JP2003253370A - 合金型温度ヒュ−ズ - Google Patents
合金型温度ヒュ−ズInfo
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- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】作動温度１３５℃〜１６０℃、環境保全、低比
抵抗の点からヒューズエレメントの合金組成の主成分を
Ｉｎとするにもかかわらず、ヒュ−ズエレメント径を３
００μｍφ程度にも極細化し得、しかも耐熱安定性を良
好に保証できる合金型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメント１と
する温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、ＩｎまたはＩｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１
０％或いはＩｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の
１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選
ばれた少なくとも一種が合計０．０１〜７重量部添加さ
れた組成である。
抵抗の点からヒューズエレメントの合金組成の主成分を
Ｉｎとするにもかかわらず、ヒュ−ズエレメント径を３
００μｍφ程度にも極細化し得、しかも耐熱安定性を良
好に保証できる合金型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメント１と
する温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、ＩｎまたはＩｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１
０％或いはＩｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の
１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選
ばれた少なくとも一種が合計０．０１〜７重量部添加さ
れた組成である。
Description
【０００１】本発明は、作動温度が１３５℃〜１６０℃
の合金型温度ヒュ−ズに関するものである。
の合金型温度ヒュ−ズに関するものである。
【０００２】合金型温度ヒュ−ズにおいては、フラック
スを塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントと
しており、保護すべき電気機器に取り付けて使用され、
電気機器が異常時に発熱すると、その発生熱により低融
点可溶合金片が液相化され、その溶融金属が既溶融フラ
ックスとの共存のもとで表面張力により球状化され、球
状化の進行により分断されて機器への通電が遮断され
る。
スを塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントと
しており、保護すべき電気機器に取り付けて使用され、
電気機器が異常時に発熱すると、その発生熱により低融
点可溶合金片が液相化され、その溶融金属が既溶融フラ
ックスとの共存のもとで表面張力により球状化され、球
状化の進行により分断されて機器への通電が遮断され
る。
【０００３】上記低融点可溶合金に要求される要件の一
つは、固相線と液相線との間の固液共存域が狭いことで
ある。すなわち、通常、合金においては、固相線と液相
線との間に固液共存域が存在し、この領域においては、
液相中に固相粒体が分散した状態にあり、液相様の性質
も備えているために、上記の球状化分断が発生する可能
性があり、従って、液相線温度（この温度をＴとする）
以前に固液共存域に属する温度範囲（ΔＴとする）で、
低融点可溶合金片が球状化分断される可能性がある。而
して、かかる低融点可溶合金片を用いた温度ヒュ−ズに
おいては、ヒュ−ズエレメント温度が（Ｔ−ΔＴ）〜Ｔ
となる温度範囲で動作するものとして取り扱わなければ
ならず、ΔＴが小であるほど、すなわち、固液共存域が
狭いほど、温度ヒュ−ズの作動温度範囲のバラツキを小
として、温度ヒュ−ズをそれだけ厳格に所定の設定温度
で作動させることができる。従って、温度ヒュ−ズのヒ
ュ−ズエレメントとして使用される合金には、固液共存
域が狭いことが要求される。
つは、固相線と液相線との間の固液共存域が狭いことで
ある。すなわち、通常、合金においては、固相線と液相
線との間に固液共存域が存在し、この領域においては、
液相中に固相粒体が分散した状態にあり、液相様の性質
も備えているために、上記の球状化分断が発生する可能
性があり、従って、液相線温度（この温度をＴとする）
以前に固液共存域に属する温度範囲（ΔＴとする）で、
低融点可溶合金片が球状化分断される可能性がある。而
して、かかる低融点可溶合金片を用いた温度ヒュ−ズに
おいては、ヒュ−ズエレメント温度が（Ｔ−ΔＴ）〜Ｔ
となる温度範囲で動作するものとして取り扱わなければ
ならず、ΔＴが小であるほど、すなわち、固液共存域が
狭いほど、温度ヒュ−ズの作動温度範囲のバラツキを小
として、温度ヒュ−ズをそれだけ厳格に所定の設定温度
で作動させることができる。従って、温度ヒュ−ズのヒ
ュ−ズエレメントとして使用される合金には、固液共存
域が狭いことが要求される。
【０００４】更に、上記低融点可溶合金に要求される要
件の一つは、電気抵抗が低いことである。すなわち、低
融点可溶合金片の抵抗に基づく平常時の発熱による温度
上昇をΔＴ'とすると、その温度上昇がないときに較
べ、実質上、作動温度がΔＴ'だけ低くなり、ΔＴ'が高
くなるほど、作動誤差が実質的に高くなる。従って、温
度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントとして使用される合金
には、比抵抗が低いことが要求される。
件の一つは、電気抵抗が低いことである。すなわち、低
融点可溶合金片の抵抗に基づく平常時の発熱による温度
上昇をΔＴ'とすると、その温度上昇がないときに較
べ、実質上、作動温度がΔＴ'だけ低くなり、ΔＴ'が高
くなるほど、作動誤差が実質的に高くなる。従って、温
度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントとして使用される合金
には、比抵抗が低いことが要求される。
【０００５】温度ヒューズにおいては、機器のヒートサ
イクルにより繰返し加熱・冷却される。そのヒートサイ
クルにより、ヒューズエレメントの再結晶化が促進さる
が、ヒューズエレメントの延性が過多であると、合金組
織内の異相界面で起こるずれ(すべり)が大きくなり、そ
れが繰り返えされることによって極端な断面積変化やエ
レメント線長増大が生じる。その結果、ヒューズエレメ
ント自体の抵抗が安定となり、耐熱安定性を保証し難
い。従って、上記低融点可溶合金に要求される他の要件
として、耐熱安定性も重視しなければならない。
イクルにより繰返し加熱・冷却される。そのヒートサイ
クルにより、ヒューズエレメントの再結晶化が促進さる
が、ヒューズエレメントの延性が過多であると、合金組
