JP2003226548A - 感光性ガラス及びその加工方法並びにインクジェットプリンタ用部品の製造方法及び半導体基板の製造方法 - Google Patents

感光性ガラス及びその加工方法並びにインクジェットプリンタ用部品の製造方法及び半導体基板の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】良好な加工が可能な感光性ガラス及び前記ガラ
スの加工方法、並びに前記感光性ガラスを用いたインク
ジェットプリンタ用部品及び半導体基板の製造方法を提
供すること。 【解決手段】CeO2を含み、波長250nmにおける
分光透過率(厚さ1mmに換算した値)が11%以上で
あり、かつ大気中にて、波長290〜340nmの紫外
線を500〜700mJ/cm2の範囲のいずれかのエ
ネルギー密度で照射した後、580℃で2時間加熱した
後の波長500nmにおける分光透過率(厚さ1mmに
換算した値)が10%以下となる透過率特性を有するこ
とを特徴とする感光性ガラス。前記ガラスの加工方法、
並びに前記感光性ガラスを用いたインクジェットプリン
タ用部品及び半導体基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線照射によっ
て選択的な結晶化が可能な感光性ガラス及びその加工方
法、前記感光性ガラスを用いたインクジェットプリンタ
用流路やノズルなどの部品及び半導体基板の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】Ag、Au、Cuなどの感光成分と増感
剤としてCeを含有するガラスは、感光性ガラスとして
知られている。感光性ガラスを露光(特に紫外線を照
射)して熱処理することによって、感光成分が金属コロ
イド化し結晶成長時の結晶核となる。感光性ガラスを露
光する場合、紫外線を遮蔽する光学マスクを用いること
によって、ガラス中の任意の部分に結晶核となる金属コ
ロイドを形成することができる。露光済みガラスに熱処
理を施すことにより、露光部分に選択的に結晶相を析出
させることができる。結晶化した部分とガラスではエッ
チング速度比が異なる。このような感光性ガラスの代表
的用途は、結晶相を析出した部分とガラスのままの部分
とのエッチング速度比を利用した化学切削性ガラスであ
り、機械加工や等方エッチングでは得られない複雑で微
細な高精度加工が可能であることから、工業的に非常に
有用である。
【0003】ところが、特に増感剤としてCeO2を含
む感光性ガラスは、露光感度にむらがあり、感度が低す
ぎるか、又は逆に高すぎるという問題があった。良好な
感度が得られないと、感光性ガラスを用いた加工を行う
場合に加工条件が安定しないという問題や、加工精度が
低下してしまうという問題が生じる。このような問題
は、感光性ガラスを用いたインクジェットプリンタ用部
品や半導体基板の製造において、生産性向上、低コスト
化の阻害要因となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決するためになされたものであり、良好な加工が可能
な感光性ガラス及び前記ガラスの加工方法、並びに前記
感光性ガラスを用いたインクジェットプリンタ用部品及
び半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、感光性ガ
ラスの感度改善のために鋭意研究を行い、感光性ガラス
の感度は溶解ロット間でばらついており、それに伴い、
溶解ロット間で結晶化挙動も異なり、目視での色やエッ
チング速度に大きな変動が生じていることを見出した。
そこで、感度特性の大きく異なるロットのガラスを分析
したところ、その組成に殆ど差はなく、基本成分の含有
量にも差は見られなかった。ガラスの溶融、攪拌は充分
行われており、ガラスの均質性に問題はないという前提
の下、更に研究を重ねた結果、未露光の感光性ガラスの
透過率と露光感度との間に特有の傾向があること、及び
露光・熱処理を施した後の分光透過率と露光感度との間
にも特有の傾向があることを見出し、本発明を完成する
に至った。
【0006】即ち、本発明の上記目的は、 (1)CeO2を含み、波長250nmにおける分光透
過率(厚さ1mmに換算した値、以下同様)が11%以
上であり、かつ大気中にて、波長290〜340nmの
紫外線を500〜700mJ/cm2の範囲のいずれか
のエネルギー密度で照射した後、580℃で2時間加熱
した後の波長500nmにおける分光透過率(厚さ1m
mに換算した値、以下同様)が10%以下となる透過率
特性を有することを特徴とする感光性ガラスによって達
成される。上記感光性ガラス(1)は、以下の態様であ
ることが好ましい。 (2)波長310nmにおける分光透過率(厚さ1mm
に換算した値、以下同様)が75〜80%であることを
