JP2003258550A - 周波数シフト型高周波電圧制御型発振回路及びその調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 周波数を精度良く調整することができる周波
数シフト型高周波電圧制御型発振回路及び調整方法を提
供する。 【解決手段】第1ストリップ線路ＳＬ１と第２ストリッ
プ線路ＳＬ２、可変容量ダイオードＤＶ、スイッチング
素子及びコンデンサとを含み、前記可変容量ダイオード
に供給する制御電圧により前記可変容量ダイオードの誘
導成分を調整して共振周波数を制御する共振回路部Ｘを
有する周波数シフト型高周波電圧制御発振回路であっ
て、第１ストリップ線路及び第２ストリップ線路に夫々
第１〜第３のトリミング溝１〜３を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば複数種類の
発振周波数帯域を切り換えることができる周波数シフト
型高周波電圧制御型発振回路及びその調整方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、移動体通信装置やその他の通信装
置の送信用発振器、受信部の局部発振器に電圧制御型発
振器が用いられていることが知られている。世界の移動
体通信機は幾つかのシステムに分かれているが、ワール
ドホーン化が進み、デュアルシステム、トリプルシステ
ム対応の移動体通信機器が増えてきている。しかし、マ
ルチシステム化はその分部品点数も増え、『容積の増
加』『コストアップ』と言った問題は避けられない。移
動体通信機器メーカーはその問題を解決しようと検討を
行っている。現在その一つの解決法として主流になりつ
つあるのが『ダイレクトコンバージョン方式』である。
これは、移動体通信機器の通信方式において、従来『ス
ーパーヘテロダイン方式』と呼ばれ受信回路において受
信波を一旦中間周波数に落としてから音声信号に変換を
行なう方式に対して、受信波から直接音声信号に変換を
行なう方式である。ベースバンドＩＣの発達によりその
方式が可能となった。これにより部品削減が可能とな
る。また、この方式はマルチシステム対応の回路には大
きな効果を示す。この『ダイレクトコンバージョン方
式』は、電圧制御発振器に関しては送受信用発振器が一
つで賄えるため、より効果的である。マルチシステムの
場合、『ダイレクトコンバージョン方式』で採用される
電圧制御発振器は、高周波領域であり、例えば３ＧＨｚ
帯の電圧制御発振器が主流になりつつある。

【０００３】しかし、『ダイレクトコンバージョン方
式』に適応する電圧制御発振器の特徴は周波数が高いと
いうことに加えて、周波数範囲が非常に広く約４００Ｍ
Ｈｚ必要としている。これはデュアルシステム対応を例
に取った場合で、これがトリプルバンドまたそれ以上と
なった場合は、周波数範囲は更に広がってしまう。ま
た、電圧制御発振器の発振周波数を制御する制御電圧感
度が高くなりつつある。この制御電圧感度が高くなると
周波数をロックさせる電圧制御発振器周辺のＰＬＬ回路
の設計が非常に困難となってくるのである。感度が非常
に高いため周波数をロックさせるのに非常に時間を有し
てしまい端末上問題が生じる。また、ＰＬＬ−ＩＣにて
対応する制御電圧感度の範囲に限界があるため改善が出
来ない。

【０００４】このように周波数範囲をカバーしつつ、安
定したＰＬＬ回路を構成する為、周波数制御感度を低く
設定するため、周波数シフト機能を有した高周波電圧制
御型発振器が必要である。

【０００５】一般の発振回路、例えば、電圧制御発振回
路を図７で説明する。ストリップ線路ＳＬ１と可変容量
ダイオードＤＶとコンデンサＣ２とから成る共振回路を
含み、可変容量ダイオードＤＶに制御電圧Ｖｔを供給し
て共振周波数を制御する共振回路部Ｘと、共振回路部Ｘ
の共振周波数に基づいて発振信号を出力する発振用トラ
ンジスタＴｒ１、抵抗Ｒ１〜Ｒ２、コンデンサＣ５〜Ｃ
７を含む負性抵抗回路部Ｙと、発振信号を増幅する増幅
用トランジスタＴｒ２、抵抗Ｒ３、コンデンサＣ８〜Ｃ
１１、インダクタンス素子Ｌ２を含む増幅回路部Zとか
ら構成されている。

