JP2003256295A - 記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法 - Google Patents
記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法Info
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- JP2003256295A JP2003256295A JP2002060910A JP2002060910A JP2003256295A JP 2003256295 A JP2003256295 A JP 2003256295A JP 2002060910 A JP2002060910 A JP 2002060910A JP 2002060910 A JP2002060910 A JP 2002060910A JP 2003256295 A JP2003256295 A JP 2003256295A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源のオフを検知してから実際に電源がオフ
するまでの間に確実にデータを不揮発性メモリのに記憶
させ、不揮発性メモリの記憶領域の寿命を長くした記憶
装置、及び記憶装置のバックアップ方法を提供する。 【解決手段】 ＣＰＵ３は、演算制御処理を行うこと
で、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知した時にＲ
ＡＭ６のデータを読み出してＥＥＰＲＯＭ５に書き込む
バックアップ動作を行うバックアップ手段と、電源のオ
ン時にＥＥＰＲＯＭ５に記憶したデータを読み出してＲ
ＡＭ６に書き込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段
と、データ復帰動作の直後にＥＥＰＲＯＭのデータを消
去するデータ消去手段とを構成している。
するまでの間に確実にデータを不揮発性メモリのに記憶
させ、不揮発性メモリの記憶領域の寿命を長くした記憶
装置、及び記憶装置のバックアップ方法を提供する。 【解決手段】 ＣＰＵ３は、演算制御処理を行うこと
で、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知した時にＲ
ＡＭ６のデータを読み出してＥＥＰＲＯＭ５に書き込む
バックアップ動作を行うバックアップ手段と、電源のオ
ン時にＥＥＰＲＯＭ５に記憶したデータを読み出してＲ
ＡＭ６に書き込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段
と、データ復帰動作の直後にＥＥＰＲＯＭのデータを消
去するデータ消去手段とを構成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記憶装置、及び記
憶装置のバックアップ方法に関するものである。
憶装置のバックアップ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の記憶装置を用いた例として、演算
制御処理を行うＣＰＵと、システムメモリたるＲＯＭ
と、データが読み書きされる揮発性メモリたるＲＡＭ
と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリたるＥＥＰＲＯＭと、動作電源のオフを検知する電
源オフ検知手段とを備え、バックアップ電池を持たない
従来のプログラマブルコントローラにおける電源オフ時
のデータのバックアップ処理について、図１０，図１１
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１０はプログラマ
ブルコントローラのＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ
６との関係を示しており、図１１（ａ），（ｂ）はデー
タのバックアップ処理のフローチャートを示している。
制御処理を行うＣＰＵと、システムメモリたるＲＯＭ
と、データが読み書きされる揮発性メモリたるＲＡＭ
と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリたるＥＥＰＲＯＭと、動作電源のオフを検知する電
源オフ検知手段とを備え、バックアップ電池を持たない
従来のプログラマブルコントローラにおける電源オフ時
のデータのバックアップ処理について、図１０，図１１
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１０はプログラマ
ブルコントローラのＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ
６との関係を示しており、図１１（ａ），（ｂ）はデー
タのバックアップ処理のフローチャートを示している。
【０００３】ＥＥＰＲＯＭ５は１個の記憶領域５１を有
して、ＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックアッ
プするものであり、まず、プログラマブルコントローラ
の電源がオフからオンになると（ステップＳ１０１）、
前回の電源のオフ時にＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１に
書き込んだデータを、記憶領域５１から読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
い（ステップＳ１０２）、処理を終了する（ステップＳ
１０３）。
して、ＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックアッ
プするものであり、まず、プログラマブルコントローラ
の電源がオフからオンになると（ステップＳ１０１）、
前回の電源のオフ時にＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１に
書き込んだデータを、記憶領域５１から読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
い（ステップＳ１０２）、処理を終了する（ステップＳ
１０３）。
【０００４】次に、プログラマブルコントローラの電源
がオフになり、電源オフ検知手段が電源のオフを検知す
ると（ステップＳ１０４）、ＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域
５１のデータを消去してから（ステップＳ１０５）、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスのデータを記憶領域５１に書き
込むバックアップ動作を行い（ステップＳ１０６）、処
理を終了する（ステップＳ１０７）。上記ステップＳ１
０１〜Ｓ１０３、及びステップＳ１０４〜Ｓ１０７の処
理を電源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
がオフになり、電源オフ検知手段が電源のオフを検知す
ると（ステップＳ１０４）、ＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域
５１のデータを消去してから（ステップＳ１０５）、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスのデータを記憶領域５１に書き
込むバックアップ動作を行い（ステップＳ１０６）、処
理を終了する（ステップＳ１０７）。上記ステップＳ１
０１〜Ｓ１０３、及びステップＳ１０４〜Ｓ１０７の処
理を電源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
【０００５】ここで、ステップＳ１０５の消去時間は２
０ｍｓｅｃ、ステップＳ１０６の書き込み時間は３０ｍ
ｓｅｃかかるので、つまり、電源のオフ検知をしてか
ら、このバックアップ動作が終了するまでの処理は、合
計で５０ｍｓｅｃかかることになり、電源のオフを検知
してから実際に電源がオフするまでの時間が６０ｍｓｅ
ｃの場合は、記憶領域５１へのデータの書き込みを正常
に行うことができるが、電源のオフを検知してから実際
に電源がオフするまでの時間が４０ｍｓｅｃの場合は、
データの消去を２０ｍｓｅｃ、書き込みを２０ｍｓｅｃ
実行したところで電源がオフになり、結果としてデータ
をＥＥＰＲＯＭ５に完全に記憶させることができない。
０ｍｓｅｃ、ステップＳ１０６の書き込み時間は３０ｍ
ｓｅｃかかるので、つまり、電源のオフ検知をしてか
ら、このバックアップ動作が終了するまでの処理は、合
計で５０ｍｓｅｃかかることになり、電源のオフを検知
してから実際に電源がオフするまでの時間が６０ｍｓｅ
ｃの場合は、記憶領域５１へのデータの書き込みを正常
に行うことができるが、電源のオフを検知してから実際
に電源がオフするまでの時間が４０ｍｓｅｃの場合は、
データの消去を２０ｍｓｅｃ、書き込みを２０ｍｓｅｃ
実行したところで電源がオフになり、結果としてデータ
をＥＥＰＲＯＭ５に完全に記憶させることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の技術のよう
に、電源オフを検知した後に、ＲＡＭのデータを、電気
的に書き換え可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ、フ
ラッシュＲＯＭ）に記憶させようとした場合、電源のオ
フを検知してから実際に電源がオフするまでの時間に
は、電源容量によっても異なるが、制限があり、特にセ
クタを消去してから書き込みを行うタイプのメモリデバ
イスは、消去、または書き込みの途中で電源がオフにな
って、データを完全に記憶させることができないことが
あった。また、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ
内には、記憶領域は１個しか存在しておらず、その記憶
領域に対して電源をオンからオフにする度に消去、書き
込みを行うため、記憶領域の寿命が短くなるという問題
もあった。
に、電源オフを検知した後に、ＲＡＭのデータを、電気
的に書き換え可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ、フ
ラッシュＲＯＭ）に記憶させようとした場合、電源のオ
フを検知してから実際に電源がオフするまでの時間に
は、電源容量によっても異なるが、制限があり、特にセ
クタを消去してから書き込みを行うタイプのメモリデバ
イスは、消去、または書き込みの途中で電源がオフにな
って、データを完全に記憶させることができないことが
あった。また、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ
内には、記憶領域は１個しか存在しておらず、その記憶
領域に対して電源をオンからオフにする度に消去、書き
込みを行うため、記憶領域の寿命が短くなるという問題
もあった。
【０００７】本発明は、上記事由に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、電源のオフを検知してから実際に
電源がオフするまでの間に確実にデータを不揮発性メモ
リのに記憶させ、不揮発性メモリの記憶領域の寿命を長
くした記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法を提
供することにある。
であり、その目的は、電源のオフを検知してから実際に
電源がオフするまでの間に確実にデータを不揮発性メモ
リのに記憶させ、不揮発性メモリの記憶領域の寿命を長
くした記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、デー
タが読み書きされる揮発性メモリと、少なくとも１個の
記憶領域を有し、電気的に書き換え可能なバックアップ
用不揮発性メモリと、電源のオフを検知する検知手段
と、前記検知手段が電源のオフを検知した時に前記揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの記
憶領域に書き込むバックアップ動作を行うバックアップ
手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの記憶領域
のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデー
タ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記データ復帰動
作の直後に前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを消
去するデータ消去手段とを備えることを特徴とする。
タが読み書きされる揮発性メモリと、少なくとも１個の
記憶領域を有し、電気的に書き換え可能なバックアップ
用不揮発性メモリと、電源のオフを検知する検知手段
と、前記検知手段が電源のオフを検知した時に前記揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの記
憶領域に書き込むバックアップ動作を行うバックアップ
手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの記憶領域
のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデー
タ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記データ復帰動
作の直後に前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを消
去するデータ消去手段とを備えることを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１において、前
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域と、電源のオン時に前記データ復帰手段
