JP2003217186A

JP2003217186A - 相変化型光ディスクの初期化方法および初期化装置

Info

Publication number: JP2003217186A
Application number: JP2002011165A
Authority: JP
Inventors: Osamu Akutsu; 収圷
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2002-01-21
Filing date: 2002-01-21
Publication date: 2003-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】光ディスクの製造工程途中で初期化を行
わなくても良好な初期化を行うことが出来る相変化型光
ディスクの初期化方法及び初期化装置を提供する。【解決手段】基板１上に、反射層２、第一保護層３、
記録層４、第二保護層５、接着層６、前記基板１より厚
みが薄いフィルム層７をこの順に積層した光ディスクの
前記記録層４に、前記フィルム層７側から拡散照射され
た光線をビームスッポット９することにより、前記記録
層４を相変化させて情報の記録再生消去を行う相変化型
光ディスク１０の初期化方法であって、前記拡散照射さ
れた光線をビームスッポット９する位置を、前記記録層
４とは異なり、前記フィルム層７が損傷せず、かつ、前
記記録層４が初期化できる位置としたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、光照射に
よって情報の記録および再生を行う次世代相変化型光デ
ィスクの初期化方法及び初期化装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクとして、ディスクの結晶質-
非晶質間の相変化を利用してデータの記録再生を行う相
変化型光ディスクは、記録するレーザ照射時間とほぼ同
程度の時間で結晶化を行う高速消去が可能な記録膜が用
いられ、１つのエネルギービームのパワーを、いずれも
読み出しレベルより高い２つのレベル、すなわち、高レ
ベルと中レベルとの間で変化させることにより既存のデ
ータを消去しながらデータの書き込みを行うオーバーラ
イト（重ね書き）が可能なものである。

【０００３】このオーバーライト（重ね書き）が可能な
相変化型光ディスクは、記録膜を真空蒸着及びスパッタ
リングすることにより形成するものであるが、この形成
直後（ａｓ-ｄｅｐｏ状態と呼ぶ）の記録膜は、少なく
とも一部分が非晶結化状態又は準安定な結晶状態になる
特性を持つことが知られている。

【０００４】このａｓ-ｄｅｐｏ状態の記録膜は、通常
反射率が低く、光スポットのオートフォーカスやトラッ
キングが不安定になりやすく、このため一般の相変化型
光ディスクは、使用する前に記録膜全面の初期結晶化を
行う処理が必要である。

【０００５】通常この初期結晶化は、数十〜数百μｍ程
度に絞ったレーザービームを、回転するディスクに照射
することにより行なう。このような光照射による初期化
方法は特開平１１-２９６８７８号公報に記載されてい
るように、集光したレーザービームスポットが記録層に
フォーカシングするよう調整することが一般的である。

【０００６】ところで、近年、光ディスクは高密度、大
容量、小型化を目指し開発が進められている。高密度化
は、レーザービームの波長を短くすることや、光ピック
アップの記録・再生時の光を照射するための対物レンズ
の開口数（ＮＡ）を大きくして、記録・再生光のビーム
スポット径を小さくすることで可能である。

【０００７】このように、対物レンズの開口数を大きく
すると、再生光が照射されてこれが通過する光ディスク
の入射面側の基板の厚みを薄くする必要がある。これ
は、光ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直か
らずれる角度（チルト角）の許容量が小さくなるためで
あり、このチルト角が基板の厚さによる収差や複屈折の
影響を受けやすいためである。従って、次世代型光ディ
スクは、基板の厚さを薄くしてチルト角を可能な限り小
さくすることが要望されてきている。

【０００８】前記した入射面側の基板の厚みは、例え
ば、ＣＤにあっては、約１．２ｍｍとされているのに対
し、記録容量がＣＤの６〜８倍であるＤＶＤは約０．６
ｍｍとその半分の厚みである。また、最近ではＣＤやＤ
ＶＤと同じ大きさのディスク一面当たりの記録容量を、
１５ＧＢ以上の大記録容量にしたいとの要求があり、そ
の場合は、一例として述べると入射面側の基板の厚み
は、前記したＤＶＤの半分である約０．３ｍｍとなる。