【０００６】このような電圧制御型発振回路では、負性
抵抗回路部Ｙの発振用トランジスタＴｒ１のコレクタを
高周波的に接地させるコルピッツ回路を用いて、発振条
件を成立させている。共振回路部Ｘを結合コンデンサで
負性抵抗回路部Ｙと接続して発振させる。

【０００７】そして、この発振信号は増幅回路部Ｚの増
幅用トランジスタＴｒ２に供給され、ここで増幅されて
出力瑞子outputより発振出力される。

【０００８】この電圧制御発振回路では、可変容量ダイ
オードＤＶの可変範囲内で共振周波数、ひいては発振周
波数を所定の周波数可変範囲で制御できる。

【０００９】このような電圧制御発振回路の発振周波数
を２種類の発振出力を得るため、また、発振出力の周波
数可変範囲を広げるため共振回路部のインダクタンス成
分や容量成分を段階的に変化させることが提案されてい
る。

【００１０】図８は、図７の電圧制御発振回路における
共振回路部の共振回路をＬＣ共振回路で示し、さらに周
波数シフト回路Ｓを示している。図８に示す周波数シフ
ト回路Ｓは、例えば、共振回路のインダクタンス成分Ｌ
とグランド電位との間に、周波数シフト用ストリップ線
路ＳＬｓを配置し、このストリップ線路ＳＬｓと並列に
スイッチングダイオードＤｉを配置していた。尚、スイ
ッチングダイオードＤｉのアノードは、周波数シフト用
ストリップ線路ＳＬｓの可変容量ダイオードＤＶのアノ
ード側に接続するとともに、同時に、バイアス抵抗Ｒｓ
を介してシフト制御信号が供給されるシフト制御端子Ｖ
Ｓが接続されている。また、スイッチングダイオードＤ
ｉのカソードはコンデンサＣｓを介してグランド電位に
接続さていた。

【００１１】このような周波数シフト型高周波電圧制御
型発振回路は、例えば、発振周波数が可変容量ダイオー
ドＤＶやスイッチングダイオードＤｉの自己共振周波数
以上、例えば３ＧＨｚ以上の発振出力の場合に適用され
る高周波電圧制御発振回路である。

【００１２】このスイッチングダイオードＤｉのオン−
オフ動作により、スイッチングダイオードＤｉにはオン
インダクタンス成分が発生し、ストリップ線路ＳＬｓの
インダクタンス成分と合成されることになり、結果とし
て、共振回路のインダクタンス成分が大きく変動して、
共振周波数の切り換えが可能となる。

【００１３】ここで従来の周波数調整方法は、共振回路
のインダクタンス成分Ｌとストリップ線路ＳＬｓとの間
に、調整用電極（実際にストリップ線路ＳＬｔ）を配置
し、その部分をトリミングすることによって発振周波数
を調整していた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従来の周波数調整方法
では、一方のバンド側（スイッチングダイオードＤｉが
オン状態の発振周波数帯域）をモニタリングした状態で
トリミングを行なう。しかし、このような調整方法で
は、一方のバンド側に着目して発振周波数の調整を行な
っても、他方のバンド側（スイッチングダイオードＤｉ
がオフ状態の発振周波数帯域）の発振周波数が変動して
しまう。このように発振周波数の調整とシフト量の調整
を同時、且つ周波数シフト前後に周波数を安定して調整
することが困難であった。

【００１５】本発明は、上述の課題を解決するために案
出されたものであり、発振周波数を精度良く調整するこ
とができる周波数シフト型高周波電圧制御型発振回路及
びその調整方法を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、第1ストリッ
プ線路、可変容量ダイオード、第２ストリップ線路及び
共振用コンデンサとから成る共振回路と、スイッチング
ダイオードを含み、該スイッチングダイオードのオンオ
フ制御により第２ストリップ線路のインダクタ成分を変
化させる周波数シフト回路とから構成される共振回路部
と、前記共振回路部の共振周波数に基づいて発振信号を
出力する発振用トランジスタを含む負性抵抗回路部と、
前記負性抵抗回路部の発振信号を増幅する増幅用トラン
ジスタを含む増幅回路部とから構成される周波数シフト
型高周波電圧制御型発振回路において、前記第１ストリ
ップ線路は、線路幅を狭める第１のトリミング溝が形成
されているとともに、第２ストリップ線路は、線路幅を
狭める第２のトリミング溝及び第２ストリップ線路の一
部を長手方向に切断する第３のトリミング溝が形成され
ている周波数シフト型高周波電圧制御型発振回路であ
る。