織内の異相界面で起こるずれ(すべり)が大きくなり、そ
れが繰り返えされることによって極端な断面積変化やエ
レメント線長増大が生じる。その結果、ヒューズエレメ
ント自体の抵抗が安定となり、耐熱安定性を保証し難
い。従って、上記低融点可溶合金に要求される他の要件
として、耐熱安定性も重視しなければならない。
【０００６】作動温度１３５〜１６０℃の温度ヒューズ
のヒューズエレメントには、固液共存域が１４０〜１６
０℃前後にあり、前記ΔＴ（固液共存域に属する温度範
囲）が許容範囲内（４℃以内）であることが必要であ
る。かかる融点特性を充足し、前記有害金属を含まず、
低比抵抗の金属としては、Ｉｎ（融点１５７℃）、１５
５℃共晶のＩｎ−Ｓｂ合金（Ｉｎ９９％、Ｓｂ１％。％
は重量比率である。以下、同じ）、１４１℃共晶のＩｎ
−Ａｇ合金（Ｉｎ９７％、Ａｇ３％）等が存在するが、
延性の大きいＩｎを主成分とするために、延性が過大で
あり、３００μｍφといった細線の線引き加工が困難で
あり、温度ヒューズの小型化に対応し難く、また、弾性
限界が小さく、ヒートサイクルによりヒューズエレメン
トが熱応力で降伏されて合金組織内にすべりが生じ、こ
のすべりの繰返しにより断面積及びエレメント線長が変
化して、ヒューズエレメント自体の抵抗値が不安定にな
り、耐熱安定性を保証し難い。
のヒューズエレメントには、固液共存域が１４０〜１６
０℃前後にあり、前記ΔＴ（固液共存域に属する温度範
囲）が許容範囲内（４℃以内）であることが必要であ
る。かかる融点特性を充足し、前記有害金属を含まず、
低比抵抗の金属としては、Ｉｎ（融点１５７℃）、１５
５℃共晶のＩｎ−Ｓｂ合金（Ｉｎ９９％、Ｓｂ１％。％
は重量比率である。以下、同じ）、１４１℃共晶のＩｎ
−Ａｇ合金（Ｉｎ９７％、Ａｇ３％）等が存在するが、
延性の大きいＩｎを主成分とするために、延性が過大で
あり、３００μｍφといった細線の線引き加工が困難で
あり、温度ヒューズの小型化に対応し難く、また、弾性
限界が小さく、ヒートサイクルによりヒューズエレメン
トが熱応力で降伏されて合金組織内にすべりが生じ、こ
のすべりの繰返しにより断面積及びエレメント線長が変
化して、ヒューズエレメント自体の抵抗値が不安定にな
り、耐熱安定性を保証し難い。
【０００７】本発明の目的は、作動温度１３５℃〜１６
０℃、環境保全、低比抵抗の点からヒューズエレメント
の合金組成の主成分をＩｎとするにもかかわらず、ヒュ
−ズエレメント径を３００μｍφ程度にも極細化し得、
しかも耐熱安定性を良好に保証できる合金型温度ヒュ−
ズを提供することにある。
０℃、環境保全、低比抵抗の点からヒューズエレメント
の合金組成の主成分をＩｎとするにもかかわらず、ヒュ
−ズエレメント径を３００μｍφ程度にも極細化し得、
しかも耐熱安定性を良好に保証できる合金型温度ヒュ−
ズを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
合金型温度ヒュ−ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレ
メントとする温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の
合金組成が、Ｉｎの１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた少なくとも一種が合計０．
０１〜７重量部添加された組成であることを特徴とす
る。
合金型温度ヒュ−ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレ
メントとする温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の
合金組成が、Ｉｎの１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた少なくとも一種が合計０．
０１〜７重量部添加された組成であることを特徴とす
る。
【０００９】本発明の請求項２に係る合金型温度ヒュ−
ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする温度
ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成が、Ｉｎ
９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％の１００重量部
に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた少なく
とも一種が合計０．０１〜７重量部添加された組成であ
ることを特徴とする。
ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする温度
ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成が、Ｉｎ
９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％の１００重量部
に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた少なく
とも一種が合計０．０１〜７重量部添加された組成であ
ることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３に係る合金型温度ヒュ−
ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする温度
ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成が、Ｉｎ
９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の１００重量部
に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた少なく
とも一種が合計０．０１〜７重量部添加された組成であ
ることを特徴とする。
ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする温度
ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成が、Ｉｎ
９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の１００重量部
に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた少なく
とも一種が合計０．０１〜７重量部添加された組成であ
ることを特徴とする。
【００１１】上記において、各原料地金の製造上及びこ
れら原料の溶融撹拌上生じる不可避的不純物を含有する
ことが許容される。
れら原料の溶融撹拌上生じる不可避的不純物を含有する
ことが許容される。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズ
において、ヒュ−ズエレメントには、外径２００μｍφ
〜６００μｍφ、好ましくは２５０μｍφ〜３５０μｍ
φの円形線、または当該円形線と同一断面積の扁平線を
使用できる。
において、ヒュ−ズエレメントには、外径２００μｍφ
〜６００μｍφ、好ましくは２５０μｍφ〜３５０μｍ