【０００９】ところで前記した如く、従来の光ディスク
の初期化にあたっては、対物レンズからの光は０．６ｍ
ｍあるいは１．２ｍｍの入射面側の基板を通して記録層
に集光されていたものである。

【００１０】ここで、図６を参照して従来の光ディスク
２０の層構成について説明する。図６において１１は、
半径１２０ｍｍで、厚さ１．１±０．１ｍｍの例えば、
ポリカーボネート樹脂よりなる円盤状の基板であり、こ
の基板１１の上に、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ₂よりなる
第一保護層１２を５０ｎｍ、この第一保護層１２の上
に、例えば、ＧｅＳｂＴｅよりなる記録層１３を１８ｎ
ｍ、この記録層１３の上に、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ₂
よりなる第二保護層１４を１５ｎｍ、この第二保護層１
４の上に、例えば、アルミニュウムよりなる反射層１５
を２１０ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法を用
いて成膜した後、この反射層１５の上に、紫外線硬化型
樹脂よりなるコート層１６を２０ｎｍ、スピンコート法
を用いて塗布し、紫外線を照射して硬化することによ
り、光ディスク２０が形成されている。

【００１１】そして、この従来の光ディスク２０の初期
化にあたっては、前記した基板１１側より図示しないレ
ーザ光が拡散照射され、これまた図示しない偏光ビーム
スプリッタ等を通過した平行光線が対物レンズ１７によ
り偏光されて光ディスク２０の記録層１４上にビームス
ポット１８として照射されるものである。

【００１２】ここで、対物レンズ１７のＮＡは、前記し
た如くそれが高くなればなるほどビームスポット１８を
小さくできるが、それに伴い焦点距離が短くなる。つま
り、光ディスク２０と対物レンズ１７が近づくことにな
る。例えば、ＮＡ０．８５のレンズを対物レンズ１７と
すると、光ディスク２０と対物レンズ１７の距離を非常
に短くしなければならない。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これまでの
光ディスク２０の初期化は、記録層１４の成膜、保護層
１３，１５の形成等を行ってディスクとして完成した後
に行なわれているものである。しかしながら、前記した
如く基板１１の厚さを薄くしてチルト角を可能な限り小
さくするために、高ＮＡ用の対物レンズを用い、これと
光ディスクとの距離を非常に短くた次世代型光ディスク
にあっては、後述する如く積層した記録層（薄膜）表面
に極薄の基板（樹脂フィルム）を、接着剤を介して貼り
合わせた構成とせざるを得ない。このため、極薄の基板
を接着剤を介して貼りあわせた後に光照射による初期化
を試みると、光照射により貼り合わせした極薄の基板
（樹脂フィルム）が発熱し、熱的ダメージを受けて変形
してしまうという問題があった。

【００１４】前記した図６のような従来型の光ディスク
２０では、初期化に際し、基板１１が十分厚いため熱に
対する強度は高いが、その構成上、光ディスク２０と対
物レンズ１７の距離を非常に短くしなければならないと
いう要望には到底応えることは出来ない。前記し、また
後記詳述する如く、次世代型光ディスクにあっては、記
録層（薄膜）表面に設けられる極薄の基板（樹脂フィル
ム）は非常に薄いため、熱に対しての強度は低い。そこ
で、光照射による極薄の基板（樹脂フィルム）の熱的ダ
メージを回避する方法として貼り合わせ前に初期化する
方法が考えられる。

【００１５】しかしながら、光ディスクの工程上、記録
層（薄膜）１４の成膜後に初期化を行うと、記録層（薄
膜）１４は一旦むき出しの状態にさらされるため、その
表面にゴミなどが付着しやすくなることや、記録層１４
の成膜に比べ、初期化工程は時間を要するためにその成
膜後、むき出しの状態でディスクが待たされることにな
り、ディスク性能に悪影響が出る虞がある。従って、出
来ればこれまでと同様、ディスクは貼り合わせ後の完成
された状態で初期化を行うことが望ましい。

