JP2003263852A

JP2003263852A - 磁気記録装置

Info

Publication number: JP2003263852A
Application number: JP2002067073A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Kobayashi; 正明小林; Masaru Takayama; 勝高山
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2002-03-12
Filing date: 2002-03-12
Publication date: 2003-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】バックアップコンデンサの占有する体積を極
力少なくするか、余剰領域を有効に活用することで、更
に小型、薄型化の可能な磁気記録装置を提供する。【解決手段】少なくとも磁気記録媒体５１と、この磁
気記録媒体５１に磁気データを読み出し／書き込みを行
う磁気ヘッド４１と、この磁気ヘッド４１を駆動する駆
動手段とを有し、前記駆動手段は、磁気記録装置の電源
が絶たれたことを検出する電源監視手段と、この電源監
視手段により電源断が検出されたときに通常電源から非
常電源に切り替える切り替え手段と、電源断時に前記非
常電源のバックアップコンデンサから供給される電力を
使用してヘッドを所定の退避位置に退避させる制御手段
とを有し、前記バックアップコンデンサが平板状の固体
電解コンデンサであり、少なくとも磁気記録装置を構成
する筐体５２に形成可能な凹部４６と概ね同一な形状を
なし、かつこの凹部４６の深さと同等以下の厚みを有し
て前記凹部４６内に収納されている構成の磁気記録装置
とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ヘッドにより情報
の記録再生を行う磁気記録装置に関し、特に電源遮断時
にヘッドを所定の退避箇所にリトラクトさせる磁気記録
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録装置、すなわちヘッドにより情
報の記録再生を行う、例えば磁気ディスク装置では、デ
ィスクの回転により与えられるヘッドの浮力を利用して
ヘッドをディスク上に僅かに浮上させて用いるコンタク
ト・スタート・ストップ方式（ＣＳＳ方式）を適用する
のが主流となっている。

【０００３】このＣＳＳ方式では、ディスクの回転開始
時や停止時等に、ヘッドがディスク上を直接摺動して、
ディスク上のデータエリアに損傷を与える可能性があ
る。

【０００４】そこでＣＳＳ方式では、ディスクが回転停
止状態にある期間、ヘッドはディスク上の記録領域とは
異なる箇所、例えば記録領域の内周側に確保された専用
の退避領域（ＣＳＳエリア）に置かれる。そして装置へ
の電源が供給された場合、あるいは駆動用のスピンドル
モータ（ＳＰＭ）の回転がホストシステムより指示され
た場合には、ヘッドをＣＳＳエリアに退避させたままス
ピンドルモータを定常速度まで立ち上げ、ヘッドがディ
スクから浮上した後、ヘッドを記録領域に移動させる。
一方、ヘッドが記録領域に位置している状態でホストシ
ステムからスピンドルモータの停止指示が与えられる
と、ヘッドをＣＳＳエリアにリトラクトし、その後、ス
ピンドルモータの停止処理を行う。

【０００５】ヘッドの移動は、ＶＣＭ駆動回路（ＶＣＭ
ドライバ）からボイスコイルモータに駆動電流（ＶＣＭ
電流）を供給し、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により
キャリッジを駆動することで行われる。

【０００６】しかし、装置の使用中に突然電源の供給が
断たれた場合、装置への電源の供給が断たれていること
から、ＶＣＭドライバは動作不能となり、ボイスコイル
モータに駆動電流を供給することができない。このた
め、スピンドルモータが停止する前にヘッドをＣＳＳエ
リアにリトラクトすることができず、ヘッドクラッシュ
の原因となる可能性がある。

【０００７】そこで、ＣＳＳ方式を適用する近年の磁気
ディスク装置では、装置の動作中に装置の電源からバッ
クアップコンデンサに電荷を蓄積し、電源遮断時にはこ
のバックアップコンデンサからボイスコイルモータにＶ
ＣＭ電流を供給することで電源遮断時のヘッドのリトラ
クトを実現している。

【０００８】しかし、このようなバックアップコンデン
サは、ボイスコイルモータに退避のために十分なＶＣＭ
電流を供給する必要があるため、大容量を必要とする。
このような大容量のコンデンサは、例えば通常電解コン
デンサが用いられているが、立体的なブロック形状であ
り、しかも外形寸法が大きい。一方、セラミックコンデ
ンサは小型、薄型化に対応できるが、数１００μＦもの
大容量化には不向きであり、一定容量を得るには複数個
を並列接続する必要があり、実装上不利である。このた
め、磁気記録装置を小型化、薄型化する上で大きな障害
となっていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、装置
の有効空間内においてバックアップコンデンサの占有す
る体積を極力少なくし、かつ磁気記録装置の本体（筐
体）に凹部を形成して、この凹部により形成された領域
を有効に活用することで、更に小型、薄型化の可能な磁
気記録装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の本発明の構成により達成される。（１）少なくとも磁気記録媒体と、この磁気記録媒体
に磁気データを読み出し／書き込みを行う磁気ヘッド
と、この磁気ヘッドを駆動する駆動手段とを有し、前記
駆動手段は、磁気記録装置の電源が絶たれたことを検出
する電源監視手段と、この電源監視手段により電源断が
検出されたときに通常電源から非常電源に切り替える切
り替え手段と、電源断時に前記非常電源のバックアップ
コンデンサから供給される電力を使用してヘッドを所定
の退避位置に退避させる制御手段とを有し、前記バック
アップコンデンサが平板状の固体電解コンデンサであ
り、少なくとも磁気記録装置を構成する筐体に形成可能
な凹部と概ね同一な形状をなし、かつこの凹部の深さと
同等以下の厚みを有して前記凹部内に収納されている磁
気記録装置。（２）前記固体電解コンデンサは、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された弁金属基体の両面に、
少なくとも固体高分子電解質層および導電体層が、順
次、形成されている高分子固体電解コンデンサである上
記（１）の磁気記録装置。（３）前記固体電解コンデンサは、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された弁金属基体の一端部近
傍領域に、表面が粗面化されていない弁金属基体の一端
部近傍領域が電気的に接続されるように接合され、この
表面が粗面化されていない弁金属基体の他端部近傍領域
に、導電性金属基体の一端部近傍領域が電気的に接続さ
れるように接合されて陽極電極となっている上記（１）
または（２）の磁気記録装置。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録装置は、少なく
とも磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に磁気データを
読み出し／書き込みを行う磁気ヘッドと、この磁気ヘッ
ドを駆動する駆動手段とを有し、前記駆動手段は、磁気
記録装置の電源が絶たれたことを検出する電源監視手段
と、この電源監視手段により電源断が検出されたときに
通常電源から非常電源に切り替える切り替え手段と、電
源断時に前記非常電源のバックアップコンデンサから供
給される電力を使用してヘッドを所定の退避位置に退避
させる制御手段とを有し、前記バックアップコンデンサ
が平板状の固体電解コンデンサであり、少なくとも磁気
記録装置を構成する筐体に形成可能な凹部と概ね同一な
形状をなし、かつこの凹部の深さと同等以下の厚みを有
して前記凹部内に収納されているものである。

【００１２】このように固体電解コンデンサを非常用電
源のバックアップコンデンサとして用いることにより、
制御用プリント基板上のバックアップ用コンデンサの占
める占有体積を減少させることができ、しかも平板型コ
ンデンサであるため、装置の余剰領域に形成された凹部
に効果的に配置することも可能となり、磁気記録装置の
小型、薄型化を図ることができる。しかも、コンデンサ
自体は薄型でも十分な容量が確保できるので、ヘッドの
ＣＳＳエリアへの退避動作に支障が生じることもない。

【００１３】磁気記録装置本体筐体に形成可能な凹部分
は、磁気記録媒体の駆動装置であるスピンドルモータ
や、磁気ヘッドの駆動機構や、これら駆動系と磁気記録
装置全体を統括して制御する回路のプリント基板とを接
続する電気配線の設置位置を避け、かつ筐体の強度を損
なわないような位置、形状に形成しなくてはならない。

【００１４】したがって、凹形状はバックアップコンデ
ンサの形状を優先して、これに合わせて作製することが
できなくなる。このため形成可能な凹部形状は、通常不
定形となり、凹部分の深さは好ましくは１〜２mm程度で
ある。

