JP2003242916A - 電子線装置及びその高電圧放電防止方法 - Google Patents
電子線装置及びその高電圧放電防止方法Info
- Publication number
- JP2003242916A JP2003242916A JP2002038525A JP2002038525A JP2003242916A JP 2003242916 A JP2003242916 A JP 2003242916A JP 2002038525 A JP2002038525 A JP 2002038525A JP 2002038525 A JP2002038525 A JP 2002038525A JP 2003242916 A JP2003242916 A JP 2003242916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- voltage
- electron
- high voltage
- beam apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000002265 prevention Effects 0.000 title claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 29
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/241—High voltage power supply or regulation circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙に水分
ができるだけ含まない状態に維持し、高電圧放電やリー
ク電流を生じないようにすることのできる電子線装置及
び方法を提供する。 【解決手段】 電子源からの電子を放出させない状態
で、加速電極に高電圧を印加し、このときの加速電圧の
変化に対応するエミッション電流の変化を検出する手段
を備える。また、このエミッション電流の変化分が所定
の値を超えたときに警告を発する手段を備える。さら
に、電子銃の高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙部
に、乾燥気体を流すことにより、前記空隙部を除湿する
手段を備える。これにより空隙部の水分の増大による高
電圧放電や、リーク電流による電子ビームの不安定性を
防止することができる。
ができるだけ含まない状態に維持し、高電圧放電やリー
ク電流を生じないようにすることのできる電子線装置及
び方法を提供する。 【解決手段】 電子源からの電子を放出させない状態
で、加速電極に高電圧を印加し、このときの加速電圧の
変化に対応するエミッション電流の変化を検出する手段
を備える。また、このエミッション電流の変化分が所定
の値を超えたときに警告を発する手段を備える。さら
に、電子銃の高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙部
に、乾燥気体を流すことにより、前記空隙部を除湿する
手段を備える。これにより空隙部の水分の増大による高
電圧放電や、リーク電流による電子ビームの不安定性を
防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高輝度電子源を備
えた電子線装置に係り、特にショットキーエミッション
効果を利用した電子銃を搭載した装置に使用するに好適
な電子線装置及びその高電圧放電防止方法に関する。
えた電子線装置に係り、特にショットキーエミッション
効果を利用した電子銃を搭載した装置に使用するに好適
な電子線装置及びその高電圧放電防止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線装置は、電子線を取り出すための
電子銃を必要とするが、通常、電子銃の高圧導入碍子部
に大気圧側より挿入して電子源にフィラメント加熱電流
や高電圧を供給するための高圧ケーブルが取り付けられ
ている。ところがこの高圧導入碍子表面及び高圧ケーブ
ルの表面や、両者の空隙に存在する気体（通常は空気）
に水分が残留していると、高圧印加時に放電を発生し、
電子源が破損されることがある。これを防止するため
に、従来は、高圧導入碍子と高圧ケーブルの表面をドラ
イヤーでよく乾燥させ、両者の空隙に外部から湿気が入
り込まないように、両者間の気密性を保つようにしてい
た。
電子銃を必要とするが、通常、電子銃の高圧導入碍子部
に大気圧側より挿入して電子源にフィラメント加熱電流
や高電圧を供給するための高圧ケーブルが取り付けられ
ている。ところがこの高圧導入碍子表面及び高圧ケーブ
ルの表面や、両者の空隙に存在する気体（通常は空気）
に水分が残留していると、高圧印加時に放電を発生し、
電子源が破損されることがある。これを防止するため
に、従来は、高圧導入碍子と高圧ケーブルの表面をドラ
イヤーでよく乾燥させ、両者の空隙に外部から湿気が入
り込まないように、両者間の気密性を保つようにしてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電子線
装置の電子銃では、大気圧側で高圧ケーブルを高圧導入
碍子側へ挿入する際、外部から湿気が入り込まないよう
密封しても、高圧ケーブルの導電部と絶縁体部（モール
ド材）の接合部は、長期間気密性を保つことが難しい。
このため、時間の経過とともに、湿気を含んだ空気が、
高圧導入碍子と高圧ケーブル間の空隙に入り込み、水分
が増大し、高電圧印加中にイオン化して放電したり、リ
ーク電流が発生して、電子源の破損や、ビーム電流が不
安定になるといった問題があった。
装置の電子銃では、大気圧側で高圧ケーブルを高圧導入
碍子側へ挿入する際、外部から湿気が入り込まないよう
密封しても、高圧ケーブルの導電部と絶縁体部（モール
ド材）の接合部は、長期間気密性を保つことが難しい。
このため、時間の経過とともに、湿気を含んだ空気が、
高圧導入碍子と高圧ケーブル間の空隙に入り込み、水分
が増大し、高電圧印加中にイオン化して放電したり、リ
ーク電流が発生して、電子源の破損や、ビーム電流が不
安定になるといった問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上述した従来技術の課題
を解決し、高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙に水分
ができるだけ含まない状態に維持し、高電圧放電やリー
ク電流を生じないようにすることのできる電子線装置及
び方法を提供することにある。
を解決し、高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙に水分
ができるだけ含まない状態に維持し、高電圧放電やリー
ク電流を生じないようにすることのできる電子線装置及
び方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明は、電子線を取り出すための電子銃を有
する電子線装置において、電子源からの電子を放出させ
ない状態で、加速電極に高電圧を印加し、このときの加
速電圧の変化に対応するエミッション電流の変化を検出
する手段を備える。また、このエミッション電流の変化
分が所定の値を超えたときに警告を発する手段を備え
る。さらに、電子銃の高圧ケーブルと高圧導入碍子間の
空隙部に、乾燥気体を流すことにより、前記空隙部を除
湿する手段を備える。これにより空隙部の水分の増大に
よる高電圧放電や、リーク電流による電子ビームの不安
定性を防止する。
ために、本発明は、電子線を取り出すための電子銃を有
する電子線装置において、電子源からの電子を放出させ
ない状態で、加速電極に高電圧を印加し、このときの加
速電圧の変化に対応するエミッション電流の変化を検出
する手段を備える。また、このエミッション電流の変化
分が所定の値を超えたときに警告を発する手段を備え
る。さらに、電子銃の高圧ケーブルと高圧導入碍子間の
空隙部に、乾燥気体を流すことにより、前記空隙部を除
湿する手段を備える。これにより空隙部の水分の増大に
よる高電圧放電や、リーク電流による電子ビームの不安
定性を防止する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳述する。
施の形態を詳述する。
【０００７】図１は、本発明による電子線装置の一実施
の形態を示す構成概略図であり、ショットキーエミッシ
ョンタイプの電子銃を搭載した走査形電子顕微鏡（Ｓｃ
ａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｅ、以下ＳＥＭと略す）についての実施例である。
の形態を示す構成概略図であり、ショットキーエミッシ
ョンタイプの電子銃を搭載した走査形電子顕微鏡（Ｓｃ
ａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｅ、以下ＳＥＭと略す）についての実施例である。
