JP2003243330A

JP2003243330A - 電子部品の製造方法

Info

Publication number: JP2003243330A
Application number: JP2002043018A
Authority: JP
Inventors: Masaya Nakatani; 将也中谷; Michihiko Hayashi; 道彦林; Hirobumi Tajika; 博文多鹿
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-02-20
Filing date: 2002-02-20
Publication date: 2003-08-29

Abstract

(57)【要約】【課題】電子素子のピッキングを容易にする電子部品
の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】そこでこの目的を達成するために本発明
は、基板１の表面に少なくとも一つの電子部品の電子素
子１３を形成する第一の工程と、前記電子素子１３の外
周に沿って前記基板１の表面側に溝９を形成する第二の
工程と、前記電子素子１３の表面側に熱可塑性樹脂でな
る接着層１２を介してダミー基板１１を接着する第三の
工程と、前記基板１の裏面側から前記基板１の一部を前
記溝９に到達するまで除去する第四の工程と、前記電子
素子１３をピッキングして被実装体に実装する第五の工
程を有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子部品の小型化の要望に対応す
るため、例えば以下の製造方法が提案されている。

【０００３】すなわち、基板の表面に複数の電子素子を
形成した後、各々の前記電子素子の外周に溝を形成し、
前記基板の裏面側から基板を研削することにより、前記
電子素子の基板の厚みを薄くすると同時に、各電子素子
同士を分離するという製造方法である。

【０００４】上記基板を研削する方法としては、例えば
ダミー基板を前記基板の表面側に接着し、前記溝が基板
の裏面から表出するまで研削を行う方法が用いられる。

【０００５】そして、薄板化された基板を有するこの電
子素子をピッキングして外装ケース等に実装し電子部品
を得ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記製造方法によれば
小型化に対応した電子部品を得ることができるが、以下
の問題点を有している。

【０００７】すなわち、一般的に上記電子素子は規則的
に基板表面に形成されるが、研削後ダミー基板などから
全ての電子素子を一括して取り外すと、各電子素子の整
列が乱れ、実装する際一つ一つ的確に電子素子をピッキ
ングすることが困難となるという問題点を有している。

【０００８】そこで本発明は、電子素子のピッキングを
容易にすることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の請求項１に記載の発明は、基板の表面に少
なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程と、前記
電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成す
る第二の工程と、前記電子素子の表面側に熱可塑性樹脂
でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程
と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到
達するまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッ
キングして被実装体に実装する第五の工程を有する電子
部品の製造方法であり、特に、接着層の材料として熱可
塑性樹脂を用いることにより、以下の作用効果を奏す
る。

【００１０】すなわち、前記基板の一部を除去する際に
前記基板と前記ダミー基板との接合を確実なものとする
ことができ、加えて、電子素子をピッキングする際には
熱により可塑性を有するため電子素子のピッキングを容
易にすることができるものである。

【００１１】本発明の請求項２に記載の発明は、基板に
は複数の電子素子が形成されており、第四の工程の後に
は前記電子素子は熱可塑性樹脂のみを介してダミー基板
と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電
子部品の製造方法であり、所望の電子素子をピッキング
する際他の電子素子に与える影響を少なくすることがで
きるため他の電子素子の整列が乱れるのを抑制し、その
結果、電子素子のピッキングを容易にするという作用効
果を奏する。

【００１２】本発明の請求項３に記載の発明は、第五の
工程において、少なくとも所望の電子素子に熱を加えた
後、または、熱を加えながらピッキングする請求項１ま
たは請求項２に記載の電子部品の製造方法であり、少な
くとも所望の電子素子に熱を加えることにより前記電子
素子を固定している接着層の部位が可塑化し、その結
果、容易かつ選択的に電子素子をピッキングすることが
できるという作用効果を奏する。

【００１３】特に、所望の電子素子と他の電子素子が熱
可塑性樹脂のみを介して接続されている場合、加えた熱
が他の電子素子に加わることを少なくすることができる
ため、他の電子素子の整列が乱れるのを抑制することが
でき、その結果として、電子素子のピッキングをより容
易にすることができるという作用効果を奏する。

