JP2003228888A

JP2003228888A - 光ディスク用原盤の製造方法、光ディスク用スタンパの製造方法および光ディスク用基板の製造方法

Info

Publication number: JP2003228888A
Application number: JP2002025054A
Authority: JP
Inventors: Yuzuru Kudo; 譲工藤
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-02-01
Filing date: 2002-02-01
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】微細な溝パターンの形成と、製作コストの低
減化とを図ることができる光ディスク用原盤、スタン
パ、光ディスク用基板のそれぞれの製造方法を提供す
る。【解決手段】ガラス基板上に非感光性の水溶性樹脂を
下層として塗布形成する第１の工程と、下層上に下層と
混合しない紫外線を吸収する中間層を形成する第２の工
程と、中間層上へフォトレジスト層を塗布形成する第３
の工程と、光ビームにより所定のパターンを、上記フォ
トレジスト層へ露光し、潜像を形成する第４の工程と、
アルカリ性現像液で現像してパターンを形成する第５の
工程と、現像後に中間層をエッチングする第６の工程
と、中間層をエッチングした後に、下層のエッチングを
行って、下層に微細パターンを形成する第７の工程と、
フォトレジスト層を除去して最終的に中間層と下層によ
って微細パターンを形成したものをガラス原盤とする第
８の工程とにより光ディスク用原盤を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク用原盤
の製造方法、光ディスク用スタンパの製造方法、および
光ディスク用基板の製造方法に関わる。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク用原盤には、スパイラル状、
又は同心円状に、トラッキング用の案内溝やアドレス・
データを表す凹凸のピットが予め形成されている。この
ような案内溝やピットのパターンは、ガラス基板上にフ
ォトレジスト層を形成し、露光装置の対物レンズで形成
すべきパターンに応じて強度変調されたレーザ光（使用
波長例：４１３ｎｍ、又は４５８ｎｍ）を収束してフォ
トレジスト層を露光し、その後現像することによって形
成することができる。

【０００３】一般的にフォトレジストは、露光による光
架橋反応と熱架橋反応により潜像が形成されるため、照
射したレーザ光スポット径よりも１割〜２割程度、開口
部の溝幅（台形形状の長い辺：Ｗｔｏｐ）が広くなる。

【０００４】また、集光ビームの光強度分布がガウス分
布であるため、フォトレジストに形成された溝は断面が
台形形状となる。このような形状の溝では、トラックピ
ッチが狭くなると、溝の開口部が隣接トラック間で干渉
しあい、溝と溝の間の平坦部分（ランド）の高さが減少
し、溝の深さをフォトレジストの膜厚で制御できなくな
る不具合がある。

【０００５】また、ランドが平坦でないスタンパから作
製された光ディスクメディアの記録特性が低下する問
題、すなわち隣接するトラックからのクロストーク信号
が増加し、特にジッタ特性が低下する等の問題がある。

【０００６】このため、トラックピッチが狭い大容量の
光ディスク用スタンパは、溝幅が狭く、溝断面が矩形で
ある必要がある。フォトレジストにより溝幅を狭く形成
する方法には、ＤｅｅｐＵＶや、ＥＢといった短波長の
露光光を用いるものが挙げられるが、ＵＶ光源は可視レ
ーザ光源とは光学系の共用が出来ず、またＥＢでは真空
中での露光となるため、いずれにおいても別個の光学系
が必要となり、コスト高を招来するという欠点がある。

【０００７】かかる点に鑑みて、露光光の短波長化を行
わずに、かつ露光光スポット径以下の細い溝断面が得ら
れるフォトリソグラフィ技術が必要となる。

【０００８】このような露光光スポット径以下の溝形成
を可能にする技術では、第１の方法として、上層のフォ
トレジストと下層との間に中間層を設け、この中間層を
マスクとして下層をエッチングする方法が挙げられ、第
２の方法としては、上層のフォトレジストマスクパター
ンを利用して下層をエッチングする方法が挙げられる。

【０００９】第１の方法の例としては、特開平９−１０
６５８４号公報に記載されている技術が挙げられる。こ
の技術においては、フォトレジストに形成されるパター
ンの断面が台形になることを利用し、このレジストパタ
ーンをマスクとしてレジストの下に形成された中間層を
エッチングし、さらにこの中間層をマスクとして下層を
エッチングすることで、照射光のスポット径（レジスト
の溝パターン）よりも細く、断面の垂直性が高い溝形成
が可能としたものである。

【００１０】第２の方法の例としては、特開平１１−３
５０１８１号公報に記載されている技術が挙げられる。
これは、下層の有機薄膜の上にフォトレジスト層を設
け、レジストパターンをマスクとして下層の有機薄膜を
エッチングすることで、照射光のスポット径（レジスト
の溝パターン）よりも細く、断面の垂直性が高い溝形成
が可能としたものである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記第１の
方法である特開平９−１０６５８４号公報に記載されて
いる技術においては、エッチングマスクとなる中間層形
成用材料として、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４が適用さ
れているが、これらにより中間層をエッチングするに
は、ウェットプロセスによる場合にはフッ酸、ドライプ
ロセスによる場合にはハロゲン系ガスといった、有毒で
取り扱い困難な薬品やガスを用いる必要があるので、こ
れらを取り扱うためには、安全対策上、コスト高を招来
するという問題がある。

【００１２】また、溝形成された下層表面を導電皮膜処
理し、ニッケル電鋳して、このニッケル皮膜を剥離して
スタンパを作製する場合、スタンパ表面に付着したエッ
チング層を除去するには、下層をエッチングする方法と
同様の手段が取られているが、この際にスタンパ表面に
ダメージを与え、最終的に得られる光ディスクの記録再
生時のノイズレベルが上昇する問題が発生する。

【００１３】上記第２の方法である特開平１１−３５０
１８１号公報に記載されている技術においても、下層の
有機シリコン薄膜のエッチングにハロゲン系ガスを用い
ているため、上述した第１の方法と同様の理由によりコ
スト高を招来するという問題がある。さらにスタンパ剥
離後、ただ単に洗浄したのみでは、スタンパ表面に付着
した有機シリコンを完全に除去することはできず、目的
とする光ディスク用基板成型時に、転写不良の発生原因
となるという問題がある。また、この方法においては、
トラックピッチがある程度広い場合には、マスクとして
のフォトレジスト層高さを充分に確保することができる
が、狭トラックピッチ化を実現する場合、エッチングマ
スクとしてのフォトレジスト層の高さを充分に残せなく
なるため、下層エッチング時にマスク作用を充分に果た
せなくなり、下層パターンにエッジ崩れや高さのばらつ
き等の問題が生じる。