【０００８】ショットキーエミッションタイプの電子銃
は、主として、針状陰極（ＳＥ−ｔｉｐ）１、サプレッ
サ電極２、第１陽極３、第２陽極４、等からなる。針状
陰極１と第１陽極３との間には、１〜３ｋＶ程度の引出
し電圧Ｖ1を印加する。この電界により、例えば、Ｚｒ
Ｏ／Ｗのチップで構成される針状陰極から電子５を放出
せしめる。それらの電子流は、エミッション電流Ｉｅと
して検出される。これら電子の一部は、第１陽極の中心
孔を通過し、針状陰極１と第２陽極４との間に印加され
た０．５ｋＶ〜数１０ｋＶ程度の加速電圧Ｖ0によって
加速される。
は、主として、針状陰極（ＳＥ−ｔｉｐ）１、サプレッ
サ電極２、第１陽極３、第２陽極４、等からなる。針状
陰極１と第１陽極３との間には、１〜３ｋＶ程度の引出
し電圧Ｖ1を印加する。この電界により、例えば、Ｚｒ
Ｏ／Ｗのチップで構成される針状陰極から電子５を放出
せしめる。それらの電子流は、エミッション電流Ｉｅと
して検出される。これら電子の一部は、第１陽極の中心
孔を通過し、針状陰極１と第２陽極４との間に印加され
た０．５ｋＶ〜数１０ｋＶ程度の加速電圧Ｖ0によって
加速される。
【０００９】なお、第２陽極４はアース（Ｅ）６と同電
位になっている。また、図示はしていないが、電子銃に
よっては、第１陽極３と第２陽極４との間に静電レンズ
のフォーカス作用を調整するための第３陽極（Ｖ2）が
設けられている場合もある。サプレッサ電極２は、針状
陰極１を保持しているフィラメントに加熱電流Ｉｆを流
すことによって放出される不要な熱電子を抑制するため
の電極である。これに０．１〜１ｋＶ程度の負の電圧Ｖ
ｓが印加される。これらのＩｆ、Ｉｅ、Ｖｓ、Ｖ1、Ｖ
0 は高圧電源７に組込まれ、高圧制御回路８とＳＥＭ全
体のシステムを制御する中央制御装置（ＣＰＵ）９につ
ながっている。
位になっている。また、図示はしていないが、電子銃に
よっては、第１陽極３と第２陽極４との間に静電レンズ
のフォーカス作用を調整するための第３陽極（Ｖ2）が
設けられている場合もある。サプレッサ電極２は、針状
陰極１を保持しているフィラメントに加熱電流Ｉｆを流
すことによって放出される不要な熱電子を抑制するため
の電極である。これに０．１〜１ｋＶ程度の負の電圧Ｖ
ｓが印加される。これらのＩｆ、Ｉｅ、Ｖｓ、Ｖ1、Ｖ
0 は高圧電源７に組込まれ、高圧制御回路８とＳＥＭ全
体のシステムを制御する中央制御装置（ＣＰＵ）９につ
ながっている。
【００１０】加速電圧Ｖ0により加速された電子は、第
２陽極４の中心孔を通過して、電子ビーム１０となる。
そして第２陽極の下方に付設された収束レンズ（または
コンデンサレンズ）１１と称される電磁レンズと、収束
レンズ電源１２と、収束レンズ制御回路１３により、所
望の位置に焦点が結ぶよう構成される。電子銃室１４
は、通常、イオンポンプ１５で１０-7 Ｐａ以下の真空
度（圧力）に維持される。また、収束レンズ１１のおか
れている電磁レンズ室１６は、別のイオンポンプ１７で
１０-6Ｐａ以下の真空度（圧力）に維持されている。な
お、電子銃室のイオンポンプは、１台に限らず、複数台
設けられている場合もあるが、ここでは１台のみで構成
されている場合を例にとり説明する。
２陽極４の中心孔を通過して、電子ビーム１０となる。
そして第２陽極の下方に付設された収束レンズ（または
コンデンサレンズ）１１と称される電磁レンズと、収束
レンズ電源１２と、収束レンズ制御回路１３により、所
望の位置に焦点が結ぶよう構成される。電子銃室１４
は、通常、イオンポンプ１５で１０-7 Ｐａ以下の真空
度（圧力）に維持される。また、収束レンズ１１のおか
れている電磁レンズ室１６は、別のイオンポンプ１７で
１０-6Ｐａ以下の真空度（圧力）に維持されている。な
お、電子銃室のイオンポンプは、１台に限らず、複数台
設けられている場合もあるが、ここでは１台のみで構成
されている場合を例にとり説明する。
【００１１】収束レンズ１１の下方には、対物レンズ１
８と称される電磁レンズが更に設けられ、対物レンズ電
源１９と、対物レンズ制御回路２０により、試料ステー
ジ２１に載置された試料２２の上に電子ビーム１０をフ
ォーカスさせる。このフォーカスされた電子ビームを、
偏向コイル２３と走査電源２４と倍率制御回路２５によ
り試料面上で走査するとともに、試料から発生した二次
電子２６などの信号を、信号検出器２７で検出し、信号
増幅器２８で増幅する。
８と称される電磁レンズが更に設けられ、対物レンズ電
源１９と、対物レンズ制御回路２０により、試料ステー
ジ２１に載置された試料２２の上に電子ビーム１０をフ
ォーカスさせる。このフォーカスされた電子ビームを、
偏向コイル２３と走査電源２４と倍率制御回路２５によ
り試料面上で走査するとともに、試料から発生した二次
電子２６などの信号を、信号検出器２７で検出し、信号
増幅器２８で増幅する。
【００１２】この信号を、映像信号として陰極線管（Ｃ
ａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ：以下ＣＲＴと略す）
２９に送り、ＣＲＴ上でＳＥＭ像として観察する。
ａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ：以下ＣＲＴと略す）
２９に送り、ＣＲＴ上でＳＥＭ像として観察する。
【００１３】また、走査像を記録したい場合は、カメラ
装置３０で、撮影用ＣＲＴ３１の表示像を撮影するか、
図示はしていないが、イメージプリンタに記録する。あ
るいは、信号制御回路３２、及びメモリ回路３３により
画像を記憶する。さらには、中央制御装置９を介してハ
ードディスク３４や、光ディスク３５、あるいは光磁気
ディスク３６などの外部記憶装置３７に記憶する。
装置３０で、撮影用ＣＲＴ３１の表示像を撮影するか、
図示はしていないが、イメージプリンタに記録する。あ
るいは、信号制御回路３２、及びメモリ回路３３により
画像を記憶する。さらには、中央制御装置９を介してハ
ードディスク３４や、光ディスク３５、あるいは光磁気
ディスク３６などの外部記憶装置３７に記憶する。
【００１４】なお、収束レンズ１１の下方には、試料室
３８との間を真空的に遮断したり、連通したりするため
のエアーロック装置３９が設けられ、試料交換時に開閉
されるようになっている。
３８との間を真空的に遮断したり、連通したりするため
のエアーロック装置３９が設けられ、試料交換時に開閉
されるようになっている。
【００１５】試料室３８はターボ分子ポンプなどの排気
ポンプ４０により、通常、１０-4Ｐａ台の真空度に保た
れる。試料室３８を含む各部分の真空度は、排気系制御
回路４１により制御されている。また、対物レンズ１８
の上方（または、対物レンズギャップ内）には、電子ビ
ームを細く絞ったり、散乱電子をカットするための対物
可動絞り４２が設けられている。更に、この絞り上に照
射された電子線の量（プローブ電流ＩＰ1）を検出する
ための電子流検出器４３とその信号増幅器４４が設けら
れ、プローブ電流ＩＰ1検出回路４５に連結されてい
る。
ポンプ４０により、通常、１０-4Ｐａ台の真空度に保た
れる。試料室３８を含む各部分の真空度は、排気系制御
回路４１により制御されている。また、対物レンズ１８
の上方（または、対物レンズギャップ内）には、電子ビ
ームを細く絞ったり、散乱電子をカットするための対物
可動絞り４２が設けられている。更に、この絞り上に照
射された電子線の量（プローブ電流ＩＰ1）を検出する
ための電子流検出器４３とその信号増幅器４４が設けら
れ、プローブ電流ＩＰ1検出回路４５に連結されてい
る。
【００１６】一方、試料２２には、ファラデーカップに
相当するような、径が小さくて深い穴が設けられ、試料
ステージ駆動電源４６とステージ制御回路４７により、
この深穴の中心を光軸の中心に持ってきて、試料上への
全照射電流を受けられるようになっている。これはＳＥ
Ｍ像を観察しながら倍率を最大に上げることで容易に行
える。もちろん試料ステージは、手動で動かせるように
なっていてもかまわない。このようにして試料上の穴で
受けた試料照射電流は、試料ステージ２１の試料電流導
入端子（図示せず）を介して、真空外で微少電流計４８
に接続し、プローブ電流ＩＰ2検出回路４９でプローブ
電流ＩＰ2として、検出できるようになっている。な
お、このＩＰ2検出は、別途試料室に取付けたファラデ
ーカップ（図示せず）で行えるようになっていてもよ
い。
相当するような、径が小さくて深い穴が設けられ、試料
ステージ駆動電源４６とステージ制御回路４７により、
この深穴の中心を光軸の中心に持ってきて、試料上への
全照射電流を受けられるようになっている。これはＳＥ
Ｍ像を観察しながら倍率を最大に上げることで容易に行
える。もちろん試料ステージは、手動で動かせるように
なっていてもかまわない。このようにして試料上の穴で
受けた試料照射電流は、試料ステージ２１の試料電流導
入端子（図示せず）を介して、真空外で微少電流計４８
に接続し、プローブ電流ＩＰ2検出回路４９でプローブ
電流ＩＰ2として、検出できるようになっている。な