【００１４】本発明の請求項４に記載の発明は、電子素
子に熱を加える方法としてはんだごて、または、赤外線
の少なくとも一つを用いる請求項３に記載の電子部品の
製造方法であり、請求項３の作用を補完するものであ
る。

【００１５】本発明の請求項５に記載の発明は、基板の
表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程
と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝
を形成する第二の工程と、赤外線を吸収する層を設けた
ダミー基板を用いて前記電子素子の表面と前記赤外線を
吸収する層が対面するように熱可塑性樹脂でなる接着層
を介して接着する第三の工程と、前記基板の裏面側から
前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第四の
工程と、前記電子素子をピッキングして被実装体に実装
する第五の工程を有する電子部品の製造方法であり、特
に、赤外線を吸収する層を設けたダミー基板を用いるこ
とにより赤外線が照射された前記接着層の部位を迅速に
加熱することができ、その結果、電子素子のピッキング
を容易にすることができるという作用効果を奏する。

【００１６】本発明の請求項６に記載の発明は、基板に
は複数の電子素子が形成されており、第四の工程の後に
は前記電子素子は熱可塑性樹脂のみを介してダミー基板
と接続されていることを特徴とする請求項５に記載の電
子部品の製造方法であり、請求項２と同様の作用効果を
奏する。

【００１７】本発明の請求項７に記載の発明は、第五の
工程において、少なくとも所望の電子素子に熱を加えた
後、または、熱を加えながらピッキングする請求項５ま
たは請求項６に記載の電子部品の製造方法であり、請求
項３と同様の作用効果を奏する。

【００１８】本発明の請求項８に記載の発明は、電子素
子に熱を加える方法として赤外線を用いる請求項７に記
載の電子部品の製造方法であり、赤外線を用いることに
よって電子素子に非接触で加熱をすることができ、その
結果、電子素子に機械的ストレスが加わるのを防止する
ことができるという作用効果を奏する。

【００１９】加えて、赤外線は照射する領域を高精度に
制御することができるので、所望する電子素子のみに熱
を加えることが容易になるという作用効果も奏する。

【００２０】本発明の請求項９に記載の発明は、ダミー
基板としてシリコンもしくは赤外線を透過するガラスを
用いる請求項５または請求項６に記載の電子部品の製造
方法であり、ダミー基板は赤外線を透過するので、赤外
線を照射する際熱のロスが少なく、所望する電子素子の
みに効率的に熱を加えることがより容易になるという作
用効果を奏する。

【００２１】本発明の請求項１０に記載の発明は、基板
の表面に少なくとも一つの電子素子を形成する第一の工
程と、前記電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に
溝を形成する第二の工程と、前記電子素子の表面側に紫
外線により粘着性が低下する樹脂でなる接着層を介して
ダミー基板を接着する第三の工程と、前記基板の裏面側
から前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第
四の工程と、前記電子素子をピッキングして被実装体に
実装する第五の工程を有する電子部品の製造方法であ
り、特に、接着層の材料として紫外線により粘着性が低
下する樹脂を用いることにより、以下の作用効果を奏す
る。

【００２２】すなわち、前記基板の一部を除去する際に
前記基板と前記ダミー基板との接合を確実なものとする
ことができ、加えて、電子素子をピッキングする際には
紫外線により粘着性が低下するため電子素子のピッキン
グを容易にすることができるものである。

【００２３】本発明の請求項１１に記載の発明は、第五
の工程において、少なくとも所望の電子素子に紫外線を
照射した後、または、照射しながらピッキングする請求
項１０に記載の電子部品の製造方法であり、少なくとも
所望の電子素子に紫外線を照射することにより前記電子
素子を固定している接着層の粘着性が低下し、その結
果、容易かつ選択的に電子素子をピッキングすることが
できるという作用効果を奏する。

【００２４】本発明の請求項１２に記載の発明は、ダミ
ー基板の材料として紫外線を透過する材料を用いる請求
項１０に記載の電子部品の製造方法であり、紫外線の照
射をダミー基板側からも行うことができ、その結果、よ
り容易に所望の電子素子をピッキングすることができる
という作用効果を奏する。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品の製造方
法について実施の形態および図面を用いて説明する。な
お電子部品として角速度センサを用いた。

