン５は互いに導通しなければ
ならないので、回路パターン化に先立ち、ドリルにてス
ルーホール（plated through hole；ＰＴＨ）８を形成
した後、導電性金属（つまり、銅）でスルーホールの内
面に鍍金を施す。スルーホール８の大きさは製品の大き
さを決める大切な要素であるため、小さければ小さいほ
どよいが、印刷回路基板の工程能力上、およそ０．１５
ｍｍ〜０．２５ｍｍにするのが好ましい。その後、前述
の露光、現像及びエッチングによりピックアップパター
ン５を形成する（図３（ｉ））。次いで、外部に露出す
るパターン化された導電層（つまり、銅回路）が湿気な
どにより酸化することを防止するため、導電層を除く部
分に選択的にソルダマスクを塗布し、導電層上にニッケ
ル（又はニッケル−燐）鍍金層及びゴールド鍍金層を順
次形成する。このような過程の詳細は印刷回路基板の分
野によく知られている。
【００３１】一方、第１積層体１０、第２積層体２０及
び第３積層体３０の製作過程に使用される第１導電層１
１、第２導電層２１及び第３導電層３１として銅箔を用
いることができるのは前述した通りである。ここで、銅
箔の厚さとしては、１２μｍ、１８μｍ、３５μｍなど
の規格化された種類のものを用いることができる。ただ
し、例えば、厚さ３５μｍの銅箔を使用する場合には、
積層後のドリル工程前に回路パターンの形成のため、ハ
ーフエッチングにより本来の銅箔の厚さを少なくともお
よそ５〜７μｍに減少させる必要がある。
【００３２】本発明による印刷回路基板製造技術により
製造した弱磁界感知用センサーは一軸方向にだけ配列さ
れるため、一軸に対する方向だけが確認できる。したが
って、２枚の印刷回路基板を互いに垂直に配列して使用
すると、２軸に対する方向を感知することができる。
【００３３】本発明の印刷回路基板製造技術により製造
した弱磁界感知用センサーは、携帯電話、携帯用端末機
の他にも、自動車、航空機、ゲーム機、玩具ロボットな
どのように、地球の磁界を検出して位置を確認するもの
すべてに広く使用することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、磁性体
が付着された基板上にエッチングなどにより回路を形成
し、ドライビングパターン及びピックアップパターンを
形成することで弱磁界を感知することのできる印刷回路
基板及びその製造方法を提供する。
【００３５】本発明によると、弱磁界感知用基板上にエ
ッチングなどにより回路が精度よく形成されるので、よ
り精密な特性値が得られ、位置精度を維持して特性値変
化に対する影響を減らすことができる。
【００３６】また、本発明によれば薄小型の低消費電力
の弱磁界感知用センサーを提供することができるので、
携帯端末機などの小型電子製品に容易に適用することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による印刷回路基板製造技術により製造
した弱磁界感知用センサーの一実施例の分解斜視図であ
る。
【図２】図１の積層状態を示す断面図である。
【図３】本発明による印刷回路基板製造技術により製造
した弱磁界感知用センサーの一実施例の製造工程を示す
工程図である。
【図４】本発明による１次積層体の予備レイアップ工程
を示す概略斜視図である。
【図５】本発明による１次積層体に含まれる磁性体の採
用可能な形態を示す図である。
【符号の説明】
１ 磁性体 ３ ドライビングパターン ５ ピックアップパターン ７ バイアホール ８ スルーホール １０ 第１積層体 １１ 第１導電層 １２ 第１基板層 １３ 磁性物質 １４ ドライフィルム（又はフォトレジスト） ２０ 第２積層体 ２１ 第２導電層（又は銅箔） ２２ 第２基板層（又はプレプレッグ） ３０ 第３積層体 ３１ 第３導電層（又は銅箔） ３２ 第３基板層（又はプレプレッグ） ５２ プレプレッグ ５３ 銅箔 ５４ 磁性体リボン
フロントページの続き (72)発明者 ナ、キョン−ウォン（Ｋｙｏｕｎｇ−Ｗｏ ｎ， ＮＡ) 大韓民国、ギョンギド、ヨンイン−シ、ズ ッジョ−ドン、ズッジョンヒョンデ １チ ャ アパート、101−201 (72)発明者 チェ、サン−オン（Ｓａｎｇ−Ｏｎ， Ｃ ＨＯＩ) 大韓民国、 ギョンギド、スウォン−シ、 パルダルーク、ヨントン−ドン、チョンミ ョン−マウル、サンソン アパート、436 −904 (72)発明者 チェ、ウォン−ヨル（Ｗｏｎ−Ｙｏｕｌ, ＣＨＯＩ) 大韓民国、 ギョンギド、スウォン−シ、 パルダルーク、ヨントン−ドン、ファンゴ ル−マウル、プンリン アパート、235− 405 (72)発明者 イ−、ジョン−ファン（Ｊｅｏｎｇ−Ｈｗ ａｎ， ＬＥＥ) 大韓民国、キョンサンナン−ド、ジンヘ− シ、ヨンウォンードン、1206、ヒョンデ アパート、105−1304 (72)発明者 パク、ギョン−ヤン（Ｋｅｏｎ−Ｙａｎ ｇ， ＰＡＲＫ) 大韓民国、ソウル、ソンパ−ク、オリュン −ドン、89、オルリンピク ソンスチョン アパート、305−605 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AD42 AD43 AD45 AD46 AD47 5E070 AA05 AA20 AB01 BA11 CB03 CB13

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の形状にパターン化された磁性体
    と、 該磁性体の下部及び上部にそれぞれ対向して積層され、
    磁性体を取り囲む形態となるように互いに導通するドラ
    イビングパターンが形成された第１積層体及び第２積層
    体と、 該第１積層体の下側面及び該第２積層体の上側面に積層
    され、前記磁性体及びドライビングパターンを取り囲む
    ように互いに導通するピックアップパターンが形成され
    た１対の第３積層体と、を含む、ことを特徴とする印刷
    回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサ
    ー。
  2. 【請求項２】 前記磁性体は、アモルファス金属、パー
    マロイ及びスーパーマロイからなる群から選択される、
    ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技
    術により製造した弱磁界感知用センサー。
  3. 【請求項３】 前記パターン化された磁性体は、二つの
    磁性バンドが一定の間隔を置き配置された形態、単一の
    磁性体バンド形態又は長方形の帯形態である、ことを特
    徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により
    製造した弱磁界感知用センサー。