お、このＩＰ2検出は、別途試料室に取付けたファラデ
ーカップ（図示せず）で行えるようになっていてもよ
い。
【００１７】ショットキーエミッションタイプの電子銃
で取り出されるビーム電流は、非常に輝度が高く、しか
も長時間にわたってビーム電流の変動が数％以下であ
り、極めて安定であるという特長を持っている。しかし
ながら、電子銃の電極間で放電が発生したり、高圧ケー
ブルや高圧導入碍子の導電部とアース間で放電が発生す
ると、瞬時に電子源の先端が溶断し、高輝度の電子ビー
ムが得られなくなり、ＳＥＭ像としての分解能も得られ
なくなることがある。この場合の画像劣化や分解能低下
など、電子線の不適正な照射の原因の究明を行うのに好
適な電子線装置及び電子銃の良否判定方法に関しては、
本発明者らがすでにＰＣＴ／ＪＰ９９／０６２５８で特
許出願をしている。ただし、これはショットキーエミッ
ション電子源の良否判定に関するものである。
で取り出されるビーム電流は、非常に輝度が高く、しか
も長時間にわたってビーム電流の変動が数％以下であ
り、極めて安定であるという特長を持っている。しかし
ながら、電子銃の電極間で放電が発生したり、高圧ケー
ブルや高圧導入碍子の導電部とアース間で放電が発生す
ると、瞬時に電子源の先端が溶断し、高輝度の電子ビー
ムが得られなくなり、ＳＥＭ像としての分解能も得られ
なくなることがある。この場合の画像劣化や分解能低下
など、電子線の不適正な照射の原因の究明を行うのに好
適な電子線装置及び電子銃の良否判定方法に関しては、
本発明者らがすでにＰＣＴ／ＪＰ９９／０６２５８で特
許出願をしている。ただし、これはショットキーエミッ
ション電子源の良否判定に関するものである。
【００１８】一方、高圧ケーブルや高圧導入碍子表面の
絶縁性が低下し、高電圧印加時のリーク電流が増大して
ビーム電流が不安定になり、分解能の低下をきたすこと
がある。これらは、高圧ケーブルや高圧導入碍子表面の
汚れや、チリ、ホコリの付着が原因の場合もあるが、装
置のＯＮ−ＯＦＦによって電子銃部の温度変化が何度も
繰り返されたり、湿度の高い環境下で電子銃部放電やリ
ーク電流が発生しやすいという場合は、高圧ケーブル表
面あるいは高圧導入碍子表面や、両者間の空隙部の水分
が高電圧下でイオン化して微小放電が発生しやすくなる
ためと考えられる。いったん放電で、電子源が溶断する
と、電子源の交換から超真空排気、電子銃ベーキング、
電子銃のコンディショニング（耐電圧テスト）、ビーム
出しなど、装置を正常な状態に立ち上げるまでに長時間
を要することから、労力、時間、コストなどの面で、そ
の損失はきわめて大きい。このため、本実施例では、高
圧ケーブルの電子銃側を封止し、除湿する手段１０１を
備えている。
絶縁性が低下し、高電圧印加時のリーク電流が増大して
ビーム電流が不安定になり、分解能の低下をきたすこと
がある。これらは、高圧ケーブルや高圧導入碍子表面の
汚れや、チリ、ホコリの付着が原因の場合もあるが、装
置のＯＮ−ＯＦＦによって電子銃部の温度変化が何度も
繰り返されたり、湿度の高い環境下で電子銃部放電やリ
ーク電流が発生しやすいという場合は、高圧ケーブル表
面あるいは高圧導入碍子表面や、両者間の空隙部の水分
が高電圧下でイオン化して微小放電が発生しやすくなる
ためと考えられる。いったん放電で、電子源が溶断する
と、電子源の交換から超真空排気、電子銃ベーキング、
電子銃のコンディショニング（耐電圧テスト）、ビーム
出しなど、装置を正常な状態に立ち上げるまでに長時間
を要することから、労力、時間、コストなどの面で、そ
の損失はきわめて大きい。このため、本実施例では、高
圧ケーブルの電子銃側を封止し、除湿する手段１０１を
備えている。
【００１９】図２は、図１における高圧ケーブルの電子
銃側を封止し空隙部１０２を除湿する手段１０１を更に
詳しく説明するための構成概略図である。
銃側を封止し空隙部１０２を除湿する手段１０１を更に
詳しく説明するための構成概略図である。
【００２０】図２において、高圧ケーブル１０３は、電
子銃室の大気圧側高圧導入碍子１０４に挿入され、電子
銃室内の針状陰極１やサプレッサ電極２、第１陽極３と
つながるようになっている。この高圧ケーブル１０３の
外周部に取付けられた押さえ１０５と、高圧導入碍子１
０４との間には、Ｏリングあるいはゴムパッキングある
いはポリイミド樹脂などの高絶縁性シール材１０６が設
けられ、外部からの湿気が入り込まないよう密封されて
いる。通常のビーム出し状態では、Ｉｆ、Ｖｓ、Ｖ1、
Ｖ0がＯＮになり、針状陰極１の温度は１６００Ｋ〜１
８００Ｋに保たれている。このときの高圧ケーブルと高
圧導入碍子の接触面は、針状陰極のフィラメント部から
の熱伝導により、５０℃〜６０℃に達する。このため、
高圧ケーブルや高圧導入碍子に水分が吸着していると、
両者間の空隙部１０２に放出されて、高電圧印加中にイ
オン化し、放電やリーク電流の原因になると考えられ
る。
子銃室の大気圧側高圧導入碍子１０４に挿入され、電子
銃室内の針状陰極１やサプレッサ電極２、第１陽極３と
つながるようになっている。この高圧ケーブル１０３の
外周部に取付けられた押さえ１０５と、高圧導入碍子１
０４との間には、Ｏリングあるいはゴムパッキングある
いはポリイミド樹脂などの高絶縁性シール材１０６が設
けられ、外部からの湿気が入り込まないよう密封されて
いる。通常のビーム出し状態では、Ｉｆ、Ｖｓ、Ｖ1、
Ｖ0がＯＮになり、針状陰極１の温度は１６００Ｋ〜１
８００Ｋに保たれている。このときの高圧ケーブルと高
圧導入碍子の接触面は、針状陰極のフィラメント部から
の熱伝導により、５０℃〜６０℃に達する。このため、
高圧ケーブルや高圧導入碍子に水分が吸着していると、
両者間の空隙部１０２に放出されて、高電圧印加中にイ
オン化し、放電やリーク電流の原因になると考えられ
る。
【００２１】通常は高圧ケーブルを高圧導入碍子に挿入
する前に、両者の表面をあらかじめドライヤーなどでよ
く乾燥させるが、挿入後の状態は、必ずしも外気に対し
て完全密封されるわけではなく、外気を遮断するための
封止部材（Ｏリングやゴムパッキングなど）や高圧ケー
ブルの導電部などの隙間から多少の空気の出入りがあ
る。また高圧電源のＯＮ−ＯＦＦでフィラメント電流に
よるヒートサイクルがかかるので、冷えているときに外
気からの水分が浸入すると、高圧電源の再立ち上げで、
加速電圧上昇中にイオン化が生じて、放電のやリーク電
流発生の引き金となることがある。この予兆は、本発明
の次のような方法によって予測することができる。
する前に、両者の表面をあらかじめドライヤーなどでよ
く乾燥させるが、挿入後の状態は、必ずしも外気に対し
て完全密封されるわけではなく、外気を遮断するための
封止部材（Ｏリングやゴムパッキングなど）や高圧ケー
ブルの導電部などの隙間から多少の空気の出入りがあ
る。また高圧電源のＯＮ−ＯＦＦでフィラメント電流に
よるヒートサイクルがかかるので、冷えているときに外
気からの水分が浸入すると、高圧電源の再立ち上げで、
加速電圧上昇中にイオン化が生じて、放電のやリーク電
流発生の引き金となることがある。この予兆は、本発明
の次のような方法によって予測することができる。
【００２２】すなわち、本実施例では、高圧ケーブルを
高圧導入碍子に挿入した状態で、Ｉｆ、Ｖｓ、Ｖ1をＯ
ＦＦ（０Ｖ：ただし、本明細書においてＯＦＦ又は０Ｖ
という時には厳密に０Ｖの場合のみならず、０Ｖに近い
正又は負の電圧の場合も含まれる）にし、Ｖ0のみ次第
に上昇させてゆき、そのときのエミッション電流Ｉｅを
測定する。その特性例を図３に示す。
高圧導入碍子に挿入した状態で、Ｉｆ、Ｖｓ、Ｖ1をＯ
ＦＦ（０Ｖ：ただし、本明細書においてＯＦＦ又は０Ｖ
という時には厳密に０Ｖの場合のみならず、０Ｖに近い
正又は負の電圧の場合も含まれる）にし、Ｖ0のみ次第
に上昇させてゆき、そのときのエミッション電流Ｉｅを
測定する。その特性例を図３に示す。
【００２３】図３において、もし高圧ケーブルや高圧導
入碍子の表面が十分乾燥していて、両者間の空隙部１０
２の気体も十分に乾燥していれば、図中ａに示すように
加速電圧を上げていっても、通常使用する最大加速電圧
（たとえば３０ｋＶ）までＩｅにはほとんど変化は生じ
ない。ところが高圧ケーブルや高圧導入碍子の表面に水
分が付着していたり、導電性を与えるような汚れが付着
していた場合には、図中ｂに示すように、例えば加速電
圧２５ｋＶあたりから、微小なリーク電流が検出される
ようになる（図３中のｃ、ｄについては後述する）。こ
の状態を例えば３０分程度連続して監視し、図１で示し
たキーボード５０から自己診断プログラム５１を起動
し、高圧制御回路８と中央制御装置９を介して時々刻々
のＩｅの変化をプリンタ５３に出力するか、ＣＲＴ２９
上に表示させる。また、記憶装置３７に記憶させる。Ｉ
ｅがある所定値を超えた場合、例えば０．５μＡを超え
た場合は、警報表示回路５２と中央制御装置９を介して
ブザーで警告する。あるいは、ＣＲＴ２９上に警報表示
するか、プリンタ出力装置５３に警告を表示する。
入碍子の表面が十分乾燥していて、両者間の空隙部１０
