JP2003223740A - 光記録媒体とその記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 青色レーザ波長以下の領域、特に４０５（ｎ
ｍ）近傍の波長領域であっても、有機材料からなる追記
型の光記録媒体を実現させ、転写性のよい浅溝基板で
も、有機材料からなる追記型の光記録媒体を実現させ、
記録再生波長の変動に対し、記録感度や変調度、ジッタ
やエラー率といったような記録特性や、反射率等の変化
が少ない追記型の光記録媒体を実現させること。 【解決手段】 基板上に、少なくとも未記録時の主吸収
帯が記録再生波長に対して長波長側に存在する有機化合
物層、光干渉層、光吸収機能を有する光吸収層が順次積
層された構造を有し、記録再生を基板側から行なうこと
を特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、追記型（ＷＯＲ
Ｍ：Write Once Read Many）の光記録媒体及びその光記
録方法に係り、特に青色レーザ波長領域でも高密度の記
録が可能な追記型の光記録媒体及びその光記録方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】超高密度の記録が可能となる青色レーザ
の開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型の光
記録媒体の開発が行なわれている。従来の追記型の光記
録媒体では、有機化合物からなる記録層にレーザ光を照
射し、有機化合物の分解・変質による屈折率変化を主に
生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層
に用いられる有機化合物の光学定数、分解挙動が良好な
記録ピットを形成させるための重要な要素となってい
る。従って、記録層に用いる有機化合物は、青色レーザ
波長に対する光学的性質、分解挙動の適切な材料を選択
する必要がある。

【０００３】すなわち、未記録時の反射率を高め、また
レーザの照射によって有機化合物が分解し、大きな屈折
率変化が生じるようにするため（これによって大きな変
調度が得られる）、記録再生波長は大きな吸収帯の長波
長側の裾に位置するように選択される。なぜなら、大き
な吸収帯の長波長側の裾では、適度な吸収係数を有し、
かつ大きな屈折率が得られる波長領域となるためであ
る。

【０００４】しかしながら、青色レーザ波長に対する光
学的性質が従来並みの値を有する材料は見出されていな
い。これは、有機化合物の吸収帯を青色レーザ波長近傍
に持たせるためには、分子骨格を小さくする、あるいは
共役系を短くする必要があるが、これは吸収係数の低
下、すなわち屈折率の低下を招くためである。つまり、
青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機化合物は多数存
在し、吸収係数を制御することは可能となるが、大きな
屈折率は持たないため、大きな変調度を得ることができ
なくなる。

【０００５】青色レーザ対応の有機化合物としては、例
えば、特開２００１−１８１５２４号公報、特開２００
１−１５８８６５号公報、特開２０００−３４３８２４
号公報、特開２０００−３４３８２５号公報、特開２０
００−３３５１１０号公報に記載がある。しかし、これ
らの公報では、実施例は溶液と薄膜のスペクトルを測定
したのみで、記録再生に関する記載がない。

【０００６】特開平１１−２２１９６４号公報、特開平
１１−３３４２０６号公報、特開２０００−４３４２３
号公報には、実施例で記録の記載があるものの、記録波
長は４８８（ｎｍ）であり、また記録条件や記録密度に
関する記載はなく、良好な記録ピットが形成できた旨の
記載があるのみである。

【０００７】特開平１１−５８９５５号公報には、実施
例で記録の記載があるものの、記録波長は４３０（ｎ
ｍ）であり、また記録条件や記録密度に関する記載はな
く、良好な変調度が得られた旨の記載があるのみであ
る。

【０００８】特開２００１−３９０３４号公報、特開２
０００−１４９３２０号公報、特開２０００−１１３５
０４号公報、特開２０００−１０８５１３号公報、特開
２０００−２２２７７２号公報、特開２０００−２１８
９４０号公報、特開２０００−２２２７７１号公報、特
開２０００−１５８８１８号公報、特開２０００−２８
０６２１号公報、特開２０００−２８０６２０号公報に
は、実施例で記録波長４３０（ｎｍ）、ＮＡ＝０．６５
での記録例があるが、最短ピットが０．４（μｍ）とい
う低記録密度条件（ＤＶＤと同等の記録密度）である。

【０００９】特開２００１−１４６０７４号公報には、
記録再生波長が４０５〜４０８（ｎｍ）であるが、記録
密度に関する具体的な記載がなく、１４Ｔ−ＥＦＭ信号
の記録という低記録密度条件である。

【００１０】また、従来のＣＤ、ＤＶＤ系光記録媒体と
異なる層構成、記録方法に関して、以下のような技術が
公開されている。特開平７−３０４２５８号公報には、
基板／可飽和吸収色素含有層／反射層という構成で、可
飽和吸収色素の消衰係数（本発明でいう吸収係数）の変
化により記録を行なう技術が提案されている。特開平８
−８３４３９号公報には、基板／金属蒸着層／光吸収層
／保護シートという構成で、光吸収層によって発生した
熱によって、金属蒸着層を変色もしくは変形させること
で記録を行なう技術が提案されている。特開平８−１３
８２４５号公報には、基板／誘電体層／光吸収体を含む
記録層／反射層という構成で、記録層の膜厚を変えて溝
部の深さを変えることにより記録を行なう技術が提案さ
れている。特開平８−２９７８３８号公報には、基板／
光吸収体を含む記録層／金属反射層という構成で、記録
層の膜厚を１０〜３０％変化させることにより記録を行
なう技術が提案されている。特開平９−１９８７１４号
公報には、基板／有機色素を含有する記録層／金属反射
層／保護層という構成で、基板の溝幅を未記録部に対し
て２０〜４０％広くすることにより記録を行なう技術が
提案されている。特許第２５０６３７４号公報には、基
板／中間層／金属薄膜という構成で、金属薄膜が変形し
バブルを形成することにより記録を行なう技術が提案さ
れている。特許第２５９１９３９号公報には、基板／光
吸収層／記録補助層／光反射層という構成で、記録補助
層を凹状に変形させるとともに、記録補助層の変形に沿
って光反射層を凹状に変形させることで記録を行なう技
術が提案されている。特許第２５９１９４０号公報に
は、基板／光吸収層／多孔質な記録補助層／光反射層、
あるいは基板／多孔質な記録補助層／光吸収層／光反射
層という構成で、記録補助層を凹状に変形させるととも
に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形さ
せることで記録を行なう技術が提案されている。特許第
２５９１９４１号公報には、基板／多孔質な光吸収層／
光反射層という構成で、光吸収層を凹状に変形させると
ともに、光吸収層の変形に沿って光反射層を凹状に変形
させることで記録を行なう技術が提案されている。特許
第２９８２９２５号公報には、基板／有機色素を含む記
録層／記録補助層という構成で、記録補助層と有機色素
が相溶して、有機色素の吸収スペクトルを短波長側へシ
フトさせることで記録を行なう技術が提案されている。
特開平９−２６５６６０号公報には、基板上に反射層と
記録層の機能を有する複合機能層、保護層を順次形成し
た構造で、基板と複合機能層がバンプを形成することで
記録を行なう技術が提案されている。なお、複合機能層
としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、あるい
はそれらの合金との規定がある。