【００２６】（実施の形態１）本実施の形態１および図
１〜図２４により請求項１〜４に記載の発明を説明す
る。

【００２７】図１は本実施の形態１の角速度センサの斜
視図であり、図２は同分解斜視図である。音叉形状の基
板１上に、バッファ層２、下部電極層３、圧電層４、上
部電極層５を順次設けている。

【００２８】さて、ここでこの角速度センサが角速度を
検出する時の動作について図１および図２を用いて以下
に説明する。

【００２９】上部電極層５は、励振電極５Ａ、検出電極
５Ｂに分割されており、それぞれ下部電極層３とともに
圧電層４を挟むように対向している。この励振電極５Ａ
と下部電極層３との間に電圧を加えると、励振電極５Ａ
と下部電極層３に挟まれた圧電層４の部分が伸縮するこ
とにより基板１に設けられた２本の腕部１０Ａ及び１０
Ｂの形状が歪み、その結果、音叉の水平方向に振動が起
こる。このとき、この音叉の腕と平行方向を軸とする角
速度が発生すると、腕部１０Ａ、１０Ｂにはこの軸と振
動方向の共に垂直な方向へたわみが発生する。そしてこ
のたわみの大きさに応じて圧電層４が帯電するので、こ
の帯電量を検出電極５Ｂにより検出することによって角
速度の大きさを検出することができるものである。

【００３０】次に、本発明の請求項１〜４に記載の発明
を以下に説明する。

【００３１】図３は本実施の形態１による角速度センサ
の製造方法の流れを示す図であり、図４〜図２４はそれ
ぞれ製造工程を示す断面図および斜視図である。

【００３２】まず、図４において基板１の表面に酸化ニ
ッケル、酸化コバルト、酸化マグネシウム、チタンのい
ずれかの材料を用いたバッファ層２を形成する（図３
Ａ）。形成方法としてはＭＯＣＶＤ法が挙げられる。例
えば、酸化ニッケルのバッファ層２を形成する場合ニッ
ケルアセチルアセトナトを昇華気化させたガスを用いる
ことにより得ることができる。また、チタンを用いる場
合はスパッタリングの方法も用いることができる。

【００３３】次に図５でバッファ層２の表面に下部電極
層３を形成する（図３Ｂ）。材料としてＰｔを用い、ス
パッタリングや真空蒸着などの方法により形成する。

【００３４】ついで図６で下部電極層３の表面に圧電層
４を形成する（図３Ｃ）。材料として例えば、チタン酸
ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと記す）などの圧電材料を用
い、スパッタリングにて形成する。

【００３５】次に圧電層４の表面に材料として金を用い
スパッタリング、真空蒸着などの方法により上部電極層
５を形成したのが図７である（図３Ｄ）。ここでＰＺＴ
でなる圧電層４と金でなる上部電極層５との間にチタン
やクロムの層を形成することにより圧電層４と上部電極
層５との密着強度をさらに向上させることができる。す
なわち、上記材料はＰＺＴとの接着性に優れ、かつ、金
とは強固な拡散層を形成するため密着強度を向上させる
ことができる。例えばチタンを用いた場合２０〜１００
オングストローム程度の膜厚の層を形成することにより
十分な密着性を得ることができる。

【００３６】続いて図８〜図１６は特に腕部１０Ａ、１
０Ｂの断面図を示している。

【００３７】まず、図８で上部電極層５の励振電極５
Ａ、検出電極５Ｂを形成する部分に素子形成用レジスト
膜７を形成する（図３Ｅ）。この形成方法としては感光
性樹脂を用いたフォトリソ法を用いることができる。

【００３８】次に図９でドライエッチングにて素子形成
用レジスト膜７を残して上部電極層５および圧電層４の
除去を行うことにより励振電極５Ａおよび検出電極５Ｂ
を形成する（図３Ｆ）。このとき次の素子形成用レジス
ト膜７の除去工程で用いる除去用溶剤により下部電極層
３が侵されることを防止するために下部電極層３が表出
しないようにする。