２の気体も十分に乾燥していれば、図中ａに示すように
加速電圧を上げていっても、通常使用する最大加速電圧
（たとえば３０ｋＶ）までＩｅにはほとんど変化は生じ
ない。ところが高圧ケーブルや高圧導入碍子の表面に水
分が付着していたり、導電性を与えるような汚れが付着
していた場合には、図中ｂに示すように、例えば加速電
圧２５ｋＶあたりから、微小なリーク電流が検出される
ようになる（図３中のｃ、ｄについては後述する）。こ
の状態を例えば３０分程度連続して監視し、図１で示し
たキーボード５０から自己診断プログラム５１を起動
し、高圧制御回路８と中央制御装置９を介して時々刻々
のＩｅの変化をプリンタ５３に出力するか、ＣＲＴ２９
上に表示させる。また、記憶装置３７に記憶させる。Ｉ
ｅがある所定値を超えた場合、例えば０．５μＡを超え
た場合は、警報表示回路５２と中央制御装置９を介して
ブザーで警告する。あるいは、ＣＲＴ２９上に警報表示
するか、プリンタ出力装置５３に警告を表示する。
【００２４】警告が発せられた場合は、Ｖ0をＯＦＦ
（もちろんＩｆ、Ｖｓ、Ｖ1もＯＦＦ）にする。この
後、図２に示した空隙部除湿手段１０１により、除湿を
行う。その手順の一例について述べる。図２において、
乾燥気体導入バルブ（ＶＡ１）１０７と乾燥気体排出バ
ルブ（ＶＡ２）１０８を開にして乾燥気体装置１０９か
ら乾燥気体を導入し、空隙部１０２に以前からあった気
体を入れ換える。一定時間、気体の置換を行った後、前
記バルブＶＡ１、ＶＡ２を閉じる。乾燥気体としては、
ドライエア、またはドライ窒素ガスが適切である。ただ
し、ドライ窒素ガスは酸欠に十分注意を払う必要があ
る。
（もちろんＩｆ、Ｖｓ、Ｖ1もＯＦＦ）にする。この
後、図２に示した空隙部除湿手段１０１により、除湿を
行う。その手順の一例について述べる。図２において、
乾燥気体導入バルブ（ＶＡ１）１０７と乾燥気体排出バ
ルブ（ＶＡ２）１０８を開にして乾燥気体装置１０９か
ら乾燥気体を導入し、空隙部１０２に以前からあった気
体を入れ換える。一定時間、気体の置換を行った後、前
記バルブＶＡ１、ＶＡ２を閉じる。乾燥気体としては、
ドライエア、またはドライ窒素ガスが適切である。ただ
し、ドライ窒素ガスは酸欠に十分注意を払う必要があ
る。
【００２５】図４は、図２で示した乾燥気体装置１０９
関係部分の他の一実施例を示したものである。乾燥気体
を送り出す側に、空隙部１０２の気体を追い出すための
気体排出手段（エアコンプレッサ）１１０を取付けて乾
燥気体と置換しやすくするとともに、乾燥気体（通常は
エア）の除湿度を高めるための乾燥剤１１１と、エア中
の微細な塵埃を除去するためのエアフィルタ１１２を設
けている。これにより、より清浄な乾燥気体を迅速に置
換ができるようになる。
関係部分の他の一実施例を示したものである。乾燥気体
を送り出す側に、空隙部１０２の気体を追い出すための
気体排出手段（エアコンプレッサ）１１０を取付けて乾
燥気体と置換しやすくするとともに、乾燥気体（通常は
エア）の除湿度を高めるための乾燥剤１１１と、エア中
の微細な塵埃を除去するためのエアフィルタ１１２を設
けている。これにより、より清浄な乾燥気体を迅速に置
換ができるようになる。
【００２６】図５は、図２で示した乾燥気体装置１０９
関係部分の他の一実施例を示したもので、図４の実施例
に、以下の機能を付加している。
関係部分の他の一実施例を示したもので、図４の実施例
に、以下の機能を付加している。
【００２７】すなわち、乾燥気体の排出される側に、空
隙部１０２の気体を排出する手段（油回転ポンプやメカ
ニカルブースタなどの機械的真空ポンプ、あるいはソー
プションポンプなど）１１３を設けている。なお、油回
転ポンプの場合は、図示はしないが、乾燥気体排出バル
ブ（ＶＡ２）１０８との間にフォアライントラップを設
けて、油回転ポンプからのオイル蒸気が、空隙部１０２
側に逆流しないようにしておくことが望ましい。また、
図５の実施例では、乾燥気体の流路の一部に、湿度セン
サ１１４、温度センサ１１５、圧力センサ１１６を設け
ている。これにより、空隙部及び乾燥気体の流路の湿
度、温度、圧力を随時監視できるようになる。湿度セン
サ１１４は、流路系統の湿度の来歴を記録に取ればなお
有効である。温度センサ１１５は、常温より高い乾燥気
体を流路系統に流し、効率よく除湿する場合の温度管理
に有用である。また、圧力センサ１１６は、流路系統の
圧力が必要以上に高くなったり、低くなったりしないよ
うに、調節したり、安全面での監視に有用である。
隙部１０２の気体を排出する手段（油回転ポンプやメカ
ニカルブースタなどの機械的真空ポンプ、あるいはソー
プションポンプなど）１１３を設けている。なお、油回
転ポンプの場合は、図示はしないが、乾燥気体排出バル
ブ（ＶＡ２）１０８との間にフォアライントラップを設
けて、油回転ポンプからのオイル蒸気が、空隙部１０２
側に逆流しないようにしておくことが望ましい。また、
図５の実施例では、乾燥気体の流路の一部に、湿度セン
サ１１４、温度センサ１１５、圧力センサ１１６を設け
ている。これにより、空隙部及び乾燥気体の流路の湿
度、温度、圧力を随時監視できるようになる。湿度セン
サ１１４は、流路系統の湿度の来歴を記録に取ればなお
有効である。温度センサ１１５は、常温より高い乾燥気
体を流路系統に流し、効率よく除湿する場合の温度管理
に有用である。また、圧力センサ１１６は、流路系統の
圧力が必要以上に高くなったり、低くなったりしないよ
うに、調節したり、安全面での監視に有用である。
【００２８】なお、前記乾燥剤１１１、エアフィルタ１
１２、湿度センサ１１４などからも水分が放出される可
能性があるので、図５に示すように高圧導入碍子側の空
隙部１０２になるべく近い位置に、乾燥気体流路の入口
側に開閉バルブ（ＶＡ３）１１７と、出口側に開閉バル
ブ（ＶＡ４）１１８が設けてあってもよい。
１２、湿度センサ１１４などからも水分が放出される可
能性があるので、図５に示すように高圧導入碍子側の空
隙部１０２になるべく近い位置に、乾燥気体流路の入口
側に開閉バルブ（ＶＡ３）１１７と、出口側に開閉バル
ブ（ＶＡ４）１１８が設けてあってもよい。
【００２９】さて、このようにして、高圧ケーブルと高
圧導入碍子間の空隙部１０２の気体を置換した後、再度
Ｖ0を最大値にまで印加して、Ｉｅの値が所定値以内に
収まれば、該空隙部の湿度によるものであったことが分
かり、長時間安定にビーム出しをすることが可能にな
る。
圧導入碍子間の空隙部１０２の気体を置換した後、再度
Ｖ0を最大値にまで印加して、Ｉｅの値が所定値以内に
収まれば、該空隙部の湿度によるものであったことが分
かり、長時間安定にビーム出しをすることが可能にな
る。
【００３０】また、Ｉｅが所定値以内にない場合は、原
因は電子銃の大気圧側の水分にあるのではなく、別の原
因があることになる。そのような場合、電子銃内部の構
成部材、例えば、第１陽極３と第２陽極４の間や、針状
陰極１以外の電極とアース電位部材との間に発生した微
小突起による電界放出や、絶縁碍子など真空内部材の表
面の汚れにより、リーク電流が発生し、Ｉｅが微小なが
ら検出されたと考えられる。この場合、電子銃より下方
のプローブ電流ＩＰ1やＩＰ2は、検出されないが、Ｉｅ
に起因する放出ガスがあり、電子銃室１４の超高真空排
気手段であるイオンポンプ１５には、図３中のｄに示す
ように電子銃室真空度（ＰG）の変化、すなわちイオン
ポンプのイオン電流の変化となって現れる。これをモニ
ターすることで、電子銃室内でのリーク電流現象を確認
することができる。イオンポンプ電流の代わりに電子銃
室の一部に真空計を取り付けて真空度変化を検出しても
よい。Ｉｅの変化と電子銃室の真空度変化の対応がつく
ならば、これは、電子銃室内の問題であり、電子銃内構
成部材の点検とクリーニングが必要という自己診断が可
能となる。また、電子銃室の真空度変化が見られない場
合（図３中のｃの例）は、電子銃室外の高圧ケーブルか
高圧導入碍子表面の汚れがリーク電流の原因になってい
ると考えられ、これら表面のクリーニングが必要と判断
でき、行うべきメンテナンス作業の判断を適確に下すこ
とができる。
因は電子銃の大気圧側の水分にあるのではなく、別の原
因があることになる。そのような場合、電子銃内部の構
成部材、例えば、第１陽極３と第２陽極４の間や、針状
陰極１以外の電極とアース電位部材との間に発生した微
小突起による電界放出や、絶縁碍子など真空内部材の表
面の汚れにより、リーク電流が発生し、Ｉｅが微小なが
ら検出されたと考えられる。この場合、電子銃より下方
のプローブ電流ＩＰ1やＩＰ2は、検出されないが、Ｉｅ
に起因する放出ガスがあり、電子銃室１４の超高真空排
気手段であるイオンポンプ１５には、図３中のｄに示す
ように電子銃室真空度（ＰG）の変化、すなわちイオン
ポンプのイオン電流の変化となって現れる。これをモニ
ターすることで、電子銃室内でのリーク電流現象を確認
することができる。イオンポンプ電流の代わりに電子銃
室の一部に真空計を取り付けて真空度変化を検出しても
よい。Ｉｅの変化と電子銃室の真空度変化の対応がつく