特徴とする(1)に記載の感光性ガラス。
【0007】また、本発明の上記目的は、 (3)CeO2を0.001〜0.1重量%含み、かつ
TiO2の含有量が150ppm以下であることを特徴
とする感光性ガラスによって達成される。上記感光性ガ
ラス(1)〜(3)は、以下の組成を有する態様である
ことが好ましい。 (4)重量%表示で、 SiO2 70〜85%、 Al23 0.1〜10%、 Li2O 5〜20%、 CeO2 0.001〜0.1%、 AgとAuの合量 0.001〜0.1%、 Sb23 0〜1%、 を含み、かつ上記成分の合計含有量が90%以上である
ことを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の感
光性ガラス。
【0008】本発明の上記目的は、 (5)重量%表示で、 SiO2 70〜85%、 Al23 0.1〜10%、 Li2O 5〜20%、 CeO2 0.001〜0.1%、 AgとAuの合量 0.001〜0.1%、 Sb23 0〜1%、 を含み、上記成分の合計含有量が90%以上であり、か
つTiO2の含有量が150ppm以下であることを特
徴とする感光性ガラスによっても達成される。
【0009】上記感光性ガラス(4)及び(5)は、以
下の態様であることが更に好ましい。 B23、P25、Nb25の各含有量が、0.1%未
満である。 任意成分としてNa2O、K2O、ZnO、MgO、C
aO、SrO、BaO、SnO2及び/又はFを含み、
かつ前記任意成分の含有量がそれぞれ10重量%未満で
ある。 SiO2、Al23、Li2O、CeO2、Ag及び/
又はAu、Sb23、並びにNa2O、K2O、ZnO、
MgO、CaO、SrO、BaO、SnO2、及び/又
はFの合計含有量が99.9%以上である。
【0010】上記(1)〜(5)の感光性ガラスは、露
光して露光部分に対応する潜像を形成し、潜像からなる
露光部分を結晶化し、結晶化した露光部分をエッチング
処理により除去する工程を備える方法により、加工する
ことができる。この方法によって加工された感光性ガラ
スは、インクジェットプリンタ部品及び半導体基板に用
いることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明について更に詳細に
説明する。 [感光性ガラス]本発明の感光性ガラスは、CeO2を含
み、波長250nmにおける分光透過率が11%以上で
あり、かつ、大気中にて、波長290〜340nmの紫
外線を500〜700mJ/cm2の範囲のいずれかの
エネルギー密度で照射した後、580℃で2時間加熱し
た後の波長500nmにおける分光透過率が10%以下
となる透過率特性を有することにより、良好な感度特性
を達成するものである。
【0012】CeO2を含む感光性ガラスでは、紫外線
を照射すると、 Ce3+→Ce4++e- という光電子反応が起こる。Ce3+イオンから放出され
た光電子の一部が感光性イオンMe+に捕らえられる
と、 Me++e-→Me という反応が起こる。この反応後、ガラスを450〜6
00℃程度の温度で熱処理すると、上記金属原子Meが
集合し、金属コロイドとなる。尚、感光性ガラスを露光
する場合、紫外線を遮断する光学マスクを用いることに
よって、最初のCe3+イオンの光電子反応が起こる場所
を制御できるため、ガラス中の任意の部分に結晶核とな
る金属コロイドを形成することができる。金属コロイド
を析出したガラスは、金属コロイドの大きさと数に依存
した吸収を有するため、着色ガラスとして光学フィルタ
ーなどの用途に用いることができる。更に、金属コロイ
ドが析出した感光性ガラスをさらに熱処理することによ
り、露光部分に選択的に結晶相を析出させることができ
る。
【0013】[波長250nmにおける分光透過率]本発
明者らは、極短波長(波長300nm未満)における透
過率、特に波長250nmにおける分光透過率が高い感
光性ガラスは、露光感度が高いことを新規に見出した。
波長250nnmにおける分光透過率に影響を及ぼす成
分としては、TiO2、P25、Nb25、PbO、F
23が挙げられる。以下に、上記成分と露光感度との
相関について説明する。CeO2を感光成分として含む
感光性ガラスにおいて結晶核となる金属コロイドを形成
するためには、Ce3+イオンの光電子反応によって放出
された電子が、Ag+などの感光性イオンに捕獲される
ことが必須である。それに対し、本発明者らは、TiO
2が感光性ガラスにおいて金属コロイドの形成を阻害す
る成分であることを初めて見出した。即ち、感光性ガラ
スにTiO2が含まれると、感光性イオンによって捕獲
されるべき電子が、TiO2によってトラップされ、金
属コロイドの形成が阻害される結果、結晶化度が高く優
れた解像度を有する感光性ガラスを得ることができなく
なることが判明した。また、P25、Nb25、Pb