【００１５】一般に、コンデンサの静電容量は一定の耐
電圧のもとで、電極面積に比例する。バックアップコン
デンサの静電容量が凹部分の形状とほぼ同一形状になる
ようにすれば、効率的に最大限の静電容量を得ることが
できる。

【００１６】本発明では、電解コンデンサとして用いる
陽極電極は、箔状の弁金属基体、例えばアルミニウム電
極を使用することができる。このアルミニウム電極は箔
状であることから任意の形状に切断・打ち抜き加工をす
ることが容易である。したがって任意の形状に形成され
た凹部分であっても、対応することが可能となる。

【００１７】図３、４に示すように、磁気記録装置全体
を統括して制御する制御回路が形成されたプリント基板
７１は、スピンドルモータ５３の凸部分より低くなるよ
うに設置する。なお、図３，４は本発明装置の概略透過
側面図である。

【００１８】凹部分の形状とほぼ同一形状に形成された
固体電解コンデンサは、その部品厚みが、凹部分の深さ
と同等以下であれば、磁気記録装置全体を統括して制御
する回路のプリント基板を押し上げることがなく、磁気
記録装置の薄型化を図ることができる。

【００１９】本発明では、電解コンデンサとして用いる
陽極電極を、銅等のハンダ付可能な金属と、拡面化され
ていないアルミニウム電極といった弁金属箔を溶接等の
手投により一体化し、この拡面化されていないアルミニ
ウム箔と、拡面化されかつ、絶縁性酸化皮膜を形成され
たアルミニウム電極箔を一体化した３電極構造とする。

【００２０】拡面化されかつ、絶縁性酸化皮膜が形成さ
れたアルミニウム電極箔（陽極電極）上の両面に、固体
高分子電解質層および導電体層を順次形成し、コンデン
サ素子となし、樹脂モールドや、樹脂基板の貼り合わせ
により、外装処理を行った後に、磁気記録装置全体を統
括して制御する制御回路が形成されたプリント基板７１
と電気的に接続し、一体化させる。この結果、このコン
デンサを磁気記録装置内部、好ましくは筐体に形成され
た凹部内に収納することができる。

【００２１】本発明における固体電解コンデンサは、表
面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された弁金属基
体と、前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸
化皮膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、
形成され、前記弁金属基体の一端部近傍領域に、表面が
粗面化されていない弁金属基体の一端部近傍領域が電気
的に接続されるように接合され、その他端部近傍領域
に、導電性金属基体の一端部近傍領域が電気的に接続さ
れるように接合されて陽極電極となっているものであ
る。

【００２２】前記固体電解コンデンサは、磁気記録装置
の内部、好ましくは筐体に形成された凹部内に内蔵、収
納されている。

【００２３】このコンデンサを磁気記録装置内部、好ま
しくは筐体に形成された凹部内に内蔵させることによ
り、磁気記録装置を薄型かつコンパクトにすることがで
きる。すなわち、従来の大型でブロック状の大容量コン
デンサを、平板状のコンデンサとし、これを磁気記録装
置の適当な位置、好ましくは筐体に形成された凹部内に
内蔵することで、従来バックアップコンデンサが占めて
いた空間が大幅に削減できるか不要となり、磁気記録装
置の小型、薄型化を図ることができる。

【００２４】また、用いる固体電解コンデンサは、通常
の電解コンデンサに比べてインピーダンスが低く、高周
波特性に優れているため電源断時の応答性も良好なもの
となる。

【００２５】また、好ましくは前記固体電解コンデンサ
は、表面が粗面化されていない弁金属基体に複数の弁金
属基体が接続されている。

【００２６】このように、複数の弁金属基体、好ましく
は複数の表面が粗面化されていない弁金属基体を、１つ
のコンデンサユニット内に配置させ、これらを並列接続
させることで、薄型かつコンパクトで大容量のコンデン
サを提供することができる。

【００２７】図６は、本発明の好ましい実施態様にかか
る固体電解コンデンサの陽極電極の概略断面図であり、
図７はその平面図であり、そのＡ−Ａ断面矢視図が図６
に相当する。

【００２８】本実施態様においては、絶縁酸化皮膜形成
能を有する弁金属として、アルミニウムが用いられ、図
６および図７に示されるように、本実施態様にかかる固
体電解コンデンサの陽極電極１は、表面が粗面化（拡面
化）され、表面に、絶縁酸化皮膜である酸化アルミニウ
ム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体２と、表面
が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体３と、リ
ード電極を構成する金属導体として、箔状の銅基体４を
備えている。

【００２９】図６および図７に示されるように、本実施
態様にかかる陽極電極は、表面が粗面化され、表面に、
酸化アルミニウム皮膜が形成された箔状のアルミニウム
基体２の一端部領域に、表面が粗面化されていない箔状
のアルミニウム基体３の一端部領域が、超音波溶接によ
って、弁金属間が電気的に接続されるように、接合され
ている。さらに、前記表面が粗面化されていない箔状の
アルミニウム基体３の他端部領域には、箔状の銅基体４
の一端部領域が、超音波溶接によって、金属間が電気的
に接続されるように、接合されて、形成されている。

【００３０】陽極電極の形成にあたっては、まず、所定
寸法に切断されたリード電極を構成すべき箔状の銅基体
４と、アルミニウム箔シートから、所定寸法に切り出さ
れ、表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体
３が、それぞれ、所定面積の端部領域が互いに重なり合
うように、重ね合わされる。

【００３１】次いで、互いに重ね合わされている箔状の
銅基体４の端部領域と、箔状のアルミニウム基体３の端
部領域とが、超音波溶接によって、接合されて、溶接接
合部５が形成される。箔状のアルミニウム基体３の表面
に、酸化アルミニウム皮膜が形成されている場合でも、
超音波溶接によって、接合することによって、酸化アル
ミニウム皮膜が除去され、金属間が電気的に接続される
ように、箔状の銅基体４の端部領域と、箔状のアルミニ
ウム基体３の端部領域とが接合される。ここに、互いに
重なり合う箔状の銅基体４の端部領域および箔状のアル
ミニウム基体３の端部領域の面積は、接合部が、所定の
強度を有するように決定される。

【００３２】その後、表面が粗面化され、表面に酸化ア
ルミニウム皮膜が形成されている所定寸法の箔状のアル
ミニウム基体２が、アルミニウム箔シートから切り出さ
れ、箔状の銅基体４と箔状のアルミニウム基体３の接合
体の表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体
３と、それぞれ、所定面積の端部領域が互いに重なり合
うように重ね合わされる。

【００３３】次いで、互いに重ね合わされている表面が
粗面化され、表面に酸化アルミニウム皮膜が形成された
箔状のアルミニウム基体２の端部領域と、表面が粗面化
されていない箔状のアルミニウム基体３の端部領域と
が、超音波溶接によって、接合されて、溶接接合部６が
生成される。ここに、超音波溶接によって、接合するこ
とにより、箔状のアルミニウム基体２の表面に形成され
ている酸化アルミニウム皮膜が除去され、アルミニウム
純金属間が電気的に接続されるように、表面が粗面化さ
れていない箔状のアルミニウム基体３の端部領域と、表
面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体２の端部
領域とが接合される。ここに、互いに重なり合う箔状の
アルミニウム基体３の端部領域および箔状のアルミニウ
ム基体２の端部領域の面積は、接合部が、所定の強度を
有するように決定される。

【００３４】本発明では、好ましくは少なくとも前記表
面が粗面化されていない弁金属基体に、複数の弁金属基
体が接続されている構成とするとよい。すなわち、図８
に示すように、前記表面が粗面化されていないアルミニ
ウム（弁金属）基体３に複数の、図示例では２つのアル
ミニウム（弁金属）基体２が接続されている。また、こ
の酸化アルミニウム皮膜が形成されたアルミニウム基体
２は、前記表面が粗面化されていないアルミニウム（弁
金属）基体３を丁度挟むようにして、上下に配置されて
いる。

【００３５】このように、アルミニウム（弁金属）基体
２が２倍になり、コンデンサとしての有効面積も２倍に
なるので、さらに高容量のコンデンサを得ることができ
る。その他の構成は、図６，７と同様であり、同一構成
要素には同一符号を付して説明を省略する。