【００１１】特開平１０−１３４４１５号公報には、基
板上に金属薄膜層、変形可能な緩衝層、反射層、保護層
を順次形成した構造で、基板と金属薄膜層を変形させ、
同時にこの変形部での緩衝層膜厚を薄くさせることで記
録を行なう技術が提案されている。なお、金属薄膜層と
しては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、あるいは
それらの合金との規定がある。また、緩衝層としては、
変形しやすく適当な流動性を持つ樹脂が用いられ、変形
を促進させるために色素を含有させてもよいとの記載が
ある。

【００１２】特開平１１−３０６５９１号公報には、基
板上に金属薄膜層、緩衝層、反射層を順次積層した構造
で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部で
の緩衝層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行
なう技術が提案されている。なお、金属薄膜層として
は、ニッケル、クロム、チタン等の金属、あるいはそれ
らの合金が好ましいとの記載がある。また、緩衝層は色
素と有機高分子の混合物からなり、記録再生波長近傍に
大きな吸収帯を有する色素が用いられる。

【００１３】特開平１０−１２４９２６号公報には、基
板上に金属記録層、バッファ層、反射層を順次積層した
構造で、基板と金属記録層を変形させ、同時にこの変形
部でのバッファ層膜厚と光学定数とを変化させることで
記録を行なう技術が提供されている。なお、金属記録層
としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、あるい
はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、バッ
ファ層は色素と樹脂の混合物からなり、記録再生波長近
傍に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。

【００１４】以上のように、上記の技術は、青色レーザ
波長領域での光記録媒体の実現を狙ったものでなく、青
色レーザ波長領域で有効となる層構成や記録方法ではな
い。特に、現在実用化されている青色半導体レーザの発
振波長の中心である４０５（ｎｍ）近傍においては、従
来の追記型光記録媒体の記録層に要求される光学定数と
同程度の光学定数を有する有機化合物がほとんど存在し
ない。また、４０５（ｎｍ）近傍で記録条件を明確に
し、ＤＶＤよりも高記録密度で記録された例はない。さ
らに、上記公報での実施例の多くは、従来のディスク構
成（図１参照）での実験であり、また、従来のディスク
構成（図１参照）と異なる構成も提案されているが、そ
こに用いられる色素は従来と同じ光学特性と機能が要求
されており、青色レーザ波長領域で、有機化合物からな
る追記型光記録媒体を容易に実現する層構成や記録原
理、記録方式についての有効な提案はない。

【００１５】また、従来の有機化合物を用いた追記型光
記録媒体では、変調度と反射率の確保の点から、記録再
生波長に対し、大きな屈折率と比較的小さな吸収係数
（０．０５〜０．０７程度）を持つ有機化合物しか使用
することができない。すなわち、有機化合物は記録光に
対して大きな吸収能を持たないため、有機化合物の膜厚
を薄膜化することが不可能であり、したがって、深い溝
を持った基板を使用する必要があった（有機化合物は通
常スピンコート法によって形成されるため、有機化合物
を深い溝に埋めて、厚膜化していた）。そのため、深い
溝を有する基板の形成が非常に難しくなり、光情報記録
媒体としての品質を低下させる要因になっていた。

【００１６】さらに、従来の有機化合物を用いた追記型
光記録媒体では、記録再生波長近傍に有機化合物の主吸
収帯が存在するため、有機化合物の光学定数の波長依存
性が大きくなり（波長によって光学定数が大きく変動す
る）、レーザの個体差や、環境温度の変化等による記録
再生波長の変動に対し、記録感度や変調度、ジッタやエ
ラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変
化するという問題があった。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、前記問題点を解決して、青色レーザ波長以下の領
域、特に４０５（ｎｍ）近傍の波長領域であっても、有
機化合物からなる追記型の光記録媒体を実現させ、転写
性のよい浅溝基板でも、有機化合物からなる追記型の光
記録媒体を実現させ、記録再生波長の変動に対し、記録
感度や変調度、ジッタやエラー率といったような記録特
性や、反射率等の変化が少ない追記型の光記録媒体を実
現させることにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「基板上に、少なくとも未記録時の主吸収帯が記
録再生波長に対して長波長側に存在する有機化合物層、
光干渉層、光吸収機能を有する光吸収層が順次積層され
た構造を有し、記録再生を基板側から行なうことを特徴
とする光記録媒体」、（２）「基板上に、少なくとも未
記録時の主吸収帯が記録再生波長に対して長波長側に存
在する有機化合物層、光干渉層、光吸収機能を有する光
吸収層が順次積層された構造を有し、記録再生を基板側
から行なうことを特徴とする光記録媒体であって、該有
機化合物層を構成する有機化合物として、光吸収層の光
吸収機能による発熱によって、記録再生波長での吸収係
数が増加する有機化合物を用いたことを特徴とする光記
録媒体」、（３）「基板上に、少なくとも光吸収機能を
有する光吸収層、光干渉層、未記録時の主吸収帯が記録
再生波長に対して長波長側に存在する有機化合物層、カ
バー層が順次積層された構造を有し、記録再生をカバー
層側から行なうことを特徴とする光記録媒体」、（４）
「基板上に、少なくとも光吸収機能を有する光吸収層、
光干渉層、未記録時の主吸収帯が記録再生波長に対して
長波長側に存在する有機化合物層、カバー層が順次積層
された構造を有し、記録再生をカバー層側から行なうこ
とを特徴とする光記録媒体であって、該有機化合物層を
構成する有機化合物として、光吸収層の光吸収機能によ
る発熱によって、記録再生波長での吸収係数が増加する
有機化合物を用いたことを特徴とする光記録媒体」、
（５）「記録再生波長が５００ｎｍ以下であり、光吸収
層がＳｉ、またはＧｅを主体として構成されていること
を特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項の何れか１
に記載の光記録媒体」、（６）「光干渉層がＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ_２を主体として構成されていることを特徴とする前
記第（１）項乃至第（４）項の何れか１に記載の光記録
媒体」により達成される。