【００１６】そこで本発明者等は、鋭意検討した結果、
次世代型の高密度の光ディスクの初期化に際しては、製
造工程途中でなく、完成後にディスクに熱的ダメージな
く初期化する初期化方法及び初期化装置を案出したもの
で、かかる光ディスクの初期化方法及び初期化装置を提
供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、基板１上に、反射層２、第
一保護層３、記録層４、第二保護層５、接着層６、前記
基板１より厚みが薄いフィルム層７をこの順に積層した
光ディスクの前記記録層４に、前記フィルム層７側から
拡散照射された光線をビームスッポット９することによ
り、前記記録層４を相変化させて情報の記録再生消去を
行う相変化型光ディスク１０の初期化方法であって、前
記拡散照射された光線をビームスッポット９する位置
を、前記記録層４とは異なり、前記フィルム層７が損傷
せず、かつ、前記記録層４が初期化できる位置としたこ
とを特徴とする。

【００１８】請求項２に係る発明は、基板１上に、反射
層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５、接着層
６、前記基板１より厚みが薄いフィルム層７をこの順に
積層した光ディスクの前記記録層４に、前記フィルム層
７側から拡散照射された光線をビームスッポット９する
ことにより、前記記録層４を相変化させて情報の記録再
生消去を行う相変化型光ディスク１０の初期化方法であ
って、前記拡散照射された光線を照射して前記記録層４
を初期化するに際し、前記拡散照射された光線の照射
を、前記記録層４とは異なり、前記反射層２内にデフォ
ーカスさせることにより行うようにしたことを特徴とす
る。

【００１９】請求項３に係る発明は、基板１上に、反射
層２、第一保護層３、記録層４、第二保護層５、接着層
６、前記基板１より厚みが薄いフィルム７層をこの順に
積層した相変化型光ディスク１０と、前記フィルム層７
側から拡散照射された平行光線を前記した相変化型光デ
ィスク１０の記録層４上にビームスポット９させる対物
レンズ８と、前記相変化型光ディスク１０と前記対物レ
ンズ８との間に挿入され、前記フィルム層７側から拡散
照射された平行光線を、前記反射層２内にデフォーカス
させて前記記録層４を初期化するための補正ガラス３１
とを具備したことを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実
施の形態は本発明の好適な具体例であるから、技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの態様に限られるものではない。

【００２１】図１は、本発明に係る相変化型光ディスク
の初期化方法及び初期化装置に用いられる光ディスクと
対物レンズの好ましい配置態様の一実施例を示す概略断
面図、図２は、同、相変化型光ディスクの初期化方法及
び初期化装置に用いられる光ディスクと対物レンズの他
の実施例を示す概略断面図、図３は、図１の他の実施例
を示す概略断面図、図４は、同、相変化型光ディスクの
初期化方法及び初期化装置に用いられる光ディスクと対
物レンズの更に他の実施例を示す概略断面図である。、

【００２２】本実施例で対象となる相変化型光ディスク
と対物レンズの実施の形態を、図１〜図４を参照して説
明する。

【００２３】図１において、１は、例えばポリカーボネ
ート樹脂よりなる基板であり、この基板１には、案内溝
と場合によって一部再生専用のための情報信号（ピッ
ト）１ａが形成してある。この基板１の上には、例えば
金属層で形成された反射層２、この反射層２の上には、
誘電体層となる、例えば、ＺｎＳ-ＳｉＯ₂よりなる第一
保護層３、この第一保護層３の上には、例えば、ＧｅＳ
ｂＴｅよりなる記録層４、この記録層４の上には、誘電
体層となる、例えば、ＺｎＳ-ＳｉＯ₂よりなる第二保護
層５、この第二保護層５の上には、例えば紫外線硬化型
樹脂よりなる接着層６を介して前記基板より厚みがシー
ト状の極薄基板である薄いフィルム層７が順次積層され
て相変化型光ディスク１０が形成されている。