【００１４】そこで、本発明においては、上述したよう
な問題点に鑑みて、下層に形成された露光ビームスポッ
ト径以下の微細溝パターンを損なうことなく、製作コス
トの低減化を図ることができる光ディスク用原盤、スタ
ンパ、光ディスク用基板それぞれの製造方法を提供する
こととした。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明にお
いては、ガラス基板上に非感光性の水溶性樹脂を下層と
して塗布形成する第１の工程と、この下層上に下層と混
合しない紫外線を吸収する中間層を形成する第２の工程
と、中間層上へ、フォトレジスト層を塗布形成する第３
の工程と、光ビームにより所定のパターンを、上記フォ
トレジスト層へ露光し、潜像を形成する第４の工程と、
露光済みフォトレジスト層を、アルカリ性現像液で現像
してパターンを形成する第５の工程と、現像後に中間層
をエッチングする第６の工程と、中間層をエッチングし
た後に、下層のエッチングを行って、下層に微細パター
ンを形成する第７の工程と、フォトレジスト層を除去し
て最終的に中間層と下層によって微細パターンを形成し
たものをガラス原盤とする第８の工程とにより、光ディ
スク用原盤を製造する。

【００１６】請求項２に係る発明においては、上記紫外
線を吸収する中間層を、無機材質により形成するものと
して、光ディスク用原盤を製造する。

【００１７】請求項３に係る発明においては、上記紫外
線を吸収する中間層を、紫外線によって硬化する材質に
より形成するものとして、光ディスク用原盤を製造す
る。

【００１８】請求項４に係る発明においては、上記第１
の工程を行う前に、予め上記ガラス基板上に、大気中プ
ラズマ処理を施す工程を行うこととして、光ディスク用
原盤を製造する。

【００１９】請求項５に係る発明においては、上記中間
層形成用材料として、Ｉｎの酸化物、またはＩｎとＳｎ
との混合酸化物を適用することとして、光ディスク用原
盤を製造する。

【００２０】請求項６に係る発明においては、上記中間
層形成用材料として、合成ゴム系のネガ型フォトレジス
トを適用することとして、光ディスク用原盤を製造す
る。

【００２１】請求項７に係る発明においては、上記中間
層を形成する第２の工程において、不活性ガスを用いた
スパッタリング法を適用して光ディスク用原盤を製造す
る。

【００２２】請求項８に係る発明においては、上記中間
層を形成する第２の工程において、蒸着法を適用して光
ディスク用原盤を製造する。

【００２３】請求項９に係る発明においては、上記中間
層を形成する第２の工程の後、この中間層に紫外線を照
射して硬化させることとして、光ディスク用原盤を製造
する。

【００２４】請求項１０に係る発明においては、上記フ
ォトレジスト層の膜厚を、少なくとも上記中間層の膜厚
よりも厚く形成することとして、光ディスク用原盤を製
造する。

【００２５】請求項１１に係る発明においては、上記第
６の工程の中間層エッチングを行う際に、塩酸、硝酸、
又はこれらの混合酸を適用することとして、光ディスク
用原盤を製造する。

【００２６】請求項１２に係る発明においては、上記第
６の工程の中間層エッチングを行う際に、Ａｒ、Ｈｅ、
Ｋｒ、Ｘｅのいずれかの不活性ガスを用いた逆スパッタ
リングによるドライエッチング法を適用することとし
て、光ディスク用原盤を製造する。

【００２７】請求項１３に係る発明においては、上記第
７の工程の下層エッチングを紫外線オゾンアッシングに
よって行った後、水洗することとして光ディスク用原盤
を製造する。

【００２８】請求項１４に係る発明においては、上記第
７の工程においてＮ_２雰囲気中での紫外線照射を行った
後、水洗することとして、光ディスク用原盤を製造す
る。

【００２９】請求項１５に係る発明においては、上記第
８の工程において上記フォトレジスト層を除去する際
に、フォトレジスト層除去用の薬剤として、乳酸エチ
ル、プロピレングリコール、またはポジ型フォトレジス
ト用剥離液を適用することとして、光ディスク用原盤を
製造する。

【００３０】請求項１６に係る発明においては、上述の
ようにして作製した光ディスク用原盤上に導電皮膜を形
成する第９の工程と、上記導電皮膜を陰極としてニッケ
ル電鋳して、原盤の微細パターンと凹凸が逆転したパタ
ーンを有するニッケルを積層させる第１０の工程と、ニ
ッケル積層後、原盤から剥離し、付着物除去、洗浄を行
う第１１の工程と、上記ニッケル盤を裏面研磨・内外径
加工してスタンパを製作する第１２の工程とにより、光
ディスク用スタンパを製造する。

【００３１】請求項１７に係る発明においては、上記第
９の工程を行う前に、予め上記光ディスク用原盤上に、
大気中プラズマ処理を施すことにより、光ディスク用ス
タンパを製造する。

【００３２】請求項１８に係る発明においては、上記ニ
ッケルを原盤から剥離し、付着物除去、洗浄を行う第１
１の工程において、シュウ酸水溶液による処理を行った
後、純水による流水洗浄を行うこととして、光ディスク
用スタンパを製造する。

【００３３】請求項１９に係る発明においては、互いに
接合される一対の金型間に形成されたキャビティ内に、
上記請求項１６乃至１８のいずれかに記載した方法によ
って作製された光ディスク用スタンパを収納し、キャビ
ティ内に溶融した樹脂を充填した後、冷却し、上記一対
の金型を離反させて成形品を取り出すようにして、光デ
ィスク用基板を製造する。

【００３４】本発明によれば、エッジ崩れのない均一な
微細パターンを有する光ディスク用原盤が得られる。ま
た、本発明によれば、ガラス基板上に下層を剥離無く均
一に形成でき、パターンエッジに盛り上がりや崩れのな
いシャープな微細パターンが形成できる。また、本発明
によれば、中間層を均一に形成でき、欠陥の低減化が図
られ、中間層のエッチング効率の向上、低コスト化、歩
留まりの向上が図られる。また、本発明によれば、下層
のエッチングの効率の向上が図られ、低コスト化および
歩留まりの向上が図られる。また、本発明によれば、光
ディスク用スタンパを低欠陥、低コストで製造できる。
また、本発明によれば、大容量の光ディスク用基板を低
欠陥、低コストで製造できる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下に本発明の光ディスク用原
盤、スタンパ、光ディスク用基板のそれぞれの製造方法
について、具体例を図に示して説明するが、本発明は以
下に示す例に限定されるものではない。

【００３６】〔実施例１〕先ず、光ディスク用原盤作製
用のガラス基板１１を洗浄する。研磨したガラス基板１
１（円盤状）を用意し、これに対し、大気中プラズマ放
電による表面処理を行う。この表面処理は、例えば
（株）キーエンス：ＳＴ−７０００シリーズ（図示せ
ず）を適用することができる。このように、大気中プラ
ズマ処理を施すことにより、短時間でガラス基板１１表
面の有機物除去、濡れ性向上の効果が得られ、ガラス基
板１１に対する水溶性樹脂の塗れ性が向上し、水溶性樹
脂の膜厚を均一化できると共に、水溶性樹脂とガラス基
板の密着性が強められる。

