JP2003248237A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2003248237A JP2003248237A JP2003003351A JP2003003351A JP2003248237A JP 2003248237 A JP2003248237 A JP 2003248237A JP 2003003351 A JP2003003351 A JP 2003003351A JP 2003003351 A JP2003003351 A JP 2003003351A JP 2003248237 A JP2003248237 A JP 2003248237A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 小型で開口率が大きく信頼性の高いド
ライバー回路一体型の液晶表示装置を実現する。 【解決手段】 液晶表示装置の一対の基板の一方の基
板２０１では、シール２０６の内側で、かつ表示領域の
外側にドライバ回路２０３が形成され、画素トランジス
タ２０９上には絶縁膜２１４が形成されており、一対の
基板の他方の基板２０７には、共通電極２１６を具備し
ており、シール部の４つの角部には、一方の基板からこ
の共通電極に電位を供給するための導通部２１７を備
え、シール部及び導通部では、絶縁膜２１４が取り除か
れている。
ライバー回路一体型の液晶表示装置を実現する。 【解決手段】 液晶表示装置の一対の基板の一方の基
板２０１では、シール２０６の内側で、かつ表示領域の
外側にドライバ回路２０３が形成され、画素トランジス
タ２０９上には絶縁膜２１４が形成されており、一対の
基板の他方の基板２０７には、共通電極２１６を具備し
ており、シール部の４つの角部には、一方の基板からこ
の共通電極に電位を供給するための導通部２１７を備
え、シール部及び導通部では、絶縁膜２１４が取り除か
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２枚の基板間に封入
された液晶を用いて表示を行う、ドライバー回路一体形
成のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造に関す
る。
された液晶を用いて表示を行う、ドライバー回路一体形
成のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライバー回路内蔵アクティブマ
トリクス型液晶表示装置（以下、単に液晶表示装置とす
る）の一例を図１を用いて説明する。図１（ａ）は従来
の液晶表示装置の概略の外観図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａにおける縦断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ縦断面図である。素子基板１０１上には
表示領域１０２、走査線及び信号線のドライバー回路１
０３及び１０４、外部接続端子１０５が形成され、対向
基板１０６がシール１０７で素子基板１０１に接合さ
れ、素子基板１０１と対向基板１０６の間に液晶１０８
が封入されている。対向基板１０６上には共通電極１０
９が設けられ、この共通電極１０９は素子基板１０１上
のコモン端子１１０に導通剤１１１で接続されている。
また、対向基板１０６上には遮光層１１２が設けられて
いる。素子基板１０１の表示領域１０２には、画素駆動
トランジスタ１１３が設けられ、画素電極１１４が画素
駆動トランジスタ１１３に接続されている。画素駆動ト
ランジスタ１１３及びドライバー回路１０３（１０４）
のゲート電極と走査線を含む第１の配線層１１５は層間
絶縁膜１１６で第２の配線層１１７と隔てられ、必要な
箇所で第２の配線層１１７と接続されている。第２の配
線層１１７は表示領域の信号線を含み、画素電極１１４
と同層に設けられている。第２の配線層１１７の上層は
液晶保護絶縁膜１１８で第２の配線層１１７の信号が液
晶に直接漏れるのを防ぐために設けられる。液晶保護絶
縁膜１１８は画素電極１１４上は通常取り除いておく。
素子基板１０１上と対向基板１０６上には更に配向膜１
１９がある。
トリクス型液晶表示装置（以下、単に液晶表示装置とす
る）の一例を図１を用いて説明する。図１（ａ）は従来
の液晶表示装置の概略の外観図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａにおける縦断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ縦断面図である。素子基板１０１上には
表示領域１０２、走査線及び信号線のドライバー回路１