によってデータを読み出される読み出し専用領域との２
個の記憶領域を有しており、前記バックアップ動作が正
常に行われたか否かを判定する判定手段と、前記判定手
段の判定結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前
に前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み
専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常でなけれ
ば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込
み専用領域との各領域を現状に維持する領域入れ替え手
段とを備えることを特徴とする。
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域と、電源のオン時に前記データ復帰手段
によってデータを読み出される読み出し専用領域との２
個の記憶領域を有しており、前記バックアップ動作が正
常に行われたか否かを判定する判定手段と、前記判定手
段の判定結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前
に前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み
専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常でなけれ
ば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込
み専用領域との各領域を現状に維持する領域入れ替え手
段とを備えることを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、請求項１において、前
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域、及び電源のオン時に前記データ復帰手
段によってデータを読み出される読み出し専用領域を含
む複数の記憶領域と、前記複数の記憶領域の中から正常
な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ１個の管理領
域とを有しており、前記バックアップ動作が正常に行わ
れたか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定
結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前に前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を互いに入れ替え、正常でなければ、前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を現状に維持する領域入れ替え手段と、前記
データ消去手段が書き込み専用領域のデータを消去でき
ない時、及び前記判定手段の判定結果が正常でない時に
前記管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中か
ら選択した正常な記憶領域を書き込み専用領域にする領
域変更手段とを備えることを特徴とする。
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域、及び電源のオン時に前記データ復帰手
段によってデータを読み出される読み出し専用領域を含
む複数の記憶領域と、前記複数の記憶領域の中から正常
な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ１個の管理領
域とを有しており、前記バックアップ動作が正常に行わ
れたか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定
結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前に前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を互いに入れ替え、正常でなければ、前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を現状に維持する領域入れ替え手段と、前記
データ消去手段が書き込み専用領域のデータを消去でき
ない時、及び前記判定手段の判定結果が正常でない時に
前記管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中か
ら選択した正常な記憶領域を書き込み専用領域にする領
域変更手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、データが読み書きされ
る揮発性メモリと、データの読み書きを行うための読み
書き領域を含む複数の記憶領域を有し、電気的に書き換
え可能なバックアップ用不揮発性メモリと、電源のオフ
を検知する検知手段と、前記検知手段が電源のオフを検
知した時に前記不揮発性メモリの読み書き領域のデータ
を消去するデータ消去手段と、データ消去後、前記揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの読
み書き領域に書き込むバックアップ動作を行うバックア
ップ手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの読み
書き領域のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き
込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記デー
タ復帰動作を行う毎に異なる記憶領域を前記読み書き領
域とする領域変更手段とを備えることを特徴とする。
る揮発性メモリと、データの読み書きを行うための読み
書き領域を含む複数の記憶領域を有し、電気的に書き換
え可能なバックアップ用不揮発性メモリと、電源のオフ
を検知する検知手段と、前記検知手段が電源のオフを検
知した時に前記不揮発性メモリの読み書き領域のデータ
を消去するデータ消去手段と、データ消去後、前記揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの読
み書き領域に書き込むバックアップ動作を行うバックア
ップ手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの読み
書き領域のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き
込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記デー
タ復帰動作を行う毎に異なる記憶領域を前記読み書き領
域とする領域変更手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】請求項５の発明は、電源のオフを検知する
と、データが読み書きされる揮発性メモリのデータを読
み出して、少なくとも１個の記憶領域を有し電気的に書
き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリの記憶領域
にデータを書き込むバックアップ動作を行い、次に、電
源がオンすると、前記不揮発性メモリの記憶領域のデー
タを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰
動作を行い、データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの記憶領域のデータを消去することを特徴とする。
と、データが読み書きされる揮発性メモリのデータを読
み出して、少なくとも１個の記憶領域を有し電気的に書
き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリの記憶領域
にデータを書き込むバックアップ動作を行い、次に、電
源がオンすると、前記不揮発性メモリの記憶領域のデー
タを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰
動作を行い、データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの記憶領域のデータを消去することを特徴とする。
【００１３】請求項６の発明は、請求項５において、電
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの読み出し専用領域と書
き込み専用領域との２個の記憶領域のうち書き込み専用
領域にデータを書き込むバックアップ動作を行い、バッ
クアップ動作後、前記バックアップ動作が正常に行われ
たか否かを判定して、前記判定結果を保存し、次に電源
がオンすると、前記バックアップ動作が正常に行われて
おれば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書
き込み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常に行
われていなければ、読み出し専用領域と書き込み専用領
域とは現状に維持されて、次に前記不揮発性メモリの読
み出し専用領域のデータを前記揮発性メモリに書き込む
データ復帰動作を行い、前記データ復帰動作の直後に前
記不揮発性メモリの書き込み専用領域のデータを消去す
ることを特徴とする。
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの読み出し専用領域と書
き込み専用領域との２個の記憶領域のうち書き込み専用
領域にデータを書き込むバックアップ動作を行い、バッ
クアップ動作後、前記バックアップ動作が正常に行われ
たか否かを判定して、前記判定結果を保存し、次に電源
がオンすると、前記バックアップ動作が正常に行われて
おれば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書
き込み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常に行
われていなければ、読み出し専用領域と書き込み専用領
域とは現状に維持されて、次に前記不揮発性メモリの読
み出し専用領域のデータを前記揮発性メモリに書き込む
データ復帰動作を行い、前記データ復帰動作の直後に前
記不揮発性メモリの書き込み専用領域のデータを消去す
ることを特徴とする。
【００１４】請求項７の発明は、請求項５において、電
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの複数の記憶領域のうち
書き込み専用領域にデータを書き込むバックアップ動作
を行い、バックアップ動作後、前記バックアップ動作が
正常に行われたか否かを判定して、前記判定結果を保存
し、前記バックアップ動作が正常に行われていなけれ
ば、前記不揮発性メモリが有する、前記複数の記憶領域
の中から正常な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ
１個の管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中
から選択した正常な記憶領域に書き込み専用領域を変更
して、次に電源がオンすると、前記バックアップ動作が
正常に行われておれば、前記不揮発性メモリ内の複数の
記憶領域のうち読み出し専用領域と書き込み専用領域と
の各領域を互いに入れ替え、正常に行われていなけれ
ば、読み出し専用領域と書き込み専用領域とは現状に維
持されて、次に前記不揮発性メモリの読み出し専用領域
のデータを前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作
を行い、前記データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの書き込み専用領域のデータを消去し、前記データ消
去手段が前記書き込み専用領域のデータを消去できない
時には、前記不揮発性メモリの管理領域の情報を用いて
前記複数の記憶領域の中から選択した正常な記憶領域に
書き込み専用領域を変更してから、書き込み専用領域の
データを消去することを特徴とする。
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの複数の記憶領域のうち
書き込み専用領域にデータを書き込むバックアップ動作
を行い、バックアップ動作後、前記バックアップ動作が
正常に行われたか否かを判定して、前記判定結果を保存
し、前記バックアップ動作が正常に行われていなけれ
ば、前記不揮発性メモリが有する、前記複数の記憶領域
の中から正常な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ
１個の管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中
から選択した正常な記憶領域に書き込み専用領域を変更
して、次に電源がオンすると、前記バックアップ動作が
正常に行われておれば、前記不揮発性メモリ内の複数の
記憶領域のうち読み出し専用領域と書き込み専用領域と
の各領域を互いに入れ替え、正常に行われていなけれ
ば、読み出し専用領域と書き込み専用領域とは現状に維
持されて、次に前記不揮発性メモリの読み出し専用領域
のデータを前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作
を行い、前記データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの書き込み専用領域のデータを消去し、前記データ消
去手段が前記書き込み専用領域のデータを消去できない
時には、前記不揮発性メモリの管理領域の情報を用いて
前記複数の記憶領域の中から選択した正常な記憶領域に
書き込み専用領域を変更してから、書き込み専用領域の