【００１７】また、第1ストリップ線路、可変容量ダイ
オード、第２ストリップ線路及び共振用コンデンサから
成る共振回路と、スイッチングダイオードを含み、該ス
イッチングダイオードのオンオフ制御により第２ストリ
ップ線路のインダクタ成分を変化させる周波数シフト回
路とから構成される共振回路部と、前記共振回路部の共
振周波数に基づいて発振信号を出力する発振用トランジ
スタを含む負性抵抗回路部と、前記負性抵抗回路部の発
振信号を増幅する増幅用トランジスタを含む増幅回路部
とから構成される周波数シフト型高周波電圧制御型発振
回路の調整方法であって、前記第１ストリップ線路の線
路幅を狭める第１のトリミング溝を形成して、前記可変
容量ダイオードの制御電圧による周波数可変範囲を調整
する周波数シフト型高周波電圧制御発振回路の周波数調
整方法である。

【００１８】さらに、上述の周波数調整方法を行なった
後に、スイッチングダイオードをオフ状態で、第２スト
リップ線路の線路幅を狭める第２のトリミング溝を形成
して、スイッチングダイオードのオフ時の周波数可変範
囲の調整を行なうことを特徴とする周波数シフト型高周
波電圧制御型発振回路の調整方法である。

【００１９】さらに、上述の第１のトリミング溝を形成
する周波数調整方法を行なった後に、スイッチングダイ
オードをオン状態で、第２ストリップ線路の一部を長手
方向に切断する第３のトリミング溝を形成して、スイッ
チングダイオードのオン時の周波数可変範囲の調整を行
なうことを特徴とする周波数シフト型高周波電圧制御型
発振回路の調整方法である。

【作用】本発明において、可変容量ダイオードは、発振
周波数が高周波領域であることから誘導性として動作す
る。そして、共振回路部の共振回路のインダクタ成分
は、第１ストリップ線路、可変容量ダイオード、第２ス
トリップ線路で構成され、また、共振回路の容量成分は
固定的なコンデンサで構成される。また、第２ストリッ
プ線路には、スイッチングダイオードと並列接続され
て、周波数シフト回路を構成している。

【００２０】そして、第１ストリップ線路には、その線
路幅を狭めるような第１のトリミング溝が設けられ、こ
れにより、周波数のシフト切り換えによる高い高周波数
側(ＨＩＧＨ ＢＡＮＤ側)及び周波数のシフト切り換え
による低い周波数周波数側（ＬＯＷ ＢＡＮＤ側）の両
バンドの周波数を調整することができる。

【００２１】また、第２ストリップ線路は、その線路幅
を狭めるような第２のトリミング溝が形成されている。
具体的には、スイッチングダイオードをオフ状態とし
て、第２ストリップ線路の接地側を横断するようにトリ
ミングすることによって、低周波数側のみの周波数調整
を行なうことが可能できる。この時、高周波数側の周波
数はこの調整に依存されないため、安定した低周波数側
のみの周波数調整を行なうことができる。これは、第２
ストリップ線路の線路長が長くなることになり、周波数
シフト回路のスイッチングダイオードがオンの状態で
は、周波数が変化しないためである。

【００２２】また、第２ストリップ線路は、その一部を
長手方向に切断する第３のトリミング溝が形成される。
即ち、第２ストリップ線路の接地されていない端部（ス
イッチングダイオードが接続されている端部）を可変容
量ダイオードが接続されている側とスイッチングダイオ
ードが接続される側とに２分するように第３のトリミン
グ溝を形成する。具体的には、スイッチングダイオード
をオンの状態としてトリミングする。これによって、高
周波側のみの周波数調整を行なうことが可能となる。こ
の時、低周波数側の周波数はこの調整に依存されないた
め、安定した高周波数側のみの周波数調整を行なうこと
ができる。

【００２３】実際には、第２ストリップ線路の長手方向
に縦断するようにトリミングすることにより、スイッチ
ングダイオードのオンインダクタ成分が第２ストリップ
線路に合成されることになり、この共振回路のインダク
タ成分（インピーダンス成分）が変化することになる。
従って、スイッチングダイオードがオフ状態では、周波
数変化にほとんど影響しないため、スイッチングダイオ
ードがオン状態の高周波数側のみ安定して調整すること
ができる。