【００３６】図９は、本発明の他の実施態様を示した、
固体電解コンデンサの陽極電極の概略断面図である。こ
の例では、２枚の表面が粗面化されていない箔状のアル
ミニウム基体３が、リード電極を構成する金属導体であ
る箔状の銅基体４に、これを挟み込むようにして接続さ
れている。また、表面が粗面化されていないアルミニウ
ム（弁金属）基体３には、図６同様に、２つのアルミニ
ウム（弁金属）基体２が接続されている。このとき、箔
状の銅基体４には、表面が粗面化されていない箔状のア
ルミニウム基体３が２枚、アルミニウム（弁金属）基体
２が４枚接続されることになる。また、表面が粗面化さ
れていない箔状のアルミニウム基体３は、図示例のよう
に、その先に接続されるアルミニウム（弁金属）基体２
同士が干渉しないようにある程度変形させてもよい。

【００３７】このように、アルミニウム（弁金属）基体
２が４倍になり、コンデンサとしての有効面積も４倍に
なるので、さらに高容量のコンデンサを得ることができ
る。その他の構成は、図６，７と同様であり、同一構成
要素には同一符号を付して説明を省略する。

【００３８】なお、上記例では、複数の粗面化されてい
ない箔状のアルミニウム基体３、アルミニウム（弁金
属）基体２が、それぞれ箔状の銅基体４、複数の粗面化
されていない箔状のアルミニウム基体３の両面に接続さ
れている状態を例示したが、一方の面にそれぞれが接触
・干渉しないように取り付け部分を屈曲させて接続して
もよいし、一方の面あるいは両面にそのように接続する
ことで、２枚以上を接続するようにしてもよい。この場
合でも、好ましい取り付け枚数は３枚程度である。

【００３９】また、各弁金属基体２は、粗面化されてい
ない箔状のアルミニウム基体３、銅基体４を介して電気
的に接続されるため、それぞれの弁金属基体で形成され
るコンデンササブユニットは、電気的、等価回路的に並
列接続された状態となり、見かけ上高容量のコンデンサ
として機能する。しかも、積層コンデンサが並列接続さ
れているため、インピーダンスの上昇もなく、高周波特
性も良好になる。

【００４０】複数のアルミニウム（弁金属）基体２同士
は、相互に干渉しない程度に離間されていることが好ま
しい。この場合、２つのアルミニウム（弁金属）基体２
の離間距離は好ましくは５０〜２００μm 、特に８０〜
１５０μm 程度である。

【００４１】図１０は、固体電解コンデンサの略断面図
である。なお、この図では、構造の理解を容易にするた
めに弁金属基体２は１枚のみ記載されているが、図８，
９に示すように複数枚存在してもよい。

【００４２】図１０に示されるように、固体電解コンデ
ンサ１０は、陽極電極１の表面が粗面化され、酸化アル
ミニウム皮膜９が形成されている箔状のアルミニウム基
体２の全表面上に、固体高分子電解質層１１、グラファ
イトペースト層１２および銀ペースト層１３からなる陰
極電極１４を備えている。

【００４３】導電性高分子化合物を含む固体高分子電解
質層１１は、陽極電極１の表面が粗面化され、酸化アル
ミニウム皮膜が形成されている箔状のアルミニウム基体
２の全表面上に、化学酸化重合あるいは電解酸化重合に
よって形成され、グラファイトペースト層１２および銀
ペースト層１３は、固体高分子電解質層１１上に、スク
リーン印刷法、スプレー塗布法、あるいはディッピング
法によって形成される。

【００４４】こうして形成された固体電解コンデンサ１
０は、適当な保護部材に収納された後、磁気記録装置内
に収納、配置される。保護部材に収納するためには、例
えばコンデンサ素子をインジェクションモールド等とい
った手法で外装すればよい。特に、固体電解コンデンサ
を一対の絶縁性樹脂基板の間に固定して、特願２００１
−９５０５５号に記載されているような手法により、基
板に内蔵させ、固体電解コンデンサ内蔵素子とするとよ
い。

【００４５】図１１は、磁気記録装置に好ましく用いら
れる固体電解コンデンサ内蔵基板の分解斜視図、図１２
は、図１１のＢ−Ｂ’略断面矢視図の一例を示したもの
である。

【００４６】図１１，１２に示されるように、固体電解
コンデンサ内蔵基板２０は、互いに対向する第１の絶縁
性樹脂基板２１と第２の絶縁性樹脂基板２２を備え、第
１の絶縁性樹脂基板２１と第２の絶縁性樹脂基板２２と
の間に、固体電解コンデンサ１０を備えている。

【００４７】第１の絶縁性樹脂基板２１、第２の絶縁性
樹脂基板２２と、スペーサ２３は磁気記録装置本体筐体
に形成された凹部分の形状に対応するように、基板形状
を決め、加工する。図１１には凹部分に対応した形状に
加工した一例を示した。

【００４８】第１の絶縁性樹脂基板２１には、互いに対
向する２つの側部に沿って、その高さが、固体電解コン
デンサ１０の厚さよりも大きいバンク、つまりスペーサ
２３が形成されており、固体電解コンデンサ１０は、ス
ペーサ２３の間の第１の絶縁性樹脂基板２１の一面上の
所定の位置に位置決めされ、接着剤２９によって固定さ
れる。

【００４９】本実施態様においては、スペーサ２３は、
第１の絶縁性樹脂基板２１および第２の絶縁性樹脂基板
２２と同じ材質の基板を、その周縁部に、所定面積の部
分が残されるように打ち抜き加工して、枠状の基板を形
成し、第１の絶縁性樹脂基板２１および第２の絶縁性樹
脂基板２２と同じ材質の接着剤を用いて、枠状の基板を
第１の絶縁性樹脂基板に固定することによって、形成さ
れている。

【００５０】第１の絶縁性樹脂基板２１の他面には、第
１の絶縁性樹脂基板２１には、スルーホール２５ａ，２
５ｂが形成されている。

【００５１】固体電解コンデンサ１０が、第１の絶縁性
樹脂基板２１上の所定の位置に位置決めされて、接着剤
２９によって、第１の絶縁性樹脂基板２１上に固定され
ると、第１の絶縁性樹脂基板２１に形成されたスペーサ
２３に当接するように、平板状の第２の絶縁性樹脂基板
２２が被せられ、第１および第２の絶縁性樹脂基板と同
一材質の接着材を用いて第１および第２の絶縁性樹脂基
板とが接着され、固定される。

【００５２】第１の絶縁性樹脂基板２１は、それぞれ、
固体電解コンデンサ１０の陽極電極１の箔状の銅基体４
に対応する位置に、スルーホール２５ａを備えており、
スルーホール２５ｂを介して、固体電解コンデンサ１０
の陰極電極１４を目視によって、確認することができる
ように構成されている。

【００５３】スルーホール２５ａを介して、固体電解コ
ンデンサ１０の陽極電極１が、第１の絶縁性樹脂基板２
１に形成された配線パターン２４ａと、電気的に接続さ
れ、固体電解コンデンサ１０の陰極電極１４が、スルー
ホール２５ｂを介して第１の絶縁性樹脂基板２１に形成
された配線パターン２４ｂと、電気的に接続される。

【００５４】図１２においては、第１の絶縁性樹脂基板
２１に形成された配線パターン２４ａと、固体電解コン
デンサ１０の陽極電極１を構成する箔状の銅基体４と
が、スルーホール２５ａを介して、ハンダ３１によっ
て、電気的に接続され、その一方で、第１の絶縁性樹脂
基板２１に形成された配線パターン２４ｂと、固体電解
コンデンサ１０の陰極電極１４が、スルーホール２５ｂ
に充填された導電性樹脂３２によって、電気的に接続さ
れた例が示されている。配線パターン２４ａ、２４ｂ
は、磁気記録装置の全体を統括して制御する制御回路が
形成されたプリント基板７１の所定のコンデンサ接続部
（図示せず）とハンダで電気的に接続される。

【００５５】このように、本発明によれば、高容量の固
体電解コンデンサを外装すると共に、電源監視手段、制
御手段等、上述したアンロード系の回路を形成したプリ
ント基板の所定の接続位置に電気的に接続する。このた
め、収納空間を大幅に減少させることができ、磁気記録
装置を小型、薄型にできる。

【００５６】本発明の固体電解質コンデンサは、表面が
粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された複数の弁金属
基体の一端部近傍領域に、表面が粗面化されていない弁
金属基体の一端部近傍領域が電気的に接続されるように
接合され、表面が粗面化されていない弁金属基体、好ま
しくは複数の弁金属基体の他端部近傍領域に、さらに、
導電性金属基体の一端部近傍領域が電気的に接続される
ように接合されて、陽極電極が構成されている。