ならば、これは、電子銃室内の問題であり、電子銃内構
成部材の点検とクリーニングが必要という自己診断が可
能となる。また、電子銃室の真空度変化が見られない場
合（図３中のｃの例）は、電子銃室外の高圧ケーブルか
高圧導入碍子表面の汚れがリーク電流の原因になってい
ると考えられ、これら表面のクリーニングが必要と判断
でき、行うべきメンテナンス作業の判断を適確に下すこ
とができる。
【００３１】以上のような実施例で示した手順は、前記
自己診断プログラム５１に織り込み、ある一定の期間に
適宜、この自己診断プログラムを起動させて、加速電圧
の印加によるエミッション電流の変化検出と、乾燥気体
の置換によるエミッション電流の変化検出とをシーケン
シャルに実施し、その過程でエミッション電流に異常が
ある場合に、警告を発するようにすれば、メンテナンス
性や、使い勝手のよい電子線装置を提供することができ
るようになる。
自己診断プログラム５１に織り込み、ある一定の期間に
適宜、この自己診断プログラムを起動させて、加速電圧
の印加によるエミッション電流の変化検出と、乾燥気体
の置換によるエミッション電流の変化検出とをシーケン
シャルに実施し、その過程でエミッション電流に異常が
ある場合に、警告を発するようにすれば、メンテナンス
性や、使い勝手のよい電子線装置を提供することができ
るようになる。
【００３２】図６は、本発明の自己診断プログラムの一
実施手順例である。図６において、ステップＳ１１での
装置条件は、電子銃の真空度が正常で、高圧電源の状態
が、例えば １．高圧電源がすべてＯＦＦ ２．加速電圧（Ｖ0）のみＯＦＦで、Ｉｆ、Ｉｅ、Ｖ
ｓ、Ｖ1がＯＮの状態（すなわち像観察スタンバイの状
態） ３．ＳＥＭ像観察状態（Ｉｆ、Ｉｅ、Ｖｓ、Ｖ1、Ｖ0が
全てＯＮの状態）のいずれかとする。
実施手順例である。図６において、ステップＳ１１での
装置条件は、電子銃の真空度が正常で、高圧電源の状態
が、例えば １．高圧電源がすべてＯＦＦ ２．加速電圧（Ｖ0）のみＯＦＦで、Ｉｆ、Ｉｅ、Ｖ
ｓ、Ｖ1がＯＮの状態（すなわち像観察スタンバイの状
態） ３．ＳＥＭ像観察状態（Ｉｆ、Ｉｅ、Ｖｓ、Ｖ1、Ｖ0が
全てＯＮの状態）のいずれかとする。
【００３３】ステップＳ１２では、図１で示したキーボ
ード５０より自己診断プログラム５１を起動させる。こ
れは装置のメンテナンス画面（図示せず）のメニューの
一つに織り込まれているとよい。ステップＳ１３では、
いったんＩｆ、Ｉｅ、Ｖｓ、Ｖ1、Ｖ0が全てＯＦＦにな
る。
ード５０より自己診断プログラム５１を起動させる。こ
れは装置のメンテナンス画面（図示せず）のメニューの
一つに織り込まれているとよい。ステップＳ１３では、
いったんＩｆ、Ｉｅ、Ｖｓ、Ｖ1、Ｖ0が全てＯＦＦにな
る。
【００３４】ステップＳ１４では、Ｖ0を徐々に最大値
（例えば３０〜３５ｋＶ）にまで上げてゆき、Ｉｅ、Ｐ
G を検知し、中央制御装置９に記憶する。ステップＳ１
５では、この検出されたＩｅと、Ｖ0の関係、例えば図
３のｂのような特性例がＣＲＴ２９の画面上に表示され
る。これは、時々刻々、リアルタイムに表示できるよう
にしてもよい。もちろんＰG（電子銃室真空度）も同時
に表示されるようになっていてもよい。また、Ｖ0とＩ
ｅの数値、例えばＶ0＝３０ｋＶ、Ｉｅ＝０.５５μＡが
表示される。ステップＳ１６では、上記数値が所定値以
内か、所定値を超えているかが診断される。これは、自
動的に行えるようにしてもよいし、操作者が判断するよ
うにしてあってもよい。所定値以内であれば、電子銃に
異常なしとして、以後、通常のＳＥＭ像観察などの操作
に移る。また、所定値を超えていれば、異常と判断して、
警告メッセージ、例えば、「リーク電流有り。電子銃をチ
ェックせよ」のメッセージが画面に表示され（図示せ
ず）、ステップＳ１８に進む。ステップＳ１８では、電
子銃室の真空度ＰG が所定値内にあるかどうかが診断さ
れる。所定値を超えていれば、ステップＳ１９で、「電
子銃内部に異常有り」の警告メッセージが画面上に表示
される。所定値以内であれば、ステップＳ２０で、「電
子銃外部に異常有り」の警告メッセージが画面上に表示
され、次のステップＳ２１に進む。ステップＳ２１では、
「乾燥気体を流す手段を備えているかどうか」の判断を
促す。これは、装置自身で判断できるようにしてあって
もよいし、操作者が判断するようになっていてもよい。
もし備えていなければ、ステップＳ２２で、「高圧碍子
と高圧ケーブルを点検し、乾燥させよ」の警告メッセー
ジが画面上に表示される。また、もし備えていれば、ステ
ップＳ２３で、高圧電源をＯＦＦ後、乾燥気体を流す。
これは、自動で行えるようになっていてもよいし、操作者
が手動で行えるようになっていてもよい。乾燥気体を流
して、高圧ケーブルや高圧導入碍子の表面を乾燥させ、
両者間の空隙部の気体も乾燥気体に置換した後は、ステ
ップＳ１２に戻り、自己診断プログラムを再起動させ
る。以降、同様にして電子銃が正常になったかどうかを
診断する。
（例えば３０〜３５ｋＶ）にまで上げてゆき、Ｉｅ、Ｐ
G を検知し、中央制御装置９に記憶する。ステップＳ１
５では、この検出されたＩｅと、Ｖ0の関係、例えば図
３のｂのような特性例がＣＲＴ２９の画面上に表示され
る。これは、時々刻々、リアルタイムに表示できるよう
にしてもよい。もちろんＰG（電子銃室真空度）も同時
に表示されるようになっていてもよい。また、Ｖ0とＩ
ｅの数値、例えばＶ0＝３０ｋＶ、Ｉｅ＝０.５５μＡが
表示される。ステップＳ１６では、上記数値が所定値以
内か、所定値を超えているかが診断される。これは、自
動的に行えるようにしてもよいし、操作者が判断するよ
うにしてあってもよい。所定値以内であれば、電子銃に
異常なしとして、以後、通常のＳＥＭ像観察などの操作
に移る。また、所定値を超えていれば、異常と判断して、
警告メッセージ、例えば、「リーク電流有り。電子銃をチ
ェックせよ」のメッセージが画面に表示され（図示せ
ず）、ステップＳ１８に進む。ステップＳ１８では、電
子銃室の真空度ＰG が所定値内にあるかどうかが診断さ
れる。所定値を超えていれば、ステップＳ１９で、「電
子銃内部に異常有り」の警告メッセージが画面上に表示
される。所定値以内であれば、ステップＳ２０で、「電
子銃外部に異常有り」の警告メッセージが画面上に表示
され、次のステップＳ２１に進む。ステップＳ２１では、
「乾燥気体を流す手段を備えているかどうか」の判断を
促す。これは、装置自身で判断できるようにしてあって
もよいし、操作者が判断するようになっていてもよい。
もし備えていなければ、ステップＳ２２で、「高圧碍子
と高圧ケーブルを点検し、乾燥させよ」の警告メッセー
ジが画面上に表示される。また、もし備えていれば、ステ
ップＳ２３で、高圧電源をＯＦＦ後、乾燥気体を流す。
これは、自動で行えるようになっていてもよいし、操作者
が手動で行えるようになっていてもよい。乾燥気体を流
して、高圧ケーブルや高圧導入碍子の表面を乾燥させ、
両者間の空隙部の気体も乾燥気体に置換した後は、ステ
ップＳ１２に戻り、自己診断プログラムを再起動させ
る。以降、同様にして電子銃が正常になったかどうかを
診断する。
【００３５】なお、本実施例では、ショットキーエミッ
ションタイプの電子銃を有する電子線装置に関して述べ
たが、本発明の内容は、これに限定されないことはもち
ろんで、その他の電子銃、例えば、冷陰極電界放出型電
子銃や、熱電界放出型電子銃を有する電子線装置にも適
用して同様の効果を奏しうる。
ションタイプの電子銃を有する電子線装置に関して述べ
たが、本発明の内容は、これに限定されないことはもち
ろんで、その他の電子銃、例えば、冷陰極電界放出型電
子銃や、熱電界放出型電子銃を有する電子線装置にも適
用して同様の効果を奏しうる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙に水分ができるだ
け含まない状態に維持し、高電圧放電やリーク電流を生
じないようにすることのできる電子線装置及び方法を提
供することができる。また、電子線照射異常時のメンテ
ナンスを迅速にかつ正確に行うことができ、使い勝手の
よい電子線装置を提供することができる。
高圧ケーブルと高圧導入碍子間の空隙に水分ができるだ
け含まない状態に維持し、高電圧放電やリーク電流を生
じないようにすることのできる電子線装置及び方法を提
供することができる。また、電子線照射異常時のメンテ
ナンスを迅速にかつ正確に行うことができ、使い勝手の
よい電子線装置を提供することができる。
【図１】本発明による電子線装置の一実施例を示す構成
概略図。
概略図。
【図２】図１における空隙部除湿手段を更に詳しく説明
するための構成概略図。
するための構成概略図。
【図３】加速電圧とエミッション電流と電子銃室真空度
との関係を説明するための特性例。
との関係を説明するための特性例。
【図４】本発明における空隙部除湿手段の他の一実施例
を示す構成概略図。
を示す構成概略図。
【図５】本発明における空隙部除湿手段の他の一実施例
を示す構成概略図。
を示す構成概略図。
【図６】本発明における自己診断プログラムの一実施手