【００２４】従って、第１ストリップ線路及び第２スト
リップ線路に第１乃至第３のトリミング溝を形成するこ
とにより、スイッチングダイオードがオン状態、オフ状
態に係わらず、しかも、高周波数側、低周波数側で非常
に安定した発振周波数の調整された周波数シフト型高周
波電圧制御型発振回路となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の周波数シフト型高
周波電圧制御発振回路を図面に基づいて詳説する。

【００２６】図１は、本発明の周波数シフト型高周波電
圧制御発振回路を組み込んだ高周波部品である。

【００２７】この高周波部品１０は、周波数シフト型高
周波電圧制御発振回路以外に、例えば通信回路の受信回
路や通信回路の送信回路、アンテナスイッチ回路、各種
フィルタ回路などを多層基板の内部及び表面にわたって
形成されている。図１において、多層基板１１の表面に
は第１ストリップ線路、第２ストリップ線路を含む表面
配線パターン１２が形成され、さらに、電圧制御発振器
や他の回路を構成するスイッチングダイオード、バリキ
ャップダイオード、抵抗などの回路構成部品１３が形成
され、多層基板の内部には、図示していないが、内部配
線パターン、ビアホール導体以外に、各種コンデンサを
構成する容量電極やインダクタ導体となるストリップ線
路、マイクロストリップ線路、グランド電位導体膜が形
成されている。

【００２８】このような多層基板１１の端面には、各種
回路の端子となる端子電極１４が形成されている。この
端子電極１４は、電源電圧端子、グランド電位端子、制
御電圧端子、シフト制御端子などを具備する。尚、多層
基板１１に形成した各種回路、また各回路の多層基板内
での接続によって、例えばアンテナ端子電極、受信信号
出力端子、送信信号入力端子などが付加する。

【００２９】このような多層基板１１に形成される周波
数シフト型高周波電圧制御型発振回路を図２に示す。

【００３０】図２の周波数シフト型高周波電圧制御型発
振回路は、共振回路部Ｘ、負性抵抗回路部Ｙ、増幅回路
部Ｚを具備している。また、共振回路部Ｘ内には発振出
力を２つの発振周波数帯域で出力させるための周波数シ
フト回路Ｓを具備している。

【００３１】共振回路部Ｘは、第１ストリップ線路ＳＬ
１と可変容量ダイオードＤＶと第２ストリップ線路ＳＬ
２（周波数シフト回路Ｓの一部）及び共振用コンデンサ
Ｃ２から成る共振回路を含み、前記可変容量ダイオード
ＤＶに制御電圧を制御電圧端子Ｖｔを介して供給して共
振周波数を制御する。尚、便宜上、制御電圧及び制御電
圧端子を同一符号Ｖｔで示す。この共振回路部Ｘにはス
イッチングダイオードＤｉを有する周波数シフト回路Ｓ
を具備している。尚、周波数シフト回路Ｓには、スイッ
チングダイオードＤｉのオン−オフ制御を行なうシフト
制御信号Ｖｓが供給されるシフト制御端子Ｖｓを有して
いる。

【００３２】負性抵抗回路部Ｙは、共振回路部Ｘの共振
周波数に基づいて発振信号を出力する発振用トランジス
タＴｒ１、抵抗Ｒ１〜Ｒ２、コンデンサＣ５〜Ｃ７を有
している。

【００３３】また、増幅回路部Ｚは発振信号を増幅する
増幅用トランジスタＴｒ２、抵抗Ｒ３、コンデンサＣ８
〜Ｃ１１、インダクタンス素子Ｌ２をとから構成されて
いる。

【００３４】このような電圧制御発振回路は、負性抵抗
回路部Ｙの発振用トランジスタＴｒ１のコレクタを高周
波的に接地させるコルピッツ回路を用いて、発振条件を
成立させている。共振回路部Ｘを結合コンデンサＣ３で
負性抵抗回路部Ｙと接続して発振させる。

【００３５】そして、この発振信号は負性抵抗回路部Ｙ
の発振用トランジスタＴｒ１のコレクタより増幅回路部
Ｚの増幅用トランジスタＴｒ２に供給され、出力端子ou
tputから出力される。

【００３６】この共振回路部Ｘの共振回路は、ＬＣ共振
回路からなり、インダクタンス成分は、ストリップ線路
ＳＬ１、発振周波数帯域で誘導性として動作する可変容
量ダイオードＤＶ、周波数シフト回路Ｓの一部を構成す
る第２ストリップ線路ＳＬ２で決定される。尚、容量成
分は共振用コンデンサＣ２で決定される。

