JP2003243345A - Polishing device - Google Patents
Polishing deviceInfo
- Publication number
- JP2003243345A JP2003243345A JP2002040149A JP2002040149A JP2003243345A JP 2003243345 A JP2003243345 A JP 2003243345A JP 2002040149 A JP2002040149 A JP 2002040149A JP 2002040149 A JP2002040149 A JP 2002040149A JP 2003243345 A JP2003243345 A JP 2003243345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- chuck table
- workpiece
- tool
- felt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 164
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、チャックテーブル
に保持された半導体ウエーハ等の被加工物を研磨する研
磨装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer held on a chuck table.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイス製造工程においては、略
円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列さ
れたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩
形領域を区画し、該矩形領域の各々に半導体回路を形成
する。このように多数の半導体回路が形成された半導体
ウエーハをストリートに沿って分離することにより、個
々の半導体チップを形成する。半導体チップの小型化お
よび軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをスト
リートに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに
先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さ
に形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通
常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボン
ドで固着して形成した研削工具を、高速回転せしめなが
ら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂
行されている。このような研削方式によって半導体ウエ
ーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂
加工歪が生成され、これによって個々に分割された半導
体チップの抗折強度が相当低減される。この研削された
半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対
策として、研削された半導体ウエーハの裏面を硝酸およ
び弗化水素酸を含むエンチング液を使用して化学的エッ
チングするウエットエッチング法やエッチングガスを用
いるドライエッチング法が使用されている。また、研削
された半導体ウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリ
ッジングするポリッジング法も実用化されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are divided by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on a surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and a semiconductor is formed in each of the rectangular areas. Form a circuit. Individual semiconductor chips are formed by separating the semiconductor wafer on which a large number of semiconductor circuits are formed in this way along the streets. In order to reduce the size and weight of a semiconductor chip, usually, the back surface of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness before the semiconductor wafer is cut along the streets to separate the individual rectangular areas. Is forming. Grinding of the back surface of a semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding tool formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond to the back surface of the semiconductor wafer while rotating at high speed. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, and thereby the bending strength of the individually divided semiconductor chips is considerably reduced. As a measure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer, a wet etching method of chemically etching the back surface of the ground semiconductor wafer with an etching solution containing nitric acid and hydrofluoric acid is used. A dry etching method using an etching gas is used. Further, a polishing method in which the back surface of a ground semiconductor wafer is polished by using free abrasive grains has also been put into practical use.
【０００３】しかしながら、上述したウエットエッチン
グ法、ドライエッチング法およびポリッジング法は、生
産性が悪いとともに、廃液が環境汚染の原因となる。こ
のような問題を解決するために本出願人は、フエルトに
砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石
からなる研磨工具を用いて、研削された半導体ウエーハ
の裏面を研磨し、研削歪みを取り除く技術を特願２００
１−９３３９７として提案した。However, the above-mentioned wet etching method, dry etching method and polishing method have poor productivity and waste liquid causes environmental pollution. In order to solve such a problem, the present applicant uses an abrasive tool made of a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent, and a back surface of a ground semiconductor wafer is abraded and ground. Patent application 200 for technology to remove distortion
1-93397.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】而して、特願２００１
−９３３９７として提案したフエルト砥石からなる研磨
工具を用いる研磨法は、被加工物を乾式で研磨するた
め、フエルト砥石の研磨面が目詰まりを起こして研磨能
力が低下し、生産性が低下する原因となる。[Patent Document 2001]
The polishing method using a polishing tool made of a felt grindstone proposed as -93397 grinds the work piece in a dry manner, so that the polishing surface of the felt grindstone is clogged to lower the polishing ability, resulting in a decrease in productivity. Becomes
【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、フエルト砥石の研削面の
目詰まりを防止して生産性を良好に維持することができ
る研磨装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to provide a polishing apparatus capable of preventing clogging of the grinding surface of a felt grindstone and maintaining good productivity. Especially.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャ
ックテーブルを備えたチャックテーブル機構と、該チャ
ックテーブルに保持された被加工物を研磨するための研
磨ユニットとを有し、該研磨ユニットが回転スピンドル
と該回転スピンドルに装着された工具装着部材および該
工具装着部材に装着されフエルトに砥粒を分散させ適宜
のボンド剤で固定したフエルト砥石からなる研磨部材を
備えた研磨工具とを具備している研磨装置において、該
チャックテーブルの側方に配設され該研磨部材の研磨面
に高圧エアーを噴出するエアーノズルを具備している、
ことを特徴とする研磨装置が提供される。In order to solve the above-mentioned main technical problems, according to the present invention, a chuck table mechanism having a chuck table for holding a workpiece and a workpiece held by the chuck table are provided. And a polishing unit for polishing the same, the polishing unit including a rotating spindle, a tool mounting member mounted on the rotating spindle, and abrasive particles dispersed in a felt mounted on the tool mounting member and fixed with an appropriate bonding agent. And a polishing tool provided with a polishing tool comprising a polishing member made of a felt grindstone, comprising an air nozzle disposed laterally of the chuck table for ejecting high pressure air to the polishing surface of the polishing member. Is
There is provided a polishing apparatus characterized by the above.