【００２４】前記した相変化型光ディスク１０の薄膜を
構成する反射層２の厚みは５〜３００ｎｍ、第一保護層
３の厚みは５〜５０ｎｍ、記録層４の厚みは３〜３０ｎ
ｍ、第二保護層５の厚みは２０〜８０ｎｍであり、これ
らの薄膜全体の厚みの合計は、最大で５００ｎｍ程度に
設定してある。

【００２５】また、ＮＡ０．８５の対物レンズの場合、
入射面側の厚みとなるフィルム層７と接着層６の合計の
厚さは、およそ０．１ｍｍとなる。この場合は、２０Ｇ
Ｂの記録容量となり、本実施例が意図する次世代相変化
型光ディスクにとって、すこぶる好都合となる。なお、
紫外線硬化型樹脂よりなる接着層６の厚みは、０．０１
+０．００２ｍｍ程度である。

【００２６】そして、前記したフィルム層７側より図示
しないレーザ光が拡散照射され、これまた図示しない偏
光ビームスプリッタ等を通過した平行光線が、対物レン
ズ８により偏光されて光ディスク１０の前記したフィル
ム層７と前記した接着層６の接着面との界面にビームス
ポット９として照射されるものである。

【００２７】前記した基板１としては、ガラス、プラス
チック、ガラス上に光硬化性樹脂を設けたもの等のいず
れであってもよいが、コストを含む生産性の面ではプラ
スチックが好ましく、中でもポリカーボネート樹脂が好
ましく、その厚さは、１．１±０．１ｍｍ程度である。

【００２８】前記した反射層２としては、光反射性を有
するＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分
とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｕなどの添加元素を含む合
金及びＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの
金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金
属化合物を混合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする合金
は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることか
ら好ましい。厚さとしては、およそ３００ｎｍ以下であ
る。

【００２９】前記した誘電体層となる第一保護層３は、
これがない場合は、記録層４と反射層２が直接接触して
しまうため、記録層４に初期化のためのレーザ光を照射
してもすぐに反射層２の方向に熱が逃げてしまい、記録
層４を初期化に必要な温度に上昇させることが困難にな
るために設けられているものである。

【００３０】また、記録再生時、通常、光学的な調整
は、記録再生に用いられるレーザ光の波長に合わせてデ
ィスクの記録、未記録状態のコントラストを十分取るよ
うに光学的設計を行うものであるが、記録層４を挟む第
一，第二保護層３，５の厚さでコントロールしているも
のである。従って、この第一，第二保護層３，５を設け
ない場合は、ディスクの反射率が高くなりすぎて、記
録、未記録状態のコントラストが悪くなってしまった
り、レーザ波長に対応できない薄膜構成になってしまう
というデメリットにつながってしまうものである。かか
る意味から、本実施例にあっては、保護層は必要となる
ものである。

【００３１】また、前記した誘電体層となる第一保護層
３、第二保護層５は、記録時に記録層４がレーザビーム
の照射熱によって変形し、記録特性が劣化することを防
止するなど記録層４を熱から保護する効果、更に記録層
４の結晶化を促進して消去率を向上させる効果もある。
この第一、第二保護層３，５としては、例えば、ＺｎＳ
-ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機薄膜などがあ
げられる。

【００３２】前記した記録層４としては、例えば、有機
色素からなり、情報の記録に用いられるレーザ光を吸収
し得る吸収スペクトルを示すシアニン色素、メロシアニ
ン色素、アゾメチン色素、アゾ色素、フタロシアニン色
素及びこれらの色素構造を配位子として有する金属錯体
等が用いられる。

【００３３】前記した接着層６としては、紫外線硬化型
（ＵＶ）樹脂、２液型のエポキシ系樹脂、嫌気性接着
剤、プライマー硬化型接着剤、シアノアクリレート系接
着剤、プラスチックシートの両面に接着剤を塗布したも
の等が用いられる。要は、接着剤かつ光透過層として使
用可能な透明な材質ならよいものである。