【００１９】また、上記課題は、本発明の（７）「基板
上に、少なくとも未記録時の主吸収帯が記録再生波長に
対して長波長側に存在する有機化合物層、光干渉層、光
吸収機能を有する光吸収層が順次積層された構造を有
し、記録再生を基板側から行なうことを特徴とする光記
録媒体の記録方法において、主に光吸収層の光吸収機能
による発熱によって、有機化合物層の記録再生波長での
吸収係数を増加させることで記録を行なうことを特徴と
する光記録媒体の記録方法」、（８）「基板上に、少な
くとも光吸収機能を有する光吸収層、光干渉層、未記録
時の主吸収帯が記録再生波長に対して長波長側に存在す
る有機化合物層、カバー層が順次積層された構造を有
し、記録再生をカバー層側から行なうことを特徴とする
光記録媒体の記録方法において、主に光吸収層の光吸収
機能による発熱によって、有機化合物層の記録再生波長
での吸収係数を増加させることで記録を行なうことを特
徴とする光記録媒体の記録方法」により達成される。

【００２０】即ち、前記第（１）項は、従来の追記型光
記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学
定数が得ることが困難な青色レーザ波長以下の領域であ
っても、基板側からの記録再生で、高密度化が図れ、か
つ良好な記録再生特性が得られる追記型光記録媒体の層
構成を提供し、また、転写性のよい浅溝基板でも記録再
生が容易に行なえる追記型光記録媒体の層構成を提供
し、さらに、記録再生波長の変動に対し、記録再生特性
の変化が少ない追記型光記録媒体の層構成を提供する。
また、前記第（２）項は、従来の追記型光記録媒体の記
録層に要求される光学定数と同程度の光学定数が得るこ
とが困難な青色レーザ波長以下の領域であっても、基板
側からの記録再生で、高密度化が図れ、かつ良好な記録
再生特性が得られる追記型光記録媒体の層構成、及び有
機化合物の規定を提供し、また、転写性のよい浅溝基板
でも記録再生が容易に行なえる追記型光記録媒体の層構
成、および有機化合物の規定を提供し、さらに、記録再
生波長の変動に対し、記録再生特性の変化が少ない追記
型光記録媒体の層構成、および有機化合物の規定を提供
する。また、前記第（３）項は、従来の追記型光記録媒
体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学定数が
得ることが困難な青色レーザ波長以下の領域であって
も、カバー層側からの記録再生で、高密度化が図れ、か
つ良好な記録再生特性が得られる追記型光記録媒体の層
構成を提供し、また、転写性のよい浅溝基板でも記録再
生が容易に行なえる追記型光記録媒体の層構成を提供
し、さらに、記録再生波長の変動に対し、記録再生特性
の変化が少ない追記型光記録媒体の層構成を提供する。
また、前記第（４）項は、従来の追記型光記録媒体の記
録層に要求される光学定数と同程度の光学定数が得るこ
とが困難な青色レーザ波長以下の領域であっても、カバ
ー層側からの記録再生で、高密度化が図れ、かつ良好な
記録再生特性が得られる追記型光記録媒体の層構成、及
び有機化合物の規定を提供し、また、転写性のよい浅溝
基板でも記録再生が容易に行なえる追記型光記録媒体の
層構成、および有機化合物の規定を提供し、さらに、記
録再生波長の変動に対し、記録再生特性の変化が少ない
追記型光記録媒体の層構成、および有機化合物の規定を
提供する。また、前記第（５）項は、前記第（１）項〜
第（４）項の課題を解決するため、記録再生波長と光吸
収層として用いる材料の規定を行なうことにある。ま
た、前記第（６）項は、前記第（１）項〜第（４）項の
課題を解決するため、光干渉層として用いる材料の規定
を行なうことにある。

【００２１】また、前記第（７）項は、従来の追記型光
記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学
定数が得ることが困難な青色レーザ波長以下の領域であ
っても、基板側からの記録再生で、高密度化が図れ、か
つ良好な記録再生特性が得られる追記型光記録媒体の記
録方法（記録原理）を提供し、また、転写性のよい浅溝
基板でも記録再生が容易に行なえる追記型光記録媒体の
記録方法を提供することにある。更にまた、前記第
（８）項は、従来の追記型光記録媒体の記録層に要求さ
れる光学定数と同程度の光学定数が得ることが困難な青
色レーザ波長以下の領域であっても、カバー層側からの
記録再生で、高密度化が図れ、かつ良好な記録再生特性
が得られる追記型光記録媒体の記録方法（記録原理）を
提供し、また、転写性のよい浅溝基板でも記録再生が容
易に行なえる追記型光記録媒体の記録方法を提供するこ
とにある。

【００２２】前記課題を解決するために本発明では、基
板上に、少なくとも未記録時の主吸収帯が記録再生波長
に対して長波長側に存在する有機化合物層、光干渉層、
光吸収機能を有する光吸収層が順次積層された構造を有
し、記録再生を基板側から行なうことを特徴とする光記
録媒体、あるいは基板上に、少なくとも光吸収機能を有
する光吸収層、光干渉層、未記録時の主吸収帯が記録再
生波長に対して長波長側に存在する有機化合物層、カバ
ー層が順次積層された構造を有し、記録再生をカバー層
側から行なうことを特徴とする光記録媒体が提供され
る。

【００２３】また、これらの光記録媒体に対し、主に光
吸収層の光吸収機能による発熱によって、有機化合物層
の記録再生波長での吸収係数を増加させることで記録を
行なうことを特徴とする光記録媒体の記録方法を提供す
る。

【００２４】本発明では、光吸収層の発熱によって、有
機化合物層の有機化合物を分解させ、主吸収帯より短波
長側の吸収を増加させることが記録の基本原理である。
本発明の光記録媒体は、従来、光吸収層であり、かつ分
解・変質に起因した屈折率（複素屈折率の実部）変化に
よる記録層として機能していた有機化合物からなる有機
化合物層から、光吸収機能と、記録機能とを分離させ
た。すなわち、有機化合物層からは光吸収機能を除き、
有機化合物層に隣接して光吸収層を設ける構造とした。

【００２５】従来の追記型光記録媒体では、有機化合物
の分解・変質によって記録再生波長における吸収係数を
低下させ、これによる大きな屈折率変化を利用して変調
度を発生させていた（図４参照。矢印は記録再生波長を
示す）。しかし、本発明の追記型光記録媒体では、有機
化合物の分解・変質によって、その有機化合物を構成し
ていた分子や分子団の吸収を発生させる（大きな吸収帯
の短波長側での吸収係数を増加させる）。すなわち、記
録再生波長における吸収係数を増加させ、これによって
変調度を発生させる（図５参照）。そのため、有機化合
物層には、屈折率の制限が全くなくなり、また、有機化
合物層は記録再生波長に対し、光吸収能がある必要がな
くなるため、光学定数に関して従来のような厳しい制限
がなくなる。