【００３７】ここで、水に対する濡れ性（親水性）が向
上する方法であれば、上述したような大気中プラズマ処
理以外の方法も適用することができる。例えば、ＵＶ／
Ｏ_３と呼ばれる紫外線オゾン処理装置による表面処理方
法を実施することによって、ガラス基板１１表面の有機
物が除去でき、表面に酸化皮膜を形成できるので、この
効果でガラス基板に対する水溶性樹脂の塗れ性が向上
し、水溶性樹脂の膜厚を均一化できると共に、水溶性樹
脂とガラス基板の密着性が強まる。

【００３８】その他にも、イソプロピルアルコールなど
の溶剤で、ガラス基板１１の表面を洗浄して有機物を除
去し、その後、充分に純水で洗浄しておけば、ガラス基
板１１の表面を親水性に置換することができる。

【００３９】しかし、有機物の除去性に優れている点
や、オゾン発生量を考慮しなければならない点、薬品を
使わない点、環境への影響、コスト、作業性、作業時間
の点に鑑みて、大気中プラズマ放電処理が最も優れてい
る。

【００４０】その後、高圧純水シャワーや超音波を印加
した純水シャワーによって、ガラス基板１１表面に浮い
た不純物を完全に洗浄除去し、高速回転振り切り処理、
およびＮ_２ブローによって乾燥させる。なお、ガラス基
板１１の厚さは、薄過ぎると、後のニッケル電鋳工程に
おいて、内部応力によってガラス基板１１が反ってしま
うという不都合が生じ、厚くしすぎると、重量が増加し
て作業性に支障を来すので、１ｍｍ〜１０ｍｍ程度とす
ることが好適である。

【００４１】次に、図１に示すように、上述のようにし
て表面処理されたガラス基板１１上に、水溶性樹脂をス
ピンコートし、加熱乾燥、冷却処理を行い、下層１２を
形成する。この処理により水溶性樹脂の耐水性が高ま
る。この時、塗布された下層１２の膜厚は、後工程によ
り形成される中間層１３の膜厚と合計して、スタンパ表
面に形成する溝深さと同じになるように塗布する必要が
ある。下層１２の膜厚は例えば３５ｎｍとする。

【００４２】下層１２を形成する水溶性樹脂としては、
ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ポリビニル
ピロリドンのいずれかを適用することができる。なお、
本実施例においては、ポリビニルアルコールを塗布後、
１６０℃〜２４０℃の範囲内で、３０分程度の加熱乾燥
処理を行った。

【００４３】次に、図２に示すように下層１２上に中間
層１３を形成する。中間層１３を形成する材質として
は、例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３またはＩＴＯ等のＩｎの酸化物
やＩｎとＳｎとの混合酸化物を適用することができる。
これらの材料は、紫外線域の光に対する透過率が低く、
可視域の光に対する透過率が高い。

【００４４】例えば中間層１３形成用の材料として、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ａｇ等の金属を適用すると、これらの膜は、
露光レーザ光を吸収し、露光中に膜表面が溶融してしま
うという欠点がある。また、ＳｉＯ_２を適用した場合に
は、可視光だけでなく紫外線も透過するため、後のＵＶ
オゾンアッシング工程において、紫外線に対するマスク
としての機能を発揮することが期待できない。Ｉｎ_２Ｏ
_３またはＩＴＯ等のＩｎの酸化物やＩｎとＳｎとの混合
酸化物を適用すれば、露光レーザ光に対する光吸収率が
低いため、このような問題も起きず、更に後のＵＶオゾ
ンアッシング工程において、下層１２である水溶性樹脂
層のマスク作用を充分に発揮することができる。

【００４５】中間層１３の膜厚は、厚過ぎると中間層エ
ッチング時にエッジ部の崩れが大きくなるため、下層１
２を保護できる厚さであれば、可能な限り薄く形成する
ことが望ましい。具体的には、３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲
に形成することが好適である。本実施例においては、中
間層１３の膜厚は５ｎｍに形成することとし、下層１２
の膜厚の３５ｎｍと併せて、４０ｎｍの深さのパターン
を得られるようにした。中間層１３は、不活性ガス（Ａ
ｒ等）を用いたスパッタ法又は蒸着法で形成することに
よって、均一かつ欠陥の極めて少なく形成することがで
きる。

【００４６】次に、図３に示すように、中間層１３上に
フォトレジスト層１４を形成する。上述のようにして形
成した中間層１３上に、フォトレジストをスピンコート
し、加熱乾燥、冷却することにより、フォトレジスト層
１４を形成する。このとき、加熱条件は、オーブンで９
０℃〜１３０℃、３０分とすることができる。フォトレ
ジスト層形成用材料としては、例として東京応化製のポ
ジ型ｉ線系フォトレジスト等の高解像度タイプが好適で
ある。フォトレジスト層１４の膜厚は、厚過ぎると、後
工程において大きな露光パワーが必要となり、逆に薄過
ぎるとマスク層としての機能を発揮できないので、例え
ば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の範囲となるように形
成する。次に、図４に示すように、上述のようにして形
成したフォトレジスト層１４をＫｒガスレーザにより露
光する。この露光工程においては、図１５の原盤露光用
光学系の概略図に示すように、スライダー１０１および
回転モータ１０２を具備するターンテーブル１０３上に
載置された原盤１００に対して、Ｋｒガスレーザ光源か
ら出射された露光光を、スタビライザー１０５、変調器
１０６、偏向器１０７を介し、ミラー１０８および対物
レンズ１０９により所定の位置に集光させて照射して露
光処理を行うものとする。

【００４７】次に、図５に示すように現像処理を行う。
上述のようにして露光されたフォトレジスト層１４をア
ルカリ性現像液によって現像し、露光された図４中の潜
像２５形成部分を除去し、断面が台形状で、幅広部をＷ
ｔｏｐとし、幅狭部をＷｂｏｔとしたパターンを形成
し、その後純水によりリンスを行う。

【００４８】次に、図６に示すように、上述した現像工
程終了後、中間層１３のエッチングを行う。このとき、
エッチング液としては、硝酸、塩酸又はこれらの混合酸
が好適である。本実施例においては、硝酸の２％水溶液
を使用して、約１分間のエッチングを行った。その後純
水による流水洗浄を行い、高速振り切り乾燥を行った。

【００４９】次に、図７に示すように、上述した中間層
１３のエッチング工程後、下層１２のエッチングを行
う。このとき、ＵＶオゾンアッシング法により下層１２
のエッチングを行った。このＵＶオゾンアッシング時に
は、フォトレジスト層１４もエッチングされ、仮に上記
構成の中間層１３がないと、場合によってはＵＶ光がフ
ォトレジスト層１４を透過して下層１２にまで到達し、
下層１２上面がエッチングされて溝パターン高さが変動
してしまう場合もあるが、上記構成の中間層１３がＵＶ
光をブロックするため、下層１２のマスクされた部分は
全くエッチングされることがなく、またエッジ部崩れも
起こさない。ＵＶオゾンアッシング工程後、純水による
水洗を行い、露出部に残った水溶性樹脂の残さを洗い流
す。

【００５０】次に、図８に示すように、フォトレジスト
除去液によりフォトレジスト層１４の除去を行う。フォ
トレジスト除去液は、下層１２を溶解しない液体を選択
する。具体的には、プロピレングリコール、乳酸エチ
ル、酢酸ブチル、モノメチルエーテル等を適用すること
ができる。なお中間層１２を形成しない場合には、たと
え下層１２を溶解しない液体を選択していても、どうし
てもある程度の溝エッジ部崩れが発生してしまい、また
フォトレジスト層１４と下層１２との界面がきれいに剥
離せず、下層１２上面が荒れてしまうという問題があっ
た。しかし本工程に則った中間層１３を設けることによ
り、このような問題は解決される。上述した工程を経
て、光ディスク用原盤１００が作製される。

【００５１】上述のようにして作製した光ディスク用原
盤１００の表面に、大気中プラズマ放電による表面処理
を行う。この処理により光ディスク用原盤１００の表面
に形成された微細パターンにダメージを与えることなく
濡れ性を向上させ、次工程において形成する導電皮膜の
密着力を強めることができ、ニッケル電鋳時に導電皮膜
が剥離する不良を防ぐことができる。

【００５２】次に、図９に示すように、光ディスク原盤
１００の表面に、後工程におけるニッケル電鋳時に必要
な導電皮膜１５を形成する。導電皮膜１５は、次工程に
おいて行うニッケル電鋳と同材質を用いることが望まし
いため、ニッケル皮膜を形成する。形成手段としては、
Ａｒ等の不活性ガスによるニッケルスパッタや、ニッケ
ル蒸着、無電解ニッケルめっき等を利用することができ
る。

【００５３】次に、上述したように、導電皮膜１５を形
成した後、図１０に示すように、ニッケル電鋳工程によ
り、ニッケル電鋳層１６を積層させてスタンパ化する。
この工程においては、上述したガラス原盤１００を電鋳
槽に入槽すると同時に通電を開始し、無通電時間を作ら
ないことによって、上記導電皮膜１５が酸性のニッケル
電鋳液によってエッチングされ剥離するのを防ぐように
する。また、通電開始から３分間以上、０.１Ａ／ｄｍ
^２〜０.５Ａ／ｄｍ^２の範囲内で弱通電することで、導
電皮膜１５の濡れ性を向上させニッケル電鋳液に馴染ま
せ、電鋳時剥離を起きるのを防ぐことができる。弱通電
後、電流値を段階的に上昇させ、最終的に１２Ａ／ｄｍ
^２〜２０Ａ／ｄｍ^２程度まで電流値を上昇させてから
一定に保ち、所定の電鋳膜厚（３００μｍ程度）を得る
まで通電を続ける。このようにすることによって、最終
的に得られるスタンパのビッカース硬度を、情報パター
ン面側で２５０〜３００、裏面で１５０〜２００程度
に保つことができる。

【００５４】次に、図１１に示すように、上述したよう
にニッケル電鋳層１６を形成した後、ガラス原盤１００
からニッケル電鋳層１６を剥離してニッケル盤１７を得
る。このとき、剥離するニッケル盤１７に応力が加わっ
て、ニッケル盤を曲げてしまわないように注意する。こ
のとき、剥離したニッケル盤１７の凹凸パターン形成面
に、ガラス原盤１００から付着する残さ１８が残存して
しまう。

【００５５】次に、図１２に示すように、ニッケル盤の
凹凸パターン形成面側に付着した残さ１８を除去する。
特に中間層１３の残さ１８を除去する際においては、ニ
ッケル盤１７の情報パターン形成面にダメージを与えず
に行う必要がある。そのための残さ除去用の薬品として
はシュウ酸が好適である。例えば、シュウ酸５〜１０％
水溶液中でニッケル盤１７を５分間程度処理した後、純
水で流水洗浄することにより、付着した残さ１８を完全
に除去することができる。

【００５６】次に、図１３に示すように、ニッケル盤１
７の凹凸パターン形成面側に、所定のプラスチックコー
トで保護膜をつけ、裏面研磨を行う。なお、ニッケル盤
を原盤１００から剥離する工程の前工程において、裏面
研磨をしても良い。この場合には、保護膜を付ける必要
がなくなる。また、この後、ニッケル盤１７の内外径を
所望の寸法にプレス加工することで、目的とするスタン
パ２０が作製される。

【００５７】次に、図１４に示すような光ディスク用基
板成型装置３０を用意する。この光ディスク基板成型装
置３０は、固定金型３１と可動金型３２とを具備し、こ
れらの間にキャビティ３３が形成されてなる構成を有し
ている。固定金型３１のキャビティ３３に対向する側の
面に、スタンパ２０を設置固定し、キャビティ３３内
に、溶融樹脂を射出充填し、固定金型３１と可動金型３
２とで圧縮成型する。その後固定金型３１と可動金型３
２とを分離して、冷却固化後の樹脂を取り出すことによ
って、目的とする光ディスク用基板が作製される。この
ようにして作製した光ディスク基板に、所定の材料によ
って記録層、誘電体層、反射層、保護層等を成膜、形成
することによって、光ディスクが作製される。

【００５８】上述した本発明の製作工程では、下層１２
（水溶性樹脂層）とフォトレジスト層１４との間に中間
層１３を設けており、フォトレジスト層１４に形成され
た溝パターンの下に、さらに中間層１３をマスク層及び
保護層として機能させ、エッチングで形成された中間層
１３およびＵＶオゾンエッチングによって形成された下
層１２を併せた溝パターンを使って、スタンパ２０を作
製した。この結果、フォトレジスト層１４に形成された
溝の底幅が中間層１３の溝幅となるため、フォトレジス
ト層１４に形成された溝断面よりも細い溝、すなわち露
光ビームスポット径以下の微細溝を中間層１３および下
層１２に形成することができ、また台形ではなく、断面
形状が矩形の溝パターンを得ることができる。また露光
用光源として波長４００ｎｍ近傍のＫｒガスレーザを用
いることが可能なので、光学系も高価な紫外域用ではな
く通常の可視領域のものを使用でき、コスト的に非常に
有利となる。

【００５９】更に中間層１３を設けることによって、Ｕ
Ｖオゾンアッシング時やフォトレジスト層除去時に下層
１２にダメージを与えることが無くなり、均一な溝パタ
ーン形状を容易に得ることができる。

【００６０】次に、本発明の光ディスク用原盤、スタン
パ、光ディスク用基板の製造方法の他の例について図を
参照して説明する。〔実施例２〕先ず、上述した〔実施例１〕と同様にし
て、所定のガラス基板１１を洗浄する。これにおいて
は、研磨ガラス基板１１に対する水溶性樹脂の塗布性を
向上させるために、大気中プラズマ放電による表面処理
を行う（装置例として：（株）キーエンス：ＳＴ−７０
００シリーズ）。これにより、短時間でガラス表面の有
機物除去、濡れ性向上の効果が得られ、ガラス基板１１
に対して後工程において形成する水溶性樹脂の塗れ性が
向上し、水溶性樹脂層の膜厚を均一化できると共に、水
溶性樹脂とガラス基板１１の密着性が強まる。

【００６１】ここで、水に対する濡れ性（親水性）が向
上できる方法であれば、上記処理以外の方法でも代用が
可能である。例えば、ＵＶ／Ｏ_３と呼ばれる紫外線オゾ
ン処理装置による表面処理方法を実施することによっ
て、ガラス基板１１表面の有機物の除去と表面に酸化皮
膜を形成し、この効果でガラス基板１１に対する水溶性
樹脂の塗れ性が向上し、水溶性樹脂の膜厚を均一化でき
ると共に、水溶性樹脂とガラス基板１１の密着性を高め
ることができる。その他、イソプロピルアルコールなど
の溶剤で表面を洗浄して有機物を除去した後、充分に純
水で洗浄しておけば、ガラス基板１１表面を親水性に置
換することができる。しかし、有機物の除去性に優れて
いる点や、オゾン発生量、薬品を使わない点、環境への
影響、コスト、作業性、作業時間の点で、大気中プラズ
マ放電処理が最も優れた方式である。

【００６２】その後、高圧純水シャワーや超音波を印加
した純水シャワーによって、ガラス基板１１表面に浮い
た不純物を完全に洗浄除去した後、高速回転振り切り及
びＮ _２ブローによって乾燥させる。なお、ガラス基板１
１の厚さは、あまり薄いと、後工程におけるニッケル電
鋳時に内部応力によってガラス基板１１に反りが生じて
しまい、逆に厚すぎると重くなって作業性に支障を来す
ので、１ｍｍ〜１０ｍｍ程度とすることが好適である。

【００６３】次に、図１６に示すように、ガラス基板１
１上に下層１２を形成する。上述のようにして表面処理
されたガラス基板１１に、水溶性樹脂をスピンコート
し、加熱乾燥、冷却することによって下層１２を形成す
る。この加熱処理により水溶性樹脂の耐水性を高めるこ
とができる。この時、塗布された下層１２の膜厚は、後
工程において形成する中間層４３の膜厚と合計してスタ
ンパ表面に形成する溝深さと同じになるように塗布する
必要がある。なお、本実施例においては下層１２の膜厚
は、３０ｎｍ程度とした。

【００６４】下層１２形成用の水溶性樹脂としては、ポ
リビニルアルコール、メチルセルロース、ポリビニルピ
ロリドンのいずれかを適用することができる。なお、本
実施例においては、ポリビニルアルコールを塗布後、１
６０℃〜２４０℃の範囲内で、３０分程度の加熱乾燥を
行った。

【００６５】次に、図１７に示すように中間層４３を形
成する。上述のようにして形成した下層１２の表面に、
中間層４３を形成する。中間層４３は、合成ゴム系のネ
ガ型フォトレジストをスピンコートし、加熱乾燥、冷却
して形成する。加熱条件は、オーブンで８０℃〜１５０
℃、３０分であるものとした。この条件内で、次工程に
おいて塗布するポジ型フォトレジストと界面で混じり合
わないように、なるべく高温で加熱乾燥させた方が良
い。中間層４３を形成するネガ型フォトレジストの具体
例としては、東京応化製のネガ型フォトレジストＯＭＲ
シリーズ等を適用することができる。これらのフォトレ
ジストは、紫外線域の光の吸収率が高く、紫外線によっ
て硬化するので、紫外線に対するマスク効果が高い。例
えば中間層４３形成用材料としてＳｉＯ_２を用いると、
可視光だけでなく紫外線も透過するため、後のＵＶオゾ
ンアッシング工程時に、紫外線に対するマスク作用を期
待できない。これに対し、上述したような合成ゴム系の
ネガ型フォトレジストを用いれば、後のＵＶオゾンアッ
シング工程時においても、下層１２の水溶性樹脂層１２
のマスク作用を充分に果たすことができる。

【００６６】中間層４３の膜厚は、厚過ぎると中間層４
３のエッチング時にエッジ部の崩れが大きくなるため、
下層１２を保護できる厚さであればできるだけ薄い方が
好ましい。この点に鑑みて、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの
範囲に形成することが好適である。なお、本実施例にお
いては、中間層４３は１０ｎｍの膜厚に形成し、下層１
２の膜厚の３０ｎｍと併せて、４０ｎｍの深さのパター
ンが得られるようにした。なおここでは、中間層４３形
成用材料としてネガ型フォトレジストを適用したが、後
工程によって塗布するポジ型フォトレジストと混じり合
わず、かつ薄く均一に塗布できる材質であれば、他の紫
外線硬化樹脂を用いることも可能である。

【００６７】次に、上述した中間層４３に紫外線を照射
して架橋硬化させる。この場合、中間層４３を均一に硬
化させるためには、平行紫外線を適用することが望まし
い。

【００６８】次に、図１８に示すように中間層４３上
に、感光性樹脂であるポジ型フォトレジストをスピンコ
ートし、加熱乾燥、冷却することにより、最上層４４を
形成する。加熱条件は、例えばオーブンで９０℃〜１３
０℃、３０分で行う。ポジ型フォトレジスト材料として
は、例として東京応化製のポジ型ｉ線系フォトレジスト
といった高解像度タイプが好適である。最上層４４の膜
厚は、この後工程において行う中間層４３エッチング工
程時に中間層４３と同様に膜減りするため、少なくとも
中間層４３の膜厚よりも厚く形成する必要である。ただ
し、最上層４４を厚くし過ぎると、その分大きな露光パ
ワーが必要となるため、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度に
形成することが好適である。

【００６９】次に、図１９に示すように、ポジ型フォト
レジストによって形成された最上層４４を、Ｋｒガスレ
ーザにより露光する。この露光工程においては、図１５
の原盤露光用光学系の概略図に示すものと同様のものが
適用でき、スライダー１０１および回転モータ１０２を
具備するターンテーブル１０３上に載置された原盤１０
０に対して、Ｋｒガスレーザ光源１０４から出射された
露光光を、スタビライザー１０５、変調器１０６、偏向
器１０７を介し、ミラー１０８および対物レンズ１０９
により所定の位置に集光させて照射して露光処理を行
う。

【００７０】次に、図２０に示すように現像処理を行
う。上述のようにして露光されたフォトレジスト層１４
をアルカリ性現像液によって現像し、露光された図１９
中の潜像２５形成部分を除去し、断面が台形状で、幅広
部をＷｔｏｐ幅狭部をＷｂｏｔとしたパターンを形成
し、その後純水によりリンスを行う。

【００７１】次に、図２１に示すように、上述した現像
工程終了後、中間層４３のエッチングを行う。このと
き、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれかの不活性ガスを
用いた逆スパッタリングによるドライエッチング法を適
用してエッチングを行うことにより、サイドエッチング
を極力起こさずに中間層のエッチングを行うことができ
る。

【００７２】次に、図２２に示すように、下層１２のエ
ッチングを行う。このとき、Ｎ_２雰囲気中での低圧水銀
ランプによる紫外線照射を行うことによって、露出した
下層１２のエッチングを行う。通常の大気中紫外線照射
では、波長２００ｎｍ以下のエネルギーの大きな短波長
紫外線が大気中のＯ_２に吸収されてしまい、効率の良い
エッチングができない。またその時に発生するオゾンに
よって最上層４４のポジ型フォトレジストがエッチング
されるという不具合も起こる。Ｎ_２雰囲気中ではこのよ
うな不都合が起こらないため、効率良く、かつ高精度の
エッチングを行うことができる。仮に上記構成の中間層
４３がないと、場合によっては短波長紫外線がポジ型フ
ォトレジスト層を透過して下層１２にまで到達し、下層
１２上面がエッチングされて溝パターン高さが変動して
しまう場合もあるが、上記構成の中間層４３が短波長紫
外線をブロックするため、下層１２によりマスクされた
部分は全くエッチングされることがなく、またエッジ部
崩れも起こさない。上述したように紫外線を照射した
後、純水による水洗を行い、露出部に残った水に可溶と
なった水溶性樹脂の残さを洗い流して除去する。

【００７３】次に、図２３に示すように、ポジ型フォト
レジスト除去液により最上層（ポジ型フォトレジスト
層）４４を除去する。この液は、中間層（ネガ型フォト
レジスト層）４３および下層（水溶性樹脂層）１２を侵
さない薬品を選択する必要がある。具体的には、プロピ
レングリコール、乳酸エチル、ＮＭＰ（Ｎ−メチル２−
ピロリドン）、または市販のポジ型フォトレジスト用剥
離液（例えば、東京応化製剥離液１０４等）を適用する
ことができる。なお中間層４３が無い場合には、いくら
下層１２を溶解しない液体を選択していても、どうして
もある程度の溝エッジ部崩れが発生するのと、ポジ型フ
ォトレジスト層４４と下層１２との界面がきれいに剥離
せず、下層１２上面が荒れてしまう問題があった。しか
し本工程に則った中間層４３を設けることにより、この
ような不都合が回避される。上述したような工程を経
て、最終的に目的とする光ディスク用原盤１００が完成
する。

【００７４】次に、上述のようにして作製した光ディス
ク用原盤１００の表面に、上記〔実施例１〕と同様に、
大気中プラズマ放電による表面処理を行う。この処理に
より光ディスク用原盤１００の表面に形成された微細パ
ターンにダメージを与えることなく濡れ性を向上させ、
次工程において形成する導電皮膜の密着力が強まり、ニ
ッケル電鋳時に導電皮膜が剥離する不良を防ぐことがで
きる。

【００７５】次に、図２４に示すように光ディスク用原
盤１００上に、後工程におけるニッケル電鋳時に必要な
導電皮膜１５を形成する。導電皮膜１５はニッケル電鋳
と同じ材質を適用することが望ましいため、ニッケル皮
膜を形成する。導電皮膜の膜厚は、薄すぎると後のニッ
ケル電鋳時に通電不良を起こし、厚すぎると内部応力の
ために剥離不良を起こすため、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程
度とすることが望ましい。導電皮膜１５の形成手段とし
ては、Ａｒ等の不活性ガスによるニッケルスパッタや、
ニッケル蒸着、無電解ニッケルめっき処理等が適用でき
る。

【００７６】上述したように、導電皮膜１５を形成した
後、図２５に示すように、ニッケル電鋳処理を施し、ニ
ッケル電鋳層１６を積層させてスタンパ化する。この工
程においては、上述した光ディスク用原盤１００を電鋳
槽に入槽すると同時に通電を開始し、無通電時間を作ら
ないことによって、上記導電皮膜１５が酸性のニッケル
電鋳液によってエッチングされ剥離するのを防ぐように
する。また、通電開始から３分間以上、０.１Ａ／ｄｍ
^２〜０.５Ａ／ｄｍ^２の範囲内で弱通電することで、導
電皮膜１５の濡れ性を向上させニッケル電鋳液に馴染ま
せ、電鋳時剥離を起きるのを防ぐことができる。弱通電
後、電流値を段階的に上昇させ、最終的に１２Ａ／ｄｍ
^２〜２０Ａ／ｄｍ^２程度まで電流値を上昇させてから
一定に保ち、所定の電鋳膜厚（３００μｍ程度）を得る
まで通電を続ける。このようにすることによって、最終
的に得られるスタンパのビッカース硬度を、情報パター
ン面側で２５０〜３００、裏面で１５０〜２００程度
に保つことができる。

【００７７】次に、図２６に示すように、上述したよう
にニッケル電鋳層１６を形成した後、光ディスク用原盤
１００からニッケル電鋳層１６を剥離してニッケル盤１
７を得る。このとき、剥離するニッケル盤１７に応力が
加わって、ニッケル盤を曲げてしまわないように注意す
る。

【００７８】次に、ニッケル盤１７の情報パターン形成
面側に付着したネガ型フォトレジストや水溶性樹脂の残
さを除去する。このとき特に、ニッケル盤１７の情報パ
ターン形成面にダメージを与えずに行う必要がある。そ
のための方法として、乾式法では酸素プラズマによるア
ッシング、湿式法としてはニッケルスタンパを侵さない
ネガ型フォトレジスト用剥離液（例えば、東京応化製ク
リーンストリップＭＦ等）による剥離がある。乾式法は
環境汚染や汚れの再付着の心配が無く、湿式法はコスト
的に有利であるという利点がある。

【００７９】次に、図２７に示すように、ニッケル盤１
７の情報パターン形成面側に、プラスチックコートで保
護膜をつけ、裏面研磨を行う。なお、図２６において示
して説明したニッケル盤１７の剥離工程の前工程として
裏面研磨を施してもよい。この場合には、保護膜を付け
る必要がなくなる。次に、ニッケル盤１７の内外径を所
望の寸法にプレス加工することで、光ディスク用スタン
パ２０が得られる。

【００８０】次に、〔実施例１〕において図１４に示し
て説明したものと同様の構成を有する光ディスク用基板
成型装置３０を用意する。この光ディスク基板成型装置
３０は、固定金型３１と可動金型３２とを具備し、これ
らの間にキャビティ３３が形成されてなる構成を有して
いるものとする。固定金型３１のキャビティ３３に対向
する側の面に、上述のようにして作製したスタンパ２０
を設置固定し、キャビティ３３内に、溶融樹脂を射出充
填し、固定金型３１と可動金型３２とで圧縮成型する。
その後固定金型３１と可動金型３２とを分離して、冷却
固化後の樹脂を取り出すことによって、目的とする光デ
ィスク用基板が作製される。このようにして作製した光
ディスク基板に、所定の材料によって記録層、誘電体
層、反射層、保護層等を成膜、形成することによって、
光ディスクが作製される。

【００８１】上述した本発明の製作プロセスにおいて
は、下層（水溶性樹脂）１２と最上層４４との間に中間
層４３を設けており、最上層４４に形成された溝パター
ンの下に、さらに中間層４３を形成し、これをマスク層
および保護層として機能させ、エッチングで形成された
中間層４３および紫外線エッチングによって形成された
下層１２を併せた溝パターンを使って、スタンパを製作
した。この結果、最上層４４に形成された溝の底幅が中
間層４３の溝幅となるため、最上層４４に形成された溝
断面よりも狭い溝、すなわち露光ビームスポット径以下
の微細溝を中間層４３および下層１２に形成することが
でき、また台形ではなく、断面形状が矩形の溝パターン
を得ることができる。また露光用光源として波長４００
ｎｍ近傍のＫｒガスレーザを用いることが可能なので、
光学系も高価な紫外域用ではなく通常の可視領域のもの
を使用でき、コスト的に非常に有利となる。さらに中間
層４３を設けたことにより、紫外線エッチング時や最上
層４４除去時に下層１２にダメージを与えることが無く
なり、均一な溝パターン形状を容易に得ることができ
る。

【００８２】

【発明の効果】本発明の光ディスク用原盤の製造方法に
よれば、回折限界以下の微細溝パターンを、低欠陥でか
つ低コストで形成することができる。

【００８３】本発明の光ディスク原盤の製造方法によれ
ば、ガラス基板に対する水溶性樹脂の塗布性を向上させ
るために、大気中プラズマ放電による表面処理を行って
いるので、安全で迅速かつ低コストで、ガラス基板に対
する水溶性樹脂の塗れ性を向上させ、水溶性樹脂の膜厚
を均一化できると共に、水溶性樹脂とガラス基板の密着
性が強めることができた。

【００８４】本発明の光ディスク原盤の製造方法によれ
ば、中間層形成用材料として、Ｉｎの酸化物、またはＩ
ｎとＳｎの混合酸化物を使用しているので、露光レーザ
光に対する光吸収率が低いため、露光時に中間層が溶融
することもなく、更に後の下層エッチング時に、ＵＶオ
ゾンアッシングに対する下層の水溶性樹脂層のマスク作
用を充分に果たすことができるため、ＵＶ光がフォトレ
ジスト層を透過して下層にまで到達し、下層上面がエッ
チングされて溝パターン高さが変動してしまうという問
題を回避でき、溝パターンのエッジ崩れを防ぐことがで
きる。

【００８５】本発明の光ディスク原盤の製造方法によれ
ば、中間層形成用材料として、ネガ型フォトレジストを
使用したことにより、下層エッチング時に、紫外線エッ
チングに対する下層の水溶性樹脂層のマスク作用を充分
に果たすことができ、短波長紫外線が最上層を透過して
下層にまで到達し、下層上面がエッチングされて溝パタ
ーン高さが変動してしまうという問題を回避でき、溝パ
ターンのエッジ崩れを防ぐことができる。

【００８６】また、中間層としてネガ型フォトレジスト
を塗布しベーク後、紫外線を照射して架橋硬化させてい
るので、後工程においてポジ型フォトレジスト塗布を行
っても界面で混じり合うことが無く、溝パターン高さが
変動してしまうという問題が回避された。

【００８７】本発明の光ディスク用原盤の製造方法によ
れば、中間層の形成手段として、不活性ガスを用いたス
パッタ法又は蒸着法を採用したことにより、均一かつ低
欠陥の中間層を形成することができた。

【００８８】また、本発明の光ディスク用原盤の製造方
法によれば、最上層の厚さを少なくとも中間層を超える
厚さにしたことにより、中間層エッチング時に最上層が
膜減りしても、後の、下層の紫外線エッチング時のマス
ク層として充分な厚さを確保することができた。

【００８９】本発明の光ディスク用原盤の製造方法によ
れば、中間層のエッチング工程において、エッチング液
として、硝酸、塩酸又はこれらの混合酸を用いたことに
より、簡便、低コストかつ確実に中間層をエッチングす
ることができた。

【００９０】また、本発明の光ディスク用原盤の製造方
法によれば、中間層のエッチング工程において、不活性
ガスを用いた逆スパッタリングによるドライエッチング
法を適用したことにより、サイドエッチングを極力防ぎ
つつ中間層をエッチングすることができた。

【００９１】本発明の光ディスク用原盤の製造方法によ
れば、下層エッチングをＵＶオゾンアッシングと水洗と
で行うこととしたので、下層の水溶性樹脂層露出部分の
分子結合を切り、確実かつ効率的に下層エッチングを行
うことができた。

【００９２】本発明の光ディスク用原盤の製造方法によ
れば、下層のエッチング工程において、Ｎ_２雰囲気中で
の紫外線照射を行い水洗しているので、波長２００ｎｍ
以下の、エネルギーの大きな短波長紫外線によって、効
率良く、かつ高精度のエッチングを行うことができ、水
洗によって露出部に残った水溶性樹脂の残さを確実に洗
い流すことができた。

【００９３】本発明の光ディスク用原盤の製造方法によ
れば、最上層除去用に、プロピレングリコール、乳酸エ
チル、ＮＭＰ、または市販のポジ型フォトレジスト用剥
離液を使用したので、中間層（ネガ型ポジレジスト
層）、および下層（水溶性樹脂層）を侵すことがなく、
溝パターン高さが変動したり溝エッジ部が崩れたりする
ような不良発生を回避できた。

【００９４】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法
によれば、光ディスク用原盤と凹凸逆転した微細パター
ンを有するスタンパを低コストかつ低欠陥で作製するこ
とができた。

【００９５】また、本発明の光ディスク用スタンパの製
造方法によれば、光ディスク用原盤へ導電皮膜を形成す
る工程前に、光ディスク用原盤上へ大気中プラズマ処理
を行っているので、光ディスク用原盤の表面に形成され
た微細パターンにダメージを与えることなく濡れ性を向
上させ、導電皮膜の密着力が強められ、ニッケル電鋳時
に導電皮膜が剥離する不良を防ぐことができた。

【００９６】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法
によれば、ニッケル盤剥離後の付着物除去、洗浄を行う
工程において、シュウ酸水溶液での処理後純水による流
水洗浄を行っているので、ニッケル盤の情報パターン形
成面にダメージを与えずに、かつ完全に付着物残さを除
去できた。

【００９７】本発明の光ディスク用基板の製造方法によ
れば、本発明方法によって作製したスタンパを用いて射
出成形を行っているので、大容量でありながら低コス
ト、低欠陥の光ディスクを製造できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図を
示す。

【図２】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図を
示す。

【図３】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図を
示す。

【図４】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図を
示す。

【図５】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図を
示す。

【図６】中間層エッチング工程の概略断面図を示す。

【図７】下層エッチング工程の概略断面図を示す。

【図８】フォトレジスト層除去工程の概略断面図を示
す。

【図９】導電皮膜形成工程の概略断面図を示す。

【図１０】ニッケル電鋳層形成工程の概略断面図を示
す。

【図１１】ニッケル盤剥離工程の概略断面図を示す。

【図１２】ニッケル盤洗浄工程の概略断面図を示す。

【図１３】本発明方法によって作製されるスタンパの概
略断面図を示す。

【図１４】本発明の光ディスク用基板の作製工程図を示
す。

【図１５】光ディスク用原盤の露光工程の概略構成図を
示す。

【図１６】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図
を示す。

【図１７】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図
を示す。

【図１８】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図
を示す。

【図１９】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図
を示す。

【図２０】光ディスク用原盤の一製造工程の概略断面図
を示す。

【図２１】中間層エッチング工程の概略断面図を示す。

【図２２】下層エッチング工程の概略断面図を示す。

【図２３】フォトレジスト層除去工程の概略断面図を示
す。

【図２４】導電皮膜形成工程の概略断面図を示す。

【図２５】ニッケル電鋳層形成工程の概略断面図を示
す。

【図２６】ニッケル盤剥離工程の概略断面図を示す。

【図２７】本発明方法によって作製されるスタンパの概
略断面図を示す。

【符号の説明】

１１ガラス基板１２下層１３中間層１４フォトレジスト層１５導電皮膜１６ニッケル電鋳層１７ニッケル盤１８付着残さ２０スタンパ２５潜像３０光ディスク基板成型装置３１固定金型３２可動金型３３キャビティ４３中間層４４最上層１００光ディスク用原盤１０１スライダー１０２回転モータ１０３ターンテーブル１０４Ｋｒガスレーザ１０５スタビライザ１０６変調器１０７偏向器１０８ミラー１０９対物レンズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板上に非感光性の水溶性樹脂を
下層として塗布形成する第１の工程と、下層上に該下層
と混合しない紫外線を吸収する中間層を形成する第２の
工程と、上記中間層上へ、フォトレジスト層を塗布形成
する第３の工程と、光ビームにより所定のパターンを、
上記フォトレジスト層へ露光し、潜像を形成する第４の
工程と、上記露光済みフォトレジスト層を、アルカリ性
現像液で現像してパターンを形成する第５の工程と、現
像後に上記中間層をエッチングする第６の工程と、上記
中間層をエッチングした後に、上記下層のエッチングを
行って、下層に微細パターンを形成する第７の工程と、
上記フォトレジスト層を除去して最終的に中間層と下層
によって微細パターンを形成したものを得る第８の工程
とを備えたことを特徴とする光ディスク用原盤の製造方
法。
【請求項２】上記紫外線を吸収する中間層が、無機材
質により形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項３】上記紫外線を吸収する中間層が、紫外線
によって硬化する材質により形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項４】上記第１の工程を行う前に、予め上記ガ
ラス基板上に、大気中プラズマ処理を施す工程を行うこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光デ
ィスク用原盤の製造方法。
【請求項５】上記中間層形成用材料として、Ｉｎの酸
化物、またはＩｎとＳｎとの混合酸化物を適用すること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光ディ
スク用原盤の製造方法。
【請求項６】上記中間層形成用材料として、合成ゴム
系のネガ型フォトレジストを適用することを特徴とする
請求項１乃至４のいずれかに記載の光ディスク用原盤の
製造方法。
【請求項７】上記中間層を形成する第２の工程におい
て、不活性ガスを用いたスパッタリング法を適用するこ
とを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の光デ
ィスク用原盤の製造方法。
【請求項８】上記中間層を形成する第２の工程におい
て、蒸着法を適用することを特徴とする請求項１乃至６
のいずれかに記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項９】上記中間層を形成する第２の工程の後、
該中間層に紫外線を照射して硬化させることを特徴とす
る請求項１乃至８のいずれかに記載の光ディスク用原盤
の製造方法。
【請求項１０】上記フォトレジスト層の膜厚を、少な
くとも上記中間層の膜厚よりも厚くすることを特徴とす
る請求項１乃至９のいずれかに記載の光ディスク用原盤
の製造方法。
【請求項１１】上記第６の工程の中間層エッチングを
行う際に、塩酸、硝酸、又はこれらの混合酸を適用する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の
光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項１２】上記第６の工程の中間層エッチングを
行う際に、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれかの不活性
ガスを用いた逆スパッタリングによるドライエッチング
法を適用することを特徴とする請求項１乃至１０のいず
れかに記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項１３】上記第７の工程の下層エッチングを、
紫外線オゾンアッシングによって行った後、水洗するこ
とを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の光
ディスク用原盤の製造方法。
【請求項１４】上記第７の工程においてＮ_２雰囲気中
での紫外線照射を行った後、水洗することを特徴とする
請求項１乃至１２のいずれかに記載の光ディスク用原盤
の製造方法。
【請求項１５】上記第８の工程において上記フォトレ
ジスト層を除去する際に、フォトレジスト層除去用の薬
剤として、乳酸エチル、プロピレングリコール、または
ポジ型フォトレジスト用剥離液を適用することを特徴と
する請求項１乃至１４のいずれかに記載の光ディスク用
原盤の製造方法。
【請求項１６】上記請求項１乃至１５のいずれかの光
ディスク用原盤の製造方法により作製される光ディスク
用原盤上に導電皮膜を形成する第９の工程と、上記導電
皮膜を陰極としてニッケル電鋳して、原盤の微細パター
ンと凹凸が逆転したパターンを有するニッケルを積層さ
せる第１０の工程と、ニッケル積層後、原盤から剥離
し、付着物除去、洗浄を行う第１１の工程と、上記ニッ
ケル盤を裏面研磨、内外径加工してスタンパを製作する
第１２の工程とを有することを特徴とする光ディスク用
スタンパの製造方法。
【請求項１７】上記第９の工程を行う前に、予め上記
光ディスク用原盤上に、大気中プラズマ処理を施すこと
を特徴とする請求項１６に記載の光ディスク用スタンパ
の製造方法。
【請求項１８】上記ニッケルを原盤から剥離し、付着
物除去、洗浄を行う第１１の工程において、シュウ酸水
溶液による処理を行った後、純水による流水洗浄を行う
ことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の光ディス
ク用スタンパの製造方法。
【請求項１９】互いに接合される一対の金型間に形成
されたキャビティ内に、上記請求項１６乃至１８のいず
れかに記載した方法によって作製された光ディスク用ス
タンパを収納し、上記キャビティ内に溶融した樹脂を充
填した後、冷却し、上記一対の金型を離反させて成形品
を取り出すようにすることを特徴とする光ディスク用基
板の製造方法。