【００３４】前記したフィルム層７としては、種類に指
定はなく材質としては、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリス
チレン、ポリ-α-メチルスチレン、トリアセチルセルロ
ース等光ディスクの再生波長の光を透過する材質なら良
いものである。

【００３５】

【実施例１】図１に示すように、表面に幅０．３２μ
ｍ、深さ２５ｎｍの案内溝１ａが形成されている半径１
２０ｍｍで、厚さ１．１±０．１ｍｍの円盤状のポリカ
ーボネート製基板１上に、反射層２としてＡｇを原子比
９８％以上含むＡｇ合金を２１０ｎｍ、次に第一保護層
３としてＺｎＳ-ＳｉＯ₂を１５ｎｍ、記録層４としてＧ
ｅＳｂＴｅを１８ｎｍ、さらに第二保護層５としてＺｎ
Ｓ-ＳｉＯ₂を５０ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリン
グ法を用いて成膜した。次に、第二保護層５の上に接着
層６として、ＵＶ硬化樹脂を用いてシート状の極薄の透
明基板（フィルム層）７を貼り合わせることにより、相
変化型光ディスク１０を完成する。

【００３６】このように作成した相変化型光ディスク１
０を波長８３０ｎｍ、焦点のビーム径１２０μｍの半導
体レーザー光源を有し、レーザービームの走査、ディス
クの回転が制御可能である初期化装置を使用して、ディ
スクの回転線速度４ｍ／ｓ、ディスク１回転当たりのレ
ーザービームの送りピッチ４０μｍ、レーザービームの
強度５００ｍＷで前記シート状の極薄の透明基板７と前
記ＵＶ硬化樹脂６の接着面の界面に図１に示すようにフ
ォーカシングするよう、光照射して初期化を行った。

【００３７】

【実施例２】表面に幅０．３２μｍ、深さ２５ｎｍの案
内溝１ａが形成されている半径１２０ｍｍで、厚さ１．
１±０．１ｍｍの円盤状のポリカーボネート製基板１上
に、反射層２としてＡｇを原子比９８％以上含むＡｇ合
金を２１０ｎｍ、次に第一保護層３としてＺｎＳ-Ｓｉ
Ｏ₂を１５ｎｍ、記録層４としてＧｅＳｂＴｅを１８ｎ
ｍ、さらに第二保護層５としてＺｎＳ-ＳｉＯ₂を５０ｎ
ｍ、順次マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し
た。次に、第二保護層５の上に、接着層６としてＵＶ硬
化樹脂を用いてシート状の極薄の透明基板（フィルム
層）７を貼り合わせることにより、相変化型光ディスク
１０を完成する。

【００３８】このように作成した相変化型光ディスク１
０を波長８３０ｎｍ、焦点のビーム径１２０μｍの半導
体レーザー光源を有し、レーザービームの走査、ディス
クの回転が制御可能である初期化装置を使用して、ディ
スクの回転線速度４ｍ／ｓ、ディスク１回転当たりのレ
ーザービームの送りピッチ４０μｍ、レーザービームの
強度５００ｍＷで、図２に示すように記録層４から光照
射方向と反対方向である垂直方向に２μｍ、すなわち反
射層２内にデフォーカス（ビームスポットとせず焦点が
ボケた状態）するよう、光照射して初期化を行った。

【００３９】

【比較例１】図１に示すように、表面に幅０．３２μ
ｍ、深さ２５ｎｍの案内溝１ａが形成されている半径１
２０ｍｍで、厚さ１．１±０．１ｍｍの円盤状のポリカ
ーボネート製基板１上に、反射層２としてＡｇを原子比
９８％以上含むＡｇ合金を２１０ｎｍ、次に第一保護層
３としてＺｎＳ-ＳｉＯ₂を１５ｎｍ、記録層４としてＧ
ｅＳｂＴｅを１８ｎｍ、さらに第二保護層５としてＺｎ
Ｓ-ＳｉＯ₂を５０ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリン
グ法を用いて成膜した。次に、第二保護層５の上に接着
層６として、ＵＶ硬化樹脂を用いてシート状の極薄の透
明基板（フィルム層）７を貼り合わせることにより、相
変化型光ディスク１０を完成する。