【００５７】このため、陽極酸化により、表面が粗面化
された弁金属基体の絶縁性酸化皮膜が形成されていない
エッジ部分に絶縁性酸化皮膜を形成しても、化成溶液
は、表面が粗面化された弁金属基体の一端部近傍領域
と、表面が粗面化されていない弁金属基体の一端部近傍
領域との接合部を越えて、導電性金属基体に達すること
がない。したがって、表面が粗面化された弁金属基体の
一端部近傍領域と、表面が粗面化されていない弁金属基
体の一端部近傍領域との接合部に、絶縁性酸化皮膜が形
成された時点で、電流は流れなくなって、陽極酸化が完
了する。

【００５８】このため、表面が粗面化された箔状の弁金
属基体のエッジ部分に、所望のように、絶縁性酸化皮膜
を形成することができる。さらに、固体電解コンデンサ
を回路基板に内蔵させた後に、表面が粗面化されていな
い箔状の弁金属基体の表面に、経時的に、絶縁性酸化皮
膜が形成されても、導電性金属に、回路基板に搭載され
る他の電子部品とのコンタクトを設けることによって、
所望のインピーダンス特性を有する固体電解コンデンサ
を、外装処理させることが可能になる。

【００５９】また、表面が粗面化されていない前記弁金
属基体に、絶縁性かつ疎水性の表面領域を形成してもよ
い。

【００６０】このように、弁金属基体に、絶縁性かつ疎
水性の表面領域を形成することで、陽極酸化の際に、化
成溶液が、電子部品とのコンタクトを形成する箔状の導
電性金属基体に達することを、より一層確実に防止する
ことができる。また、化学酸化重合によって、固体高分
子電解質層を形成する際に、原料モノマー溶液や酸化剤
溶液が、電子部品とのコンタクトを形成する箔状の導電
性金属基体に達することを確実に防止することが可能に
なる。

【００６１】本発明において、弁金属基体は、絶縁酸化
皮膜形成能を有する金属およびその合金よりなる群から
選ばれる金属または合金によって形成される。好ましい
弁金属としては、アルミニウム、タンタル、チタン、ニ
オブおよびジルコニウムよりなる群から選ばれる１種の
金属または２種以上の金属の合金が挙げられ、これらの
中でも、アルミニウムおよびタンタルが、とくに好まし
い。陽極電極は、通常、これらの金属あるいは合金を、
箔状に加工して、形成される。また、磁気記録装置本体
の筐体に形成された凹部の形状に沿って加工される。

【００６２】本発明において、導電性金属の材料は、導
電性を有する金属または合金であればよく、とくに限定
されるものではないが、好ましくは、ハンダ接続が可能
であり、とくに、銅、真鍮、ニッケル、亜鉛およびクロ
ムよりなる群から選ばれる１種の金属または２種以上の
金属の合金から選択されることが好ましく、これらの中
では、電気的特性、後工程での加工性、コストなどの観
点から、銅が最も好ましく使用される。

【００６３】導電性金属の厚みとしては、所定の強度
と、導電性を確保できる厚みであればよい。具体的には
０．０２〜０．２mm、特に０．０５〜０．１mm程度であ
る。

【００６４】こうして、形成された陽極電極１は、誘電
体を構成する表面が粗面化され、表面に酸化アルミニウ
ム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体２が、アル
ミニウム箔シートから切り出されたものであるため、そ
のエッジ部には、酸化アルミニウム皮膜が形成されては
おらず、固体電解コンデンサの陽極電極として用いるた
めには、表面が粗面化されている箔状のアルミニウム基
体２のエッジ部に、陽極酸化によって、酸化アルミニウ
ム皮膜を形成することが必要である。

【００６５】図１３は、表面が粗面化されている箔状の
アルミニウム基体２のエッジ部に、酸化アルミニウム皮
膜を形成する陽極酸化方法を示す略断面図である。

【００６６】図１３に示されるように、ステンレスビー
カー７中に収容されたアジピン酸アンモニウム水溶液よ
りなる化成溶液８中に、表面が粗面化された箔状のアル
ミニウム基体２の全体と、表面が粗面化されていない箔
状のアルミニウム基体３の一部が浸漬されるように、陽
極電極１がセットされ、箔状の銅基体４がプラスに、ス
テンレスビーカー７がマイナスになるように、電圧が印
加される。

【００６７】使用電圧は、形成すべき酸化アルミニウム
皮膜の膜厚に応じて、適宜決定することができ、１０nm
〜１μｍの膜厚を有する酸化アルミニウム皮膜を形成す
るときは、通常、数ボルト〜２０ボルト程度に設定され
る。

【００６８】その結果、陽極酸化が開始され、化成溶液
８は、箔状のアルミニウム基体２の表面が粗面化されて
いるため、毛細管現象によって、上昇するが、箔状のア
ルミニウム基体３の表面は粗面化されていないため、表
面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体２と、表
面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体３の接
合部を越えて、上昇することはなく、したがって、リー
ド電極を構成する箔状の銅基体４に化成溶液８が接触す
ることが確実に防止され、エッジ部を含む表面が粗面化
されている箔状のアルミニウム基体２の全表面および表
面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体２に接合
された表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基
体３の領域のみに、酸化アルミニウム皮膜が形成され
る。

【００６９】こうして、生成された陽極電極１の表面が
粗面化され、酸化アルミニウム皮膜が形成されている箔
状のアルミニウム基体２の全表面上に、公知の方法で、
陰極電極が形成され、固体電解コンデンサが生成され
る。

【００７０】本発明において、固体高分子電解質層は、
導電性高分子化合物を含有し、好ましくは、化学酸化重
合あるいは電解酸化重合によって、表面が粗面化され、
絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体上に、形
成される。

【００７１】化学酸化重合によって、固体高分子電解質
層を形成する場合、具体的には、固体高分子電解質層
は、たとえば、以下のようにして、表面が粗面化され、
絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体上に、形
成される。

【００７２】まず、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜
が形成された箔状の弁金属基体上のみに、０．００１な
いし２．０モル／リットルの酸化剤を含む溶液、あるい
は、さらに、ドーパント種を与える化合物を添加した溶
液を、塗布、噴霧などの方法によって、均一に付着させ
る。

【００７３】次いで、好ましくは、少なくとも０．０１
モル／リットルの導電性高分子化合物の原料モノマーを
含む溶液あるいは導電性高分子化合物の原料モノマー自
体を、箔状の弁金属基体の表面に形成された絶縁性酸化
皮膜に、直接接触させる。これによって、原料モノマー
が重合し、導電性高分子化合物が合成され、箔状の弁金
属基体の表面に形成された絶縁性酸化皮膜上に、導電性
高分子化合物よりなる固体高分子電解質層が形成され
る。

【００７４】本発明において、固体高分子電解質層に含
まれる導電性高分子化合物としては、置換または非置換
のπ共役系複素環式化合物、共役系芳香族化合物および
ヘテロ原子含有共役系芳香族化合物よりなる群から選ば
れる化合物を、原料モノマーとするものが好ましく、こ
れらのうちでは、置換または非置換のπ共役系複素環式
化合物を、原料モノマーとする導電性高分子化合物が好
ましく、さらに、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチ
オフェン、ポリフランおよびこれらの誘導体よりなる群
から選ばれる導電性高分子化合物、とくに、ポリアニリ
ン、ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェンが
好ましく使用される。

【００７５】本発明において、固体高分子電解質層に好
ましく使用される導電性高分子化合物の原料モノマーの
具体例としては、未置換アニリン、アルキルアニリン
類、アルコキシアニリン類、ハロアニリン類、ｏ−フェ
ニレンジアミン類、２，６−ジアルキルアニリン類、
２，５−ジアルコキシアニリン類、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ピロール、３−メチルピロール、
３−エチルピロール、３−プロピルピロール、チオフェ
ン、３−メチルチオフェン、３−エチルチオフェン、
３，４−エチレンジオキシチオフェンなどを挙げること
ができる。