O、Fe23は、紫外線を吸収する成分であり、光電子
反応に使用されるべき紫外線を吸収してしまうため、露
光感度の低下を引き起こす。
【0014】そこで、本発明の感光性ガラスでは、上記
不純物成分の混入を示す指標となる波長250nmにお
ける分光透過率を11%以上とする。好ましくは15〜
30%、更に好ましくは20〜30%である。上記値が
11%より低いと、上記成分の影響により露光感度が低
下し、露光及び熱処理によって結晶が十分析出しないた
め、結晶化度の高い感光性ガラスを得ることができな
い。
【0015】[波長500nmにおける分光透過率]更
に、本発明では、感光性ガラスの、大気中にて、波長2
90〜340nmの紫外線を500〜700mJ/cm
2の範囲のいずれかのエネルギー密度で照射した後、5
80℃で2時間加熱した後の波長500nmにおける分
光透過率を10%以下とする。好ましくは0〜5%、更
に好ましくは0〜1%である。上記の露光・熱処理後の
波長500nmにおける分光透過率は、感光性ガラスに
おける結晶化の進行の程度を表す指標となるものであ
り、この値が10%を超える感光性ガラスは、露光感度
が低く、高い結晶化度を実現することができない。
【0016】本発明では、感光性ガラスの波長250n
mにおける分光透過率を11%以上とするために、感光
性ガラスの波長250nmにおける分光透過率を低下さ
せる成分であるTiO2などを含まない原料を使用する
と共に、製造プロセスにおいて上記成分が混入すること
を可能な限り防ぐ必要がある。そのための方法として
は、例えばTiO2などが含有・付着されていないルツ
ボ(SiO2製、Pt製など)を使用する方法が挙げら
れる。また、先にTiO2などの不純物成分を含有する
ガラスを溶融した溶融設備を使用すると、TiO2など
を含まない原料ガラスを使用したとしても、微量の不純
物成分が混入する原因となる。よって、このような場合
には、空焚きをして炉内を清浄する方法や、TiO2
どを含まないガラスで溶解槽を洗浄する等の方法等によ
り、不純物成分の混入を防ぐ必要がある。上記方法によ
って不純物の混入を排除することにより、上記の露光・
熱処理後の波長500nmにおける分光透過率が10%
以下である、露光感度が高く、結晶化が良好に進行した
感光性ガラスを得ることができる。
【0017】[波長310nmにおける分光透過率]Ce
2を含む本発明の感光性ガラスは、波長310nmに
おける分光透過率(厚さ1mmに換算した値、以下同
様)が、70〜80%であることが好ましく、更に好ま
しくは75〜80%であることが適当である。本発明の
感光性ガラスに含まれる、光電子反応を引き起こす成分
であるCe3+は、波長310nm付近の光を吸収する。
よって、波長310nmにおける分光透過率は、Ce3+
量の指標として用いることができる。波長310nmに
おける分光透過率が上記範囲内であれば、露光感度が適
当でコロイド形成及び結晶化が良好に進行した感光性ガ
ラスを得ることができる。それに対し、波長310nm
における分光透過率が70%未満であると、感度が高す
ぎて工程中の光に敏感になりすぎ、例えば光学マスクで
マスキングした部分も感光し易い等、加工性に劣るとい
う問題がある。一方、上記分光透過率が80%を越える
と、Ce3+の量が少なく露光感度が低く、コロイド形成
及び結晶化が不十分である。
【0018】[感光性ガラス組成]本発明のCeO2を含
む感光性ガラスは、感光成分としてAgおよび/または
Auを含み、かつ基本成分としてSiO2、Al23
Li2Oを含むガラス(SiO2−Al23−Li2O系
ガラス)であることが好ましい。SiO2−Al23
Li2O系の感光性ガラスを約450〜600℃の温度
で熱処理した後に、さらに約550〜650℃で熱処理
を続けると、金属コロイドを結晶核としてリチウムメタ
シリケート(Li2SiO3)結晶が析出する。結晶化が
進むと成長した結晶によって光が散乱され、不透明な結
晶化ガラスとなる。リチウムメタシリケート結晶が析出
した部分は結晶化前のガラスに比べて、希フッ酸などに
対する溶解速度が極めて大きいため、部分的に結晶化さ
せたガラスを酸に浸漬すると、光が照射され結晶化した
部分が選択的に除去され、ガラスのみを残すことができ
る。さらにこの種のガラスは約750〜900℃で熱処
理すると、リチウムジシリケート(Li2Si25)お
よびSiO2が析出し、化学的、機械的に強いガラスセ
ラミックスとなる。本発明の感光性ガラスは、この現象
を利用して、インクジェットプリンタ用流路やノズルや
ドットプリンター用ワイヤーガイドを作製するための材
料、半導体基板用穴あきガラスなどに用いることができ
る。
【0019】以下、本発明の感光性ガラス成分の好まし
い組成について説明する。尚、特に断らない限り、
「%」は、「重量%」を表す。 (1)CeO2 本発明において、感光性ガラスに含まれるCeO2