【００４０】このように作成した相変化型光ディスク１
０を波長８３０ｎｍ、焦点のビーム径１２０μｍの半導
体レーザー光源を有し、レーザービームの走査、ディス
クの回転が制御可能である初期化装置を使用して、ディ
スクの回転線速度４ｍ／ｓ、ディスク１回転当たりのレ
ーザービームの送りピッチ４０μｍ、レーザービームの
強度５００ｍＷで図６に示すように記録層４にフォーカ
シングするよう、光照射して初期化を行った。

【００４１】

【比較例２】表面に幅０．３２μｍ、深さ２５ｎｍの案
内溝１ａが形成されている半径１２０ｍｍで、厚さ１．
１±０．１ｍｍの円盤状のポリカーボネート製基板１上
に、反射層２としてＡｇを原子比９８％以上含むＡｇ合
金を２１０ｎｍ、次に第一保護層３としてＺｎＳ-Ｓｉ
Ｏ₂を１５ｎｍ、記録層４としてＧｅＳｂＴｅを１８ｎ
ｍ、さらに第二保保護層５としてＺｎＳ-ＳｉＯ₂を５０
ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜
した。次に、第二保護層５の上に、接着層６としてＵＶ
硬化樹脂を用いてシート状の極薄の透明基板（フィルム
層）７を貼り合わせることにより、相変化型光ディスク
１０を完成する。

【００４２】このように作成した相変化型光ディスク１
０を波長８３０ｎｍ、焦点のビーム径１２０μｍの半導
体レーザー光源を有し、レーザービームの走査、ディス
クの回転が制御可能である初期化装置を使用して、ディ
スクの回転線速度４ｍ／ｓ、ディスク１回転当たりのレ
ーザービームの送りピッチ４０μｍ、レーザービームの
強度５００ｍＷ以下のパワーで最適パワーを探し、図５
に示すように記録層４にフォーカシングするよう、光照
射して初期化を行った。

【００４３】フォーカシング位置の調整は対物レンズ８
のＮＡを調整すれば可能であるが、対物レンズ８のＮＡ
は固定されているので、その都度、違うレンズに交換し
なければならない。図３は、かかる目的のために案出さ
れたものであり、基本的には、図１の構成を用い、対物
レンズ８と相変化型光ディスク１０、より具体的には対
物レンズ８と極薄基板（フィルム層）７との間にフォー
カス位置調整用の補正ガラス３０，３１を設置したもの
である。この補正ガラス３０，３１は、本来は異なる厚
さの基板、例えば０．６ｍｍと１．２ｍｍのような相変
化型光ディスク１０を初期化するときに、この補正ガラ
スを出し入れするだけで対応可能にするために設置する
ものである。

【００４４】実施例１，実施例２の方法で初期化した相
変化型光ディスク１０は、外見上、熱によるダメージは
確認できなかった。また、初期化後の相変化型光ディス
ク１０の反射率変動をオシロスコープで観察したとこ
ろ、変動率が少ない良好な初期化状態が形成されている
ことが確認できた。

【００４５】この実施例１および実施例２の方法は、フ
ォーカスをあわせる場所は異なるが、記録層４からフォ
ーカスをずらすという点で同じである。このように、フ
ォーカスをずらすことで記録層４上のレーザースポット
９は焦点よりも広くなることにより、レーザースポット
９内のエネルギー密度は低くなり、従って、極薄の透明
基板（フィルム層）７を初期化の光照射を行うことによ
っても、熱の発生を抑制することができたものと思われ
る。

【００４６】これに対して、比較例１の方法で初期化し
た相変化型光ディスク１０は、シート状の極薄の透明基
板（フィルム層）７が熱によるダメージにより目視でわ
かる程度まで変形し、記録再生できない状態になってし
まった。また、記録層４は初期化（結晶化）できたが、
反射率変動が大きく、良好とは云えない状態であった。