順例を示すフロー図。
順例を示すフロー図。
１…針状陰極（ＳＥ−ｔｉｐ）、２…サプレッサ電極、
３…第１陽極、４…第２陽極、５…電子、６…アース、
７…高圧電源、８…高圧制御回路、９…中央制御装置
（ＣＰＵ）、１０…電子ビーム、１１…収束レンズ（ま
たはコンデンサレンズ）、１２…収束レンズ電源、１３
…収束レンズ制御回路、１４…電子銃室、１５…イオン
ポンプ、１６…電磁レンズ室、１７…イオンポンプ、１
８…対物レンズ、１９…対物レンズ電源、２０…対物レ
ンズ制御回路、２１…試料ステージ、２２…試料、２３
…偏向コイル、２４…走査電源、２５…倍率制御回路、
２６…二次電子、２７…信号検出器、２８…信号増幅
器、２９…陰極線管（ＣＲＴ）、３０…カメラ装置、３
１…撮影用ＣＲＴ、３２…信号制御回路、３３…メモリ
回路、３７…外部記憶装置、３８…試料室、３９…エア
ーロック装置、４０…排気ポンプ、４１…排気系制御回
路、４２…対物可動絞り、４３…電子流検出器、４４…
信号増幅器、４５…プローブ電流ＩＰ1検出回路、４６
…試料ステージ駆動電源、４７…ステージ制御回路、４
８…微少電流計、４９…プローブ電流ＩＰ2検出回路、
５０…キーボード、５１…自己診断プログラム、５２…
警報表示回路、５３…プリンタ出力装置、１０１…空隙
部除湿手段、１０２…空隙部、１０３…高圧ケーブル、
１０４…高圧導入碍子、１０５…押さえ、１０６…シー
ル材、１０７…乾燥気体導入バルブ（ＶＡ１）、１０８
…乾燥気体排出バルブ（ＶＡ２）、１０９…乾燥気体装
置、１１０…気体排出手段（エアコンプレッサ）、１１
１…乾燥剤、１１２…エアフィルタ、１１３…気体排出
手段、１１４…湿度センサ、１１５…温度センサ、１１
６…圧力センサ、１１７…開閉バルブ（ＶＡ３）、１１
８…開閉バルブ（ＶＡ４）
３…第１陽極、４…第２陽極、５…電子、６…アース、
７…高圧電源、８…高圧制御回路、９…中央制御装置
（ＣＰＵ）、１０…電子ビーム、１１…収束レンズ（ま
たはコンデンサレンズ）、１２…収束レンズ電源、１３
…収束レンズ制御回路、１４…電子銃室、１５…イオン
ポンプ、１６…電磁レンズ室、１７…イオンポンプ、１
８…対物レンズ、１９…対物レンズ電源、２０…対物レ
ンズ制御回路、２１…試料ステージ、２２…試料、２３
…偏向コイル、２４…走査電源、２５…倍率制御回路、
２６…二次電子、２７…信号検出器、２８…信号増幅
器、２９…陰極線管（ＣＲＴ）、３０…カメラ装置、３
１…撮影用ＣＲＴ、３２…信号制御回路、３３…メモリ
回路、３７…外部記憶装置、３８…試料室、３９…エア
ーロック装置、４０…排気ポンプ、４１…排気系制御回
路、４２…対物可動絞り、４３…電子流検出器、４４…
信号増幅器、４５…プローブ電流ＩＰ1検出回路、４６
…試料ステージ駆動電源、４７…ステージ制御回路、４
８…微少電流計、４９…プローブ電流ＩＰ2検出回路、
５０…キーボード、５１…自己診断プログラム、５２…
警報表示回路、５３…プリンタ出力装置、１０１…空隙
部除湿手段、１０２…空隙部、１０３…高圧ケーブル、
１０４…高圧導入碍子、１０５…押さえ、１０６…シー
ル材、１０７…乾燥気体導入バルブ（ＶＡ１）、１０８
…乾燥気体排出バルブ（ＶＡ２）、１０９…乾燥気体装
置、１１０…気体排出手段（エアコンプレッサ）、１１
１…乾燥剤、１１２…エアフィルタ、１１３…気体排出
手段、１１４…湿度センサ、１１５…温度センサ、１１
６…圧力センサ、１１７…開閉バルブ（ＶＡ３）、１１
８…開閉バルブ（ＶＡ４）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 木村 政司
茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株
式会社日立サイエンスシステムズ内
(72)発明者 平根 賢一
茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株
式会社日立サイエンスシステムズ内
(72)発明者 中山 佳彦
茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株
式会社日立サイエンスシステムズ内
Ｆターム(参考） 5C030 BC06 BC09
5F056 CB01 EA02 EA10
Claims (14)
- 【請求項１】 電子線を取り出すための電子銃を有する
電子線装置において、電子源からの電子を放出させない
状態で、加速電極に高電圧を印加し、このときの加速電
圧の変化に対応するエミッション電流の変化を検出する
手段を備えていることを特徴とする電子線装置。 - 【請求項２】 前記エミッション電流の変化分が所定の
値を超えたときに警告を発する手段を備えていることを
特徴とする請求項１に記載の電子線装置。 - 【請求項３】 前記加速電圧の変化に対応して電子銃室
の真空度変化を検出する手段を備えていることを特徴と
する請求項１又は２に記載の電子線装置。 - 【請求項４】 電子線を取り出すための電子銃を有する
電子線装置において、電子銃の高圧導入ケーブルと高圧
導入碍子間の空隙部に、乾燥気体を流すことにより、前
記空隙部を除湿する手段を備えていることを特徴とする
電子線装置。 - 【請求項５】 電子銃の高圧導入ケーブルと高圧導入碍
子間の空隙部に、乾燥気体を流すことにより、前記空隙
部を除湿する手段を備えていることを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の電子線装置。 - 【請求項６】 前記除湿する手段は、前記空隙部の気体
を押出し・排出する手段と、前記押出し・排出手段によ
り乾燥気体を所定時間流す手段と、前記乾燥気体の流路
を開閉する手段とを備えていることを特徴とする請求項
５に記載の電子線装置。 - 【請求項７】 前記除湿する手段は、前記空隙部の気体
を吸引・排気する手段と、吸引・排気後、所定時間乾燥
気体を流すための手段と、前記乾燥気体の流路を開閉す
る手段とを備えていることを特徴とする請求項５に記載
の電子線装置。 - 【請求項８】 前記乾燥気体は乾燥空気または乾燥窒素
ガスであることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに
記載の電子線装置。 - 【請求項９】 前記電子銃の高圧導入ケーブルと高圧導
入碍子間の空隙部を、外気に対して密封するためのシー
ル材を設けたことを特徴とする請求項４〜８のいずれか
に記載の電子線装置。 - 【請求項１０】 前記乾燥気体の流路の一部に湿度セン
サ、温度センサ、圧力センサのいずれか１つ以上を設け
たことを特徴とする請求項４〜９のいずれかに記載の電
子線装置。 - 【請求項１１】 前記乾燥気体の流路の一部に乾燥剤と
フィルターを設けたことを特徴とする請求項４〜１０の
いずれかに記載の電子線装置。 - 【請求項１２】 加速電圧の印加によるエミッション電
流の変化検出と、乾燥気体の置換によるエミッション電
流の変化検出とをシーケンシャルに実施し、その過程で
エミッション電流に異常があれば、警告を発する自己診
断プログラムを備えていることを特徴とする請求項１〜
１１のいずれかに記載の電子線装置。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の電
子線装置において、電子源からの電子を放出させない状
態で、加速電極に高電圧を印加し、このときの加速電圧
の変化に対応して電子銃室の真空度変化を検出し、この
真空度変化が所定値以内か否かにより、高電圧印加によ
るリーク電流が電子銃内に起因するか、電子銃外に起因
するかを判断することを特徴とする電子線装置のリーク
電流判別方法。 - 【請求項１４】 電子線を取り出すための電子銃を有す
る電子線装置において、前記電子銃の高圧導入ケーブル
と高圧碍子間の空隙部に、乾燥気体を流すことにより、
前記空隙部を除湿し、高圧導入ケーブル表面及び高圧碍
子表面の水分による高電圧放電を防止することを特徴と
する電子線装置の高電圧放電防止方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038525A JP4261806B2 (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 電子線装置及びその高電圧放電防止方法 |
| EP02024961A EP1336983A3 (en) | 2002-02-15 | 2002-11-07 | Electron beam apparatus and high-voltage discharge prevention method |
| US10/295,951 US6949752B2 (en) | 2002-02-15 | 2002-11-18 | Electron beam apparatus and high-voltage discharge prevention method |