【００３９】ついで図１０で素子形成用レジスト膜７を
除去する（図３Ｇ）。これにより上部電極層５は励振電
極５Ａと検出電極５Ｂに分離される。

【００４０】素子形成用レジスト膜７の除去用溶剤とし
ては有機溶剤やアルカリ溶液を用いて行うことができ
る。また、酸素アッシング等の方法も用いることができ
る。

【００４１】次に図１１にて、素子形成用レジスト膜７
で覆われていた励振電極５Ａ、検出電極５Ｂおよび圧電
層４の下部において、これら励振電極５Ａ、検出電極５
Ｂの垂直下方から外方に残る表面部分を覆うレジストマ
スク８を形成する（図３Ｈ）。このとき図１２に示すよ
うに個々の電子素子１３が分離するようにレジストマス
ク８の外周は他のどの電子素子１３とも連結されていな
いようにする。これにより以下の作用効果を奏する。す
なわち、これら励振電極５Ａ、検出電極５Ｂは個々の電
子素子１３に分離されるまでレジストマスク８で覆われ
ることになるので破損や汚染を低減することができると
いう作用効果を奏する。

【００４２】加えて、レジストマスク８が他の電子素子
１３と連結していないので、後の工程で基板１の裏面側
から基板１の一部の除去を行ったとき、電子素子１３は
後述する接着層１２のみを介してダミー基板１１と接続
されていることになる。これにより所望の電子素子１３
をピッキングする際他の電子素子１３に与える影響を少
なくすることができ、その結果、他の電子素子１３の整
列が乱れるのを抑制するという作用効果を奏する。

【００４３】なお、レジストマスク８の形成方法は上記
素子形成用レジスト膜７の場合と同様である。

【００４４】続いて、図１２でドライエッチングにより
圧電層４、下部電極層３およびバッファ層２を除去する
（図３Ｉ）。

【００４５】さらに図１３に示すように基板１をドライ
エッチングによりエッチングする。例えば、以下のよう
に行う。

【００４６】エッチングを促進するガスとしてＳＦ₆、
エッチングを抑制するガスとしてＣ₄Ｆ₈を用い、エッチ
ングの際には、これらガスを同時に混ぜるか、交互にガ
スを切り替えながら徐々にエッチングを行う。ガスを同
時に混ぜた場合には、その混合比率によってエッチング
の抑制と促進が制御され、部分的にエッチングが進まな
くなったり、進むようになったりする。これをうまく制
御すれば、エッチングは垂直下方のみに進むようにな
り、溝９の底面と側面の内角をほぼ直角にすることがで
きる。

【００４７】また、エッチングが進むにつれてエッチン
グ促進ガスの混合比を増やすことにより溝９の底面と側
面の内角を鋭角にすることができる。

【００４８】一方、これら２種類のガスを交互に切り替
えてエッチング促進とエッチング抑制を交互に切り替え
た場合もこの切り替え比を制御することにより同様に溝
９の形状を制御することができる。

【００４９】このとき、基板１をエッチングする量は最
終的に必要とする基板１の厚みより深くなるようエッチ
ング量を多めに設定する。このようにすれば図１３に示
すように腕部１０Ａ、１０Ｂの裏面側の方が幅の狭い台
形形状となる。

【００５０】次に、図１４に示すようにレジストマスク
８は残したままダミー基板１１と基板１を接着する（図
３Ｊ）。このとき接着層１２は台形形状となった腕部１
０Ａ、１０Ｂの間（溝９）にも十分入り込む量が望まし
く、これにより接合強度を向上させることができる。

【００５１】なお、図１４では電子素子１３の一つにつ
いて示したが、実際には図１７のように、電子素子が形
成された基板１の面とダミー基板１１が向かい合うよう
にして接着層１２によって固着される。

【００５２】接着層１２の材料としては、例えばろうそ
くなどに用いられるパラフィンワックス等の熱可塑性樹
脂を用いる。

【００５３】上記材料を用いた場合後に述べる各電子素
子１３をピッキングする際所望の電子素子１３に熱を加
えることにより接着層１２から容易に所望の電子素子１
３を取り外すことができるという作用効果を有するもの
である。