【０００７】上記チャックテーブル機構は、上記研磨部
材の研磨面と対向する研磨域において該研磨面と平行に
所定の範囲で往復動せしめられる支持基台と該支持基台
に回転自在に配設されたチャックテーブルとを具備して
おり、上記エアーノズルは該支持基台に配設されてい
る。The chuck table mechanism is rotatably arranged on a support base which is reciprocally movable in a predetermined range in parallel with the polishing surface in a polishing area facing the polishing surface of the polishing member. And a chuck table, and the air nozzle is disposed on the support base.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
研磨装置の好適な実施形態について、添付図面を参照し
て詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of a polishing apparatus constructed according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
【０００９】図１には本発明による研磨装置の斜視図が
示されている。研磨装置は、全体を番号２で示す装置ハ
ウジングを具備している。装置ハウジング２は、細長く
延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部
（図１において右上端）に設けられ実質上鉛直に上方に
延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面に
は、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１
が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２
１に研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されて
いる。FIG. 1 shows a perspective view of a polishing apparatus according to the present invention. The polishing machine comprises a machine housing, generally designated by the number 2. The device housing 2 has an elongated rectangular parallelepiped main portion 21 and an upright wall 22 provided at a rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extending substantially vertically upward. There is. On the front surface of the upright wall 22, a pair of vertically extending guide rails 221 and 221 are provided.
Is provided. This pair of guide rails 221, 22
A polishing unit 3 is attached to the first unit so as to be movable in the vertical direction.
【００１０】研磨ユニット３は、移動基台３１と該移動
基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備し
ている。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる
一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対
の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、
２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が
形成されている。このように直立壁２２に設けられた一
対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された
移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が
設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニッ
ト３２が取り付けられる。The polishing unit 3 comprises a moving base 31 and a spindle unit 32 mounted on the moving base 31. The moving base 31 is provided with a pair of leg portions 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of leg portions 311 and 311 are provided with the pair of guide rails 221.
Guided grooves 312 and 312 that slidably engage with 221 are formed. In this way, the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22 is provided with the support portion 313 projecting forward. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.
【００１１】スピンドルユニット３２は、支持部３１３
に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピン
ドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピ
ンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動す
るための駆動源としての電動モータ３２３とを具備して
いる。回転スピンドル３２２の下端部はスピンドルハウ
ジング３２１の下端を越えて下方に突出せしめられてお
り、その下端には円板形状の工具装着部材３２４が設け
られている。なお、工具装着部材３２４には、周方向に
間隔をおいて複数のボルト挿通孔（図示していない）が
形成されている。この工具装着部材３２４の下面に研磨
工具３２５が装着される。研磨工具３２５は、図３およ
び図４に図示する如く、円板形状の支持部材３２６と円
板形状の研磨部材３２７とから構成されている。支持部
材３２６には周方向に間隔をおいてその上面から下方に
延びる複数の盲ねじ穴３２６ａが形成されている。支持
部材３２６の下面は円形支持面を構成しており、研磨部
材３２７はエポキシ樹脂系接着剤の如き適宜の接着剤に
よって支持部材３２６の円形支持面に接合されている。
研磨部材３２７は、図示の実施形態においてはフエルト
に砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥
石が用いられている。このフエルト砥石からなる研磨部
材３２７自体の構成についての詳細な説明は、本出願人
が既に提案した特願２００１−９３３９７の明細書およ
び図面に詳細に説明されているのでかかる記載に委ね、
本明細書においては説明を省略する。上記回転スピンド
ル３２２の下端に固定されている工具装着部材３２４の
下面に研磨工具３２５を位置付け、工具装着部材３２４
に形成されている貫通孔を通して研磨工具３２５の支持
部材３２６に形成されている盲ねじ孔３２６ａに締結ボ
ルト３２８を螺着することによって、工具装着部材３２
４に研磨工具３２５が装着される。The spindle unit 32 has a support portion 313.
A spindle housing 321 mounted on the spindle housing 321, a rotary spindle 322 rotatably arranged on the spindle housing 321, and an electric motor 323 as a drive source for rotationally driving the rotary spindle 322. The lower end of the rotary spindle 322 is projected downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a disc-shaped tool mounting member 324 is provided at the lower end. The tool mounting member 324 is formed with a plurality of bolt insertion holes (not shown) at intervals in the circumferential direction. The polishing tool 325 is mounted on the lower surface of the tool mounting member 324. As shown in FIGS. 3 and 4, the polishing tool 325 includes a disc-shaped support member 326 and a disc-shaped polishing member 327. The support member 326 is formed with a plurality of blind screw holes 326a that extend downward from the upper surface of the support member 326 at intervals in the circumferential direction. The lower surface of the support member 326 constitutes a circular support surface, and the polishing member 327 is joined to the circular support surface of the support member 326 by an appropriate adhesive such as an epoxy resin adhesive.
As the polishing member 327, in the illustrated embodiment, a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent is used. Since the detailed description of the structure of the polishing member 327 itself made of the felt grindstone is described in detail in the specification and drawings of Japanese Patent Application No. 2001-93397 already proposed by the present applicant, it will be referred to such description.
Description is omitted in this specification. The polishing tool 325 is positioned on the lower surface of the tool mounting member 324 fixed to the lower end of the rotary spindle 322, and the tool mounting member 324
The fastening bolt 328 is screwed into the blind screw hole 326a formed in the support member 326 of the polishing tool 325 through the through hole formed in the tool mounting member 32.
The polishing tool 325 is attached to the No. 4 unit.
