JP2003234322A - 基板の超音波処理装置及び超音波処理方法 - Google Patents

基板の超音波処理装置及び超音波処理方法

Info

Publication number
JP2003234322A
JP2003234322A JP2002029778A JP2002029778A JP2003234322A JP 2003234322 A JP2003234322 A JP 2003234322A JP 2002029778 A JP2002029778 A JP 2002029778A JP 2002029778 A JP2002029778 A JP 2002029778A JP 2003234322 A JP2003234322 A JP 2003234322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
ultrasonic
ultrasonic vibration
rotating
nozzle body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002029778A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Matsushima
大輔 松嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2002029778A priority Critical patent/JP2003234322A/ja
Publication of JP2003234322A publication Critical patent/JP2003234322A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は超音波振動が付与された処理液で
基板を、強弱に偏りなく洗浄することができるようにし
た超音波処理装置を提供することにある。 【解決手段】 基板を回転させながら超音波振動が付与
された処理液によって処理する超音波処理装置におい
て、上記基板Wを着脱可能に保持する回転テーブル3
と、この回転テーブルを回転駆動する制御モータ11
と、上記基板の径方向に沿って往復駆動されるとともに
超音波振動が付与された洗浄液を上記基板に向けて噴射
するノズル体29と、このノズル体から噴射する洗浄液
に超音波振動を所定の周波数で強弱が変動する波形に変
調して付与する超音波発振器と、上記制御モータを制御
して上記回転テーブルを上記超音波発振器による超音波
振動の変調周波数と同期しない回転数で回転させる制御
装置14とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は処理液に超音波振
動を付与して基板を処理する基板の超音波処理装置及び
超音波処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、液晶表示装置や半導体装置の
製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなどの
基板を高い清浄度で洗浄することが要求される工程があ
る。上記基板を洗浄する方式としては、洗浄液中に複数
枚の基板を浸漬するデイップ方式や基板に向けて洗浄液
を噴射して一枚づつ洗浄する枚葉方式があり、最近では
高い清浄度が得られる枚葉方式が採用されることが多く
なってきている。
【0003】枚葉方式の1つとして基板をスピン処理装
置の回転テーブルに保持し、この回転テーブルとともに
基板を回転させる一方、基板の上方にこの基板の径方向
に沿って往復駆動されるノズル体を配置する。そして、
このノズル体から基板に向けて噴射される処理液に超音
波振動を付与し、その振動作用によって上記基板から微
粒子を効率よく除去するようにした洗浄方式が実用化さ
れている。
【0004】処理液に付与される超音波振動は超音波発
振器から出力される。超音波発振器から超音波振動を発
振させる場合、その超音波振動をたとえばAM変調、F
M変調あるいはバースト変調することで、超音波振動に
所定の周期で強弱を持たせるようにしている。
【0005】それによって、処理液が基板に与える超音
波振動の強弱が上記周期に応じて変化するため、超音波
振動を変調させない場合に比べて基板の洗浄効果を、よ
り一層、向上させることができるようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、超音波振動
の強弱を変調させる場合、その変調の周期は電力の周波
数に依存することになる。つまり、東日本の場合には5
0Hz、西日本の場合には60Hzになる。
【0007】そのため、超音波振動の変調の周期が回転
テーブルによって回転駆動される基板の回転数と同期す
ると、基板の回転方向(周方向)に対して基板を照射す
る超音波振動の強い部分(腹の部分)と弱い部分(節の
部分)とが周期的に繰り返されることになるから、基板
の板面全体に処理液を均一な振動強度で照射することが
できないということがある。つまり、基板の板面に対し
て超音波振動の照射に偏りが生じ、均一な処理ができな
いということになる。
【0008】この発明は、超音波信号を変調した場合
に、基板の板面全体をほぼ均一な強度で洗浄処理するこ
とができるようにした基板の超音波処理装置及び超音波