は、0.001〜0.1%であることが好ましく、更に
好ましくは0.005〜0.01%であることが適当で
ある。CeO2量が上記範囲内であれば、波長310n
mにおける分光透過率が70〜80%の範囲であり、適
度な露光感度を示す感光性ガラスを得ることができる。
尚、B23は、CeO2と同様に、波長310nmにお
ける吸収を増大させる成分である。従って、波長310
nmにおける分光透過率の値をCeO2量の指標として
用いるためには、感光性ガラスに含まれるB23量を低
く抑えることが好ましい。よって、本発明では、感光性
ガラスに含まれるB23量を0.1%未満に抑えること
が好ましく、より好ましくは100ppm未満に制御す
ることが適当である。B23含有量が上記範囲内であれ
ば、波長310nmにおける分光透過率の値から、感光
性ガラスに含まれるCeO2量を評価することができ
る。
【0020】(2)不純物成分TiO2 TiO2は、Ce3+イオンの光電子反応によって放出さ
れた電子をトラップし、金属コロイドの形成を妨げる成
分である。よって、本発明の感光性ガラスでは、良好な
感度特性を実現するためにTiO2を可能な限り排除す
る必要がある。そのため、本発明の感光性ガラスに含ま
れるTiO2量は150ppm以下であることが好まし
く、更に好ましくは100ppm以下であることが適当
である。TiO2量が150ppm以下であれば、Ti
2によりトラップされる電子が少なく、コロイド形成
を良好に進行させることができる。
【0021】25、Nb25 上記二成分は、TiO2より影響は少ないが、波長25
0nmにおける分光透過率を下げ不純物として露光感度
を低下させる成分である。よって、本発明の感光性ガラ
スでは、P25及びNb25の量を、それぞれ0.1%
未満に制御することが好ましく、より好ましくは100
ppm未満に制御することが適当である。
【0022】PbO、Fe23 上記二成分は、紫外線を吸収する成分であり、TiO2
のように微量混入が感度に極めて大きな影響を与える成
分ではないが、露光感度の低下の原因となる。よって、
本発明では、感光性ガラス中のPbO、Fe23の含有
量を0.1%未満とすることが好ましく、ガラスから完
全に排除することが最も好ましい。尚、環境への影響を
考慮すると、特にPbOを排除することが好ましい。
【0023】(3)ガラス成分SiO2 SiO2はガラスの基本成分であり、リチウムメタシリ
ケート及びリチウムジシリケートを形成するために不可
欠な成分でもある。本発明では、感光性ガラスに含まれ
るSiO2量を、70〜85%とすることが好ましく、
75〜85%とすることがより好ましい。上記範囲内で
あれば、耐失透性及び化学的耐久性が良好で、かつ加工
性に優れた感光性ガラスを得ることができる。それに対
し、SiO2含有量が70%未満ではガラスの耐失透
性、化学的耐久性が悪化し、85%を越えるとガラスの
溶融性が低下する。
【0024】Al23 Al23はガラスの耐失透性を向上させると同時に化学
的耐久性や熱膨張特性を調整できる成分である。本発明
の感光性ガラスでは、Al23の含有量を0.1〜10
%とすることが好ましく、1〜6%とすることがより好
ましい。Al23含有量が上記範囲内であれば、Al2
3を添加することによる効果を得ることができる。
尚、Al23含有量が10%を越えると、リチウムメタ
シリケートが析出しにくくなるという問題がある。
【0025】Li2 Li2Oもリチウムメタシリケート及びリチウムジシリ
ケートを形成するために不可欠な成分である。本発明の
感光性ガラスでは、Li2Oの含有量を5〜20%とす
ることが好ましく、8〜13%とすることがより好まし
い。Li2O含有量が上記範囲内であれば、ガラスを溶
融した際の粘度が適当であり、かつ耐失透性、化学的耐
久性が良好な感光性ガラスを得ることができる。
【0026】Ag及び/又はAu Ag及び/又はAuは、感光成分として不可欠な成分で
ある。これらは個別に使用することができるが、Ag及
びAuは、いずれもガラスへの溶解度が小さいため、併
用した方が品質が安定し、高解像度の感光性ガラスを得
ることができる。本発明の感光性ガラスでは、Ag及び
Auの合計量(いずれか一方を含む場合は単独の量)
を、0.001%以上、0.1%未満とすることが好ま
しく、より好ましくは0.01〜0.07%とすること
が適当である。Ag及び/又はAuの含有量が上記範囲
内であれば、露光及び熱処理により結晶相が析出し、良
好な解像度を示す感光性ガラスを得ることができる。但
し、Ag及び/又はAuの含有量が0.1%以上である
と、Ag及び/又はAuがガラス中に溶け残りやすくな
るという問題がある。
【0027】Sb23 Sb23は脱泡剤及びCeの還元剤として働く成分であ
る。本発明の感光性ガラスに含まれるSb23は、0.