【００２６】なお、本発明で言う、「未記録時の主吸収
帯が記録再生波長に対して長波長側に存在する有機化合
物層」とは、記録再生波長と有機化合物層の主吸収帯を
遠ざけることを意味する。 また、これは、有機化合物
層が記録波長に対して充分な光吸収機能をもたず、有機
化合物層単独では充分な記録が行なえない状態を意味す
る。そのため、有機化合物層に記録を行なうため、別途
光吸収層を設けるのである。

【００２７】ここでもう少し詳しく、記録再生波長にお
ける吸収係数増加の原理を説明する。本発明で用いる有
機化合物は、小さな分子や分子団が結合して、あるい
は、錯体や会合体等を形成して大きな共役系を形成した
有機化合物であって、分子や分子団が持っていた固有の
吸収波長（図６の吸収スペクトルＡ、Ｂに相当）よりも
長波長側に大きな吸収帯を持ち、個々の分子や分子団が
持っていた固有の吸収帯が消滅、あるいは減衰した吸収
スペクトルを持つ（図７の吸収スペクトルＣに相当）。

【００２８】このような有機化合物に対し、図７で示す
ようなλ_１を記録再生波長として選択すると、未記録時
はλ_１で吸収が少なかった状態から、分解や変質によっ
て、大きな分子を形成していた分子や分子団が持つ固有
の吸収が増加し（図６参照）、λ_１での吸収も増加し、
吸収係数の変化による記録部が形成できる。したがっ
て、ただ小さな分子や分子団が結合してだけであって、
共役系の広がりが形成されないような分子は、図７のよ
うな状態、すなわち、分子や分子団が持っていた固有の
吸収帯が消滅あるいは減衰し、新たに大きな鋭い吸収帯
が形成されるような状態が実現されないため、記録前後
での吸収係数の変化が大きくならず、記録ピットを形成
することができていない。唯一有機化合物に要求される
ことは、レーザ光の照射により確実に分解を起こし、か
つその分解特性（分解温度、分解スピード、分解量等）
が優れていればよい。

【００２９】したがって、記録再生が青色領域で行なわ
れるにもかかわらず、有機化合物層として、赤色レーザ
波長領域に大きな吸収帯を有し、かつ青色レーザ波長領
域に大きな吸収帯を持たず、また分解特性の優れた材
料、例えばＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ用の色素を用いること
ができる。また、従来は、波長制御のために、複雑な置
換基や合成上困難性の高い色素を記録層として用いる必
要があったが、本発明の有機化合物層ではそのような複
雑な波長制御は不必要なため、コストの安い有機化合物
を選択することが可能となる。

【００３０】また、従来の光記録媒体では、有機化合物
が記録層と光吸収機能とを兼用していたため、記録再生
波長に対して大きな屈折率ｎと比較的小さな吸収係数ｋ
を有することが有機化合物の必須条件であり、そのため
有機化合物を分解させる温度まで到達させるには、比較
的厚い膜厚が必要となっていた（また相変化型の光記録
媒体に対し基板の溝深さが非常に深くなっていた）。し
かし、本発明の記録媒体では、光吸収機能と記録機能を
分離したため、有機化合物層の膜厚は従来に対し薄くす
ることが可能となる。この有機化合物層の薄膜化が可能
となったことで、転写性（成形性）に優れた溝深さの浅
い基板を使用することが可能となり、光記録媒体の信号
品質が大幅に向上する。

【００３１】さらに、本発明での光吸収層は、屈折率が
正常分散性を示す材料を用いることができるため、また
有機化合物層では、大きな吸収帯が記録再生波長よりも
充分長波長側に存在する色素などの有機化合物を用いる
ため（大きな吸収帯近傍では屈折率が異常分散性を示
し、屈折率が波長によって大きく異なるという性質を示
すが、大きな吸収帯から充分離れた波長領域では屈折率
は正常分散性を示し、屈折率は波長に対し緩やかな変化
を示す）、レーザの個体差や、環境温度の変化等による
記録再生波長の変動に対し、記録感度や変調度、ジッタ
やエラー率といったような記録特性や、反射率等が大き
く変化するという従来の問題が大幅に解消することがで
きる。

【００３２】本発明では、主に光吸収層の光吸収機能に
よる発熱によって、有機化合物層の記録再生波長での吸
収係数を増加させることで記録を行なうが、物理的な変
形（例えば基板や光吸収層の変形）も用いることができ
る。但し、この場合、基板や光吸収層等の変形による記
録は、有機化合物分解による吸収係数の増加に起因する
記録極性（記録によって再生信号が低下するか、増加す
るかを指す）と同一にすることが好ましい。この基板や
光吸収層等の変形による記録極性は、基板の溝形状や変
形量等で制御することができる。

【００３３】なお、本発明では、記録再生波長を５００
ｎｍ以下とすることが好ましい。これは下記の理由によ
る。 ５００ｎｍ以上の波長領域では、分子骨格が大きくな
るため、分解特性に優れた材料が多数存在する。したが
って、この５００ｎｍ以上に主吸収帯、あるいは最大吸
収波長が存在する有機化合物を用いる場合、本発明の記
録原理から記録再生波長は５００ｎｍ以下が適すること
になる。 色素の分解によって発生する分子や分子団の吸収波長
はほぼ５００ｎｍ以下に発生すること。 光吸収層として用いるＳｉやＧｅの吸収係数（および
屈折率）は、長波長になるほど減少すること（赤色レー
ザ波長領域では、光吸収層あるいは光反射層としてＳｉ
やＧｅが充分機能しなくなる）。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
の形態を詳しく説明する。構成要素を具体的に説明する
と、基板の素材としては、熱的、機械的に優れる特性を
有しており、基板側から（基板を通して）記録再生が行
なわれる場合には光透過特性も優れるものであれば、特
別な制限はない。具体的には、ポリカーボネート、ポリ
メタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロー
スアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが用い
られる。望ましくは、ポリカーボネート、非晶質ポリオ
レフィンが用いられる。基板の厚さは用途に応じて異な
り、特に制限はない。

