JP4239754B2 - 不揮発メモリシステム - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態に係る不揮発メモリシステムの一例である。
各分割領域のデータ属性により、分割領域毎に不揮発メモリの管理手法を切り替える。
不揮発メモリの書き換え回数が不揮発メモリの特定領域に集中せず分散できるので、不揮発メモリの書き換え回数による寿命を長期化することが可能となる。
11 主記憶ランダムアクセスメモリ用RAM
12 アドレス/制御バス
13 データバス
14 インターフェース回路
15 不揮発メモリバス
16 不揮発メモリ
17 ROM
Claims (3)
- 不揮発メモリを複数領域に分割する領域分割手段と、不揮発メモリへのデータのライトやリード制御方法を管理する複数の不揮発メモリ管理手段と、前記領域分割手段で分割された各分割領域で使用する不揮発メモリ管理手段を各分割領域に格納するデータ属性に基付き前記複数の不揮発メモリ管理手段から選択する不揮発メモリ管理手段選択手段とを備え、
前記領域分割手段が、プログラムデータを格納するプログラム領域と、データ再取得可能なデータを格納するアプリケーション領域と、データ再取得不可能なデータを格納する機器データ領域と、当該不揮発メモリの領域分割管理データを格納する管理領域とに不揮発メモリを領域分割し、
前記複数の不揮発メモリ管理手段が、不揮発メモリへのページ単位のライトアクセスにおいて誤り訂正用の冗長信号を付加して不揮発メモリにデータを書き込む第1のライトアクセス用不揮発メモリ管理手段と、不揮発メモリへのライトアクセスにおいてページ単位の誤り訂正に加え複数ページに対する誤り検出用の冗長信号を付加して不揮発メモリにデータを書き込む第2のライトアクセス用不揮発メモリ管理手段と、不揮発メモリへのページ単位のリードアクセスにおいて誤り訂正用の冗長信号をリードし誤り訂正を行う第1のリードアクセス用不揮発メモリ管理手段と、不揮発メモリへのリードアクセスにおいてページ単位の誤り訂正に加え複数ページに対する誤り検出用の冗長信号をリードし誤り検出を行う第2のリードアクセス用不揮発メモリ管理手段とからなることを特徴とする電子機器の不揮発メモリシステム。 - 前記不揮発メモリ管理手段選択手段が、前記プログラム領域に対しては第1のリードアクセス用不揮発メモリ管理手段を選択し、前記機器データ領域および前記管理領域に対しては第2のライトアクセス用不揮発メモリ管理手段および第2のリードアクセス用不揮発メモリ管理手段を選択し、前記アプリケーション領域に対して前記プログラム領域に格納されたプログラムデータを更新しない場合には第2のライトアクセス用不揮発メモリ管理手段および第2のリードアクセス用不揮発メモリ管理手段を選択し更新する場合には第1のライトアクセス用不揮発メモリ管理手段および第1のリードアクセス用不揮発メモリ管理手段を選択することを特徴とする請求項1記載の不揮発メモリシステム。
- 前記アプリケーション領域を用いて前記プログラム領域のプログラムデータを更新する場合に、前記アプリケーション領域に更新プログラムを書き込み、前記アプリケーション領域に更新プログラムが正常に書き込まれた後に当該更新プログラムを書き込んだアプリケーション領域を新たなプログラム領域にすると共に更新前のプログラムが格納されたプログラム領域を新たなアプリケーション領域にし、不揮発メモリの領域分割におけるデータ属性も更新することを特徴とする請求項2記載の不揮発メモリシステム。
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