01%以上、1%未満であることが好ましく、更に好ま
しくは0.1〜0.5%であることが適当である。Sb
23含有量が上記範囲内であれば、良好な脱泡効果及び
還元効果を得ることができる。尚、Sb23含有量が1
%以上であると、感光成分を熱還元する傾向が増加して
しまうため好ましくない。
【0028】その他の成分 Na2O、K2O、ZnO、MgO、CaO、SrO、B
aO、SnO2及びFは必須成分ではないが、感光性ガ
ラスの結晶化特性、熱膨張特性の調整、清澄などの目的
で、それぞれ10%未満の範囲で適宜用いることができ
る。上記各成分の含有量が10%以上になると、耐失透
性、化学的耐久性などに悪影響を与える。
【0029】以上より、本発明において感光性ガラス
は、以下の組成を有することが好ましい。 SiO2 70〜85%、 Al23 0.1〜10%、 Li2O 5〜20%、 CeO2 0.001〜0.1%、 AgとAuの合量 0.001〜0.1% Sb23 0〜1% 尚、本発明の感光性ガラスは、露光感度低下の原因とな
る不純物成分を含まないことが好ましいため、上記成分
の合計含有量を、90%以上とすることが好ましい。
【0030】上記範囲にあって、より好ましい範囲は、 SiO2 75〜85%、 Al23 1〜6%、 Li2O 8〜13% である。好ましい範囲、より好ましい範囲にあって、N
2O、K2O、ZnO、MgO、CaO、SrO、Ba
O、SnO2及び/又はFの含有量をそれぞれ10%未
満とすることが更に好ましい。特に、本発明の感光性ガ
ラスでは、前述の不純物成分を含むと露光感度が低下す
るため、上記のガラス成分及び任意成分以外の成分を含
まないことが好ましい。従って、本発明の感光性ガラス
の組成は、SiO2、Al23、Li2O、CeO2、A
g及び/又はAu、Sb23、並びにNa2O、K2O、
ZnO、MgO、CaO、SrO、BaO、SnO2
及び/又はFの合計含有量が99.9%以上であること
が好ましい。
【0031】[感光性ガラスの製造方法]本発明の感光性
ガラスの製造方法は、特に制限はなく、従来慣用されて
いる方法を用いることができる。例えば、ガラス原料と
して酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、塩化物、硫化
物などを適宜用い、所望の組成になるように秤量し、混
合して調合原料とする。ただし、TiO2などの不純物
が混入しないように、上述のように、原料の選定及び工
程における不純物除去には、十分注意を払う必要があ
る。これを耐熱坩堝に入れ、1400〜1450℃程度
の温度で溶融し、撹拌、清澄することにより、均質な溶
融ガラスを得ることができる。次いで、溶融ガラスを成
形枠に鋳込み、ガラスブロックを形成した後、ガラスの
徐冷点近くに加熱した炉に移し、室温まで冷却すること
により、感光性ガラスを得ることができる。
【0032】[分光透過率の測定方法]本発明におい
て、分光透過率を測定する方法を以下に説明する。上記
の方法によって得られたガラスブロックから、厚さ1m
mの研磨ガラスを作製し、分光透過率測定用試料とす
る。分光透過率は、分光光度計を用いて、大気中、波長
200〜700nmの範囲の透過率を測定する。
【0033】[感光性ガラスの加工方法]次に、本発明
における感光性ガラスの加工方法について説明する。ま
ず、微細加工を行う前に、所望のサイズに感光性ガラス
を加工し、高精度が要求される面については研磨加工を
施しておく。次に微細加工パターンが形成されている光
学マスクを用意し、ガラスに重ねて紫外線を照射する。
光学マスクとしては通常の紫外線露光用リソグラフィに
使用されるものを用いることができる。露光は、波長2
90〜340nmの紫外線を500〜700mJ/cm
2の範囲のいずれかのエネルギー密度で照射する。エネ
ルギー密度は、上記波長感度の紫外線照度計により算出
する。照度計の受光部に、波長290〜340nmを透
過するバンドパス光学フィルターを通した紫外線を入射
して測定する。露光後、このガラスを450〜600
℃、好ましくは580℃付近で熱処理して露光部分を結
晶化する。熱処理後、部分的に結晶化したガラスに必要
に応じて研磨加工した後にエッチング液でエッチング
し、結晶化部分を選択的にエッチングする。このように
して所望のパターンを形成した後、エッチングを止め、
ガラスを洗浄する。この工程において、フッ酸水溶液を