【００３５】本発明では、光吸収層を用いて、有機化合
物を分解させ（例えばメチン鎖を切断させ）記録再生波
長での吸収を増加させる。光吸収層として働くには、熱
伝導率が例えばＡｇやＡｕ等の金属材料に比べて比較的
低いことが好ましい（金属でもＡｇやＡｕ等に比べて熱
伝導率が低い金属は本発明で使用可能であり、金属材料
を否定するものではない）。ＡｇやＡｕ等の金属材料に
比べて比較的低い低熱伝導率は、効率よく（低記録パワ
−で）有機化合物を分解させるためにも必要である。ま
た、有機化合物の分解を低記録パワ−で生じさせるため
に、光吸収層として、記録波長に対する吸収係数がある
程度大きいものを用いることが好ましい。すなわち、光
吸収層の吸収係数（複素屈折率の虚部）は、有機化合物
層の吸収係数よりも充分大きいことが好ましく、０．３
以上吸収係数が大きいことがさらに好ましい。また、反
射率を高め、記録再生信号の品質を向上させるために、
光吸収層は光反射層として機能することが好ましい。そ
のため、光吸収層の屈折率は、有機化合物層の屈折率と
大きくことなることが好ましく、１．０以上屈折率差が
あることがさらに好ましい。この場合、光吸収層の屈折
率は、有機化合物層の屈折率に対し、大きくても、小さ
くてもよい。なお、上記のような、熱伝導率、屈折率
（複素屈折率の実部）、吸収係数（複素屈折率の虚部）
の物性条件が満たされる材料からなる層を、本発明では
光吸収層と呼ぶ（本発明の光吸収層は光反射機能をも有
するが、単に光吸収層と呼ぶ）。以上の点から、光吸収
層として、ＳｉＣ、Ｂ_４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物
系の非酸化物、アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド
等の炭素系の非酸化物等に代表されるセラミックス、あ
るいはＴｅ−ＴｅＯ_２、Ｔｅ−ＴｅＯ_２−Ｐｄ、Ｓｂ_２
Ｓｅ_３／Ｂｉ_２Ｔｅ_３、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｔｅ−
ＴｅＯ_２−Ｇｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ｇ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ａｇ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等の相変化記録材料、ニッ
ケル、クロム、チタン、タンタル等の純粋金属、または
銅／アルミニウム、ニッケル／鉄などの合金、シリコン
等の半金属、Ｇｅ等の半導体等を用いることが可能であ
る。そのうち、光吸収層として、ＳｉまたはＧｅ、ある
いはこれらの混合物を用いることが好ましい。

【００３６】光干渉層は、変調度と反射率を高めるため
に有機化合物層と光吸収層の間に挿入される。光干渉層
は、記録再生波長に対して吸収係数が充分小さい材料を
用いることが好ましい（有機化合物層の吸収係数よりも
充分小さいことが好ましい）。また、光干渉層の膜厚
は、光吸収層で発生した熱が有機化合物層へ充分伝達さ
れるような膜厚に設定されることが好ましい。

【００３７】具体的に光干渉層としては、Ａｌ_２Ｏ_３、
ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ_２、ＵＯ_２、ＴｈＯ_２などの単
純酸化物系の酸化物、ＳｉＯ_２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２、
ＭｇＯ・ＳｉＯ_２、ＣａＯ・ＳｉＯ_３、ＺｒＯ_２・Ｓｉ
Ｏ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２、２ＭｇＯ・２Ａｌ_２
Ｏ_３・５ＳｉＯ_２、Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・４ＳｉＯ _２
などのケイ酸塩系の酸化物、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＭｇＡｌ
_２Ｏ_４、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６（ＯＨ）_２、ＢａＴｉＯ
_３、ＬｉＮｂＯ_３、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、フェライトなど
の複酸化物系の酸化物、あるいは、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓｉ
_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなど
の窒化物系の非酸化物、ＳｉＣ、Ｂ_４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣ
などの炭化物系の非酸化物、ＬａＢ_６、ＴｉＢ_２、Ｚｒ
Ｂ_２などのホウ化物系の非酸化物、ＣｄＳ、ＭｏＳ_２な
どの硫化物系の非酸化物、ＭｏＳｉ _２などのケイ化物系
の非酸化物、アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等
の炭素系の非酸化物を用いることができ、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ_２を主体（主成分）とすることが好ましい例として挙
げられる。さらに、光干渉層は、光吸収層の変形を抑制
するために使用することも可能である。

【００３８】有機化合物層に用いられる材料としては、
例えば色素が好ましい。色素としては、ポリメチン色
素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリ
リウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノ
ン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテ
ン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒド
ロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系
染料、及び金属錯体化合物などが挙げられる。例えば、
熱によって左右の複素環を結合するメチン鎖が切断され
タール化し、左右の複素環は残存するという分解挙動が
知られるポリメチン色素一般式（化１）は、本発明に適
した色素の一例である。

【００３９】

【化１】 （化１） （化１）中、Ａ^１、Ｂ^１ はＬ^１と共役系を形成する分
子、または分子団を表わす。Ｌ^１は置換基を有してもよ
いメチン鎖を表わし、置換基は互いに結合して環構造を
形成してもよい。Ｘは分子の電荷均衡対イオンを表わ
し、ｍは分子の電荷を中和するのに必要な０以上の数を
表わす。

【００４０】また、一般式（化１）中の左右の複素環Ａ
^１、Ｂ^１は、それ単独で３００ｎｍ以上に吸収ピークを
有する分子・分子団であることが好ましい。これによっ
て、分解時の吸収係数の増加が、青色領域で大きく検出
できる。色素層の形成は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ
又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうことがで
きる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有機溶
剤に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、ディ
ッピング又はスピンコーティングなどの慣用のコーティ
ング法で行なうことができる。

【００４１】用いられる有機溶剤としては、一般にメタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
などのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類、ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、
酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン
などの脂肪族ハロゲン化炭素類、ベンゼン、キシレン、
モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族
類、あるいはメトキシエタノール、エトキシエタノール
などのセルソルブ類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙
げられる。色素層の膜厚は、１００Å〜１０μｍ、好ま
しくは１００Å〜２０００Åが適当である。

【００４２】カバー層は、高密度化を図るために、高Ｎ
Ａのレンズを用いる場合必要となる。例えば高ＮＡ化す
ると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要があ
る。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸
に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチ
ルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の
２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さく
なるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差
の影響を受け易いためである。従って、基板の厚さを薄
くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくす
るようにしている。

【００４３】そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記
録層とし、その上に反射膜を設け、さらにこの上に光を
透過する薄膜である光透過性のカバー層を設けるように
し、カバー層側から再生光を照射して記録層の情報を再
生するような光記録媒体や、基板上に反射膜を設け、そ
の上に記録膜を形成して記録層とし、さらにこの上に光
透過性を有するカバー層を設けるようにし、カバー層側
から再生光を照射して記録層の情報を再生するような光
記録媒体が提案されている。このようにすれば、カバー
層を薄型化していくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応
可能である。つまり、薄いカバー層を設け、このカバー
層側から記録再生することで、さらなる高記録密度化を
図ることができる。なお、このようなカバー層はポリカ
ーボネートシートや、紫外線硬化型樹脂により形成され
るのが一般的である。また、本発明でいうカバー層と
は、カバー層を接着するための層を含めてもよい。