φの円形線、または当該円形線と同一断面積の扁平線を
使用できる。
【００１３】このヒュ−ズエレメントの合金は、１００
％Ｉｎ、またはＩｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１
０％或いはＩｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の
１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選
ばれた少なくとも一種が合計０．０１〜７重量部添加さ
れた組成であり、作動温度を１３５℃〜１６０℃とする
融点を有し、かつ固液共存巾ΔＴが４℃以内であって前
記した作動温度範囲のバラツキを充分に小さくし得、有
害金属を含まず環境保全に対応でき、低比抵抗のために
ジュール発熱による作動誤差をよく防止できることは云
うまでもなく、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ば
れた少なくとも一種と延性の大なるＩｎとの金属間化合
物を生成させ、その金属間化合物によるくさび効果で結
晶間のすべりを生じ難くさせ、前記ヒートサイクルに対
する耐熱安定性を保証し、線引きに対し充分な強度を付
与して線径３００μｍφといった細線への線引き加工を
可能としている。
％Ｉｎ、またはＩｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１
０％或いはＩｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の
１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選
ばれた少なくとも一種が合計０．０１〜７重量部添加さ
れた組成であり、作動温度を１３５℃〜１６０℃とする
融点を有し、かつ固液共存巾ΔＴが４℃以内であって前
記した作動温度範囲のバラツキを充分に小さくし得、有
害金属を含まず環境保全に対応でき、低比抵抗のために
ジュール発熱による作動誤差をよく防止できることは云
うまでもなく、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ば
れた少なくとも一種と延性の大なるＩｎとの金属間化合
物を生成させ、その金属間化合物によるくさび効果で結
晶間のすべりを生じ難くさせ、前記ヒートサイクルに対
する耐熱安定性を保証し、線引きに対し充分な強度を付
与して線径３００μｍφといった細線への線引き加工を
可能としている。
【００１４】本発明に係る温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレ
メントは、合金母材の線引きにより製造され、断面丸形
のまま、または、さらに扁平に圧縮加工して使用でき
る。
メントは、合金母材の線引きにより製造され、断面丸形
のまま、または、さらに扁平に圧縮加工して使用でき
る。
【００１５】図１は、本発明に係るテ−プタイプの合金
型温度ヒュ−ズを示し、厚み１００〜３００μｍのプラ
スチックベ−スフィルム４１に厚み１００〜２００μｍ
の帯状リ−ド導体１，１を接着剤または融着により固着
し、帯状リ−ド導体間に線径２５０μｍφ〜５００μｍ
φのヒュ−ズエレメント２を接続し、このヒュ−ズエレ
メント２にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布
ヒュ−ズエレメントを厚み１００〜３００μｍのプラス
チックカバ−フィルム４１の接着剤または融着による固
着で封止してある。
型温度ヒュ−ズを示し、厚み１００〜３００μｍのプラ
スチックベ−スフィルム４１に厚み１００〜２００μｍ
の帯状リ−ド導体１，１を接着剤または融着により固着
し、帯状リ−ド導体間に線径２５０μｍφ〜５００μｍ
φのヒュ−ズエレメント２を接続し、このヒュ−ズエレ
メント２にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布
ヒュ−ズエレメントを厚み１００〜３００μｍのプラス
チックカバ−フィルム４１の接着剤または融着による固
着で封止してある。
【００１６】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズは、ケ−
スタイプ、基板タイプ、樹脂ディツピングタイプの形式
で実施することもできる。図２は筒型ケ−スタイプを示
し、一対のリ−ド線１，１間に低融点可溶合金片２を接
続し、該低融点可溶合金片２上にフラックス３を塗布
し、このフラックス塗布低融点可溶合金片上に耐熱性・
良熱伝導性の絶縁筒４、例えば、セラミックス筒を挿通
し、該絶縁筒４の各端と各リ−ド線１との間を常温硬化
の封止剤５、例えば、エポキシ樹脂で封止してある。
スタイプ、基板タイプ、樹脂ディツピングタイプの形式
で実施することもできる。図２は筒型ケ−スタイプを示
し、一対のリ−ド線１，１間に低融点可溶合金片２を接
続し、該低融点可溶合金片２上にフラックス３を塗布
し、このフラックス塗布低融点可溶合金片上に耐熱性・
良熱伝導性の絶縁筒４、例えば、セラミックス筒を挿通
し、該絶縁筒４の各端と各リ−ド線１との間を常温硬化
の封止剤５、例えば、エポキシ樹脂で封止してある。
【００１７】図３はケ−スタイプラジアル型を示し、並
行リ−ド導体１，１の先端部間にヒュ−ズエレメント２
を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２にフラック
ス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント
を一端開口の絶縁ケ−ス４、例えばセラミックスケ−ス
で包囲し、この絶縁ケ−ス４の開口をエポキシ樹脂等の
封止剤５で封止してある。
行リ−ド導体１，１の先端部間にヒュ−ズエレメント２
を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２にフラック
ス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント
を一端開口の絶縁ケ−ス４、例えばセラミックスケ−ス
で包囲し、この絶縁ケ−ス４の開口をエポキシ樹脂等の
封止剤５で封止してある。
【００１８】図４は基板タイプを示し、絶縁基板４、例
えばセラミックス基板上に一対の膜電極１，１を導電ペ
−スト（例えば銀ペ−スト）の印刷焼付けにより形成
し、各電極１にリ−ド導体１１を溶接等により接続し、
電極１，１間にヒュ−ズエレメント２を溶接により接合
し、ヒュ−ズエレメント２にフラックス３を塗布し、こ
のフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを封止剤５例えば
エポキシ樹脂で被覆してある。
えばセラミックス基板上に一対の膜電極１，１を導電ペ
−スト（例えば銀ペ−スト）の印刷焼付けにより形成
し、各電極１にリ−ド導体１１を溶接等により接続し、
電極１，１間にヒュ−ズエレメント２を溶接により接合
し、ヒュ−ズエレメント２にフラックス３を塗布し、こ
のフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを封止剤５例えば