【００１２】図１に戻って説明を続けると、図示の実施
形態における研磨装置は、上記研磨ユニット３を上記一
対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述
するチャックテーブルの載置面と垂直な方向）に移動せ
しめる研磨ユニット送り機構４を備えている。この研磨
ユニット送り機構４は、直立壁２２の前側に配設され実
質上鉛直に延びる雄ねじロッド４１を具備している。こ
の雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立
壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によっ
て回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には
雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としての
パルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ
４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されてい
る。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方
に突出する連結部（図示していない）も形成されてお
り、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形
成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が
螺合せしめられている。従って、パルスモータ４４が正
転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前
進せしめられ、パルスモータ４４が逆転すると移動基台
３１即ち研磨ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。Returning to FIG. 1 and continuing the description, in the polishing apparatus in the illustrated embodiment, the polishing unit 3 is moved vertically along the pair of guide rails 221 and 221 (to a mounting surface of a chuck table to be described later). A polishing unit feed mechanism 4 for moving the polishing unit in the vertical direction is provided. The polishing unit feeding mechanism 4 includes a male screw rod 41 that is disposed on the front side of the upright wall 22 and extends substantially vertically. The male screw rod 41 is rotatably supported at its upper end and lower end by bearing members 42 and 43 attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is transmission-coupled to the male screw rod 41. A connecting portion (not shown) is formed on the rear surface of the movable base 31 so as to project rearward from the center portion in the width direction, and a through female screw hole extending in the vertical direction is formed in this connecting portion. The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Therefore, when the pulse motor 44 rotates in the forward direction, the moving base 31 or the polishing unit 3 is lowered or advanced, and when the pulse motor 44 is rotated in the reverse direction, the moving base 31 or the polishing unit 3 is raised or retracted.
【００１３】図１を参照して説明を続けると、ハウジン
グ２の主部２１の後半部上には略矩形状の没入部２１１
が形成されており、この没入部２１１にはチャックテー
ブル機構５が配設されている。チャックテーブル機構５
は、支持基台５１とこの支持基台５１に実質上鉛直に延
びる回転中心軸線を中心として回転自在に配設された円
板形状のチャックテーブル５２とを含んでいる。支持基
台５１は、上記没入部２１１上に前後方向（直立壁２２
の前面に垂直な方向）である矢印２３ａおよび２３ｂで
示す方向に延在する図示しない一対の案内レールに摺動
自在に装着されており、図示しないチャックテーブル移
動機構によって矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向に被
加工物搬入・搬出域２４と上記スピンドルユニット３２
を構成する研磨工具３２５の研磨部材３２７と対向する
研磨域２５との間で移動せしめられる。なお、支持基台
５１は、研磨域２５においては図示しないチャックテー
ブル移動機構によって図２において実線で示す研磨開始
位置Ａと２点鎖線で示す研磨終了位置Ｂとの間を該研磨
部材３２７の研磨面３７２ａと平行に往復動せしめられ
る。チャックテーブル５２は、多孔質セラミッックスの
如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない
吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル
５２を図示しない吸引手段に選択的に連通することによ
り、その上面に載置された被加工物を吸引保持する。Continuing the description with reference to FIG. 1, the recessed portion 211 having a substantially rectangular shape is formed on the rear half of the main portion 21 of the housing 2.
The chuck table mechanism 5 is disposed in the recessed portion 211. Chuck table mechanism 5
Includes a support base 51 and a disk-shaped chuck table 52 rotatably arranged on the support base 51 about a rotation center axis extending substantially vertically. The support base 51 is mounted on the recessed portion 211 in the front-back direction (the upright wall 22).
(A direction perpendicular to the front surface of the) is slidably mounted on a pair of guide rails (not shown) extending in the directions indicated by arrows 23a and 23b, and the directions indicated by arrows 23a and 23b by a chuck table moving mechanism (not shown). The workpiece loading / unloading area 24 and the spindle unit 32.
Is moved between the polishing member 327 of the polishing tool 325 and the opposing polishing area 25. In the polishing area 25, the support base 51 polishes the polishing member 327 between a polishing start position A shown by a solid line and a polishing end position B shown by a two-dot chain line in FIG. 2 by a chuck table moving mechanism (not shown). It is reciprocated parallel to the surface 372a. The chuck table 52 is made of an appropriate porous material such as porous ceramics, and is connected to suction means (not shown). Therefore, the workpiece placed on the upper surface of the chuck table 52 is suction-held by selectively communicating the chuck table 52 with the suction means (not shown).
【００１４】図示の実施形態における研磨装置は、図２
に示すようにチャックテーブル５２の側方（後側）にお
いて支持基台５１に配設されたエアーノズル５５を備え
ている。このエアーノズル５５は、図示しない高圧エア
ー供給手段に接続されており、チャックテーブル機構５
が研磨域２５に位置付けられた状態で研磨工具３２５を
構成する研磨部材３２７の研磨面３７２ａに向けて高圧
エアーを噴出する。なお、図示の実施形態においては、
エアーノズル５５の噴出口の直径は２〜５ｍｍに設定さ
れている。また、図示しない高圧エアー供給手段によっ
てエアーノズル５５に供給される高圧エアーの圧力は
０．３メガパスカル（Ｍｐａ）が望ましく、エアーノズ
ル５５から噴出する高圧エアーの流量は毎分１５０〜２
５０リットル（１５０〜２５０リットル／分）が適当で
ある。The polishing apparatus in the illustrated embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, an air nozzle 55 is provided on the support base 51 on the side (rear side) of the chuck table 52. The air nozzle 55 is connected to a high pressure air supply means (not shown), and the chuck table mechanism 5 is connected.
While being positioned in the polishing area 25, high-pressure air is jetted toward the polishing surface 372a of the polishing member 327 that constitutes the polishing tool 325. In the illustrated embodiment,
The diameter of the ejection port of the air nozzle 55 is set to 2 to 5 mm. Further, the pressure of the high pressure air supplied to the air nozzle 55 by the high pressure air supply means (not shown) is preferably 0.3 megapascal (Mpa), and the flow rate of the high pressure air ejected from the air nozzle 55 is 150 to 2 per minute.