【００３７】そして、可変容量ダイオードＤＶに供給さ
れる制御電圧Ｖｔによって、共振回路のインダクタ成分
（インピーダンス成分）が変化して、結果として、所定
発振周波数帯域内で発振出力を可変させることができ
る。

【００３８】また、周波数シフト回路Ｓのシフト制御信
号によって、スイッチングダイオードＤｉをオン、オフ
させることができる。例えば、スイッチングダイオード
Ｄｉをオン状態にすると、オンインダクタンス成分か第
２ストリップ線路ＳＬ２のインダクタンス成分と合成さ
れて、その結果、この部分でのインダクタンス成分が変
化して、ＬＣ共振回路全体のインダクタンス成分に変化
を与える。尚,スイッチングダイオードＤｉがオフ状態
では、第２ストリップ線路ＳＬ２のインダクタンス成分
の変化はない。その結果、スイッチングダイオードＤｉ
のオン−オフの制御により、発振出力を例えば高い発振
周波数帯域（例として３．２ＧＨｚ帯）の発振出力と、
低い周波数帯域（例として１．２ＧＨｚ帯）の発振出力
とに切り換えて出力させることができる。

【００３９】この２つの発振出力が互いにその一部が重
なるような場合、受信回路の制御ＩＣにダイレクコンバ
ージョンタイプＩＣを用いることができ、しかも、幅広
い周波数範囲で可変できるようになる。

【００４０】図３は、周波数シフト回路Ｓを含む共振回
路部Ｘを示している。

【００４１】共振回路部Ｘは、上述のように、第1スト
リップ線路ＳＬ１と、誘導性で動作する可変容量ダイオ
ードＤＶと、周波数シフト回路Ｓの一部を構成する第2
ストリップ線路ＳＬ2が互いに直列接続されて共振回路
のインダクタンス成分を構成されている。この周波数シ
フト回路Ｓは、可変容量ダイオードＤＶのアノードとグ
ランド電位との間に配置された第２ストリップ線路ＳＬ
２を有しており、可変容量ダイオードＤＶと周波数シフ
ト用の第２ストリップ線路ＳＬ２との接続点からコンデ
ンサＣｓ、抵抗Ｒｓを介してシフト制御端子Ｖｓが設け
られている。

【００４２】また、コンデンサＣｓと抵抗Ｒｓとの接続
点とグランド電位との間、即ち、ストリップ線路ＳＬ２
と並列関係になるようにスイッチングダイオードＤｉが
配置されている。

【００４３】次に、図３乃至図６を用いて本発明の周波
数調整方法を説明する。本周波数の調整は、少なくとも
第１ストリップ線路ＳＬ１及び第２ストリップ線路ＳＬ
２に１つのトリミング溝が形成されて周波数調整が施さ
れている。

【００４４】第１ストリップ線路ＳＬ１においては、図
３、図４に示すように、その線路幅を狭めるよう、即
ち、線路幅を横断する方向に形成された第１のトリミン
グ溝１が形成されている。

【００４５】第２ストリップ線路ＳＬ２においては、接
地電位側の端部の近傍に、その線路幅を狭めるよう、即
ち、線路幅を横断する方向に形成された第２のトリミン
グ溝２が形成されている。

【００４６】また、第２ストリップ線路ＳＬ２には、接
地されていない端部、即ち、可変容量ダイオードＤＶ及
びスイッチングダイオードＤｉが接続されている端部
を、長手方向に一部が分割する第３のトリミング溝３が
形成されている。この第３のトリミング溝３によって、
２分された第２ストリップ線路ＳＬ２の分割された一方
部分３１が可変容量ダイオードＤＶに、他方部分３２が
スイッチングダイオードＤｉと接続されている。

【００４７】第１ストリップ線路ＳＬ１、第２のストリ
ップ線路ＳＬ２にトリミング溝１〜３を形成するが、そ
の調整の順番は、図３、図４の丸付き数字１〜３の順番
である。尚、第２のストリップ線路ＳＬ２において、第
２のトリミング溝２または第３のトリミング溝３のいず
れかを周波数調整の必要性に応じて省略できる。