【００７６】本発明において、化学酸化重合に使用され
る酸化剤は、とくに限定されるものではないが、たとえ
ば、ヨウ素、臭素、ヨウ化臭素などのハロゲン化物、五
フッ化珪素、五フッ化アンチモン、四フッ化珪素、五塩
化リン、五フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブ
デンなどの金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫
酸、トリフルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロト
ン酸、三酸化イオウ、二酸化窒素などの酸素化合物、過
硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム
などの過硫酸塩、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、
過酢酸、ジフルオロスルホニルパーオキサイドなどの過
酸化物が、酸化剤として使用される。

【００７７】本発明において、必要に応じて、酸化剤に
添加されるドーパント種を与える化合物としては、たと
えば、ＬｉＰＦ₆ 、ＬｉＡｓＦ₆ 、ＮａＰＦ₆ 、ＫＰＦ
₆ 、ＫＡｓＦ₆ などの陰イオンがヘキサフロロリンアニ
オン、ヘキサフロロ砒素アニオンであり、陽イオンがリ
チウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属カチ
オンである塩、ＬｉＢＦ₄ 、ＮａＢＦ₄ 、ＮＨ₄ＢＦ
₄ 、（ＣＨ₃）₄ＮＢＦ₄、（ｎ−Ｃ₄Ｈ₉）₄ＮＢＦ₄ など
の四フッ過ホウ素塩化合物、ｐ−トルエンスルホン酸、
ｐ−エチルベンゼンスルホン酸、Ｐ−ヒドロキシベンゼ
ンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、メチルス
ルホン酸、ドデシルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
βーナフタレンスルホン酸などのスルホン酸またはその
誘導体、ブチルナフタレンスルホン酸ナトリウム、２，
６−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、トルエンスル
ホン酸ナトリウム、トルエンスルホン酸テトラブチルア
ンモニウムなどのスルホン酸またはその誘導体の塩、塩
化第二鉄、臭化第二鉄、塩化第二銅、集荷第二銅などの
金属ハロゲン化物、塩酸、臭化水素、ヨウ化水素、硫
酸、リン酸、硝酸あるいはこれらのアルカリ金属塩、ア
ルカリ土類金属塩もしくはアンモニウム塩、過塩素酸、
過塩素酸ナトリウムなどの過ハロゲン酸もしくはその塩
などのハロゲン化水素酸、無機酸またはその塩、酢酸、
シュウ酸、蟻酸、酪酸、コハク酸、乳酸、クエン酸、フ
タル酸、マレイン酸、安息香酸、サリチル酸、ニコチン
酸などのモノもしくはジカルボン酸、芳香族複素環式カ
ルボン酸、トリフルオロ酢酸などのハロゲン化されたカ
ルボン酸およびこれらの塩などのカルボン酸類を挙げる
ことができる。

【００７８】本発明において、これらの酸化剤およびド
ーパント種を与えることのできる化合物は、水や有機溶
媒などに溶解させた適当な溶液の形で使用される。溶媒
は、単独で使用しても、２種以上を混合して、使用して
もよい。混合溶媒は、ドーパント種を与える化合物の溶
解度を高める上でも有効である。混合溶媒としては、溶
媒間に相溶性を有するものおよび酸化剤およびドーパン
ト種を与えることのできる化合物と相溶性を有するもの
が好ましい。溶媒の具体例としては、有機アミド類、含
硫化合物、エステル類、アルコール類が挙げられる。

【００７９】一方、電解酸化重合によって、固体高分子
電解質層を、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成
された弁金属基体上に形成する場合には、公知のよう
に、導電性下地層を作用極として、対向電極とともに、
導電性高分子化合物の原料モノマーと支持電解質を含ん
だ電解液中に浸漬し、電流を供給することによって、固
体高分子電解質層が形成される。

【００８０】具体的には、表面が粗面化され、絶縁性酸
化皮膜が形成された箔状の弁金属基体上に、好ましく
は、化学酸化重合によって、まず、薄層の導電性下地層
が形成される。導電性下地層の厚さは、一定の重合条件
のもとで、重合回数を制御することによって、制御され
る。重合回数は、原料モノマーの種類によって決定され
る。

【００８１】導電性下地層は、金属、導電性を有する金
属酸化物、導電性高分子化合物のいずれから構成しても
よいが、導電性高分子化合物から構成することが好まし
い。導電性下地層を構成するための原料モノマーとして
は、化学酸化重合に用いられる原料モノマーを用いるこ
とができ、導電性下地層に含まれる導電性高分子化合物
は、化学酸化重合によって形成される固体高分子電解質
層に含まれる導電性高分子化合物と同様である。

【００８２】導電性下地層を構成するための原料モノマ
ーとして、エチレンジオキシチオフェン、ピロールを用
いる場合は、化学酸化重合のみで高分子固体電解質層を
形成する場合に生成される導電性高分子の全量の１０％
〜３０％（質量比）程度の導電性高分子が生成する条件
になるように重合回数を換算して、導電性下地層が形成
すればよい。

【００８３】その後、導電性下地層を作用極として、対
向電極とともに、導電性高分子化合物の原料モノマーと
支持電解質を含んだ電解液中に浸漬し、電流を供給する
ことによって、導電性下地層上に、固体高分子電解質層
が形成される。

【００８４】電解液には、必要に応じて、導電性高分子
化合物の原料モノマーおよび支持電解質に加えて、種々
の添加剤を添加することができる。

【００８５】固体高分子電解質層に使用することのでき
る導電性高分子化合物は、導電性下地層に使用される導
電性高分子化合物、したがって、化学酸化重合に用いら
れる導電性高分子化合物と同様であり、置換または非置
換のπ共役系複素環式化合物、共役系芳香族化合物およ
びヘテロ原子含有共役系芳香族化合物よりなる群から選
ばれる化合物を、原料モノマーとする導電性高分子化合
物が好ましく、これらのうちでは、置換または非置換の
π共役系複素環式化合物を、原料モノマーとする導電性
高分子化合物が好ましく、さらに、ポリアニリン、ポリ
ピロール、ポリチオフェン、ポリフランおよびこれらの
誘導体よりなる群から選ばれる導電性高分子化合物、と
くに、ポリアニリン、ポリピロール、ポリエチレンジオ
キシチオフェンが好ましく使用される。

【００８６】支持電解質は、組み合わせるモノマーおよ
び溶媒に応じて、選択されるが、支持電解質の具体例と
しては、たとえば、塩基性の化合物としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸
ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどが、酸性の化合物
としては、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素、過塩素酸、ト
リフルオロ酢酸、スルホン酸などが、塩としては、塩化
ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化カリウム、塩化カ
リウム、硝酸カリウム、過ヨウ酸ナトリウム、過塩素酸
ナトリウム、過塩素酸リチウム、ヨウ化アンモニウム、
塩化アンモニウム、四フッ化ホウ素塩化合物、テトラメ
チルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウ
ムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルア
ンモニウムパークロライド、テトラブチルアンモニウム
パークロライド、テトラメチルアンモニウム、Ｄ−トル
エンスルホン酸クロライド、ポリジサリチル酸トリエチ
ルアミン、１０−カンファースルホン酸ナトリウムなど
が、それぞれ、挙げられる。

【００８７】本発明において、支持電解質の溶解濃度
は、所望の電流密度が得られるように設定すればよく、
とくに限定されないが、一般的には、０．０５ないし
１．０モル／リットルの範囲内に設定される。

【００８８】本発明において、電解酸化重合で用いられ
る溶媒は、とくに限定されるものではなく、たとえば、
水、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒またはこれらの
溶媒を２種以上を混合した混合溶媒から、適宜選択する
ことができる。混合溶媒としては、溶媒間に相溶性を有
するものならびにモノマーおよび支持電解質と相溶性を
有するものが好ましく使用できる。

【００８９】本発明において使用されるプロトン性溶媒
の具体例としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、メタノ
ール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、メチルセロソルブ、
ジエチルアミン、エチレンジアミンなどを挙げることが
できる。

【００９０】また、非プロトン性溶媒の具体例として
は、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、二硫化炭
素、アセトニトリル、アセトン、プロピレンカーボネー
ト、ニトロメタン、ニトロベンゼン、酢酸エチル、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタ
ン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピリジン、ジメチルスルホ
キシドなどが挙げられる。

【００９１】本発明において、電解酸化重合によって、
固体高分子電解質層を形成する場合には、定電圧法、定
電流法、電位掃引法のいずれを用いてもよい。また、電
解酸化重合の過程で、定電圧法と定電流法を組み合わせ
て、導電性高分子化合物を重合することもできる。電流
密度は、とくに限定されないが、最大で、５００mA／cm
² 程度である。