【００４７】前記したフォーカスを記録層４からずらす
（デフォーカスする）手段は、次の方法による。まず、
従来の初期化方法である図５のように記録層４にフォー
カスをあわせる。そして、この状態で図３のように補正
レンズ３０，３１を挿入する。本実施例では、補正レン
ズ３０，３１として２枚挿入する例で説明しているが、
必ずしも２枚必要ではなく、１枚でもかまわないもので
ある。

【００４８】この補正レンズ３０，３１の挿入により、
フォーカス位置はずれることになる。また、補正レンズ
３０，３１の厚みは、それを各種用意しておけば、フォ
ーカス位置が自由に制御できるので、甚だ好都合であ
る。

【００４９】また、フォーカスサーボ回路の電圧調整が
可能な機構を具備しておけば、フォーカスをかけたあと
のオフセット調整が可能になる。またこのフォーカス位
置より、調整可能なオフセット電圧をフォーカス制御回
路に供給することでも可能である。オフセット電圧は、
記録媒体特性、初期化要レーザーパワーとの兼ね合いか
ら、任意に調整できるようにしておくことが好ましく、
例えば初期化装置内にこのオフセット電圧供給表を作成
しておき、その中から任意に選択できるようにしておく
こともできる。

【００５０】実施例１の方法では、シート状の極薄基板
（フィルム層）７と接着層６の界面にフォーカスを合わ
せているが、接着層６、シート状の極薄基板７ともに可
視光領域で透過率が高く、吸収率が低いために、シート
状の極薄基板７の変形は起こらなかったものと考えられ
る。

【００５１】前記した図２と異なる方法でデフォーカス
するときは、実施例３である図４に示すように、記録層
４より光照射方向にずらすことで行えば良い。この場
合、デフォーカスする距離は、記録層４を含めた積層薄
膜（第一保護層３、第二保護層５）にフォーカスがあわ
ない程度が好ましく、ディスクには回転時の面振れもあ
るのでこれを考慮すると、０．５μｍ以下が好ましい。
すなわち、接着層６内か、極薄基板７内にデフォーカス
することが好ましい。

【００５２】また、比較例２のようにフォーカシングは
記録層４に合わせたままで最適パワーを探して初期化を
試みたが、シート状の極薄基板７が変形をしない前記し
た比較例１より弱い５００ｍＷのパワーで光照射した場
合は、シート層１６は全く熱ダメージはなかったが、記
録層４の結晶化は不充分であり、初期化できないか、部
分的に結晶化するのが精一杯であり、良好な初期化状態
を形成することが出来なかった。

【００５３】上記実施例の説明において、初期化を行う
光源として光を用いた例で説明したが、必ずしもこれで
なくても良く、熱的エネルギを用いても勿論良いもので
ある。

【００５４】

【発明の効果】このように本請求項１に係る発明は、基
板上に、反射層、第一保護層、記録層、第二保護層、接
着層、前記基板より厚みが薄いフィルム層をこの順に積
層した光ディスクの前記記録層に、前記フィルム層側か
ら拡散照射された光線をビームスッポットすることによ
り、前記記録層を相変化させて情報の記録再生消去を行
う相変化型光ディスクの初期化方法であって、前記拡散
照射された光線をビームスッポットする位置を、前記記
録層とは異なり、前記フィルム層が損傷せず、かつ、前
記記録層が初期化できる位置としたことにより、光ディ
スクの製造工程途中で初期化を行わなくても良好な初期
化を行うことが出来る。

【００５５】請求項２に係る発明は、基板上に、反射
層、第一保護層、記録層、第二保護層、接着層、前記基
板より厚みが薄いフィルム層をこの順に積層した光ディ
スクの前記記録層に、前記フィルム層側から拡散照射さ
れた光線をビームスッポットすることにより、前記記録
層を相変化させて情報の記録再生消去を行う相変化型光
ディスクの初期化方法であって、前記拡散照射された光
線を照射して前記記録層を初期化するに際し、前記拡散
照射された光線の照射を、前記記録層とは異なり、前記
反射層内にデフォーカスさせることにより行うようにし
たので、光ディスクの製造工程途中で初期化を行わなく
ても良好な初期化を行うことが出来る。