処理方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を回転させながら超音波振動が付与された処理液によっ
て処理する超音波処理装置において、上記基板を着脱可
能に保持する回転テーブルと、この回転テーブルを回転
駆動する駆動源と、上記基板の径方向に沿って往復駆動
されるとともに超音波振動が付与された洗浄液を上記基
板に向けて噴射するノズル体と、このノズル体から噴射
する洗浄液に超音波振動を所定の周波数で強弱が変動す
る波形に変調して付与する超音波発生手段と、上記駆動
源を制御して上記回転テーブルを上記超音波発生手段に
よる超音波振動の変調周波数と同期しない回転数で回転
させる制御手段とを具備したことを特徴とする超音波処
理装置にある。
【0010】請求項2の発明は、基板を回転させながら
超音波振動が付与された処理液によって処理する超音波
処理方法において、上記超音波振動を所定の周波数で強
弱が変動する波形に変調する工程と、変調された超音波
振動を上記処理液に付与し、この処理液を回転する基板
に噴射する工程と、上記基板の回転数を上記洗浄液に付
与される超音波振動の変調周波数と同期しない回転数で
回転させる工程とを具備したことを特徴とする超音波処
理方法にある。
【0011】この発明によれば、基板の回転数を超音波
振動の変調周波数と同期しない回転数で回転させるた
め、基板の板面全体を超音波振動の強弱に偏りが生じる
ことなく洗浄処理することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。
【0013】図1はこの発明の一実施の形態に係る、半
導体ウエハやガラス基板などの基板Wを超音波振動が付
与された処理液によって洗浄処理するためのスピン処理
装置を示す。このスピン処理装置はカップ体1を備えて
いる。このカップ体1の底部には複数の排出管2が周方
向に所定間隔で接続されている。各排出管2は図示しな
い排気ポンプに連通している。
【0014】上記カップ体1内には回転テーブル3が設
けられている。この回転テーブル3の上面の周辺部には
周方向に所定間隔で複数の支持部材4が回動可能に設け
られている。各支持部材4の上端面には支持ピン5及び
支持部材4の回転中心から偏心した位置に上記支持ピン
5よりも背の高い係合ピン6が設けられている。
【0015】上記回転テーブル3には半導体ウエハなど
の基板Wが供給される。回転テーブル3に供給された基
板Wは周辺部の下面が上記支持ピン5によって支持され
る。その状態で上記支持部材4が回転すると、基板Wの
外周面に上記係合ピン6が偏心回転して当接する。それ
によって上記基板Wは回転テーブル3に着脱可能に保持
される。
【0016】上記回転テーブル3は制御モータ11によ
って回転駆動される。この制御モータ11は筒状の固定
子12内に同じく筒状の回転子13が回転可能に挿入さ
れてなり、この回転子13に上記回転テーブル3が動力
伝達部材13aを介して連結されている。
【0017】上記制御モータ11は制御装置14によっ
て回転が制御される。それによって、上記回転テーブル
3は上記制御装置14によって所定の回転数で回転させ
ることができる。
【0018】上記回転子13内には筒状の固定軸15が
挿通されている。この固定軸15の上端には上記回転テ
ーブル3の上面側に位置するノズルヘッド16が設けら
れている。つまり、ノズルヘッド16は回転テーブル3
と一緒に回転しない状態で設けられている。このノズル
ヘッド16には処理液及び気体を噴射するノズル17,
18が設けられている。
【0019】それによって、上記ノズル17,18から
回転テーブル3に保持された基板Wの下面の中央部分に
向けて処理液や気体を選択的に噴射することができるよ
うになっている。つまり、基板Wは下面を洗浄及び乾燥
処理することができるようになっている。
【0020】上記回転テーブル3の上面側は乱流防止カ
バー19によって覆われている。この乱流防止カバー1
9は回転テーブル3に保持された基板Wの下面側に乱流
が生じるのを防止するようになっており、その中央部分
には上記各ノズル17,18からの基板Wの下面に処理
液や気体を噴射可能とする透孔20が穿設されている。
【0021】上記カップ体1の側方には上記基板Wの上
面を洗浄するための超音波洗浄ユニット22が設けられ
ている。この超音波洗浄ユニット22はアーム体23を
有する。このアーム体23は垂直部24と、この垂直部
24の上端に基端部が連結された水平部25とを有す
る。上記垂直部24の下端は回転モータ26に連結され
ている。回転モータ26はアーム体23を所定の角度で
回転駆動するようになっている。
【0022】上記回転モータ26は図示しないリニアガ
イドによって上下方向にスライド可能に設けられた可動
板27に取付けられている。この可動板27は上下駆動
シリンダ28によって上下方向に駆動されるようになっ
ている。
【0023】上記アーム体23の水平部25の先端部に
は超音波ノズル体29が設けられている。この超音波ノ
ズル体29には、洗浄液を供給する給液管31と、この
ノズル体29内に設けられた図示しない超音波振動子に
給電するリード線(図示せず)が通された配線管32と
が接続されている。
【0024】上記超音波振動子は、図2に示す超音波発
振器34によって後述するごとく発振出力された、たと
えば発振周波数が1.6MHzの駆動信号がマッチング
回路部35を介して印加される。それによって、上記超