０３及び１０４、外部接続端子１０５が形成され、対向
基板１０６がシール１０７で素子基板１０１に接合さ
れ、素子基板１０１と対向基板１０６の間に液晶１０８
が封入されている。対向基板１０６上には共通電極１０
９が設けられ、この共通電極１０９は素子基板１０１上
のコモン端子１１０に導通剤１１１で接続されている。
また、対向基板１０６上には遮光層１１２が設けられて
いる。素子基板１０１の表示領域１０２には、画素駆動
トランジスタ１１３が設けられ、画素電極１１４が画素
駆動トランジスタ１１３に接続されている。画素駆動ト
ランジスタ１１３及びドライバー回路１０３（１０４）
のゲート電極と走査線を含む第１の配線層１１５は層間
絶縁膜１１６で第２の配線層１１７と隔てられ、必要な
箇所で第２の配線層１１７と接続されている。第２の配
線層１１７は表示領域の信号線を含み、画素電極１１４
と同層に設けられている。第２の配線層１１７の上層は
液晶保護絶縁膜１１８で第２の配線層１１７の信号が液
晶に直接漏れるのを防ぐために設けられる。液晶保護絶
縁膜１１８は画素電極１１４上は通常取り除いておく。
素子基板１０１上と対向基板１０６上には更に配向膜１
１９がある。
【０００３】図１の液晶表示装置では画素電極１１４と
信号線（第２の配線層１１７）が同層にあり、短絡を避
けるため有る程度の間隔を確保する必要があり、その間
隔の部分は表示に寄与しない。これは液晶表示装置の高
開口率化や高精細化の妨げとなる。この問題を解決する
ため、信号線上に更に層間絶縁膜を設け、この上層に画
素電極を設ける事で画素電極と信号線を絶縁し、画素電
極と信号線の距離を小さくする、あるいは信号線と画素
電極を重ねるといった方法がとられる場合がある。上記
の信号線上の層間絶縁膜はＳｉＯ２あるいはポリイミド
等の有機薄膜が用いられる。信号線上の層間絶縁膜は、
その形成方法の簡便さ、誘電率の小ささ（信号線と画素
電極の結合容量を小さくするため）、ストレスが小さい
事による厚膜化の容易さ（誘電率と同じ理由による）、
さらには膜表面の平坦性をＳｉＯ ２よりも良くしやすい
ので表示品質が良い等の観点からポリイミドを用いるの
が有利である。
信号線（第２の配線層１１７）が同層にあり、短絡を避
けるため有る程度の間隔を確保する必要があり、その間
隔の部分は表示に寄与しない。これは液晶表示装置の高
開口率化や高精細化の妨げとなる。この問題を解決する
ため、信号線上に更に層間絶縁膜を設け、この上層に画
素電極を設ける事で画素電極と信号線を絶縁し、画素電
極と信号線の距離を小さくする、あるいは信号線と画素
電極を重ねるといった方法がとられる場合がある。上記
の信号線上の層間絶縁膜はＳｉＯ２あるいはポリイミド
等の有機薄膜が用いられる。信号線上の層間絶縁膜は、
その形成方法の簡便さ、誘電率の小ささ（信号線と画素
電極の結合容量を小さくするため）、ストレスが小さい
事による厚膜化の容易さ（誘電率と同じ理由による）、
さらには膜表面の平坦性をＳｉＯ ２よりも良くしやすい
ので表示品質が良い等の観点からポリイミドを用いるの
が有利である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１のような従来の液
晶表示装置では、ドライバー回路がシールよりも外側に
あるため装置自体が大きくなってしまい、また、素子基
板と対向基板の接合後の製造途上における取扱い中にド
ライバー回路を傷つけ易く故障を招き易いという問題が
あった。また、ドライバー回路がシールよりも外側にあ
るため、シールを横切る配線（信号線と走査線）が多
く、ドライバー回路から表示領域につながる配線とシー
ルの界面を通じて水分が液晶中に浸入し、液晶を劣化さ
せるという問題があった。
晶表示装置では、ドライバー回路がシールよりも外側に
あるため装置自体が大きくなってしまい、また、素子基
板と対向基板の接合後の製造途上における取扱い中にド
ライバー回路を傷つけ易く故障を招き易いという問題が
あった。また、ドライバー回路がシールよりも外側にあ
るため、シールを横切る配線（信号線と走査線）が多
く、ドライバー回路から表示領域につながる配線とシー
ルの界面を通じて水分が液晶中に浸入し、液晶を劣化さ
せるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、一対の基板間のシール部の内側に挟持され
た液晶と、前記一対の基板のうち一方の基板には、前記
シール部の内側で、かつ表示領域の外側に形成されたド
ライバ回路と、前記表示領域に形成された画素トランジ
スタと、前記画素トランジスタ上に形成された絶縁膜と
を具備し、前記一対の基板のうち他方の基板には、共通
電極を具備してなり、前記シール部には、前記一方の基