50 liters (150-250 liters / minute) are suitable.
【００１５】上記チャックテーブル機構５を構成する支
持基台５１の移動方向両側には、図１に示すように横断
面形状が逆チャンネル形状であって、図示しないチャッ
クテーブル移動機構を覆っている蛇腹手段５３および５
４が付設されている。蛇腹手段５３および５４はキャン
パス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇
腹手段５３の前端は没入部２１１の前面壁に固定され、
後端はチャックテーブル機構５の支持基台５１の前端面
に固定されている。蛇腹手段５４の前端はチャックテー
ブル機構５の支持基台５１の後端面に固定され、後端は
装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されてい
る。チャックテーブル機構５が矢印２３ａで示す方向に
移動せしめられる際には蛇腹手段５３が伸張されて蛇腹
手段５４が収縮され、チャックテーブル機構５が矢印２
３ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段５３
が収縮されて蛇腹手段５４が伸張せしめられる。On both sides in the moving direction of the support base 51 which constitutes the chuck table mechanism 5, as shown in FIG. 1, the bellows having a reverse channel cross section and covering the chuck table moving mechanism (not shown). Means 53 and 5
4 is attached. The bellows means 53 and 54 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 53 is fixed to the front wall of the recess 211,
The rear end is fixed to the front end surface of the support base 51 of the chuck table mechanism 5. The front end of the bellows means 54 is fixed to the rear end surface of the support base 51 of the chuck table mechanism 5, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23a, the bellows means 53 is expanded and the bellows means 54 is contracted, and the chuck table mechanism 5 is moved by the arrow 2a.
When it is moved in the direction indicated by 3b, the bellows means 53
Is contracted and the bellows means 54 is expanded.
【００１６】図１に基づいて説明を続けると、装置ハウ
ジング２の主部２１における研磨域２５の側方には、研
磨域２５においてチャックテーブル５２上に保持された
被加工物と上記研磨部材３２７との接触部に冷却エアー
を噴出する冷却エアーノズル６が配設されている。この
冷却エアーノズル６は、図示しない冷却用エアー供給手
段に接続されている。Continuing with the description with reference to FIG. 1, to the side of the polishing area 25 in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the workpiece held on the chuck table 52 in the polishing area 25 and the polishing member 327 are provided. A cooling air nozzle 6 for ejecting cooling air is arranged at a contact portion with the cooling air nozzle 6. The cooling air nozzle 6 is connected to a cooling air supply means (not shown).
【００１７】図示の実施形態における研磨装置は、研磨
域５２に位置せしめられているチャックテーブル機構５
とともに、チャックテーブル５２上に保持された被加工
物に押圧せしめらている研磨工具３２５を囲繞する防塵
カバー７を具備している。この防塵カバー７は全体とし
て箱形状であり、上壁７１、前壁７２および両側壁７
３、７３を有する。防塵カバー７の両側壁７３、７３は
上下方向中間に下方を向いた肩面７３ａ、７３ａを有
し、両側壁７３、７３の下半部は上記没入部２１１の両
側面に密接せしめられ、肩面７３ａ、７３ａがハウジン
グ２の主部２１の両側縁部の上面に載置せしめられる。
防塵カバー７の前壁７２にはチャックテーブル機構５の
通過を許容するための矩形開口７２ａが形成されてい
る。防塵カバー７の上壁７１には、研磨工具３２５の通
過を許容するための円形開口７１ａが形成されている。
また、防塵カバー７の上壁７１には、円形開口７１ａの
周縁から上方に延びる円筒部材７４が設けられている。
防塵カバー７の上壁７１の一部には、開閉自在な保守点
検用の扉７５が配設されている。更に、防塵カバー７の
上壁７１には、防塵カバー７内を排気するための排気ダ
クト７６が付設されている。排気ダクト７６は適宜の排
気手段（図示していない）に接続されており、研磨工具
３２５によって被加工物を研磨する際には、防塵カバー
７によって囲繞されている研磨域２５における研磨粉等
の粉塵が排気される。The polishing apparatus in the illustrated embodiment has a chuck table mechanism 5 located in the polishing area 52.
In addition, the dust-proof cover 7 surrounding the polishing tool 325 pressed against the workpiece held on the chuck table 52 is provided. The dust-proof cover 7 has a box shape as a whole, and includes an upper wall 71, a front wall 72, and both side walls 7.
3 and 73. Both side walls 73, 73 of the dustproof cover 7 have downwardly facing shoulder surfaces 73a, 73a in the middle in the vertical direction, and the lower half portions of both side walls 73, 73 are closely contacted with the both side surfaces of the recessed portion 211. The surfaces 73a and 73a are placed on the upper surfaces of both side edge portions of the main portion 21 of the housing 2.
The front wall 72 of the dustproof cover 7 is formed with a rectangular opening 72a for allowing the chuck table mechanism 5 to pass therethrough. The upper wall 71 of the dust cover 7 is formed with a circular opening 71a for allowing the polishing tool 325 to pass therethrough.
A cylindrical member 74 extending upward from the peripheral edge of the circular opening 71a is provided on the upper wall 71 of the dustproof cover 7.
On a part of the upper wall 71 of the dustproof cover 7, a door 75 for maintenance that can be opened and closed is provided. Further, an exhaust duct 76 for exhausting the inside of the dust cover 7 is attached to the upper wall 71 of the dust cover 7. The exhaust duct 76 is connected to an appropriate exhaust means (not shown), and when the workpiece is polished by the polishing tool 325, the polishing dust and the like in the polishing area 25 surrounded by the dust cover 7 is removed. Dust is exhausted.