好適なエッチング液として使用することができる。結晶
化によって析出する結晶相としては、Li2SiO3(リ
チウムメタシリケート)を例示することができる。次
に、必要に応じて化学的、機械的強度向上などの目的か
ら、ガラスを750〜900℃、好ましくは850℃付
近で熱処理し、ガラスセラミックスにしてもよい。この
結晶化によって析出する結晶相としてはLi2Si25
(リチウムジシリケート)を例示することができる。上
記加工方法は微細加工や高精度が要求される加工に好適
である。
【0034】[インクジェットプリンタ部品の製造方法]
本発明の感光性ガラスは、微細加工や高精度が要求され
る加工に好適であり、特にインクの流路モジュールやヘ
ッド等のインクジェットプリンタ用部品の原料として用
いることができる。即ち、感光性ガラスを露光して露光
部分に対応する潜像を形成し、潜像からなる露光部分を
結晶化し、結晶化した露光部分をエッチング処理により
除去する工程を備えるインクジェットプリンタ部品の製
造方法において、本発明の感光性ガラスを用いることに
より、インクジェットプリンタ部品を製造することがで
きる。本発明の感光性ガラスを用いてインクジェットプ
リンタ部品を製造する方法としては、インクの流路をエ
ッチングにより除去したガラスを重ね合わせ、750〜
900℃、好ましくは850℃付近で熱処理し、結晶化
と同時にガラスセラミックスを融着させ、冷却後、必要
に応じて、切断、研磨、洗浄を施し、圧電素子や電極を
接着し、駆動回路と接続することにより、インクジェッ
トプリンタ部品を製造する方法を挙げることができる。
【0035】[半導体基板の製造方法]本発明の感光性ガ
ラスは、半導体基板の原料としても好適に用いることが
できる。即ち、感光性ガラスを露光して露光部分に対応
する潜像を形成し、潜像からなる露光部分を結晶化し、
結晶化した露光部分をエッチング処理により除去する工
程を備える半導体基板の製造方法において、本発明の感
光性ガラスを用いることにより、半導体基板を製造する
ことができる。本発明の感光性ガラスを用いて半導体基
板を製造する方法としては、エッチングによって貫通孔
を形成したガラス基板を、必要に応じて750〜900
℃で熱処理してガラスセラミックス化した後、貫通孔に
メッキ等の方法で両面の導通をとり、貫通孔の部分を両
面電極として、配線をパターニングして半導体基板を製
造する方法を挙げることができる。また、本発明の感光
性ガラスは、ドットプリンタのワイヤガイドなどにも使
用することができる。
【0036】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに説明す
る。 (実施例1〜8)光学ガラス級の純度の原料を使用し、
酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、塩化物、硫酸塩な
どの原料を表1の組成になるように秤量して混合した調
合原料を、白金坩堝に入れ、1400〜1450℃に加
熱、溶融、撹拌し、均質化、清澄を行った後、鋳型に流
し込んだ。ガラスが固化した後、次いでガラスの徐冷点
近くに加熱しておいた電気炉に移し、室温まで徐冷し
た。得られたガラスの組成は、表1に示した組成と同じ
である。得られた各ガラスを厚さ1mmのテストピース
に加工し、表面研磨を施した後、紫外線露光機を用いて
紫外線(波長290〜340nm)を550mJ/cm
2のエネルギー密度で照射し、次いで580℃で2時間
熱処理し結晶化させた。析出した結晶を表1に示す。露
光、熱処理後のテストピースをフッ酸水溶液でエッチン
グし、結晶化した部分を除去した。その際の加工結果を
表1に示す。実施例1〜7の各ガラスでは良好な加工が
可能であった。また、実施例8については、露光部と未
露光部とのコントラストや、感度の点で実施例1〜7の
ガラスに劣るものの高精度が要求される加工を除けば、
使用可能の範囲内のものである。実施例8のガラスは、
マンニットを添加して溶融したものである。マンニット
は有機物でありガラス化の際に燃焼しガラスの酸素を奪
い炭酸ガスを発生することから還元状態を模すために添
加した。還元状態のもとにガラス溶融を行うと、ガラス
中の金属成分が還元されて金属コロイドが析出しやすく
なるため、コントラストが低いガラスになる。従って、
より好ましい感光性ガラスを溶融する際には、溶融雰囲
気を酸化性雰囲気とすることが好ましい。