エポキシ樹脂で被覆してある。
【００１９】図５は樹脂ディツピングタイプラジアル型
を示し、並行リ−ド導体１，１の先端部間にヒュ−ズエ
レメント２を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２
にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズ
エレメントを樹脂液ディッピングにより絶縁封止剤例え
ばエポキシ樹脂５で封止してある。
を示し、並行リ−ド導体１，１の先端部間にヒュ−ズエ
レメント２を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント２
にフラックス３を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズ
エレメントを樹脂液ディッピングにより絶縁封止剤例え
ばエポキシ樹脂５で封止してある。
【００２０】また、通電式発熱体付きヒュ−ズ、例え
ば、基板タイプの合金型温度ヒュ−ズの絶縁基板に抵抗
体（膜抵抗）を付設し、機器の異常時、抵抗体を通電発
熱させ、その発生熱で低融点可溶合金片を溶断させる抵
抗付きの基板型ヒュ−ズの形式で実施することもでき
る。
ば、基板タイプの合金型温度ヒュ−ズの絶縁基板に抵抗
体（膜抵抗）を付設し、機器の異常時、抵抗体を通電発
熱させ、その発生熱で低融点可溶合金片を溶断させる抵
抗付きの基板型ヒュ−ズの形式で実施することもでき
る。
【００２１】上記のフラックスには、通常、融点がヒュ
−ズエレメントの融点よりも低いものが使用され、例え
ば、ロジン９０〜６０重量部、ステアリン酸１０〜４０
重量部、活性剤０〜３重量部を使用できる。この場合、
ロジンには、天然ロジン、変性ロジン（例えば、水添ロ
ジン、不均化ロジン、重合ロジン）またはこれらの精製
ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルアミンの塩酸
塩や臭化水素酸塩等を使用できる。
−ズエレメントの融点よりも低いものが使用され、例え
ば、ロジン９０〜６０重量部、ステアリン酸１０〜４０
重量部、活性剤０〜３重量部を使用できる。この場合、
ロジンには、天然ロジン、変性ロジン（例えば、水添ロ
ジン、不均化ロジン、重合ロジン）またはこれらの精製
ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルアミンの塩酸
塩や臭化水素酸塩等を使用できる。
【００２２】
【実施例】以下の実施例及び比較例の作動温度の測定に
おいては、試料形状を基板型、試料数を５０箇とし、
０．１アンペアの電流を通電しつつ、昇温速度１℃／分
のオイルバスに浸漬し、溶断による通電遮断時のオイル
温度を測定した。また、自己発熱の影響の有無について
は、試料数を５０箇とし、通常の定格電流（２〜３Ａ）
のもとで判断した。更に、ヒートサイクルに対するヒュ
ーズエレメントの抵抗値変化の有無ついては、試料数を
５０箇とし、３０分間１２０℃加熱、３０分間−４０℃
冷却を１サイクルとするヒートサイクル試験を５００サ
イクル行なったのちの抵抗値変化を測定して判断した。
おいては、試料形状を基板型、試料数を５０箇とし、
０．１アンペアの電流を通電しつつ、昇温速度１℃／分
のオイルバスに浸漬し、溶断による通電遮断時のオイル
温度を測定した。また、自己発熱の影響の有無について
は、試料数を５０箇とし、通常の定格電流（２〜３Ａ）
のもとで判断した。更に、ヒートサイクルに対するヒュ
ーズエレメントの抵抗値変化の有無ついては、試料数を
５０箇とし、３０分間１２０℃加熱、３０分間−４０℃
冷却を１サイクルとするヒートサイクル試験を５００サ
イクル行なったのちの抵抗値変化を測定して判断した。
【００２３】〔実施例１〕Ｉｎ９９％、Ａｕ１％の合金
組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の比抵抗を測定したところ、１８μΩ・ｃｍであ
った。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメン
トとし、小型の基板型温度ヒュ−ズを作製した。フラッ
クスには、ロジン８０重量部，ステアリン酸２０重量
部，ジエチルアミン臭化水素酸塩１重量部の組成物を使
用し、被覆材には、常温硬化型のエポキシ樹脂を使用し
た。この実施例品について、作動温度を測定したとこ
ろ、１５６℃±２℃の範囲内であった。また、通常の定
格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを確認し
た。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメントの
問題となるような抵抗値変化は認められず、安定な耐熱
性を示した。なお、Ｉｎ１００重量部に対し、Ａｕ０．
０１〜７重量部の範囲内であれば、上記の細線線引き
性、低比抵抗性、耐熱安定性を満足に達成でき、作動温
度を１５３℃±５℃におさめ得ることを確認した。
組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の比抵抗を測定したところ、１８μΩ・ｃｍであ
った。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメン
トとし、小型の基板型温度ヒュ−ズを作製した。フラッ
クスには、ロジン８０重量部，ステアリン酸２０重量
部，ジエチルアミン臭化水素酸塩１重量部の組成物を使
用し、被覆材には、常温硬化型のエポキシ樹脂を使用し
た。この実施例品について、作動温度を測定したとこ
ろ、１５６℃±２℃の範囲内であった。また、通常の定
格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを確認し
た。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメントの
問題となるような抵抗値変化は認められず、安定な耐熱
性を示した。なお、Ｉｎ１００重量部に対し、Ａｕ０．
０１〜７重量部の範囲内であれば、上記の細線線引き
性、低比抵抗性、耐熱安定性を満足に達成でき、作動温
度を１５３℃±５℃におさめ得ることを確認した。
【００２４】〔実施例２〕Ｉｎ９５％、Ｂｉ５％の合金
組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の比抵抗を測定したところ、２７μΩ・ｃｍであ
った。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメン
トとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−ズを作製し
た。この実施例品について、作動温度を測定したとこ
ろ、１４０℃±３℃の範囲内であった。また、通常の定
格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを確認し
た。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメントの
問題となるような抵抗値変化は認められなかった。な
お、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｂｉ０．０１〜７重量部