データを消去することを特徴とする。
【００１５】請求項８の発明は、電源のオフを検知する
と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリの複数の記憶領域のうちデータの読み書きを行うた
めの読み書き領域のデータを消去してから、データが読
み書きされる揮発性メモリのデータを読み出して前記不
揮発性メモリの読み書き領域にデータを書き込むバック
アップ動作を行い、次に、電源がオンすると、前記不揮
発性メモリの読み書き領域のデータを読み出して前記揮
発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行ってから、前
記読み書き領域を異なる記憶領域に変更することを特徴
とする。
と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリの複数の記憶領域のうちデータの読み書きを行うた
めの読み書き領域のデータを消去してから、データが読
み書きされる揮発性メモリのデータを読み出して前記不
揮発性メモリの読み書き領域にデータを書き込むバック
アップ動作を行い、次に、電源がオンすると、前記不揮
発性メモリの読み書き領域のデータを読み出して前記揮
発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行ってから、前
記読み書き領域を異なる記憶領域に変更することを特徴
とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１７】（実施形態１）本実施形態では、プログラ
マブルコントローラの記憶装置、及びそのバックアップ
方法について説明する。図１はバックアップ電池を持た
ない本実施形態のプログラマブルコントローラの構成を
示しており、図示するプログラマブルコントローラは電
源回路１と、電源回路１が出力する電源のオフを検知す
る電源オフ検知回路２と、プログラマブルコントローラ
の演算制御処理を行うＣＰＵ３と、システムメモリたる
ＲＯＭ４と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不
揮発性メモリたるＥＥＰＲＯＭ５と、データが読み書き
される揮発性メモリたるＲＡＭ６と、入出力用Ｉ／Ｏ７
と、外部の支援装置接続用のインタフェース８と、アド
レス・データ・Ｉ／Ｏバス９とを備えており、ＣＰＵ３
は演算制御処理を行うことで、電源オフ検知回路２が電
源のオフを検知した時にＲＡＭ６のデータを読み出して
ＥＥＰＲＯＭ５に書き込むバックアップ動作を行うバッ
クアップ手段と、電源のオン時にＥＥＰＲＯＭ５に記憶
したデータを読み出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰
動作を行うデータ復帰手段と、データ復帰動作の直後に
ＥＥＰＲＯＭのデータを消去するデータ消去手段とを構
成している。
マブルコントローラの記憶装置、及びそのバックアップ
方法について説明する。図１はバックアップ電池を持た
ない本実施形態のプログラマブルコントローラの構成を
示しており、図示するプログラマブルコントローラは電
源回路１と、電源回路１が出力する電源のオフを検知す
る電源オフ検知回路２と、プログラマブルコントローラ
の演算制御処理を行うＣＰＵ３と、システムメモリたる
ＲＯＭ４と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不
揮発性メモリたるＥＥＰＲＯＭ５と、データが読み書き
される揮発性メモリたるＲＡＭ６と、入出力用Ｉ／Ｏ７
と、外部の支援装置接続用のインタフェース８と、アド
レス・データ・Ｉ／Ｏバス９とを備えており、ＣＰＵ３
は演算制御処理を行うことで、電源オフ検知回路２が電
源のオフを検知した時にＲＡＭ６のデータを読み出して
ＥＥＰＲＯＭ５に書き込むバックアップ動作を行うバッ
クアップ手段と、電源のオン時にＥＥＰＲＯＭ５に記憶
したデータを読み出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰
動作を行うデータ復帰手段と、データ復帰動作の直後に
ＥＥＰＲＯＭのデータを消去するデータ消去手段とを構
成している。
【００１８】次に、図２はプログラマブルコントローラ
のＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係を示し
ており、ＥＥＰＲＯＭ５は１個の記憶領域５１を有して
ＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックアップする
ものであり、図３（ａ），（ｂ）はデータのバックアッ
プ処理のフローチャートを示している。以下、本実施形
態のバックアップ処理の動作について説明する。
のＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係を示し
ており、ＥＥＰＲＯＭ５は１個の記憶領域５１を有して
ＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックアップする
ものであり、図３（ａ），（ｂ）はデータのバックアッ
プ処理のフローチャートを示している。以下、本実施形
態のバックアップ処理の動作について説明する。
【００１９】まず、電源回路１が出力する電源がオフか
らオンになると（ステップＳ１）、前回の電源のオフ時
にＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込んだデータ
を、記憶領域５１から読み出して、ＲＡＭ６の特定のア
ドレスに書き込むデータ復帰動作を行った（ステップＳ
２）後、記憶領域５１のデータを消去してから（ステッ
プＳ３）、処理を終了する（ステップＳ４）。
らオンになると（ステップＳ１）、前回の電源のオフ時
にＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込んだデータ
を、記憶領域５１から読み出して、ＲＡＭ６の特定のア
ドレスに書き込むデータ復帰動作を行った（ステップＳ
２）後、記憶領域５１のデータを消去してから（ステッ
プＳ３）、処理を終了する（ステップＳ４）。
【００２０】次に、プログラマブルコントローラの電源
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ５）、ＲＡＭ６の特定のアドレスの
データをＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込むバッ
クアップ動作を行い（ステップＳ６）、処理を終了する
（ステップＳ７）。上記ステップＳ１〜Ｓ４、及びステ
ップＳ５〜Ｓ７の処理を電源オン−電源オフ−電源オン
の度に繰り返す。
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ５）、ＲＡＭ６の特定のアドレスの
データをＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込むバッ
クアップ動作を行い（ステップＳ６）、処理を終了する
（ステップＳ７）。上記ステップＳ１〜Ｓ４、及びステ
ップＳ５〜Ｓ７の処理を電源オン−電源オフ−電源オン
の度に繰り返す。
【００２１】したがって、従来の技術のように電源のオ
フを検知してＥＥＰＲＯＭ５の記録領域５１のデータを
消去した後に、記憶領域５１へＲＡＭ６のデータの書き
込みを行うと、消去または書き込みの途中で電源がオフ
になって、データを完全に記憶させることができないこ
とがあったが、本実施形態においては、消去（ステップ
Ｓ３）を電源オン時に行い、書き込み（ステップＳ６）
を電源オフ検知時に行っているので、電源のオフを検知
してから実際に電源がオフするまでの時間が４０ｍｓｅ
ｃ、ステップＳ３の消去時間が２０ｍｓｅｃ、ステップ
Ｓ６の書き込み時間が３０ｍｓｅｃの場合でも、電源オ
フ検知時には、書き込みのみを行えばよく、電源のオフ
を検知してから実際に電源がオフするまでの時間が４０
ｍｓｅｃに対して書き込み時間は３０ｍｓｅｃであるの
で、バックアップ電池を持っていなくても、電源のオフ
を検知してから実際に電源がオフするまでの間にＲＡＭ
６のデータを、より確実、正常にＥＥＰＲＯＭ５の記憶
領域５１に書き込むことができる。
フを検知してＥＥＰＲＯＭ５の記録領域５１のデータを
消去した後に、記憶領域５１へＲＡＭ６のデータの書き
込みを行うと、消去または書き込みの途中で電源がオフ
になって、データを完全に記憶させることができないこ
とがあったが、本実施形態においては、消去（ステップ
Ｓ３）を電源オン時に行い、書き込み（ステップＳ６）
を電源オフ検知時に行っているので、電源のオフを検知
してから実際に電源がオフするまでの時間が４０ｍｓｅ
ｃ、ステップＳ３の消去時間が２０ｍｓｅｃ、ステップ
Ｓ６の書き込み時間が３０ｍｓｅｃの場合でも、電源オ
フ検知時には、書き込みのみを行えばよく、電源のオフ
を検知してから実際に電源がオフするまでの時間が４０
ｍｓｅｃに対して書き込み時間は３０ｍｓｅｃであるの
で、バックアップ電池を持っていなくても、電源のオフ
を検知してから実際に電源がオフするまでの間にＲＡＭ
６のデータを、より確実、正常にＥＥＰＲＯＭ５の記憶
領域５１に書き込むことができる。
【００２２】（実施形態２）本実施形態のプログラマブ
ルコントローラの構成は、実施形態１と同様に図１に示
される。図４は本実施形態のプログラマブルコントロー
ラのＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係を示
しており、ＥＥＰＲＯＭ５は２個の記憶領域５１，５２
を有してＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックア
ップするものである。なお、実施形態１と同様の構成に
は同一の符号を付し、説明は省略する。
ルコントローラの構成は、実施形態１と同様に図１に示
される。図４は本実施形態のプログラマブルコントロー
ラのＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係を示
しており、ＥＥＰＲＯＭ５は２個の記憶領域５１，５２
を有してＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックア
ップするものである。なお、実施形態１と同様の構成に
は同一の符号を付し、説明は省略する。
【００２３】本実施形態のＥＥＰＲＯＭ５は、電源オフ
検知回路２が電源回路１の電源オフを検知した時にＲＡ
Ｍ６の特定のアドレスのデータを書き込まれて、データ
復帰動作の直後にデータを消去される書き込み専用領域
と、電源のオン時にデータを読み出される読み出し専用
領域との２個の記憶領域５１，５２を有しており、２個
の記憶領域５１，５２は、一方が書き込み専用領域とな
り、他方が読み込み専用領域になる。
検知回路２が電源回路１の電源オフを検知した時にＲＡ
Ｍ６の特定のアドレスのデータを書き込まれて、データ
復帰動作の直後にデータを消去される書き込み専用領域
と、電源のオン時にデータを読み出される読み出し専用
領域との２個の記憶領域５１，５２を有しており、２個
の記憶領域５１，５２は、一方が書き込み専用領域とな
り、他方が読み込み専用領域になる。
【００２４】また、ＣＰＵ３は、演算制御処理を行うこ
とで、実施形態１と同様に、電源オフ検知回路２が電源
のオフを検知した時にＲＡＭ６のデータを読み出してＥ
ＥＰＲＯＭ５に書き込むバックアップ動作を行うバック
アップ手段と、電源のオン時にＥＥＰＲＯＭ５に記憶し
たデータを読み出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰動
作を行うデータ復帰手段と、データ復帰動作の直後にＥ
ＥＰＲＯＭのデータを消去するデータ消去手段とを構成
し、さらに、バックアップ動作が正常に行われたか否か
を判定し、正常であれば正常書き込みフラグを「１」に
設定し、正常でなければ「０」に設定する判定手段、及
び電源のオン時に正常書き込みフラグが「１」であれ
ば、データ復帰動作の前にＥＥＰＲＯＭ５内で読み出し
専用領域と書き込み専用領域との各領域を互いに入れ替
え、正常書き込みフラグが「０」であれば、ＥＥＰＲＯ
Ｍ５内で読み出し専用領域と書き込み専用領域との各領
域を現状に維持する領域入れ替え手段をも構成してい
る。
とで、実施形態１と同様に、電源オフ検知回路２が電源
のオフを検知した時にＲＡＭ６のデータを読み出してＥ
ＥＰＲＯＭ５に書き込むバックアップ動作を行うバック
アップ手段と、電源のオン時にＥＥＰＲＯＭ５に記憶し
たデータを読み出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰動
作を行うデータ復帰手段と、データ復帰動作の直後にＥ
ＥＰＲＯＭのデータを消去するデータ消去手段とを構成
し、さらに、バックアップ動作が正常に行われたか否か
を判定し、正常であれば正常書き込みフラグを「１」に
設定し、正常でなければ「０」に設定する判定手段、及
び電源のオン時に正常書き込みフラグが「１」であれ
ば、データ復帰動作の前にＥＥＰＲＯＭ５内で読み出し
専用領域と書き込み専用領域との各領域を互いに入れ替
え、正常書き込みフラグが「０」であれば、ＥＥＰＲＯ
Ｍ５内で読み出し専用領域と書き込み専用領域との各領
域を現状に維持する領域入れ替え手段をも構成してい
る。
【００２５】図５（ａ），（ｂ）はデータのバックアッ
プ処理のフローチャートを示しており、以下、本実施形
態のバックアップ処理の動作について説明する。まず、
読み出し専用領域を記憶領域５１、書き込み専用領域を
記憶領域５２とした状態で、電源回路１が出力する電源
がオフからオンになると（ステップＳ１１）、正常書き
込みフラグが「１」か「０」かを見る（ステップＳ１
２）。
プ処理のフローチャートを示しており、以下、本実施形
態のバックアップ処理の動作について説明する。まず、
読み出し専用領域を記憶領域５１、書き込み専用領域を
記憶領域５２とした状態で、電源回路１が出力する電源