板から前記共通電極に電位を供給するための導通部を備
え、前記シール部及び前記導通部には、前記絶縁膜が取
り除かれていることを特徴とする液晶表示装置を提供す
る。この液晶表示装置において、前記シール部は矩形の
表示領域に沿って形成されると共に、前記導通部は前記
シール部の４つの角部に形成されている構成とすること
が好ましい。又、前記導通部は、前記ドライバ回路の配
線層と同一膜のコモン端子に導通している構成とするこ
とが好ましい。又、前記共通電極は、前記ドライバ回路
上に配置されていない構成とすることが好ましい。又、
前記絶縁膜は、前記ドライバ回路上には形成されていな
い構成とすることが好ましい。
するために、一対の基板間のシール部の内側に挟持され
た液晶と、前記一対の基板のうち一方の基板には、前記
シール部の内側で、かつ表示領域の外側に形成されたド
ライバ回路と、前記表示領域に形成された画素トランジ
スタと、前記画素トランジスタ上に形成された絶縁膜と
を具備し、前記一対の基板のうち他方の基板には、共通
電極を具備してなり、前記シール部には、前記一方の基
板から前記共通電極に電位を供給するための導通部を備
え、前記シール部及び前記導通部には、前記絶縁膜が取
り除かれていることを特徴とする液晶表示装置を提供す
る。この液晶表示装置において、前記シール部は矩形の
表示領域に沿って形成されると共に、前記導通部は前記
シール部の４つの角部に形成されている構成とすること
が好ましい。又、前記導通部は、前記ドライバ回路の配
線層と同一膜のコモン端子に導通している構成とするこ
とが好ましい。又、前記共通電極は、前記ドライバ回路
上に配置されていない構成とすることが好ましい。又、
前記絶縁膜は、前記ドライバ回路上には形成されていな
い構成とすることが好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のドライバー回路内蔵アク
ティブマトリクス型液晶表示装置とその製造工程につい
て実施例に基づき詳しく説明する。
ティブマトリクス型液晶表示装置とその製造工程につい
て実施例に基づき詳しく説明する。
【０００７】図２に本実施例の液晶表示装置の構造を示
す。図２（ａ）は本実施例の液晶表示装置の平面図であ
り、図２（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ図２（ａ）のＡ
−Ａ、Ｂ−Ｂにおける縦断面図である。透明な素子基板
２０１上には表示領域２０２、ドライバー回路２０３、
外部接続端子２０４、コモン端子２０５およびこれらを
接続する配線等が形成されており、シール２０６によっ
て素子基板２０１と対向基板２０７が接合され、両基板
間に液晶２０８が封入されている。ドライバー回路２０
３はシール２０６と表示領域２０２の間に設けてある。
こうすることでドライバー回路２０３が表示領域２０２
より外側にある場合に比べ液晶表示装置を小型にでき
る。表示領域２０２には画素駆動トランジスタ２０９、
画素電極２１０、画素駆動トランジスタ２０９及びドラ
イバー回路２０３のゲート電極と共に第１の配線層２１
１に含まれる走査線、第２の配線層２１２に含まれる信
号線が形成され、第１の配線層２１１と第２の配線層２
１２は第１の層間絶縁膜２１３で、また、第２の配線層
２１２と画素電極２１０は第２の層間絶縁膜２１４で絶
縁されている。第２の層間絶縁膜２１４は、ドライバー
回路２０３上とシール２０６の下の部分を取り除いてお
く。これは、主にポリイミドが用いられる第２の層間絶
縁膜２１４がドライバー回路２０３の配線の電界によっ
て恒常的な分極を起こし、長期的には大きな面積に及ん
で液晶の配向を乱すことによる表示品質の劣化を防ぐこ
とが目的であると共に、ポリイミドを通じて水分や不純
物が液晶中に浸入するのをふせぐ。素子基板２０１上に
は、さらに液晶を配向するための配向膜２１５が形成さ
れている。コモン端子２０５と対向基板２０７上の共通
電極２１６は導通剤２１７で電気的に接続され共通電極
２１６の電位が制御される。対向基板２０７上には共通
電極２１６の他に配向膜２１５と必要に応じて遮光膜２
１８及びカラーフィルターが予め形成されている。（本
実施例ではカラーフィルターは省略してある。）対向基
板２０７上の共通電極２１６は、シール２０６と重なる
部分とドライバー回路２０３に対向する部分を取り除い
ておく。こうすることで素子基板２０１上のコモン端子
２０５以外の配線と共通電極２１６が、シール２０６中
やドライバー回路２０３上のごみ等により短絡すること
を防ぐ。
す。図２（ａ）は本実施例の液晶表示装置の平面図であ
り、図２（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ図２（ａ）のＡ