の範囲内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、
耐熱安定性を満足に達成でき、作動温度を１４１℃±５
℃におさめ得ることを確認した。
組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の比抵抗を測定したところ、２７μΩ・ｃｍであ
った。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメン
トとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−ズを作製し
た。この実施例品について、作動温度を測定したとこ
ろ、１４０℃±３℃の範囲内であった。また、通常の定
格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを確認し
た。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメントの
問題となるような抵抗値変化は認められなかった。な
お、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｂｉ０．０１〜７重量部
の範囲内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、
耐熱安定性を満足に達成でき、作動温度を１４１℃±５
℃におさめ得ることを確認した。
【００２５】〔実施例３〕Ｉｎ９８％、Ｃｕ２％の合金
組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の比抵抗を測定したところ、１９μΩ・ｃｍであ
った。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメン
トとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−ズを作製し
た。この実施例品について、作動温度を測定したとこ
ろ、１５６℃±１℃の範囲内であった。また、通常の定
格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを確認し
た。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメントの
問題となるような抵抗値変化は認められなかった。な
お、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｃｕ０．０１〜７重量部
の範囲内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、
耐熱安定性を満足に達成でき、作動温度を１５７℃±３
℃におさめ得ることを確認した。
組成の母材を線引きして直径３００μｍφの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の比抵抗を測定したところ、１９μΩ・ｃｍであ
った。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメン
トとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−ズを作製し
た。この実施例品について、作動温度を測定したとこ
ろ、１５６℃±１℃の範囲内であった。また、通常の定
格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを確認し
た。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメントの
問題となるような抵抗値変化は認められなかった。な
お、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｃｕ０．０１〜７重量部
の範囲内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、
耐熱安定性を満足に達成でき、作動温度を１５７℃±３
℃におさめ得ることを確認した。
【００２６】〔実施例４〕Ｉｎ９７．８％、Ｎｉ０．２
％、Ｃｕ２％の合金組成の母材を線引きして直径３００
μｍφの線に加工した。１ダイスについての引落率を
６．５％とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、
断線は皆無であった。この線の比抵抗を測定したとこ
ろ、１９μΩ・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切
断してヒュ−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板
型温度ヒュ−ズを作製した。この実施例品について、作
動温度を測定したところ、１５６℃±１℃の範囲内であ
った。また、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響
の無いことを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒ
ューズエレメントの問題となるような抵抗値変化は認め
られなかった。なお、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｎｉと
Ｃｕとの合計０．０１〜７重量部の範囲内であれば、上
記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安定性を満足に達
成でき、作動温度を１５６℃±３℃におさめ得ることを
確認した。
％、Ｃｕ２％の合金組成の母材を線引きして直径３００
μｍφの線に加工した。１ダイスについての引落率を
６．５％とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、
断線は皆無であった。この線の比抵抗を測定したとこ
ろ、１９μΩ・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切
断してヒュ−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板
型温度ヒュ−ズを作製した。この実施例品について、作
動温度を測定したところ、１５６℃±１℃の範囲内であ
った。また、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響
の無いことを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒ
ューズエレメントの問題となるような抵抗値変化は認め
られなかった。なお、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｎｉと
Ｃｕとの合計０．０１〜７重量部の範囲内であれば、上
記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安定性を満足に達
成でき、作動温度を１５６℃±３℃におさめ得ることを
確認した。
【００２７】〔実施例５〕Ｉｎ９７．８％、Ｐｄ０．２