【００５４】また、ダミー基板１１としては、平坦な表
面を有し、かつ、基板１の除去による機械的ストレスに
耐えられる強度を有していればよく、例えば、ガラス、
シリコン基板、ＳＵＳ基板等を用いることができる。

【００５５】次に、図１５に示すように基板１の裏面側
から基板１の一部を除去する（図３Ｋ）。その方法とし
ては研削が挙げられ、高精度に基板１の厚みを制御する
ことができる。このとき図１３に示すように研削する量
は基板１が最終的に必要とする量となるように設定す
る。このようにすれば、製造工程において基板１に応力
などの負荷がかかる上部電極層５、圧電層４、下部電極
層３、バッファ層２および基板１のエッチング工程は基
板１が厚い状態で加工できるので、基板１の割れを極力
減らすことができる。

【００５６】この研削は、研削量が進んで溝９が貫通し
ても所定の基板厚さになるまで研削はある程度進める必
要があるが、上述のようにダミー基板１１には接着層１
２によって固着されているので、図１８に示すように、
個々の電子素子１３に分離された後に、さらに基板１の
厚みをあわせるためにしばらく研削を続けても、個々の
電子素子１３はバラバラになることがない。

【００５７】また、上述のように研削を進める側の基板
１の外周は逆側よりも小さい台形形状とすることによ
り、溝９が貫通してからさらに研削を進めても溝９の側
面と研削面の角部（図１５ａ）を破損することが少なく
なるのである。

【００５８】ここで、基板１が台形形状になってしまう
と、角速度センサの周波数特性などに影響を与えるなど
不都合な場合には、次のように行う。すなわち、図１９
に示すように、基板１を途中まで垂直下方にエッチング
し、最終的に必要とする厚みの少し手前のところまでエ
ッチングが進んだとき、エッチング条件を変更して、エ
ッチングが基板１の側壁側に広がるように行うのである
（図１９ａ）。これにより基板１の裏面側より研削を進
めて溝９が貫通しても溝９の側面と研削面の角部（図１
９ａ）の破損を低減でき、また、基板１の大部分に於い
て垂直な面を持つ立体とすることができる。その結果、
周波数特性に悪影響を与えるなどの不都合が起こりにく
いという作用効果を奏する。なお、エッチング条件を変
えてエッチングが基板１の側壁側に広がるように行う方
法は、エッチングのガスを２弗化キセノンを用いる方法
があり、これにより溝９の底面付近のみを図１９ａのよ
うに側壁側に広げることが可能になる。

【００５９】次に、所望の電子素子１３に熱を加えた
後、または、熱を加えながら接着層１２から所望の電子
素子１３をピッキングする（図３Ｌ）。

【００６０】熱を加える方法としてははんだごてや赤外
線を用いることができる。

【００６１】前者の方法を用いる場合は、図２０に示す
ように、はんだごて１５を所望の電子素子１３に接触さ
せる。このときはんだごて１５の先端形状は図２１に示
すように、電子素子１３と同一の形状かもしくは電子素
子１３の外形より若干小さいほうが望ましい。これによ
り、はんだごて１５からの熱は電子素子１３に伝わる
が、所望の電子素子１３と隣の電子素子１３とは熱可塑
性樹脂のみによって接続されているので熱は所望の電子
素子１３以外へは伝わりにくい。したがって、図２２に
示すように所望の電子素子１３とダミー基板１１を接続
している接着層１２の領域周辺のみが溶解し、所望の電
子素子１３のピッキングが可能になるものである。

【００６２】後者の方法を用いる場合は、はんだごて１
５の場合と同様に、赤外線を所望の電子素子１３側から
照射する。このとき、所望の電子素子１３のみに赤外線
を照射する方法としては、例えば、図２３に示すように
赤外線源１６とダミー基板１１の間にマスク１７を設
け、所望の電子素子１３のみに赤外線が照射されるよう
にする。これにより、所望の電子素子１３の周辺のみが
加熱されて接着層１２が溶解し、所望の電子素子１３の
ピッキングが可能になるものである。