【００４８】調整にあたり、最初に第１ストリップ線路
ＳＬ１を丸つき数字１のように第１ストリップ線路ＳＬ
１に、例えば、複数の第１のトリミング溝１を形成す
る。第１ストリップ線路ＳＬ１となる導体膜（例えば銅
や銀導体）をレーザーなどの電子ビームを利用してトリ
ミング処理を行なう。尚、第１のトリミング溝１のみな
らず、第２、第３のトリミング溝２、３も同様トリミン
グ方法に形成される。

【００４９】この時の第１ストリップ線路ＳＬ１でのト
リミング後の等価回路を図５（ａ）に示す。また、この
第１のトリミング溝１を形成して周波数を調整すること
により、図６のΔｆ０で示される周波数可変範囲（同一
制御電圧Ｖｔにおける高い周波数バンド側特性と低い周
波数バンド側との差）を全体に移動させることができ
る。図６では丸付き数字１で変化を示し、高い周波数バ
ンド側の特性をＨ１、低い周波数のバンドＬ１とし、周
波数調整後の周波数可変範囲をΔｆ１に調整できる。こ
の調整量は、第１ストリップ線路ＳＬ１に形成する第１
のトリミング溝１の長さの総和（インダクタンス成分の
変化）で決定される。

【００５０】次に、第２ストリップ線路ＳＬ２の第２の
トリミング溝２を形成して周波数を調整する。この時、
周波数シフト回路ＳのスイッチングダイオードＤｉをオ
フ状態としておこなう。具体的には、第２ストリップ線
路ＳＬ２の接地側端部で、その線路長を狭めるようにト
リミングする。これにより、図６のΔｆ１で示される周
波数可変範囲特性のうち、低い周波数側の発振出力側
（低い側のバンド）のみをＬ１からＬ２に周波数調整を
行なうことができ、例えば、図６のΔｆ２で示される周
波数可変範囲特性とすることができる。この調整量は、
第２ストリップ線路ＳＬ１に形成する第２のトリミング
溝２の長さの総和（インダクタンス成分の変化）で決定
される。

【００５１】実際には、図５（ｂ）の等価回路が示すよ
うに、第２ストリップ線路ＳＬ２の線路長が長くなるこ
とによる。従って、スイッチングダイオードＤｉがオン
の状態では、周波数が変化しない為、スイッチングダイ
オードＤｉがオフの状態である低い周波数側の発振出力
側（低い側のバンド）のみ変化させることができる。

【００５２】次に第２ストリップ線路ＳＬ２の第３のト
リミング溝３を形成して周波数を調整する。この時、周
波数シフト回路ＳのスイッチングダイオードＤｉをオン
状態としておこなう。具体的には、第２ストリップ線路
ＳＬ２の接地されない側の端部で、その線路の一部を２
分して、一方部分３１側が可変容量ダイオードＤＶに接
続し、他方部分３２がスイッチングダイオードＤｉに接
続するように、長手方向にその一部を切断するようにト
リミングする。これにより、図６のΔｆ２で示される周
波数特性のうち、高い周波数側の発振出力側（高い側の
バンド）のみをＨ１からＨ３に周波数調整でき、Δｆ３
で示される周波数特性を行なうことが可能となる。

【００５３】実際には、図５（ｃ）の等価回路が示すよ
うに、ストリップ線路Ｌ２に縦断するようにトリミング
したことにより、オン状態のインダクタンス成分を有す
るスイッチングダイオードＤｉに、第２ストリップ線路
ＳＬ２の分割切断して得られたインダクタ成分が合成さ
れることになり、その合成インダクタンス成分が変化す
ることになる。従って、スイッチングダイオードＤｉが
オフ状態では、周波数変化はほとんど影響しないため、
スイッチングダイオードＤｉがオンの状態である高い周
波数側の発振出力側（高い側のバンド）のみ変化させる
ことができる。

【００５４】このように、第１のトリミング溝１から第
３のトリミング溝３を順次形成することにより、周波数
シフト型高周波電圧制御型発振回路の周波数可変範囲を
任意に調整することができる。

【００５５】尚、上述の実施例では、第１の第１のトリ
ミング溝１から順次第３のトリミング溝３を形成した例
で説明したが、第１のトリミング溝１を形成した後に、
必要に応じて、第２のトリミング溝２または第３のトリ
ミング溝３のいずれかを一方のみを形成して、一方のト
リミング溝を省略する構造及び調整方法としてもよい。