【００４４】本発明による光記録媒体における情報の記
録原理を図２または図３を参照して説明すると、次のと
おりである。光源として５００ｎｍ以下の波長のレーザ
を用いて、５〜１５ｍＷ程度のパワーで光記録媒体に照
射すると、光吸収層が光を吸収し、昇温して熱を放出す
る。この熱は有機化合物層に伝達されて有機化合物の分
解・変質を誘発する。この分解・変質によって、有機化
合物は、有機化合物を構成していた個々の分子や分子団
に分断され、これらの個々の分子や分子団が持つ吸収帯
の強度を増加させる。この個々の分子や分子団が持つ吸
収帯の強度増加によって形成された記録ピットは、未記
録部と大きな反射率差を生むため、再生レーザを照射す
ることで明瞭に検出することが可能となる。

【００４５】以下、図２または図３の各構成の機能を説
明する。図２は、青色レーザ波長対応の追記型光記録媒
体を実現させる層構成の一例を示すもので、基板上に有
機化合物層、光干渉層、光吸収層が順次設けられた構造
を有する。この構造では、通常記録再生が基板側から行
なわれる。この構造では、基板側からのレーザ光照射に
より光吸収層が発熱し、この熱によって有機化合物の分
解あるいは変質を誘発させ、記録再生波長での吸収係数
を増加させることで記録が行なわれる。

【００４６】図３は、青色レーザ波長対応の追記型光記
録媒体を実現させる層構成の別の一例を示すもので、基
板上に光吸収層、光干渉層、有機化合物層、カバー層が
順次設けられた構造を有する。この構造では、通常記録
再生がカバー層側から行なわれる。この構造では、カバ
ー層側からのレーザ光照射により光吸収層が発熱し、こ
の熱によって有機化合物の分解あるいは変質を誘発さ
せ、記録再生波長での吸収係数を増加させることで記録
が行なわれる。

【００４７】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する
が、本発明は必ずしもこれに限られるものではない。 〔実施例１〕本発明の層構成と記録原理によって、良好
な記録再生が実現できることを検証する。基板上に、未
記録時の主吸収帯が記録再生波長に対して長波長側に存
在する有機化合物層、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる光干渉
層、光吸収機能を有する光吸収層（Ｓｉ）を積層した光
記録媒体に対し、Ｓｉ層の膜厚を変えて、有機化合物層
の膜厚と、光干渉層の膜厚を変化させたときの反射率と
変調度を計算した。なお、有機化合物層の未記録時の複
素屈折率は、１．５０−ｉ０．０５０であり、記録後の
複素屈折率は１．５０−ｉ０．１２５と仮定した（な
お、記録再生波長は４０５ｎｍである）。その結果は、
Ｓｉ層の膜厚が１０ｎｍの場合、変調度（ＭＡ）は図
８、反射率（Ｒ）は図９に示すとおりである。Ｓｉ層の
膜厚が３０ｎｍの場合、変調度（ＭＡ）は図１１、反射
率（Ｒ）は図１２に示すとおりである。Ｓｉ層の膜厚が
５０ｎｍの場合、変調度（ＭＡ）は図１４、反射率
（Ｒ）は図１５に示すとおりである。また、高い変調度
と高い反射率が得られる領域を明確にするために、変調
度×反射率（ＭＡ×Ｒ）を計算し、Ｓｉ層の膜厚が１０
ｎｍの場合は図１０に、Ｓｉ層の膜厚が３０ｎｍの場合
は図１３に、Ｓｉ層の膜厚が５０ｎｍの場合は図１６に
示した。なお、いずれの図も横軸は有機化合物層（色素
層）の膜厚、縦軸は光干渉層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）の膜
厚を示す。この結果から、例えばＳｉ層の膜厚が３０ｎ
ｍの場合、有機化合物層の膜厚が６０ｎｍ以上で、光干
渉層の膜厚が１０ｎｍ程度の領域、あるいは有機化合物
層の膜厚が６０ｎｍ以上で、光干渉層の膜厚が６０〜９
０ｎｍ以上の領域で、変調度５０％程度、反射率３０〜
４０％が得られることがわかり、青色レーザ波長領域で
も有機化合物を用いた光記録媒体において、高反射率化
と高変調度化が図れることが確かめられた。なお、上記
の最適条件は、記録による有機化合物層の複素屈折率変
化が、１．５０−ｉ０．０５０から１．５０−ｉ ０．
１２５である場合のものであって、本発明はこれに限定
されるものではない。有機化合物層の吸収係数（複素屈
折率の虚部）の増加が大きくなれば、変調度や反射率を
高めることができ、さらに最適条件の範囲は広がり、例
えば、さらに有機化合物層の膜厚を薄膜化することがで
きる（つまり浅い溝の基板が使用できる）。また、実施
例１では、基板側からの記録再生を考えた基板／有機化
合物層／光干渉層／光吸収層という構成で反射率や変調
度の計算を行なったが、記録再生波長に対しカバー層が
充分厚いこと、および基板とカバー層の屈折率がほぼ同
一であることから、カバー側からの記録再生を考えた基
板／光吸収層／光干渉層／有機化合物層／カバー層とい
う構成での反射率や変調度もほとんど同一となることは
明白である。

【００４８】〔実施例２〕次いで、記録によって有機化
合物層の吸収係数（複素屈折率の虚部）が増加すること
を確かめた。案内溝（溝深さ５５ｎｍ）を有するポリカ
−ボネ−ト基板上に、（株）林原生物化学研究所製の色
素（ＮＫ３４０８）からなる有機化合物層をスピンコ−
ト法によって形成し、さらにその上にＺｎＳ−ＳｉＯ_２
からなる光干渉層を１０ｎｍ、Ｓｉ層（光吸収層）３
０ｎｍを順次設けた光記録媒体を作成した。なお、４０
５ｎｍにおけるＮＫ３４０８の複素屈折率は、１．５０
７−ｉ０．０５６であり、従来の追記型の光記録媒体に
用いる有機化合物に要求される複素屈折率に対し、著し
く劣った複素屈折率である（例えばＤＶＤ−Ｒに用いら
れている色素の、記録再生波長近傍での複素屈折率は、
例えば ２．５−ｉ０．１０程度である）。上記光記録
媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評
価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：
０．６５）を用いて、以下の条件で記録を行なった。そ
の結果、変調度約５６％の信号が得られた。また、この
光記録媒体の光吸収層を剥がし、記録部分と未記録部分
の色素をエタノ−ルで溶かし、それぞれスペクトルを測
定した。その結果、図１７に示すように、波長４００ｎ
ｍ近傍の領域において、記録部分では吸収係数（複素屈
折率の虚部）が明らかに増加していることが認められ
（記録はグル−ブ部のみに行なわれたため、記録部のス
ペクトルには多量の未記録部成分が存在する）、本発明
の光記録媒体における記録原理を確認できた。また、実
施例１で仮定したように、記録によって有機化合物層の
吸収係数（複素屈折率の虚部）が約２．５倍に増加する
と仮定した根拠が裏付けられた。但し、本発明では、記
録による有機化合物層の吸収係数（複素屈折率の虚部）
の増加が約２．５倍であることに限定するものではな
い。