【００６３】続いて、図１６に示すようにレジストマス
ク８を有機溶剤やアルカリ溶液を用いて除去する（図３
Ｍ）。このとき必要であれば、電子素子１３に付着した
接着層１２の残留物も除去する。

【００６４】次に図２４に示すように、被実装体、例え
ば外装ケース１４に角速度センサ２１が実装（図３Ｎ）
されるものである。

【００６５】（実施の形態２）本実施の形態２および図
２５〜図２７により請求項５〜９に記載の発明を説明す
る。

【００６６】本実施の形態２が実施の形態１と異なる点
は、特に、赤外線を吸収する層１８を設けたダミー基板
１１を用いる点である。

【００６７】図２５、図２６のように接着層１２とダミ
ー基板１１の間に赤外線を吸収する層１８、例えば炭素
からなる層を設けることにより赤外線が吸収された層の
部位において急速に温度上昇が起こるため、より効率の
よい、所望の電子素子１３のピッキングが可能となるも
のである。

【００６８】また、ダミー基板１１として特に、シリコ
ンあるいは赤外線を透過するガラスを用いることによ
り、図２７に示すように赤外線の照射をダミー基板１１
側からも行うことができるので、所望の電子素子１３を
固定している接着層１２の部位に的確に赤外線を照射す
ることができ、その結果、より容易に所望の電子素子１
３をピッキングすることができるものである。以上の製
造方法および材料等以外は実施の形態１と同様の工法に
より角速度センサを得ることができるものである。

【００６９】（実施の形態３）本実施の形態３および図
２８、図２９により請求項１０〜１２に記載の発明を説
明する。

【００７０】本実施の形態３が実施の形態１と異なる点
は接着層１２の材料として紫外線の照射により粘着性が
低下する樹脂を用いる点である。

【００７１】上記樹脂としては、例えばダイシングテー
プの粘着剤として一般的に用いられる樹脂接着剤が挙げ
られ、各電子素子１３をピッキングする際所望の電子素
子１３に紫外線を照射することにより接着層１２から所
望の電子素子１３を容易に取り外すことができるもので
ある。

【００７２】ここで紫外線を所望の電子素子１３のみに
照射する方法としては、実施の形態２と同様、図２８に
示すように紫外線源２０と所望の電子素子１３の間にマ
スク１７を設ける方法が挙げられる。

【００７３】このとき、基板１の材料が例えばシリコン
など紫外線を透過しない材料の場合は、ダミー基板１１
の材料を紫外線が透過する材料、例えば石英、ホウ珪酸
ガラスなどを用いるとよい。すなわち、図２９に示すよ
うに、ダミー基板１１側から紫外線を照射することによ
り所望の電子素子１３とダミー基板１１を接続する接着
層１２のみに紫外線を効率よく照射することが可能にな
り、その結果、所望の電子素子１３のみをピッキングす
ることができるものである。

【００７４】以上の製造方法および材料等以外は実施の
形態１と同様の工法により角速度センサを得ることがで
きるものである。

【００７５】なお、以上の説明では電子部品として角速
度センサを示したが、これに限定されるものではなく、
例えば、振動子、アクチュエータ等の電子部品において
も同様の作用効果を奏するものである。

【００７６】

【発明の効果】以上のように本発明は、基板の表面に少
なくとも一つの電子素子を形成する第一の工程と、前記
電子素子の外周に沿って前記基板の表面側に溝を形成す
る第二の工程と、前記電子素子の表面側に熱可塑性樹脂
でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程
と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到
達するまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッ
キングして被実装体に実装する第五の工程を有する電子
部品の製造方法であり、特に、接着層の材料として熱可
塑性樹脂を用いることにより、以下の作用効果を奏す
る。

【００７７】すなわち、前記基板の一部を除去する際に
前記基板と前記ダミー基板との接合を確実なものとする
ことができ、加えて、電子素子をピッキングする際には
熱により可塑性を有するため電子素子のピッキングを容
易にすることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による角速度センサの斜
視図