【0037】各ガラスの分光透過率は溶融して得られた
ガラスブロックから厚さ1mmの研磨ガラスを作製し、
分光透過率測定装置を用いて測定した。分光透過率のデ
ータを表1に示す。表1において、波長250nm及び
波長310nmの分光透過率は熱処理前のガラスの透過
率であって、厚さ1mmに換算した値である。また、実
施例1〜8の各ガラスとも、前記測定方法により、大気
中にて、波長290〜340nmの紫外線を500mJ
/cm2のエネルギー密度で照射した後、580℃で2
時間加熱処理したものの波長500nmにおける分光透
過率(厚さ1mm換算)はすべて10%以下である。
【0038】(比較例1〜3)次に、表1に示す比較例
1〜3のガラスを用意し、同様のテストを行った。比較
例1及び2のガラスは結晶が析出せず、比較例3のガラ
スは結晶は析出したものの、コントラストが低く、いず
れも感光性ガラスとしての使用には不適なものであっ
た。
【0039】前記測定方法により、大気中にて、波長2
90〜340nmの紫外線を500mJ/cm2のエネ
ルギー密度で照射した後、580℃で2時間加熱処理し
た実施例1、2、比較例1、2の分光透過率曲線を図1
に示す。実施例1、2のガラスを用いた場合、波長50
0nmでの分光透過率は5%未満(厚さ1mm換算値)
であるが、比較例1、2では同波長における分光透過率
は10%よりも大きくなっている。
【0040】
【表1】
【0041】(実施例9)実施例1のガラスを150x
150x1mmに加工し両面研磨した後、石英ガラスに
クロムでパターンニングしたインクジェットノズル用の
光学マスクを重ねて、310nm用紫外線メータで校正
した紫外線ランプで500mJ/cm2の照度で露光し
た。このガラスプレートを580℃で2時間結晶化処理
した。この処理によって紫外線が照射された部分にはL
2SiO3(リチウムメタシリケート)が析出したが、
紫外線をマスクした部分は完全にガラスのままであっ
た。この結晶化ガラスを再度軽く両面研磨した後、湿式
エッチング装置にセットし、濃度5%のHF(フッ酸)
水溶液中でエッチングした。この処理によって結晶化部
分のみが溶解するが、貫通しない状態でエッチングを止
めると溝が形成され、これが流路となる。ガラスに付着
したフッ酸水溶液を洗浄した後、結晶化ガラス同士を重
ねて、850℃で2時間熱処理した。この処理によって
結晶化ガラス同士は熱圧着し、さらに全体にLi2Si2
5(リチウムジシリケート)が析出した。圧着した結
晶化ガラスのノズル部分を軽く研磨し、インクジェット
プリンタ流路用モジュールを作製した。使用した感光性
ガラスの感度、コントラストとも極めて良好なものであ
ったため、高精度のインクジェットプリンタ用部品を容
易に製造することができた。
【0042】(実施例10)実施例1のガラスを150
x150x1mmに加工し両面研磨した後、石英ガラス
にクロムでパターンニングした半導体基板用の光学マス
クを重ねて、同じく紫外線ランプで500mJ/cm2
の照度で露光した。このガラスプレートを580℃で2
時間結晶化処理した。この処理によって紫外線が照射さ
れた部分には深さ方向に円柱状にLi2SiO3(リチウ
ムメタシリケート)が析出したが、紫外線をマスクした
部分は完全にガラスのままであった。この結晶化ガラス
を再度軽く両面研磨した後、湿式エッチング装置にセッ
トし、濃度5%のHF(フッ酸)水溶液中でエッチング
した。この処理によって結晶化部分を溶解し貫通孔を形
成した。ガラスに付着したフッ酸水溶液を洗浄した後、
850℃で2時間熱処理した。この処理によってガラス
全体にLi2Si25(リチウムジシリケート)が析出
した。結晶化ガラスを軽く両面研磨し半導体実装用穴あ
き結晶化ガラス基板を作製した。この貫通孔にメッキで
金属を充填し、表面に配線パターンを形成することによ
って表面実装用両面配線基板を作製した。使用した感光
性ガラスの感度、コントラストとも極めて良好なもので
あったため、高精度の表面実装用両面配線基板を容易に
製造することができた。
【0043】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、加工性の
優れた感光性ガラスを提供することができる。また、前
記ガラスを用いることにより、良好な加工が可能な感光
性ガラスの加工方法ならびに、インクジェットプリンタ