【００９２】本発明において、化学酸化重合時あるいは
電解酸化重合時に、特開２０００−１００６６５号公報
に開示されるように、超音波を照射しつつ、導電性高分
子化合物を重合することもできる。超音波を照射しつ
つ、導電性高分子化合物を重合する場合には、得られる
固体高分子電解質層の膜質を改善することが可能にな
る。

【００９３】本発明において、固体高分子電解質層の最
大厚さは、エッチングなどによって形成された陽極電極
表面の凹凸を完全に埋めることができるような厚さであ
ればよく、とくに限定されないが、一般に、５〜１００
μm 程度である。

【００９４】本発明において、固体電解コンデンサは、
さらに、固体高分子電解質層上に、陰極として機能する
導電体層を備えており、導電体層としては、グラファイ
トペースト層および銀ペースト層を設けることができ、
グラファイトペースト層および銀ペースト層は、スクリ
ーン印刷法、スプレー塗布法、ディッピング法などによ
って形成することができる。銀ペースト層のみによっ
て、固体電解コンデンサの陰極を形成することもできる
が、グラファイトペースト層を形成する場合には、銀ペ
ースト層のみによって、固体電解コンデンサの陰極を形
成する場合に比して、銀のマイグレーションを防止する
ことができる。

【００９５】陰極として、グラファイトペースト層およ
び銀ペースト層を形成するにあたっては、メタルマスク
などによって、粗面化処理が施され、絶縁酸化皮膜が形
成された箔状の弁金属基体に対応する部分を除いた部分
がマスクされ、粗面化処理が施され、絶縁酸化皮膜が形
成された箔状の弁金属基体に対応する部分にのみ、グラ
ファイトペースト層および銀ペースト層が形成される。

【００９６】本発明において、固体電解コンデンサは、
好ましくは一方の面に、少なくとも１つの配線パターン
が形成された１つの絶縁性樹脂基板の他方の面側に固定
され、あるいは、それぞれ、一方の面に、少なくとも１
つの配線パターンが形成された互いに対向する一対の絶
縁性樹脂基板の他方の面の間に固定される。

【００９７】本発明において、絶縁性樹脂基板の材料
は、とくに限定されないが、樹脂として、接着性や耐溶
剤性などが良好なフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などによって形成するこ
とができる。

【００９８】本発明において、固体電解コンデンサは、
磁気記録装置の筐体に形成された凹部内に収納、配置さ
れる。好ましくは前記固体電解コンデンサは、少なくと
も前記磁気記録媒体を駆動する駆動装置の周囲に形成さ
れている凹部か、磁気ヘッド駆動部材の周囲に形成され
ている凹部内に配置されている。

【００９９】以下、図を参照しつつ、本発明の磁気記録
装置についてより具体的に説明する。

【０１００】図１、２は、本発明の好ましい実施態様で
あるハードディスク装置５０の平面図および底面図であ
る。また、図３は図１，２の概略透過側面図に相当す
る。図中、ディスク５１は、ベース（筐体）５２に配設
されたスピンドルモータ５３のハブ５４に一体的に保持
され、スピンドルモータ５３により回転駆動される。Ｈ
Ｇアッセンブリ４１は、コイルサポート部５５と一体的
に形成され、筐体５２に植立する回動軸５６によって回
動自在に保持されている。

【０１０１】このコイルサポート部５５は、回動軸５６
に対してＨＧアッセンブリ４１と反対側においてコイル
５８を保持している。このコイル５８は、筐体５２に固
定された上側マグネット保持板５７にコイル５８の上側
で固定されたマグネット（図示せず）と共にボイスコイ
ルモータ（ＶＣＭ）を構成し、ＨＧアッセンブリ４１を
矢印Ａ、又は矢印Ｂ方向に回動する。

【０１０２】なお、上側マグネット保持板５７は、図１
においては、その上側主要部が便宜上切り欠いて図示さ
れており、その外形が破線で示されている。また、コイ
ル５８の下側にもＶＣＭを構成するマグネットをコイル
５８に対接する位置に保持するための下側マグネット保
持板（図示せず）が配設されている。

【０１０３】ＨＧアッセンブリ４１の先端部にはスライ
ダ４２が保持され、このスライダ４２の所定位置には信
号読出し用と書込み用の各ヘッドが配設されている。Ｈ
Ｇアッセンブリ４１が矢印Ａ方向に回動して回転中のハ
ードディスク５１の記録面上に移動したとき、スライダ
４２がディスク５１の記録面上を飛行して、ヘッドが所
定の間隔を保って記録面と対向するように構成されてい
る。

【０１０４】筐体５２に配置されたランプ５９は、ＨＧ
アッセンブリ４１がアンロードしてホームポジションに
あるとき、ＨＧアッセンブリ４１の先端部のタブ４３を
載置する。

【０１０５】また上記の説明では、簡単のためにディス
ク５１が一枚構成で、片面記録のものを想定して説明し
たが、両面記録のときは各記録面を走査するヘッドを保
持するＨＧアッセンブリをもう１つ用意し、図１のＨＧ
アッセンブリ４１と所定の間隔をおいて重なる位置でコ
イルサポート部５５に固定する。

【０１０６】さらに複数枚のハードディスクを両面記録
する場合には、ハブ５４によってスピンドルモータ５３
の回転軸方向に所定の間隔で複数枚のハードディスクを
一体的に保持する。そして、それぞれ各記録面を走査す
るヘッドを保持するＨＧアッセンブリを記録面の数だけ
用意し、図１のＨＧアッセンブリ４１と所定の間隔をお
いて重なる位置でコイルサポート部５５に固定するが、
これらのような態様にすること自体は何れも公知技術の
ため、詳細な説明は省略する。

【０１０７】このような構成のハードディスク装置にお
いて、本発明の固体電解コンデンサ４５は磁気記録装置
本体の筐体５２に形成された凹部４６内に収納される。
また、前記磁気記録ヘッド、及びその駆動系や、磁気デ
ィスク基板、スピンドルモータは、磁気記録装置本体の
筐体５２に装着される。

【０１０８】磁気記録装置本体筐体５２は、通常アルミ
ニウム合金といった軽量化が可能でしかもある程度の強
度を有する材質が用いられ、ダイキャスト製法等によ
り、所定の形状に加工される。

【０１０９】図４に示すように、磁気記録媒体の駆動装
置であるスピンドルモータや、磁気ヘッドの駆動機構
や、これら駆動系と磁気記録装置全体を統括して制御す
る回路のプリント基板７１とを接続する電気配線の設置
位置を避け、かつ筐体の強度を損なわないように磁気記
録装置本体筐体５２に凹部４６を筐体作製時に形成する
とよい。

【０１１０】本発明の固体電解コンデンサ４５は、この
凹部４６に収納される。好ましくは、凹部４６の形状と
ほぼ同一形状に形成し、その部品厚みが、凹部４６の深
さと同等以下となるようにするとよい。

【０１１１】本発明の固体電解コンデンサ４５は、前記
磁気記録ヘッド及び、磁気ディスク基板が磁気記録装置
本体筐体５２に実装されている実装面とは反対側に装着
されることになる。この表面には、電源監視手段、制御
手段、通常電源手段、非常電源手段（アンロード系回
路）を形成したプリント基板が実装され、本発明の固体
電解コンデンサは前記プリント基板のアンロード系回路
に電気的に接続される。

【０１１２】このような筐体に形成された凹部に固体電
解コンデンサを配置することにより、装置内のスペース
を有効に活用することができると共に、コンデンサを配
置するためのスペースを新たに用意することがないか、
僅かにすることができ、磁気記録装置の小型化、薄型化
に寄与することができる。しかも、固体電解質コンデン
サは、平面形状を比較的自由に設計することができるの
で、凹部内領域の形状に即した形にすることができ、筐
体の占める領域を有効に活用することができる。

【０１１３】本発明の固体電解コンデンサは、上記のよ
うな磁気記録装置において、主電源断時の補助電源とし
て用いられることが好ましい。

【０１１４】図５は本発明の磁気記録装置の電源断時の
バックアップ回路部分を含む駆動手段を示すブロック図
である。図において、電源ラインＶＣＣは切替手段１０
２を介して、制御手段１０３およびＶＣＭドライバ１０
４が接続されている。つまり、通常状態では電源ライン
ＶＣＣから制御手段１０３およびＶＣＭドライバ１０４
に電源を供給する。また、切替手段１０２には、バック
アップコンデンサＣ１が接続され、通常状態において、
電源ラインＶＣＣと接続されて充電されるようになって
いる。