【図２】同分解斜視図

【図３】本発明の一実施の形態による角速度センサの製
造工程を示す流れ図

【図４】同製造工程の一部を示す断面図

【図５】同断面図

【図６】同断面図

【図７】同断面図

【図８】同断面図

【図９】同断面図

【図１０】同断面図

【図１１】同断面図

【図１２】同断面図

【図１３】同断面図

【図１４】同断面図

【図１５】同断面図

【図１６】同断面図

【図１７】同製造工程の一部を示す斜視図

【図１８】同斜視図

【図１９】同製造工程を示す断面図

【図２０】同斜視図

【図２１】はんだごての一例の斜視図

【図２２】同断面図

【図２３】同断面図

【図２４】本発明の一実施の形態による角速度センサ電
子素子を実装後の斜視図

【図２５】同製造工程の一部を示す断面図

【図２６】同要部拡大断面図

【図２７】同断面図

【図２８】同断面図

【図２９】同断面図

【符号の説明】

１基板２バッファ層３下部電極層４圧電層５上部電極層５Ａ励振電極５Ｂ検出電極７素子形成用レジスト膜８レジストマスク９溝１０Ａ腕部１０Ｂ腕部１１ダミー基板１２接着層１３電子素子１４外装ケース１５はんだごて１６赤外線源１７マスク１８赤外線吸収層２０紫外線源２１角速度センサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者多鹿博文大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に少なくとも一つの電子素子
を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って
前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、前記電
子素子の表面側に熱可塑性樹脂でなる接着層を介してダ
ミー基板を接着する第三の工程と、前記基板の裏面側か
ら前記基板の一部を前記溝に到達するまで除去する第四
の工程と、前記電子素子をピッキングして被実装体に実
装する第五の工程を有する電子部品の製造方法。
【請求項２】基板には複数の電子素子が形成されてお
り、第四の工程の後には前記電子素子は熱可塑性樹脂の
みを介してダミー基板と接続されていることを特徴とす
る請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】第五の工程において、少なくとも所望の
電子素子に熱を加えた後、または、熱を加えながらピッ
キングする請求項１または請求項２に記載の電子部品の
製造方法。
【請求項４】電子素子に熱を加える方法としてはんだ
ごて、または、赤外線の少なくとも一つを用いる請求項
３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】基板の表面に少なくとも一つの電子素子
を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿って
前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、赤外線
を吸収する層を設けたダミー基板を用いて前記電子素子
の表面と前記赤外線を吸収する層が対面するように熱可
塑性樹脂でなる接着層を介して接着する第三の工程と、
前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到達す
るまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッキン
グして被実装体に実装する第五の工程を有する電子部品
の製造方法。
【請求項６】基板には複数の電子素子が形成されてお
り、第四の工程の後には前記電子素子は熱可塑性樹脂の
みを介してダミー基板と接続されていることを特徴とす
る請求項５に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】第五の工程において、少なくとも所望の
電子素子に熱を加えた後、または、熱を加えながらピッ
キングする請求項５または請求項６に記載の電子部品の
製造方法。
【請求項８】電子素子に熱を加える方法として赤外線
を用いる請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】ダミー基板としてシリコンもしくは赤外
線を透過するガラスを用いる請求項５または請求項６に
記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】基板の表面に少なくとも一つの電子素
子を形成する第一の工程と、前記電子素子の外周に沿っ
て前記基板の表面側に溝を形成する第二の工程と、前記
電子素子の表面側に紫外線により粘着性が低下する樹脂
でなる接着層を介してダミー基板を接着する第三の工程
と、前記基板の裏面側から前記基板の一部を前記溝に到
達するまで除去する第四の工程と、前記電子素子をピッ
キングして被実装体に実装する第五の工程を有する電子
部品の製造方法。
【請求項１１】第五の工程において、少なくとも所望
の電子素子に紫外線を照射した後、または、照射しなが
らピッキングする請求項１０に記載の電子部品の製造方
法。
【請求項１２】ダミー基板の材料として紫外線を透過
する材料を用いる請求項１０に記載の電子部品の製造方
法。