| US11/137,445 US7274017B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-05-26 | Electron beam apparatus and high-voltage discharge prevention method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038525A JP4261806B2 (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 電子線装置及びその高電圧放電防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003242916A true JP2003242916A (ja) | 2003-08-29 |
| JP4261806B2 JP4261806B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=27621456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002038525A Expired - Fee Related JP4261806B2 (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 電子線装置及びその高電圧放電防止方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6949752B2 (ja) |
| EP (1) | EP1336983A3 (ja) |
| JP (1) | JP4261806B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294481A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2007012512A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Shimadzu Corp | 高電圧漏れ電流測定装置、及びｔｆｔアレイ検査装置 |
| JP2007311149A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Jeol Ltd | 電子ビーム発生装置 |
| JP2014175173A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nuflare Technology Inc | 電子銃装置、描画装置、電子銃電源回路のリーク電流測定方法、及び電子銃電源回路のリーク電流判定方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122761B1 (en) * | 2000-02-01 | 2004-05-26 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Optical column for charged particle beam device |
| JP4261806B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2009-04-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線装置及びその高電圧放電防止方法 |
| JP4349964B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2009-10-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 小型電子銃 |
| JP4125228B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置及びその方法、プログラム、記憶媒体並びにプリフライトチェックシステム |
| US7465922B1 (en) | 2006-07-12 | 2008-12-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Accelerating electrostatic lens gun for high-speed electron beam inspection |
| JP4850654B2 (ja) * | 2006-10-23 | 2012-01-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料保持装置 |
| EP1983548A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Emitter chamber, charged particle apparatus and method for operating same |
| US20110279278A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Al-Absi Munir A | Monitoring and early warning alarm system for high voltage insulator failure |
| CN103578898B (zh) * | 2013-10-31 | 2016-02-24 | 桂林电子科技大学 | 一种电子束轰击炉专用电子枪 |
| KR101669400B1 (ko) * | 2015-05-08 | 2016-10-28 | 한국생산기술연구원 | 대기용 전자빔 클래딩 장치 |
| US10987752B2 (en) * | 2016-12-21 | 2021-04-27 | Arcam Ab | Additive manufacturing of three-dimensional articles |
| RU2754347C1 (ru) * | 2020-06-15 | 2021-09-01 | Акционерное Общество "Нииэфа Им. Д.В. Ефремова" | Источник импульсных электронных пучков |
| CN114797393A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-07-29 | 中国航发航空科技股份有限公司 | 一种电子束焊机高压电缆防放电净化装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4335297A (en) * | 1979-09-18 | 1982-06-15 | Spire Corporation | Electron beam processor |
| US4427886A (en) | 1982-08-02 | 1984-01-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Low voltage field emission electron gun |
| JPH01120745A (ja) | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Jeol Ltd | 熱電界放射型陰極用電源装置 |
| US5012194A (en) * | 1989-09-05 | 1991-04-30 | Raytheon Company | Method testing electron discharge tubes |
| DE4031286C2 (de) | 1990-10-04 | 1995-05-11 | Leybold Ag | Einrichtung für die Stromversorgung einer Glühkathode |
| US5682412A (en) * | 1993-04-05 | 1997-10-28 | Cardiac Mariners, Incorporated | X-ray source |
| US5834781A (en) * | 1996-02-14 | 1998-11-10 | Hitachi, Ltd. | Electron source and electron beam-emitting apparatus equipped with same |
| US6034479A (en) * | 1997-10-29 | 2000-03-07 | Micron Technology, Inc. | Single pixel tester for field emission displays |
| WO2000068970A1 (fr) | 1999-05-11 | 2000-11-16 | Hitachi, Ltd. | Appareil a faisceau electronique, et inspection d'un canon a electrons |