がオフからオンになると（ステップＳ１１）、正常書き
込みフラグが「１」か「０」かを見る（ステップＳ１
２）。
【００２６】正常書き込みフラグが「１」であれば、す
なわち前回のバックアップ動作が正常に行われておれ
ば、読み出し専用領域を前回の書き込み専用領域である
記憶領域５２とし（ステップＳ１３）、書き込み専用領
域を前回の読み出し専用領域である記憶領域５１として
（ステップＳ１４）、その後、正常書き込みフラグを
「０」にリセットしておく（ステップＳ１５）。
なわち前回のバックアップ動作が正常に行われておれ
ば、読み出し専用領域を前回の書き込み専用領域である
記憶領域５２とし（ステップＳ１３）、書き込み専用領
域を前回の読み出し専用領域である記憶領域５１として
（ステップＳ１４）、その後、正常書き込みフラグを
「０」にリセットしておく（ステップＳ１５）。
【００２７】次に、前回の電源のオフ時にＥＥＰＲＯＭ
５の記憶領域５２に書き込んだデータを読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
った（ステップＳ１６）後、記憶領域５１のデータを消
去してから（ステップＳ１７）、処理を終了する（ステ
ップＳ１８）。
５の記憶領域５２に書き込んだデータを読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
った（ステップＳ１６）後、記憶領域５１のデータを消
去してから（ステップＳ１７）、処理を終了する（ステ
ップＳ１８）。
【００２８】また、ステップＳ１２において、正常書き
込みフラグが「０」であれば、すなわち前回のバックア
ップ動作が正常に行われていなければ、ＥＥＰＲＯＭ５
内で読み出し専用領域と書き込み専用領域との各領域を
現状に維持したまま、ステップＳ１６のデータ復帰動作
を行う。すなわち、前々回のバックアップ動作時にＥＥ
ＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込んだデータを読み出
して、ＲＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰
動作を行った（ステップＳ１６）後、記憶領域５２のデ
ータを消去してから（ステップＳ１７）、処理を終了す
る（ステップＳ１８）。
込みフラグが「０」であれば、すなわち前回のバックア
ップ動作が正常に行われていなければ、ＥＥＰＲＯＭ５
内で読み出し専用領域と書き込み専用領域との各領域を
現状に維持したまま、ステップＳ１６のデータ復帰動作
を行う。すなわち、前々回のバックアップ動作時にＥＥ
ＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込んだデータを読み出
して、ＲＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰
動作を行った（ステップＳ１６）後、記憶領域５２のデ
ータを消去してから（ステップＳ１７）、処理を終了す
る（ステップＳ１８）。
【００２９】次に、プログラマブルコントローラの電源
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ１９）、ＲＡＭ６の特定のアドレス
のデータをＥＥＰＲＯＭ５の書き込み専用領域に書き込
むバックアップ動作を行い（ステップＳ２０）、そし
て、バックアップ動作が正常に行われたか否かを判定
し、正常であれば正常書き込みフラグを「１」に設定
し、正常でなければ「０」に設定し（ステップＳ２
１）、処理を終了する（ステップＳ２２）。上記ステッ
プＳ１１〜Ｓ１８、及びステップＳ１９〜Ｓ２２の処理
を電源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ１９）、ＲＡＭ６の特定のアドレス
のデータをＥＥＰＲＯＭ５の書き込み専用領域に書き込
むバックアップ動作を行い（ステップＳ２０）、そし
て、バックアップ動作が正常に行われたか否かを判定
し、正常であれば正常書き込みフラグを「１」に設定
し、正常でなければ「０」に設定し（ステップＳ２
１）、処理を終了する（ステップＳ２２）。上記ステッ
プＳ１１〜Ｓ１８、及びステップＳ１９〜Ｓ２２の処理
を電源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
【００３０】このように本実施形態は、正常書き込みフ
ラグの状態に応じて、ＥＥＰＲＯＭ５内に設けた２個の
記憶領域５１，５２のうち一方を読み出し専用領域、他
方を書き込み専用領域として用いており、例えば、電源
のオフを検知してから実際に電源がオフするまでの時間
が２０ｍｓｅｃ、ステップＳ１７の消去時間が２０ｍｓ
ｅｃ、ステップＳ２０の書き込み時間が３０ｍｓｅｃの
場合には、書き込みを２０ｍｓｅｃ実行したところで電
源がオフになり、完全にデータを記憶させることができ
ないが、データが正常に書き込めなかった場合でも、正
常書き込みフラグを「０」に設定して、前回の書き込み
時に記憶していたデータを失わないことを可能にしたも
のである。
ラグの状態に応じて、ＥＥＰＲＯＭ５内に設けた２個の
記憶領域５１，５２のうち一方を読み出し専用領域、他
方を書き込み専用領域として用いており、例えば、電源
のオフを検知してから実際に電源がオフするまでの時間
が２０ｍｓｅｃ、ステップＳ１７の消去時間が２０ｍｓ
ｅｃ、ステップＳ２０の書き込み時間が３０ｍｓｅｃの
場合には、書き込みを２０ｍｓｅｃ実行したところで電
源がオフになり、完全にデータを記憶させることができ
ないが、データが正常に書き込めなかった場合でも、正
常書き込みフラグを「０」に設定して、前回の書き込み
時に記憶していたデータを失わないことを可能にしたも
のである。
【００３１】また、実施形態１と同様に、消去（ステッ
プＳ１７）を電源オン時に行い、書き込み（ステップＳ
２０）を電源オフ検知時に行っているので、バックアッ
プ電池を持っていなくても、電源のオフを検知してから
実際に電源がオフするまでの間にＲＡＭ６のデータを、
より確実、正常にＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１または
５２に書き込むことができるようになった。
プＳ１７）を電源オン時に行い、書き込み（ステップＳ
２０）を電源オフ検知時に行っているので、バックアッ
プ電池を持っていなくても、電源のオフを検知してから
実際に電源がオフするまでの間にＲＡＭ６のデータを、
より確実、正常にＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５１または
５２に書き込むことができるようになった。
【００３２】さらには、２個の記憶領域５１〜５２を設
けて、書き込みが正常に行われたならば電源オン毎に書
き込み専用領域と読み出し専用領域とを入れ替えている
ことにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽減させ
て、記憶領域の長寿命化を可能にしている。
けて、書き込みが正常に行われたならば電源オン毎に書
き込み専用領域と読み出し専用領域とを入れ替えている
ことにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽減させ
て、記憶領域の長寿命化を可能にしている。
【００３３】（実施形態３）本実施形態のプログラマブ
ルコントローラの構成は、実施形態１，２と同様に図１
に示される。図６は本実施形態のプログラマブルコント
ローラのＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係
を示しており、ＥＥＰＲＯＭ５はｎ個の記憶領域５１〜
５ｎを有してＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバッ
クアップするものである。なお、実施形態１，２と同様
の構成には同一の符号を付し、説明は省略する。
ルコントローラの構成は、実施形態１，２と同様に図１
に示される。図６は本実施形態のプログラマブルコント
ローラのＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係
を示しており、ＥＥＰＲＯＭ５はｎ個の記憶領域５１〜
５ｎを有してＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバッ
クアップするものである。なお、実施形態１，２と同様
の構成には同一の符号を付し、説明は省略する。
【００３４】本実施形態のＥＥＰＲＯＭ５は、ｎ個の記
憶領域５１〜５ｎと、ｎ個の記憶領域５１〜５ｎの中か
ら正常な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ１個の
管理領域５０とを有しており、ｎ個の記憶領域５１〜５
ｎのうち、２つの記憶領域は、一方が書き込み専用領域
となり、他方が読み込み専用領域となって、書き込み専
用領域は、電源オフ検知回路２が電源回路１の電源オフ
を検知した時にＲＡＭ６の特定のアドレスのデータを書
き込まれて、データ復帰動作の直後にデータを消去さ
れ、読み出し専用領域は、電源のオン時にデータを読み
出される。
憶領域５１〜５ｎと、ｎ個の記憶領域５１〜５ｎの中か
ら正常な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ１個の
管理領域５０とを有しており、ｎ個の記憶領域５１〜５
ｎのうち、２つの記憶領域は、一方が書き込み専用領域
となり、他方が読み込み専用領域となって、書き込み専
用領域は、電源オフ検知回路２が電源回路１の電源オフ
を検知した時にＲＡＭ６の特定のアドレスのデータを書
き込まれて、データ復帰動作の直後にデータを消去さ
れ、読み出し専用領域は、電源のオン時にデータを読み
出される。
【００３５】また、ＣＰＵ３は、演算制御処理を行うこ
とで、実施形態２と同様に、電源オフ検知回路２が電源
のオフを検知した時にＲＡＭ６のデータを読み出してＥ
ＥＰＲＯＭ５の書き込み専用領域に書き込むバックアッ
プ動作を行うバックアップ手段と、電源のオン時にＥＥ
ＰＲＯＭ５の読み出し専用領域に記憶したデータを読み
出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰動作を行うデータ
復帰手段と、データ復帰動作の直後にＥＥＰＲＯＭの読
み出し専用領域のデータを消去するデータ消去手段と、
バックアップ動作が正常に行われたか否かを判定し、正
常であれば正常書き込みフラグを「１」に設定し、正常
でなければ「０」に設定する判定手段と、電源のオン時
に正常書き込みフラグが「１」であれば、データ復帰動
作の前にＥＥＰＲＯＭ５内で読み出し専用領域と書き込
み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常書き込み
フラグが「０」であれば、ＥＥＰＲＯＭ５内で読み出し
専用領域と書き込み専用領域との各領域を現状に維持す
る領域入れ替え手段とを構成し、さらにデータ消去手段
が書き込み専用領域のデータを消去できない時、及びバ
ックアップ動作の終了時で判定手段の判定結果が正常で
ない時に管理領域５０の情報を用いてｎ個の記憶領域５
１〜５ｎの中から選択した正常な記憶領域を書き込み専
用領域にする領域変更手段をも構成している。
とで、実施形態２と同様に、電源オフ検知回路２が電源
のオフを検知した時にＲＡＭ６のデータを読み出してＥ
ＥＰＲＯＭ５の書き込み専用領域に書き込むバックアッ
プ動作を行うバックアップ手段と、電源のオン時にＥＥ
ＰＲＯＭ５の読み出し専用領域に記憶したデータを読み
出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰動作を行うデータ
復帰手段と、データ復帰動作の直後にＥＥＰＲＯＭの読
み出し専用領域のデータを消去するデータ消去手段と、
バックアップ動作が正常に行われたか否かを判定し、正
常であれば正常書き込みフラグを「１」に設定し、正常
でなければ「０」に設定する判定手段と、電源のオン時
に正常書き込みフラグが「１」であれば、データ復帰動
作の前にＥＥＰＲＯＭ５内で読み出し専用領域と書き込
み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常書き込み
フラグが「０」であれば、ＥＥＰＲＯＭ５内で読み出し
専用領域と書き込み専用領域との各領域を現状に維持す
る領域入れ替え手段とを構成し、さらにデータ消去手段
が書き込み専用領域のデータを消去できない時、及びバ
ックアップ動作の終了時で判定手段の判定結果が正常で
ない時に管理領域５０の情報を用いてｎ個の記憶領域５
１〜５ｎの中から選択した正常な記憶領域を書き込み専
用領域にする領域変更手段をも構成している。
【００３６】図７（ａ），（ｂ）はデータのバックアッ
プ処理のフローチャートを示しており、以下、本実施形
態のバックアップ処理の動作について説明する。まず、
読み出し専用領域を記憶領域５１、書き込み専用領域を
記憶領域５２とした状態で、電源回路１が出力する電源
がオフからオンになると（ステップＳ３１）、動作モー
ドが何モードかを確認する（ステップＳ３２）。非実行
モードであれば処理を終了し（ステップＳ４５）、実行
モードであれば、正常書き込みフラグが「１」か「０」
かを見る（ステップＳ３３）。
プ処理のフローチャートを示しており、以下、本実施形
態のバックアップ処理の動作について説明する。まず、
読み出し専用領域を記憶領域５１、書き込み専用領域を
記憶領域５２とした状態で、電源回路１が出力する電源
がオフからオンになると（ステップＳ３１）、動作モー
ドが何モードかを確認する（ステップＳ３２）。非実行
モードであれば処理を終了し（ステップＳ４５）、実行
モードであれば、正常書き込みフラグが「１」か「０」
かを見る（ステップＳ３３）。
【００３７】正常書き込みフラグが「１」であれば、す
なわち前回のバックアップ動作が正常に行われておれ
ば、読み出し専用領域を前回の書き込み専用領域である
記憶領域５２とし（ステップＳ３４）、書き込み専用領