−Ａ、Ｂ−Ｂにおける縦断面図である。透明な素子基板
２０１上には表示領域２０２、ドライバー回路２０３、
外部接続端子２０４、コモン端子２０５およびこれらを
接続する配線等が形成されており、シール２０６によっ
て素子基板２０１と対向基板２０７が接合され、両基板
間に液晶２０８が封入されている。ドライバー回路２０
３はシール２０６と表示領域２０２の間に設けてある。
こうすることでドライバー回路２０３が表示領域２０２
より外側にある場合に比べ液晶表示装置を小型にでき
る。表示領域２０２には画素駆動トランジスタ２０９、
画素電極２１０、画素駆動トランジスタ２０９及びドラ
イバー回路２０３のゲート電極と共に第１の配線層２１
１に含まれる走査線、第２の配線層２１２に含まれる信
号線が形成され、第１の配線層２１１と第２の配線層２
１２は第１の層間絶縁膜２１３で、また、第２の配線層
２１２と画素電極２１０は第２の層間絶縁膜２１４で絶
縁されている。第２の層間絶縁膜２１４は、ドライバー
回路２０３上とシール２０６の下の部分を取り除いてお
く。これは、主にポリイミドが用いられる第２の層間絶
縁膜２１４がドライバー回路２０３の配線の電界によっ
て恒常的な分極を起こし、長期的には大きな面積に及ん
で液晶の配向を乱すことによる表示品質の劣化を防ぐこ
とが目的であると共に、ポリイミドを通じて水分や不純
物が液晶中に浸入するのをふせぐ。素子基板２０１上に
は、さらに液晶を配向するための配向膜２１５が形成さ
れている。コモン端子２０５と対向基板２０７上の共通
電極２１６は導通剤２１７で電気的に接続され共通電極
２１６の電位が制御される。対向基板２０７上には共通
電極２１６の他に配向膜２１５と必要に応じて遮光膜２
１８及びカラーフィルターが予め形成されている。（本
実施例ではカラーフィルターは省略してある。）対向基
板２０７上の共通電極２１６は、シール２０６と重なる
部分とドライバー回路２０３に対向する部分を取り除い
ておく。こうすることで素子基板２０１上のコモン端子
２０５以外の配線と共通電極２１６が、シール２０６中
やドライバー回路２０３上のごみ等により短絡すること
を防ぐ。
【０００８】次に、本実施例の液晶表示装置の製造工程
を図３を用いて説明する。図３は本実施例の液晶表示装
置の構造を説明した図２（ｂ）に相当する部分の縦断面
で製造工程を説明する図である。
を図３を用いて説明する。図３は本実施例の液晶表示装
置の構造を説明した図２（ｂ）に相当する部分の縦断面
で製造工程を説明する図である。
【０００９】まず、素子基板３０１上に画素駆動トラン
ジスタ３０２、ドライバー回路３０３を形成する。走査
線及び画素駆動トランジスタ３０２とドライバー回路３
０３のゲート電極を含む第１の配線層３０４、第１の層
間絶縁膜３０５、信号線を含む第２の配線層３０６をこ
の時形成する（図３（ａ））。本実施例では画素トラン
ジスタ３０２とドライバー回路３０３は多結晶シリコン
薄膜トランジスタで構成される。第１の配線層３０４に
は多結晶シリコンを用いるが、金属シリサイドあるいは
金属を用いても良く、第１の層間絶縁膜３０５はシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ２）かシリコン窒化膜（Ｓｉ
３Ｎ４）、あるいはそれらの多層膜である。第２の配線
層３０６には通常アルミニウム（Ａｌ）合金（銅とシリ
コンを含む）を用いる。
ジスタ３０２、ドライバー回路３０３を形成する。走査
線及び画素駆動トランジスタ３０２とドライバー回路３
０３のゲート電極を含む第１の配線層３０４、第１の層
間絶縁膜３０５、信号線を含む第２の配線層３０６をこ
の時形成する（図３（ａ））。本実施例では画素トラン
ジスタ３０２とドライバー回路３０３は多結晶シリコン
薄膜トランジスタで構成される。第１の配線層３０４に
は多結晶シリコンを用いるが、金属シリサイドあるいは
金属を用いても良く、第１の層間絶縁膜３０５はシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ２）かシリコン窒化膜（Ｓｉ
３Ｎ４）、あるいはそれらの多層膜である。第２の配線
層３０６には通常アルミニウム（Ａｌ）合金（銅とシリ
コンを含む）を用いる。
【００１０】次に、素子基板３０１上に第２の層間絶縁
膜３０７を形成し、その上に画素電極３０８を形成し、
画素駆動トランジスタ３０２に第２の層間絶縁膜３０７
に開けたコンタクト孔を通じて接続する。さらに配向膜
３０９を形成する（図３（ｂ））。図３（ｂ）の工程を
より詳しく説明すると、本実施例では第２の層間絶縁膜
３０７（ここではポリイミドである）をスピンコートで
塗布成膜した後、画素電極３０８と画素トランジスタ３