用部品及び半導体基板の製造方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】感光性ガラスの結晶化後の分光透過率を示すグ
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2C057 AF93 AP31 AQ01 4G062 AA11 BB01 CC04 DA07 DB02 DB03 DC01 DC02 DD01 DD02 DE01 DE02 DE03 DF01 EA03 EA04 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED01 ED02 ED03 EE01 EE02 EE03 EF01 EF02 EF03 EG01 EG02 EG03 FA01 FB01 FB02 FC01 FD01 FE01 FE02 FE03 FF01 FG01 FG02 FH01 FJ01 FK01 FL02 GA01 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM23 MM27 NN16 NN17 NN32 QQ06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CeO2を含み、波長250nmにおけ
    る分光透過率(厚さ1mmに換算した値)が11%以上
    であり、かつ大気中にて、波長290〜340nmの紫
    外線を500〜700mJ/cm2の範囲のいずれかの
    エネルギー密度で照射した後、580℃で2時間加熱し
    た後の波長500nmにおける分光透過率(厚さ1mm
    に換算した値)が10%以下となる透過率特性を有する
    ことを特徴とする感光性ガラス。
  2. 【請求項2】 波長310nmにおける分光透過率(厚
    さ1mmに換算した値)が70〜80%であることを特
    徴とする請求項1に記載の感光性ガラス。
  3. 【請求項3】 CeO2を0.001〜0.1重量%含
    み、かつTiO2の含有量が150ppm以下であるこ
    とを特徴とする感光性ガラス。
  4. 【請求項4】 重量%表示で、 SiO2 70〜85%、 Al23 0.1〜10%、 Li2O 5〜20%、 CeO2 0.001〜0.1%、 Ag及び/又はAu 0.001〜0.1%、 Sb23 0〜1%、 を含み、かつ上記成分の合計含有量が90%以上である
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の感光
    性ガラス。
  5. 【請求項5】 重量%表示で、 SiO2 70〜85%、 Al23 0.1〜10%、 Li2O 5〜20%、 CeO2 0.001〜0.1%、 Ag及び/又はAu 0.001〜0.1%、 Sb23 0〜1%、 を含み、上記成分の合計含有量が90%以上であり、か
    つTiO2の含有量が150ppm以下であることを特
    徴とする感光性ガラス。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の感光性
    ガラスを露光して露光部分に対応する潜像を形成し、潜
    像からなる露光部分を結晶化し、結晶化した露光部分を
    エッチング処理により除去する工程を備える感光性ガラ
    スの加工方法。
  7. 【請求項7】 感光性ガラスを露光して露光部分に対応
    する潜像を形成し、潜像からなる露光部分を結晶化し、
    結晶化した露光部分をエッチング処理により除去する工
    程を備えるインクジェットプリンタ部品の製造方法にお
    いて、請求項1〜5のいずれかに記載の感光性ガラスを
    用いることを特徴とするインクジェットプリンタ部品の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 感光性ガラスを露光して露光部分に対応
    する潜像を形成し、潜像からなる露光部分を結晶化し、
    結晶化した露光部分をエッチング処理により除去する工
    程を備える半導体基板の製造方法において、請求項1〜
    5のいずれかに記載の感光性ガラスを用いることを特徴
    とする半導体基板の製造方法。
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