音波ノズル体29に上記給液管31を通じて供給された
洗浄液は1.6MHzの超音波振動が付与されて基板W
の上面に噴射される。
【0025】上記超音波ノズル体29はアーム体23に
よって基板Wの上方をこの基板Wの径方向に沿って往復
駆動される。したがって、基板Wを回転テーブル3によ
って回転させながら超音波ノズル体29を基板23の径
方向に駆動することで、超音波振動が付与された処理液
を基板Wの上面全面にわたって噴射することができる。
【0026】上記超音波発振器34は図3に示すように
シンセサイザー41を有する。このシンセサイザー41
からは16MHzで発振する超音波信号が出力され、そ
の超音波信号は分周器42で1.6MHzの超音波信号
に分周されて論理回路43に入力する。
【0027】上記論理回路43からの出力は初段アンプ
44、コントロールアンプ45で増幅された後、さらに
パワーアンプ46でさらに増幅される。パワーアンプ4
6にはたとえば50Hzの商用電力を供給するパワー電
源47が接続されている。
【0028】それによって、パワーアンプに入力された
1.6MHzの超音波信号は、パワー電源47からの5
0Hzの商用電力によってAM変調される。図4(a)
に1.6MHzの超音波信号が50Hzの商用電力によ
ってAM変調されたAM変調波を示す。このAM変調波
は商用電力の周波数(50Hz)に応じて超音波信号の
強弱が変調する。
【0029】なお、図示しないが、パワー電源47から
の商用電力を平滑回路によって平滑化してパワーアンプ
46に入力させれば、上記パワーアンプ46から出力さ
れる超音波信号は図4(b)に示す強弱の変動がない連
続波になる。また、超音波信号の変調はAM変調に限ら
ず、強弱が変動するFM変調やバースト変調などであっ
てもよい。
【0030】上記パワーアンプ46でAM変調された
1.6MHzの超音波信号は、この超音波信号の進行波
と反射波との電力値を測定する電力計48を通って上記
マッチング回路部35に出力される。超音波信号は、こ
のマッチング回路部35でインピーダンスのマッチング
が取られた後、超音波ノズル体29に設けられた図示し
ない超音波振動子に印加される。
【0031】それによって、給液管31を通じて超音波
ノズル体29に供給された処理液は、AM変調波で振動
する上記超音波振動子によって超音波振動が付与されて
上記回転テーブル3に保持された基板Wに向かって噴出
し、この基板Wを洗浄処理する。
【0032】上記電力計48によって測定された超音波
信号の進行波と反射波との電力は進行波アンプ49と反
射波アンプ51とでそれぞれ増幅され、VSWR検出器
52で検出される。
【0033】上記進行波アンプ49で増幅された信号は
ピークホールド回路53に入力され、誤差アンプ54に
出力される。上記ピークホールド回路53にはCPU5
5からピークホールド制御信号が入力される。上記CP
U55から上記誤差アンプ54には電力指示信号が出力
される。それによって、コントロールアンプ45は誤差
アンプ54からの信号に応じて高周波信号を増幅する。
【0034】上記CPU55からは上記論理回路43に
制御信号が出力される。それによって、この論理回路4
3から上記分周器42には、超音波信号の変調に同期し
たイネーブル信号が出力される。
【0035】つぎに、上記構成のスピン処理装置によっ
て基板Wを洗浄する場合について説明する。未洗浄の基
板Wを回転テーブル3に供給保持し、この回転テーブル
3を所定の回転数で回転させたならば、超音波ノズル体
29に洗浄液を供給する。
【0036】それと同時に、上記超音波ノズル体29の
超音波振動子を、AM変調された1.6MHzの超音波
信号で超音波振動させるとともに、アーム体23を駆動
し、超音波ノズル体29を基板Wの上面で径方向に沿っ
て所定の半径で往復動させる。
【0037】それによって、1.6MHzの超音波振動
が付与された処理液は、上記超音波ノズル体29から基
板Wの上面全体に噴射されることになるから、基板Wの
上面が超音波洗浄されることになる。
【0038】ところで、超音波ノズル体29から噴射さ
れる洗浄液には、超音波振動子によってAM変調された
1.6MHzの超音波振動が付与される。この超音波振
動は50Hzの周波数で強弱が変調している。
【0039】そのため、超音波振動の強弱の周期と、基
板Wの回転の周期とが同期していると、超音波振動の強
い部分(腹の部分)と弱い部分(節の部分)とが回転す
る基板Wの周方向の同じ部分を径方向に沿って照射する
ことになるため、照射の強度に偏りが生じる。しかしな
がら、同期していなければ、基板Wの上面は超音波振動
の強弱に偏りが生じることなく洗浄されることになる。
【0040】基板Wを500r.p.mで回転させて洗
浄したときの超音波振動の強度分布を測定した結果を図
5(a)に示す。この場合、超音波振動の強弱と、基板
Wの回転数とが同期する。つまり、AM変調の周波数は
50Hzであるから、超音波信号の強弱は1秒間に、 50×2=100回/sec の周期がある。
【0041】基板Wを500r.p.mで回転させる
と、その回転周期は、 (500/60)回/sec となる。
【0042】したがって、超音波信号と基板Wとの同期
を考えると、 100/(500/60)=12 となる。つまり、超音波振動の強弱に周期と、基板Wの
回転周期との除算結果が整数となるから、AM変調され
た超音波信号と、基板Wの回転数とが同期する。その結