【００５６】

【発明の効果】本発明では、第１のストリップ線路に第
１のトリミング溝を、第２のストリップ線路に必要に応
じて第２及びまたは第３のトリミング溝を形成している
ため、周波数可変範囲の調整において、高周波数側及び
または低周波数側の調整が任意に行なえる。その結果、
周波数を精度良く調整することができる周波数シフト型
高周波電圧制御型発振回路を簡単に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の周波数シフト型高周波電圧制御型発振
回路を有する高周波部品の外観斜視図である。

【図２】本発明の周波数シフト型高周波電圧制御型発振
回路の回路図である。

【図３】本発明の周波数シフト型高周波電圧制御型発振
回路器の共振回路部の部分回路図である。

【図４】図３の実体的な部分平面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、夫々本発明の周波数シフト
型高周波電圧制御型発振回路の調整方法における等価回
路図である。

【図６】本発明の周波数シフト型高周波電圧制御型発振
回路の調整方法における周波数調整の特性変化を示す特
性図である。

【図７】従来の電圧制御発振回路の回路図である。

【図８】従来の周波数シフト型高周波電圧制御型発振回
路の共振回路部の回路図である。

【符号の説明】

Ｘ 共振回路部 Ｙ 負性抵抗回路部 Ｚ 増幅回路部 ＤＶ 可変容量ダイオード Ｓ 周波数シフト回路 ＳＬ１ 第１ストリップ線路 ＳＬ２ 第２ストリップ線路 １〜３ トリミング溝 Ｄｉ スイッチングダイオード ＶＳ シフト電圧

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１ストリップ線路、可変容量ダイオー
   ド、第２ストリップ線路及び共振用コンデンサの容量成
   分とから成る共振回路と、スイッチングダイオードを含
   み、該スイッチングダイオードのオンオフ制御により第
   ２ストリップ線路のインダクタ成分を変化させる周波数
   シフト回路とから構成される共振回路部と、 前記共振回路部の共振周波数に基づいて発振信号を出力
   する発振用トランジスタを含む負性抵抗回路部と、 前記負性抵抗回路部の発振信号を増幅する増幅用トラン
   ジスタを含む増幅回路部とから構成される周波数シフト
   型高周波電圧制御型発振回路において、 前記第１ストリップ線路は、線路幅を狭める第１のトリ
   ミング溝が形成されているとともに、第２ストリップ線
   路は、線路幅を狭める第２のトリミング溝及び長手方向
   に一部を切断する第３のトリミング溝が形成されている
   ことを特徴とする周波数シフト型高周波電圧制御型発振
   回路。
2. 【請求項２】 第１ストリップ線路、可変容量ダイオー
   ド、第２ストリップ線路及び共振用コンデンサとから成
   る共振回路と、スイッチングダイオードを含み、該スイ
   ッチングダイオードのオンオフ制御により第２ストリッ
   プ線路のインダクタ成分を変化させる周波数シフト回路
   とから構成される共振回路部と、 前記共振回路部の共振周波数に基づいて発振信号を出力
   する発振用トランジスタを含む負性抵抗回路部と、 前記負性抵抗回路部の発振信号を増幅する増幅用トラン
   ジスタを含む増幅回路部とから構成される周波数シフト
   型高周波電圧制御型発振回路の調整方法であって、 前記第１ストリップ線路の線路幅を狭める第１のトリミ
   ング溝を形成して、前記可変容量ダイオードの制御電圧
   による周波数可変範囲を調整することを特徴とする周波
   数シフト型高周波電圧制御発振回路の周波数調整方法。
3. 【請求項３】 前記請求項２に記載の周波数調整方法を
   行なった後に、スイッチングダイオードをオフ状態で、
   第２ストリップ線路の線路幅を狭める第２のトリミング
   溝を形成して、スイッチングダイオードのオフ時の周波
   数可変範囲の調整を行なうことを特徴とする周波数シフ
   ト型高周波電圧制御型発振回路の調整方法。
4. 【請求項４】 前記請求項２に記載の周波数調整方法を
   行なった後に、スイッチングダイオードをオン状態で、
   第２ストリップ線路の一部を長手方向に切断する第３の
   トリミング溝を形成して、スイッチングダイオードのオ
   ン時の周波数可変範囲の調整を行なうことを特徴とする
   周波数シフト型高周波電圧制御型発振回路の調整方法。