域を前回の読み出し専用領域である記憶領域５１として
（ステップＳ３５）、その後、正常書き込みフラグを０
にリセットしておく（ステップＳ３６）。
なわち前回のバックアップ動作が正常に行われておれ
ば、読み出し専用領域を前回の書き込み専用領域である
記憶領域５２とし（ステップＳ３４）、書き込み専用領
域を前回の読み出し専用領域である記憶領域５１として
（ステップＳ３５）、その後、正常書き込みフラグを０
にリセットしておく（ステップＳ３６）。
【００３８】次に、前回の電源のオフ時にＥＥＰＲＯＭ
５の記憶領域５２に書き込んだデータを読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
った（ステップＳ３７）後、記憶領域５１のデータを消
去してから（ステップＳ３８）、データの消去が成功し
たか否かを判断する（ステップＳ３９）。消去が成功で
あれば、処理を終了し（ステップＳ４５）、消去が失敗
であれば、ＥＥＰＲＯＭ５の管理領域５０に記録されて
いる選択可能な領域情報によって、記憶領域５１〜５ｎ
のうち、まだ選択可能な領域があるか否かを判断し（ス
テップＳ４０）、選択可能な領域がなければ動作モード
を非実行モードに切り替えて（ステップＳ４４）処理を
終了する（ステップＳ４５）。
５の記憶領域５２に書き込んだデータを読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
った（ステップＳ３７）後、記憶領域５１のデータを消
去してから（ステップＳ３８）、データの消去が成功し
たか否かを判断する（ステップＳ３９）。消去が成功で
あれば、処理を終了し（ステップＳ４５）、消去が失敗
であれば、ＥＥＰＲＯＭ５の管理領域５０に記録されて
いる選択可能な領域情報によって、記憶領域５１〜５ｎ
のうち、まだ選択可能な領域があるか否かを判断し（ス
テップＳ４０）、選択可能な領域がなければ動作モード
を非実行モードに切り替えて（ステップＳ４４）処理を
終了する（ステップＳ４５）。
【００３９】選択可能な領域があれば、その領域のう
ち、番号が最も小さい領域（本実施形態では記憶領域５
３）を選択し（ステップＳ４１）、管理領域５０に記録
されている選択可能な領域情報から今回選択した記憶領
域を除外して、以降は選択できないようにした（ステッ
プＳ４２）後に、今回選択した記憶領域のデータを消去
して（ステップＳ４３）、処理を終了する（ステップＳ
４５）。
ち、番号が最も小さい領域（本実施形態では記憶領域５
３）を選択し（ステップＳ４１）、管理領域５０に記録
されている選択可能な領域情報から今回選択した記憶領
域を除外して、以降は選択できないようにした（ステッ
プＳ４２）後に、今回選択した記憶領域のデータを消去
して（ステップＳ４３）、処理を終了する（ステップＳ
４５）。
【００４０】また、ステップＳ３３において、正常書き
込みフラグが「０」であれば、すなわち前回のバックア
ップ動作が正常に行われていなければ、ＥＥＰＲＯＭ５
内で読み出し専用領域と書き込み専用領域との各領域を
現状に維持したまま、ステップＳ３７のデータ復帰動作
を行う。すなわち、前々回のバックアップ動作時にＥＥ
ＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込んだデータを読み出
して、ＲＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰
動作を行った（ステップＳ３７）後、記憶領域５２のデ
ータを消去してから（ステップＳ３８）、データの消去
が成功したか否かを判断し（ステップＳ３９）、以下、
前記同様に処理を行う。
込みフラグが「０」であれば、すなわち前回のバックア
ップ動作が正常に行われていなければ、ＥＥＰＲＯＭ５
内で読み出し専用領域と書き込み専用領域との各領域を
現状に維持したまま、ステップＳ３７のデータ復帰動作
を行う。すなわち、前々回のバックアップ動作時にＥＥ
ＰＲＯＭ５の記憶領域５１に書き込んだデータを読み出
して、ＲＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰
動作を行った（ステップＳ３７）後、記憶領域５２のデ
ータを消去してから（ステップＳ３８）、データの消去
が成功したか否かを判断し（ステップＳ３９）、以下、
前記同様に処理を行う。
【００４１】次に、プログラマブルコントローラの電源
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ４６）、動作モードが何モードかを
確認する（ステップＳ４７）。非実行モードであれば処
理を終了し（ステップＳ５５）、実行モードであれば、
ＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをＥＥＰＲＯＭ５の
書き込み専用領域に書き込むバックアップ動作を行い
（ステップＳ４８）、そして、バックアップ動作が成功
したか否かを判定し（ステップＳ４９）、成功であれば
正常書き込みフラグを「１」に設定して（ステップＳ５
３）、処理を終了する（ステップＳ２２）。
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ４６）、動作モードが何モードかを
確認する（ステップＳ４７）。非実行モードであれば処
理を終了し（ステップＳ５５）、実行モードであれば、
ＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをＥＥＰＲＯＭ５の
書き込み専用領域に書き込むバックアップ動作を行い
（ステップＳ４８）、そして、バックアップ動作が成功
したか否かを判定し（ステップＳ４９）、成功であれば
正常書き込みフラグを「１」に設定して（ステップＳ５
３）、処理を終了する（ステップＳ２２）。
【００４２】そして、バックアップ動作が成功でなけれ
ば正常書き込みフラグを「０」に設定したまま、ＥＥＰ
ＲＯＭ５の管理領域５０に記録されている選択可能な領
域情報によって、記憶領域５１〜５ｎのうち、まだ選択
可能な領域があるか否かを判断し（ステップＳ５０）、
選択可能な領域がなければ動作モードを非実行モードに
切り替えて（ステップＳ５４）処理を終了する（ステッ
プＳ５５）。
ば正常書き込みフラグを「０」に設定したまま、ＥＥＰ
ＲＯＭ５の管理領域５０に記録されている選択可能な領
域情報によって、記憶領域５１〜５ｎのうち、まだ選択
可能な領域があるか否かを判断し（ステップＳ５０）、
選択可能な領域がなければ動作モードを非実行モードに
切り替えて（ステップＳ５４）処理を終了する（ステッ
プＳ５５）。
【００４３】選択可能な領域があれば、その領域のう
ち、番号が最も小さい領域である記憶領域を選択し（ス
テップＳ５１）、管理領域５０に記録されている選択可
能な領域情報から今回選択した記憶領域を除外して、以
降は選択できないようにした（ステップＳ５２）後に、
処理を終了する（ステップＳ５５）。そして、上記ステ
ップＳ３１〜Ｓ４５、及びステップＳ４６〜Ｓ５５の処
理を電源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
ち、番号が最も小さい領域である記憶領域を選択し（ス
テップＳ５１）、管理領域５０に記録されている選択可
能な領域情報から今回選択した記憶領域を除外して、以
降は選択できないようにした（ステップＳ５２）後に、
処理を終了する（ステップＳ５５）。そして、上記ステ
ップＳ３１〜Ｓ４５、及びステップＳ４６〜Ｓ５５の処
理を電源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
【００４４】以下、ＥＥＰＲＯＭ５が記憶領域５１〜５
５を有するとして、本実施形態の主要な動作について具
体的に説明する。読み出し専用領域として記憶領域５１
が選択され、書き込み専用領域として記憶領域５２が選
択されている状態で、記憶領域５２のデータの消去に失
敗したとすると（ステップＳ３９）、次に記憶領域５３
が書き込み専用領域として選択され（ステップＳ４
１）、管理領域５０に記録されている選択可能な領域情
報から今回選択した記憶領域５３を除外して、以降は選
択できないようにした（ステップＳ４２）後に、記憶領
域５３のデータが消去され（ステップＳ４３）、そし
て、電源オフ時には記憶領域５３にデータを書き込まれ
る（ステップＳ４８）。次の電源オン時には、読み出し
専用領域だった記憶領域５１が書き込み専用領域となり
（ステップＳ３４）、書き込み専用領域だった記憶領域
５３が読み出し専用領域となる（ステップＳ３５）。こ
の後、何か異常が発生するまで記憶領域５１，５３が選
択されている状態で処理が行われる。
５を有するとして、本実施形態の主要な動作について具
体的に説明する。読み出し専用領域として記憶領域５１
が選択され、書き込み専用領域として記憶領域５２が選
択されている状態で、記憶領域５２のデータの消去に失
敗したとすると（ステップＳ３９）、次に記憶領域５３
が書き込み専用領域として選択され（ステップＳ４
１）、管理領域５０に記録されている選択可能な領域情
報から今回選択した記憶領域５３を除外して、以降は選
択できないようにした（ステップＳ４２）後に、記憶領
域５３のデータが消去され（ステップＳ４３）、そし
て、電源オフ時には記憶領域５３にデータを書き込まれ
る（ステップＳ４８）。次の電源オン時には、読み出し
専用領域だった記憶領域５１が書き込み専用領域となり
（ステップＳ３４）、書き込み専用領域だった記憶領域
５３が読み出し専用領域となる（ステップＳ３５）。こ
の後、何か異常が発生するまで記憶領域５１，５３が選
択されている状態で処理が行われる。
【００４５】そして、記憶領域５１，５３が選択されて
いる状態で書き込み専用領域となっている記憶領域５１
へのデータの書き込みに失敗したとすると（ステップＳ
４９）、新たに記憶領域５４が選択される（ステップＳ
５１）。次の電源オン時には、前回の書き込み時に記憶
領域５３に書き込んだデータを読み出し（ステップＳ３
７）、記憶領域５４のデータを消去する（ステップＳ３
８）。この後、何か異常が発生するまで記憶領域５３，
５４が選択されている状態で処理が行われる。
いる状態で書き込み専用領域となっている記憶領域５１
へのデータの書き込みに失敗したとすると（ステップＳ
４９）、新たに記憶領域５４が選択される（ステップＳ
５１）。次の電源オン時には、前回の書き込み時に記憶
領域５３に書き込んだデータを読み出し（ステップＳ３
７）、記憶領域５４のデータを消去する（ステップＳ３
８）。この後、何か異常が発生するまで記憶領域５３，
５４が選択されている状態で処理が行われる。
【００４６】次に、記憶領域５３，５４が選択されてい
る状態で書き込み専用領域となっている記憶領域５３へ
のデータの書き込みに失敗したとすると（ステップＳ４
９）、新たに記憶領域５５が選択される（ステップＳ５
１）。次の電源オン時には、前回の書き込み時に記憶領
域５４に書き込んだデータを読み出し（ステップＳ３
７）、記憶領域５５のデータを消去する（ステップＳ３
８）。この後、何か異常が発生するまで記憶領域５４，
５５が選択されている状態で処理が行われる。
る状態で書き込み専用領域となっている記憶領域５３へ
のデータの書き込みに失敗したとすると（ステップＳ４
９）、新たに記憶領域５５が選択される（ステップＳ５
１）。次の電源オン時には、前回の書き込み時に記憶領
域５４に書き込んだデータを読み出し（ステップＳ３
７）、記憶領域５５のデータを消去する（ステップＳ３
８）。この後、何か異常が発生するまで記憶領域５４，
５５が選択されている状態で処理が行われる。
【００４７】さらに、記憶領域５４，５５が選択されて
いる状態で書き込み専用領域となっている記憶領域５４
のデータの消去に失敗したとすると（ステップＳ３
９）、選択可能な記憶領域がもう存在しないため（ステ
ップＳ４０）、動作モードを非実行モードに切り替えて
（ステップＳ４４）、処理を終了して、次回からこれら
の処理は行われなくなる。
いる状態で書き込み専用領域となっている記憶領域５４
のデータの消去に失敗したとすると（ステップＳ３
９）、選択可能な記憶領域がもう存在しないため（ステ
ップＳ４０）、動作モードを非実行モードに切り替えて
（ステップＳ４４）、処理を終了して、次回からこれら
の処理は行われなくなる。
【００４８】このように本実施形態は、ＥＥＰＲＯＭ５
内の記憶領域が故障した場合、その故障した領域を２度
と使用せずに正常な記憶領域を新たに選択して、その後
の処理を行うようにしたので、確実にＲＡＭ６のデータ
を記憶して、データのバックアップをより確実、正常に
行うことができる。
内の記憶領域が故障した場合、その故障した領域を２度
と使用せずに正常な記憶領域を新たに選択して、その後
の処理を行うようにしたので、確実にＲＡＭ６のデータ
を記憶して、データのバックアップをより確実、正常に
行うことができる。
【００４９】また、実施形態２と同様に、消去（ステッ
プＳ３８）を電源オン時に行い、書き込み（ステップＳ
４８）を電源オフ検知時に行っているので、バックアッ
プ電池を持っていなくても、電源のオフを検知してから
実際に電源がオフするまでの間にＲＡＭ６のデータをＥ
ＥＰＲＯＭ５の記憶領域により確実に書き込むことがで
きるようになり、さらに、例えば、電源のオフを検知し
てから実際に電源がオフするまでの時間が２０ｍｓｅ
ｃ、ステップＳ３８の消去時間が２０ｍｓｅｃ、ステッ
プＳ４８の書き込み時間が３０ｍｓｅｃの場合には、書
き込みを２０ｍｓｅｃ実行したところで電源がオフにな
り、完全にデータを記憶させることができないが、デー
タが正常に書き込めなかった場合でも、正常書き込みフ
ラグを「０」に設定して、前回の書き込み時に記憶して
いたデータを失わないことを可能にしたものである。
プＳ３８）を電源オン時に行い、書き込み（ステップＳ
４８）を電源オフ検知時に行っているので、バックアッ
プ電池を持っていなくても、電源のオフを検知してから
実際に電源がオフするまでの間にＲＡＭ６のデータをＥ
ＥＰＲＯＭ５の記憶領域により確実に書き込むことがで
きるようになり、さらに、例えば、電源のオフを検知し