【００１８】図１に基づいて説明を続けると、装置ハウ
ジング２の主部２１における前半部上には、第１のカセ
ット１１と、第２のカセット１２と、被加工物仮載置手
段１３と、洗浄手段１４と、被加工物搬送手段１５と、
被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７が配
設されている。第１のカセット１１は研磨加工前の被加
工物を収納し、装置ハウジング２の主部２１におけるカ
セット搬入域に載置される。第２のカセット１２は装置
ハウジング２の主部２１におけるカセット搬出域に載置
され、研磨加工後の被加工物を収納する。被加工物仮載
置手段１３は第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出
域２４との間に配設され、研磨加工前の被加工物を仮載
置する。洗浄手段１４は被加工物搬入・搬出域２４と第
２のカセット１２との間に配設され、研磨加工後の被加
工物を洗浄する。被加工物搬送手段１５第１のカセット
１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカ
セット１１内に収納された被加工物を被加工物仮載置手
段１３に搬出するとともに洗浄手段１４で洗浄された被
加工物を第２のカセット１２に搬送する。被加工物搬入
手段１６は被加工物仮載置手段１３と被加工物搬入・搬
出域２４との間に配設され、被加工物仮載置手段１３上
に載置された研磨加工前の被加工物を被加工物搬入・搬
出域２４に位置付けられたチャックテーブル機構６のチ
ャックテーブル６２上に搬送する。被加工物搬出手段１
７は被加工物搬入・搬出域２４と洗浄手段１４との間に
配設され、被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられた
チャックテーブル５２上に載置されている研磨加工後の
被加工物を洗浄手段１４に搬送する。また、図示の実施
形態における研磨装置は、装置ハウジング２の主部２１
における中央部に上記チャックテーブル５２を洗浄する
洗浄水噴射ノズル１８を備えている。この洗浄水噴射ノ
ズル１８は、チャックテーブル機構５が被加工物搬入・
搬出域２４に位置付けられた状態において、チャックテ
ーブル５２に向けて洗浄水を噴出する。Continuing the description with reference to FIG. 1, a first cassette 11, a second cassette 12, and a workpiece temporary placing means 13 are provided on the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2. A cleaning means 14, a workpiece conveying means 15,
Workpiece carry-in means 16 and workpiece carry-out means 17 are provided. The first cassette 11 accommodates an object to be processed before polishing and is placed in the cassette loading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. The second cassette 12 is placed in the cassette unloading area of the main portion 21 of the apparatus housing 2 and stores the workpiece after polishing. The workpiece temporary placing means 13 is disposed between the first cassette 11 and the workpiece loading / unloading area 24, and temporarily places the workpiece before polishing. The cleaning means 14 is arranged between the workpiece loading / unloading area 24 and the second cassette 12 and cleans the workpiece after polishing. Workpiece conveying means 15 is arranged between the first cassette 11 and the second cassette 12, and the workpiece stored in the first cassette 11 is carried out to the workpiece temporary placing means 13. At the same time, the workpiece cleaned by the cleaning means 14 is conveyed to the second cassette 12. The workpiece loading means 16 is disposed between the workpiece temporary placing means 13 and the workpiece loading / unloading area 24, and is placed on the workpiece temporary placing means 13 before polishing. The workpiece is conveyed onto the chuck table 62 of the chuck table mechanism 6 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. Workpiece unloading means 1
Reference numeral 7 denotes a workpiece to be processed after polishing, which is disposed between the workpiece loading / unloading area 24 and the cleaning means 14, and is placed on the chuck table 52 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. The object is conveyed to the cleaning means 14. In addition, the polishing apparatus in the illustrated embodiment includes a main part 21 of the apparatus housing 2.
The cleaning water jet nozzle 18 for cleaning the chuck table 52 is provided in the central portion of the table. The cleaning water injection nozzle 18 is loaded by the chuck table mechanism 5 into the workpiece.
In the state of being positioned in the carry-out area 24, the cleaning water is jetted toward the chuck table 52.
【００１９】上記第１のカセット１１に収容される被加
工物は、環状のフレームに保護テープを介して表面側が
装着された半導体ウエーハ（従って、半導体ウエーハは
裏面が上側に位置する）、或いは支持基板（サブストレ
ート）上に表面側が装着された半導体ウエーハ（従っ
て、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する）でよい。
このような被加工物である半導体ウエーハを収容した第
１のカセット１１は、装置ハウジング２の主部２１にお
ける所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセ
ット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容され
ていた研磨加工前の半導体ウエーハが全て搬出される
と、空のカセット１１に代えて複数個の半導体ウエーハ
を収容した新しいカセット１１が手動でカセット搬入域
に載置される。一方、装置ハウジング２の主部２１にお
ける所定のカセット搬出域に載置された第２のカセット
１２に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハが搬入され
ると、かかる第２のカセット１２が手動で搬出され、新
しい空の第２のカセット１２が載置される。The workpiece contained in the first cassette 11 is a semiconductor wafer whose front side is attached to an annular frame via a protective tape (hence, the back side of the semiconductor wafer is located on the upper side), or a support. It may be a semiconductor wafer whose front surface side is mounted on a substrate (therefore, the back surface of the semiconductor wafer is located on the upper side).
The first cassette 11 accommodating the semiconductor wafer that is such a workpiece is placed in a predetermined cassette loading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. Then, when all the semiconductor wafers before polishing which were accommodated in the first cassette 11 placed in the cassette carry-in area are unloaded, a new cassette containing a plurality of semiconductor wafers instead of the empty cassette 11 is carried out. 11 is manually placed in the cassette loading area. On the other hand, when a predetermined number of polished semiconductor wafers are loaded into the second cassette 12 placed in a predetermined cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the second cassette 12 is manually operated. It is carried out and a new empty second cassette 12 is placed.