％、Ｃｕ２％の合金組成の母材を線引きして直径３００
μｍφの線に加工した。１ダイスについての引落率を
６．５％とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、
断線は皆無であった。この線の比抵抗を測定したとこ
ろ、２１μΩ・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切
断してヒュ−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板
型温度ヒュ−ズを作製した。この実施例品について、作
動温度を測定したところ、１５６℃±２℃の範囲内であ
った。また、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響
の無いことを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒ
ューズエレメントの問題となるような抵抗値変化は認め
られなかった。なお、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｐｄと
Ｃｕとの合計０．０１〜７重量部の範囲内であれば、上
記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安定性を満足に達
成でき、作動温度を１５６℃±３℃におさめ得ることを
確認した。
％、Ｃｕ２％の合金組成の母材を線引きして直径３００
μｍφの線に加工した。１ダイスについての引落率を
６．５％とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、
断線は皆無であった。この線の比抵抗を測定したとこ
ろ、２１μΩ・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切
断してヒュ−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板
型温度ヒュ−ズを作製した。この実施例品について、作
動温度を測定したところ、１５６℃±２℃の範囲内であ
った。また、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響
の無いことを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒ
ューズエレメントの問題となるような抵抗値変化は認め
られなかった。なお、Ｉｎ１００重量部に対し、Ｐｄと
Ｃｕとの合計０．０１〜７重量部の範囲内であれば、上
記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安定性を満足に達
成でき、作動温度を１５６℃±３℃におさめ得ることを
確認した。
【００２８】〔実施例６〕Ｉｎ９５％、Ａｇ３％、Ｃｕ
２％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、１７μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１４５℃±１℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％
の１００重量部に対し、Ｃｕ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４５℃±３℃にお
さめ得ることを確認した。
２％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、１７μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１４５℃±１℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％
の１００重量部に対し、Ｃｕ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４５℃±３℃にお
さめ得ることを確認した。
【００２９】〔実施例７〕Ｉｎ９６％、Ａｇ３％、Ａｕ
１％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、１７μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１４５℃±１℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％
の１００重量部に対し、Ａｕ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４３℃±６℃にお
さめ得ることを確認した。
１％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、１７μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１４５℃±１℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％
の１００重量部に対し、Ａｕ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４３℃±６℃にお
さめ得ることを確認した。
【００３０】〔実施例８〕Ｉｎ９２％、Ａｇ３％、Ｂｉ
５％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、２４μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１４０℃±２℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％
の１００重量部に対し、Ｂｉ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４０℃±５℃にお
さめ得ることを確認した。
５％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、２４μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１４０℃±２℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％
の１００重量部に対し、Ｂｉ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４０℃±５℃にお
さめ得ることを確認した。
【００３１】〔実施例９〕Ｉｎ９７％、Ｓｂ１％、Ｃｕ
２％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、２０μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１５５℃±１℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の
１００重量部に対し、Ｃｕ０．０１〜７重量部の範囲内
であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安定
性を満足に達成でき、作動温度を１５５℃±２℃におさ