【００４９】（記録条件） 記録線密度：１Ｔ＝０．０９１７（μｍ） 記録線速度：６．０（ｍ／ｓ） 記録ストラテジ：Ｂａｓｉｃ ｓｔｒａｔｅｇｙ Ｔ
_ｔｏｐ−Ｔ_ｍｐ＝１．４０−０．７５（Ｔ） 記録パワー：８．５（ｍｗ） 記録パタ−ン：８−１６変調信号

【００５０】以上、本発明の実施例１、２から、本発明
の光記録媒体の層構成と記録原理が、青色レーザ波長対
応の有機化合物からなる追記型光記録媒体の実現に非常
に有効であることが確認できた。また、従来有機化合物
を用いた光記録媒体では、有機化合物層で熱を発生させ
る必要があったため、有機化合物層を薄膜化できず、深
い溝（例えば１５０〜１８０ｎｍ）を必要としていた
が、本発明の記録原理によって、有機化合物の薄膜化が
可能となるため、５０ｎｍ程度という非常に浅い溝を有
する基板が適用できることが確かめられた。但し、本発
明では、基板の溝深さを約５０ｎｍに限定するものでは
ない。

【００５１】〔実施例３〕従来のＤＶＤ−Ｒに用いるこ
とができる一般式（化２）で示される色素の複素屈折率
（屈折率ｎと吸収係数ｋ）、本発明で使用でき、かつ従
来のＤＶＤ−Ｒにも用いることができる色素（ＮＫ４４
３９、（株）林原生物化学研究所製）の複素屈折率（屈
折率ｎと吸収係数ｋ）、Ｓｉの複素屈折率（屈折率ｎと
吸収係数ｋ）、およびＺｎＳ−ＳｉＯ_２ の複素屈折率
（屈折率ｎと吸収係数ｋ）を測定した。従来のＤＶＤ−
Ｒに用いることができる一般式（化２）で示される色素
の複素屈折率（屈折率ｎと吸収係数ｋ）は図１８、本発
明で使用でき、かつ従来のＤＶＤ−Ｒにも用いることが
できる色素（ＮＫ４４３９）の複素屈折率（屈折率ｎと
吸収係数ｋ）は図１９、光吸収層として用いることので
きるＳｉの複素屈折率（屈折率ｎと吸収係数ｋ）は図２
０、光干渉層として用いることのできるＺｎＳ−ＳｉＯ
_２の複素屈折率（屈折率ｎと吸収係数ｋ）は図２１に示
すとおりである。その結果、従来の記録材料に対し、記
録再生波長を有機化合物の吸収帯の長波長側に位置させ
るような従来の記録方法の場合（図１８）、記録再生波
長の変動に対し、屈折率ｎや吸収係数ｋが大きく変動す
ることが確認できた。一方、本発明では、従来の記録材
料に対し、記録再生波長を有機化合物の吸収帯から充分
短波長側に位置させる記録方法であるため（図１９）、
記録再生波長の変動に対し、屈折率ｎや吸収係数ｋがほ
とんど変動しないことが確認できた。また、光吸収層と
して用いるＳｉ、および光干渉層として用いるＺｎＳ−
ＳｉＯ_２も記録再生波長の変動に対し、屈折率ｎや吸収
係数ｋが大きく変動しないことが確認できた。以上、本
発明の光記録媒体の層構成によって、記録再生波長の変
動に対し、記録感度や変調度、ジッタやエラー率といっ
たような記録特性や、反射率等の変化が少ない追記型光
記録媒体が実現できることが確認できた。

【００５２】

【化２】

【００５３】

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明の光記録媒体とその記録方法によっ
て、青色レーザ波長以下対応の有機化合物からなる追記
型の光記録媒体、転写性のよい浅溝基板が利用可能な有
機化合物からなる追記型の光記録媒体、記録再生波長の
変動に対し、記録感度や変調度、ジッタやエラー率とい
ったような記録特性や、反射率等の変化が少ない追記型
の光記録媒体を容易に、しかも安価に提供することがで
きる。また、本発明の請求項１の追記型光記録媒体の層
構成によって、従来の追記型光記録媒体の記録層に要求
される光学定数と同程度の光学定数が得ることが困難な
青色レーザ波長以下の領域であっても、基板側からの記
録再生で、高密度化が図れ、かつ良好な記録再生特性が
得られる追記型光記録媒体を実現できる。 また、転写
性のよい浅溝基板でも記録再生が容易に行なえる追記型
光記録媒体、および、記録再生波長の変動に対し、記録
再生特性の変化が少ない追記型光記録媒体が実現でき
る。また、本発明の請求項２の追記型光記録媒体の層構
成と有機化合物の規定によって、従来の追記型光記録媒
体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学定数が
得ることが困難な青色レーザ波長以下の領域であって
も、基板側からの記録再生で、高密度化が図れ、かつ良
好な記録再生特性が得られる追記型光記録媒体を実現で
きる。また、転写性のよい浅溝基板でも記録再生が容易
に行なえる追記型光記録媒体、および、記録再生波長の
変動に対し、記録再生特性の変化が少ない追記型光記録
媒体が実現できる。また、本発明の請求項３の追記型光
記録媒体の層構成によって、従来の追記型光記録媒体の
記録層に要求される光学定数と同程度の光学定数が得る
ことが困難な青色レーザ波長以下の領域であっても、カ
バー層側からの記録再生で、高密度化が図れ、かつ良好
な記録再生特性が得られる追記型光記録媒体を実現でき
る。また、転写性のよい浅溝基板でも記録再生が容易に
行なえる追記型光記録媒体、および、記録再生波長の変
動に対し、記録再生特性の変化が少ない追記型光記録媒
体が実現できる。また、本発明の請求項４の追記型光記
録媒体の層構成と有機化合物の規定によって、従来の追
記型光記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度
の光学定数が得ることが困難な青色レーザ波長以下の領
域であっても、カバー層側からの記録再生で、高密度化
が図れ、かつ良好な記録再生特性が得られる追記型光記
録媒体を実現できる。また、転写性のよい浅溝基板でも
記録再生が容易に行なえる追記型光記録媒体、および、
記録再生波長の変動に対し、記録再生特性の変化が少な
い追記型光記録媒体が実現できる。また、本発明の請求
項５の記録再生波長と光吸収層として用いる材料の規定
によって、本発明の請求項１〜４の追記型光記録媒体の
記録再生特性を向上させることが可能となる。また、本
発明の請求項６の光干渉層として用いる材料の規定によ
って、本発明の請求項１〜４の追記型光記録媒体の記録
再生特性を向上させることが可能となる。また、本発明
の請求項７の光記録媒体の記録方法によって、従来の追
記型光記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度
の光学定数が得ることが困難な青色レーザ波長以下の領
域であっても、基板側からの記録再生で、高密度化が図
れ、かつ良好な記録再生特性が得られる追記型光記録媒
体の記録方法（記録原理）が実現できる。また、転写性
のよい浅溝基板でも記録再生が容易に行なえる追記型光
記録媒体の記録方法が実現できる。また、本発明の請求
項８の光記録媒体の記録方法によって、従来の追記型光
記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学
定数が得ることが困難な青色レーザ波長以下の領域であ
っても、カバー層側からの記録再生で、高密度化が図
れ、かつ良好な記録再生特性が得られる追記型光記録媒
体の記録方法（記録原理）が実現できる。また、転写性
のよい浅溝基板でも記録再生が容易に行なえる追記型光
記録媒体の記録方法が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体の層構成を説明するための図
である。