【００２０】次に、上述した研磨装置の加工処理動作に
ついて説明する。第１のカセット１１に収容された研磨
加工前の被加工物としての半導体ウエーハは被加工物搬
送手段１５の上下動作および進退動作により搬送され、
被加工物仮載置手段１３に載置される。被加工物仮載置
手段１３に載置された半導体ウエーハは、ここで中心合
わせが行われた後に被加工物搬入手段１６の旋回動作に
よって被加工物搬入・搬出域２４に位置せしめられてい
るチャックテーブル機構５のチャックテーブル５２上に
載置される。チャックテーブル５２上に載置された被加
工物は、図示しない吸引手段によってチャックテーブル
５２上に吸引保持される。Next, the processing operation of the above-mentioned polishing apparatus will be described. A semiconductor wafer as a workpiece to be polished, which is accommodated in the first cassette 11, is transported by the vertical movement and the forward / backward movement of the workpiece transport means 15,
It is placed on the workpiece temporary placing means 13. The semiconductor wafer placed on the workpiece temporary placing means 13 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24 by the turning operation of the workpiece loading means 16 after centering is performed here. It is placed on the chuck table 52 of the chuck table mechanism 5. The workpiece placed on the chuck table 52 is suction-held on the chuck table 52 by suction means (not shown).
【００２１】チャックテーブル５２上に半導体ウエーハ
を吸引保持したならば、図示しないチャックテーブル移
動機構を作動してチャックテーブル機構５を矢印２３ａ
で示す方向に移動し、研磨域２５の図２において実線で
示す研磨開始位置Ａに位置付ける。研磨域２５の研磨開
始位置Ａおいては、半導体ウエーハＷを保持したチャッ
クテーブル５２を例えば３００ｒｐｍ程度で回転し、上
記サーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を４０
００〜７０００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨ユ
ニット送り機構４のパルスモータ４４を正転駆動して研
磨ユニット３を下降即ち前進せしめる。そして、研磨工
具３２５の研磨部材３２７をチャックテーブル５２上の
半導体ウエーハの裏面に所定の荷重で押圧する。次に、
図示しないチャックテーブル移動機構を一方向に作動し
チャックテーブル機構５を矢印２３ａで示す方向に図２
において２点鎖線で示す研磨終了位置Ｂ、即ち半導体ウ
エーハＷの図２において右端が研磨工具３２５の研磨部
材３２７の中心を越えエアーノズル５５が研磨部材３２
７の右端を僅かに越える位置移動する。このとき、チャ
ックテーブル機構５の移動速度は、例えば１００〜２０
０ｍｍ／分に設定されている。そして、チャックテーブ
ル５２が研磨終了位置Ｂ迄移動したら、図示しないチャ
ックテーブル移動機構を他方向に作動してチャックテー
ブル機構５を矢印２３ｂで示す方向に移動して研磨開始
位置Ａに戻し、上記動作を繰り返し実行する。この研削
動作を予め設定された時間、またはチャックテーブル機
構５の往復動を設定された回数実行することにより、研
磨部材３２７の作用によって半導体ウエーハの裏面が所
定量乾式研磨され、残留加工歪が除去される。When the semiconductor wafer is suction-held on the chuck table 52, a chuck table moving mechanism (not shown) is operated to move the chuck table mechanism 5 to the arrow 23a.
2 and moves to the polishing area 25 at the polishing start position A indicated by the solid line in FIG. At the polishing start position A in the polishing area 25, the chuck table 52 holding the semiconductor wafer W is rotated at, for example, about 300 rpm, and the servo motor 323 is driven to move the polishing tool 325 to 40 degrees.
While rotating at 00 to 7000 rpm, the pulse motor 44 of the polishing unit feeding mechanism 4 is driven in the normal direction to move the polishing unit 3 downward or forward. Then, the polishing member 327 of the polishing tool 325 is pressed against the back surface of the semiconductor wafer on the chuck table 52 with a predetermined load. next,
The chuck table moving mechanism (not shown) is operated in one direction to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23a.
2, the polishing end position B indicated by a two-dot chain line, that is, the right end of the semiconductor wafer W in FIG. 2 exceeds the center of the polishing member 327 of the polishing tool 325, and the air nozzle 55 moves to the polishing member 32.
Move to a position slightly beyond the right end of 7. At this time, the moving speed of the chuck table mechanism 5 is, for example, 100 to 20.
It is set to 0 mm / min. Then, when the chuck table 52 moves to the polishing end position B, the chuck table moving mechanism (not shown) is operated in the other direction to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23b to return to the polishing start position A, and the above-mentioned operation is performed. Is repeatedly executed. By performing this grinding operation for a preset time or the reciprocating movement of the chuck table mechanism 5 a set number of times, the back surface of the semiconductor wafer is dry-polished by a predetermined amount by the action of the polishing member 327, and residual processing strain is removed. To be done.