め得ることを確認した。
２％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφの
線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％と
し、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無
であった。この線の比抵抗を測定したところ、２０μΩ
・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ−
ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ−
ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測定
したところ、１５５℃±１℃の範囲内であった。また、
通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いことを
確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエレメ
ントの問題となるような抵抗値変化は認められなかっ
た。なお、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の
１００重量部に対し、Ｃｕ０．０１〜７重量部の範囲内
であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安定
性を満足に達成でき、作動温度を１５５℃±２℃におさ
め得ることを確認した。
【００３２】〔実施例１０〕Ｉｎ９８％、Ｓｂ１％、Ａ
ｕ１％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφ
の線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％
とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆
無であった。この線の比抵抗を測定したところ、２０μ
Ω・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ
−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ
−ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測
定したところ、１５５℃±１℃の範囲内であった。ま
た、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いこ
とを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエ
レメントの問題となるような抵抗値変化は認められなか
った。なお、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％
の１００重量部に対し、Ａｕ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１５３℃±５℃にお
さめ得ることを確認した。
ｕ１％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφ
の線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％
とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆
無であった。この線の比抵抗を測定したところ、２０μ
Ω・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ
−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ
−ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測
定したところ、１５５℃±１℃の範囲内であった。ま
た、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いこ
とを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエ
レメントの問題となるような抵抗値変化は認められなか
った。なお、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％
の１００重量部に対し、Ａｕ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１５３℃±５℃にお
さめ得ることを確認した。
【００３３】〔実施例１１〕Ｉｎ９４％、Ｓｂ１％、Ｂ
ｉ５％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφ
の線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％
とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆
無であった。この線の比抵抗を測定したところ、２７μ
Ω・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ
−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ
−ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測
定したところ、１４０℃±３℃の範囲内であった。ま
た、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いこ
とを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエ
レメントの問題となるような抵抗値変化は認められなか
った。なお、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％
の１００重量部に対し、Ｂｉ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４０℃±５℃にお
さめ得ることを確認した。
ｉ５％の合金組成の母材を線引きして直径３００μｍφ
の線に加工した。１ダイスについての引落率を６．５％
とし、線引き速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆
無であった。この線の比抵抗を測定したところ、２７μ
Ω・ｃｍであった。この線を長さ４ｍｍに切断してヒュ
−ズエレメントとし、実施例１と同様に基板型温度ヒュ
−ズを作製した。この実施例品について、作動温度を測
定したところ、１４０℃±３℃の範囲内であった。ま
た、通常の定格電流のもとで、自己発熱の影響の無いこ
とを確認した。更に、ヒートサイクルによるヒューズエ
レメントの問題となるような抵抗値変化は認められなか
った。なお、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％