てから実際に電源がオフするまでの時間が２０ｍｓｅ
ｃ、ステップＳ３８の消去時間が２０ｍｓｅｃ、ステッ
プＳ４８の書き込み時間が３０ｍｓｅｃの場合には、書
き込みを２０ｍｓｅｃ実行したところで電源がオフにな
り、完全にデータを記憶させることができないが、デー
タが正常に書き込めなかった場合でも、正常書き込みフ
ラグを「０」に設定して、前回の書き込み時に記憶して
いたデータを失わないことを可能にしたものである。
【００５０】さらには、複数の記憶領域５１〜５ｎを設
けて、書き込みが正常に行われたならば、電源オン毎に
書き込み専用領域と読み出し専用領域とを入れ替えてい
ることにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽減させ
て、記憶領域の長寿命化を可能にしている。
けて、書き込みが正常に行われたならば、電源オン毎に
書き込み専用領域と読み出し専用領域とを入れ替えてい
ることにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽減させ
て、記憶領域の長寿命化を可能にしている。
【００５１】（実施形態４）図１はバックアップ電池を
持たない本実施形態のプログラマブルコントローラの構
成を示しており、図示するプログラマブルコントローラ
は電源回路１と、電源回路１が出力する電源のオフを検
知する電源オフ検知回路２と、プログラマブルコントロ
ーラの演算制御処理を行うＣＰＵ３と、システムメモリ
たるＲＯＭ４と、データの読み書きを行うための読み書
き領域を含む複数の記憶領域５１〜５ｎを有し、電気的
に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリたるＥ
ＥＰＲＯＭ５と、データが読み書きされる揮発性メモリ
たるＲＡＭ６と、入出力用Ｉ／Ｏ７と、外部の支援装置
接続用のインタフェース８と、アドレス・データ・Ｉ／
Ｏバス９とを備えており、ＣＰＵ３は演算制御処理を行
うことで、電源オフ検知回路２が電源１のオフを検知し
た時にＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域のデータを消去す
るデータ消去手段と、データ消去後、ＲＡＭのデータを
読み出してＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域にデータを書
き込むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電
源１のオン時にＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域のデータ
を読み出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰動作を行う
データ復帰手段と、データ復帰動作を行う毎に異なる記
憶領域を読み書き領域とする領域変更手段とを構成して
いる。
持たない本実施形態のプログラマブルコントローラの構
成を示しており、図示するプログラマブルコントローラ
は電源回路１と、電源回路１が出力する電源のオフを検
知する電源オフ検知回路２と、プログラマブルコントロ
ーラの演算制御処理を行うＣＰＵ３と、システムメモリ
たるＲＯＭ４と、データの読み書きを行うための読み書
き領域を含む複数の記憶領域５１〜５ｎを有し、電気的
に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリたるＥ
ＥＰＲＯＭ５と、データが読み書きされる揮発性メモリ
たるＲＡＭ６と、入出力用Ｉ／Ｏ７と、外部の支援装置
接続用のインタフェース８と、アドレス・データ・Ｉ／
Ｏバス９とを備えており、ＣＰＵ３は演算制御処理を行
うことで、電源オフ検知回路２が電源１のオフを検知し
た時にＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域のデータを消去す
るデータ消去手段と、データ消去後、ＲＡＭのデータを
読み出してＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域にデータを書
き込むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電
源１のオン時にＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域のデータ
を読み出してＲＡＭ６に書き込むデータ復帰動作を行う
データ復帰手段と、データ復帰動作を行う毎に異なる記
憶領域を読み書き領域とする領域変更手段とを構成して
いる。
【００５２】次に、図８はプログラマブルコントローラ
のＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係を示し
ており、ＥＥＰＲＯＭ５は複数の記憶領域５１〜５ｎを
有してＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックアッ
プするものであり、図９（ａ），（ｂ）はデータのバッ
クアップ処理のフローチャートを示している。以下、本
実施形態のバックアップ処理の動作について説明する。
のＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域とＲＡＭ６との関係を示し
ており、ＥＥＰＲＯＭ５は複数の記憶領域５１〜５ｎを
有してＲＡＭ６の特定のアドレスのデータをバックアッ
プするものであり、図９（ａ），（ｂ）はデータのバッ
クアップ処理のフローチャートを示している。以下、本
実施形態のバックアップ処理の動作について説明する。
【００５３】まず、電源回路１が出力する電源がオフか
らオンになると（ステップＳ６１）、前回の電源のオフ
時にＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域たる記憶領域５１に
書き込んだデータを、記憶領域５１から読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
った（ステップＳ６２）後、記憶領域５１のアドレスに
１を加えて次のアドレスに移して、以降の処理時には、
この新しいアドレスに対応する記憶領域（ここでは記憶
領域５２）を読み書き領域として用いることとする（ス
テップＳ６３）。
らオンになると（ステップＳ６１）、前回の電源のオフ
時にＥＥＰＲＯＭ５の読み書き領域たる記憶領域５１に
書き込んだデータを、記憶領域５１から読み出して、Ｒ
ＡＭ６の特定のアドレスに書き込むデータ復帰動作を行
った（ステップＳ６２）後、記憶領域５１のアドレスに
１を加えて次のアドレスに移して、以降の処理時には、
この新しいアドレスに対応する記憶領域（ここでは記憶
領域５２）を読み書き領域として用いることとする（ス
テップＳ６３）。
【００５４】次に、このアドレスが最後尾のアドレス
（ここでは記憶領域５ｎに対応する）より大きいか否か
を判断し（ステップＳ６４）、大きくなければ処理を終
了し（ステップＳ６６）、大きければ、先頭のアドレス
に対応する記憶領域（ここでは記憶領域５１）を以降の
処理時には読み書き領域として用いることとする（ステ
ップＳ６５）。
（ここでは記憶領域５ｎに対応する）より大きいか否か
を判断し（ステップＳ６４）、大きくなければ処理を終
了し（ステップＳ６６）、大きければ、先頭のアドレス
に対応する記憶領域（ここでは記憶領域５１）を以降の
処理時には読み書き領域として用いることとする（ステ
ップＳ６５）。
【００５５】次に、プログラマブルコントローラの電源
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ６７）、記憶領域５２のデータを消
去してから（ステップＳ６８）、ＲＡＭ６の特定のアド
レスのデータをＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５２に書き込
むバックアップ動作を行い（ステップＳ６９）、処理を
終了する（ステップＳ７０）。そして、上記ステップＳ
６１〜Ｓ６６、及びステップＳ６７〜Ｓ７０の処理を電
源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
がオフになり、電源オフ検知回路２が電源のオフを検知
すると（ステップＳ６７）、記憶領域５２のデータを消
去してから（ステップＳ６８）、ＲＡＭ６の特定のアド
レスのデータをＥＥＰＲＯＭ５の記憶領域５２に書き込
むバックアップ動作を行い（ステップＳ６９）、処理を
終了する（ステップＳ７０）。そして、上記ステップＳ
６１〜Ｓ６６、及びステップＳ６７〜Ｓ７０の処理を電
源オン−電源オフ−電源オンの度に繰り返す。
【００５６】本実施形態においては、複数の記憶領域５
１〜５ｎを設けて、電源オン毎に異なる記憶領域を読み
書き領域として選択していることにより、１個の記憶領
域にかかる負担を軽減させて、記憶領域の長寿命化を可
能にしており、この寿命は記憶領域の個数に比例して長
くなる。
１〜５ｎを設けて、電源オン毎に異なる記憶領域を読み
書き領域として選択していることにより、１個の記憶領
域にかかる負担を軽減させて、記憶領域の長寿命化を可
能にしており、この寿命は記憶領域の個数に比例して長
くなる。
【００５７】また、消去（ステップＳ６８）、書き込み
（ステップＳ６９）を電源オフ検知時に行っているが、
ステップＳ６８の消去時間が２０ｍｓｅｃ、ステップＳ
６９の書き込み時間が３０ｍｓｅｃで、合計５０ｍｓｅ
ｃかかる場合でも、本実施形態では、電源のオフを検知
してから実際に電源がオフするまでの時間が６０ｍｓｅ
ｃなので、正常に書き込みを行うことができる。
（ステップＳ６９）を電源オフ検知時に行っているが、
ステップＳ６８の消去時間が２０ｍｓｅｃ、ステップＳ
６９の書き込み時間が３０ｍｓｅｃで、合計５０ｍｓｅ
ｃかかる場合でも、本実施形態では、電源のオフを検知
してから実際に電源がオフするまでの時間が６０ｍｓｅ
ｃなので、正常に書き込みを行うことができる。
【００５８】なお、実施形態１乃至４においては、プロ
グラマブルコントローラの記憶装置、及びそのバックア
ップ方法について説明したが、勿論、同様の構成を有す
る他の記憶装置、及びそのバックアップ方法についても
本願発明を適用して、同様の効果を奏することは可能で
ある。
グラマブルコントローラの記憶装置、及びそのバックア
ップ方法について説明したが、勿論、同様の構成を有す
る他の記憶装置、及びそのバックアップ方法についても
本願発明を適用して、同様の効果を奏することは可能で
ある。
【００５９】
【発明の効果】請求項１の発明は、データが読み書きさ
れる揮発性メモリと、少なくとも１個の記憶領域を有
し、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリと、電源のオフを検知する検知手段と、前記検知手
段が電源のオフを検知した時に前記揮発性メモリのデー
タを読み出して前記不揮発性メモリの記憶領域に書き込
むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電源の
オン時に前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを読み
出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行
うデータ復帰手段と、前記データ復帰動作の直後に前記
不揮発性メモリの記憶領域のデータを消去するデータ消
去手段とを備えるので、消去を電源オン時に行い、書き
込みを電源オフ検知時に行うことで、バックアップ電池
を持っていなくても、電源のオフを検知してから実際に
電源がオフするまでの間に、揮発性メモリのデータを、
より確実、正常に、電気的に書き換え可能なバックアッ
プ用不揮発性メモリの記憶領域に書き込むことができる
という効果がある。
れる揮発性メモリと、少なくとも１個の記憶領域を有
し、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリと、電源のオフを検知する検知手段と、前記検知手
段が電源のオフを検知した時に前記揮発性メモリのデー
タを読み出して前記不揮発性メモリの記憶領域に書き込
むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電源の
オン時に前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを読み
出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行
うデータ復帰手段と、前記データ復帰動作の直後に前記
不揮発性メモリの記憶領域のデータを消去するデータ消
去手段とを備えるので、消去を電源オン時に行い、書き
込みを電源オフ検知時に行うことで、バックアップ電池
を持っていなくても、電源のオフを検知してから実際に
電源がオフするまでの間に、揮発性メモリのデータを、
より確実、正常に、電気的に書き換え可能なバックアッ
プ用不揮発性メモリの記憶領域に書き込むことができる
という効果がある。
【００６０】請求項２の発明は、請求項１において、前
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域と、電源のオン時に前記データ復帰手段
によってデータを読み出される読み出し専用領域との２
個の記憶領域を有しており、前記バックアップ動作が正
常に行われたか否かを判定する判定手段と、前記判定手
段の判定結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前
に前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み
専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常でなけれ
ば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込
み専用領域との各領域を現状に維持する領域入れ替え手