【００２２】上記研磨工具３２５の研磨部材３２７によ
る乾式研磨時においては、図示しない高圧エアー供給手
段によって供給された高圧エアーがエアーノズル５５か
ら研磨部材３２７の研磨面３２７ａに向けて噴出され
る。そして、研磨時においては、エアーノズル５５が配
設された支持基台５１が研磨開始位置Ａと研磨終了位置
Ｂとの間を往復動するの、エアーノズル５５から噴出さ
れた高圧エアーは回転する研磨部材３２７の研磨面３２
７ａ全体に吹きつけることができる。この結果、研磨時
に研磨部材３２７の研磨面３２７ａに付着した研磨粉は
吹きつけられる高圧エアーによって除去され、研磨面３
２７ａの目詰まりを防止することができる。なお、研磨
時においては上述したように研磨部材３２７の研磨面３
２７ａにエアーノズル５５から高圧エアーが吹きつけら
れるので、研磨部材３２７の研磨面３２７ａが冷却され
るため、エアーノズル５５から噴出される高圧エアーは
研磨時における発熱対策としても機能する。During the dry polishing by the polishing member 327 of the polishing tool 325, the high pressure air supplied by the high pressure air supply means (not shown) is ejected from the air nozzle 55 toward the polishing surface 327a of the polishing member 327. At the time of polishing, the support base 51 provided with the air nozzle 55 reciprocates between the polishing start position A and the polishing end position B, and the high pressure air ejected from the air nozzle 55 rotates. Polishing surface 32 of polishing member 327
It can be sprayed on the entire 7a. As a result, the polishing powder adhered to the polishing surface 327a of the polishing member 327 at the time of polishing is removed by the high-pressure air blown, and the polishing surface 3
It is possible to prevent clogging of 27a. During polishing, as described above, the polishing surface 3 of the polishing member 327 is
Since high-pressure air is blown onto 27a from the air nozzle 55, the polishing surface 327a of the polishing member 327 is cooled, so the high-pressure air ejected from the air nozzle 55 also functions as a heat generation countermeasure during polishing.
【００２３】また、図示の実施形態においては、研磨工
具３２５の研磨部材３２７による乾式研磨時において
は、研磨域２５の側方に配設された冷却エアーノズル６
からも研磨部材３２７と半導体ウエーハとの接触部に冷
却用エアーが噴射されるので、研削面３２７ｅと半導体
ウエーハとの接触面をより冷却することができる。な
お、上述した乾式研磨作用によって研磨粉が飛散する
が、この際には図示しない排気手段が作動せしめられて
いて、防塵カバー７内に飛散した粉塵は排気ダクト７６
を通して排気される。Further, in the illustrated embodiment, during the dry polishing by the polishing member 327 of the polishing tool 325, the cooling air nozzle 6 disposed on the side of the polishing area 25 is used.
Also, since the cooling air is jetted to the contact portion between the polishing member 327 and the semiconductor wafer, the contact surface between the grinding surface 327e and the semiconductor wafer can be further cooled. Although the abrasive powder is scattered by the dry polishing operation described above, the exhaust means (not shown) is activated at this time, and the dust scattered inside the dust cover 7 is exhausted by the exhaust duct 76.
Exhausted through.
【００２４】上述したようにして研磨が終了すると、研
磨工具３２５が半導体ウエーハの裏面から上方に離隔さ
れ、チャックテーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に
被加工物搬入・搬出域２４まで移動せしめられる。しか
る後に、チャックテーブル５２上の研磨加工された半導
体ウエーハの吸引保持が解除され、吸引保持が解除され
た半導体ウエーハは被加工物搬出手段１７により搬出さ
れて洗浄手段１４に搬送される。洗浄手段１４に搬送さ
れた半導体ウエーハは、ここで洗浄された後に被加工物
搬送手段１５よって第２のカセット１２の所定位置に収
納される。When the polishing is completed as described above, the polishing tool 325 is separated upward from the back surface of the semiconductor wafer, and the chuck table mechanism 5 is moved to the workpiece loading / unloading area 24 in the direction indicated by the arrow 23b. . After that, suction holding of the polished semiconductor wafer on the chuck table 52 is released, and the semiconductor wafer whose suction holding is released is carried out by the workpiece carrying-out means 17 and conveyed to the cleaning means 14. The semiconductor wafer transferred to the cleaning means 14 is cleaned here and then stored in a predetermined position of the second cassette 12 by the workpiece transfer means 15.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明による研磨装置は、チャックテー
ブルの側方に配設され研磨部材の研磨面に高圧エアーを
噴出するエアーノズルを具備しており、研磨時において
はエアーノズルから高圧エアーを研磨部材の研磨面に向
けて噴出するので、研磨時に研磨部材の研磨面に付着し
た研磨粉は吹きつけられる高圧エアーによって除去され
る。従って、研磨面の目詰まりを防止することができ、
生産性を良好に維持することができる。The polishing apparatus according to the present invention is provided with an air nozzle which is disposed on the side of the chuck table and blows high pressure air to the polishing surface of the polishing member. During polishing, high pressure air is emitted from the air nozzle. Since it is ejected toward the polishing surface of the polishing member, the polishing powder adhered to the polishing surface of the polishing member during polishing is removed by the high pressure air blown. Therefore, it is possible to prevent clogging of the polishing surface,
Good productivity can be maintained.
【図１】本発明によって構成された研磨装置の一実施形
態を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a polishing apparatus configured according to the present invention.
【図２】図１に示す研磨装置の要部側面図。FIG. 2 is a side view of a main part of the polishing apparatus shown in FIG.
【図３】図１に示す研磨装置に装備されるスピンドルユ
ニットを構成する研磨工具を示す斜視図。3 is a perspective view showing a polishing tool constituting a spindle unit equipped in the polishing apparatus shown in FIG.
【図４】図３に示す研磨工具その下面側から見た状態を
示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing a state of the polishing tool shown in FIG. 3 viewed from the lower surface side thereof.