| WO2002013227A1 (fr) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Ebara Corporation | Appareil d'analyse a faisceau plan |
| US6456019B1 (en) * | 2001-02-03 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Real time measurement of leakage current in high voltage electron guns |
| US6556654B1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-04-29 | Varian Medical Systems, Inc. | High voltage cable and clamp system for an X-ray tube |
| JP4261806B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2009-04-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線装置及びその高電圧放電防止方法 |
| US6837518B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-01-04 | L&W Engineering Incorporated | Reinforcement structure for instrument panel |
-
2002
- 2002-02-15 JP JP2002038525A patent/JP4261806B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-07 EP EP02024961A patent/EP1336983A3/en not_active Withdrawn
- 2002-11-18 US US10/295,951 patent/US6949752B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-26 US US11/137,445 patent/US7274017B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294481A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2007012512A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Shimadzu Corp | 高電圧漏れ電流測定装置、及びｔｆｔアレイ検査装置 |
| JP4636436B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-02-23 | 株式会社島津製作所 | 高電圧漏れ電流測定装置、及びｔｆｔアレイ検査装置 |
| JP2007311149A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Jeol Ltd | 電子ビーム発生装置 |
| JP2014175173A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nuflare Technology Inc | 電子銃装置、描画装置、電子銃電源回路のリーク電流測定方法、及び電子銃電源回路のリーク電流判定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030155525A1 (en) | 2003-08-21 |
| US6949752B2 (en) | 2005-09-27 |
| US7274017B2 (en) | 2007-09-25 |
| EP1336983A2 (en) | 2003-08-20 |
| EP1336983A3 (en) | 2003-09-03 |
| US20050218777A1 (en) | 2005-10-06 |
| JP4261806B2 (ja) | 2009-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7274017B2 (en) | Electron beam apparatus and high-voltage discharge prevention method | |
| US7615765B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US8766542B2 (en) | Field-emission electron gun and method for controlling same | |
| US8686380B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US8143589B2 (en) | Stable emission gas ion source and method for operation thereof | |
| JP5054226B2 (ja) | 酸素の検出方法，空気リークの判別方法，ガス成分検出装置，及び真空処理装置 | |
| US20110084219A1 (en) | Method and apparatus of pretreatment of an electron gun chamber | |
| US9349567B2 (en) | Charged particle beam device | |
| JP2002289129A (ja) | 低真空走査電子顕微鏡 | |
| JP2007200648A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| TWI748477B (zh) | 電子束裝置及電子束裝置之控制方法 | |
| JP3714810B2 (ja) | 電子線装置 | |
| CN110223899B (zh) | 装置的压力系统的操作方法及执行该方法的装置 | |
| JP2011210494A (ja) | 集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法 | |
| US5370568A (en) | Curing of a tungsten filament in an ion implanter | |
| KR101448199B1 (ko) | 초고진공에서의 미세팁의 클리닝 방법 | |
| JP2002025484A (ja) | マイクロフォーカスｘ線発生装置 | |
| WO2000068970A1 (fr) | Appareil a faisceau electronique, et inspection d'un canon a electrons | |
| US20240203682A1 (en) | Ion beam device and emitter tip milling method | |
| WO2023037545A1 (ja) | イオンビーム装置、エミッタティップ加工方法 | |
| JP2010033833A (ja) | 電界放出型電子銃装置及びその駆動方法 | |
| JP3944384B2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JPH11162397A (ja) | イオンビーム照射装置 | |
| US10605687B2 (en) | Spark gap device and method of measurement of X-ray tube vacuum pressure | |
| KR100268649B1 (ko) | 입자가속기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040422 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051205 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070319 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070509 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070727 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081226 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090206 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |