JP2003226682A - コレステリック液晶性デンドリマーおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚膜とした場合にも、高配向を示すコレステ
リック液晶材料およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 一般式（１）： 【化１】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
を示し、Ｒ² はネマチック液晶性基と、光学活性基を有
する液晶性基の混在。）で表されるコレステリック液晶
性デンドリマー。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコレステリック液晶
性デンドリマーおよびその製造方法に関する。本発明の
コレステリック液晶性デンドリマーはサーモトロピック
液晶として機能し、側鎖型液晶に比べてメソゲンの配向
が容易に起こる。また液晶相としてコレステリック相を
発現し、その選択反射特性を応用した広帯域反射偏光子
に利用することができる。

【０００２】

【従来の技術】近年、広帯域反射偏光子を応用して消費
電力の低減と明るさの向上を両立する液晶表示装置の開
発が進んでいる。コレステリック液晶材料は広帯域反射
偏光子に利用できることことから、駆動電力に限界のあ
る液晶表示装置を備えた携帯機器の好適な材料となる。
コレステリック液晶材料としては、たとえば光学活性基
を含有するモノマーを含有する側鎖型のコレステリック
液晶ポリマーが用いられる。また広帯域反射偏光子で
は、非流動液晶配向層として一定以上の厚みが必要であ
る。

【０００３】コレステリック液晶材料を用いた広帯域反
射偏光子は工業的な生産が可能である。また特開２００
１−５６４０９号公報には広帯域反射偏光子の簡便な製
造方法が提案されている。しかし、従来のコレステリッ
ク液晶ポリマーを、広帯域反射偏光子の非流動液晶配向
層に要求される一定以上の厚みとすると片側配向ができ
ない。そのため、好適な非流動液晶配向層の厚みを有す
る広帯域反射偏光子を達成するには同一のコレステリッ
ク液晶ポリマーを薄膜で配向させ、それを多重積層する
方法や、２枚の配向板間にコレステリック液晶ポリマー
を挟持して配向させ、配向後に一方の配向板を剥離する
方法等が用いられている。しかし、これらの方法は煩雑
である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、厚膜とした
場合にも、高配向を示すコレステリック液晶材料および
その製造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示すコレステ
リック液晶性デンドリマーおよびその製造方法を見出
し、本発明を完成するに至った。

【０００６】すなわち、本発明は、一般式（１）：

【化１４】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
を示し、Ｒ² は、一般式（ａ）：

【化１５】 （式中、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を、ｍは１〜６
の整数を、Ｘ¹ は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁴ は炭素数
１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フルオロ基または炭
素数１〜６のアルキル基を、ｐおよびｑは１または２を
示す。）で表される置換基または一般式（ｂ）：

【化１６】 （式中、Ｒ⁵ は水素原子またはメチル基を、ｎは１〜６
の整数を、Ｘ² は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁶ は一般式
（ｃ）：

【化１７】 （各式中、Ｒ⁷ は、フェニル基、１−ナフチル基、２−
ナフチル基またはビフェニル基を、Ｒ⁸ は、メチル基、
フェニル基またはカルボキシメチル基を、Ｒ⁹ はメチル
基、ベンジル基またはｔ−ブチル基を示す。＊は不斉炭
素原子を示す。）で表される置換基を示す。)で表され
る置換基であり、かつＲ² の少なくともは１つ前記一般
式（ａ）で表される置換基であり、Ｒ² の少なくともは
１つ前記一般式（ｂ）で表される置換基である。）で表
されるコレステリック液晶性デンドリマー、に関する。

【０００７】また本発明は、一般式（２）：

【化１８】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
を示し、Ｒ² は、一般式（ａ）：

【化１９】 （式中、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を、ｍは１〜６
の整数を、Ｘ¹ は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁴ は炭素数
１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フルオロ基または炭
素数１〜６のアルキル基を、ｐおよびｑは１または２を
示す。）で表される置換基または一般式（ｂ）：

【化２０】 （式中、Ｒ⁵ は水素原子またはメチル基を、ｎは１〜６
の整数を、Ｘ² は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁶ は一般式
（ｃ）：

【化２１】 （各式中、Ｒ⁷ は、フェニル基、１−ナフチル基、２−
ナフチル基またはビフェニル基を、Ｒ⁸ は、メチル基、
フェニル基またはカルボキシメチル基を、Ｒ⁹ はメチル
基、ベンジル基またはｔ−ブチル基を示す。＊は不斉炭
素原子を示す。）で表される置換基を示す。)で表され
る置換基であり、かつＲ² の少なくともは１つ前記一般
式（ａ）で表される置換基であり、Ｒ² の少なくともは
１つ前記一般式（ｂ）で表される置換基である。）で表
されるコレステリック液晶性デンドリマー、に関する。

【０００８】また本発明は、デンドリマーと、一般式
（Ａ）：

【化２２】 （式中、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を、ｍは１〜６
の整数を、Ｘ¹ は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁴ は炭素数
１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フルオロ基または炭
素数１〜６のアルキル基を、ｐおよびｑは１または２を
示す。）で表される液晶性アクリル酸エステル誘導体
と、一般式（Ｂ）：

【化２３】 （式中、Ｒ⁵ は水素原子またはメチル基を、ｎは１〜６
の整数を、Ｘ² は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁶ は一般式
（ｃ）：

【化２４】 （各式中、Ｒ⁷ は、フェニル基、１−ナフチル基、２−
ナフチル基またはビフェニル基を、Ｒ⁸ は、メチル基、
フェニル基またはカルボキシメチル基を、Ｒ⁹ はメチル
基、ベンジル基またはｔ−ブチル基を示す。＊は不斉炭
素原子を示す。）で表される置換基を示す。)で表され
る液晶性アクリル酸エステル誘導体の混合物を、触媒の
存在下または非存在下に反応させることを特徴とするコ
レステリック液晶性デンドリマーの製造方法、に関す
る。

【０００９】前記コレステリック液晶性デンドリマーの
製造方法において、デンドリマーとしては、一般式
（３）：

【化２５】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
を示す）で表される多官能アミン化合物および／または
一般式（４）：

【化２６】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
を示す）で表される多官能アミン化合物が好適に用いら
れる。

【００１０】広帯域反射偏光子の製造において、非流動
層を形成する液晶配向層に用いるコレステリック液晶材
料としては、厚い膜状でも配向できるものが望ましい。
デンドリマーは高度に分岐した三次元構造を有するポリ
マーであり、末端を機能性低分子で修飾することによ
り、様々な機能を持たせることが可能であり、線状のポ
リマーとは異なる性質を持つと考えられる。本発明のコ
レステリック液晶性デンドリマーは、コレステリック液
晶材料とデンドリマーを利用したサーモトロピック液晶
であり、その構造上、側鎖型液晶ポリマーとは異なる特
性を有する。特にデンドリマーは溶液および溶融粘度が
低いことから、分子鎖の絡み合いが少なく分子鎖が比較
的自由に動くと考えられる。そのため本発明のコレステ
リック液晶性デンドリマーは高配向性を示し、液晶配向
層を厚くした場合にも、メソゲンを容易に配向させるこ
とができ、側鎖型液晶ポリマーに比して反射偏光子等の
光学素子を簡便に製造可能である。

【００１１】なお、デンドリマーの末端にネマチック液
晶基やスメクチック液晶基を結合した液晶デンドリマー
は公知である。本発明のコレステリック液晶性デンドリ
マーは、デンドリマーの末端をネマチック液晶性基と光
学活性を有する液晶性基により修飾することにより得ら
れる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明のコレステリック液晶性デ
ンドリマーは、デンドリマーである多官能性アミン化合
物をコアとして、その末端アミノ基に、ネマチック成分
となる液晶性アクリル酸エステル誘導体とコレステリッ
ク成分となる液晶性アクリル酸エステル誘導体の混合物
を付加することにより得られる。

【００１３】デンドリマーとしては、たとえば、ポリプ
ロピレンイミンデンドリマーＤＡＢ−Ａｍ−４，ポリ
（プロピレンイミン）デンドリマー第１世代（Ｐｏｌｙ
（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｉｍｉｎｅ）Ｄｅｎｄｒｉｍｅ
ｒ，Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ１．０）、ポリプロピレンイ
ミンデンドリマーＤＡＢ−Ａｍ−８，ポリ（プロピレン
イミン）デンドリマー第２世代（Ｐｏｌｙ（Ｐｒｏｐｙ
ｌｅｎｅｉｍｉｎｅ）Ｄｅｎｄｒｉｍｅｒ，Ｇｅｎｅｒ
ａｔｉｏｎ２．０）（いずれもＤＳＭ社製）等を用いる
ことができる。具体的なデンドリマーとしては、たとえ
ば、前記一般式（３）、（４）で示される。なお、前記
一般式（３）、（４）において、Ｒ¹ は炭素数２〜１０
のアルキレン基であれば特に制限はないが、１，２−エ
チレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基
等が好適である。

【００１４】なお、デンドリマーの調製法は特に制限さ
れず、たとえば、一または二以上の末端一級アミノ基
（活性基）を有する化合物に、末端一級アミノ基の１当
量に対し、２当量のアクリロニトリルをマイケル付加し
た後にニトリル基を還元するなどの各種の手段により、
末端に一級アミノ基（活性基）を枝のように二世代、三
世代、さらにはそれ以上に亘って複数本付加することに
より得られる。

【００１５】デンドリマーの末端を修飾する液晶性アク
リル酸エステル誘導体としては、ネマチック成分となる
一般式（Ａ）で表される液晶性アクリル酸エステル誘導
体と、コレステリック成分となる一般式（Ｂ）で表され
る光学活性基を有する液晶性アクリル酸エステル誘導体
の混合物を用いる。

【００１６】一般式（Ａ）で表される液晶性アクリル酸
エステル誘導体において、ｐ＝１が好ましく、ｑ＝２が
好ましく、Ｒ³ としては水素原子が好ましく、Ｒ⁴ とし
てはシアノ基が好ましく、Ｘ¹ としては−ＣＯＯ−基が
好ましい。一般式（Ａ）で表される液晶性アクリル酸エ
ステル誘導体の具体例としては、たとえば、４−（４−
シアノビフェニルオキシカルボニル）フェノキシエチル
アクリレート、４−（４−シアノビフェニルオキシカル
ボニル）フェノキシプロピルアクリレート、４−（４−
シアノビフェニルオキシカルボニル）フェノキシブチル
アクリレート、４−（４−シアノビフェニルオキシカル
ボニル）フェノキシペンチルアクリレート、４−（４−
シアノビフェニルオキシカルボニル）フェノキシヘキシ
ルアクリレート等があげられる。これらは単独でまたは
混合して用いることができる。

【００１７】一般式（Ｂ）で表される液晶性アクリル酸
エステル誘導体において、Ｒ⁵ としては水素原子が好ま
しく、Ｒ⁶ としてはシッフ塩基構造を有するもの（特に
Ｒ⁷がフェニル基のもの）が好ましく、Ｘ² としては−
ＣＯＯ−基が好ましい。一般式（Ｂ）で表される光学活
性基を有する液晶性アクリル酸エステル誘導体の具体例
としては、たとえば、（（３−フェニル−３−メチル−
２−アザプロペニルフェニル）オキシカルボニル）フェ
ノキシエチルアクリレート、（（３−フェニル−３−メ
チル−２−アザプロペニルフェニル）オキシカルボニ
ル）フェノキシプロピルアクリレート、（（３−フェニ
ル−３−メチル−２−アザプロペニルフェニル）オキシ
カルボニル）フェノキシブチルアクリレート、（（３−
フェニル−３−メチル−２−アザプロぺニルフェニル）
オキシカルボニル）フェノキシベンチルアクリレート、
（（３−フェニル−３−メチル−２−アザプロペニルフ
ェニル）オキシカルボニル）フェノキシヘキシルアクリ
レート等があげられる。これらは単独でまたは混合して
用いることができる。

【００１８】前記一般式（Ａ）で表される液晶性アクリ
ル酸エステル誘導体と、一般式（Ｂ）で表される液晶性
アクリル酸エステル誘導体の混合物は、これら液晶性ア
クリル酸エステル誘導体が、得られるコレステリック液
晶性デンドリマーに、平均して少なくとも１つ導入され
る割合で混合する。

【００１９】デンドリマーが前記一般式（３）で表され
る場合には、液晶性アクリル酸エステル誘導体の混合物
の混合比はモル比で、（Ａ）：（Ｂ）＝１：８〜８：１
である。デンドリマーが前記一般式（４）で表される場
合には、液晶性アクリル酸エステル誘導体の混合物の混
合比はモル比で、（Ａ）：（Ｂ）＝１：１６〜１６：１
である。前記一般式（Ａ）で表される液晶性アクリル酸
エステル誘導体と、一般式（Ｂ）で表される液晶性アク
リル酸エステル誘導体の混合物は、一般式（Ｂ）で表さ
れる液晶性アクリル酸エステル誘導体の割合が、３〜５
０モル％、さらには５〜４５モル％、特に１０〜４０モ
ル％となるように調製するのが好ましい。

【００２０】デンドリマーと液晶性アクリル酸エステル
誘導体の混合物は、通常、有機溶剤中で反応させる。反
応溶媒としては、各種のものを特に制限なく使用でき
る。具体的には、テトラクロロエチレン、１，２−ジク
ロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル系溶媒、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶
媒等を用いることができる。これらは単独で用いてもよ
く、２種以上を混合して用いてもよい。

【００２１】反応温度は、通常、−５０〜１５０℃程
度、好ましくは２５℃〜８０℃である。−５０℃未満の
反応温度の場合には反応速度が著しく低下するので好ま
しくない。また１５０℃を超える反応温度では、デンド
リマーや液晶性アクリル酸エステル誘導体の安定性の点
で好ましくない。反応時間は、通常、２〜２００時間程
度、好ましくは１８〜９０時間である。反応時間が短い
と反応が完全に進行しないので好ましくない。

【００２２】反応に際しては、触媒を存在させることが
できる。触媒としては、たとえば、ランタン（III ）ト
リフラート等を例示できる。

【００２３】反応終了後は溶剤を濃縮して除去すること
により、目的とする液晶性デンドリマーを得ることがで
きる。前記一般式（３）で表されるデンドリマーを用い
た場合には、一般式（１）で表されるコレステリック液
晶性デンドリマーが得られる。一般式（４）で表される
デンドリマーを用いた場合には、一般式（２）で表され
るコレステリック液晶性デンドリマーが得られる。得ら
れたコレステリック液晶性デンドリマーは、メタノー
ル、エタノール、インプロピルアルコール、ヘキサン、
トルエンなどの貧溶媒を加えて加熱し、上澄みを除去す
ることにより精製してもよい。

【００２４】

【実施例】本発明を実施例によりさらに具体的に説明す
る。合成はすべて窒素気流下で行った。なお、得られた
コレステリック液晶性デンドリマーの特性は以下のよう
にして測定した。

【００２５】¹Ｈ−ＮＭＲ：ＪＮＭ−ＬＡ３００（日本
電子（株）製）を用いて測定した。 ＩＲ：ＦＴ／ＩＲ−２３０（日本分光製）を用いて測定
した。 相転移現象：ＳＳＳ−５０００ ＤＳＣ ２００（株）
セイコー電子工業製）を用いて、窒素雰囲気下１０℃／
分の昇温および降温速度で測定した。

【００２６】実施例１ 一般式（１）で表されるコレステリック液晶性デンドリ
マーの合成。ただし、Ｒ¹ ＝１，４−ブチレン基、Ｒ²
は一般式（ａ）と一般式（ｂ）の混在であり、一般式
（ａ）中のＲ³ ＝水素原子、ｍ＝２、Ｘ¹ ＝−ＣＯ₂ −
基、Ｒ⁴ ＝シアノ基、ｐ＝１、ｑ＝２であり、一般式
（ｂ）中のＲ⁵ ＝水素原子、ｎ＝２、Ｘ² ＝−ＣＯ₂ −
基、Ｒ⁶ は一般式（ｃ）中の−ＣＨ＝Ｎ− ^*ＣＨ（ＣＨ
₃ ）−Ｒ⁷ であり、Ｒ⁷ ＝フェニル基である。

【００２７】２０ｍｌの反応容器に、４−（４−シアノ
ビフェニルオキシカルボニル）フェノキシエチルアクリ
レート（０．６６ｍｍｏｌ，２７２．５ｍｇ）、（（３
−フェニル−３−メチル−２−アザプロペニルフェニ
ル）オキシカルボニル）フェノキシエチルアクリレート
（０．２２ｍｍｏｌ，９７．５ｍｇ）、ポリ（プロピレ
ンイミン）デンドリマーＤＡＢ−Ａｍ−４（０．１０ｍ
ｍｏｌ，３１．６ｍｇ）およびジクロロメタン２．０ｍ
ｌを加え、４０℃で１８時間撹拌した。室温まで冷却し
た後、この溶液を激しく撹拌しながらトルエン中に滴下
し、生成した沈殿を集めることにより精製した。これを
減圧乾燥し、粉末状の白色固体を収量２４１ｍｇ、収率
６８％で得た。生成物が目的物であることは ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒにより同定した（δ２．３５，δ２．６７）。またＩ
Ｒにより、１０００ｃｍ^-1（ＣＯ）の特性吸収が観測さ
れた。コレステリック液晶性デンドリマーのＤＳＣ測定
を行ったところ、昇温過程においては５２℃にＴｇ、１
８８℃に吸熱ピークが観察された。また、降温過程にお
いては、１１０℃に発熱のピークが観察された。

【００２８】実施例２ 一般式（１）で表されるコレステリック液晶性デンドリ
マーの合成。ただし、Ｒ¹ ＝１，４−ブチレン基、Ｒ²
は一般式（ａ）と一般式（ｂ）の混在であり、一般式
（ａ）中のＲ³ ＝水素原子、ｍ＝⁶ 、Ｘ¹ ＝−ＣＯ₂ −
基、Ｒ⁴ ＝シアノ基、ｐ＝１、ｑ＝２であり、一般式
（ｂ）中のＲ⁵ ＝水素原子、ｎ＝６、Ｘ² ＝−ＣＯ₂ −
基、Ｒ⁶ は一般式（ｃ）中の−ＣＨ＝Ｎ− ^*ＣＨ（ＣＨ
₃ ）−Ｒ⁷ であり、Ｒ⁷ ＝フェニル基である。

【００２９】２０ｍｌの反応容器に、４−（４−シアノ
ビフェニルオキシカルボニル）フェノキシヘキシルアク
リレート（０．６６ｍｍｏｌ，３０９．５ｍｇ）、
（（３−フェニル−３−メチル−２−アザプロベニルフ
ェニル）オキシカルボニル）フェノキシヘキシルアクリ
レート（０．２２ｍｍｏｌ，１０３．２ｍｇ）、ポリ
（プロピレンイミン）デンドリマーＤＡＢ−Ａｍ−４
（０．１０ｍｍｏｌ，３１．６ｍｇ）およびジクロロメ
タン２．０ｍｌを加え、４０℃で１８時間撹拌した。室
温まで冷却した後、この溶液を激しく撹拌しながらトル
エン中に滴下し、生成した沈殿を集めることにより精製
した。これを減圧乾燥し、粉末状の白色固体を収量２４
０ｍｇ、収率５９％で得た。生成物が目的物であること
は ¹Ｈ−ＮＭＲにより同定した（δ２．３５，δ２．６
７）。またＩＲにより、１０００ｃｍ^-1（ＣＯ）の特性
吸収が観測された。コレステリック液晶性デンドリマー
のＤＳＣ測定を行ったところ、昇温過程においては４８
℃にＴｇ、１７２℃に吸熱ピークが観察された。また、
降温過程においては、９５℃に発熱のピークが観察され
た。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｇ０２Ｂ 5/30 Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA03 BA43 BC22 2H091 FA05Z FA08X FA08Z LA12 4H006 AA01 AA02 AC21 AC52 AC54 QN30 4H027 BA02 BA11 BD12

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）： 【化１】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
   を示し、Ｒ² は、一般式（ａ）： 【化２】 （式中、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を、ｍは１〜６
   の整数を、Ｘ¹ は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁴ は炭素数
   １〜６のアルコキシ基、シアノ基、フルオロ基または炭
   素数１〜６のアルキル基を、ｐおよびｑは１または２を
   示す。）で表される置換基または一般式（ｂ）： 【化３】 （式中、Ｒ⁵ は水素原子またはメチル基を、ｎは１〜６
   の整数を、Ｘ² は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁶ は一般式
   （ｃ）： 【化４】 （各式中、Ｒ⁷ は、フェニル基、１−ナフチル基、２−
   ナフチル基またはビフェニル基を、Ｒ⁸ は、メチル基、
   フェニル基またはカルボキシメチル基を、Ｒ⁹ はメチル
   基、ベンジル基またはｔ−ブチル基を示す。＊は不斉炭
   素原子を示す。）で表される置換基を示す。)で表され
   る置換基であり、かつＲ² の少なくともは１つ前記一般
   式（ａ）で表される置換基であり、Ｒ² の少なくともは
   １つ前記一般式（ｂ）で表される置換基である。）で表
   されるコレステリック液晶性デンドリマー。
2. 【請求項２】 一般式（２）： 【化５】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
   を示し、Ｒ² は、一般式（ａ）： 【化６】 （式中、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を、ｍは１〜６
   の整数を、Ｘ¹ は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁴ は炭素数
   １〜６のアルコキシ基、シアノ基、フルオロ基または炭
   素数１〜６のアルキル基を、ｐおよびｑは１または２を
   示す。）で表される置換基または一般式（ｂ）： 【化７】 （式中、Ｒ⁵ は水素原子またはメチル基を、ｎは１〜６
   の整数を、Ｘ² は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁶ は一般式
   （ｃ）： 【化８】 （各式中、Ｒ⁷ は、フェニル基、１−ナフチル基、２−
   ナフチル基またはビフェニル基を、Ｒ⁸ は、メチル基、
   フェニル基またはカルボキシメチル基を、Ｒ⁹ はメチル
   基、ベンジル基またはｔ−ブチル基を示す。＊は不斉炭
   素原子を示す。）で表される置換基を示す。)で表され
   る置換基であり、かつＲ² の少なくともは１つ前記一般
   式（ａ）で表される置換基であり、Ｒ² の少なくともは
   １つ前記一般式（ｂ）で表される置換基である。）で表
   されるコレステリック液晶性デンドリマー。
3. 【請求項３】 デンドリマーと、一般式（Ａ）： 【化９】 （式中、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を、ｍは１〜６
   の整数を、Ｘ¹ は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁴ は炭素数
   １〜６のアルコキシ基、シアノ基、フルオロ基または炭
   素数１〜６のアルキル基を、ｐおよびｑは１または２を
   示す。）で表される液晶性アクリル酸エステル誘導体
   と、一般式（Ｂ）： 【化１０】 （式中、Ｒ⁵ は水素原子またはメチル基を、ｎは１〜６
   の整数を、Ｘ² は−ＣＯ ₂ −基、−ＯＣＯ−基、−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を、Ｒ⁶ は一般式
   （ｃ）： 【化１１】 （各式中、Ｒ⁷ は、フェニル基、１−ナフチル基、２−
   ナフチル基またはビフェニル基を、Ｒ⁸ は、メチル基、
   フェニル基またはカルボキシメチル基を、Ｒ⁹ はメチル
   基、ベンジル基またはｔ−ブチル基を示す。＊は不斉炭
   素原子を示す。）で表される置換基を示す。)で表され
   る液晶性アクリル酸エステル誘導体の混合物を、触媒の
   存在下または非存在下に反応させることを特徴とするコ
   レステリック液晶性デンドリマーの製造方法。
4. 【請求項４】 デンドリマーが、一般式（３）： 【化１２】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
   を示す）で表される多官能アミン化合物および／または
   一般式（４）： 【化１３】 （ただし、式中、Ｒ¹ は炭素数２〜１０のアルキレン基
   を示す）で表される多官能アミン化合物であることを特
   徴とする請求項３記載のコレステリック液晶性デンドリ
   マーの製造方法。