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を説明するための
図である。

【図３】本発明の光記録媒体の別の層構成を説明するた
めの図である。

【図４】従来の光記録媒体の記録原理を説明するための
図である。

【図５】本発明の光記録媒体の記録原理を説明するため
の図である。

【図６】本発明の光記録媒体に用いられる有機化合物の
特性を説明するための図である。

【図７】本発明の光記録媒体に用いられる有機化合物の
特性を説明するための図である。

【図８】本発明のＳｉ膜厚が１０ｎｍの場合における変
調度（ＭＡ）の計算結果を示す図である。

【図９】本発明のＳｉ膜厚が１０ｎｍの場合における反
射率（Ｒ）の計算結果を示す図である。

【図１０】本発明のＳｉ膜厚が１０ｎｍの場合における
変調度×反射率（ＭＡ×Ｒ）の計算結果を示す図であ
る。

【図１１】本発明のＳｉ膜厚が３０ｎｍの場合における
変調度（ＭＡ）の計算結果を示す図である。

【図１２】本発明のＳｉ膜厚が３０ｎｍの場合における
反射率（Ｒ）の計算結果を示す図である。

【図１３】本発明のＳｉ膜厚が３０ｎｍの場合における
変調度×反射率（ＭＡ×Ｒ）の計算結果を示す図であ
る。

【図１４】本発明のＳｉ膜厚が５０ｎｍの場合における
変調度（ＭＡ）の計算結果を示す図である。

【図１５】本発明のＳｉ膜厚が５０ｎｍの場合における
反射率（Ｒ）の計算結果を示す図である。

【図１６】本発明のＳｉ膜厚が５０ｎｍの場合における
変調度×反射率（ＭＡ×Ｒ）の計算結果を示す図であ
る。

【図１７】実施例２で用いた色素の記録前後のスペクト
ル変化を示す図である。

【図１８】従来の記録再生波長領域での複素屈折率を示
す図である。

【図１９】本発明の記録再生波長領域での複素屈折率を
示す図である。

【図２０】本発明で用いることができるＳｉの複素屈折
率を示す図である。

【図２１】本発明で用いることができるＺｎＳ−ＳｉＯ
_２の複素屈折率を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 有機化合物層 ３ 光干渉層 ４ 光吸収層 ５ カバー層 ６ 反射層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、少なくとも未記録時の主吸収
   帯が記録再生波長に対して長波長側に存在する有機化合
   物層、光干渉層、光吸収機能を有する光吸収層が順次積
   層された構造を有し、記録再生を基板側から行なうこと
   を特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に、少なくとも未記録時の主吸収
   帯が記録再生波長に対して長波長側に存在する有機化合
   物層、光干渉層、光吸収機能を有する光吸収層が順次積
   層された構造を有し、記録再生を基板側から行なうこと
   を特徴とする光記録媒体であって、該有機化合物層を構
   成する有機化合物として、光吸収層の光吸収機能による
   発熱によって、記録再生波長での吸収係数が増加する有
   機化合物を用いたことを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 基板上に、少なくとも光吸収機能を有す
   る光吸収層、光干渉層、未記録時の主吸収帯が記録再生
   波長に対して長波長側に存在する有機化合物層、カバー
   層が順次積層された構造を有し、記録再生をカバー層側
   から行なうことを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 基板上に、少なくとも光吸収機能を有す
   る光吸収層、光干渉層、未記録時の主吸収帯が記録再生
   波長に対して長波長側に存在する有機化合物層、カバー
   層が順次積層された構造を有し、記録再生をカバー層側
   から行なうことを特徴とする光記録媒体であって、該有
   機化合物層を構成する有機化合物として、光吸収層の光
   吸収機能による発熱によって、記録再生波長での吸収係
   数が増加する有機化合物を用いたことを特徴とする光記
   録媒体。
5. 【請求項５】 記録再生波長が５００ｎｍ以下であり、
   光吸収層がＳｉ、またはＧｅを主体として構成されてい
   ることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１に記載の
   光記録媒体。
6. 【請求項６】 光干渉層がＺｎＳ−ＳｉＯ_２を主体とし
   て構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何
   れか１に記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 基板上に、少なくとも未記録時の主吸収
   帯が記録再生波長に対して長波長側に存在する有機化合
   物層、光干渉層、光吸収機能を有する光吸収層が順次積
   層された構造を有し、記録再生を基板側から行なうこと
   を特徴とする光記録媒体の記録方法において、主に光吸
   収層の光吸収機能による発熱によって、有機化合物層の
   記録再生波長での吸収係数を増加させることで記録を行
   なうことを特徴とする光記録媒体の記録方法。
8. 【請求項８】 基板上に、少なくとも光吸収機能を有す
   る光吸収層、光干渉層、未記録時の主吸収帯が記録再生
   波長に対して長波長側に存在する有機化合物層、カバー
   層が順次積層された構造を有し、記録再生をカバー層側
   から行なうことを特徴とする光記録媒体の記録方法にお
   いて、主に光吸収層の光吸収機能による発熱によって、
   有機化合物層の記録再生波長での吸収係数を増加させる
   ことで記録を行なうことを特徴とする光記録媒体の記録
   方法。