果、図5(a)に示すように超音波振動の強い部分は基
板Wを放射状に照射することになる。
【0043】図5(b)は基板Wの回転数を525r.
p.mに設定したときの超音波振動の強度分布の測定結
果を示す。この場合、AM変調された超音波信号と基板
Wとの同期を考えると、 100/(525/60)=11.428 となり、除算結果が整数とならないから、AM変調され
た超音波信号と基板Wの回転数とは同期しない。それに
よって、基板Wは図5(b)に示すように板面全体が超
音波振動の強い部分でほぼ均一に照射されるから、偏り
なく洗浄されることになる。つまり、基板Wの上面を均
一に洗浄することができる。
【0044】図6(a)、(b)は60Hzの商用電力
によって1.6MHzの超音波信号をAM変調した場合
で、同図(a)は基板Wの回転数を300r.p.mと
したきの超音波振動の強度分布の測定結果である。この
ときのAM変調された超音波信号と基板Wの回転との同
期を考えると、 120/(300/60)=24 となる。つまり、除算結果が整数となるから、超音波信
号と基板Wの回転とが同期し、基板Wの洗浄強度に偏り
が生じることになる。
【0045】図6(b)は基板Wの回転数を500r.
p.mに設定したときの超音波振動の強度分布の測定結
果を示す。この場合、AM変調された超音波信号と基板
Wの回転との同期を考えると、 120/(500/60)=14.4 となり、除算結果が整数とならないから、AM変調され
た超音波信号と基板Wの回転数とは同期しない。それに
よって、基板Wの上面は図6(b)に示すように超音波
振動の強い部分で偏りなく照射洗浄することができる。
【0046】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、変調さ
れた超音波振動の強弱の周期と、基板の回転数とを同期
させないようにした。
【0047】そのため、基板の板面を超音波振動の強弱
に偏りが生じること無く、ほぼ均一な強度で洗浄するこ
とができるから、洗浄効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係るスピン処理装置
の概略的構成図。
【図2】超音波ノズル体に超音波信号を供給するための
概略を示すブロック図。
【図3】超音波信号をAM変調して出力する超音波発振
器のブロック図。
【図4】(a)は1.6MHzの超音信号をAM変調し
た波形図、(b)は超音波信号をAM変調しないときの
連続波形図。
【図5】(a)は商用電力が50Hzで、基板を500
r.p.mで回転させたときの超音波振動の強弱の分布
を測定した図、(b)は同じく基板を525r.p.m
で回転させたときの超音波振動の強弱の分布を測定した
図。
【図6】(a)は商用電力が60Hzで、基板を300
r.p.mで回転させたときの超音波振動の強弱の分布
を測定した図、(b)は同じく基板を500r.p.m
で回転させたときの超音波振動の強弱の分布を測定した
図。
【符号の説明】
3…回転テーブル 11…制御モータ(駆動源) 14…制御装置(制御手段) 29…超音波ノズル体(ノズル体) 34…超音波発生器(超音波発生手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H088 FA21 FA24 FA30 MA20 3B201 AA01 AB33 AB47 BB22 BB83 BB92 CD43 4G059 AA08 AB17 AB19 AC30 5D107 AA20 BB11 CD01 CD05 CD10 EE05

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を回転させながら超音波振動が付与
    された処理液によって処理する超音波処理装置におい
    て、 上記基板を着脱可能に保持する回転テーブルと、 この回転テーブルを回転駆動する駆動源と、 上記基板の径方向に沿って往復駆動されるとともに超音
    波振動が付与された洗浄液を上記基板に向けて噴射する
    ノズル体と、 このノズル体から噴射する洗浄液に超音波振動を所定の
    周波数で強弱が変動する波形に変調して付与する超音波
    発生手段と、 上記駆動源を制御して上記回転テーブルを上記超音波発
    生手段による超音波振動の変調周波数と同期しない回転
    数で回転させる制御手段とを具備したことを特徴とする
    基板の超音波処理装置。
  2. 【請求項2】 基板を回転させながら超音波振動が付与
    された処理液によって処理する超音波処理方法におい
    て、 上記超音波振動を所定の周波数で強弱が変動する波形に
    変調する工程と、 変調された超音波振動を上記処理液に付与し、この処理
    液を回転する基板に噴射する工程と、 上記基板の回転数を上記洗浄液に付与される超音波振動
    の変調周波数と同期しない回転数で回転させる工程とを
    具備したことを特徴とする基板の超音波処理方法。