０２とを接続するコンタクト孔をフォトリソグラフ法で
形成するが、この時第２の配線層３０６が露出しない様
にする。即ちドライバー回路３０３の上やシールの下に
なる部分にはこの時点ではまだ第２の層間絶縁膜３０７
が残っている。次に画素電極３０８を形成し、その後ド
ライバー回路３０３の上とシールの下になる部分の第２
の層間絶縁膜３０７を取り除く。これは画素電極３０８
に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用い、そのエッチン
グ成形に王水系のエッチング剤（硝酸と塩酸を含む水溶
液）を用いる場合、第２の配線層３０６即ちＡｌが露出
しているとＩＴＯのエッチング剤にＡｌが侵されるため
である。ＩＴＯ（即ち画素電極３０８）を例えば水素や
メタンを含むプラズマ中でエッチング成形する場合には
第２の配線層３０６は露出していてもかまわないので、
第２の層間絶縁膜３０７成形工程を１回にすることもで
きる。第２の層間絶縁膜３０７はここではポリイミド薄
膜であるが、他の樹脂薄膜でも比較的耐熱性が高く、透
明であれば用いる事が出来る。また、第２の層間絶縁膜
３０７はポリイミドとＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ４との
多層膜でも良い。この場合にはドライバー回路３０３上
及びシール下となる第２の層間絶縁膜３０７のうち必ず
取り除く必要のあるのはポリイミドで他は残しても取り
去っても良い。また配向膜３０９もポリイミド薄膜であ
り、形成は印刷技術（フレキソ印刷等）を用いて行い、
液晶を配向するために必要な部分にのみ形成する。配向
膜３０９の形成はスピンコート法で行うこともある。
膜３０７を形成し、その上に画素電極３０８を形成し、
画素駆動トランジスタ３０２に第２の層間絶縁膜３０７
に開けたコンタクト孔を通じて接続する。さらに配向膜
３０９を形成する（図３（ｂ））。図３（ｂ）の工程を
より詳しく説明すると、本実施例では第２の層間絶縁膜
３０７（ここではポリイミドである）をスピンコートで
塗布成膜した後、画素電極３０８と画素トランジスタ３
０２とを接続するコンタクト孔をフォトリソグラフ法で
形成するが、この時第２の配線層３０６が露出しない様
にする。即ちドライバー回路３０３の上やシールの下に
なる部分にはこの時点ではまだ第２の層間絶縁膜３０７
が残っている。次に画素電極３０８を形成し、その後ド
ライバー回路３０３の上とシールの下になる部分の第２
の層間絶縁膜３０７を取り除く。これは画素電極３０８
に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用い、そのエッチン
グ成形に王水系のエッチング剤（硝酸と塩酸を含む水溶
液）を用いる場合、第２の配線層３０６即ちＡｌが露出
しているとＩＴＯのエッチング剤にＡｌが侵されるため
である。ＩＴＯ（即ち画素電極３０８）を例えば水素や
メタンを含むプラズマ中でエッチング成形する場合には
第２の配線層３０６は露出していてもかまわないので、
第２の層間絶縁膜３０７成形工程を１回にすることもで
きる。第２の層間絶縁膜３０７はここではポリイミド薄
膜であるが、他の樹脂薄膜でも比較的耐熱性が高く、透
明であれば用いる事が出来る。また、第２の層間絶縁膜
３０７はポリイミドとＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ４との
多層膜でも良い。この場合にはドライバー回路３０３上
及びシール下となる第２の層間絶縁膜３０７のうち必ず
取り除く必要のあるのはポリイミドで他は残しても取り
去っても良い。また配向膜３０９もポリイミド薄膜であ
り、形成は印刷技術（フレキソ印刷等）を用いて行い、
液晶を配向するために必要な部分にのみ形成する。配向
膜３０９の形成はスピンコート法で行うこともある。
【００１１】配向膜３０９を形成した素子基板３０１は
シール３１０で対向基板３１１と接合し、液晶３１２を
封入する（図３（ｃ））。さらに外部回路を外部接続端
子に接続して液晶表示装置を完成する。
シール３１０で対向基板３１１と接合し、液晶３１２を
封入する（図３（ｃ））。さらに外部回路を外部接続端
子に接続して液晶表示装置を完成する。
【００１２】
【発明の効果】以上の構成からなる本発明によると、次
のような効果が生じる。 （１）素子基板上のドライバー回路がシールより表示領
域側にあるためドライバー回路から画素領域に延びる延
べ数百本に及ぶ信号線や走査線がシールを横切ることが
なく、シールを横切る配線を外部接続端子からドライバ
ー回路につながる電源線、クロック線、ビデオ信号線な
ど高々数十本と従来比べ格段に少なくできるので、シー
ルを横切る配線とシール界面から浸入する水分を格段に
少なくでき、信頼性が高い。 （２）ドライバー回路がシールの内側にあるのでドライ
バー回路がシールの外にある場合に比べて装置を小型に
できる効果があり、また素子基板と対向基板を接合した
後の取扱いでドライバー回路を傷つけるようなこともな
い。 （３）第２の配線層と画素電極は第２の層間絶縁膜で絶
縁されており、この第２の層間絶縁膜は、ドライバー回
路上とシールの下の部分を取り除いておくことにより、
主にポリイミドが用いられる第２の層間絶縁膜がドライ
バー回路の配線の電界によって恒常的な分極を起こし、
長期的には大きな面積に及んで液晶の配向を乱すことに
よる表示品質の劣化を防ぐことができる。 （４）コモン端子と対向基板上の共通電極は導通剤で電
気的に接続され共通電極の電位が制御される。そして、
対向基板上の共通電極は、シールと重なる部分とドライ
バー回路に対向する部分を取り除かれているから、素子
基板のコモン端子以外の配線と共通電極が、シール中や
ドライバー回路上のごみ等により短絡することを防ぐこ
とができる。
のような効果が生じる。 （１）素子基板上のドライバー回路がシールより表示領
域側にあるためドライバー回路から画素領域に延びる延
べ数百本に及ぶ信号線や走査線がシールを横切ることが
なく、シールを横切る配線を外部接続端子からドライバ
ー回路につながる電源線、クロック線、ビデオ信号線な
ど高々数十本と従来比べ格段に少なくできるので、シー
ルを横切る配線とシール界面から浸入する水分を格段に
少なくでき、信頼性が高い。 （２）ドライバー回路がシールの内側にあるのでドライ
バー回路がシールの外にある場合に比べて装置を小型に
できる効果があり、また素子基板と対向基板を接合した
後の取扱いでドライバー回路を傷つけるようなこともな
い。 （３）第２の配線層と画素電極は第２の層間絶縁膜で絶
縁されており、この第２の層間絶縁膜は、ドライバー回
路上とシールの下の部分を取り除いておくことにより、
主にポリイミドが用いられる第２の層間絶縁膜がドライ
バー回路の配線の電界によって恒常的な分極を起こし、
長期的には大きな面積に及んで液晶の配向を乱すことに
よる表示品質の劣化を防ぐことができる。 （４）コモン端子と対向基板上の共通電極は導通剤で電
気的に接続され共通電極の電位が制御される。そして、
対向基板上の共通電極は、シールと重なる部分とドライ
バー回路に対向する部分を取り除かれているから、素子
基板のコモン端子以外の配線と共通電極が、シール中や
ドライバー回路上のごみ等により短絡することを防ぐこ
とができる。
【図１】従来のドライバー回路内蔵のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の構造図。
クス型液晶表示装置の構造図。
【図２】本発明のドライバー回路内蔵のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の構造図。
リクス型液晶表示装置の構造図。
【図３】本発明のドライバー回路内蔵のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の製造方法を説明する工程図。
リクス型液晶表示装置の製造方法を説明する工程図。
１０１、２０１、３０１ 素子基板
１０２、２０２ 表示領域
１０３、１０４、２０３、３０３ ドライバー回路
１０５、２０４ 外部接続端子
１０６、２０７、３１１ 対向基板
１０７、２０６、３１０ シール
１０８、２０８、３１２ 液晶
１０９、２１６ 共通電極
１１０、２０５ コモン端子
１１１、２１７ 導通剤
１１２、２１８ 遮光層
１１３、２０９、３０２ 画素駆動トランジスタ
１１４、２１０、３０８ 画素電極
１１５、２１１、３０４ 第１の配線層
１１６ …層間絶縁膜
１１７、２１２、３０６ 第２の配線層
１１８ 液晶保護絶縁膜
１１９、２１５、３０９ 配向膜
２１３、３０５ 第１の層間絶縁膜
２１４、３０７ 第２の層間絶縁膜
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H089 HA15 KA17 LA41 PA04 QA02
QA16 TA07
2H090 HB08X HC05 HD03 HD05
LA03 LA04
2H092 GA38 GA45 GA59 JA24 JB56
KB24 KB25 NA11 NA25 PA04
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の基板間のシール部の内側に挟持さ
れた液晶と、 前記一対の基板のうち一方の基板には、前記シール部の
内側で、かつ表示領域の外側に形成されたドライバ回路
と、前記表示領域に形成された画素トランジスタと、前
記画素トランジスタ上に形成された絶縁膜とを具備し、 前記一対の基板のうち他方の基板には、共通電極を具備
してなり、 前記シール部には、前記一方の基板から前記共通電極に
電位を供給するための導通部を備え、 前記シール部及び前記導通部には、前記絶縁膜が取り除
かれていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記シール部は矩形の表示領域に沿って
形成されると共に、前記導通部は前記シール部の４つの
角部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記導通部は、前記ドライバ回路の配線
層と同一膜のコモン端子に導通していることを特徴とす
る請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記共通電極は、前記ドライバ回路上に
配置されていないことを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか一項記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記絶縁膜は、前記ドライバ回路上には
形成されていないことを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか一項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2003003351A JP2003248237A (ja) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003003351A JP2003248237A (ja) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07986593A Division JP3413239B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003342145A Division JP2004046245A (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003248237A true JP2003248237A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28672809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003003351A Pending JP2003248237A (ja) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003248237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017820B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2011-02-28 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 액정 디스플레이 장치 |
| CN103185991A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种用于液晶显示器的连接装置 |
-
2003
- 2003-01-09 JP JP2003003351A patent/JP2003248237A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101017820B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2011-02-28 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 액정 디스플레이 장치 |
| US8130355B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-03-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crsytal display device |
| CN103185991A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种用于液晶显示器的连接装置 |
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