【０１１５】切替手段１０２はトランジスタ、ＦＥＴ等
の半導体で構成され、通常状態（主電源の投入状態）に
おいては電源ラインＶＣＣがそのまま制御手段１０３お
よびＶＣＭドライバ１０４と接続され（ＯＮ状態）、電
源遮断時に（ＯＦＦ状態）には、主電源ＶＣＣ側が切り
離され、バックアップコンデンサＣ１側にのみ接続され
るようになっている。なお、電源ラインＶＣＣには、制
御手段１０３およびＶＣＭドライバ１０４等のアンロー
ド制御回路系以外の回路、例えばＳＰＭドライバ、ヘッ
ドアンプ回路、リード／ライト回路などの他の回路等が
接続されている。

【０１１６】バックアップコンデンサＣ１は、通常状態
では電源ラインＶＣＣ側に接続され、電源電圧により電
荷が蓄積される。このコンデンサＣ１は、アンロード制
御回路系に対してのみの補助電源として機能する。

【０１１７】また、電源監視手段１０１も電源ラインＶ
ＣＣと接続され、電源ラインＶＣＣの電圧を監視し、電
源断などの異常状態を検出できるようになっている。電
圧監視手段は、トランジスタ、ＦＥＴ、ツェナーダイオ
ード等の半導体を組み合わせたり、ＯＰアンプ、コンパ
レータ等を用いた公知の電圧監視回路を用いてもよい
し、市販の電源監視用ＩＣを用いてもよい。また、Ａ／
Ｄコンバータ等と制御手段とを組み合わせて電源監視手
段としてもよい。

【０１１８】制御手段１０３は、ＶＣＭドライバ１０４
等のアンロード系の制御を行う。制御手段はＣＰＵを用
いた公知の制御装置を用いて構成することができる。ま
た、ＶＣＭドライバ１０４は、制御手段１０３からの指
示に従いＶＣＭを駆動する。

【０１１９】次に、この装置の電源切り替え動作につい
て説明する。まず、装置の主電源が投入されている通常
状態では、電源ラインＶＣＣから切替手段１０２を介し
て装置内の各回路に電源電圧が印加される。ここで主電
源が遮断されると、電源監視手段１０１により検出さ
れ、電源監視手段１０１は、切替手段１０２により主電
源ＶＣＣ側を遮断し、補助電源Ｃ１のみをアンロード系
の電源に接続する。また、電源断状態は、制御手段１０
３に伝達され、制御手段１０３は、補助電源Ｃ１により
ヘッドをＣＳＳエリアに退避させるようにＶＣＭドライ
バ１０４を制御し、ＶＣＭドライバ１０４は、補助電源
Ｃ１によりＶＣＭを駆動してヘッドをＣＳＳエリアに退
避させる。

【０１２０】このような補助電源Ｃ１としては、上記の
ような制御手段１０３およびＶＣＭドライバ１０４等の
アンロード系の電源として十分な電流を供給するだけの
容量が要求される。このため、本発明の固体電解質コン
デンサを用いることで、十分な容量を確保することがで
き、しかも省スペースにも寄与することができる。

【０１２１】

【実施例】以下、本発明の効果をより一層明らかなもの
とするため、実施例を掲げて説明する。

【０１２２】固体高分子電解質層を有する固体電解コン
デンサを、以下のようにして、作製した。

【０１２３】銅箔シートから、所定の寸法で切り出され
た厚さ６０μｍの銅箔と、アルミニウム箔シートから、
所定の寸法で切り出された粗面化処理が施されていない
厚さ６０μm のアルミニウム箔を、それぞれの一端部領
域が２mmだけ重なり合うように、重ね合わせ、それぞれ
の一端部領域が重なり合った部分を、日本エマソン株式
会社ブランソン事業本部製の４０kHz −超音波溶接機に
よって、接合するとともに、電気的に接続して、銅箔と
粗面化処理が施されていないアルミニウム箔の接合体を
形成した。

【０１２４】次いで、酸化アルミニウム皮膜が形成さ
れ、粗面化処理が施されている厚さ１００μｍのアルミ
ニウム箔シートから、所定の寸法で、アルミニウム箔を
切り出し、その端部領域が、粗面化処理が施されていな
いアルミニウム箔の他端部領域と２mmだけ重なり合うよ
うに、図６のように粗面化処理が施されていないアルミ
ニウム箔の接合体に重ね合わせた。このとき、弁金属基
体同士の離間距離が、１００μm となるように調整し
た。次いで、それぞれの端部領域が重なり合った部分
を、日本エマソン株式会社ブランソン事業本部製の４０
ｋＨｚ−超音波溶接機によって、接合するとともに、電
気的に接続して、銅箔、粗面化処理が施されていないア
ルミニウム箔および粗面化処理が施されているアルミニ
ウム箔の接合体を形成した。

【０１２５】作製した接合体を、図７に示すように、ａ
＝２mm、ｂ＝１０mm、ｃ＝１．５mm、ｄ＝２mmの形状
に、図の斜線で示す領域を除去すべく、ハンドプレスに
より打ち抜き加工した。

【０１２６】さらに、７重量％の濃度で、６．０のpHに
調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中に、酸化ア
ルミニウム皮膜が形成され、粗面化処理が施されている
アルミニウム箔が完全に浸漬されるように、こうして得
られた接合体を、アジピン酸アンモニウム水溶液中にセ
ットした。この際、粗面化処理が施されていないアルミ
ニウム箔の一部も、アジピン酸アンモニウム水溶液中に
浸されたが、銅箔は、アジピン酸アンモニウム水溶液と
接触させなかった。

【０１２７】接合体側を陽極とし、化成電流密度が５０
ないし１００mA／cm²、化成電圧が２５ボルトの条件下
で、アジピン酸アンモニウム水溶液中に浸漬されている
アルミニウム箔の表面を酸化させ、酸化アルミニウム皮
膜を形成して、陽極電極を作製した。得られた陽電極
を、図７に示すような寸法に加工し、図２の凹部領域４
６ａに収納可能な形状となるように整えた。

【０１２８】次いで、作製された陽極電極をアジピン酸
アンモニウム水溶液から引き上げ、陽極電極の粗面化処
理が施されているアルミニウム箔の表面上に、化学酸化
重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質
層を形成した。

【０１２９】ここに、ポリピロールからなる固体高分子
電解質層は、蒸留精製した０．１モル／リットルのピロ
ールモノマー、０．１モル／リットルのアルキルナフタ
レンスルホン酸ナトリウムおよび０．０５モル／リット
ルの硫酸鉄（III）を含むエタノール水混合溶液セル中
に、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成
されたアルミニウム箔のみが浸漬されるように、陽極電
極をセットし、３０分間にわたって、攪拌し、化学酸化
重合を進行させ、同じ操作を３回にわたって、繰り返し
て、生成した。その結果、最大厚さが、約５０μm の固
体高分子電解質層が形成された。

【０１３０】さらに、こうして得られた固体高分子電解
質層の表面に、カーボンペーストを塗布し、さらに、カ
ーボンペーストの表面に、銀ペーストを塗布して、陰極
電極を形成し、固体電解コンデンサを作製した。

【０１３１】また、図２に示すようなｍ＝１３．５mm、
ｎ＝１３．５mm、ｏ＝５．５mm、ｐ＝３．５mmの形状の
凹部４６ａが形成された筐体をアルミダイキャスト製法
により用意し、本発明装置の筐体とした。

【０１３２】一方、厚さ１８μm の銅箔が、両面に貼り
合わされた厚さ０．２mmで、上記陽電極より大きめのサ
イズを有する２枚のガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁
性基板を、図２に示す凹部４６ａの寸法に沿うように、
図１１に示すようなｅ＝１２．５mm、ｆ＝１２．５mm、
ｇ＝２mm、ｈ＝４．５mmの形状に加工して、準備した。