段とを備えるので、不揮発性メモリ内に設けた２個の記
憶領域を読み出し専用領域、書き込み専用領域として用
いることで、データが正常に書き込めなかった場合で
も、前回の書き込み時に記憶していたデータを失わない
ことを可能にするという効果がある。さらには、２個の
記憶領域を設けて、バックアップ動作が正常に行われた
ならば電源オン毎に書き込み専用領域と読み出し専用領
域とを入れ替えていることにより、１個の記憶領域にか
かる負担を軽減させて、記憶領域の長寿命化を可能にし
ている。
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域と、電源のオン時に前記データ復帰手段
によってデータを読み出される読み出し専用領域との２
個の記憶領域を有しており、前記バックアップ動作が正
常に行われたか否かを判定する判定手段と、前記判定手
段の判定結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前
に前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み
専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常でなけれ
ば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込
み専用領域との各領域を現状に維持する領域入れ替え手
段とを備えるので、不揮発性メモリ内に設けた２個の記
憶領域を読み出し専用領域、書き込み専用領域として用
いることで、データが正常に書き込めなかった場合で
も、前回の書き込み時に記憶していたデータを失わない
ことを可能にするという効果がある。さらには、２個の
記憶領域を設けて、バックアップ動作が正常に行われた
ならば電源オン毎に書き込み専用領域と読み出し専用領
域とを入れ替えていることにより、１個の記憶領域にか
かる負担を軽減させて、記憶領域の長寿命化を可能にし
ている。
【００６１】請求項３の発明は、請求項１において、前
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域、及び電源のオン時に前記データ復帰手
段によってデータを読み出される読み出し専用領域を含
む複数の記憶領域と、前記複数の記憶領域の中から正常
な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ１個の管理領
域とを有しており、前記バックアップ動作が正常に行わ
れたか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定
結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前に前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を互いに入れ替え、正常でなければ、前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を現状に維持する領域入れ替え手段と、前記
データ消去手段が書き込み専用領域のデータを消去でき
ない時、及び前記判定手段の判定結果が正常でない時に
前記管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中か
ら選択した正常な記憶領域を書き込み専用領域にする領
域変更手段とを備えるので、不揮発性メモリ内の記憶領
域が故障した場合、その故障した領域を２度と使用せず
に正常な記憶領域を新たに選択して、その後の処理を行
うことで、確実に揮発性メモリのデータを記憶して、デ
ータのバックアップをより確実、正常に行うことができ
るという効果がある。さらには、複数の記憶領域を設け
て、バックアップ動作が正常に行われたならば、電源オ
ン毎に書き込み専用領域と読み出し専用領域とを入れ替
えていることにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽
減させて、記憶領域のさらなる長寿命化を可能にしてい
る。
記不揮発性メモリは、前記検知手段が電源のオフを検知
した時に前記バックアップ手段によって前記揮発性メモ
リのデータを書き込まれ、且つ前記データ復帰動作の直
後に前記データ消去手段によってデータを消去される書
き込み専用領域、及び電源のオン時に前記データ復帰手
段によってデータを読み出される読み出し専用領域を含
む複数の記憶領域と、前記複数の記憶領域の中から正常
な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ１個の管理領
域とを有しており、前記バックアップ動作が正常に行わ
れたか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定
結果が正常であれば、前記データ復帰動作の前に前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を互いに入れ替え、正常でなければ、前記不
揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書き込み専用領域
との各領域を現状に維持する領域入れ替え手段と、前記
データ消去手段が書き込み専用領域のデータを消去でき
ない時、及び前記判定手段の判定結果が正常でない時に
前記管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中か
ら選択した正常な記憶領域を書き込み専用領域にする領
域変更手段とを備えるので、不揮発性メモリ内の記憶領
域が故障した場合、その故障した領域を２度と使用せず
に正常な記憶領域を新たに選択して、その後の処理を行
うことで、確実に揮発性メモリのデータを記憶して、デ
ータのバックアップをより確実、正常に行うことができ
るという効果がある。さらには、複数の記憶領域を設け
て、バックアップ動作が正常に行われたならば、電源オ
ン毎に書き込み専用領域と読み出し専用領域とを入れ替
えていることにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽
減させて、記憶領域のさらなる長寿命化を可能にしてい
る。
【００６２】請求項４の発明は、データが読み書きされ
る揮発性メモリと、データの読み書きを行うための読み
書き領域を含む複数の記憶領域を有し、電気的に書き換
え可能なバックアップ用不揮発性メモリと、電源のオフ
を検知する検知手段と、前記検知手段が電源のオフを検
知した時に前記不揮発性メモリの読み書き領域のデータ
を消去するデータ消去手段と、データ消去後、前記揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの読
み書き領域に書き込むバックアップ動作を行うバックア
ップ手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの読み
書き領域のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き
込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記デー
タ復帰動作を行う毎に異なる記憶領域を前記読み書き領
域とする領域変更手段とを備えるので、複数の記憶領域
を設けて、電源オン毎に異なる記憶領域を選択している
ことにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽減させ
て、記憶領域の長寿命化を可能にするという効果があ
り、この寿命は記憶領域の個数に比例して長くなる。
る揮発性メモリと、データの読み書きを行うための読み
書き領域を含む複数の記憶領域を有し、電気的に書き換
え可能なバックアップ用不揮発性メモリと、電源のオフ
を検知する検知手段と、前記検知手段が電源のオフを検
知した時に前記不揮発性メモリの読み書き領域のデータ
を消去するデータ消去手段と、データ消去後、前記揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの読
み書き領域に書き込むバックアップ動作を行うバックア
ップ手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの読み
書き領域のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き
込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記デー
タ復帰動作を行う毎に異なる記憶領域を前記読み書き領
域とする領域変更手段とを備えるので、複数の記憶領域
を設けて、電源オン毎に異なる記憶領域を選択している
ことにより、１個の記憶領域にかかる負担を軽減させ
て、記憶領域の長寿命化を可能にするという効果があ
り、この寿命は記憶領域の個数に比例して長くなる。
【００６３】請求項５の発明は、電源のオフを検知する
と、データが読み書きされる揮発性メモリのデータを読
み出して、少なくとも１個の記憶領域を有し電気的に書
き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリの記憶領域
にデータを書き込むバックアップ動作を行い、次に、電
源がオンすると、前記不揮発性メモリの記憶領域のデー
タを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰
動作を行い、データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの記憶領域のデータを消去するので、請求項１と同様
の効果を奏する。
と、データが読み書きされる揮発性メモリのデータを読
み出して、少なくとも１個の記憶領域を有し電気的に書
き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリの記憶領域
にデータを書き込むバックアップ動作を行い、次に、電
源がオンすると、前記不揮発性メモリの記憶領域のデー
タを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰
動作を行い、データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの記憶領域のデータを消去するので、請求項１と同様
の効果を奏する。
【００６４】請求項６の発明は、請求項５において、電
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの読み出し専用領域と書
き込み専用領域との２個の記憶領域のうち書き込み専用
領域にデータを書き込むバックアップ動作を行い、バッ
クアップ動作後、前記バックアップ動作が正常に行われ
たか否かを判定して、前記判定結果を保存し、次に電源
がオンすると、前記バックアップ動作が正常に行われて
おれば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書
き込み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常に行
われていなければ、読み出し専用領域と書き込み専用領
域とは現状に維持されて、次に前記不揮発性メモリの読
み出し専用領域のデータを前記揮発性メモリに書き込む
データ復帰動作を行い、前記データ復帰動作の直後に前
記不揮発性メモリの書き込み専用領域のデータを消去す
るので、請求項２と同様の効果を奏する。
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの読み出し専用領域と書
き込み専用領域との２個の記憶領域のうち書き込み専用
領域にデータを書き込むバックアップ動作を行い、バッ
クアップ動作後、前記バックアップ動作が正常に行われ
たか否かを判定して、前記判定結果を保存し、次に電源
がオンすると、前記バックアップ動作が正常に行われて
おれば、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と書
き込み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常に行
われていなければ、読み出し専用領域と書き込み専用領
域とは現状に維持されて、次に前記不揮発性メモリの読
み出し専用領域のデータを前記揮発性メモリに書き込む
データ復帰動作を行い、前記データ復帰動作の直後に前
記不揮発性メモリの書き込み専用領域のデータを消去す
るので、請求項２と同様の効果を奏する。
【００６５】請求項７の発明は、請求項５において、電
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの複数の記憶領域のうち
書き込み専用領域にデータを書き込むバックアップ動作
を行い、バックアップ動作後、前記バックアップ動作が
正常に行われたか否かを判定して、前記判定結果を保存
し、前記バックアップ動作が正常に行われていなけれ
ば、前記不揮発性メモリが有する、前記複数の記憶領域
の中から正常な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ
１個の管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中
から選択した正常な記憶領域に書き込み専用領域を変更
して、次に電源がオンすると、前記バックアップ動作が
正常に行われておれば、前記不揮発性メモリ内の複数の
記憶領域のうち読み出し専用領域と書き込み専用領域と
の各領域を互いに入れ替え、正常に行われていなけれ
ば、読み出し専用領域と書き込み専用領域とは現状に維
持されて、次に前記不揮発性メモリの読み出し専用領域
のデータを前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作
を行い、前記データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの書き込み専用領域のデータを消去し、前記データ消