【符号の説明】 ２：装置ハウジング ３：研磨ユニット ３１：移動基台 ３２：スピンドルユニット ３２１：スピンドルハウジング ３２２：回転スピンドル ３２２ａ：供給するエアー供給通路 ３２３：サーボモータ ３２４：工具装着部材 ３２５：研磨工具 ３２６：支持部材 ３２７：研磨部材 ３２７ａ：研磨面 ４：研磨ユニット送り機構 ４４：パルスモータ ５：チャックテーブル機構 ５１：支持基台 ５２：チャックテーブル ５３、５４：蛇腹手段 ５５：エアーノズル ６：冷却エアーノズル ７：防塵カバー １１：第１のカセット １２：第２のカセット １３：被加工物仮載置手段 １４：洗浄手段 １５：被加工物搬送手段 １６：被加工物搬入手段 １７：被加工物搬出手段 １８：洗浄水噴射ノズル[Explanation of symbols] 2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: rotating spindle 322a: Air supply passage for supply 323: Servo motor 324: Tool mounting member 325: Polishing tool 326: Support member 327: Polishing member 327a: Polished surface 4: Polishing unit feeding mechanism 44: Pulse motor 5: Chuck table mechanism 51: Support base 52: Chuck table 53, 54: bellows means 55: Air nozzle 6: Cooling air nozzle 7: Dustproof cover 11: First cassette 12: Second cassette 13: Workpiece temporary placement means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece loading means 17: Workpiece unloading means 18: Wash water injection nozzle
Claims (2)
備えたチャックテーブル機構と、該チャックテーブルに
保持された被加工物を研磨するための研磨ユニットとを
有し、該研磨ユニットが回転スピンドルと該回転スピン
ドルに装着された工具装着部材および該工具装着部材に
装着されフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固
定したフエルト砥石からなる研磨部材を備えた研磨工具
とを具備している研磨装置において、 該チャックテーブルの側方に配設され該研磨部材の研磨
面に高圧エアーを噴出するエアーノズルを具備してい
る、ことを特徴とする研磨装置。1. A chuck table mechanism having a chuck table for holding a workpiece, and a polishing unit for polishing the workpiece held by the chuck table, the polishing unit comprising a rotating spindle. Polishing provided with a tool mounting member mounted on the rotary spindle and a polishing tool equipped with a polishing member composed of a felt grindstone mounted on the tool mounting member and having abrasive grains dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent The polishing apparatus is provided with an air nozzle which is disposed on the side of the chuck table and blows high-pressure air onto the polishing surface of the polishing member.
の該研磨面と対向する研磨域において該研磨面と平行に
所定の範囲で往復動せしめられる支持基台と該支持基台
に回転自在に配設されたチャックテーブルとを具備して
おり、該エアーノズルは該支持基台に配設されている、
請求項１記載の研磨装置。2. The chuck table mechanism includes a support base that is reciprocally movable in a predetermined range in parallel with the polishing surface in a polishing area facing the polishing surface of the polishing member, and is rotatable with respect to the support base. And a chuck table provided, and the air nozzle is provided on the support base.
The polishing apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040149A JP2003243345A (en) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | Polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040149A JP2003243345A (en) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | Polishing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243345A true JP2003243345A (en) | 2003-08-29 |
Family
ID=27780976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002040149A Pending JP2003243345A (en) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | Polishing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243345A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010221378A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device |
| KR20180108449A (en) | 2017-03-23 | 2018-10-04 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer polishing method and polishing apparatus |
| DE102022203968A1 (en) | 2021-04-26 | 2022-10-27 | Disco Corporation | EDITING PROCEDURES |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002040149A patent/JP2003243345A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010221378A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device |
| KR20180108449A (en) | 2017-03-23 | 2018-10-04 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer polishing method and polishing apparatus |
| JP2018160627A (en) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社ディスコ | Wafer polishing method and polishing apparatus |
| DE102022203968A1 (en) | 2021-04-26 | 2022-10-27 | Disco Corporation | EDITING PROCEDURES |
| KR20220147016A (en) | 2021-04-26 | 2022-11-02 | 가부시기가이샤 디스코 | Processing method |
| US12030157B2 (en) | 2021-04-26 | 2024-07-09 | Disco Corporation | Processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4790322B2 (en) | Processing apparatus and processing method | |
| JP4464113B2 (en) | Wafer processing equipment | |
| US6780091B2 (en) | Machining strain removal apparatus | |
| CN107887313B (en) | Processing device | |
| JP2009160700A (en) | Polishing device | |
| KR102435162B1 (en) | Polishing apparatus | |
| JP4733943B2 (en) | Polishing pad dressing method | |
| JP2009113145A (en) | Chuck table mechanism of polishing device | |
| TW202208079A (en) | Workpiece cleaning method having a removing step for removing the cleaning liquid attached on the lower surface side of the workpiece | |
| JP5345457B2 (en) | Grinding equipment | |
| JP2003209089A (en) | Cleaning method, cleaning device and dicing device for wafer | |
| JP5735217B2 (en) | Method and apparatus for grinding hard substrate | |
| JP5225733B2 (en) | Grinding equipment | |
| JP4074118B2 (en) | Polishing equipment | |
| JP4319942B2 (en) | Processing device for electrode formed on plate | |
| JP4295469B2 (en) | Polishing method | |
| JP2011031359A (en) | Polishing tool, polishing device, and polishing machining method | |
| JP2003243345A (en) | Polishing device | |
| JP5399829B2 (en) | Polishing pad dressing method | |
| JP2003236752A (en) | Polisher | |
| JP2003305643A (en) | Polishing device | |
| JP2017222015A (en) | Processing device | |
| JP5922381B2 (en) | Processing equipment equipped with a bite tool | |
| JP2003282492A (en) | Processing machine for semiconductor wafer, and processing system equipped with a plurality of processing machine | |
| JP2004356480A (en) | Grinding equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041102 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070601 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070703 |