【０１３３】ただし、固体電解コンデンサが固定される
べき側の基板面の銅箔はすべて、化学的にエッチングし
て、除去した。

【０１３４】さらに、内蔵されるべき固体電解コンデン
サの陽極電極および陰極電極に対応するガラスクロス含
有エポキシ樹脂絶縁性基板の位置に、それぞれ、スルー
ホールを形成し、スルーホールと、エッチングされた銅
箔パターン上に、無電解メッキによって、３μｍのニッ
ケルメッキを施し、さらに、その上に、０．０８μｍの
金メッキを施した。

【０１３５】一方、２枚の基板と同じガラスクロス含有
エポキシ樹脂よりなる厚さ５００μm の基板を、上記基
板の形状と同様の寸法に加工し、加工した基板の周囲に
幅１mmの領域を残して、内側部分を、打ち抜き加工によ
り、除去して、バンク形成用基板を作製した。

【０１３６】さらに、２枚の基板と同じガラスクロス含
有エポキシ樹脂よりなる厚み５０μm の２枚のエポキシ
プリプレグを、上記基板と同様の形状、寸法に加工し、
加工した基板の周囲に幅１mmの領域を残して、内側部分
を、打ち抜き加工によって、除去した。

【０１３７】打ち抜き加工され、内側部分が除去された
バンク形成用基板と、ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶
縁性基板の一方の銅箔が除去された表面とを、上述のよ
うに加工された厚さ５０μｍのエポキシプリプレグの一
方を介して、密着させ、真空ホットプレス装置を用い
て、加圧および減圧下において、４０分間にわたって、
１７５℃に保持し、エポキシプリプレグを硬化させて、
ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板と、内側部分
が除去された基板とを固定し、凹部空間を備えた絶縁性
基板を得た。

【０１３８】２枚のガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁
性基板の他方の銅箔が除去された表面に、固体電解コン
デンサの陽極電極および陰極電極が、絶縁性基板に形成
されたスルーホールに対応する位置に位置するように、
シリコーン系接着剤を用いて、固体電解コンデンサを固
定した。

【０１３９】次いで、固体電解コンデンサが固定された
ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板上に、一方の
面に、凹部空間が形成されたガラスクロス含有エポキシ
樹脂絶縁性基板を、上述のように加工された厚さ５０μ
ｍの他方のエポキシプリプレグを介して、固体電解コン
デンサが、凹部空間内に収容されるように、重ね合わ
せ、密着させた。

【０１４０】こうして、密着された２枚の絶縁性基板
を、真空ホットプレス装置を用いて、加圧および減圧下
で、４０分間にわたり、１７５℃に保持し、エポキシプ
リプレグを硬化させて、２枚のガラスクロス含有エポキ
シ樹脂絶縁性基板の間を固定した。

【０１４１】ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板
の冷却後、ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板の
それぞれに形成されたスルーホールを介して、ガラスク
ロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板の表面に形成されてい
る配線パターン２４と、内蔵化された固体電解コンデン
サの陽極電極の銅箔よりなるリード電極および陰極電極
とを、ハンダおよび導電性接着剤によって、電気的に接
続して、固体電解コンデンサを得た。

【０１４２】得られた固体電解コンデンサを、電源監視
回路、アンロード系の回路、ＶＣＭドライバを構成する
ための回路素子が実装されたプリント基板とハンダ付け
にて電気的に接続した。

【０１４３】こうして作製されたプリント基板内の固体
電解コンデンサの電気的特性を、アジレントテクノロジ
ー社製インピーダンスアナライザー４２９４Ａを用い
て、評価した。

【０１４４】その結果、１２０Ｈｚでの静電容量は９８
μＦであり、１００ｋHzでのＥＳＲは２５ｍΩであっ
た。また、常温で、１０ボルトの電圧を印加した際の漏
れ電流（５分値）は、０．０９μＡであった。得られた
静電容量値は、比較サンプルと略等しいものであった。

【０１４５】また、外装処理された固体電解コンデンサ
全体の厚みが約１．１mmであり、筐体に形成された凹部
深さが１．５mmであり、制御回路のプリント基板と干渉
したりこれを押し上げるようなことがなく、容易に筐体
の領域内に収納できた。また、制御基板と合わせてもス
ピンドルモータ５４の高さより低くなり、装置内に効果
的二収納できることがわかった。

【０１４６】次いで、図１に示すようなハードディスク
装置の発明サンプルを動作させたところ、電源断時にも
ＣＳＳエリアへの退避動作が問題なく行えることが確認
できた。

【０１４７】以上のように、ハードディスク装置に外装
処理された単一または複数の固体電解コンデンサを収納
することにより、ハードディスク構成部品、例えば筐体
の占める空間スペースを効率的に使用することができ
る。

【０１４８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、バックア
ップコンデンサの占有する体積を極力少なくするか、余
剰領域を有効に活用することで、更に小型、薄型化の可
能な磁気記録装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施態様であるハードディス
ク装置の平面図である。

【図２】本発明の好ましい実施態様であるハードディス
ク装置の底面図である。

【図３】本発明の好ましい実施態様であるハードディス
ク装置の概略透過側面図である。

【図４】本発明の好ましい実施態様であるハードディス
ク装置の制御基板を搭載した状態を示す概略透過側面図
である。

【図５】固体電解コンデンサをバックアップ電源とし
た、ハードディスク装置のアンロード系のブロック構成
図である。

【図６】本発明の好ましい実施態様である固体電解コン
デンサの陽極電極の概略断面図である。

【図７】本発明の好ましい実施態様である固体電解コン
デンサの陽極電極の概略平面図である。

【図８】本発明の他の好ましい実施態様である固体電解
コンデンサの陽極電極の概略断面図である。

【図９】本発明の他の好ましい実施態様である固体電解
コンデンサの陽極電極の概略断面図である。

【図１０】固体電解コンデンサの略断面図である。

【図１１】本発明の固体電解コンデンサ内蔵基板の基本
構成を示す分解斜視図である。

【図１２】固体電解コンデンサ内蔵プリント基板の略断
面図である。

【図１３】弁金属基体のエッジ部に、酸化アルミニウム
皮膜を形成する陽極酸化方法を示す略断面図である。

【符号の説明】

１陽極電極２表面が粗面化され、酸化皮膜が形成された箔状の
アルミニウム基体３表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基
体４箔状の銅基体５溶接接合部６溶接接合部７ステンレスビーカー８化成溶液９酸化アルミニウム皮膜１０固体電解コンデンサ１１固体高分子電解質層１２グラファイトペースト層１３銀ペースト層１４陰極電極２０固体電解コンデンサ内蔵プリント基板２１第１の絶縁性樹脂基板２２第２の絶縁性樹脂基板２３第１の絶縁性樹脂基板のバンク２４ａ，ｂ配線パターン２５ａ，ｂスルーホール４１ＨＧアッセンブリ４２スライダ４５ａ，ｂ，ｃ固体電解コンデンサ４６ａ，ｂ，ｃ凹部５０ハードディスク装置５１ディスク５２筐体５３スピンドルモータ５４ハブ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも磁気記録媒体と、この磁気記
録媒体に磁気データを読み出し／書き込みを行う磁気ヘ
ッドと、この磁気ヘッドを駆動する駆動手段とを有し、前記駆動手段は、磁気記録装置の電源が絶たれたことを
検出する電源監視手段と、この電源監視手段により電源
断が検出されたときに通常電源から非常電源に切り替え
る切り替え手段と、電源断時に前記非常電源のバックア
ップコンデンサから供給される電力を使用してヘッドを
所定の退避位置に退避させる制御手段とを有し、前記バックアップコンデンサが平板状の固体電解コンデ
ンサであり、少なくとも磁気記録装置を構成する筐体に
形成可能な凹部と概ね同一な形状をなし、かつこの凹部
の深さと同等以下の厚みを有して前記凹部内に収納され
ている磁気記録装置。
【請求項２】前記固体電解コンデンサは、表面が粗面
化され、絶縁性酸化皮膜が形成された弁金属基体の両面
に、少なくとも固体高分子電解質層および導電体層が、
順次、形成されている高分子固体電解コンデンサである
請求項１の磁気記録装置。
【請求項３】前記固体電解コンデンサは、表面が粗面
化され、絶縁性酸化皮膜が形成された弁金属基体の一端
部近傍領域に、表面が粗面化されていない弁金属基体の
一端部近傍領域が電気的に接続されるように接合され、
この表面が粗面化されていない弁金属基体の他端部近傍
領域に、導電性金属基体の一端部近傍領域が電気的に接
続されるように接合されて陽極電極となっている請求項
１または２の磁気記録装置。