の１００重量部に対し、Ｂｉ０．０１〜７重量部の範囲
内であれば、上記の細線線引き性、低比抵抗性、耐熱安
定性を満足に達成でき、作動温度を１４０℃±５℃にお
さめ得ることを確認した。
【００３４】〔比較例１〕
〔比較例１〕Ｉｎ１００％の合金組成の母材を使用し、
実施例と同様にして直径３００μｍφへの線引きを試み
たが、断線が多発した。そこで、１ダイスについての引
落率を５．０％として線引き率を下げ、線引き速度を２
０ｍ／ｍｉｎにして線引き速度を低速にすることにより
加工歪軽減のもとで線引きを試みたが、多数断線が発生
し、加工できなかった。このように、線引きによる細線
加工が実質上不可であるために、回転ドラム式紡糸法に
より直径３００μｍφの細線を得た。この細線の比抵抗
を測定したところ、２０μΩ・ｃｍであった。この細線
を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメントとし、実施
例１と同様にして基板型温度ヒュ−ズを作製し、作動温
度を測定したところ、融点（１５７℃）を大きく越えて
も作動しないものが多数認められた。この理由は、回転
ドラム式紡糸法のために、ヒュ−ズエレメントの表面に
厚い酸化皮膜の鞘が形成され、鞘内部の合金が溶融され
ても鞘が溶融されずに分断に至らないためと推定され
る。
実施例と同様にして直径３００μｍφへの線引きを試み
たが、断線が多発した。そこで、１ダイスについての引
落率を５．０％として線引き率を下げ、線引き速度を２
０ｍ／ｍｉｎにして線引き速度を低速にすることにより
加工歪軽減のもとで線引きを試みたが、多数断線が発生
し、加工できなかった。このように、線引きによる細線
加工が実質上不可であるために、回転ドラム式紡糸法に
より直径３００μｍφの細線を得た。この細線の比抵抗
を測定したところ、２０μΩ・ｃｍであった。この細線
を長さ４ｍｍに切断してヒュ−ズエレメントとし、実施
例１と同様にして基板型温度ヒュ−ズを作製し、作動温
度を測定したところ、融点（１５７℃）を大きく越えて
も作動しないものが多数認められた。この理由は、回転
ドラム式紡糸法のために、ヒュ−ズエレメントの表面に
厚い酸化皮膜の鞘が形成され、鞘内部の合金が溶融され
ても鞘が溶融されずに分断に至らないためと推定され
る。
【００３５】〔比較例２〕比較例１に対し、母材にＩｎ
９７％、Ａｇ３％の合金組成を使用したが、直径３００
μｍφの線引きは依然として困難であり、回転ドラム紡
糸法によらざるを得ず、比較例１と同様の結果になって
しまつた。
９７％、Ａｇ３％の合金組成を使用したが、直径３００
μｍφの線引きは依然として困難であり、回転ドラム紡
糸法によらざるを得ず、比較例１と同様の結果になって
しまつた。
【００３６】〔比較例３〕比較例１に対し、母材にＩｎ
９９％、Ｓｂ１％の合金組成を使用したが、直径３００
μｍφの線引きは依然として困難であり、回転ドラム紡
糸法によらざるを得ず、比較例１と同様の結果になって
しまつた。
９９％、Ｓｂ１％の合金組成を使用したが、直径３００
μｍφの線引きは依然として困難であり、回転ドラム紡
糸法によらざるを得ず、比較例１と同様の結果になって
しまつた。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係る合金型温度ヒューズにおい
ては、Ｉｎを主成分とし、０．０１〜７％の比較的少量
の範囲で添加したＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ等とＩ
ｎとの金属間化合物による結晶間すべり防止効果（くさ
び効果）のために優れた耐熱安定性を保証でき、かつ３
００μｍφという細線への線引きを可能としたヒューズ
エレメントを使用しており、これらの点とＩｎを主成分
とする合金の低比抵抗、融点特性と相俟って、作動温度
１３５℃〜１６０℃の環境保全性、作動精度、耐熱安定
性に優れた小型の合金型温度ヒュ−ズを提供できる。
ては、Ｉｎを主成分とし、０．０１〜７％の比較的少量
の範囲で添加したＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ等とＩ
ｎとの金属間化合物による結晶間すべり防止効果（くさ
び効果）のために優れた耐熱安定性を保証でき、かつ３
００μｍφという細線への線引きを可能としたヒューズ
エレメントを使用しており、これらの点とＩｎを主成分
とする合金の低比抵抗、融点特性と相俟って、作動温度
１３５℃〜１６０℃の環境保全性、作動精度、耐熱安定
性に優れた小型の合金型温度ヒュ−ズを提供できる。
【図１】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す
図面である。
図面である。
【図２】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
の例を示す図面である。
【図３】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
の例を示す図面である。
【図４】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
の例を示す図面である。
【図５】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
の例を示す図面である。
１ リード導体または電極
２ ヒューズエレメント
３ フラックス
４ 絶縁体
５ 封止剤
Claims (5)
- 【請求項１】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Ｉｎの１００重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｐｄから選ばれた少なくとも一種が合計０．０１〜７重
量部添加された組成であることを特徴とする合金型温度
ヒュ−ズ。 - 【請求項２】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Ｉｎ９０〜９９．９％、Ａｇ０．１〜１０％の１０
０重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれ
た少なくとも一種が合計０．０１〜７重量部添加された
組成であることを特徴とする合金型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項３】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Ｉｎ９５〜９９．９％、Ｓｂ０．１〜５％の１００
重量部に、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄから選ばれた
少なくとも一種が合計０．０１〜７重量部添加された組
成であることを特徴とする合金型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項４】不可避的不純物を含有する請求項１〜３何
れか記載の合金型温度ヒューズ。 - 【請求項５】作動温度が１３５℃〜１６０℃である請求
項１〜４何れか記載の合金型温度ヒューズ。
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