【００５６】請求項３に係る発明は、基板上に、反射
層、第一保護層、記録層、第二保護層、接着層、前記基
板より厚みが薄いフィルム層をこの順に積層した光ディ
スクと、前記フィルム層側から拡散照射された平行光線
を前記した光ディスクの記録層上にビームスポットさせ
る対物レンズと、前記光ディスクと前記対物レンズとの
間に挿入され、前記フィルム層側から拡散照射された平
行光線を、前記反射層内にデフォーカスさせて前記記録
層を初期化するための補正ガラスとを具備したことによ
り、光ディスクの製造工程途中で初期化を行わなくても
良好な初期化を行うことができる初期化装置を提供する
ことが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る相変化型光ディスクの初期化方法
及び初期化装置に用いられる光ディスクと対物レンズの
好ましい配置態様の一実施例を示す概略断面図である。

【図２】同、相変化型光ディスクの初期化方法及び初期
化装置に用いられる光ディスクと対物レンズの他の実施
例を示す概略断面図である。

【図３】図１の他の実施例を示す概略断面図である。

【図４】同、相変化型光ディスクの初期化方法及び初期
化装置に用いられる光ディスクと対物レンズの更に他の
実施例を示す概略断面図である。

【図５】従来の光ディスクの初期化方法及び初期化装置
に用いられる光ディスクと対物レンズの概略断面図であ
る。

【図６】従来の他の光ディスクの初期化方法及び初期化
装置に用いられる光ディスクと対物レンズの概略断面図
である。

【符号の説明】

１基板１ａ情報信号２反射層３第一保護層４記録層５第二保護層６接着層７極薄基板８対物レンズ９ビームスポット１０相変化型光ディスク３１補正ガラス３２補正ガラス

フロントページの続きＦターム(参考） 5D090 AA01 BB05 CC11 KK01 KK09 5D118 BA01 BB07 CA11 CD02 5D119 AA31 AA38 BA01 BB04 DA08 EB01 JA09 5D121 AA01 GG26 GG28 5D789 AA31 AA38 BA01 BB04 DA08 EB01 JA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、反射層、第一保護層、記録層、
第二保護層、接着層、前記基板より厚みが薄いフィルム
層をこの順に積層した光ディスクの前記記録層に、前記
フィルム層側から拡散照射された光線をビームスッポッ
トすることにより、前記記録層を相変化させて情報の記
録再生消去を行う相変化型光ディスクの初期化方法であ
って、前記拡散照射された光線をビームスッポットする位置
を、前記記録層とは異なり、前記フィルム層が損傷せず、かつ、前記記録層が初期化
できる位置としたことを特徴とする相変化型光ディスク
の初期化方法。
【請求項２】基板上に、反射層、第一保護層、記録層、
第二保護層、接着層、前記基板より厚みが薄いフィルム
層をこの順に積層した光ディスクの前記記録層に、前記
フィルム層側から拡散照射された光線をビームスッポッ
トすることにより、前記記録層を相変化させて情報の記
録再生消去を行う相変化型光ディスクの初期化方法であ
って、前記拡散照射された光線を照射して前記記録層を初期化
するに際し、前記拡散照射された光線の照射を、前記記録層とは異な
り、前記反射層内にデフォーカスさせることにより行う
ようにしたことを特徴とする相変化型光ディスクの初期
化方法。
【請求項３】基板上に、反射層、第一保護層、記録層、
第二保護層、接着層、前記基板より厚みが薄いフィルム
層をこの順に積層した光ディスクと、前記フィルム層側から拡散照射された平行光線を前記し
た光ディスクの記録層上にビームスポットさせる対物レ
ンズと、前記光ディスクと前記対物レンズとの間に挿入され、前
記フィルム層側から拡散照射された平行光線を、前記反
射層内にデフォーカスさせて前記記録層を初期化するた
めの補正ガラスとを具備したことを特徴とする相変化型
光ディスクの初期化装置。