去手段が前記書き込み専用領域のデータを消去できない
時には、前記不揮発性メモリの管理領域の情報を用いて
前記複数の記憶領域の中から選択した正常な記憶領域に
書き込み専用領域を変更してから、書き込み専用領域の
データを消去するので、請求項３と同様の効果を奏す
る。
源のオフを検知すると、前記揮発性メモリのデータを読
み出して、前記不揮発性メモリの複数の記憶領域のうち
書き込み専用領域にデータを書き込むバックアップ動作
を行い、バックアップ動作後、前記バックアップ動作が
正常に行われたか否かを判定して、前記判定結果を保存
し、前記バックアップ動作が正常に行われていなけれ
ば、前記不揮発性メモリが有する、前記複数の記憶領域
の中から正常な記憶領域を選択できる情報を書き込んだ
１個の管理領域の情報を用いて前記複数の記憶領域の中
から選択した正常な記憶領域に書き込み専用領域を変更
して、次に電源がオンすると、前記バックアップ動作が
正常に行われておれば、前記不揮発性メモリ内の複数の
記憶領域のうち読み出し専用領域と書き込み専用領域と
の各領域を互いに入れ替え、正常に行われていなけれ
ば、読み出し専用領域と書き込み専用領域とは現状に維
持されて、次に前記不揮発性メモリの読み出し専用領域
のデータを前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作
を行い、前記データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモ
リの書き込み専用領域のデータを消去し、前記データ消
去手段が前記書き込み専用領域のデータを消去できない
時には、前記不揮発性メモリの管理領域の情報を用いて
前記複数の記憶領域の中から選択した正常な記憶領域に
書き込み専用領域を変更してから、書き込み専用領域の
データを消去するので、請求項３と同様の効果を奏す
る。
【００６６】請求項８の発明は、電源のオフを検知する
と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリの複数の記憶領域のうちデータの読み書きを行うた
めの読み書き領域のデータを消去してから、データが読
み書きされる揮発性メモリのデータを読み出して前記不
揮発性メモリの読み書き領域にデータを書き込むバック
アップ動作を行い、次に、電源がオンすると、前記不揮
発性メモリの読み書き領域のデータを読み出して前記揮
発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行ってから、前
記読み書き領域を異なる記憶領域に変更するので、請求
項４と同様の効果を奏する。
と、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メ
モリの複数の記憶領域のうちデータの読み書きを行うた
めの読み書き領域のデータを消去してから、データが読
み書きされる揮発性メモリのデータを読み出して前記不
揮発性メモリの読み書き領域にデータを書き込むバック
アップ動作を行い、次に、電源がオンすると、前記不揮
発性メモリの読み書き領域のデータを読み出して前記揮
発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行ってから、前
記読み書き領域を異なる記憶領域に変更するので、請求
項４と同様の効果を奏する。
【図１】本発明の実施形態１乃至４のプログラマブルコ
ントローラの構成を示す図である。
ントローラの構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１のＥＥＰＲＯＭの記憶領域
とＲＡＭとの関係を示す図である。
とＲＡＭとの関係を示す図である。
【図３】（ａ），（ｂ）本発明の同上の動作フローチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図４】本発明の実施形態２のＥＥＰＲＯＭの記憶領域
とＲＡＭとの関係を示す図である。
とＲＡＭとの関係を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）本発明の同上の動作フローチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図６】本発明の実施形態３のＥＥＰＲＯＭの記憶領域
とＲＡＭとの関係を示す図である。
とＲＡＭとの関係を示す図である。
【図７】（ａ），（ｂ）本発明の同上の動作フローチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図８】本発明の実施形態４のＥＥＰＲＯＭの記憶領域
とＲＡＭとの関係を示す図である。
とＲＡＭとの関係を示す図である。
【図９】（ａ），（ｂ）本発明の同上の動作フローチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図１０】従来例のＥＥＰＲＯＭの記憶領域とＲＡＭと
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）同上の動作フローチャートを
示す図である。
示す図である。
１ 電源回路
２ 電源オフ検知回路
３ ＣＰＵ
４ ＲＯＭ
５ ＥＥＰＲＯＭ
６ ＲＡＭ
７ 入出力用ＩＯ
８ インタフェース
９ アドレス・データ・Ｉ／Ｏバス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5B011 HH01 JA04 MB07
5B018 GA04 HA23 KA03 NA01 NA06
QA05 QA11
Claims (8)
- 【請求項１】 データが読み書きされる揮発性メモリ
と、少なくとも１個の記憶領域を有し、電気的に書き換
え可能なバックアップ用不揮発性メモリと、電源のオフ
を検知する検知手段と、前記検知手段が電源のオフを検
知した時に前記揮発性メモリのデータを読み出して前記
不揮発性メモリの記憶領域に書き込むバックアップ動作
を行うバックアップ手段と、電源のオン時に前記不揮発
性メモリの記憶領域のデータを読み出して前記揮発性メ
モリに書き込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段
と、前記データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモリの
記憶領域のデータを消去するデータ消去手段とを備える
ことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項２】 前記不揮発性メモリは、前記検知手段が
電源のオフを検知した時に前記バックアップ手段によっ
て前記揮発性メモリのデータを書き込まれ、且つ前記デ
ータ復帰動作の直後に前記データ消去手段によってデー
タを消去される書き込み専用領域と、電源のオン時に前
記データ復帰手段によってデータを読み出される読み出
し専用領域との２個の記憶領域を有しており、前記バッ
クアップ動作が正常に行われたか否かを判定する判定手
段と、前記判定手段の判定結果が正常であれば、前記デ
ータ復帰動作の前に前記不揮発性メモリ内で読み出し専
用領域と書き込み専用領域との各領域を互いに入れ替
え、正常でなければ、前記不揮発性メモリ内で読み出し
専用領域と書き込み専用領域との各領域を現状に維持す
る領域入れ替え手段とを備えることを特徴とする請求項
１記載の記憶装置。 - 【請求項３】 前記不揮発性メモリは、前記検知手段が
電源のオフを検知した時に前記バックアップ手段によっ
て前記揮発性メモリのデータを書き込まれ、且つ前記デ
ータ復帰動作の直後に前記データ消去手段によってデー
タを消去される書き込み専用領域、及び電源のオン時に
前記データ復帰手段によってデータを読み出される読み
出し専用領域を含む複数の記憶領域と、前記複数の記憶
領域の中から正常な記憶領域を選択できる情報を書き込
んだ１個の管理領域とを有しており、前記バックアップ
動作が正常に行われたか否かを判定する判定手段と、前
記判定手段の判定結果が正常であれば、前記データ復帰
動作の前に前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と
書き込み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常で
なければ、前記不揮発性メモリ内で読み出し専用領域と
書き込み専用領域との各領域を現状に維持する領域入れ
替え手段と、前記データ消去手段が書き込み専用領域の
データを消去できない時、及び前記判定手段の判定結果
が正常でない時に前記管理領域の情報を用いて前記複数
の記憶領域の中から選択した正常な記憶領域を書き込み
専用領域にする領域変更手段とを備えることを特徴とす
る請求項１記載の記憶装置。 - 【請求項４】 データが読み書きされる揮発性メモリ
と、データの読み書きを行うための読み書き領域を含む
複数の記憶領域を有し、電気的に書き換え可能なバック
アップ用不揮発性メモリと、電源のオフを検知する検知
手段と、前記検知手段が電源のオフを検知した時に前記
不揮発性メモリの読み書き領域のデータを消去するデー
タ消去手段と、データ消去後、前記揮発性メモリのデー
タを読み出して前記不揮発性メモリの読み書き領域に書
き込むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電
源のオン時に前記不揮発性メモリの読み書き領域のデー
タを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰
動作を行うデータ復帰手段と、前記データ復帰動作を行
う毎に異なる記憶領域を前記読み書き領域とする領域変
更手段とを備えることを特徴とする記憶装置。 - 【請求項５】 電源のオフを検知すると、データが読み
書きされる揮発性メモリのデータを読み出して、少なく
とも１個の記憶領域を有し電気的に書き換え可能なバッ
クアップ用不揮発性メモリの記憶領域にデータを書き込
むバックアップ動作を行い、次に、電源がオンすると、
前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを読み出して前
記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行い、デー
タ復帰動作の直後に前記不揮発性メモリの記憶領域のデ
ータを消去することを特徴とする記憶装置のバックアッ
プ方法。 - 【請求項６】 電源のオフを検知すると、前記揮発性メ
モリのデータを読み出して、前記不揮発性メモリの読み
出し専用領域と書き込み専用領域との２個の記憶領域の
うち書き込み専用領域にデータを書き込むバックアップ
動作を行い、バックアップ動作後、前記バックアップ動
作が正常に行われたか否かを判定して、前記判定結果を
保存し、次に電源がオンすると、前記バックアップ動作
が正常に行われておれば、前記不揮発性メモリ内で読み
出し専用領域と書き込み専用領域との各領域を互いに入
れ替え、正常に行われていなければ、読み出し専用領域
と書き込み専用領域とは現状に維持されて、次に前記不
揮発性メモリの読み出し専用領域のデータを前記揮発性
メモリに書き込むデータ復帰動作を行い、前記データ復
帰動作の直後に前記不揮発性メモリの書き込み専用領域
のデータを消去することを特徴とする請求項５記載の記
憶装置のバックアップ方法。 - 【請求項７】 電源のオフを検知すると、前記揮発性メ
モリのデータを読み出して、前記不揮発性メモリの複数
の記憶領域のうち書き込み専用領域にデータを書き込む
バックアップ動作を行い、バックアップ動作後、前記バ
ックアップ動作が正常に行われたか否かを判定して、前
記判定結果を保存し、前記バックアップ動作が正常に行
われていなければ、前記不揮発性メモリが有する、前記
複数の記憶領域の中から正常な記憶領域を選択できる情
報を書き込んだ１個の管理領域の情報を用いて前記複数
の記憶領域の中から選択した正常な記憶領域に書き込み
専用領域を変更して、次に電源がオンすると、前記バッ
クアップ動作が正常に行われておれば、前記不揮発性メ
モリ内の複数の記憶領域のうち読み出し専用領域と書き
込み専用領域との各領域を互いに入れ替え、正常に行わ
れていなければ、読み出し専用領域と書き込み専用領域
とは現状に維持されて、次に前記不揮発性メモリの読み
出し専用領域のデータを前記揮発性メモリに書き込むデ
ータ復帰動作を行い、前記データ復帰動作の直後に前記
不揮発性メモリの書き込み専用領域のデータを消去し、
前記データ消去手段が前記書き込み専用領域のデータを
消去できない時には、前記不揮発性メモリの管理領域の
情報を用いて前記複数の記憶領域の中から選択した正常
な記憶領域に書き込み専用領域を変更してから、書き込
み専用領域のデータを消去することを特徴とする請求項
５記載の記憶装置のバックアップ方法。 - 【請求項８】 電源のオフを検知すると、電気的に書き
換え可能なバックアップ用不揮発性メモリの複数の記憶
領域のうちデータの読み書きを行うための読み書き領域
のデータを消去してから、データが読み書きされる揮発
性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの読
み書き領域にデータを書き込むバックアップ動作を行
い、次に、電源がオンすると、前記不揮発性メモリの読
み書き領域のデータを読み出して前記揮発性メモリに書
き込むデータ復帰動作を行ってから、前記読み書き領域
を異なる記憶領域に変更することを特徴とする記憶装置
のバックアップ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060910A JP4131116B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002060910A patent/JP4131116B2/ja not_active Expired - Fee Related
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