JP2002029778A 2002-02-06 2002-02-06 基板の超音波処理装置及び超音波処理方法 Pending JP2003234322A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002029778A JP2003234322A (ja) 2002-02-06 2002-02-06 基板の超音波処理装置及び超音波処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002029778A JP2003234322A (ja) 2002-02-06 2002-02-06 基板の超音波処理装置及び超音波処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003234322A true JP2003234322A (ja) 2003-08-22

Family

ID=27773834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002029778A Pending JP2003234322A (ja) 2002-02-06 2002-02-06 基板の超音波処理装置及び超音波処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003234322A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007022866A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Asahi Glass Co Ltd 円盤状ガラス基板の洗浄方法および磁気ディスク
JP2013141652A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Mitsubishi Electric Corp 超音波発生装置及び排煙装置
JP2015120168A (ja) * 2015-03-30 2015-07-02 三菱電機株式会社 超音波発生装置及び排煙装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007022866A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Asahi Glass Co Ltd 円盤状ガラス基板の洗浄方法および磁気ディスク
JP4586660B2 (ja) * 2005-07-19 2010-11-24 旭硝子株式会社 円盤状ガラス基板の洗浄方法
JP2013141652A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Mitsubishi Electric Corp 超音波発生装置及び排煙装置
JP2015120168A (ja) * 2015-03-30 2015-07-02 三菱電機株式会社 超音波発生装置及び排煙装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7077916B2 (en) Substrate cleaning method and cleaning apparatus
US7766021B2 (en) Substrate treatment apparatus
JP2019533314A (ja) 半導体ウエハの洗浄装置、および、洗浄方法
JP2000216126A (ja) 基板洗浄方法およびその装置
JP3746248B2 (ja) 超音波洗浄用ノズル、超音波洗浄装置及び半導体装置
JP2003234322A (ja) 基板の超音波処理装置及び超音波処理方法
JP2930583B1 (ja) 半導体ウェハのスピン枚葉処理装置
JPH1187288A (ja) 基板洗浄方法および該洗浄方法に用いられる洗浄装置
WO2014050428A1 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2009088227A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2004039843A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR102542354B1 (ko) 초음파 세정 유닛을 포함하는 기판 처리장치
JP2001334221A (ja) 基板洗浄装置
JP2004152849A (ja) 液処理装置及び液処理方法
JPH01105376A (ja) ディスクの洗浄方法
JP3960516B2 (ja) 基板処理装置
JP2005085978A (ja) 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置
JP4197612B2 (ja) 処理液の供給装置及びスピン処理装置
JPS63266831A (ja) 半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置
JP4955586B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2004260099A (ja) 処理流体供給装置およびこれを適用した基板処理装置、ならびに基板処理方法
US20130319472A1 (en) Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP4263926B2 (ja) 基板洗浄方法及び洗浄装置
JP4068316B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008103423A (ja) 基板洗浄装置及びこれを用いた基板洗浄方法