  4. 【請求項４】 前記パターン化された磁性体はバンド形
    状であり、ドライビングパターン及び前記磁性体に対し
    直角に配列される、ことを特徴とする請求項１に記載の
    印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用セン
    サー。
  5. 【請求項５】 前記ドライビングパターン及びピックア
    ップは多数の直線が平行に配列されたものであり、ピッ
    クアップパターンがドライビングパターンより長い、こ
    とを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術
    により製造した弱磁界感知用センサー。
  6. 【請求項６】 前記第１積層体及び第２積層体上に形成
    されたドライビングパターンが互いに導通するように、
    第１積層体及び第２積層体を貫通するバイアホールが形
    成され、前記第３積層体上に形成されたピックアップパ
    ターンが互いに導通するように、第１積層体、第２積層
    体及び第３積層体を貫通するスルーホールが形成され
    る、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製
    造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
  7. 【請求項７】 前記第１積層体及び第２積層体のドライ
    ビングパターンは、１本のパターンが磁性体の周囲を取
    り囲む形態となるように、バイアホールにより互いにジ
    グザグに連結され、前記第３積層体のピックアップパタ
    ーンは、１本のパターンが前記ドライビングパターンを
    取り囲む形態となるように、スルーホールにより互いに
    ジグザグに連結される、ことを特徴とする請求項６に記
    載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用
    センサー。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかの弱磁界感知
    用センサー二つが互いに垂直に配列され接着されてな
    る、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造
    した弱磁界感知用センサー。
  9. 【請求項９】 第１導電層、第１基板層及び磁性体の順
    に積層して第１積層体を製作する段階と、 前記第１積層体上に第２基板層及び第２導電層の順に積
    層して第２積層体を製作する段階と、 前記第１導電層及び第２導電層にバイアホールを形成し
    て互いに導通させる段階と、 前記第１導電層及び第２導電層に、磁性体のパターンに
    対応するドライビングパターンを形成する段階と、 前記ドライビングパターンが形成された第１積層体の下
    側面及び第２積層体の上側面に第３基板層及び第３導電
    層の順に積層して１対の第３積層体を形成する段階と、 前記１対の第３導電層の間にスルーホールを形成して互
    いに導通させる段階と、 前記第３導電層にピックアップパターンを形成する段階
    と、を含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術に
    よる弱磁界感知用センサーの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記磁性体は、二つの磁性バンドが一
    定の間隔を置き配置された形態、単一の磁性体バンド形
    態又は長方形の帯形態である、ことを特徴とする請求項
    ９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用セ
    ンサーの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１積層体を形成した後、磁性体
    を一定の形状にパターン化する段階を更に含む、ことを
    特徴とする請求項９に記載の印刷回路基板製造技術によ
    る弱磁界感知用センサーの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記磁性体としてリボン形態を使用
    し、前記第１積層体を製作する段階に先立ち、前記リボ
    ン形態の磁性体を積層体上の所定位置に積層し得るよう
    に予備レイアップを行う段階を更に含む、ことを特徴と
    する請求項９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁
    界感知用センサーの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１導電層、第２導電層及び第３
    導電層として銅箔を用いることを特徴とする請求項９に
    記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサ
    ーの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１基板層、第２基板層及び第３
    基板層としてプレプレッグを用いる、ことを特徴とする
    請求項９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感
    知用センサーの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記プレプレッグは、ＦＲ−４、高ガ
    ラス転移温度（Ｔｇ）を有するＦＲ−４、及びビスマレ
    イミド−トリアジン（ＢＴ）エポキシ樹脂からなる群か
    ら選択される、ことを特徴とする請求項１４に記載の印
    刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記ドライビングパターンを形成させ
    る段階は、１本のパターンで磁性体の周囲を取り囲む形
    態となるように、ドライビングパターンをバイアホール
    により互いにジグザグに連結し、 前記ピックアップパターンを形成させる段階は、１本の
    パターンで前記ドライビングパターンを取り囲む形態と
    なるように、ピックアップパターンをスルーホールによ
    り互いにジグザグに連結する、ことを特徴とする請求項
    ９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用セ
    ンサーの製造方法。
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